平成30(ワ)28930 特許権侵害差止等請求事件

令和４年１２月１５日判決言渡同日原本領収裁判所書記官平成３０年（ワ）第２８９３０号特許権侵害差止等請求事件口頭弁論終結日令和４年８月９日判決原告浜松ホトニクス株式会社 同訴訟代理人弁護士設樂隆一尾関孝彰寺下雄介松本直樹大澤恒夫 深沢正志同訴訟代理人弁理士長谷川芳樹柴田昌聰同訴訟復代理人弁護士河合哲志同補佐人弁理士小曳満昭 今村玲英子被告株式会社東京精密同訴訟代理人弁護士半場秀筬島裕斗志前田直哉 三縄隆松村啓服部誠中村閑同訴訟復代理人弁護士柿本祐依 同補佐人弁理士相田義明 山下崇 主文 １ 被告は、別紙被告製品目録記載の各製品を製造し、使用し、譲渡し、貸し渡し、若しくは輸出し、又は譲 田義明 山下崇 主文 １ 被告は、別紙被告製品目録記載の各製品を製造し、使用し、譲渡し、貸し渡し、若しくは輸出し、又は譲渡若しくは貸渡しの申出をしてはならない。 ２ 被告は、別紙被告製品目録記載の各製品を廃棄せよ。 ３ 被告は、原告に対し、１５億０６９７万８７６２円及び別紙遅延損害金目録記載の各金員を支払え。 ４ 原告のその余の請求をいずれも棄却する。 ５ 訴訟費用は、これを２５分し、その９を原告の負担とし、その余を被 告の負担とする。 ６ この判決は、第１項ないし第３項に限り、原告が１０億円の担保を供するときは、仮に執行することができる。 事実及び理由 目次 第１ 請求 ............................................................ 16第２ 事案の概要 ...................................................... 17 １ 事案の要旨 ........................................................ 17 ２ 審理の経過 ........................................................ 18 ３ 前提事実 .......................................................... 19 ⑴ 当事者 ............................................................ 19⑵ 本件各特許 ....................... 当事者 ............................................................ 19⑵ 本件各特許 ........................................................ 19ア本件特許１ ...................................................... 19イ本件特許２ ...................................................... 20⑶ 本件各特許に係る構成要件の分説 .................................... 20 ア本件特許１ ...................................................... 20イ本件発明２ ...................................................... 21⑷ ステルスダイシング技術 ............................................ 24⑸ 原告と被告の業務提携 .............................................. 25⑹ 被告の行為 ........................................................ 26 ⑺ 被告製品の構造・外観等 ............................................ 26⑻ 被告製品の概要等 .................................................. ............................... 26⑻ 被告製品の概要等 .................................................. 27ア被告製品１と被告製品２の異同 .................................... 27イ被告製品の制御方式 .............................................. 27ウ被告製品の具体的構成 ............................................ 29 ⑼ 先行文献等 ........................................................ 43⑽ 原告による訂正請求等 .............................................. 45 ４ 争点 .............................................................. 46⑴ 被告製品が本件発明１の特許請求の範囲に属するか（争点１） .......... 46ア被告製品は「改質領域」（構成要件Ａ及びＤ）を形成するものといえるか（争 点１－１） .......................................................... 46イ被告製品は「集光点の位置で」（構成要件Ｄ）改質領域を形成させるものといえるか（争点１－２） .............................................. 46ウ被告製品のレーザ加工領域は「切断の起点となる」（構成要件Ａ）ものといえるか（争点１－３） . .............................................. 46ウ被告製品のレーザ加工領域は「切断の起点となる」（構成要件Ａ）ものといえるか（争点１－３） ................................................ 46 エ被告製品は「集光用レンズを移動させ・・る機能を有する」（構成要件Ｅ）ものといえるか（争点１－４） ........................................ 46オ被告製品は「前記レーザ光入射面を基準として前記加工対象物の厚さ方向に第２移動量だけ前記集光用レンズを移動させ・・る機能を有する」（構成要件Ｅ）ものといえるか（争点１－５） ........................................ 46 カ被告製品は「制御部」（構成要件Ｅ）を備えるものといえるか（争点１－６）.................................................................... 46⑵ 被告製品が本件発明２の特許請求の範囲に属するか（争点２） .......... 46ア被告製品は「測定初期位置に前記レンズを保持する」（構成要件Ｑ）、「加工初期位置に前記レンズを保持する」（構成要件２Ｑ）ものといえるか（本件発 明２－１及び２－２に関して）（争点２－１） .......................... 46イ被告製品は「レンズを測定初期位置に保持した状態で第二のレーザ光の照射を開始」（構成要件Ｒ）するものといえるか（本件発明２－１に関して）（争点２－２） .................................... 期位置に保持した状態で第二のレーザ光の照射を開始」（構成要件Ｒ）するものといえるか（本件発明２－１に関して）（争点２－２） ............................................................ 46ウ被告製品は「前記第二のレーザ光の反射光に応じて、前記レンズを前記測定 初期位置に保持した状態を解除」（構成要件Ｒ）し、「当該解除後に・・前記主面との距離を調整するように前記保持手段を制御」（構成要件Ｓ）するものといえるか（本件発明２－１に関して）（争点２－３） ...................... 47エ被告製品は「前記切断予定ラインの一端部において前記改質領域を形成し」（構成要件２Ｒ）、また、「当該一端部における改質領域の形成後に・・前記レ ンズを前記加工初期位置に保持した状態を解除」（構成要件２Ｓ）するものといえるか（本件発明２－２に関して）（争点２－４） ...................... 47オ被告製品は「改質領域」（構成要件Ｉ、Ｐ、２Ｉ、２Ｐ、２Ｒ、２Ｓ、３Ｉ）を形成するものといえるか（本件発明２全てに関して）（争点２－５） .... 47カ被告製品は「制御手段」（構成要件Ｎ～Ｓ、２Ｎ～２Ｓ）を有するか（本件 発明２－１及び２－２に関して）（争点２－６） ........................ 47⑶ 本件特許１が特許無効審判により無効にされるべきものと認められるか（争点３） .................................................................. 47ア乙２４発明に基づく進歩性の欠如（争点３－１） .................... 47イ乙２ ......................................... 47ア乙２４発明に基づく進歩性の欠如（争点３－１） .................... 47イ乙２６発明に基づく進歩性の欠如（争点３－２） .................... 47 ウ乙３３発明に基づく進歩性の欠如（争点３－３） .................... 47 エ乙３４発明に基づく進歩性の欠如（争点３－４） .................... 47オ乙２５発明に基づく進歩性の欠如（争点３－５） .................... 47カ乙３６発明に基づく進歩性の欠如（争点３－６） .................... 47キ乙３７発明に基づく進歩性の欠如（争点３－７） .................... 47ク乙１２０発明に基づく進歩性の欠如（争点３－８－１） .............. 47 ケ訂正の再抗弁の成否（争点３－８－２） ............................ 47コサポート要件違反（争点３－９） .................................. 47サ明確性要件違反（争点３－１０） .................................. 48シ実施可能要件違反（争点３－１１） ................................. 48⑷ 本件特許２が特許無効審判により無効にされるべきものと認められるか（争点 ４） .................................................................. 48アサポ されるべきものと認められるか（争点 ４） .................................................................. 48アサポート要件違反１（本件発明２全てに関して）（争点４－１） ...... 48イサポート要件違反２（本件発明２全てに関して）（争点４－２） ...... 48ウ明確性要件違反（本件発明２全てに関して）（争点４－３） .......... 48⑸ 本件実施許諾契約の成否（争点５） .................................. 48 ⑹ 原告の損害額（争点６） ............................................ 48ア特許法１０２条２項に基づく損害額等（争点６－１） ................ 48イ特許法１０２条１項に基づく損害額等（争点６－２） ................ 48ウ特許法１０２条３項に基づく損害額（争点６－３） .................. 48エ民法７０９条に基づく不法行為の成否及び損害額（争点６－４） ...... 48 ⑺ 不当利得の成否及び不当利得金の額（争点７） ........................ 48⑻ 差止めの必要性（争点８） .......................................... 48第３ 争点に関する当事者の主張 ........................................ 48 １ 争点１－１（被告製品は「改質領域」（構成要件Ａ及びＤ）を形成するものといえるか） ................................... ............... 48 １ 争点１－１（被告製品は「改質領域」（構成要件Ａ及びＤ）を形成するものといえるか） ............................................................. 48 （原告の主張） ........................................................ 48 ⑴ 「改質領域」の意義 ................................................ 49ア溶融処理領域の意義 .............................................. 49イ多光子吸収は発明特定事項ではないこと ............................ 49ウ 「改質領域」はボイドを形成しないものに限られないこと ............ 52⑵ 被告製品のレーザ加工領域は「溶融処理領域」に該当すること .......... 54 ⑶ 被告の主張に対する反論 ............................................ 64ア被告の主張するメカニズムが合理的でないこと ...................... 64イレーザ加工領域における単結晶の存在について ...................... 66ウ ＥＢＳＤに基づく被告主張（乙４６の２、乙１０１）の誤り .......... 69エ被告製品とは加工条件が異なること ................................ 70 オ乙８５について .................................. 製品とは加工条件が異なること ................................ 70 オ乙８５について .................................................. 71カ小括 ............................................................ 71（被告の主張） ........................................................ 72⑴ 「改質領域」の意義 ................................................ 72ア溶融処理領域の意義 .............................................. 72 イ 「改質領域」は多光子吸収が支配的に寄与して形成されるものに限定されること ................................................................ 73ウ 「改質領域」はボイドが形成されないものに限定されること .......... 75⑵ 被告製品のレーザ加工領域においては「溶融」は生じていないこと ...... 76ア根拠①：レーザ加工領域の温度がシリコンの融点を超えるから溶融するとい う主張について ...................................................... 76イ根拠②：被告製品が熱的加工を特徴とするナノ秒レーザを用いているという主張について ........................................................ 根拠②：被告製品が熱的加工を特徴とするナノ秒レーザを用いているという主張について ........................................................ 80ウ根拠③：ＳＥＭ写真において溶融痕が観察されるとの主張について .... 80エ根拠④：溶融が生じることを示すステルスダイシングの技術文献が数多く存 在するという主張について ............................................ 80 オ根拠⑤：ラマン分析の結果、レーザ加工領域においてアモルファス及び多結晶が存在するという主張について ...................................... 81カレーザ加工領域でも結晶性が保たれていること ...................... 82キエピタキシャル成長について ...................................... 83ク乙８５の実験結果（ボイド上方領域の形成にはボイドの形成は不要であるこ と） ................................................................ 84ケ溶融によらないメカニズム ........................................ 84 ２ 争点１－２（被告製品は「集光点の位置で」（構成要件Ｄ）改質領域を形成するものといえるか） ..................................................... 86（原告の主張） ....................................................... ................................ 86（原告の主張） ........................................................ 86 （被告の主張） ........................................................ 87 ３ 争点１－３（被告製品のレーザ加工領域は「切断の起点となる」（構成要件Ａ）ものといえるか） ....................................................... 87（原告の主張） ........................................................ 87（被告の主張） ........................................................ 88 ４ 争点１－４（被告製品は「集光用レンズを移動させ・・る機能を有する」（構成要件Ｅ）ものといえるか） ............................................. 89（原告の主張） ........................................................ 89（被告の主張） ........................................................ 90 ５ 争点１－５（被告製品は「前記レーザ光入射面を基準として前記加工対象物の 厚さ方向に第２移動量だけ前記集光用レンズを移動させ・・る機能を有する」（構成要件Ｅ）ものといえるか） ..................................... 加工対象物の 厚さ方向に第２移動量だけ前記集光用レンズを移動させ・・る機能を有する」（構成要件Ｅ）ものといえるか） ............................................... 91（原告の主張） ........................................................ 91（被告の主張） ........................................................ 92 ６ 争点１－６（被告製品は「制御部」（構成要件Ｅ）を備えるものといえるか） ....................................................................... 93 （原告の主張) ......................................................... 93（被告の主張） ........................................................ 94 ７ 争点２－１（被告製品は「測定初期位置に前記レンズを保持する」（構成要件Ｑ）、「加工初期位置に前記レンズを保持する」（構成要件２Ｑ）ものといえるか）（本件発明２－１及び２－２に関して） ................................... 94 （原告の主張） ........................................................ 95（被告の主張） ....................................................... 103 ８ 争点２－２ ................... 95（被告の主張） ....................................................... 103 ８ 争点２－２（被告製品は「レンズを測定初期位置に保持した状態で第二のレーザ光の照射を開始」（構成要件Ｒ）するものといえるか）（本件発明２－１に関して）...................................................................... 108 （原告の主張） ....................................................... 108（被告の主張） ....................................................... 114 ９ 争点２－３（被告製品は「前記第二のレーザ光の反射光に応じて、前記レンズを前記測定初期位置に保持した状態を解除」（構成要件Ｒ）し、「当該解除後に・・前記主面との距離を調整するように前記保持手段を制御」（構成要件Ｓ）するものと いえるか）（本件発明２－１に関して） .................................. 119（原告の主張） ....................................................... 119（被告の主張） ....................................................... 121争点２－４（被告製品は「前記切断予定ラインの一端部において前記改質領域を形成し」（構成要件２Ｒ）、また、「当該一端部における改質領域の形成後に・・ 前記レンズを前記加工初 . 121争点２－４（被告製品は「前記切断予定ラインの一端部において前記改質領域を形成し」（構成要件２Ｒ）、また、「当該一端部における改質領域の形成後に・・ 前記レンズを前記加工初期位置に保持した状態を解除」（構成要件２Ｓ）するものといえるか）（本件発明２－２に関して） .................................. 123（原告の主張） ....................................................... 123（被告の主張） ....................................................... 126 11 争点２－５（被告製品は「改質領域」（構成要件Ｉ、Ｐ、２Ｉ、２Ｐ、２Ｒ、 ２Ｓ、３Ｉ）を形成するといえるか（本件発明２全てに共通） .............. 129 （原告の主張） ....................................................... 130（被告の主張） ....................................................... 130 12 争点２－６（被告製品は「制御手段」（構成要件Ｎ～Ｓ、２Ｎ～２Ｓ）を有するか（本件発明２－１及び２－２に関して） .............................. 131（原告の主張） ....................................................... 131 （被告の主張） ....................................................... 131 ................... 131 （被告の主張） ....................................................... 131 13 争点３－１（乙２４発明に基づく進歩性の欠如） ..................... 131（被告の主張） ....................................................... 131（原告の主張） ....................................................... 138 14 争点３－２（乙２６発明に基づく進歩性の欠如） ..................... 145 （被告の主張） ....................................................... 145（原告の主張） ....................................................... 150争点３－３（乙３３発明に基づく進歩性の欠如） ..................... 153（被告の主張） ....................................................... 153（原告の主張） ....................................................... 160 16 争点３－４（乙３４発明に基づく進歩性の欠如） ..................... 163（被告の主張） ....................................................... 163 欠如） ..................... 163（被告の主張） ....................................................... 163（原告の主張） ....................................................... 167 17 争点３－５（乙２５に基づく進歩性の欠如） ......................... 170（被告の主張） ....................................................... 170 （原告の主張） ....................................................... 174 18 争点３－６（乙３６に基づく進歩性の欠如） ......................... 176（被告の主張） ....................................................... 176（原告の主張） ....................................................... 181 19 争点３－７（乙３７に基づく進歩性の欠如） ......................... 185 （被告の主張） ....................................................... 185 （原告の主張） ....................................................... 