平成１５年（行ケ）第４８３号特許取消決定取消請求事件平成１６年１月２９日判決言渡、平成１６年１月２２日口頭弁論終結判決原告豊田合成株式会社原告株式会社豊田中央研究所原告ら訴訟代理人弁護士大場正成、尾崎英男、嶋末和秀、黒田健二、吉村誠同弁理士平田忠雄、藤谷修被告特許庁長官今井康夫指定代理人平井良憲、高橋泰史、大橋信彦 主文 特許庁が平成１０年異議第７１４５０号事件について平成１１年１０月１日にした決定を取り消す。 訴訟の総費用は各自の負担とする。 事実及び理由 第１ 原告らの求めた裁判主文第１項同旨の判決。 第２ 事案の概要本件は、特許を取り消すべき旨の決定の取消請求を棄却した判決に係る事件の上告審係属中に、当該特許について特許請求の範囲を減縮する訂正審決が確定したことにより、上記判決が破棄され、差し戻された事案である。 １ 手続の経緯等(1) 原告らは、発明の名称を「窒化ガリウム系化合物半導体発光素子」とする特許権（特許番号第２６５８００９号。以下、この特許を「本件特許」という。）の特許権者である。本件特許は、平成４年７月２３日に特許出願がされ、願書に添付した明細書（以下「本件明細書」という。）についての同８年２月１日付け手続補正書による補正を経て、同９年６月６日に特許権の設定の登録がされたものである。 (2) 本件特許について特許異議の申立てがされ、特許庁において、平成１０年異議第７１４５０号事件として審理された結果、平成１１年１０月１日、 ９年６月６日に特許権の設定の登録がされたものである。 (2) 本件特許について特許異議の申立てがされ、特許庁において、平成１０年異議第７１４５０号事件として審理された結果、平成１１年１０月１日、本件特許の請求項１から３までに係る特許を取り消すべき旨の決定（以下「本件取消決定」という。）がされた。 (3) 原告らは、本件取消決定の取消しを求める本件訴訟を提起した。東京高等裁判所は、これを平成１１年（行ケ）第３９８号特許取消決定取消請求事件として審理し、平成１４年４月３日に口頭弁論を終結し、同月２４日に原告らの請求を棄却する旨の判決（以下「原判決」という。）をした。 (4) 原告らは、平成１４年５月１５日、原判決に対する上告及び上告受理の申立て（最高裁判所平成１４年（行ツ）第１７２号及び同（行ヒ）第２００号）をし、最高裁判所は、上告受理の申立てを容れて、平成１５年１０月３１日、「原判決を破棄する。本件を東京高等裁判所に差し戻す。」との判決をした。 ２ 上告審判決において、破棄、差し戻しの理由とされた事実及び判断の理由は、次のとおりである。 (1) 上告人（原告）ら提出の特許庁訂正２００２－３９１５５号事件審決謄本及び本件記録によれば、次の事実が認められる。 ア本件明細書の特許請求の範囲の請求項１から３までの記載は、別紙１のとおりであった。上告人（原告）らは、平成１４年７月１１日、特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明を目的として、本件明細書の訂正をすることについて審判を請求した。この審判請求につき、特許庁において、訂正２００２－３９１５５事件として審理された結果、同年９月２日、本件明細書の訂正をすべき旨の審決（以下「本件訂正審決」という。）がされ、そのころ確定した。 イ本件訂正審決は、本件特許の請求項１及び２を ２－３９１５５事件として審理された結果、同年９月２日、本件明細書の訂正をすべき旨の審決（以下「本件訂正審決」という。）がされ、そのころ確定した。 イ本件訂正審決は、本件特許の請求項１及び２を別紙２のとおり訂正し、請求項３を削除するものであって、特許請求の範囲の減縮に当たる。 (2) 本件のように、特許を取り消すべき旨の決定の取消請求を棄却した原判決に対して上告又は上告受理の申立てがされ、上告審係属中に当該特許について特許出願の願書に添付された明細書を訂正すべき旨の審決が確定し、特許請求の範囲が減縮された場合には、原判決の基礎となった行政処分が後の行政処分により変更されたものとして、原判決には民訴法３３８条１項８号に規定する再審の事由がある。 そして、この場合には、原判決には判決に影響を及ぼすことが明らかな法令の違反があったものというべきである。 第３ 原告らの主張（本件決定の取消事由）本件訂正審決は、本件特許の請求項１及び２を別紙２のとおり訂正し、請求項３を削除するものであって、特許請求の範囲の減縮に当たる。 本件訂正審決は、その謄本が平成１４年９月１３日原告らに送達されたことによって確定し、その結果、本件特許の請求項１及び２に係る特許請求の範囲は出願時に遡って減縮されて別紙２の請求項１及び２のとおりとなり、請求項３は出願時に遡って削除された。 以上のとおり、本件取消決定の取消しを求める本件訴訟の係属中に、その目的に特許請求の範囲の減縮を含む訂正が確定したのであるから、本件取消決定は、結果として、判断の対象となるべき発明の要旨の認定を誤ったものとなる。この誤りが本件取消決定の結論に影響を及ぼすことは明らかであるから、本件取消決定は取り消されるべきである。 第４ 当裁判所の判断本件記録によれば、本件取消決定の取消しを求め を誤ったものとなる。この誤りが本件取消決定の結論に影響を及ぼすことは明らかであるから、本件取消決定は取り消されるべきである。 第４ 当裁判所の判断本件記録によれば、本件取消決定の取消しを求める本件訴訟の係属中に、本件特許の特許請求の範囲の減縮等を含む訂正を認める本件訂正審決が確定し、本件特許の特許請求の範囲が減縮されたことが認められる。そうすると、本件取消決定は、結果として、判断の対象となるべき発明の要旨の認定を誤ったことになり、この誤りが本件取消決定の結論に影響を及ぼすことは明らかであるから、本件取消決定は、取り消されるべきである。 東京高等裁判所第１８民事部裁判長裁判官塚原朋一裁判官古城春実裁判官田中昌利（別紙１） １ ｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体(ＡｌXＧａ1-XＮ；Ｘ＝０を含む）から成る第１層と、ｐ型不純物を添加した窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌXＧａ1-XＮ；Ｘ＝０を含む）から成る第２層とを有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記第１層の電極はＡｌ 、Ｔｉ 又はそれを含む合金から成り、前記第２層の電極はＮｉ又はＮｉを含む合金から成ることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。 ２ サファイア基板と、そのサファイア基板上に形成されたバッファ層を有し、そのバッファ層上に、前記第１層、前記第２層が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。 ３ 前記第２層の前記電極は、Ｎｉの上に他の金属層を形成した複層構造であることを特徴とする請求項１又は請求項２のいずれかに記載の窒化ガリウム系化合物半導体発 の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。 ３ 前記第２層の前記電極は、Ｎｉの上に他の金属層を形成した複層構造であることを特徴とする請求項１又は請求項２のいずれかに記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。」（別紙２） １ ｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌXＧａ1-XＮ；Ｘ＝０を含む）から成るｎ層と、ｐ型不純物を添加した窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌXＧａ1-XＮ；X＝０を含む）から成るｉ層とを有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記ｎ層の電極はＡｌから成り、前記ｉ層の電極はＮｉ及びその上に形成されたＡｌから成ることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。 ２ サファイア基板と、そのサファイア基板上に形成されたバッファ層を有し、そのバッファ層上に、前記ｎ層、前記ｉ層が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
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