190争点３－８－１（乙１２０に基づく進歩性の欠如） ........... ....................................................... 190争点３－８－１（乙１２０に基づく進歩性の欠如） ................... 193（被告の主張） ....................................................... 193（原告の主張） ....................................................... 195 21 争点３－８－２（訂正の再抗弁の成否（乙１２０に基づく進歩性の欠如の抗弁 に対するもの）） ...................................................... 198（原告の主張） ....................................................... 198（被告の主張） ....................................................... 202 22 争点３－９（サポート要件違反） ................................... 206（被告の主張） ....................................................... 206 （原告の主張） ....................................................... 206 23 争点３－１０（明確性要件違反） ................................... 206（被告の主張） ............................. 23 争点３－１０（明確性要件違反） ................................... 206（被告の主張） ....................................................... 206（原告の主張） ....................................................... 207 24 争点３－１１（実施可能要件違反） ................................. 207 （被告の主張） ....................................................... 207（原告の主張） ....................................................... 207争点４－１（サポート要件違反１）（本件発明２全てに関して） ....... 208（被告の主張） ....................................................... 208（原告の主張） ....................................................... 208 26 争点４－２（サポート要件違反２）（本件発明２全てに関して） ....... 211（被告の主張） ....................................................... 211（原告の主張） ....................................................... 211 27 争点４－３（明確性要件違反）（本件発明２全てに （原告の主張） ....................................................... 211 27 争点４－３（明確性要件違反）（本件発明２全てに関して） ........... 211（被告の主張） ....................................................... 211 （原告の主張） ....................................................... 212 28 争点５（本件実施許諾契約の成否） ................................. 212（被告の主張） ....................................................... 212（原告の主張） ....................................................... 215 29 争点６－１－１（特許法１０２条２項の適用の可否） ................. 216（原告の主張） ....................................................... 216 （被告の主張） ....................................................... 219争点６－１－２（特許法１０２条２項に基づく損害額） ............... 223（原告の主張） ....................................................... 224（被告の主張） .............. ... 223（原告の主張） ....................................................... 224（被告の主張） ....................................................... 228 31 争点６－２－１（特許法１０２条１項の適用の可否） ................. 233 （原告の主張） ....................................................... 233（被告の主張） ....................................................... 233 32 争点６－２－２（特許法１０２条１項に基づく損害額） ............... 235（原告の主張） ....................................................... 235（被告の主張） ....................................................... 237 33 争点６－２－３（特許法１０２条３項の重畳適用の可否及び適用される場合の損害額）について ...................................................... 241（原告の主張） ....................................................... 241（被告の主張） ....................................................... 242 34 争点６－３（特許法１０２条３項に基づく ... 241（被告の主張） ....................................................... 242 34 争点６－３（特許法１０２条３項に基づく損害） ..................... 243 （原告の主張） ....................................................... 243（被告の主張） ....................................................... 249争点６－４（民法７０９条に基づく不法行為の成否及び損害額） ....... 255（原告の主張） ....................................................... 255（被告の主張） ....................................................... 256 36 争点７（不当利得の成否及び不当利得金の額） ....................... 256 （原告の主張） ....................................................... 256（被告の主張） ....................................................... 257 37 争点８（差止めの必要性） ......................................... 257（原告の主張） ....................................................... 257（被告の主張） . ................ 257（原告の主張） ....................................................... 257（被告の主張） ....................................................... 257 第４ 当裁判所の判断 ................................................. 258 １ 本件発明１の内容 .................................................. 258 ２ 争点１－１（被告製品は「改質領域」（構成要件Ａ及びＤ）を形成するものといえるか） .............................................................. 266⑴ 「改質領域」の意義 ............................................... 266 ア特許請求の範囲の記載 ........................................... 266イ本件明細書等１の記載 ........................................... 266ウ 「改質領域」の解釈 ............................................. 268エ 「改質領域」が多光子吸収が支配的に寄与して形成されるものに限定されるかについて ......................................................... 268 オ 「改質領域」はボイドを形成しないものに限られるか かについて ......................................................... 268 オ 「改質領域」はボイドを形成しないものに限られるか ............... 273⑵ 被告製品のレーザ加工処理領域に「溶融」が生じているか。 ........... 276アシリコンの融点について ......................................... 276イ被告製品により形成されたシリコンウェハの改質領域の温度 ......... 277ウナノ秒レーザ ................................................... 283 エレーザ加工領域の割断後断面写真（ＦＥ－ＳＥＭ）について ......... 283オラマン分析について ............................................. 284カ電子線後方散乱解析（ＥＢＳＤ）の結果について ................... 287キ電子線回折の観察結果について ................................... 288ク結論 ........................................................... 289 ケ被告の主張について ............................................. 290 ⑶ 被告製品が「改質領域」（構成要件Ａ、Ｄ）を形成しているか .......... 296ア 「溶融処理領域」該当性 ................................... ⑶ 被告製品が「改質領域」（構成要件Ａ、Ｄ）を形成しているか .......... 296ア 「溶融処理領域」該当性 ......................................... 296イ多光子吸収が支配的に寄与して形成されたものに限定されないこと ... 296ウボイドが形成されないものに限定されないこと ..................... 297オ小括 ........................................................... 297 ３ 争点１－２（被告製品は「集光点の位置で」（構成要件Ｄ）改質領域を形成するものといえるか） ...................................................... 297⑴ 「集光点の位置で」の意義 ......................................... 297ア特許請求の範囲の記載 ........................................... 297イ本件明細書等１の記載 ........................................... 298 ⑵ 被告製品の改質領域はレーザ光の「集光点の位置」で形成されるといえるか。 ..................................................................... 299 ４ 争点１－３（被告製品のレーザ加工領域は「切断の起点となる」（構成要件Ａ）ものといえるか） ...................................................... 299⑴ 製品のレーザ加工領域は「切断の起点となる」（構成要件Ａ）ものといえるか） ...................................................... 299⑴ 被告製品（非除去）について ....................................... 299 ⑵ 被告製品（除去）について ......................................... 300⑶ 小括 ............................................................. 301 ５ 争点１－４（被告製品は「集光用レンズを移動させ・・る機能を有する」（構成要件Ｅ）ものといえるか） .............................................. 302 ６ 争点１－５（被告製品は「前記レーザ光入射面を基準として前記加工対象物の 厚さ方向に第２移動量だけ前記集光用レンズを移動させ・・る機能を有する」（構成要件Ｅ）といえるか） .................................................. 304 ７ 争点１－６（被告製品は「制御部」（構成要件Ｅ）を備えるものといえるか）...................................................................... 306 ８ 本件発明２の内容 .................................................. 307 ⑴ 明細書の記載 .................................................... 307 ......................... 307 ⑴ 明細書の記載 .................................................... 307 ⑵ 本件発明２の技術的特徴 .......................................... 318 ９ 争点２－１（被告製品は「測定初期位置に前記レンズを保持する」（構成要件Ｑ）、「加工初期位置に前記レンズを保持する」（構成要件２Ｑ）ものといえるか）（本件発明２－１及び２－２に関して） .................................. 319争点２－２（被告製品は「レンズを測定初期位置に保持した状態で前記第二の レーザ光の照射を開始」（構成要件Ｒ）するものといえるか）（本件発明２－１に関して） ................................................................ 327 11 争点２－３（被告製品は「前記第二のレーザ光の反射光に応じて、前記レンズを前記測定初期位置に保持した状態を解除」（構成要件Ｒ）し、当該「解除後に・・主面との距離を調整するように前記保持手段を制御」（構成要件Ｓ）するものといえ るか）（本件発明２－１に関して） ...................................... 329 12 争点２－４（被告製品は「前記切断予定ラインの一端部において前記改質領域を形成し」（構成要件２Ｒ）、また、「当該一端部における改質領域の形成後に、・・前記レンズを前記加工初期位置に保持した状態を解除」（構成要件２Ｓ）するものといえるか）（本件発明２－２に関して） .................... 当該一端部における改質領域の形成後に、・・前記レンズを前記加工初期位置に保持した状態を解除」（構成要件２Ｓ）するものといえるか）（本件発明２－２に関して） .................................. 336 13 争点２－５（被告製品は「改質領域」（構成要件Ｉ、Ｐ、２Ｉ、２Ｐ、２Ｒ、２Ｓ、３Ｉ）を形成するといえるか）（本件発明２全てに共通） ............ 344 14 争点２－６（被告製品は「制御手段」（構成要件Ｎ～Ｓ、２Ｎ～２Ｓ）を備えるか） ................................................................ 345充足論についてのまとめ ........................................... 346 16 争点３－１（乙２４発明に基づく進歩性の欠如）について ............. 346⑴ 乙２４発明の内容 ................................................ 346⑵ 乙２４発明の構成 ................................................ 359⑶ 一致点及び相違点 ................................................ 363⑷ 容易想到性 ...................................................... 365 17 争点３－２（乙２６発明に基づく進歩性の欠如） ..................... 366 ⑴ 乙２６発明の内容 ...................... 17 争点３－２（乙２６発明に基づく進歩性の欠如） ..................... 366 ⑴ 乙２６発明の内容 ................................................ 366⑵ 乙２６公報の引例適格性について .................................. 372⑶ 乙２６発明の構成 ................................................ 373⑷ 一致点及び相違点 ................................................ 373⑸ 容易想到性 ...................................................... 375 18 争点３－３（乙３３発明に基づく進歩性の欠如） ..................... 376⑴ 乙３３発明の内容 ................................................ 376⑵ 乙３３発明の構成 ................................................ 378⑶ 一致点及び相違点 ................................................ 380⑷ 容易想到性 ...................................................... 382 19 争点３－４（乙３４発明に基づく進歩性の欠如） ..................... 383⑴ 乙３４発明の内容 ......................... . 382 19 争点３－４（乙３４発明に基づく進歩性の欠如） ..................... 383⑴ 乙３４発明の内容 ................................................ 383⑵ 乙３４発明の構成 ................................................ 386⑶ 一致点及び相違点 ................................................ 388⑷ 容易想到性 ...................................................... 389 争点３－５（乙２５に基づく進歩性の欠如） ......................... 391⑴ 乙２５発明の内容 ................................................ 391⑵ 乙２５発明の構成 ................................................ 395⑶ 一致点及び相違点 ................................................ 397⑷ 容易想到性 ...................................................... 398 21 争点３－６（乙３６発明に基づく進歩性の欠如） ..................... 399⑴ 乙３６発明の内容 ................................................ 399⑵ 乙３６発明の構成 .................. ⑴ 乙３６発明の内容 ................................................ 399⑵ 乙３６発明の構成 ................................................ 405⑶ 一致点及び相違点 ................................................ 407⑷ 容易想到性 ...................................................... 409 22 争点３－７（乙３７に基づく進歩性の欠如） ......................... 409 ⑴ 乙３７発明の内容 ................................................ 409⑵ 乙３７発明の構成 ................................................ 413⑶ 一致点及び相違点 ................................................ 415⑷ 容易想到性 ...................................................... 416 23 争点３－８（乙１２０に基づく進歩性の欠如） ....................... 417 ⑴ 乙１２０発明の内容 .............................................. 417⑵ 乙１２０発明の構成 .............................................. 433⑶ 一致点及び相違点 ....... ............ 417⑵ 乙１２０発明の構成 .............................................. 433⑶ 一致点及び相違点 ................................................ 434⑷ 容易想到性 ...................................................... 436 24 争点３－９（サポート要件違反） ................................... 439 争点３－１０（明確性要件違反） ................................... 439 26 争点３－１１（実施可能要件違反） ................................. 440 27 争点４－１（サポート要件違反１） ................................. 441 28 争点４－２（サポート要件違反２） ................................. 442 29 争点４－３（明確性要件違反） ..................................... 442 争点５（本件実施許諾契約の成否） ................................. 443 31 争点６－１－１（特許法１０２条２項の適用の可否） ................. 452 32 争点６－２－１（特許法１０２条１項の適用の可否） ................. 459 33 争点６－３（特許法１０２条３項に基づく損害額） ................... 461 34 争点６ １（特許法１０２条１項の適用の可否） ................. 459 33 争点６－３（特許法１０２条３項に基づく損害額） ................... 461 34 争点６－４（民法７０９条に基づく不法行為の成否及び損害額） ....... 478 争点８（差止めの必要性）につい ................................... 479 36 その他 ........................................................... 480第５ 結論 ........................................................... 481被告製品目録 ......................................................... 485 第１ 請求 １ 被告は、別紙被告製品目録記載の各製品を製造し、使用し、譲渡し、貸し渡し、若しくは輸出し、又は譲渡若しくは貸渡しの申出をしてはならない。 ２ 被告は、別紙被告製品目録記載の各製品を廃棄せよ。 ３ 被告は、原告に対し、２４億円及びうち２１億円に対する平成３０年１１月１日から、うち３億円に対する令和２年２月１日から、各支払済みまで各年５分の 割合による金員を支払え。 ４ 仮執行宣言第２ 事案の概要 １ 事案の要旨本件は、発明の名称を「レーザ加工装置」とする特許（特許第３８６７１０ ８号。請求項の数１。以下、「本件特許１」といい、本件特許１に係る特許権を「本件特許権１」という。）及び発明の名称を「レーザ加工方法及びレーザ加工装置」とする特許（特許４６０１９６５号。請求項の数２０。以 請求項の数１。以下、「本件特許１」といい、本件特許１に係る特許権を「本件特許権１」という。）及び発明の名称を「レーザ加工方法及びレーザ加工装置」とする特許（特許４６０１９６５号。請求項の数２０。以下「本件特許２」といい、本件特許２に係る特許権を「本件特許権２」という。そして、本件特許１及び本件特許２を併せて「本件各特許」、本件特許権１及び本 件特許権２を併せて「本件各特許権」という。）の特許権者である原告が、被告による別紙被告製品目録記載の各製品（以下、符号に応じ、「被告製品１」、「被告製品２」といい、併せて「被告製品」という。）の製造・販売等が本件各特許権の侵害を構成すると主張して、被告に対し、特許法１００条１項に基づく被告製品の製造・販売等の差止め及び同条２項に基づく被告製品の 廃棄を求めるとともに、次に掲げる⑴ないし⑸記載の損害賠償金の支払を求める事案である（⑴ないし⑷は選択的請求原因であり、⑸は⑴ないし⑷の予備的請求原因の関係にある。）。 ⑴ 特許法１０２条２項に基づき、損害賠償金３２億７９３４万９９７３円の一部請求である２４億円並びにうち２１億円に対する平成３０年１１月１日 （不法行為の後の日）から及びうち３億円に対する令和２年２月１日（不法 行為の後の日）から各支払済みまで民法（平成２９年法律第４４号による改正前のもの）所定の年５分の割合による遅延損害金（なお、当初、原告は、被告は平成３０年１０月までに３５台、令和２年１月までに５台の被告製品を製造・販売したと主張し、３５台分に相当する損害金２１億円については平成３０年１１月１日を起算日として、５台分に相当する損害金３億円につ いては令和２年２月１日を起算日として、遅延損害金の支払を求 造・販売したと主張し、３５台分に相当する損害金２１億円については平成３０年１１月１日を起算日として、５台分に相当する損害金３億円につ いては令和２年２月１日を起算日として、遅延損害金の支払を求めて訴えの追加的変更を行った。その後、原告は、最終的に、損害賠償の対象となる被告製品の販売台数を●（省略）●台に増加させたが、遅延損害金の起算日については、当該台数の増加を反映した訴えの変更を行っていない。）⑵ 特許法１０２条１項に基づき、損害賠償金１８億２９３９万５７６６円及 びこれに対する平成３０年１１月１日（不法行為の後の日）から支払済みまで民法（平成２９年法律第４４号による改正前のもの）所定の年５分の割合による遅延損害金⑶ 特許法１０２条３項に基づき、損害賠償金１８億６２５４万０８００円及びこれに対する平成３０年１１月１日（不法行為の後の日）から支払済みま で民法（平成２９年法律第４４号による改正前のもの）所定の年５分の割合による遅延損害金⑷ 民法７０９条に基づき、１９億７０３９万５７６６円及びこれに対する平成３０年１１月１日（不法行為の後の日）から支払済みまで民法（平成２９年法律第４４号による改正前のもの）所定の年５分の割合による遅延損害金 ⑸ 不当利得返還請求に基づき、不当利得金１６億３８２９万０８００円及びこれに対する平成３０年１１月１日（不当利得の後の日）から支払済みまで民法（平成２９年法律第４４号による改正前のもの）所定の年５分の割合による法定利息 ２ 審理の経過 当裁判所は、本件事案の内容等に鑑み、関連事件を含めて一切の紛争を全面 的に解決するために和解勧告した上、当事者双方と和解協議を継続し、裁判所の和解案を提示したところ、原告はこれに応じる意向を示 所は、本件事案の内容等に鑑み、関連事件を含めて一切の紛争を全面 的に解決するために和解勧告した上、当事者双方と和解協議を継続し、裁判所の和解案を提示したところ、原告はこれに応じる意向を示したものの、被告がこれに応じなかったため、和解は打ち切られた。その後、当事者双方は、令和４年６月３０日までに、侵害論及び損害論に関して、不要な争点を除いて従前の主張を整理した総括準備書面（１頁の行数２６行、行内文字数３７文字、文 字の大きさ１２ポイント、脚注を使用しないものとして、合計１２０頁）を提出することとし（令和４年４月８日付け経過表参照）、当裁判所は、同書面記載の争点を中心として判断することとされた。そして、上記にいう総括準備書面として、原告は令和４年６月３０日付け原告第５６準備書面を、被告は令和４年６月３０日付け被告第７９準備書面を、それぞれ提出した。 ３ 前提事実（当事者間に争いのない事実並びに後掲の各証拠及び弁論の全趣旨により認められる事実をいう。なお、本判決を通じ、証拠番号は、特に断らない限り、枝番を含む。）⑴ 当事者ア原告は、光半導体、光学応用機器等の開発・製造を主たる業務とする技術 開発型の企業である。 イ被告は、精密計測機器と半導体製造装置のメーカーである。 ⑵ 本件各特許ア本件特許１ 原告は、以下の本件特許１を有している（甲１。本件特許１に係る出願 の願書に添付された明細書及び図面を「本件明細書等１」という。）特許番号：特許第３８６７１０８号発明の名称：レーザ加工装置出願 件特許１に係る出願 の願書に添付された明細書及び図面を「本件明細書等１」という。）特許番号：特許第３８６７１０８号発明の名称：レーザ加工装置出願日：平成１８年３月２日優先日：平成１２年９月１３日 登録日：平成１８年１０月１３日 本件特許の特許請求の範囲の請求項１の記載内容は、別紙「特許請求の範囲」記載１のとおりである（以下、請求項１に記載された発明を「本件発明１」という。）。（甲１）イ本件特許２ 原告は、以下の本件特許２を有している（甲２。本件特許２に係る出願 の願書に添付された明細書及び図面を「本件明細書等２」という。）特許番号：特許４６０１９６５号発明の名称：レーザ加工方法及びレーザ加工装置出願日：平成１６年１月９日登録日：平成２２年１０月８日 本件特許２の特許請求の範囲の請求項１３の記載内容は、別紙「特許請求の範囲」記載２－１のとおりである（以下、請求項１３に記載された発明を「本件発明２－１」という。）。（甲２の２）本件特許２の特許請求の範囲の請求項１５の記載内容は、別紙「特許請求の範囲」記載２－２のとおりである（以下、請求項１５に記載された発 明を「本件発明２－２」という。）。（甲２の２）本件特許２の特許請求の範囲の請求項１６の記載内容は、別紙「特許請求の範囲」記載２－３のとおりである（以下、請求項１６に記載された発明を「本件発明２－３」といい、本件発明２－１から本件発明２－３までを併せて「本件発明２」と総称し、本件発明１と併せて「本件各発明」と いう。）。（甲２の２）⑶ 本件各特許に係る構成要件の分説 発明２－３」といい、本件発明２－１から本件発明２－３までを併せて「本件発明２」と総称し、本件発明１と併せて「本件各発明」と いう。）。（甲２の２）⑶ 本件各特許に係る構成要件の分説ア本件特許１本件発明１を構成要件に分説すると、次のとおりである（以下、分説した構成要件をその符号に従い「構成要件Ａ」などという。） [Ａ] ウェハ状の加工対象物の内部に、切断の起点となる改質領域を形成 するレーザ加工装置であって、[Ｂ] 前記加工対象物が載置される載置台と、[Ｃ] レーザ光を出射するレーザ光源と、[Ｄ] 前記載置台に載置された前記加工対象物の内部に、前記レーザ光源から出射されたレーザ光を集光し、そのレーザ光の集光点の位置で前 記改質領域を形成させる集光用レンズと、[Ｅ] レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置するように、前記加工対象物のレーザ光入射面を基準として前記加工対象物の厚さ方向に第１移動量だけ前記集光用レンズを移動させ、レーザ光の集光点が前記加工対象物の切断予定ラインに沿って移動するように、前記加工 対象物の厚さ方向と直交する方向に前記載置台を移動させた後、レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置するように、前記レーザ光入射面を基準として前記加工対象物の厚さ方向に第２移動量だけ前記集光用レンズを移動させ、レーザ光の集光点が前記切断予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物の厚さ方向と直交する方向 に前記載置台を移動させる機能を有する制御部とを備え、[Ｆ] 前記加工対象物はシリコンウェハであることを特徴とするレーザ加工装置。 イ本件発明２本件発明２を構成要件に分説すると、次のとおりである。 本件発明２－ 部とを備え、[Ｆ] 前記加工対象物はシリコンウェハであることを特徴とするレーザ加工装置。 イ本件発明２本件発明２を構成要件に分説すると、次のとおりである。 本件発明２－１[Ｉ] 第一のレーザ光を加工対象物の内部に集光点を合わせて照射し、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部に改質領域を形成するレーザ加工装置であって、[Ｊ] 前記第一のレーザ光及び前記加工対象物の主面の変位を測定する ための第二のレーザ光を前記加工対象物に向けて集光するレンズ と、[Ｋ] 前記第二のレーザ光の照射に応じて前記主面で反射される反射光を検出して前記主面の変位を取得する変位取得手段と、[Ｌ] 前記加工対象物と前記レンズとを前記加工対象物の主面に沿って移動させる移動手段と、 [Ｍ] 前記レンズを前記主面に対して進退自在に保持する保持手段と、[Ｎ] 前記移動手段及び前記保持手段それぞれの挙動を制御する制御手段と、を備え、[Ｏ] 前記第二のレーザ光を照射しながら、前記制御手段は前記加工対象物と前記レンズとを前記主面に沿って相対的に移動させるように前 記移動手段を制御し、前記変位取得手段は前記切断予定ラインに沿った前記主面の変位を取得し、[Ｐ] 前記第一のレーザ光を照射し、前記制御手段は前記変位取得手段が取得した変位に基づいて前記レンズと前記主面との間隔を調整しながら保持するように前記保持手段を制御し、前記レンズと前記加工対 象物とを前記主面に沿って相対的に移動させるように前記移動手段を制御して前記改質領域を形成し、[Ｑ] 前記制御手段は前記第二のレーザ光の集光点が前記加工対象物に対する所定の位置に合うように設定された測定初期位置に前記レンズを保持 させるように前記移動手段を制御して前記改質領域を形成し、[Ｑ] 前記制御手段は前記第二のレーザ光の集光点が前記加工対象物に対する所定の位置に合うように設定された測定初期位置に前記レンズを保持するように前記保持手段を制御し、 [Ｒ] 当該レンズを測定初期位置に保持した状態で前記第二のレーザ光の照射を開始し、前記制御手段は前記レンズと前記加工対象物とを前記主面に沿って相対的に移動させるように前記移動手段を制御し、前記主面で反射される前記第二のレーザ光の反射光に応じて、前記レンズを前記測定初期位置に保持した状態を解除するように前記保持手 段を制御し、 [Ｓ] 当該解除後に、前記制御手段は前記主面で反射される前記第二のレーザ光の反射光を検出しながら前記レンズと前記主面との距離を調整するように前記保持手段を制御し、前記変位取得手段は前記切段予定ラインに沿った前記主面の変位を取得する、レーザ加工装置。 本件発明２－２ [２Ｉ] 第一のレーザ光を加工対象物の内部に集光点を合わせて照射し、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部に改質領域を形成するレーザ加工装置であって、[２Ｊ] 前記第一のレーザ光及び前記加工対象物の主面の変位を測定するための第二のレーザ光を前記加工対象物に向けて集光するレンズ と、[２Ｋ] 前記第二のレーザ光の照射に応じて前記主面で反射される反射光を検出して前記主面の変位を取得する変位取得手段と、[２Ｌ] 前記加工対象物と前記レンズとを前記加工対象物の主面に沿って移動させる移動手段と、 [２Ｍ] 前記レンズを前記主面に対して進退自在に保持する保持手段と、[２Ｎ] 前記移動手段及び前記保持手段それぞれの挙動を制御する制御手 工対象物の主面に沿って移動させる移動手段と、 [２Ｍ] 前記レンズを前記主面に対して進退自在に保持する保持手段と、[２Ｎ] 前記移動手段及び前記保持手段それぞれの挙動を制御する制御手段と、を備え、[２Ｏ] 前記第二のレーザ光を照射しながら、前記制御手段は前記加工対象物と前記レンズとを前記主面に沿って相対的に移動させるように 前記移動手段を制御し、前記変位取得手段は前記切断予定ラインに沿った前記主面の変位を取得し、[２Ｐ] 前記第一のレーザ光を照射し、前記制御手段は前記変位取得手段が取得した変位に基づいて前記レンズと前記主面との間隔を調整しながら保持するように前記保持手段を制御し、前記レンズと前記加工 対象物とを前記主面に沿って相対的に移動させるように前記移動手 段を制御して前記改質領域を形成し、[２Ｑ] 前記制御手段は前記変位取得手段が取得した前記切断予定ラインに沿った前記主面の変位に基づいて前記主面に対して前記レンズを保持する加工初期位置を設定し、当該設定した加工初期位置に前記レンズを保持するように前記保持手段を制御し、 [２Ｒ] 当該レンズを加工初期位置に保持した状態で前記第一のレーザ光の照射を開始し、前記制御手段は前記レンズと前記加工対象物とを相対的に移動させるように前記移動手段を制御して前記切断予定ラインの一端部において前記改質領域を形成し、[２Ｓ] 当該一端部における改質領域の形成後に、前記制御手段は、前記 レンズを前記加工初期位置に保持した状態を解除し、前記変位取得手段が取得した前記主面の変位に基づいて前記レンズと前記加工対象物との間隔を調整するように前記保持手段を制御し、前記レンズと前記加工対象物とを相対的に移動させるように前記移動手段を制御して前記改質領 段が取得した前記主面の変位に基づいて前記レンズと前記加工対象物との間隔を調整するように前記保持手段を制御し、前記レンズと前記加工対象物とを相対的に移動させるように前記移動手段を制御して前記改質領域を形成する、レーザ加工装置。 本件発明２－３[３Ｉ] 前記変位取得手段が前記切断予定ラインに沿った前記主面の変位を取得する際に併せて前記第一のレーザ光を照射し、前記切断予定ラインに沿って前記改質領域を形成する、[３Ｊ] 請求項１０～１５のいずれか１項に記載のレーザ加工装置。 ⑷ ステルスダイシング技術アステルスダイシング技術は、原告が世界で初めて開発した技術であり、半導体基板を切断（ダイシング）するために用いられる。 ステルスダイシングによる加工工程は、①シリコンウェハ（以下、「ウェハ」や「ウエハー」ともいう。)の切断予定ラインに沿って、レーザ光を走査 して照射し、ウェハの内部に加工領域を形成するレーザ加工工程と、②ウェ ハに引っ張り応力を加え、加工領域を起点としてウェハを分割する分割工程とに区別される。そして、ステルスダイシングにおいては、ウェハ表面を加工しないため、ウェハ表面に形成された機能素子を損傷するような粉塵を発生させることがなく純水での洗浄工程も不要となるほか、加工箇所を最小限に抑えることができるため、フラッシュメモリ等の精密な機能素子のチップ を切り出すために有用な技術となっている。 イ原告は、ステルスダイシング技術を用いて半導体基板をダイシングするための装置（以下「ＳＤダイサー」という。）の中核モジュールであるステルスダイシングエンジンユニット（以下「ＳＤエンジン」という。）を製造し、被告を含む半導体製造装置メーカーに供給してきた。 るための装置（以下「ＳＤダイサー」という。）の中核モジュールであるステルスダイシングエンジンユニット（以下「ＳＤエンジン」という。）を製造し、被告を含む半導体製造装置メーカーに供給してきた。 （以上につき、甲３、４、１３４、弁論の全趣旨）⑸ 原告と被告の業務提携ア原告と被告は、平成１４年９月１８日に業務提携準備に係る契約（以下「本件業務提携準備契約」という。）を締結し、また、平成１５年９月１８日に業務提携に関する契約（以下「本件業務提携契約」という。）を締結した。 そして、原告は、本件業務提携契約に基づき、被告に対し、原告製ＳＤエンジンを供給するとともに、被告によるＳＤダイサーの製造・販売につき、本件各特許を含む特許ポートフォリオ及びステルスダイシング技術のノウハウに係る包括ライセンスを付与した(以下、このような包括ライセンスを付与する契約を「包括ライセンス契約」という。)。 これを受けて、被告は、本件業務提携契約に基づき、被告自らが製造したＳＤダイサー本体に、原告製ＳＤエンジンを搭載した製品（以下「従来被告製品」という。）を製造し、エンドユーザである半導体メーカーに販売していた。 イ本件業務提携契約は、平成２９年９月１８日をもって終了した。 （以上につき、甲６、１２、１３３、乙１、弁論の全趣旨） ⑹ 被告の行為被告は、本件業務提携契約終了後、業として、被告製のＳＤダイサー本体に、被告製のＳＤエンジンを搭載した製品（被告製品）を製造し、譲渡し、輸出し、及び譲渡の申出をした。(弁論の全趣旨)⑺ 被告製品の構造・外観等 被告製品の外観は次のとおりであり、加工ユニット、搬送ユニット及 た製品（被告製品）を製造し、譲渡し、輸出し、及び譲渡の申出をした。(弁論の全趣旨)⑺ 被告製品の構造・外観等 被告製品の外観は次のとおりであり、加工ユニット、搬送ユニット及びロードポートユニットの３つのユニットから構成されるところ、ＳＤエンジンは、このうち、加工ユニットの黄色部分（レーザーエンジンと記載された部分）に該当する。（弁論の全趣旨）なお、原告は、被告製のＳＤエンジンが本件各特許の実施品に当たると主張 しているところ、このように、ＳＤエンジンが、被告が完成品としてエンドユーザに販売する被告製品（ＳＤダイサー）の一部にすぎないことが、後述のとおり、損害論における争点（争点６－１－１、６－２－１）を生じさせている。 ⑻ 被告製品の概要等 ア被告製品１と被告製品２の異同被告製品１は、主として３００ｍｍ径のシリコンウェハをレーザ加工するための装置であり、被告製品２は、主として２００ｍｍ径のシリコンウェハをレーザ加工するための装置であるが、被告製品１及び被告製品２の構成は、本件各発明の構成要件に対応する限度においては同一である。（弁論の全趣 旨）イ被告製品の制御方式 ＡＦ追従被告製品は、測距用のレーザ光をシリコンウェハに照射し、その反射光を検出するＡＦ（ＡｕｔｏＦｏｃｕｓ）ユニットにより、対物レンズと シリコンウェハの主面（シリコンウェハの対物レンズ側の表面）との間隔 が一定となるように、対物レンズの高さを調整（以下、このようにシリコンウェハの主面に追従させて対物レンズの高さを調整することを「ＡＦ追従」といい、ＡＦ追従に 対物レンズ側の表面）との間隔 が一定となるように、対物レンズの高さを調整（以下、このようにシリコンウェハの主面に追従させて対物レンズの高さを調整することを「ＡＦ追従」といい、ＡＦ追従による制御を「ＡＦ追従制御」という。）しながら、対物レンズを走査（以下「ＡＦ追従走査」という。）することができる。 そして、対物レンズの高さの調整は、ピエゾ素子を用いたアクチュエータ （ピエゾアクチュエータ）の高さを制御することで、対物レンズの高さを上下させることにより行われる。 設計変更被告は、従来、被告製品につき、ウェハ上の所定の区間において対物レンズを所定の高さに固定する方式（以下、「ＡＦ固定方式」といい、ＡＦ 固定方式による制御を「ＡＦ固定制御」という。また、ＡＦ固定方式を採用した被告製品を「被告製品（固定）」という。）を採用していたものの、その後、被告製品（固定）の設計変更（以下「本件設計変更」という。）を行い、ＡＦ追従走査の開始前に対物レンズをウェハ表面の起伏に緩やかに追従させる方式（以下「低追従ＡＦ方式」といい、低追従ＡＦ方式によ る制御を「低追従ＡＦ制御」という。また、低追従ＡＦ方式を採用した被告製品を「被告製品（低追従）」という。）を採用した。 すなわち、被告製品（固定）においては、下記【図（固定）】のとおり、シリコンウェハの外端部（以下「ウェハエッジ」ともいう。）を始点とする予め定められた所定の区間（下記【図（固定）】において「高さ固定区 間」とされている区間。以下「エッジ処理区間」という。）においてピエゾアクチュエータを一定の高さに固定して保持した後に、当該保持状態を解除する制御を行っているところ、その場合、解除時点では、対物レンズとシリコンウェハの主面との距 ジ処理区間」という。）においてピエゾアクチュエータを一定の高さに固定して保持した後に、当該保持状態を解除する制御を行っているところ、その場合、解除時点では、対物レンズとシリコンウェハの主面との距離が開いているため、大きな値のピエゾ制御指令値(対物レンズの高さを制御するためのピエゾアクチュエータの駆 動信号）が出力されることになる。その結果、ピエゾ制御指令値とピエゾ 現在位置（現在のピエゾアクチュエータの高さを示す値）との差分も大きくなるため、ピエゾアクチュエータは急激に大きく移動することとなる。 そして、シリコンウェハの主面の高さの変動に対物レンズの高さが追従できないため、シリコンウェハ表面の高さと、ピエゾ現在位置の差が大きくなる結果、フォーカスずれ量が大きくなってしまうという課題があった。 そこで、上記課題を解決するため、被告製品（低追従）では、下記【図（低追従）】のとおり、測距用レーザ光の反射光に基づき、対物レンズとシリコンウェハの主面との距離の測定値に所定の変数を乗じた値で、シリコンウェハの外端部（ウェハエッジ）を始点とする予め定められた所定の区間（エッジ処理区間。下記【図（低追従）】において「低追従区間」と されている区間。）において、ピエゾアクチュエータを固定させずに進退移動させることにより、ピエゾ制御指令値が大きな値とならないようにしている。その結果、ピエゾ制御指令値とピエゾ現在位置との間に大きな差分が生じないため、ピエゾが急激に大きく変動することがない。これにより、シリコンウェハ表面の高さと、ピエゾ現在位置の差が大きくなること がなくなるため、フォーカスずれ量も小さくなり、オーバーシュートも小さくなる。 ●（省略）●【図（固定）】　【 さと、ピエゾ現在位置の差が大きくなること がなくなるため、フォーカスずれ量も小さくなり、オーバーシュートも小さくなる。 ●（省略）●【図（固定）】　【図（低追従）】ウ被告製品の具体的構成 被告製品（固定）と被告製品（低追従）の相違点は、基本的に、エッジ処理区間及びＡＦ追従終了位置から走査折返し位置までの区間での制御がＡＦ固定方式か低追従ＡＦ方式かという点のみであり、それぞれ、次の構成を備えている。（弁論の全趣旨）被告製品（固定） 構成① 被告製品（固定）は、シリコンウェハに対して透明な加工用 レーザ光を加工対象物（シリコンウェハ）の内部に集光点を合わせて照射する。 構成② 被告製品（固定）は、シリコンウェハ内部で、加工用レーザ光の集光点を走査することにより、シリコンウェハの切断予定ライン（切断起点であるレーザ加工領域が形成されることを予 定するＸＹ平面上のライン）に沿って、シリコンウェハの内部にレーザ加工領域を形成する。 構成③ 被告製品（固定）は、加工用レーザ光の光源、加工用レーザ光をシリコンウェハに向けて集光する対物レンズ、及び加工用レーザ光を対物レンズに導く加工用レーザ光の光学系を有する レーザ照射機構（レーザ加工エンジンユニット）を備える。 構成④ レーザ加工エンジンユニットは、シリコン単結晶に対して不透明な測距用レーザ光の光源、シリコンウェハの加工用レーザ光入射面（主面）で反射される測距用レーザ光を検出する位置検出素子、及び測距用レーザ光をシリコンウェハの主面に照射 し、シリコンウェハの主面で反射された測距用レーザ光を位置検出素子の受光部に導く光学系からなるＡＦ（AutoFocus）ユニット 検出素子、及び測距用レーザ光をシリコンウェハの主面に照射 し、シリコンウェハの主面で反射された測距用レーザ光を位置検出素子の受光部に導く光学系からなるＡＦ（AutoFocus）ユニットを有する。 構成⑤ 対物レンズは、加工用レーザ光に加えて測距用レーザ光をシリコンウェハに向けて集光する。 構成⑥ 被告製品（固定）のコンピュータシステムと接続されるＡＦユニットは、位置検出素子が検出した測距用レーザ光に基づき、対物レンズとシリコンウェハの主面との間隔が基準間隔となるように対物レンズ保持機構のピエゾアクチュエータを制御すると共に、切断予定ラインに沿った主面の変位（主面の形 状）を取得し、シリコンウェハの主面で反射される測距用レー ザ光の全光量を測定する。なお、当業者の技術常識において、「全光量」は、空気、光学系及び主面での散乱・反射により減衰した後の測距用レーザ光反射光の全光量を意味する。 構成⑦ 被告製品（固定）は、ピエゾアクチュエータを介して対物レンズを保持する対物レンズ保持機構を備える。被告製品（固 定）は、ピエゾアクチュエータを駆動して、対物レンズとシリコンウェハの主面との間隔が基準間隔となるように対物レンズの高さ（Ｚ軸上の位置）を微調整（ＡＦ追従）しながら対物レンズを走査（ＡＦ追従走査）することができる。すなわち、対物レンズは、シリコンウェハの主面に対して進退自在に保持さ れる。 構成⑧ 被告製品（固定）のコンピュータシステムは、切断予定ラインに沿ったＡＦ追従走査により取得したシリコンウェハの主面の変位を記憶する。被告製品（固定）は、記憶された切断予定ラインに沿ったシリコンウェハの主面の変位に基づいて、当該 切断予定ラインにおいてＡＦ追従走査をすることができる たシリコンウェハの主面の変位を記憶する。被告製品（固定）は、記憶された切断予定ラインに沿ったシリコンウェハの主面の変位に基づいて、当該 切断予定ラインにおいてＡＦ追従走査をすることができる。 構成⑨ 被告製品（固定）は、シリコンウェハを支持するステージであるカッティングテーブルを備える。シリコンウェハは、その主面がＸＹ平面と平行になるように、カッティングテーブルに固定される。 構成⑩ 被告製品（固定）は、カッティングテーブルをＸ軸方向に動かす駆動機構を備える。被告製品（固定）は、当該駆動機構を制御して、レーザ加工エンジンユニットの位置を固定しつつ、カッティングテーブルをＸ軸方向に動かすことにより、対物レンズを、シリコンウェハの主面に沿って、シリコンウェハに対 して相対的に移動（走査）させる。被告製品（固定）は、加工 用レーザ光を照射しつつ当該走査をすることにより、シリコンウェハの内部で加工用レーザ光の集光点を走査してレーザ加工領域を形成（レーザ加工）する。 構成⑪ 被告製品（固定）は、レーザ加工エンジンユニットをＺ軸方向に動かす駆動機構を備える。複数回のレーザ加工走査による 複数段のレーザ加工領域の形成（複数段レーザ加工走査）をする場合における各レーザ加工領域の深さへの加工用レーザ光の集光点の移動は、レーザ加工エンジンユニットをＺ軸方向に動かすことによりなされる。他方、走査中対物レンズとシリコンウェハの主面との間隔を基準間隔に維持するための対物レンズ の高さの微調整は、構成⑥で説明されたとおり、ピエゾアクチュエータの伸縮によりなされる。 構成⑫ カッティングテーブルをＸ軸方向に動かす駆動機構、レーザ加工エンジンユニットをＺ軸方向に動かす駆動機構、及びピエゾアクチュエータは たとおり、ピエゾアクチュエータの伸縮によりなされる。 構成⑫ カッティングテーブルをＸ軸方向に動かす駆動機構、レーザ加工エンジンユニットをＺ軸方向に動かす駆動機構、及びピエゾアクチュエータは、それぞれ、被告製品（固定）のコンピュ ータシステムにより制御される。 構成⑬ 被告製品（固定）は、シリコンウェハのＸＹ平面上の所定の点（例えば、中心）で加工用レーザ光の集光点がシリコンウェハの主面に合うようにレーザ加工エンジンユニットの高さを調整（ハイト調整基準位置に調整）した上、更にレーザ加工エン ジンユニットを所定の移動量だけシリコンウェハの主面に近付ける（Ｚ軸方向に移動させる）ことにより、加工用レンズの集光点をシリコンウェハ内部の所定の深さに合わせる（ハイト調整）する機能を有する。対物レンズの走査中、レーザ加工エンジンユニットは、ハイト調整された高さに固定される。 構成⑭ 被告製品（固定）は、予め記憶されたＡＦ追従中の切断予定 ラインに沿ったシリコンウェハの主面の変位に基づいて、あるいは、測距用レーザ光の照射・検出をしながら、対物レンズとシリコンウェハの主面との間隔が基準間隔となるようにピエゾアクチュエータを制御しつつレーザ加工（ＡＦ追従レーザ加工）することができる。被告製品（固定）がＡＦ追従レーザ加 工をするとき、加工用レーザ光の集光点は、シリコンウェハの主面にうねり（凹凸）があっても、常に、シリコンウェハの主面から一定の深さに位置するように制御される。 構成⑮ 被告製品（固定）は、切断予定ラインに沿ったシリコンウェハの主面の変位を取得するに先立ち、あるいは、レーザ加工に 先立ち、対物レンズがウェハ外側にあるときに、すなわち走査開始待機位置（走査に先立ち対物レンズが停止している インに沿ったシリコンウェハの主面の変位を取得するに先立ち、あるいは、レーザ加工に 先立ち、対物レンズがウェハ外側にあるときに、すなわち走査開始待機位置（走査に先立ち対物レンズが停止している位置、走査の折返しがなされる位置）からウェハエッジ検出位置（光量基準又は座標基準（構成⑰）により検出されたウェハエッジの位置）までの区間で、対物レンズを所定の高さに固定（ＡＦ 固定）するよう制御をする。初回の走査ではハイト調整がなされたときの対物レンズの高さ／ピエゾ現在位置が、２回目以降の走査では前回の走査で他端側のウェハエッジが検出された時にＡＦユニットが測距用レーザ光に基づき取得した主面の形状（構成⑥）に基づき定められる対物レンズの高さ／ピエゾ現在 位置（前回の走査における「他端側所定の高さ」）が、当該所定の高さとされる。 なお、「対物レンズの高さ／ピエゾ現在位置」との上記表記において、対物レンズの高さと、ピエゾ現在位置（測距用レーザ光が集光する理論上の位置）とは、一対一対応の関係にあ る。対物レンズは、ピエゾ現在位置より、常に、所定の距離 （対物レンズの焦点距離）だけ高い位置にある。 構成⑯ 被告製品（固定）は、切断モード（構成⑳）としてファースト・トレースモード（Firsttracemode）が選択されたとき、ウェハエッジ検出位置を始点とする予め設定された所定の距離の区間（エッジ処理区間」）で、ＡＦ追従を抑止するよう にピエゾアクチュエータを制御して、対物レンズを上記所定の高さ（構成⑮）に固定（ＡＦ固定）するよう制御しつつカッティングテーブルを移動させることでシリコンウェハに対して対物レンズを走査する。 構成⑰ 被告製品（固定）は、ウェハエッジ検出基準として光量基 固定（ＡＦ固定）するよう制御しつつカッティングテーブルを移動させることでシリコンウェハに対して対物レンズを走査する。 構成⑰ 被告製品（固定）は、ウェハエッジ検出基準として光量基 準（Light）が選択されたとき、ＡＦユニットが測定した測距用レーザ光の反射光の全光量が閾値を超えた地点をウェハエッジとして検出し、ウェハエッジ検出位置から所定の距離内側の位置（エッジ処理区間の終点）で、上記反射光に応じて（上記反射光に基づき決定される地点で）ＡＦ固定制御を解除してＡＦ 追従走査を開始する。 主面にベベルがあるシリコンウェハのウェハエッジ検出基準として光量基準が選択された場合には、ウェハエッジ検出位置（測定された測距用レーザ光全光量が閾値を超える地点）は、ウェハの現実の最外端部よりも内側に入った地点となる。他 方、主面にベベルがないシリコンウェハのウェハエッジ検出基準として光量基準が選択された場合には、ウェハエッジ検出位置は、略ウェハの現実の最外端部となる。 被告製品（固定）は、ウェハエッジ検出基準として座標基準（Encoder）が選択されたとき、カッティングテーブルの中心位 置（シリコンウェハの中心が位置すべき位置）からシリコンウ ェハの半径に相当する距離だけ離れた位置をウェハエッジ（Ｘ軸座標０ｍｍ地点）と判断する。ただし、シリコンウェハをカッティングテーブルに載せる際、実際には、シリコンウェハの中心がカッティングテーブルの中心位置から僅かにずれることがある。 構成⑱ 被告製品（固定）は、切断モード（構成⑳）としてファースト・トレースモード（Firsttracemode）が選択されたとき、エッジ処理区間（構成⑯）より内側の領域で、ＡＦ追 構成⑱ 被告製品（固定）は、切断モード（構成⑳）としてファースト・トレースモード（Firsttracemode）が選択されたとき、エッジ処理区間（構成⑯）より内側の領域で、ＡＦ追従走査して、切断予定ラインに沿ったシリコンウェハの主面の変位を取得して記憶する。 構成⑲ 被告製品（固定）は、レーザ加工エンジンユニットをハイト調整基準位置から第１移動量（第１段ＡＦ追従レーザ加工のZHeight として入力された値（μm））だけシリコンウェハの主面に近づいた位置にハイト調整をしてＡＦ追従レーザ加工（第１段ＡＦ追従レーザ加工）をした後、同一の切断予定ラインにお いて、レーザ加工エンジンユニットを、第１段ＡＦ追従レーザ加工をした位置から第２移動量だけシリコンウェハの主面に近づいた位置にハイト調整をして、予め記憶された切断予定ラインに沿ったシリコンウェハの主面の変位に基づいて、再びＡＦ追従レーザ加工（第２段ＡＦ追従レーザ加工）をする。 構成⑳ 被告製品（固定）では、切断モードとして、トレースモード（Tracemode）、ファースト・トレースモード（Firsttracemode）あるいはリアルタイムモード（Realtimemode）を選択することができる。トレースモード（Tracemode）が選択されたとき、被告製品（固定）は、各切断予定ラインにおいて、最 初の走査では対物レンズの高さを固定したまま（ピエゾアクチ ュエータの伸び量を固定したまま）加工用レーザ光を照射せずに主面の変位を取得した上記憶し、それに続いて、記憶された主面の変位に基づいて第１段ＡＦ追従レーザ加工をする。トレースモード（Tracemode）において第２段ＡＦ追従レーザ加工がな を照射せずに主面の変位を取得した上記憶し、それに続いて、記憶された主面の変位に基づいて第１段ＡＦ追従レーザ加工をする。トレースモード（Tracemode）において第２段ＡＦ追従レーザ加工がなされるとき、第２段ＡＦ追従レーザ加工もこの記憶された 主面の変位に基づいてなされる。ファースト・トレースモード（Firsttracemode）が選択されたとき、被告製品（固定）は、各切断予定ラインにおいて、最初の走査で、ピエゾアクチュエータの伸縮により対物レンズの高さを変動させつつＡＦ追従走査（構成⑦、⑩）をすることにより切断予定ラインに沿っ たシリコンウェハの主面の変位を取得した上記憶し、同時に加工用レーザ光を照射して第１段ＡＦ追従レーザ加工をし、それに続いて、２回目の走査で、記憶された主面の変位に基づいて第２段ＡＦ追従レーザ加工をする。リアルタイムモード（Realtimemode）が選択されたとき、ピエゾアクチュエータの伸縮に より対物レンズの高さを主面の変位に応じて変位させつつＡＦ追従レーザ加工がなされる。 構成㉑被告製品（固定）は、複数段レーザ加工走査（構成⑪）をする際、第１段ＡＦ追従レーザ加工において、座標基準が設定された場合、対物レンズがシリコンウェハ上の所定の位置に達す るとＡＦ追従を終了させ、光量基準が設定された場合、他端側のウェハエッジが検出されるとＡＦ追従を終了させ、対物レンズの高さを他端側所定の高さに固定するように制御（ＡＦ固定制御）しつつ、対物レンズがシリコンウェハ外側の走査終了となる位置までカッティングテーブルを移動させ、それに続いて レーザ加工エンジンユニットの高さを上昇させることにより加 工用レーザ光の集光点を第２段ＡＦ追従レーザ加工の深さに移 了となる位置までカッティングテーブルを移動させ、それに続いて レーザ加工エンジンユニットの高さを上昇させることにより加 工用レーザ光の集光点を第２段ＡＦ追従レーザ加工の深さに移動させた上、第１段ＡＦ追従加工の走査方向とは反対の方向に対物レンズが相対移動（シリコンウェハに対して相対的に移動）するようにカッティングテーブルを移動させることにより第２段ＡＦ追従レーザ加工のための走査を開始する。複数段レ ーザ加工走査におけるこの折返し動作は、トレースモード（Tracemode）とファースト・トレースモード（Firsttracemode）とで相違しない。 構成㉒被告製品（固定）は、第２段ＡＦ追従レーザ加工をする際、走査開始待機位置からエッジ処理区間の終端までの区間で、前 回の走査における他端側所定の高さに対物レンズを固定するよう制御をしつつ加工用レーザ光を照射する。 構成㉓被告製品（固定）は、対物レンズがレーザ加工開始側のエッジ処理区間を超えると、ＡＦ固定制御を解除して、ＡＦ追従レーザ加工（構成⑭）を開始する。 被告製品（低追従）前述のとおり、被告製品（固定）と被告製品（低追従）の相違点は、エッジ処理区間及びＡＦ追従走査終了位置から走査折返し位置までの区間での制御がＡＦ固定方式か低追従ＡＦ方式かという点である。そのため、被告製品（低追従）の構成は、構成⑯～⑰及び㉑～㉓を除き、前記に記 載した被告製品（固定）の構成と同じである（ただし、「被告製品（固定）」を「被告製品（低追従）」と読み替えることとする。）。 そして、被告製品（低追従）の構成⑯～⑰及び㉑～㉓は以下のとおりである。 構成⑯ 被告製品（低追従）は、切断モード（構成⑳）としてファ 「被告製品（低追従）」と読み替えることとする。）。 そして、被告製品（低追従）の構成⑯～⑰及び㉑～㉓は以下のとおりである。 構成⑯ 被告製品（低追従）は、切断モード（構成⑳）としてファース ト・トレースモード（Firsttracemode）が選択されたとき、ウ ェハエッジ検出位置を始点とする予め設定された所定の距離の区間（エッジ処理区間）で、次に示す低追従ＡＦの制御をする。 ［低追従ＡＦ］ｉ　上記所定の高さ（構成⑮）を想定ピエゾ現在位置とする。 ｉｉ ウェハ表面高さを検知する。 ｉｉｉ このウェハ表面高さとピエゾ現在位置の差分を算出し、この差分を入力値としてピエゾ制御指令値を算出する。具体的には、次の式でピエゾ制御指令値を算出し、制御している。 ピエゾ制御指令値＝想定ピエゾ現在位置＋（ウェハ表面高さ－ピエゾ現在位置）×係数（０．８） ｉｖ ピエゾアクチュエータは、ピエゾ現在位置が、このピエゾ制御指令値と一致する方向に進退移動する。ピエゾ制御指令値とピエゾ現在位置の差分がピエゾアクチュエータの駆動力に対応する。 ｖ　ピエゾ制御指令値には、一定の０ではない有限の値が上限値 として設定されている。 構成⑰ 被告製品（低追従）は、ウェハエッジ検出基準として光量基準（Light）が選択されたとき、ＡＦユニットが測定した測距用レーザ光の反射光の全光量が閾値を超えた地点をウェハエッジとして検出し、ウェハエッジ検出位置から所定の距離内側の位置（エ ッジ処理区間の終点）で、上記反射光に応じて（上記反射光に基づき決定される地点で）被告低追従上限方式の制御を解除してＡＦ追従走査を開始する。 主面にベベルがないシリコンウェハのウェハエッジ検出基準として光量基準が選択さ 記反射光に応じて（上記反射光に基づき決定される地点で）被告低追従上限方式の制御を解除してＡＦ追従走査を開始する。 主面にベベルがないシリコンウェハのウェハエッジ検出基準として光量基準が選択された場合には、ウェハエッジ検出位置は、 略ウェハの現実の最外端部となる。 被告製品(低追従)は、ウェハエッジ検出基準として座標基準（Encoder）が選択されたとき、カッティングテーブルの中心位置（シリコンウェハの中心が位置すべき位置）からシリコンウェハの半径に相当する距離だけ離れた位置をウェハエッジ（Ｘ軸座標０ｍｍ地点）と判断する。ただし、シリコンウェハをカッティン グテーブルに載せる際、実際には、シリコンウェハの中心がカッティングテーブルの中心位置から僅かにずれることがある。 構成㉑被告製品（低追従）は、複数段レーザ加工走査（構成⑪）をする際、第１段ＡＦ追従レーザ加工において、座標基準が設定された場合、対物レンズがシリコンウェハ上の所定の位置に達すると ＡＦ追従を終了させ、光量基準が設定された場合、他端側のウェハエッジが検出されるとＡＦ追従を終了させ、他端側所定の高さをウェハ表面高さとする被告低追従上限方式の制御をしつつ、対物レンズがシリコンウェハ外側の走査終了となる位置までカッティングテーブルを移動させ、それに続いてレーザ加工エンジン ユニットの高さを上昇させることにより加工用レーザ光の集光点を第２段ＡＦ追従レーザ加工の深さに移動させた上、第１段ＡＦ追従加工の走査方向とは反対の方向に対物レンズが相対移動（シリコンウェハに対して相対的に移動）するようにカッティングテーブルを移動させることにより第２段ＡＦ追従レーザ加工 のための走査を開始する。複数段レーザ加工走査におけるこの折 ズが相対移動（シリコンウェハに対して相対的に移動）するようにカッティングテーブルを移動させることにより第２段ＡＦ追従レーザ加工 のための走査を開始する。複数段レーザ加工走査におけるこの折返し動作は、トレースモード（Tracemode）とファースト・トレースモード（Firsttracemode）とで相違しない。 構成㉒被告製品（低追従）は、第２段ＡＦ追従レーザ加工をする際、走査開始待機位置からウェハエッジ検出位置までの区間では、前 回の走査における他端側所定の高さでのＡＦ固定制御をしつつ 加工用レーザ光を照射し、それに続くエッジ処理区間では、前回の走査における他端側所定の高さを想定ピエゾ現在位置とする被告低追従上限方式の制御をしつつ、加工用レーザ光を照射する。 構成㉓被告製品(低追従)は、対物レンズがレーザ加工開始側のエッジ処理区間を超えると、低追従ＡＦの制御を解除して、ＡＦ追従レ ーザ加工（構成⑭）を開始する。 低追従ＡＦ方式の具体的な制御内容被告製品（低追従）においては、低追従ＡＦ制御として、具体的には次の制御が行われる。（弁論の全趣旨）ａ 加工対象物であるシリコンウェハの端部に、面取り部分（以下「ベベ ル」という。）がある場合加工対象物であるシリコンウェハにベベルがある場合、被告製品（低追従）では、以下の制御が行われる。 ① 走査開始待機位置から、装置がウェハエッジと想定した位置（以下「ウェハエッジ検出位置」という。なお、後述する「座標基準」を採 用した場合、ウェハエッジ検出位置は、現実のウェハエッジより僅かに内側又は外側になることがある。）までの区間で、対物レンズを所定の高さに固定する制御をし（ＡＦ固定方式。なお、この区間では 採 用した場合、ウェハエッジ検出位置は、現実のウェハエッジより僅かに内側又は外側になることがある。）までの区間で、対物レンズを所定の高さに固定する制御をし（ＡＦ固定方式。なお、この区間では加工用レーザは照射されない）、② ウェハエッジ検出位置を始点とする予め設定された所定の距離の 区間（エッジ処理区間）で、低追従ＡＦの制御をし（なお、エッジ処理区間では加工用レーザが照射されない。）、③ 対物レンズがエッジ処理区間を超えると、低追従ＡＦ方式を解除して、ＡＦ追従レーザ加工をする（この区間では加工用レーザが照射されている。）。 ｂ 加工対象物であるシリコンウェハにベベルがない場合加工対象物であるシリコンウェハにベベルがない場合、被告製品（低追従）では、以下の制御が行われる。 ① 走査開始待機位置から、ウェハエッジ検出位置（後述する「光量基準」 を採用した場合、現実のウェハエッジとほぼ一致する。）までの区間で、対物レンズを所定の高さに固定する制御をし（ＡＦ固定方式。なお、この区間では加工用レーザは照射されている。）、② ウェハエッジ検出位置を始点とする予め設定された所定の距離の区間（エッジ処理区間）で、低追従ＡＦ方式となり（この区間では引き続 き加工用レーザが照射されている。）、③ 対物レンズがエッジ処理区間を超えると、低追従ＡＦ方式を解除して、ＡＦ追従による制御でレーザ加工をする（この区間では加工用レーザが照射されている。）。 光量基準と座標基準被告製品（低追従）には、ウェハエッジを検出する方法として、光量基準と座標基準の２種類の制御方法が存在する。 ａ 光量基準 れている。）。 光量基準と座標基準被告製品（低追従）には、ウェハエッジを検出する方法として、光量基準と座標基準の２種類の制御方法が存在する。 ａ 光量基準は、装置から発出された光が加工対象物に反射する光量を基 準として、加工対象物のウェハエッジを検出する方法である。加工対象物であるシリコンウェハにベベルがある場合、現実のウェハエッジからベベルの終端までは反射光を検知することができないため、ベベルの終端をウェハエッジとして検知する。 ｂ 座標基準は、加工対象物であるウェハエッジの中心からの位置（距離） を基準にウェハエッジの位置を推定する方法である。この場合、シリコンウェハの現実のウェハエッジを推定するが、装置が想定した位置とは若干異なる場所に加工対象物が設置されることがあるため、装置が推定したウェハエッジの位置（ウェハエッジ検出位置）と現実のウェハエッジとが微妙にずれることがある。 トレースモードとファースト・トレースモード被告製品では、主面の変位を取得するプロセス（以下「変位取得工程」という。）と実際にレーザ加工を行うプロセス（以下「加工工程」という。）につき、次の２つのモードを選択することができる。（弁論の全趣旨） ａ トレースモードトレースモードでは、まず、主面の変位を取得するために、加工用レーザ光を照射することなく、対物レンズを固定したまま１回目の走査を行い、主面の変位を取得・記憶した上で、引き続き、２回目の走査を行い、１回目の走査で取得・記憶した主面の変位に基づき、レーザ加工を 行う。 ｂ ファースト・トレースモードファースト・トレースモードでは、１回 き、２回目の走査を行い、１回目の走査で取得・記憶した主面の変位に基づき、レーザ加工を 行う。 ｂ ファースト・トレースモードファースト・トレースモードでは、１回目の走査で、ＡＦ追従制御をして主面の変位を取得・記憶しながら、同時に加工用レーザ光を照射し、レーザ加工も行った上で、引き続き、加工用レーザ光を照射しながら２ 回目の走査を行い、１回目の走査で取得・記憶した主面の変位に基づき、レーザ加工を行う。 ⑼ 先行文献等 本件特許１の特許出願の原出願日（平成１３年９月１３日）より前に、以下の公刊物が存在していた。 ア発明の名称を「窒化物半導体素子の製造方法」とする公開特許公報（特開平１１－１６３４０３、公開日平成１１年６月１８日。乙２４。以下「乙２４公報」といい、同公報に記載された発明を「乙２４発明」という。） イ発明の名称を「透明材料の切断加工方法」とする公開特許公報（特開平４－１１１８００、公開日平成４年４月１３日。乙２５。以下「乙２５公報」といい、同公報に記載された発明を「乙２５発明」という。）ウ発明の名称を「ガラス物体に破断点を形成する方法」とする公開特許公報（特開平１１－７１１２４、公開日平成１１年３月１６日。乙２６。以下「乙 ２６公報」といい、同公報に記載された発明を「乙２６発明」という。）エ発明の名称を「半導体結晶ウェーハの加工法」とする公開特許公報（特開昭５０－１３１４５８、公開日昭和５０年１０月１７日。乙３３。以下「乙３３公報」といい、同公報に記載された発明を「乙３３発明」という。）オ発明の名称を「レーザスクライブ装置」とする公開特許公報（特開昭５０ －６４８９８、公開日昭和５０年６月２日 「乙３３公報」といい、同公報に記載された発明を「乙３３発明」という。）オ発明の名称を「レーザスクライブ装置」とする公開特許公報（特開昭５０ －６４８９８、公開日昭和５０年６月２日。乙３４。以下「乙３４公報」といい、同公報に記載された発明を「乙３４発明」という。）カ発明の名称を「ウェーハ割断方法」とする公開特許公報（特開平９－４５６３６、公開日平成９年２月１４日。乙３５。以下「乙３５公報」といい、同公報に記載された発明を「乙３５発明」という。） キ発明の名称を「レーザを用いたマーキング方法、マーキング装置、及びマークの観察方法、観察装置」とする公開特許公報（特開平１１－１３８８９６、公開日平成１１年５月２５日。乙３６。以下「乙３６公報」といい、同公報に記載された発明を「乙３６発明」という。）ク発明の名称を「MATERIALPROCESSINGAPPLICATIONSOFLASERSUSING OPTICALBREAKDOWN」とする国際公開（ＷＯ００／３２３４９、公開日平成１ ２年（２０００年）６月８日。乙３７。以下「乙３７公報」といい、同公報に記載された発明を「乙３７発明」という。）ケ発明の名称を「窒化物半導体素子の製造方法」とする公開特許公報（特開平１１－１７７１３７、公開日平成１１年７月２日。乙１２０。以下「乙１２０公報」といい、同公報に記載された発明を「乙１２０発明」という。） ⑽ 原告による訂正請求等ア被告は、令和元年１０月１０日、本件発明１につき無効審判の申立てをしたところ（無効２０１９－８０００８２。以下、当該無効審判を「本件無効審判」という。）、特許庁審判官は、本訴係属中の令和３年３月１８日付けで、原告に ０月１０日、本件発明１につき無効審判の申立てをしたところ（無効２０１９－８０００８２。以下、当該無効審判を「本件無効審判」という。）、特許庁審判官は、本訴係属中の令和３年３月１８日付けで、原告に対し、本件発明１は乙１２０発明に乙３７公報の技術的事項を適 用して、当業者が容易になし得るものであるとして、無効理由がある旨の審決の予告（以下「本件審決予告」という。）をした。（乙１１９）イこれを受けて、原告らは、令和３年５月２８日付けで、本件発明１の特許請求の範囲について、次のとおり訂正を求める訂正請求（以下「本件訂正請求」といい、本件訂正請求に係る訂正を「本件訂正」、本件訂正後の本件発 明１を「本件訂正発明１」という。）をした。 （訂正前）「前記加工対象物はシリコンウェハである」（構成要件Ｅ）（訂正後）「前記加工対象物は、シリコン単結晶構造部分に前記切断予定ラインに沿 った溝が形成されていないシリコンウェハである」（以下、この訂正後の構成要件Ｅを「構成要件Ｅ’」という。）ウ特許庁は、令和３年１１月１８日、本件訂正請求を認めた上で、本件無効審判に係る請求は成り立たない旨の審決（甲１６０）をした。 エ被告は、上記審決に対し、審決取消訴訟（知財高裁令和３年（行ケ）第１ ０１６３号）を提起し、同訴訟は、現在も係属中である。 （以上につき、甲１１６、１６０、弁論の全趣旨） ４ 争点⑴ 被告製品が本件発明１の特許請求の範囲に属するか（争点１）本件発明１の構成要件充足性につき当事者間に争いがあるのは、構成要件Ａ、Ｄ及びＥである（争点１－１ないし１－６）。 ア被告製品は「改質領域」（構成要件Ａ及び するか（争点１）本件発明１の構成要件充足性につき当事者間に争いがあるのは、構成要件Ａ、Ｄ及びＥである（争点１－１ないし１－６）。 ア被告製品は「改質領域」（構成要件Ａ及びＤ）を形成するものといえるか（争点１－１）イ被告製品は「集光点の位置で」（構成要件Ｄ）改質領域を形成させるものといえるか（争点１－２）ウ被告製品のレーザ加工領域は「切断の起点となる」（構成要件Ａ）ものと いえるか（争点１－３）エ被告製品は「集光用レンズを移動させ・・る機能を有する」（構成要件Ｅ）ものといえるか（争点１－４）オ被告製品は「前記レーザ光入射面を基準として前記加工対象物の厚さ方向に第２移動量だけ前記集光用レンズを移動させ・・る機能を有する」（構成 要件Ｅ）ものといえるか（争点１－５）カ被告製品は「制御部」（構成要件Ｅ）を備えるものといえるか（争点１－６）⑵ 被告製品が本件発明２の特許請求の範囲に属するか（争点２）本件発明２の構成要件充足性につき当事者間に争いがあるのは、本件発明２ －１の構成要件Ｉ、ＮないしＳ、本件発明２－２の構成要件２Ｉ、２Ｎないし２Ｓ、本件発明２－３の３Ｉである（争点２－１ないし２－６）。 ア被告製品は「測定初期位置に前記レンズを保持する」（構成要件Ｑ）、「加工初期位置に前記レンズを保持する」（構成要件２Ｑ）ものといえるか（本件発明２－１及び２－２に関して）（争点２－１） イ被告製品は「レンズを測定初期位置に保持した状態で第二のレーザ光の照 射を開始」（構成要件Ｒ）するものといえるか（本件発明２－１に関して）（争点２－２）ウ被告製品は「前記第二のレーザ光の反射光に応じて、前記レンズを前記測定初期位置に保持 ーザ光の照 射を開始」（構成要件Ｒ）するものといえるか（本件発明２－１に関して）（争点２－２）ウ被告製品は「前記第二のレーザ光の反射光に応じて、前記レンズを前記測定初期位置に保持した状態を解除」（構成要件Ｒ）し、「当該解除後に・・前記主面との距離を調整するように前記保持手段を制御」（構成要件Ｓ）す るものといえるか（本件発明２－１に関して）（争点２－３）エ被告製品は「前記切断予定ラインの一端部において前記改質領域を形成し」（構成要件２Ｒ）、また、「当該一端部における改質領域の形成後に・・前記レンズを前記加工初期位置に保持した状態を解除」（構成要件２Ｓ）するものといえるか（本件発明２－２に関して）（争点２－４） オ被告製品は「改質領域」（構成要件Ｉ、Ｐ、２Ｉ、２Ｐ、２Ｒ、２Ｓ、３Ｉ）を形成するものといえるか（本件発明２全てに関して）（争点２－５）カ被告製品は「制御手段」（構成要件Ｎ～Ｓ、２Ｎ～２Ｓ）を有するか（本件発明２－１及び２－２に関して）（争点２－６）⑶ 本件特許１が特許無効審判により無効にされるべきものと認められるか（争 点３）ア乙２４発明に基づく進歩性の欠如（争点３－１）イ乙２６発明に基づく進歩性の欠如（争点３－２）ウ乙３３発明に基づく進歩性の欠如（争点３－３）エ乙３４発明に基づく進歩性の欠如（争点３－４） オ乙２５発明に基づく進歩性の欠如（争点３－５）カ乙３６発明に基づく進歩性の欠如（争点３－６）キ乙３７発明に基づく進歩性の欠如（争点３－７）ク乙１２０発明に基づく進歩性の欠如（争点３－８－１）ケ訂正の再抗弁の成否（争点３－８－２） コサポート要件違反（争点３－９） サ明確性要件違反（争点３－１０） ）ク乙１２０発明に基づく進歩性の欠如（争点３－８－１）ケ訂正の再抗弁の成否（争点３－８－２） コサポート要件違反（争点３－９） サ明確性要件違反（争点３－１０）シ実施可能要件違反（争点３－１１）⑷ 本件特許２が特許無効審判により無効にされるべきものと認められるか（争点４）アサポート要件違反１（本件発明２全てに関して）（争点４－１） イサポート要件違反２（本件発明２全てに関して）（争点４－２）ウ明確性要件違反（本件発明２全てに関して）（争点４－３）⑸ 本件実施許諾契約の成否（争点５）⑹ 原告の損害額（争点６）ア特許法１０２条２項に基づく損害額等（争点６－１） 特許法１０２条２項の適用の可否（争点６－１－１） 特許法１０２条２項に基づく損害額（争点６－１－２）イ特許法１０２条１項に基づく損害額等（争点６－２） 特許法１０２条１項の適用の可否（争点６－２－１） 特許法１０２条１項に基づく損害額（争点６－２－２） 特許法１０２条３項の重畳適用の可否及び適用される場合の損害額（争点６－２－３）ウ特許法１０２条３項に基づく損害額（争点６－３）エ民法７０９条に基づく不法行為の成否及び損害額（争点６－４）⑺ 不当利得の成否及び不当利得金の額（争点７） ⑻ 差止めの必要性（争点８）第３ 争点に関する当事者の主張 １ 争点１－１（被告製品は「改質領域」（構成要件Ａ及びＤ）を形成するものといえるか）（原告の主張） ⑴ 「改質領域」の意義ア溶融処理領域の意義本件発明１の加工対象物はシリコンウェハで 改質領域」（構成要件Ａ及びＤ）を形成するものといえるか）（原告の主張） ⑴ 「改質領域」の意義ア溶融処理領域の意義本件発明１の加工対象物はシリコンウェハであるところ（構成要件Ｆ）、本件明細書等１には、加工対象物がシリコンウェハである場合には、加工対象物の内部に溶融処理領域が形成される旨記載されていることに照らせば、 「改質領域」（構成要件Ａ及びＤ）とは、「溶融処理領域」のことを意味する。（本件明細書等１の段落【００２７】）そして、本件明細書等１の段落【００２７】によれば、「溶融処理領域」とは、①「一旦溶融後再固化した領域、溶融状態中の領域及び溶融から再固化する状態中の領域のうち少なくとも一つ」若しくは「一旦溶融後再固化し た領域や、まさに溶融状態の領域や、溶融状態から再固化する状態の領域」、②「相変化した領域や結晶構造が変化した領域」又は③「単結晶構造、非晶質構造、多結晶構造において、ある構造が別の構造に変化した領域。例えば、単結晶構造から非晶質構造に変化した領域、単結晶構造から多結晶構造に変化した領域、単結晶構造から非晶質構造及び多結晶構造を含む構造に変化し た領域を意味する。」ものである。 したがって、上記①ないし③のいずれかに該当するものは、本件発明１にいう溶融処理領域に当たり、「改質領域」（構成要件Ａ及びＤ）に該当する。 イ多光子吸収は発明特定事項ではないことこれに対し、被告は、「改質領域」につき、多光子吸収が支配的に寄与し て形成されるものに限定して解釈されるべきである旨主張するが、以下のとおり、同主張には理由がない。 本件発明１は、「ウェハ状の加工対象物の内部に、切断の起点となる改質領域を形成する」（構成要件Ａ）レーザ加工装置 定して解釈されるべきである旨主張するが、以下のとおり、同主張には理由がない。 本件発明１は、「ウェハ状の加工対象物の内部に、切断の起点となる改質領域を形成する」（構成要件Ａ）レーザ加工装置の発明に関するものである。そして、本件発明１の特許請求の範囲の記載には、「多光子吸収に より改質領域を形成する」との限定はない。また、本件明細書等１におけ る本件各発明の背景技術、課題解決手段、発明の効果の記載にも、多光子吸収により改質領域を形成するとの記載はない。 本件発明１は、「改質領域」（溶融処理領域）が形成されることを要件とするものであるから、要は、溶融処理領域が形成されればよく、それが多光子吸収により形成されようと、単光子吸収により形成されようと、客 観的にみれば、同じ溶融処理領域が形成されることに変わりはない以上、多光子吸収が支配的に寄与して形成されることは特許発明の対象とはされておらず、特許請求の範囲にも記載されていない。 原告は、他の出願において、改質領域を「多光子吸収が支配的に寄与して形成されたもの」に限定する場合には、その請求項において「多光子吸 収による改質領域」（乙４３）と明記している。このように、原告は、請求項に「多光子吸収による」との限定を付したものと付していないものとを区別して出願しているところ、本件発明１のように、請求項に「多光子吸収による」との限定を付してないものについては、「改質領域」につき、多光子吸収が支配的に寄与して形成されたものに限定すべき理由はない。 本件明細書等１における多光子吸収に関する記載の位置付け本件明細書等１では、発明の最良の実施形態において、「本実施形態に係るレーザ加工方法は、多光子吸収により改質領域を形成している」【０ 本件明細書等１における多光子吸収に関する記載の位置付け本件明細書等１では、発明の最良の実施形態において、「本実施形態に係るレーザ加工方法は、多光子吸収により改質領域を形成している」【００１３】、「本実施形態に係るレーザ加工は、多光子吸収が生じる条件で…改質領域を形成する」【００１６】、「加工対象物の内部は多光子吸収 によって局所的に加熱される。この加熱により…溶融処理領域が形成される。」【００２７】、「溶融処理領域１３が多光子吸収により形成されたことを説明する。」【００３１】等の記載がある（以下、これらの記載を「本件各記載」と総称する。）。被告は、本件各記載に基づき、本件発明１は多光子吸収により改質領域が形成されることを前提としている旨主 張するが、以下のとおり、同主張には理由がない。 ａ 本件各記載は、本件発明１の実施形態であるレーザ光による内部溶融現象に関する光子吸収のメカニズムについての理論的分析であるが、このような内部溶融現象が多光子吸収によるものであることは、出願当時において合理的な科学的仮説であったため、そのように記載されたものにすぎず、本件発明１の実施形態において、多光子吸収が生じているか 否かを直接的に確認しているわけではない。 すなわち、①出願当時、ガラス等の分野において、「ガラス等の加工対象物の内部にレーザ光を集光することにより、加工対象物の表面の結晶構造を変化させることなく、その内部のみ、その結晶構造を改変させる現象」を多光子吸収によるものとする技術的知見があったこと（乙２ ５、甲１８の１ないし５）、②多光子吸収は、特に高い光子密度（エネルギー密度）の場合にだけ起こる現象であると理解されていることから、シリコンウェハの入射面付近には影響を及ぼさず、 こと（乙２ ５、甲１８の１ないし５）、②多光子吸収は、特に高い光子密度（エネルギー密度）の場合にだけ起こる現象であると理解されていることから、シリコンウェハの入射面付近には影響を及ぼさず、集光点でだけ加工が起こるという現象をよく説明できると考えられ、この点も、内部溶融現象が多光子吸収によるものである理解を裏付けるものであったこと、③ 本件各発明の出願後には、多数の企業による特許明細書において、内部溶融現象が多光子吸収原理に基づいて生ずるものであると説明されていること（甲１９の１ないし８）、④被告も、内部溶融現象が多光子吸収原理に基づくものであることを記載した２つの特許権（特許第６１９７９７０号、及び、特許第６２７６４３７号）を行使して、原告に対し ２件の訴え（東京地裁平成３０年（ワ）第３４７２８号、同平成３０年（ワ）第３４７２９号）を提起し、また、被告製品のパンフレットに多光子吸収現象を利用している旨を表示していた（甲１２の２）ことなどから、その合理性は明らかである。 ｂ しかしながら、このような科学的仮説は、科学的解析技術の進展とと もに一層深化し、変遷することも珍しくはなく、本件においても、本件 各記載に関する科学的仮説は、その後進展し、変化しているところ、当該理論的分析自体が発明特定事項となっていない限り、明細書の実施形態におけるこのような理論的分析（科学的仮説）の記載により、何らかの限定解釈がされるべきではない。 出願経過の参酌（包袋禁反言）について 被告は、原告が、本件発明１の「改質領域」について、多光子吸収により形成されたものに限定解釈すべきでない旨主張していることにつき、先行特許（特許第３４０８８０５号。以下「本件先行特許」という。）で生じた包袋禁反 、本件発明１の「改質領域」について、多光子吸収により形成されたものに限定解釈すべきでない旨主張していることにつき、先行特許（特許第３４０８８０５号。以下「本件先行特許」という。）で生じた包袋禁反言の効力に違反するものである旨主張する。 しかしながら、一般に、互いに独立した特許出願同士は別個独立した関 係にあるから、ある特許に係る権利範囲を確定するに当たって、他の特許の審査経過等を参酌するのは相当ではない。したがって、本件においても、先行特許の審査経過等を参酌すべき理由はない。 また、本件先行特許の請求項においては、それぞれ、「多光子吸収による改質領域」、「クラック領域を含む改質領域」、「溶融処理領域を含む 改質領域」、「屈折率が変化した領域である屈折率変化領域を含む改質領域」と、「改質領域」という文言に限定が付されているのに対し、本件発明１の請求項においては、「改質領域」という文言にそのような限定は付されていない。このように、先行発明と本件発明１とでは、請求項における特定の方法が異なる以上、「改質領域」の解釈が異なるのは当然であり、 本件発明１の審査において本件先行特許の審査過程における出願人の主張が考慮される余地はなかったはずである。 したがって、被告の上記主張には理由がない。 ウ 「改質領域」はボイドを形成しないものに限られないこと被告は、本件発明１における「改質領域」とは、ボイドを形成しないもの に限られる旨主張するが、以下のとおり、同主張には理由がない。 本件発明１は、特許請求の範囲の記載において、「改質領域を形成」（構成要件Ａ及びＤ）とだけ規定しており、それ以上に、ボイドの存在を構成要件として規定していない。また、本件明細書等１の記載をみて 本件発明１は、特許請求の範囲の記載において、「改質領域を形成」（構成要件Ａ及びＤ）とだけ規定しており、それ以上に、ボイドの存在を構成要件として規定していない。また、本件明細書等１の記載をみても、ボイドの存否についての言及はない。 そうすると、「改質領域」につき、ボイドを形成しないものに限定解釈 すべき理由はない。 これに対し、被告は、原告が本件特許１の後願（特許第４７０３９８３号。乙５３。以下、この出願を「乙５３出願」といい、その発明を「乙５３発明」という。）の審査経過において、本件明細書等１と同じ内容を有する引用文献１（乙５４。特開２００２－２０５１８０号。以下「乙５４ 公報」という。）につき、ボイドは形成されない旨の意見書（乙５６）を提出したということを根拠に、「改質領域」はボイドを形成しないものに限られるべきである旨主張する。 しかしながら、本件発明１の技術的範囲を定めるに当たり、本件特許１とは異なる別の出願であって、しかも、本件特許１の後願に当たる特許の 出願経過を参酌すべき理由はない。 また、乙５３発明は、本件発明１（の原出願に係る発明）の改良発明に当たるところ、本件特許１の出願時には、微小空洞（ボイド）は観察されていなかった。その後、パルスピッチを大きくすることにより、微小空洞（ボイド）が観察される（微小空洞（ボイド）が形成され、その後も残存 する）ことが確認されるとともに、そのような条件下では、より優れた切断が可能であると考察されたため、乙５３出願に至ったものである。 これに対し、本件発明１は、そもそもパルスピッチを構成要件において規定するものではない以上、本件発明１は、ボイドが形成されるようなパルスピッチによるものも、その技術的範囲に含むものであ これに対し、本件発明１は、そもそもパルスピッチを構成要件において規定するものではない以上、本件発明１は、ボイドが形成されるようなパルスピッチによるものも、その技術的範囲に含むものであることは明らか である。 以上によれば、本件発明１は、ボイドが形成されないものに限定されない。 ⑵ 被告製品のレーザ加工領域は「溶融処理領域」に該当すること被告製品は、シリコンウェハの表面を透過する波長１１００ｎｍのレーザ光をシリコンウェハの内部の集光点において照射し、溶融後再固化による割れ現 象を利用して、ステルスダイシング加工をするものである。 そして、少なくとも以下の５つの根拠から、被告製品のレーザ加工領域が、溶融により形成されることは明らかである。 根拠① レーザ加工領域の温度がシリコンの融点を超えること根拠② 被告製品は、熱的加工が特徴のナノ秒レーザを用いていること 根拠③ レーザ加工領域を撮影したＳＥＭ（電子走査顕微鏡）写真において溶融痕が観察されること根拠④ 溶融が生ずることを示すステルスダイシングの技術文献が数多く存在すること根拠⑤ ラマン分析の結果、レーザ加工領域においてアモルファス及び多 結晶が存在することア根拠①：レーザ加工領域の温度がシリコンの融点を超えることシリコンの融点は、最も高い常圧時においても１６８７Ｋである（甲７８、甲７６の１２７頁「themeltingpoint 1687K」の記載、乙６３の３頁図2.1.4）。そして、以下の文献からも明らかなとおり、レーザ加工領 域の温度は、シリコンの融点である１６８７Ｋを超える以上（甲７６、甲３３）、レーザ加工領域において、シリコンウェハは溶融する。 1.4）。そして、以下の文献からも明らかなとおり、レーザ加工領 域の温度は、シリコンの融点である１６８７Ｋを超える以上（甲７６、甲３３）、レーザ加工領域において、シリコンウェハは溶融する。 ａ 甲７６文献 スタンフォード大学の教授（Dr. Ａ）と原告の研究員（Ｂ・Ｃ）により令和２年２月２８日にオンラインで発刊された共同研究（甲７６。以下「甲７６文献」という。）によれば、Fig.4 (b)の赤い部分においてシリコン ウェハの融点を超えていることが示されている。 そして、同領域の外縁についてはFig.4 (c)に示されているところ、被告 製品におけるレーザ加工領域は、Fig.4 (c)の領域を含むものであるから、レーザ加工領域において溶融が生ずることは明ら かである。 【Fig.4】ｂ 甲３３文献大阪大学のＤ教授と原告の研究員（Ｅ・Ｆ・Ｇ）による論文（甲３３。 以下「甲３３文献」という。）には、「図９(a)より、時刻ｔ＝４５ｎあ たりで深さｚ＝５９μm 付近において急激な熱吸収が始まり、瞬間的に20000K 程度まで温度上昇することがわかる。瞬間的に１００００Ｋを超えるような領域は一気に気化し、ボイドが形成されると推定される。図９⒝で理解されるように、以降は時刻１００ｎｓあたりまで２０００Ｋを超える高温部が法面方向に急速に伸びていく。」という記載が存在す る。 そして、ｔ＝４５ｎｓからｔ＝１００ｎｓにかけて、レーザ照射方向とは反対側に向けて高温領域が広がっているが、高温領域の温度は２０ そして、ｔ＝４５ｎｓからｔ＝１００ｎｓにかけて、レーザ照射方向とは反対側に向けて高温領域が広がっているが、高温領域の温度は２０ ００Ｋを超えており、シリコンウェハの融点より高くなっていることが分かる。 また、甲３３文献には、下記【Fig10】のとおり、シリコンウェハの融点を超える領域の分布が時間経過とともに示されている。これらによれば、レーザ加工領域はシリコンウェハの融点を超える温度になる以上、 溶融することは明らかである。 被告の主張に対する反論ａ シミュレーションが正確でない旨の主張についてこれに対し、被告は、甲７６文献及び甲３３文献のシミュレーションが正確ではないから、レーザ加工領域において融点を超えるとは限らない旨主張するものの、実際にレーザ加工領域が融点を超えないことを示 す証拠は何ら提出していない。次のとおり、上記シミュレーションは合理的なものであって、被告の主張には理由がない。 ⒜ 科学的知見は常に「仮説」であること被告は、甲７６文献に示される知見が「仮説」であることを強調するが、科学論文における新たな知見は常に「仮説」であり、「仮説」 に基づくシミュレーションと現実とが整合していることを検証することにより、「仮説」の正当性を確かめるのが科学の論文である。 そして、甲７６文献は、正に「ナノ電子パルスレーザ照射により誘起された単結晶シリコン中の表面下改質と亀裂形成の数値シミュレーションについて述べた」（甲７６の２〔１頁冒頭〕）ものであり、 本件各発明の溶融処理領域に 正に「ナノ電子パルスレーザ照射により誘起された単結晶シリコン中の表面下改質と亀裂形成の数値シミュレーションについて述べた」（甲７６の２〔１頁冒頭〕）ものであり、 本件各発明の溶融処理領域に相当するものについて、数値シミュレー ションを行い、「仮説」の正当性を検証したものである。要するに、被告の主張は、甲７６文献に示された科学的知見が「仮説」であるという、当たり前のことを指摘するものにすぎず、意味がない。 ⒝ 甲７６文献のシミュレーションの計算モデルについて被告は、甲７６文献のシミュレーションの計算モデルが誤りである 旨主張するが、同主張は、科学におけるシミュレーション手法と根本的に相容れないものであり、不合理である。 すなわち、シミュレーションで重要な物理現象のモデリングにおいては、「解析しようとする物理現象に対して相対的に寄与が小さく、解析結果への影響が少ない要素を、いかに切り捨ててモデルを簡略化 するか」が肝要であるところ、被告の主張の多くは、甲７６文献の著者が「解析結果に影響を与えない」と判断し、簡略化のためにあえて切り捨てた要素について指摘するものにすぎない。したがって、被告の上記主張は、甲７６文献のシミュレーション結果の信頼性を何ら左右するものではない。 ⒞ 甲７６文献の計算式に誤りがあるとの主張について被告が主張するとおり、甲７６文献の表１（甲７６〔８頁〕）の計算式において、温度の２乗が落ちており、計算に誤りがあることは事実であるが、これは表記上の脱字にすぎず、実施されたシミュレーションでは正しい計算式が用いられている以上（甲１０１）、甲７６文 献の証明力に何ら影響を与えるものではない。 ⒟ 被告製品 るが、これは表記上の脱字にすぎず、実施されたシミュレーションでは正しい計算式が用いられている以上（甲１０１）、甲７６文 献の証明力に何ら影響を与えるものではない。 ⒟ 被告製品との加工条件の違いについて被告は、被告製品のレーザ強度（ピークパワー密度）はシミュレーションよりも低いから、被告製品においては温度が融点を超えない旨主張する。具体的には、被告製品では、パルス幅が長く（甲７６文献 のシミュレーションが１５０ｎｓであるのに対し、被告製品が約３０ ０ｎｓ）、集光半径が大きい（甲７６のシミュレーションが４８５ｎｍであるのに対し、被告製品が約１０００ｎｍ）ことを指摘する（もっとも、パルスエネルギーは、甲７６文献のシミュレーションが４． ４５μＪであるのに対し、被告製品が５．０μＪであり、被告製品の方がむしろ大きい。）。 しかしながら、シリコンウェハの内部加工に当たっては、一定以上のエネルギー密度を有するレーザ光を照射する必要があるところ、被告製品は、半導体メーカーに売却された上で、シリコンウェハの切断加工をするために使用されるものである以上、当然、必要なエネルギー密度を超えるレーザ光を用いているはずである。 また、集光半径は焦点における大きさであるところ、集光半径が問題となるのは加工の最初の瞬間だけである。すなわち、温度上昇が始まって以降は、レーザ光源に近い方に吸収場所が移動するため、焦点における集光半径よりもずっと広い領域で吸収が行われることになる。したがって、仮に被告が主張するような集光半径の大きさの違い が存在したとしても、そのことは、高温領域が拡大する光吸収プロセスにおいて、大きな相違を生じさせるものではない。 さらに、 なる。したがって、仮に被告が主張するような集光半径の大きさの違い が存在したとしても、そのことは、高温領域が拡大する光吸収プロセスにおいて、大きな相違を生じさせるものではない。 さらに、レーザ強度が弱いということは、熱的な加工しかできなくなることを意味する。そして、被告の主張するようなマイクロ爆発には、むしろ何桁も強度の高いエネルギーが必要になるものと思われる ため、仮にレーザ強度が低いならば、被告自身の主張も成り立たないことになるはずである。 ｂ レーザ加工領域の温度が融点を超えても溶融しない旨の主張について被告は、レーザ加工領域の温度が融点を超えても溶融しない旨主張す るものの、レーザ加工領域において融点を超え、当然に溶融することは 技術常識であるから、被告の主張には理由がない。 ｃ 単結晶であるから溶融していないという主張について被告は、レーザ加工領域が単結晶であるから溶融していない旨主張するものの、レーザ加工領域において単結晶が確認されることは、レーザ加工領域において溶融再凝固が生じたことと矛盾するものではなく、む しろ当然の結果である。 イ根拠②：被告製品は、熱的加工が特徴のナノ秒レーザを用いていることレーザの加工原理は、パルス幅のオーダーによって変わるところ、一般的に微細加工に用いられるレーザのパルス幅として、ナノ秒、ピコ秒、フェムト秒のレーザがある。そして、１ナノ秒は10-9秒、１ピコ秒は10-12秒、１フ ェムト秒は10-15 秒であり（甲９４）、ナノ秒とフェムト秒では６桁も異なり、フェムト秒レーザの場合、パルス幅が極めて短いため、短い時間に大きなエネルギーを与える特性を持つ。このようなパルス幅の違いに起因して、フェムト秒レーザが非熱加工であるのに対し、ナノ秒 ６桁も異なり、フェムト秒レーザの場合、パルス幅が極めて短いため、短い時間に大きなエネルギーを与える特性を持つ。このようなパルス幅の違いに起因して、フェムト秒レーザが非熱加工であるのに対し、ナノ秒レーザによる加工は熱的加工であって、材料を溶融させることが特徴であることが広く知られている （甲７９、８０、８１、９５）。 この点につき、本件明細書等１の実施例と被告製品のいずれにおいても、パルス幅がナノ秒オーダーの「ナノ秒レーザ」が用いられている（本件明細書等１段落【００２１】には「パルス幅：３０ｎｓ」がある。また、被告自身、被告製品は、１００ｎｓのオーダー（桁）である旨と述べている。）。 したがって、被告製品のレーザ加工領域において溶融が生じることは明らかである。 ウ根拠③：レーザ加工領域において液体の噴出痕が見られること１０６４ｎｍ～１５５０ｎｍの各波長における加工痕の写真を掲載した甲３１（６頁目）には、液体状のシリコンが凝固したと見るべき形状の加工 痕が示されており、被告製品による加工結果を示す写真④においては、液体 の噴出痕が分かりやすく形成されている。 このことは、写真④そのものではないものの、同様に被告製品により形成されたレーザ加工領域につき、説明を加筆した次の【レーザ加工領域画像】からも明らかである。 【レーザ加工領域画像】エ根拠④：シリコンのステルスダイシング加工において溶融を支持する文献 が多く存在すること以下のとおり、シリコンのステルスダイシング加工において、溶融再凝固が生じているという現象を支持する文献が多数存在するところ、これらの一連の研究結果に対し、被告からは、溶融の発生を否定する内容 と以下のとおり、シリコンのステルスダイシング加工において、溶融再凝固が生じているという現象を支持する文献が多数存在するところ、これらの一連の研究結果に対し、被告からは、溶融の発生を否定する内容の文献は提出されていない。 甲７６文献の記載甲７６文献には、「シリコン溶融プロセス中の約１０%の体積減少が改質領域内で物質移動を開始し、ボイドを生成し、残留応力を発生させることが亀裂形成の主要な原因であると推測」し、シミュレーションの結果が、実験結果とよく整合したということが示されている。 甲４８文献の記載 オランダのＴｗｅｎｔｅ大学Ｈ教授らの共著「シリコンにおけるレーザにより誘起される内部改質領域における結晶構造」（甲４８。以下「甲４８文献」という。）には、改質領域の中心部分（Fig.10 のSquarepattern（正方形パターン））の外側で「ほとんど損傷のない単結晶ダイヤモンド立方晶シリコンである」理由は、「改質されていないダイヤモンド立方晶 シリコンの固体を種結晶としたエピタキシャル成長が発生」することから合理的に説明可能であり、正方形パターンの内側においては、再凝固の速度が大きくなることにより、欠陥のある結晶材料又はアモルファスシリコンが生ずると説明されている。 甲９６の記載 熊本大学Ｉ教授、Ｄ教授、原告の研究員Ｊらの共著論文である「ステルスダイシングにおけるシリコンウェハの内部のボイド形成の分子動力学研究」（甲９６）は、シリコンが溶融後再凝固することを前提にシミュレーションをした結果が、実験結果とよく一致しており、ボイド形成過程がレーザ改質領域の形成に関係しているという考察をしている。 甲３３文献 凝固することを前提にシミュレーションをした結果が、実験結果とよく一致しており、ボイド形成過程がレーザ改質領域の形成に関係しているという考察をしている。 甲３３文献甲３３文献においても、改質層において溶融、再凝固が生じるという考察が行われている。 オ根拠⑤：ラマン分析の結果、レーザ加工領域において多結晶及びアモルファスが観察されること レーザ照射により溶融再凝固したシリコンの領域においては、多結晶又はアモルファスが形成される場合があることが知られているため、レーザ加工領域において多結晶又はアモルファスが存在することが確認されれば、同領域周辺において溶融再凝固が生じたことの有力な根拠となる。そして、多結晶又はアモルファスの存否を確認するためには、ラマン分析（物 質に光を照射すると散乱光が発生するが、そのうち物質と相互作用して発 生したラマン散乱光という物質の構造情報を含んだ光を調べることにより、結晶構造を特定することができる分析方法をいう。）が適切であるとされている。 そこで、原告は、まず、自らラマン分析を実施した上で（甲５１。以下、この分析を「原告によるラマン分析」という。）、次に、第三者機関であ る東レリサーチセンターに委託してラマン分析を実施したところ（甲５５。 以下、この分析を「東レによるラマン分析」といい、原告によるラマン分析と併せて、「原告らによるラマン分析」という。）、これらの２回のラマン分析の結果、レーザ加工領域において多結晶及びアモルファスが確認された。 これに対し、被告は、原告らによるラマン分析の結果を否定するが、次のとおり、理由がない。 ａ 被告は、東レによるラマン分析の結果につき、アモルファスシリコンが存在したと れた。 これに対し、被告は、原告らによるラマン分析の結果を否定するが、次のとおり、理由がない。 ａ 被告は、東レによるラマン分析の結果につき、アモルファスシリコンが存在したとしても、ごく微量である旨指摘するものの、母材が単結晶シリコンであり、溶融後のシリコンの大部分が単結晶になることからす れば、単結晶シリコンと比べてアモルファスシリコンが微量なのは当然であり、上記の指摘には意味がない。 また、シリコンはアモルファス化するのが非常に難しい物質であり、レーザ照射を用いた極端に高速の冷却速度でようやくアモルファス化できる物質であることや（甲８４）、レーザ加工によりエピタキシャル 成長が生ずること（甲８９）が知られている。したがって、アモルファスが一部に存在することは、溶融後再凝固した領域の特徴そのものである。 ｂ 被告は、圧力構造誘起転移という現象によりアモルファスが生じた旨主張するが、その根拠として示す文献（乙６３）は、ステルスダイシン グについての文献ではないどころか、そもそもレーザ加工についての文 献ですらなく、被告の主張は根拠を欠く。 ｃ 被告は、ボイドにより近いＤ点では、溶融し再固化した痕跡が観測されるはずであるにもかかわらず、アモルファスシリコンの存在が確認されていない旨主張するが、被告独自の見解であり、根拠がない。そもそも、甲５５のFig.1-2(a)の写真に「スペクトル表示箇所」として示され る赤枠の範囲から明らかなとおり、甲５５がスペクトル表示している領域は、ボイドを全く含まない領域である。 ⑶ 被告の主張に対する反論ア被告の主張するメカニズムが合理的でないこと被告は、被告製品においてレーザ加工領域が形成されるメカニズムにつき、 次の①～⑤ を全く含まない領域である。 ⑶ 被告の主張に対する反論ア被告の主張するメカニズムが合理的でないこと被告は、被告製品においてレーザ加工領域が形成されるメカニズムにつき、 次の①～⑤の機序を主張する。同メカニズムのうち、①、③、④及び⑤はＤ論文（乙４１。以下「乙４１文献」という。）を根拠とし、②は乙６１を根拠とするものであるが、以下のとおり、同主張には、理由がない。 ① 集光点付近でレーザ光吸収（単光子吸収で足りる。）が生じる。 ② レーザ光により、局所的に高密度のエネルギーを与えられたマイクロ爆 発が生じ、ボイドが形成される。 ③ 熱衝撃波がレーザ照射面に向けて伝播する。 ④ 熱衝撃波の先端で非常に高い圧縮応力が生じ、高転位密度層が形成される。 ⑤ 先行するレーザパルスで形成された高転移密度層を、次のレーザパルス で形成された熱衝撃波が通過する際、高転位密度層内の転位が核となって亀裂が生じる。 乙４１文献の位置付けそもそも、乙４１文献は加工対象物の溶融を否定することを目的とした研究ではない以上、乙４１文献を根拠として溶融を否定するのは的外れで ある。 すなわち、乙４１文献は、従来とは異なる新たな研究結果を示す趣旨の文献ではなく、従来の研究の一部を紹介するものにすぎない。そして、乙４１文献は、①Ｄ教授と原告従業員の共著による「Internalmodified-layerformationmechanismintosiliconwithnanosedondlaser」と題する論文（甲８２。以下「甲８２文献」）という。）及び②Ｄ教授と原告 従業員の共著による「ステルスダイシングにおける内部改質層形成機構の解析」 withnanosedondlaser」と題する論文（甲８２。以下「甲８２文献」）という。）及び②Ｄ教授と原告 従業員の共著による「ステルスダイシングにおける内部改質層形成機構の解析」と題する論文（甲８３。以下「甲８３文献」という。）という２つの論文を参考文献として挙げているところ、これらの文献（甲８２、８３）は、いずれも、改質層において溶融・再凝固が生じるという考察を行うものである。また、Ｄ教授が乙４１文献よりも後に発表した甲３３文献にお いても、改質層においてシリコンの融点を超えることが示され、溶融・再凝固が生じるという考察が記載されている。 以上によれば、乙４１文献は、上記各参考文献及び甲３３文献と同じ現象を「溶融」という言葉を用いずに説明しているものにすぎず、溶融を否定しているわけではい。 熱衝撃波はシリコンの融点を超える高温領域を意味すること被告は、乙４１文献の「熱衝撃波」という文言につき、溶融を伴わない衝撃波であるかのような主張をするものの、Ｄ教授の一連の論文（乙４１文献及びその参考文献並びに甲３３文献）においては、「熱衝撃波」とは、高温領域がレーザ入射側に移動していく現象のことを意味するものであ り、甲３３文献においても、「熱衝撃波」が高温領域であることが定義されている。 そして、乙４１文献のFig.2 には、改質層においてシリコンの融点である２０００Ｋを超える旨が示されているが、「熱衝撃波」とは、この高温領域を指すものである。そうすると、熱衝撃波が通過する領域はシリコンの 融点を超えることになり、当然、溶融することになる。 マイクロ爆発はフェムト秒レーザに関する文献に基づく説明であること被告は、乙６１文献を根 コンの 融点を超えることになり、当然、溶融することになる。 マイクロ爆発はフェムト秒レーザに関する文献に基づく説明であること被告は、乙６１文献を根拠として、ボイドがマイクロ爆発によって形成される旨主張するものの、乙６１文献は、「フェムト秒レーザが誘起した、閉じ込められたマイクロ爆発による、高エネルギー密度の生成」という題 名からも明らかであるように、フェムト秒レーザを用いた研究に関する文献である。そして、乙６１文献は、フェムト秒レーザを、透明な材料であるシリカに対して照射することが記載されており、本件明細書等１の実施例や被告製品のようなシリコンをナノ秒レーザで加工することとは何の関係もないものである。 そもそも、フェムト秒レーザは、パルス幅が極めて短く、ナノ秒レーザと比べて６桁も小さな時間の中で起こる現象であるため、エネルギーが全く異なる上に、フェムト秒レーザを用いた内部加工は、非熱加工であるため、溶融が生じないのは当然である（そもそも、非加熱加工である以上、熱衝撃波も生じない。）。 また、ボイド及びボイド上方領域の形成は、レーザの照射中に、シリコンの吸収係数が増大し、溶融領域が拡大・移動するからこそ説明することが可能な現象である。これに対し、乙６１〔４頁の図１〕には、フェムト秒レーザの照射が終わってから、ｔ１、ｔ２及びｔ３を経てボイドが形成される様子が示されており、ボイドとボイド上方領域が形成されることに ついての説明がつかない。 以上のとおり、乙６１文献は、被告製品による加工メカニズムを説明する上で何ら参考にならないものである。 イレーザ加工領域における単結晶の存在について被告は、レーザ加工領域において単結晶 上のとおり、乙６１文献は、被告製品による加工メカニズムを説明する上で何ら参考にならないものである。 イレーザ加工領域における単結晶の存在について被告は、レーザ加工領域において単結晶が確認されることを根拠に、溶融 が生じていない旨主張するものの、レーザ加工領域において単結晶が確認さ れることは、溶融再凝固が生じたことと矛盾するものではなく、むしろ当然の結果である。 単結晶シリコンにレーザ照射した場合に溶融再凝固した領域が、単結晶として結晶化することａ シリコンの単結晶インゴットを生成する方法としてはチョクラルス キー法が知られているところ、これは溶融させたシリコンの中に種結晶シリコン（単結晶シリコン）棒をつけ、回転させながら引き上げるものであり、これにより、種結晶と同じ原子配列をした単結晶インゴットが完成する（甲８８）。 そして、レーザ加工領域においても、一旦溶融したシリコンの大部分 は、同様に、冷却による凝固によって単結晶化するところ、このメカニズムは、甲４８文献においても紹介されている。すなわち、甲４８文献は、改質領域の中心部分（Fig.10 のSquarepattern（正方形パターン））の外側が溶融した領域であり、「ほとんど損傷のない単結晶ダイヤモンド立方晶シリコン」になっている理由につき、「改質されていないダイ ヤモンド立方晶シリコンの固体を種結晶としたエピタキシャル成長が発生」すると考えることで、合理的に説明可能であると述べている。 このように、単結晶インゴットを生成する場合と同様に、周囲の単結晶シリコンが種結晶となり、それに隣接する溶融シリコンが凝固する場合には、単結晶化するものである。 また、甲８９（８０～８１頁「4. ンゴットを生成する場合と同様に、周囲の単結晶シリコンが種結晶となり、それに隣接する溶融シリコンが凝固する場合には、単結晶化するものである。 また、甲８９（８０～８１頁「4.5 レーザアニール後の表面形状の観察」）においても、シリコンにレーザ照射することにより溶融した部分が、溶融部分と接する単結晶シリコン（溶融部下層の固体）を種結晶として再凝固することにより、シリコン単結晶が再結晶化することが示されている。すなわち、甲８９は、シリコンの表面にレーザ照射するもの であるが、レーザ照射によってシリコンを溶融している点で本件発明及 び被告製品と同じであり、溶融後再凝固によりシリコン単結晶が再結晶化する点でも、甲４８文献の考察と同じである。 以上のとおり、単結晶シリコンにレーザ照射した場合に溶融再凝固した領域が、上記現象により単結晶として結晶化すること（エピタキシャル成長とも呼ばれる。）は、技術常識ともいうべきことである。 ｂ これに対し、被告は、レーザ加工領域が単結晶であるから溶融していない旨の主張の根拠として、乙１１１を提出する。 しかしながら、乙１１１に記載されているのは、シリコン全体を、固体部分を残さず溶かして凝固させた場合であるところ、上記のとおり、ステルスダイシングは、周囲がシリコン単結晶で囲まれる領域において 溶融再凝固するものである以上、全く状況が異なるものである。また、ステルスダイシング加工での初期の再結晶は、新しく溶融する部分があるために減圧下で起こることになるという意味においても、単結晶になりやすいと考えられる。 したがって、レーザ加工領域において単結晶が確認されたことを根拠 に、溶融していないという被告の主張には理由がない。 乙４６の１は溶 いう意味においても、単結晶になりやすいと考えられる。 したがって、レーザ加工領域において単結晶が確認されたことを根拠 に、溶融していないという被告の主張には理由がない。 乙４６の１は溶融を否定する根拠にはならないこと被告は、乙４６の１により、ボイド及びボイド上方領域のそれぞれ「３箇所」について、結晶性が保たれていることを根拠に、溶融を否定する。 しかしながら、上記において述べたとおり、レーザ加工領域において 単結晶が確認されたから溶融していないという前提自体が誤っている。そして、乙４６の１は、単に「３箇所」選んで測定してみたところ、そこが単結晶だったという結果を示すものにすぎず、溶融を否定する根拠にはならない。 アモルファスの存在と再結晶の際の単結晶化との関係 被告は、原告らによるラマン分析によりアモルファス等の存在が確認さ れることと、再結晶の際の単結晶化とが矛盾する旨主張するが、失当である。これらは、むしろ、被告装置で形成されたレーザ加工領域で生じている現象を合理的に説明している。 すなわち、ラマン分析によりアモルファスが検知されるのは、ごく僅かな領域に限られるが、これは、再結晶の際に単結晶化する領域が大きいた めであり、僅かな領域にしてもアモルファスが検知されていることは、溶融があったことを示している。溶融後の再結晶の際に、パルスの序盤（場所としては、焦点付近の、レーザ光源から離れた位置）では、新規の溶融があるために減圧下での再結晶化となり、特に綺麗に単結晶化するものの、終盤はそのような状況ではないため、アモルファスなどが生成されやすい。 そのため、ラマン分析によっても、限定的な領域においてのみアモルファスが確認されることになるものと理解できる。 ウ ＥＢＳＤに基づ うな状況ではないため、アモルファスなどが生成されやすい。 そのため、ラマン分析によっても、限定的な領域においてのみアモルファスが確認されることになるものと理解できる。 ウ ＥＢＳＤに基づく被告主張（乙４６の２、乙１０１）の誤り被告は、ＥＢＳＤのＩＰＦマップにおいて、レーザ加工領域が略同色であることを根拠に、同領域において多結晶又はアモルファスが存在しない旨主 張する（乙４６の２、９０）。 しかしながら、本件においてＥＢＳＤのＩＰＦマップを用いることには、根本的な問題がある（甲８６、８７）。すなわち、ステルスダイシング加工をした試料においては、試料表面に凹凸が形成されているところ、ＥＢＳＤにおいては、観察試料を電子線の入射方向に対して大きく傾斜させて測定す るため、試料表面に凹凸がある場合、その部分について信号が得られず、信号が得られなかった部分は結晶方位の解析ができないから、データ欠損が生じ、ＩＰＦマップ上は黒く表示されることがある（甲８６に「試料表面の凹凸を小さくすることが重要」と記載され、甲８７に「分析の際、凹凸の影響を大きく受けます。」と記載されている。）。 また、ＥＢＳＤは、試料が結晶構造を有することを前提に、結晶方位の違 いを評価するための分析手法であるため（甲８６に「結晶方位を解析」と記載され、甲８７に「ＥＢＳＤを利用して結晶性試料の方位解析ができる手法です。」と記載されている。）、結晶構造を持たず、それゆえ結晶方位のデータを取得できない非晶質（アモルファス）の部分についても、ＩＰＦマップ上では黒く表示される。そのため、ＩＰＦマップ上で黒く表示される部分 が、試料表面の凹凸の影響で信号が得られていないことを示すのか、非晶質があることを示すのか、 ）の部分についても、ＩＰＦマップ上では黒く表示される。そのため、ＩＰＦマップ上で黒く表示される部分 が、試料表面の凹凸の影響で信号が得られていないことを示すのか、非晶質があることを示すのか、あるいは、その両方が影響しているのか、明確な切り分けができない。 したがって、乙４６の２を根拠として、結晶性の変化がなかったということはできない（甲１１２ 〔７５～７８頁〕）。 エ被告製品とは加工条件が異なること被告は、甲３１、甲３２の参考資料３、甲４８文献、甲４９の各文献について、被告製品と加工条件が異なると主張するものの、それ以上に、その相違が溶融の有無にどう影響するのかについて何ら説明をしないから、同主張には理由がない。むしろ、以下の理由により、加工条件の違いは、レーザ加 工領域における溶融の有無に影響を与えるものではない（以下、甲１１２〔８０～８３頁〕、甲３１〔６頁〕、甲９５、甲７６〔図２〕）。 まず、甲３１〔６頁〕に示されるように、レーザの波長の違いにかかわらず、レーザ加工により、加工対象物の内部にはボイド及びボイド上方領域が形成されるところ、全く異なるメカニズム（溶融が生じるか否か）により、 このような同一の形状が生じると推論するのは不合理である。現に、レーザの波長や加工深さの違いによって、溶融の有無に差が生じることを指摘するような文献は存在しない。他方で、甲７６〔図２〕が示した基本的に同じメカニズムによって、波長の長さや加工の深さの違いにかかわらず、ボイド及びボイド上方領域が形成されることについて説明することができる。また、 上記各文献のいずれも、加熱加工を特徴とするナノ秒レーザを用いている点 で共通する。 オ乙８５について被告は、被告製品を用いて行っ ついて説明することができる。また、 上記各文献のいずれも、加熱加工を特徴とするナノ秒レーザを用いている点 で共通する。 オ乙８５について被告は、被告製品を用いて行った社内実験結果（乙８５。以下「被告社内実験の結果」という。）に基づき、原告の主張するメカニズムが誤りである旨主張する。 しかしながら、そもそも、シリコンウェハの内部に切断の起点となる改質領域（溶融処理領域）を形成することが本件発明１の本質であり、その具体的な作用機序自体は、本件発明１の本質と関係しない。そうすると、レーザ加工領域において溶融が生じており、それが切断の起点となっている限り、被告製品は本件発明１の技術的範囲に属するものである。 したがって、被告の主張は、社内実験のみに基づいて、文献上の根拠がない知見を創作するものであり、理由がない。なお、乙８５の事例１においてボイドが存在しないように見える部分は、斜めに割れているにすぎないものと推測される。 また、被告は、乙８５の事例２において、ボイドはウェハ下端に通ずるた め、ボイド内に存在したＳｉ原子は、下端から放出されるはずであると主張する。しかしながら、レーザ加工領域が形成される場合において、甲７６文献の図２に示されるメカニズムによれば、溶融領域は徐々にレーザ入射方向に移動していく（甲１１２・３６頁に掲載される図の（ｂ）及び３７頁の説明参照）。このとき、レーザ入射側に広がる溶融領域の体積が小さくなるた め（シリコンは固体より液体の方が体積は小さい。）、レーザ入射側にシリコンが縮むことにより、シリコン原子は、むしろレーザ入射側に引き込まれるのであって、下端から放出されるという説明は不合理である。 カ小括以上によれば、被告製品のレーザ加 射側にシリコンが縮むことにより、シリコン原子は、むしろレーザ入射側に引き込まれるのであって、下端から放出されるという説明は不合理である。 カ小括以上によれば、被告製品のレーザ加工領域において溶融再凝固が生じてお り、これが「溶融処理領域」に該当することは明らかである。 （被告の主張）⑴ 「改質領域」の意義ア溶融処理領域の意義シリコンウェハを加工対象物とする場合の「改質領域」が溶融処理領域であることは、原告の主張するとおりである。 そして、本件明細書等１では、溶融処理領域とは、①一旦溶融後再固化した領域、②溶融状態中の領域、③溶融から再固化する状態中の領域のうち少なくともいずれか一つであり、これについて、相変化した領域や結晶構造が変化した領域ということもできると記載されている（【００２７】）。この記載は、「溶融処理」に係る「溶融前（固相）」→「溶融状態（液相）」→ 「溶融再固化中」（固相・液相）」→「再固化後（固相）」という一連の時系列に沿って、溶融による相変化（固相から液相になり、再固化するなどの変化）をした領域や、溶融を経たことにより結晶構造が変化した領域が「溶融処理領域」であることを説明したものであり、「溶融」せずに、相変化した領域や結晶構造が変化した領域は、「溶融処理領域」には該当しない。 また、溶融による結晶構造の変化とは、本件明細書等１の記載によれば、単結晶構造、非晶質構造、多結晶構造において、ある構造が別の構造に変化した領域であり、例えば、単結晶構造から非晶質構造に変化した領域、単結晶構造から多結晶構造に変化した領域、単結晶構造から非晶質構造及び多結晶構造を含む構造に変化した領域を意味し、半導体基板がシリコン単結晶構 造の 、単結晶構造から非晶質構造に変化した領域、単結晶構造から多結晶構造に変化した領域、単結晶構造から非晶質構造及び多結晶構造を含む構造に変化した領域を意味し、半導体基板がシリコン単結晶構 造の場合、「溶融処理領域」は例えば非晶質シリコン構造である（【００２７】）。すなわち、溶融による結晶構造の変化とは、単結晶構造、非晶質構造、多結晶構造という３種類の構造の間で、いずれかの構造から別の構造に変化したものを意味する。そのため、「単結晶構造」という同じ構造の枠内で、例えばひずみや亀裂が生じたとしても、「結晶構造が変化」した領域に は該当しないから、「溶融処理領域」には該当しない。 以上によれば、本件各発明の「切断の起点となる改質領域」とは、これを起点として半導体基板に割れを発生させる「溶融処理領域」であって、一旦溶融後再固化した領域、溶融状態中の領域、溶融から再固化する状態中の領域のいずれかであり、何らかの「構造」の存在を前提に、溶融により相変化した領域や、溶融を経たことにより結晶構造が変化した領域（単結晶構造、 非晶質構造、多結晶構造という３種類の構造の間で、いずれかの構造から別の構造に変化した領域）をいう。 イ 「改質領域」は多光子吸収が支配的に寄与して形成されるものに限定されること本件明細書等１の記載 「改質領域」の意義については、発明の課題及び作用効果に関する本件明細書等１の記載に基づいて解釈する必要があるところ、本件明細書等１には、改質領域について明確に定義した記載はないものの、【発明を実施するための最良の形態】において、「本発明の好適な実施形態について図面を用いて説明する。本実施形態に係るレーザ加工方法は、多光子吸収に より改質領域を形成している。」(段落【０ 、【発明を実施するための最良の形態】において、「本発明の好適な実施形態について図面を用いて説明する。本実施形態に係るレーザ加工方法は、多光子吸収に より改質領域を形成している。」(段落【００１３】)との記載が存在する。 この内容から明らかなように、発明の実施形態としては、多光子吸収によって改質領域を形成するものが説明されていると理解される。 また、段落【００３５】には、「以上のように本実施形態によれば、改質領域を多光子吸収により形成している。」とも記載されているなど、本 件明細書等１は、発明の実施形態として、多光子吸収によって改質領域を形成する例についてしか説明していない。他方で、本件明細書等１の記載全体をみても、単光子吸収により改質領域を形成することについては、何らの記載も示唆も存在しない。 そうすると、実施可能要件を満たすように本件発明１を解釈すれば、本 件発明１の「改質領域」は、多光子吸収により形成されるものに限定され る。 なお、ここでいう「多光子吸収により形成される」とは、本件発明１の課題解決手段として多光子吸収を発生させることが採用されていることに照らせば、物理学的正確さに照らし単光子吸収を一切発生させないという意味ではなく、主として多光子吸収により形成されるという意味や、多 光子吸収が支配的に寄与して形成されるという意味に解される。 出願経緯の参酌（包袋禁反言）について一般に、互いに独立した特許出願同士は別個独立のものであるので、一の特許の権利範囲の解釈に当たって、他の特許の出願経過等を参酌するのは相当でない場合が多い。しかしながら、特定の特許と他の特許とが密接 な関係にある場合には、その技術思想は基本的には共通するものと考えられるところ に当たって、他の特許の出願経過等を参酌するのは相当でない場合が多い。しかしながら、特定の特許と他の特許とが密接 な関係にある場合には、その技術思想は基本的には共通するものと考えられるところ、少なくとも両者に共通する発明の基本的部分については、当該特定の特許の権利範囲を解釈するに当たって、当該他の特許で生じた禁反言の影響が及ぶものといえる。 これを本件についてみるに、原告は、本件特許権１の審査過程において、 審査官から、特許法１９４条１項に基づき、原告が出願した１００件以上の特許群について、分割出願と原出願の記載の比較を明らかにするように求められたことを受け、上記特許群につき個々の請求項部分の差異を示した一覧表（乙４９。以下、「乙４９一覧表」という。）を提出した。このように、審査官から、分割出願と原出願の記載の比較が明らかではないと 指摘されていることからすれば、上記特許群は、共通した技術思想を有しているというべきであるし、乙４９一覧表において、原告は、本件先行特許につき、「ＳＤに関する基本特許出願」と位置付けていたものであり、このような経緯に照らせば、本件特許権１の権利範囲の解釈に当たっては、本件先行特許の審査経過等が考慮されるべきである。 そして、原告は、本件先行特許における「改質領域」の意義に関し、平 成１５年１月１４日付け意見書（乙４４）や、無効審判（無効２００５－８０１６６。以下「本件先行特許に係る無効審判」という。）における平成１７年８月１５日付け答弁書（乙５０）において、先行特許に係る発明と先行技術との重要な相違点は、加工対象物の内部に多光子吸収による改質領域を形成することである旨主張し、審査官・審判官は、原告のそのよ うな説明を認めた結果、本件先行特許 て、先行特許に係る発明と先行技術との重要な相違点は、加工対象物の内部に多光子吸収による改質領域を形成することである旨主張し、審査官・審判官は、原告のそのよ うな説明を認めた結果、本件先行特許が成立したという経緯が存在する。 このように、加工対象物の内部に形成される改質領域が多光子吸収によらないものを否定し、多光子吸収によるものと主張していたところ、「改質領域」の形成方法は発明の基本的部分に他ならない以上、本件においても、禁反言の原則により、「改質領域」とは、多光子吸収により形成され たものに限定解釈されるべきである。 ウ 「改質領域」はボイドが形成されないものに限定されること以下のとおり、本件発明１にいう「改質領域」は、ボイドが形成されないものに限定される。 ボイドには溶融が生じていないこと 原告の定義に従った場合、「溶融処理領域」とは、①一旦「溶融」した後に再固化した領域、②「溶融」状態中の領域、③「溶融」から再固化する状態中の領域のいずれかを指すところ、そのいずれが形成されるためにも、まず、溶融が生じる必要がある。そのため、シリコンウェハの特定の部分が、固相から液相を経ることなく、いきなり気化した場合には、溶融 が起きていないため、「溶融処理領域」には当たらないことになる。 そして、レーザ加工領域のボイドは、そもそもシリコンが存在しない空隙であり、仮にシリコンが内部に存在したとしても、気相のシリコンにすぎないから、ボイドは上記①～③のいずれにも該当せず、「溶融処理領域」には当たらない。 乙５３発明に係る出願経緯 原告は、乙５３出願（特願２００４－２１２０５９）の過程において、拒絶理由通知（乙５５）を受けた。同拒絶理由通知における拒絶理由は、 当たらない。 乙５３発明に係る出願経緯 原告は、乙５３出願（特願２００４－２１２０５９）の過程において、拒絶理由通知（乙５５）を受けた。同拒絶理由通知における拒絶理由は、明細書等の記載が本件特許１と同一である乙５４公報（特開２００２－２０５１８０）を引用文献とした上で、乙５４公報には、微小空洞が形成される点は明確にされていないものの、多光子吸収による溶融処理領域を形 成する点においては乙５３発明と差異がないことから、微小空洞が形成されるものと推認されるし、微小空洞を形成することは当業者が容易になし得たことであるというものであった。 これを受けて、原告は、意見書（乙５６）を提出したが、意見書には、乙５３発明は、切断予定ラインに沿って半導体基板の内部に溶融処理領域 を形成することができるとともに、複数の微小空洞が形成されることにより、より容易にシリコンウェハを割断することができるという作用効果が生じるのに対し、乙５４公報には、そのような作用効果を奏する微小空洞につき記載も示唆も存在しない旨の主張が記載されていた。 そして、同主張が受け入れられた結果、特許権を取得したという経緯が 存在する。 このような経過に照らしても、本件発明１の「改質領域」は、ボイドを形成しないものに限定解釈されるべきである。 ⑵ 被告製品のレーザ加工領域においては「溶融」は生じていないこと原告は、５つの根拠を掲げて（前記（原告の主張）⑵の根拠①ないし⑤参照）、 被告製品のレーザ加工領域において溶融が生じている旨主張するが、原告の指摘するそれらの根拠は、次のとおり、いずれも理由がなく、むしろ、レーザ加工領域においても結晶性が保たれていることが確認されている。 ア根拠①：レーザ加工領域の温度がシ ている旨主張するが、原告の指摘するそれらの根拠は、次のとおり、いずれも理由がなく、むしろ、レーザ加工領域においても結晶性が保たれていることが確認されている。 ア根拠①：レーザ加工領域の温度がシリコンの融点を超えるから溶融するという主張について 甲３３文献及び甲７６文献について 原告は、溶融の根拠として、レーザ加工領域の温度が融点を超えることを指摘するものの、その根拠として原告が挙げているのは、甲３３文献と甲７６文献の計算機シミュレーションの結果にすぎない。そして、甲３３文献及び甲７６文献がいずれも溶融の根拠とはなり得ないことは、次のとおりである。 ａ 甲３３文献が溶融の根拠とはならないこと甲３３文献は、高転位密度層（転位）が形成される原因は「非常に強い圧縮力」であるとするにすぎず、これが溶融により生じたとは述べていないから、甲３３文献をもって、「切断の起点」となる転位が溶融により生じたということはできない。そもそも、甲３３文献は、熱衝撃波 が通過する間もシリコンは固体のままであり続けるというモデルを用いたものである。 また、甲３３文献において、冷却時に「溶融と再凝固」により生じるとされているのは「多結晶」であり、これが切断の起点となるものではない。 ｂ 甲７６文献が溶融の根拠とはならないこと甲７６文献は、原告を著者に含むコンピュータシミュレーションの文献であり、そもそも信用性が低い上に、計算式や計算モデルに誤りがあり、その計算結果は物理的に無意味であるから、甲７６文献は、被告製品の加工で溶融が生じることの根拠にならない。 また、甲７６文献は、シリコン固体内部が溶融し、溶融シリコンが再固化することでア は物理的に無意味であるから、甲７６文献は、被告製品の加工で溶融が生じることの根拠にならない。 また、甲７６文献は、シリコン固体内部が溶融し、溶融シリコンが再固化することでアモルファスが生じるとのモデルを仮定したものであるところ、溶融し再固化することを仮定した文献を用いて溶融を立証しようとすることは循環論法である。 さらに、甲７６文献においては、当該シミュレーションと同一条件で 行ったとする実験結果との対比において、ラマン顕微鏡による分析が行 われておらず、実際にアモルファスが生じることは確認されていない。 また、当該実験結果では、ボイドが１つのみ形成されたシミュレーションとは異なり、ボイドが２つ形成されており、その理由を説明できないことを著者自ら認めている。 ｃ 加工条件の差異 被告製品は、甲７６文献及び甲３３文献の計算機シミュレーションと比べてエネルギー密度が小さいため、両者は加工条件が異なる。すなわち、実際の加工エネルギー密度は、甲７６文献の加工条件と比較すると２５分の１未満であり、甲３３文献の加工条件と比較すると８分の１程度にすぎない。したがって、同シミュレーションの結果から、被告製品 の加工の際にレーザ加工領域の温度が融点に到達したと結論付けることはできない。 ｄ 計算式の誤り等⒜ 甲７６文献に記載された、光吸収の計算に密接に関わるシリコンのバンドギャップエネルギーの式には、重大な誤りがある。この点につ き、原告は、「記述上の誤記である」にすぎず、実際には正しく計算されている旨主張するが、その根拠として挙げられているのは、共著者である原告従業員の陳述書（甲１０１）のみであり、客観的な証拠は何ら提出されていない。 ⒝ 甲７ ず、実際には正しく計算されている旨主張するが、その根拠として挙げられているのは、共著者である原告従業員の陳述書（甲１０１）のみであり、客観的な証拠は何ら提出されていない。 ⒝ 甲７６文献の計算結果は、被告製品による加工時にレーザ加工領域 に生じる温度を適切に求めるものとなっておらず、また、甲７６文献に記載された値が被告製品による加工時にレーザ加工領域に生じる温度に近似した値であると評価するに足りる科学的合理的根拠もない。 特に、甲７６文献の計算モデルでは、融点を越えた領域が全て液体 であると扱われており、シリコンが異常液体であること（溶融したと すれば体積が減少すること）が適切に表現されていない点は、このモデルが本来、シリコン内部の溶融を取り扱えないという本質的な問題に関わるものである。 ⒞ 原告は、甲７６文献の計算は、７００Ｋ程度まで単光子吸収が生じない場合について行われたものである旨説明するところ、同説明は、 被告製品（波長約１．１μm）のように、７００Ｋより低い室温においてエネルギーギャップを越える単光子吸収が生じる場合には、同計算が適用できないことを自認するものである。 融点を超えたとしても、溶融が生じるとは限らないことシリコンは、固体から液体になると体積が減少する性質を持つところ、 シリコン内部で融点を超えたとしても、直ちに溶融が生じるわけではない。 すなわち、上記のようなシリコンの性質によれば、固体シリコン内部のある箇所が溶融した場合、体積が減少する結果、当該減少分の空間が生じるはずであるが、実際には、固体内部や表面とは異なり、外界と通じていないため、減少分の空間が生じる余地はない。 また、表面のある箇所が 体積が減少する結果、当該減少分の空間が生じるはずであるが、実際には、固体内部や表面とは異なり、外界と通じていないため、減少分の空間が生じる余地はない。 また、表面のある箇所が溶融する場合でも、当該箇所が全て液体になるためには、そこから更に潜熱を必要とするため、温度が融点に達しても直ちに液体になるわけではない。さらに、仮に、固体シリコン内部のある箇所が溶融したとすれば、当該箇所の多くを占める液体シリコンと、その周囲の固体シリコンの界面のみならず、当該箇所の内部に更に形成される体 積減少分の空間と、前記液体シリコンとの界面も形成されなくてはならない。その結果、固体内部が溶融する場合には、表面が溶融する場合とは異なり、２種類の界面を形成するためのエネルギーが必要となるため、液体シリコンと空間の両方が形成されるような状態が、最も安定した状態であるとはいえず、そもそも、そのような状態に相変化しない可能性がある。 さらに、仮に、そのような状態が最も安定な状態であったとしても、固体 内部のある箇所の温度が上昇して、当該箇所の温度が融点に達した後も、２つの界面を形成するエネルギーを要しないように固体のままであり続ける可能性も否定できない。 さらに、極めて短時間内の現象であり、物質の状態変化が常に平衡状態を経由し続けるわけではないことに鑑みれば、仮に融点を超えていたとし ても、直ちに溶融したとはいえない。 イ根拠②：被告製品が熱的加工を特徴とするナノ秒レーザを用いているという主張について原告がナノ秒レーザに関して提出する証拠（甲７９、８０、８１、９５）は、いずれもシリコン表面のレーザ加工に関するものである。そして、シリ コン表面のレーザ加工において、ナノ秒レーザを用い 原告がナノ秒レーザに関して提出する証拠（甲７９、８０、８１、９５）は、いずれもシリコン表面のレーザ加工に関するものである。そして、シリ コン表面のレーザ加工において、ナノ秒レーザを用いて溶融が生じるからといって、シリコン内部において溶融が生じるとは直ちにいえないことは、前記のとおりである。 ウ根拠③：ＳＥＭ写真において溶融痕が観察されるとの主張について原告は、甲３１〔６頁〕の写真を根拠に、「溶けた跡が分かりやすく観察 できる」旨主張するものの、同主張は、結局のところ、レーザ加工後のシリコンが、加工前の単結晶の状態とは異なる秩序の固相（例えばアモルファス）であることをもって、途中で溶融したに違いないと推論するものにすぎない。 すなわち、原告は、ＥＢＳＤ等の客観的データに依拠することなく、自らの主観を述べているにすぎない。 エ根拠④：溶融が生じることを示すステルスダイシングの技術文献が数多く存在するという主張について 甲７６文献及び甲３３文献のシミュレーションが正確ではないことは、既に主張したとおりである。 甲４８文献における実験条件は、被告製品の加工条件とは全く異なる。 すなわち、まず、甲４８文献において用いられているレーザ波長は１５４ ９ｎｍであり、被告製品の波長（１．１μm）とは著しく異なる。また、甲４８文献においては、シリコンウェハの表面近くでレーザ加工が行われているという点でも、シリコンウェハの内部にレーザ加工領域を形成するという被告製品の加工条件とは異なる。 このように、甲４８文献における実験条件は、被告製品の加工条件とは 全く異なる以上、被告製品により加工したレーザ加工領域で「溶融処理領域」が形成されることを何ら立証す とは異なる。 このように、甲４８文献における実験条件は、被告製品の加工条件とは 全く異なる以上、被告製品により加工したレーザ加工領域で「溶融処理領域」が形成されることを何ら立証するものではない。 オ根拠⑤：ラマン分析の結果、レーザ加工領域においてアモルファス及び多結晶が存在するという主張について原告によるラマン分析の結果（甲５１）及び東レによるラマン分析の結果 （甲５５）のいずれも、レーザ加工で多結晶やアモルファスが生じることを立証するものではない。 まず、原告によるラマン分析の結果（甲５１）は、東レによるラマン分析の結果（甲５５）と矛盾する。すなわち、まず、①甲５１では、「低波数側にテール」を引いた非対称なカーブ形状が、多結晶の存在を示していると指 摘されているが（１７頁等）、甲５５では、多結晶の存在を示す観測結果は報告されておらず、また、②甲５１では、波数３００ｃｍ-1付近のピークが、アモルファスシリコンの存在を示していると指摘されているが（２４頁等）、甲５５では、「同一試料内単結晶Ｓｉi 部（同一試料内の加工痕から離れた場所）」でも、波数３００ｃｍ-1付近にピークが明瞭に認められる（Fig. 3- 2(b)）。そのため、甲５１を根拠とする原告の主張には理由がない。 また、甲５１の観察結果とされるスペクトルは、「多結晶シリコンのラマンスペクトル」とは構造が異なるから、多結晶を示すものではない。ここで観察されたラマンピークは、多結晶化やアモルファス化といった結晶構造の変化とは異なる原因によっても生じるものであるし、甲５５によれば、甲５ １のアモルファスのピーク（波数３００cm-1）は、単結晶シリコンにも存在 する。 さらに、甲５５では、多結晶の存在を示す観 因によっても生じるものであるし、甲５５によれば、甲５ １のアモルファスのピーク（波数３００cm-1）は、単結晶シリコンにも存在 する。 さらに、甲５５では、多結晶の存在を示す観察結果は報告されておらず、アモルファスについては、仮に存在したとしてもごく微量であり、原告が甲７６に基づいて主張する「アモルファスシリコンによる切断メカニズム」と矛盾する。他方、甲５５は、観察された複数のラマン線の原因を、「応力の 不均一な分布」によるものとしており、熱衝撃波に起因する応力によってクラックが形成されるという、被告の主張するメカニズムと整合するものである。 そして、アモルファスや多結晶は、圧力誘起による構造転位のような「溶融」以外の原因によっても生じ得るから、アモルファスや多結晶の存在は、 「溶融」が生じた事実を示すことにはならない。 カレーザ加工領域でも結晶性が保たれていること原告は、被告製品のレーザ加工領域において多結晶及びアモルファスが観察されることを根拠に、溶融が生じている旨主張するが、以下のとおり、実際にはアモルファスや多結晶は生じていない。 ＥＢＳＤの観察結果等ＥＢＳＤは、現在、結晶方位を同定することが可能な信頼できる手法として当業者に広く用いられているところ（乙１１２～１１４）、ＥＢＳＤの観察結果によれば、被告製品により加工したシリコンウェハにおいては、元のシリコンウェハと同じ結晶性（単結晶）が保たれている（乙４６の２）。 また、電子線解析が適切な手法であることについては当事者間に争いがないところ、その電子線解析の結果（乙４６の１）からも、被告製品により加工したシリコンウェハでは、元のシリコンウェハと同じ結晶性（単結晶）が保たれていることを 法であることについては当事者間に争いがないところ、その電子線解析の結果（乙４６の１）からも、被告製品により加工したシリコンウェハでは、元のシリコンウェハと同じ結晶性（単結晶）が保たれていることを確認することができる。 透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いた電子線回折（ＥＤ） 乙４６の１の電子線解析の結果からも、被告製品により加工したシリコ ンウェハでは、元のシリコンウェハと同じ結晶性（単結晶）が保たれていることが確認できる。もとより、電子線解析が適切な手法であることにつき、原被告間に争いはない。 キエピタキシャル成長について原告は、被告製品による加工領域において単結晶が維持されていることに 関し、シリコンが溶融後、再固化する際にエピタキシャル成長が生じ、単結晶に戻る旨主張するが、以下のとおり、同主張には理由がない。 まず、シリコンウェハ内のごく短時間のレーザ加工により、エピタキシャル成長が生じることを裏付けるような文献は存在しない。 また、甲４８文献は、波長約１５５０ｎｍ、パルス幅３．５ｎｓの条件 下においてエピタキシャル成長が生じたというものであるところ、これは、被告製品によるレーザ加工に比してパルス幅が約９０分の１（エネルギー密度は９０倍以上）であり、加工条件が異なる。しかも、甲４８文献においてエピタキシャル成長が生じたとされる加工痕は、複数のボイドがランダムに散らばっていたり、方形のパターンが形成されていたりするなど、 被告製品により形成されたレーザ加工領域とは全く異なっている。 さらに、エピタキシャル成長した場合には転位は生じないところ（乙１４５）、被告製品によるレーザ加工領域に転位が生じていることは、原告も認めており、この ザ加工領域とは全く異なっている。 さらに、エピタキシャル成長した場合には転位は生じないところ（乙１４５）、被告製品によるレーザ加工領域に転位が生じていることは、原告も認めており、この点において矛盾している。また、原告の主張は、甲７６でアモルファスが生じて割れると説明していながら、エピタキシャル成 長で大部分が単結晶化すると主張するものであり、これ自体、原告の説明が物理学的に破綻していることを示している。 第三者分析機関（株式会社日産アーク）の報告書（乙８９、乙１１８）によれば、被告製品により加工したシリコンウェハについて、「観察結果により結晶方位のずれが見られた。しかし、一度溶融しエピタキシャル成 長するような場合には固相（溶融していない周囲の単結晶Ｓｉ）と結晶方 位が同一となるように結晶化していくため、上記のような方位の乱れは見られないと考えられる」との記載があり、実際の観察結果に基づき、原告が主張するような「一度溶融しエピタキシャル成長する」というメカニズムを否定している。 ク乙８５の実験結果（ボイド上方領域の形成にはボイドの形成は不要である こと）原告主張に係るメカニズムは、ボイド上方のＳｉ原子が上方に移動し、冷却時に過充填となる結果、ボイド上方領域が形成されるというものであるから、ボイド上方領域の形成には、ボイドの形成が不可欠である（甲３２〔３～７頁〕）。しかしながら、被告社内実験の結果（乙８５）によれば、以下 のとおり、ボイドの形成は不可欠ではない。 ボイドが形成されなくても、ボイド上方領域が形成されることレーザ光の集光点の位置をウェハ面に略平行な方向に移動させた際には、①ボイドとボイド上方領域が共に形成されている部分と、 ボイドが形成されなくても、ボイド上方領域が形成されることレーザ光の集光点の位置をウェハ面に略平行な方向に移動させた際には、①ボイドとボイド上方領域が共に形成されている部分と、ボイドがなくボイド上方領域のみが形成される部分が連続的に入れ替わっているこ とや、②ボイドがなくボイド上方領域のみが形成される部分では、ボイドとボイド上方領域が共に形成されている部分に比べて、ボイド上方領域の大きさが大きいことが確認された。（事例１）ボイドがウェハ下端に形成されてもボイド上方領域が形成されることレーザ光をウェハ下端面近傍に集光して加工を行った場合にも、ボイド はウェハ下端に通じるため、ボイド内に存在したＳｉ原子は当該下端から放出されるはずであるにもかかわらず、ボイド上方領域が形成されていることが確認された。（事例２）ケ溶融によらないメカニズム そもそも、原告が主張する溶融によるメカニズム自体に誤りがある。す なわち、原告の主張するメカニズムによると、ボイド部のシリコン原子が 溶融中のボイド上方領域へ引き込まれ、ボイド上方領域が再固化する際に過充填となって割れが生じるとされるが、ボイドとボイド上方領域は、「固相のまま残存する」箇所で隔てられているところ、この箇所を超えてシリコン原子がボイドからボイド上方領域に移動することを合理的に説明できない。また、被告社内実験の結果（乙８５）によれば、上記のとおり、 ボイドが形成されなくてもボイド上方領域が形成されるのであるから、ボイドを必須とする原告主張のメカニズムは、被告社内実験の結果を合理的に説明することができない。 被告製品によるレーザ加工領域形成の正しいメカニズムは、次のとおりであり、高転位密度層は、熱衝撃波に とする原告主張のメカニズムは、被告社内実験の結果を合理的に説明することができない。 被告製品によるレーザ加工領域形成の正しいメカニズムは、次のとおりであり、高転位密度層は、熱衝撃波による圧縮応力により生じたものであ って、溶融により生じたものではない。 ① 集光点近傍で、レーザ光吸収が生じる。 ② レーザ光により、局所的に高密度のエネルギーを与えられた集光点付近で、マイクロ爆発（乙６１）が生じ、ボイドが形成される。 ③ 熱衝撃波が、レーザ照射面に向けて伝播する。 ④ 熱衝撃波先端で、非常に高い圧縮応力が生じ、高転位密度層が形成される。 ⑤ 先行するレーザパルスで形成された高転位密度層を、次のレーザパルスで形成された熱衝撃波が通過する際、高転位密度層内の転位が核となって亀裂が生成する。 この溶融によらないメカニズムは、被告社内実験の結果とも矛盾しない。 すなわち、同メカニズムによれば、そもそも溶融は生じないため、溶融による多結晶化もアモルファス化も生じないことになるところ、被告社内実験の結果は、基本的に単結晶構造が保たれていることを支持しているため、同メカニズムに合致するものである。 また、この溶融によらないメカニズムによれば、ボイド上方領域の形成 は、熱衝撃波により高転位密度層が形成されれば足りるのであるから（上記の過程③～⑤）、その点でも、ボイド上方領域の形成にはボイドの形成は必須ではないという被告実験の結果にも沿うものといえる。 以上のとおり、被告社内実験の結果と合致するのは、原告主張に係る溶融によるメカニズムではなく、溶融によらないメカニズムである。 ２ 争点１－２（被告製品は「集光点の位置で」（構成要件Ｄ）改質領域を形 とおり、被告社内実験の結果と合致するのは、原告主張に係る溶融によるメカニズムではなく、溶融によらないメカニズムである。 ２ 争点１－２（被告製品は「集光点の位置で」（構成要件Ｄ）改質領域を形成するものといえるか）（原告の主張）⑴ 構成要件の解釈集光点とは、レンズの焦点ではなく、「レーザ光が集光した箇所」であると ころ（本件明細書等１の【０００７】）、この集光点は、光子の吸収係数の温度依存性のために、実際には当初の位置から時間とともにレーザ光の入射方向にミクロン単位で移動するものである（甲７６〔図２〕、甲１１２〔３６、３７頁〕）。 そして、本件発明１は、シリコンウェハの表面を削ったり溶かしたりするの ではなく、シリコンウェハの内部の集光点の位置において改質領域を形成し、この改質領域を切断の起点とするという点がその技術的な特徴である。このような本件発明１の技術的特徴を踏まえれば、「集光点の位置で」とは、シリコンウェハの内部における「集光点の位置において」という意味であり、かつ、その「位置において」とは、ミクロン単位の点ではなく、シリコンウェハ全体 から見た特定の位置（ミクロン単位でみた場合は、集光点近傍の領域）を意味するものと解される。 ⑵ 被告製品の構成要件充足性ア被告製品は、シリコンウェハ内部で、加工用レーザ光の集光点を走査することにより、シリコンウェハの切断予定ラインに沿って、シリコンウェハの 内部（集光点及びその上部）に改質層を形成するものであるから、「集光点 の位置で」（構成要件Ｄ）改質領域を形成するという要件を充足するといえる。 イこれに対し、被告は、右の【概念図】を示しながら、被告製品においてはボイド上方領域において改質領域が形 の位置で」（構成要件Ｄ）改質領域を形成するという要件を充足するといえる。 イこれに対し、被告は、右の【概念図】を示しながら、被告製品においてはボイド上方領域において改質領域が形成され るところ、ボイド上方領域は、集光点より上方に位置するため、「集光点の位置で前記改質領域を形成させ」という要件を充足しない旨主張する。　【概念図】しかしながら、上記【概念図】は、実際には約２０μm ほどの長さのボイ ド上方領域と数μm の長さのボイドとこれから数μm しか離れていない集光点を、わかりやすく模式的に示した概念図にすぎない（甲３１〔５頁〕参照）。 そして、「集光点の位置で」という要件の解釈は、前記⑴のとおりであるから、被告の上記主張には理由がない。 （被告の主張） 被告製品においては、前記（原告の主張）【概念図】のとおり、集光点の上方にボイドが形成され、そのボイドの更に上方にボイド上方領域が形成されるから、ボイド上方領域は、集光点の上方に位置することになる。そして、原告は、ボイド上方領域が「溶融処理領域」に当たる旨主張しているところ、同主張は、「溶融処理領域」が集光点の位置には形成されないことを意味するものである。 したがって、被告製品は、レーザ光の「集光点の位置で」（構成要件Ｄ）改質領域を形成させるとの要件を充足しない。 ３ 争点１－３（被告製品のレーザ加工領域は「切断の起点となる」（構成要件Ａ）ものといえるか）（原告の主張） ⑴ 被告製品は、シリコンウェハの内部にレーザ加工領域を形成し、レーザ加工 領域を起点として生ずる亀裂によりシリコンウェハを切断するレーザ加工装置である。 したがって、シリコンウェハをチップに分割 品は、シリコンウェハの内部にレーザ加工領域を形成し、レーザ加工 領域を起点として生ずる亀裂によりシリコンウェハを切断するレーザ加工装置である。 したがって、シリコンウェハをチップに分割する前にレーザ加工領域を除去しているか否かにかかわらず、レーザ加工領域を起点として生ずる亀裂によりシリコンウェハを切断している以上、被告製品により形成されるレーザ加工領 域は、「切断の起点となる」ものである。 ⑵ これに対し、被告は、被告製品を用いたシリコンウェハの切断加工においては、シリコンウェハをチップに分割する前に、研削・研磨によりレーザ加工領域を除去し、レーザ加工領域を起点として伸びた微小亀裂（下亀裂）のみを残すプロセスが行われることがあるところ（以下、このような態様で用いられる 被告製品を「被告製品（除去）」という。）、被告製品（除去）においては、切断の際には既にレーザ加工領域が存在しないため、レーザ加工領域が「切断の起点となる」ものではない旨主張する。 しかしながら、「起点」とは、「物事の始まるところ」（広辞苑第７版）の意味であるところ、被告製品においては、レーザ加工領域から割れを生じさせ ることによりシリコンウェハを切断するのであり、レーザ加工領域がなければ切断は始まらないのであるから、レーザ加工領域は、当然、「切断の起点となる」ものに当たる。 また、「切断」とは、割れの発生から割れの表面到達までを含む概念であるところ、被告装置（除去）においても、改質領域を起点とし微小亀裂（下亀裂） という割れが発生し、その割れが表面に到達することにより、「切断」されている。 したがって、被告製品（除去）についても、レーザ加工領域は「切断の起点となる」ものである。 （被告の主張） ⑴ 、その割れが表面に到達することにより、「切断」されている。 したがって、被告製品（除去）についても、レーザ加工領域は「切断の起点となる」ものである。 （被告の主張） ⑴ 「切断の起点」とは、切断する際の起点であり、言い換えると、切断が始ま る箇所と解釈することができる。そうすると、「切断の起点となる改質領域」とは、具体的には、加工対象物を切断する際に改質領域が起点となることを規定していると解すべきであり、切断する際に改質領域が存在する必要がある。 そして、被告製品（除去）では、シリコンウェハをチップに分割する前に、レーザ加工領域を除去している以上、仮に被告製品のレーザ加工領域が「改質 領域」に該当するとしても、被告製品（除去）は、「切断の起点となる」ものではないため、構成要件Ａを充足しない。 ⑵ これに対し、原告は、「切断の起点となる改質領域」に関し、「微小亀裂（下亀裂）」が改質領域を起点にして発生した以上、シリコンウェハをチップに分割する前に改質領域が除去されていたとしても、当該改質領域がシリコンウェ ハ切断の「起点」であるということができる旨主張する。 しかしながら、原告の述べる工程は、第１段階の工程である微小亀裂（下亀裂）の発生と、第２段階の工程であるシリコンウェハ切断とを含む工程に区別することができるところ、第２段階の工程である「切断」の起点は、飽くまで、「微小亀裂（下亀裂）」である。そして、「改質領域」は、その前段階である 「微小亀裂（下亀裂）」の発生の「起点」であるにすぎないから、原告の主張には理由がない。 ４ 争点１－４（被告製品は「集光用レンズを移動させ・・る機能を有する」（構成要件Ｅ）ものといえるか）（原告の主張） ⑴ 被告製品で すぎないから、原告の主張には理由がない。 ４ 争点１－４（被告製品は「集光用レンズを移動させ・・る機能を有する」（構成要件Ｅ）ものといえるか）（原告の主張） ⑴ 被告製品では、構成⑩及び⑲のとおり、多段加工として、まず、カッティングテーブルをＸ軸方向に移動させて線状の加工をした後に、ＳＤエンジンユニットの高さを変化させる（僅かに上昇させる）ことにより、加工される場所の深さを僅かに浅いところに移した上で、更に線状の加工をするという設定が可能である。 そして、最初の加工が「第１移動量だけ前記集光用レンズを移動」した上で 行われるものであり、次の段の加工のためにＳＤエンジンユニットの高さを変化させることが「第２移動量だけ前記集光用レンズを移動」に相当する。 したがって、被告製品は「集光用レンズを移動させ・・る機能を有する」（構成要件Ｅ）ものといえる。 ⑵ これに対し、被告は、構成要件Ｅにおける「第１移動量だけ集光用レンズを 移動させ」及び「第２移動量だけ集光用レンズを移動させ」という要件は、集光用レンズのみが移動することを意味するという前提に立った上で、被告製品では、対物レンズのみが移動するのではなく、対物レンズを含むレーザ加工エンジン全体が移動している以上、構成要件Ｅを充足しない旨主張する。 しかしながら、構成要件Ｅは、「集光用レンズを移動させ」と規定してい るにすぎず、「集光用レンズのみを移動させる」と規定するものではない。 また、レーザエンジンにおける集光用レンズが、レーザヘッドを備えるレーザエンジンの内部に配置されるものであることは当業者の技術常識であるから、集光用レンズを移動させるということは、レーザエンジン全体が移動することを意味する。これに対し、被告の主張は、集光用レンズ ーザエンジンの内部に配置されるものであることは当業者の技術常識であるから、集光用レンズを移動させるということは、レーザエンジン全体が移動することを意味する。これに対し、被告の主張は、集光用レンズを移動させ る際に、レーザエンジン全体が動くものは構成要件Ｅを充足しないというものであり、技術常識からかけ離れた主張であるといわざるを得ない。 （被告の主張）構成要件Ｅは、「第１移動量だけ前記集光用レンズを移動させ」、かつ、「第２移動量だけ前記集光用レンズを移動させ」るというものであるところ、この「集 光用レンズを移動させ」るというのは、集光用レンズのみを移動させることを指すと理解すべきである。 これに対し、被告製品では、構成要件Ｅに規定するような加工をする際には、加工対象物の厚さ方向の移動に関し、対物レンズのみが移動することはなく、対物レンズを含む本件レーザ加工エンジン全体が移動している。 したがって、被告製品では、構成要件Ｅに規定する「集光用レンズを移動させ」 るとの要件を充足しないので、被告製品は構成要件Ｅを充足しない。 ５ 争点１－５（被告製品は「前記レーザ光入射面を基準として前記加工対象物の厚さ方向に第２移動量だけ前記集光用レンズを移動させ・・る機能を有する」（構成要件Ｅ）ものといえるか）（原告の主張） ⑴ 被告製品では、複数段のレーザ加工が行われる際、まず、１段目として深い位置でレーザ加工がなされ、次に、２段目として浅い位置でレーザ加工が行われる。そして、２段目のレーザ加工をする際は、直接的には１段目のレーザ加工を行った位置を基準として移動が行われるものの、１段目の深さ自体がハイト調整基準位置（レーザ光入射面）を基準として規定されるものである以上、 ーザ加工をする際は、直接的には１段目のレーザ加工を行った位置を基準として移動が行われるものの、１段目の深さ自体がハイト調整基準位置（レーザ光入射面）を基準として規定されるものである以上、 ２段目の深さの根本的基準も、同様にハイト調整基準位置（レーザ光入射面）となる。 そうすると、対物レンズの１段目の深さへの移動に加えて、対物レンズの２段目の深さへの移動も、ハイト調整基準位置を基準とする所定の深さへの移動、すなわち、「レーザ光入射面を基準とし」た「加工対象物の厚さ方向」への所 定の移動量の「移動」であるといえる。 したがって、被告製品は、「前記レーザ光入射面を基準として前記加工対象物の厚さ方向に第２移動量だけ前記集光用レンズを移動させ」（構成要件Ｅ）るという構成要件を充足する。 ⑵ これに対し、被告は、「『第１移動量』の移動を行って１段目の深さを決 定する時点と、『第２移動量』の移動を行って２段目の深さを決定する時点の間で、その深さ方向に垂直な面内（以下、単に「面内」という。）での集光用レンズの場所は変わっている」ことを根拠に、レーザは、１段目の加工と２段目の加工に共通する「根本的基準」になり得ない旨主張する。 しかしながら、被告製品においては、一つの切断予定ラインにおいて、レ ーザ加工エンジンユニットの高さ、すなわち対物レンズ（集光用レンズ）の 高さを変えて、複数回のレーザ加工をする場合、それぞれのレーザ加工についてＺハイトの値（μm）が指定される。このＺハイトは、「ハイト値」と同じパラメータであり、対物レンズの高さを「ハイト調整基準位置」から下げる距離を指定するパラメータである。 そして、被告製品において、ハイト調整基準位置は、第１段ＡＦ追従レー ザ加工と第２段ＡＦ追従レーザ加 であり、対物レンズの高さを「ハイト調整基準位置」から下げる距離を指定するパラメータである。 そして、被告製品において、ハイト調整基準位置は、第１段ＡＦ追従レー ザ加工と第２段ＡＦ追従レーザ加工とで共通しており、「面内」中の所定の点（Ｘ軸座標値とＹ軸座標値で特定される）で観察用可視光及び加工用レーザ光の集光点がシリコンウェハの表面（レーザ光入射面）に合う対物レンズの高さ（Ｚ軸上の位置）である。そのため、被告製品の加工対象物であるシリコンウェハのレーザ光入射面は、第１段ＡＦ追従レーザ加工と第２段ＡＦ 追従レーザ加工とに共通する高さ基準である。 したがって、被告製品における第２段ＡＦ追従レーザ加工についてのハイト調整制御は、シリコンウェハの表面（レーザ光入射面）を基準として、シリコンウェハ（加工対象物）の厚さ方向に、第２段ＡＦ追従レーザ加工についてのＺハイトの設定値（第２移動量）だけ対物レンズ（集光用レンズ）を 移動させる制御であり、構成要件Ｅにおける「前記レーザ光入射面を基準として前記加工対象物の厚さ方向に第２移動量だけ前記集光用レンズを移動させ」るに該当する。 （被告の主張）⑴ 構成要件Ｅは、加工対象物の厚さ方向に第２移動量だけ集光用レンズを移動 させるに当たって、「レーザ光入射面を基準」とすることを規定している。 これに対し、被告製品では、１段目のレーザ加工が終わった後に、２段目のレーザ加工をする際は、１段目のレーザ加工を行った位置を基準として第２移動量だけ移動させている。 したがって、被告製品では、「レーザ光入射面を基準として前記加工対象物 の厚さ方向に第２移動量だけ・・移動させ」るとの要件を充たさないから、構 成要件Ｅを充足しない。 ⑵ これに対し、原告は、２段 では、「レーザ光入射面を基準として前記加工対象物 の厚さ方向に第２移動量だけ・・移動させ」るとの要件を充たさないから、構 成要件Ｅを充足しない。 ⑵ これに対し、原告は、２段目の深さが１段目の深さを基準として規定される場合であっても、２段目の深さの「根本的基準」は、レーザ光入射面となるから、対物レンズの２段目の深さへの移動も、レーザ光入射面を基準とするシリコンウェハの厚さ方向に沿った所定の移動量の移動である旨主張する。 しかしながら、「加工対象物」（構成要件Ｅ）は一般に、面内の場所によって、高さが異なる。そして、「第１移動量」の移動を行って１段目の深さを決定する時点と、「第２移動量」の移動を行って２段目の深さを決定する時点の間で、面内での集光用レンズの場所は変わっているため、上記の両時点では、加工対象物のレーザ光入射面も、深さ方向の位置（高さ）が異なることになる。 そうすると、レーザ光入射面は、１段目と２段目とに共通して用いることのできるような「根本的基準」にはなり得ず、原告の主張には理由がない。 ６ 争点１－６（被告製品は「制御部」（構成要件Ｅ）を備えるものといえるか）（原告の主張)⑴ 被告は、被告製品については、海外の顧客に納入後に最終的なアプリケーシ ョンやシステムの調整が行われることをもって、被告製品は、国内における製造、販売、輸出の段階では、「制御部」（構成要件Ｅ）を備えない旨主張する。 ⑵ しかしながら、被告製品のユーザが、稼働不能の未完成品を購入することは実務的にあり得ないのであって、被告製品の主要ユーザであるサムスン電子（以下「サムスン社」という。）が未完成品の半導体製造設備を購入する ことはなく、必ず、パラメータを調整すれば所望の加工を実現で 的にあり得ないのであって、被告製品の主要ユーザであるサムスン電子（以下「サムスン社」という。）が未完成品の半導体製造設備を購入する ことはなく、必ず、パラメータを調整すれば所望の加工を実現できる状態の半導体製造設備を購入する。そのため、被告が海外ユーザ向けに輸出する被告製品の制御システムは完成しているといえる。 ⑶ 被告製品は、ＡＦ切断モードとしてファースト・トレースモードを備え、販売促進の際にこの機能が紹介されているところ、被告製品において、ファ ースト・トレースモードが選択されると、必然的に、本件発明１が実施され ることになる。 そして、被告製品は、本件発明１に係る多段走査加工のユーザインタフェースを備えているところ、仮に、これらの機能を使ってエンドユーザが所望する切断品質を実現するためには、パラメータの調整・設定に数日を要することがあるとしても、これらの機能を備える製品につき製造、譲渡、貸渡 し、若しくは輸出、又は譲渡若しくは貸渡しの申出をすること自体、本件発明１の実施に該当する。 また、サムスン社は、ファースト・トレースモードを使用したステルスダイシング加工をしているところ、被告における国内での被告製品のデモや顧客による検証においても本件発明１が実施されるはずであるから、被告製品 が日本国内において「制御部」を備えていることは明らかである。 （被告の主張）被告製品は、顧客の要望に応じてエンジニアが数日間作業を行い、具体的にアプリケーション及びシステムを作成・調整することで、初めて、レーザ光の集光点に関する制御が決定されるものであり、その時点で「制御部」がようやく完成 することになる。すなわち、被告製品では、エンジニアがアプリケーション及びシステムを作成、調整しなけれ レーザ光の集光点に関する制御が決定されるものであり、その時点で「制御部」がようやく完成 することになる。すなわち、被告製品では、エンジニアがアプリケーション及びシステムを作成、調整しなければ、どのようにレーザ光の集光点を制御するか決まらず、そのため、「制御部」が構成要件Ｅに規定されるような制御を行うことはできない。 そして、被告製品では、このアプリケーション及びシステムの作成、調整は海 外で行われており、「制御手段」が完成するのは海外である。 したがって、被告製品は、国内に存在する限り、「制御部」（構成要件Ｅ）を備えるものではない。 ７ 争点２－１（被告製品は「測定初期位置に前記レンズを保持する」（構成要件Ｑ）、「加工初期位置に前記レンズを保持する」（構成要件２Ｑ）ものといえる か）（本件発明２－１及び２－２に関して） （原告の主張）⑴ 「保持」のクレーム解釈「保持」の意味に関し、構成要件Ｐ及び２Ｐには、「前記制御手段は…前記レンズと前記主面との間隔を調整しながら保持するように前記保持手段を制御」と記載されている。したがって、「保持」というクレーム文言は、固定も 含むけれども、変動を許容しない用語ではない。 また、本件明細書等２の実施例では、ピエゾアクチュエータの伸び量を「固定する」（段落【００５０】、【００５９】）と表記されているにもかかわらず、構成要件Ｑでは、あえて、固定とは異なる意味を持つ「保持」という文言が使用されている。 このようなクレーム文言に鑑み、本件発明２－１又は２－２の作用効果を奏し、本件発明２の課題を解決するという観点からは、「初期位置に集光レンズを保持するように保持手段を制御」／「前記レンズを前記初期位置に保持した状 ム文言に鑑み、本件発明２－１又は２－２の作用効果を奏し、本件発明２の課題を解決するという観点からは、「初期位置に集光レンズを保持するように保持手段を制御」／「前記レンズを前記初期位置に保持した状態」というのは、形状変動へのＡＦ追従を実質的に抑止する制御であり、現状の集光レンズの高さが目標とする集光レンズの高さから乖離している場合 にも、集光レンズの高さが全く変位しないか、形状変動に対するＡＦ追従を抑止しない場合と比較して名目的な量しか変位しないように制御された状態を表していると解釈される。 ⑵ 被告製品（低追従）の構成以下のとおり、被告製品（低追従）においては、現実のウェハエッジからウ ェハエッジ検出位置までの区間に加えて、エッジ処理区間（ウェハエッジ検出位置を始点とする予め設定された所定の距離の区間）においても、「初期位置に前記レンズを保持」（構成要件Ｑ、２Ｑ）しているということができる。 アエッジ処理区間において「初期位置に前記レンズを保持」していること被告製品（低追従）の制御では、以下のとおり、標準的なエッジ処理区間 （ウェハエッジ検出位置をＸ軸座標０ｍｍ地点としたとき、Ｘ軸座標０－５ ｍｍの区間）においては、ピエゾ制御指令値が想定ピエゾ現在位置に近い上限値に制約されるため、ピエゾ現在位置が名目的な量を超えて動くことはない。すなわち、ピエゾ現在位置は、想定ピエゾ現在位置に実質的に固定される。 また、実用上最大距離のエッジ処理区間であるＸ軸座標０－１０ｍｍ区間 においても、同様に、ピエゾ制御指令値が想定ピエゾ現在位置に近い上限値に制約されるため、ピエゾ現在位置が名目的な量を超えて動くことはない。 標準的なエッジ処理区間の長さ被告は、 ても、同様に、ピエゾ制御指令値が想定ピエゾ現在位置に近い上限値に制約されるため、ピエゾ現在位置が名目的な量を超えて動くことはない。 標準的なエッジ処理区間の長さ被告は、被告製品（固定）において、エッジ処理区間（ＡＦ固定制御がなされる区間）を５ｍｍに設定することを推奨していた。また、ユーザの 製造現場に設置されていた本件設計変更後の被告製品（ＭＬ３００）では、エッジ処理区間は５ｍｍに設定されていた。 そして、典型的な３００ｍｍ径メモリ形成ウェハを加工する際に、エッジ処理区間を５ｍｍより長く設定すると、エッジ処理区間がアクティブエリア（デバイスが形成された領域）にまで延在し、アクティブエリアの一 部をＡＦ固定又は低追従ＡＦの制御がされた状態、すなわち、実質的にＡＦ固定制御された状態でレーザ加工されることになってしまうおそれがあるため（甲３５）、チップ分割不良のリスクがある。 また、エッジ処理区間を１０ｍｍより長く設定すると、最外端チップのうち、かなりの部分が実質的にＡＦ固定制御された状態でレーザ加工され ることになってしまうため、チップ分割不良のリスクが更に高くなる。 そうすると、標準的なエッジ処理区間の長さは５ｍｍであり、実用的なエッジ処理区間の長さは最大でも１０ｍｍとなる。 被告製品（低追従）におけるアルゴリズム被告製品（低追従）では、下記の低追従アルゴリズム及び上限値アルゴ リズムにより、「ピエゾ制御指令値」が算出される。 ① 低追従アルゴリズム主面の高さ（ウェハ表面高さ）を測定し、ウェハ表面高さ、ピエゾ現在位置（測距用レーザ光の空気中における、シリコンウェハがなかったと仮定した場合の集光点 ① 低追従アルゴリズム主面の高さ（ウェハ表面高さ）を測定し、ウェハ表面高さ、ピエゾ現在位置（測距用レーザ光の空気中における、シリコンウェハがなかったと仮定した場合の集光点）及び「想定ピエゾ現在位置」に基づきピエゾ制御指令値を算出する。このピエゾ制御指令値は、想定ピエゾ現在位置 から主面の高さの方向にずれた位置（想定ピエゾ現在位置と主面の高さの間の位置）となる。 ② 上限値アルゴリズムピエゾ制御指令値が上限値を超える場合には、上限値をピエゾ制御指令値とする。 もっとも、上限値は想定ピエゾ現在位置に近接した位置に設定されているため、主面の高さがピエゾ現在位置から大きく乖離する形状変動部分では、低追従アルゴリズムは作用せず、上限値アルゴリズムのみが作用する。 そして、上限値アルゴリズムの制御がなされるとき、理論的には、ピ エゾアクチュエータ（保持手段）は、ピエゾ現在位置が想定ピエゾ現在位置（突入高さ）から僅かに上の「上限値」に向かって移動するように、駆動される。しかしながら、上限値は、想定ピエゾ現在位置に近接しているため、標準的なエッジ処理区間（Ｘ軸座標０－５ｍｍ区間）において、ピエゾ現在位置／対物レンズの高さは実質的に変位しない。 ａ 被告製品（低追従）の旧チャート標準的なエッジ処理区間である０－５ｍｍ区間では、ピエゾ現在位置とウェハ表面高さの間に大きなずれ（４μm 強）が生じているため、本来、この区間でＡＦ追従すると、極めて高いピエゾ制御指令値が出力されるはずである。しかしながら、実際には、０－１０ｍｍ区間では、被 告製品（低追従）の上限値アルゴリズムにより、ピエゾ制御指令値がピ エゾ現在位置に めて高いピエゾ制御指令値が出力されるはずである。しかしながら、実際には、０－１０ｍｍ区間では、被 告製品（低追従）の上限値アルゴリズムにより、ピエゾ制御指令値がピ エゾ現在位置に近接した上限値に固定されているため、ピエゾ現在位置は０－５ｍｍ区間では固定制御の変位と同一であり、５－１０ｍｍ区間でも、名目的な量（０．１μm 程）しか変位しない。 すなわち、本来、ＡＦ追従では、ピエゾ現在位置とウェハ表面高さとの間にずれが生じると、当該ずれを速やかに解消するように大きな制御 量（ピエゾ制御指令値とピエゾ現在位置の差分）を与え、オーバーシュートするように制御させる。そのため、ＡＦ追従されていたならば、ピエゾ現在位置は例えば４μm の倍である８μm 程変位していたはずである。しかしながら、実際には、上限値アルゴリズムの制御により、ピエゾ現在位置の変位量は０．１μm 程に抑制されており、この変位量が、 ＡＦ追従されていた場合の変位量と比較して名目的な量であるのは明らかである。 ●（省略）●【低追従の旧チャート】ｂ 被告製品（固定）のチャートと被告製品（低追従）のチャートの対比 下記の【固定と低追従のチャートの対比】は、０－２８ｍｍ区間でＡＦ固定制御がされたときのチャートと、上記ａで示した被告製品（低追従）の旧チャート（０－２８ｍｍ区間で低追従方式の制御がなされたときのチャート）を高さ方向に拡大したもの（横軸の１単位が５ｍｍ、縦軸の１単位が０．２μm）とを対比するものである。 同図が示すとおり、標準的なエッジ処理区間ばかりではなく、実用上最大距離のエッジ処理区間であるＸ軸座標０－１０ｍｍ区間においても、ピエゾ現在位置の変位 を対比するものである。 同図が示すとおり、標準的なエッジ処理区間ばかりではなく、実用上最大距離のエッジ処理区間であるＸ軸座標０－１０ｍｍ区間においても、ピエゾ現在位置の変位、すなわち対物レンズの高さの変位は、ＡＦ固定制御時と低追従制御時とで、いずれも０．１μm ないし０．２μm 程度であり、実質的相違はない。 ●（省略）● 【固定と低追従のチャートの対比】ｃ 被告製品（低追従）の新チャート新チャートの加工対象物は、旧チャートの加工対象物と異なり、ベベルも反りもないものである。そのため、新チャートと旧チャートとでは 加工対象物の端部の形状変動は異なるが、０－１０ｍｍの区間では、上限値アルゴリズムのみが作用するため、新チャートにおいても、旧チャートと全く同様に対物レンズの高さが制御される。すなわち、低追従アルゴリズムによる制御は全く機能せずに、専ら上限値アルゴリズムにより、加工対象物端部の形状とは無関係に常に同一の制御がなされる。 もっとも、上記のとおり、ＡＦ固定制御をしても、走査による振動により０．２μm 程度の変位は必然的に発生するという要因や、被告製品の個体差によりピエゾ現在位置の突入高さが想定ピエゾ現在位置からずれるという要因により、全く同一の制御がなされても実際のピエゾ現在位置の挙動は同一にはならない。 ｄ 部分拡大した被告製品（低追従）の新チャート●（省略）●【低追従の新チャートの部分拡大図】上記チャート中の「低追従ＡＦ」は、ＡＦ低追従の新チャートにおけるピエゾ現在位置の変位を、標準的なエッジ処理区間である０－５ｍｍ 区間で部分拡大したものである。また 新チャートの部分拡大図】上記チャート中の「低追従ＡＦ」は、ＡＦ低追従の新チャートにおけるピエゾ現在位置の変位を、標準的なエッジ処理区間である０－５ｍｍ 区間で部分拡大したものである。また、上記チャートでは、被告製品（低追従）を用いて、「低追従ＡＦ」と同一条件で、ＡＦ固定制御、ＡＦ追従したときのピエゾ現在位置の変位が、それぞれ、「ＡＦ固定」、「標準ＡＦ」として表示されている。 上記ｃで述べたとおり、上限値アルゴリズムにより加工対象物端部の 形状変動とは無関係に常に同一の制御がなされる結果、低追従ＡＦとＡ Ｆ固定制御は実質的に同一である一方で、低追従ＡＦとＡＦ追従とが異なる制御であることは一目瞭然である。すなわち、ＡＦ追従は、ピエゾ現在位置のシリコンウェハへの突入高さとウェハ表面高さとの差分である約２μm の段差を解消するために、ピエゾ現在位置をウェハ表面高さに向かって上昇させるのに対し、上限値アルゴリズムによる制御は、 ＡＦ固定制御と同様、ピエゾ現在位置を実質的に突入高さに固定させている。 ｅ 小括以上のとおり、被告製品（低追従）は、標準的なエッジ処理区間（標準的な「切断予定ラインの一端部」）においてのみならず、実用上最大 距離のエッジ処理区間（Ｘ軸座標０－１０ｍｍの区間）においても、ウェハ端部の形状変動へのＡＦ追従を実質的に抑止する制御であり、ピエゾ現在位置がいかに大きく主面に応じた高さから乖離していても、ピエゾ現在位置を名目的な量しか変位させないようにする制御であることからすると、「切断予定ラインの一端部」において対物レンズの高さを 「初期位置に保持」する制御である。 したがって、被告製品（低追従）は、「切断予定ラインの一端部」において対物 からすると、「切断予定ラインの一端部」において対物レンズの高さを 「初期位置に保持」する制御である。 したがって、被告製品（低追従）は、「切断予定ラインの一端部」において対物レンズの高さを「初期位置に保持する」（構成要件Ｑ、２Ｑ）ものといえる。 イ現実のウェハエッジからウェハエッジ検出位置までの区間 仮に、被告製品（低追従）について、エッジ処理区間において「初期位置に前記レンズを保持」しているとは認められない場合でも、被告製品（低追従）は、下記各図面のとおり、現実のウェハエッジからウェハエッジ検出位置までの区間において、対物レンズの高さが初期位置に固定されて移動する以上、この区間において、「初期位置に前記レンズを保持」しているといえ る。 加工対象物にベベルがある場合ａ この場合、光量基準によると、下記【図Ｃ１】のとおり、測距用レーザの反射スポットがベベルを通過して平坦部に乗った時点でウェハエッジが検出されることは、当事者間に争いがない。 そして、被告製品では、本件設計変更の前後を問わず、走査開始待機 位置からウェハエッジ検出位置までの間、ＡＦ固定制御（初期位置を保持することにつき争いがない。）がされる。したがって、加工対象物にベベルがある場合には、現実のウェハエッジからウェハエッジ検出位置までの区間（ベベル部分）においては、「初期位置に前記レンズを保持」することになる。 【図Ｃ１】ｂ これに対し、被告は、ベベルのある加工対象物については、ウェハエッジ検出基準として、ユーザは必ず座標基準を選択し、光量基準を選択することはない旨主張する。 しかしながら、機能上 ｂ これに対し、被告は、ベベルのある加工対象物については、ウェハエッジ検出基準として、ユーザは必ず座標基準を選択し、光量基準を選択することはない旨主張する。 しかしながら、機能上、光量基準を選択することができるのは、ユー ザが光量基準を選択する可能性があるからであり、被告製品がこのような機能を有する装置であることは否定できない。そして、主面端部にベベルがあるウェハのエッジを光量基準で検出するのは実用的な加工条件であり、被告が被告製品の潜在的顧客に交付した資料においても、被告製品は非常に多用途であるとうたわれており、ＭＥＭＳ（Micro ElectroMechanicalSystems）向け加工に適用できることが明記されている。また、小径ウェハのＭＥＭＳ向け加工ではウェハエッジ検出基準として光量基準が適用され得るところ、ＭＥＭＳが形成されたシリコンウェハの主面（レーザ光入射面）には、通常ベベルがある。 加工対象物にベベルがない場合 この場合、被告製品は、光量基準によると、下記【図Ｃ２】のとおり、測距用レーザの反射スポットが主面に乗った時点でウェハエッジを検出する。そして、測距用レーザ光のビームスポットには一定の大きさがあるため（甲１１９の２、本件明細書等２（段落【００７１】）参照）、現実のウェハエッジから、測距用レーザ光の反射スポットの直径 に相当する距離の区間分だけ内側の位置でウェハエッジが検出される（下記の図Ｃ２を参照）。すなわち、ベベルがない場合にも、ウェハエッジ検出位置は現実のウェハエッジの内側にあることになる。 そして、被告製品では、本件設計変更の前後を問わず、走査開始待機位置からウェハエッジ検出位置までの間、ＡＦ固定制御がされる。したがっ ッジ検出位置は現実のウェハエッジの内側にあることになる。 そして、被告製品では、本件設計変更の前後を問わず、走査開始待機位置からウェハエッジ検出位置までの間、ＡＦ固定制御がされる。したがっ て、現実のウェハエッジからウェハエッジ検出位置までの区間においては、「初期位置に前記レンズを保持」することになる。 【図Ｃ２】ウ走査開始待機位置からウェハエッジ検出位置までの区間において「初期位置に前記レンズを保持」していること被告製品においては、構成⑮のとおり、走査開始待機位置からウェハエッ ジ検出位置までの区間において、対物レンズの高さが初期位置に固定されて移動することは争いがないから、被告製品は、この区間において、「初期位置に前記レンズを保持」しているといえる。 （被告の主張）⑴ 「保持」のクレーム解釈 本件明細書等２の記載上、「保持」について定義付けは存在しないものの、広辞苑によれば、「保持」とは、「たもちつづけること。手放さずに持っていること」を意味し（乙６４）、「保つ」とは、「同じ状態でつづける」という意味である（乙６５）。 以上のような用語の意味に加え、以下のような特許請求の範囲及び本件明細 書等２の記載を総合すると、レンズを「初期位置に保持」するとは、初期位置 にレンズが固定された状態（レンズの高さが初期位置から変位せずに動かない状態）をいうものと解釈すべきである。 ア特許請求の範囲の記載本件発明２－１は、レンズに加え、変位取得手段、移動手段、保持手段及び制御手段を備えるレーザ加工装置であり、保持手段は、レンズを主面に対 して「進退自在に保持」（構成要件 範囲の記載本件発明２－１は、レンズに加え、変位取得手段、移動手段、保持手段及び制御手段を備えるレーザ加工装置であり、保持手段は、レンズを主面に対 して「進退自在に保持」（構成要件Ｍ）する。 また、「制御手段は第二のレーザ光の集光点が加工対象物に対する所定の位置に合うように設定された測定初期位置に前記レンズを保持するように前記保持手段を制御し」（Ｑ）、「当該レンズを測定初期位置に保持した状態で前記第二のレーザ光の照射を開始し…主面で反射される前記第二のレ ーザ光の反射光に応じて、前記レンズを前記測定初期位置に保持した状態を解除するように前記保持手段を制御し」（Ｒ）、「解除後に、前記制御手段は前記主面で反射される前記第二のレーザ光の反射光を検出しながら前記レンズと前記主面との距離を調整するように前記保持手段を制御」（Ｓ）という特許請求の範囲の記載によれば、本件発明２－１は、レンズを測定初期 位置に保持した状態で第二のレーザ光の照射を開始し、第二のレーザ光の反射光に応じて、保持状態を解除するというものである。そして、初期位置を保持した状態が解除されると、レンズと主面の距離が調整される。 イ本件明細書等２の記載本件明細書等２には、次のような記載が存在する。 測定初期位置にレンズを保持する測定準備ステップと、当該レンズを初期位置に保持した状態で第二のレーザ光の照射を開始し、…レンズを測定初期位置に保持した状態を解除する第一測定ステップ…を有することも好ましい。測定初期位置にレンズを保持した状態で切断予定ラインの一端部に第二のレーザ光を照射した後…に、レンズを保持した状態を解除して 主面の変位を取得するので、加工対象物の端部の形状変動による影響を極 力排除して した状態で切断予定ラインの一端部に第二のレーザ光を照射した後…に、レンズを保持した状態を解除して 主面の変位を取得するので、加工対象物の端部の形状変動による影響を極 力排除して変位を取得できる。(段落【００１０】)測定初期位置にレンズを保持するように保持手段を制御し、当該レンズを測定初期位置に保持した状態で第二のレーザ光の照射を開始し、…レンズを測定初期位置に保持した状態を解除するように保持手段を制御…することも好ましい。測定初期位置にレンズを保持した状態で切断予定ライ ンの一端部に第二のレーザ光を照射した後…に、レンズを保持した状態を解除して主面の変位を取得するので、加工対象物の端部の形状変動による影響を極力排除して変位を取得できる。(段落【００１８】)加工用対物レンズ４２と加工対象物Ｓとが相対的に移動して加工用対物レンズ４２が加工対象物Ｓに差し掛かった後に、加工用対物レンズ４２ を初期位置に保持した状態を解除して表面Ｓ１の変位を取得するので、加工対象物Ｓの端部の形状変動による影響を極力排除して変位を取得できる。(段落【００７４】)⑵ 被告製品（低追従）では、「初期位置に前記レンズを保持」しないことア被告製品（低追従）においては、①加工対象物にベベルがある場合、装置 がウェハエッジと想定した位置（ウェハエッジ検出位置）を始点とする予め設定された所定の距離の区間（エッジ処理区間）では、低追従ＡＦの制御をし、この間は加工用レーザが照射されておらず、また、②加工対象物にベベルがない場合、エッジ処理区間では、低追従ＡＦの制御をし、この間は、それまでに引き続き加工用レーザが照射されているが、いずれにおいても、レ ンズがシリコンウェハ主面に対して進退移動している（甲３４）。 合、エッジ処理区間では、低追従ＡＦの制御をし、この間は、それまでに引き続き加工用レーザが照射されているが、いずれにおいても、レ ンズがシリコンウェハ主面に対して進退移動している（甲３４）。 そして、被告製品（低追従）において、ピエゾ現在位置（レンズの高さ）とは異なるピエゾ制御指令値が出力され、ピエゾ現在位置（レンズの高さ）もピエゾ制御指令値に向かって変動し、レンズが進退自在に移動していることは、原告も争っていない（原告第４５準備書面別紙２１頁）。 このように、被告製品（低追従）では、レンズがシリコンウェハと相対移 動している間は、シリコンウェハの表面の高さを考慮して、意図的に対物レンズの位置を進退移動させている。したがって、レンズの位置は特定の位置（初期位置）から変位しており、固定されて動かないものではない。 なお、ＡＦ固定制御においてもピエゾ現在位置（レンズの高さ）が小刻みに変動しているが、チャートに現れた微小振動による誤差は、シリコンウェ ハを載せているステージが高速に移動していることによる不可避的な微振動とレンズの変動を示す電気的な信号となる際のノイズとによって生じるものであり、レンズ自体の微振動を指しているものではなく、このような振動やノイズの影響があることは、原告も認めるところである。そして、レンズを初期位置に固定する本件発明２は、このような技術上不可避な変動は捨 象した上で、制御出力値として一定の値に制御しレンズの高さを固定するものと解されるから、このような微小な変動は、充足性の判断には影響しないというべきである。 イ原告の主張に対する反論エッジ処理区間における充足性 原告は、低追従ＡＦにおけるピエゾ制御指令値の上限値は、想定ピエゾ現在位置 足性の判断には影響しないというべきである。 イ原告の主張に対する反論エッジ処理区間における充足性 原告は、低追従ＡＦにおけるピエゾ制御指令値の上限値は、想定ピエゾ現在位置に近接しているため、標準的なエッジ処理区間（Ｘ軸座標０－１０ｍｍ区間）において、ピエゾ現在位置／対物レンズの高さは実質的に変位しないという前提に立ち、被告製品（低追従）が「初期位置に前記レンズを保持」（構成要件Ｑ、２Ｑ）という要件を充足する旨主張する。 しかしながら、被告製品（低追従）において、ピエゾ制御指令値として、０ではない有限の上限値が設定されているのは、急激な変動を抑制するためにすぎず、変動自体は許容している。そして、レンズの高さ（ピエゾ現在位置）は、ピエゾ制御指令値と一致しない限りピエゾ制御指令値の方向に変位するから、ピエゾ制御指令値に上限値が設定されているからといっ て、レンズの高さが不動の状態にあることを意味するわけではない。他方 で、「初期位置に前記レンズを保持する」（構成要件Ｑ、２Ｑ）とは、前述のとおり、レンズの高さが初期位置に固定されており、初期位置の高さから変位せず動かないことを意味するものであるから、レンズの高さに変位がある以上は、「初期位置に前記レンズを保持する」（構成要件Ｑ、２Ｑ）という要件を充足しない。 現実のウェハエッジからウェハエッジ検出位置までの区間原告は、現実のウェハエッジからウェハエッジ検出位置までの区間において、「初期位置に前記レンズを保持」している旨も主張する。 しかしながら、まず、加工対象物にベベルがない場合には、光量基準が用いられるところ、その場合、装置が「ウェハの端部」と想定した位置と 現実のウェハエッジは一致する 旨も主張する。 しかしながら、まず、加工対象物にベベルがない場合には、光量基準が用いられるところ、その場合、装置が「ウェハの端部」と想定した位置と 現実のウェハエッジは一致する以上、原告が主張するような区間は、そもそも存在しない。 また、加工対象物にベベルがある場合には、座標基準が用いられるところ、上記のとおり、原告が主張する区間では加工用レーザは照射されておらず、レーザ加工ができない。同区間でレーザオフであることは、原告も 認めているところ（訴状訂正申立書の図７）、被告製品（低追従）では、上記区間において、レーザ光の照射が開始され、改質領域が形成され、その区間の直前と直後の地点でそれぞれの制御が変更され、解除されることの立証はない。したがって、原告主張の区間において「初期位置に前記レンズを保持」しているとはいえない。 走査開始待機位置からウェハエッジ検出位置までの区間原告は、走査開始待機位置から装置が「ウェハの端部」として認識するまでの区間において、被告製品（低追従）は「初期位置に前記レンズを保持」（構成要件Ｑ、２Ｑ）している旨も主張する。 しかしながら、同区間については、原告の主張によっても、「シリコン ウェハの主面の変位を取得するに先立ち、あるいはレーザ加工に先立ち、 対物レンズがウェハ外側にあるときに」とされており（構成⑮）、この区間において加工用レーザは照射されていない。 小括以上のとおり、本件発明２においては、レンズを「初期位置に保持」した状態でレーザ光の照射を開始し、改質領域を形成することを要するとこ ろ、被告製品（低追従）は、原告主張の上記各区間においては、いずれもこの要件を充足しない。 したがって、被告製品（低 持」した状態でレーザ光の照射を開始し、改質領域を形成することを要するとこ ろ、被告製品（低追従）は、原告主張の上記各区間においては、いずれもこの要件を充足しない。 したがって、被告製品（低追従）は、構成要件Ｑ、２Ｑを充足しない。 ウまた、仮に、レンズの高さに多少の変位があってもそれが実質的な変位といえないときは「初期位置に保持」の要件を充足し得るという原告の解釈を 前提とした場合であっても、被告製品（低追従）における変位の量は実質的な変位であると評価できるから、いずれにせよ、被告製品（低追従）は「初期位置に前記レンズを保持する」（構成要件Ｑ、２Ｑ）との要件を充足しない。 ８ 争点２－２（被告製品は「レンズを測定初期位置に保持した状態で第二のレー ザ光の照射を開始」（構成要件Ｒ）するものといえるか）（本件発明２－１に関して）（原告の主張）⑴ 構成要件の解釈「当該レンズを測定初期位置に保持した状態で前記第二のレーザ光の照射を 開始し」（構成要件Ｒ）とは、レンズを測定初期位置に保持した状態になった時点では、第二のレーザ光がオンになっていることを意味するものと解される。 すなわち、まず、対物レンズの高さが各切断予定ラインの測定初期位置に保持される以前から測距用レーザ光（第二のレーザ光）が照射されていたか否かは、加工対象物の端部の形状変動による影響を極力排除するという本件各発明 の課題解決手段とは、無関係である。 また、本件明細書等２の実施例では、対物レンズの高さが測定初期位置に保持される以前から測距用レーザ光（第二のレーザ光）が照射されている。具体的には、本件明細書等２には、実施例として、「図４（Ａ）に示すように、加工対象物２の切断予定ラインＣ１上の一点Ｑ１ 初期位置に保持される以前から測距用レーザ光（第二のレーザ光）が照射されている。具体的には、本件明細書等２には、実施例として、「図４（Ａ）に示すように、加工対象物２の切断予定ラインＣ１上の一点Ｑ１に対応する位置に加工用対物レンズ４２が配置されるようにステージ２が移動する。加工用対物レンズ４２を 保持しているアクチュエータ４３は最も縮んだ状態から２５μm 伸びた状態になる。この伸び量２５μm は、アクチュエータ４３の最大伸び量５０μm の半分の量として設定されている。この状態で観察用可視光の反射光のピントが合うようにステージ２を上下させる。このピントが合った状態で測距用レーザ光Ｌ２を照射し、その反射光に基づいて非点収差信号を得て、この非点収差信号 の値を基準値とする。」（段落【００４３】）、「続いて、図４（Ｂ）に示すように、図４（Ａ）の状態におけるアクチュエータ４３の伸び量を保持したまま、加工用対物レンズ４２切断予定ラインＣ１の延長上の点Ｘ１に対応する位置に配置されるようにステージ２が移動する。図４（Ｂ）に示す鉛直方向における加工対象物Ｓに対する加工用対物レンズ４２の位置が初期位置（測定初期 位置）となる。その後、図４（Ｂ）中の矢印Ｆの方向に加工用対物レンズ４２が移動するようにステージ２が移動する（測定準備ステップ）。」（段落【００４４】）との記載がある。このように、本件明細書等２の実施例では、対物レンズがハイトセット位置Ｑ１に至る前から測距用レーザ光（第二のレーザ光）Ｌ２が照射されている。その後、対物レンズがハイトセット位置Ｑ１に至った 時点で、ピエゾアクチュエータ（保持手段）の伸び量が最大値の半分である２５μm（ＡＦ原点の状態）になるように調整された上でハイトセット処理（観察用可視光及び測距用レーザ光の集光点 １に至った 時点で、ピエゾアクチュエータ（保持手段）の伸び量が最大値の半分である２５μm（ＡＦ原点の状態）になるように調整された上でハイトセット処理（観察用可視光及び測距用レーザ光の集光点を主面に合わせた上で非点収差信号の基準値を測定）がなされる。 したがって、「当該レンズを測定初期位置に保持した状態で前記第二のレー ザ光の照射を開始し」とは、レンズを測定初期位置に保持した状態になった時 点では、第二のレーザ光がオンになっていることを意味するものと解されるところ、この要件を充足するためには、走査開始待機位置で対物レンズの高さが各切断予定ラインの測定初期位置に調整される以前から測距用レーザ光（第二のレーザ光）が照射されることは禁止されない。 【図４】⑵ 被告製品の構成要件充足性以上のような「開始」の解釈に基づけば、被告製品は、「レンズを測定初期位置に保持した状態で第二のレーザ光の照射」を「開始」するものといえる。 ア被告製品の始動時（最初に測定・加工される切断予定ライン） 被告製品では、最初に測定・加工される切断予定ラインにおいては、参考となる測定結果がないため、ピエゾアクチュエータ（保持手段）の中間値の伸び量（ＡＦ原点）の状態が測定初期位置とされる。そして、被告製品が始動したとき、ピエゾアクチュエータがＡＦ原点の状態（最初に測定・加工される切断予定ラインにおける測定初期位置保持の状態）になると同時に測距 用レーザ光がオンになる。 したがって、被告製品は、少なくとも最初に測定・加工される切断予定ラインにおいては、「開始」（構成要件Ｒ）の解釈にかかわらず、対物レンズを測定初期位置に保持した状態で測距用レ なる。 したがって、被告製品は、少なくとも最初に測定・加工される切断予定ラインにおいては、「開始」（構成要件Ｒ）の解釈にかかわらず、対物レンズを測定初期位置に保持した状態で測距用レーザ光の照射を開始するから、構成要件Ｒを充足する。 イハイトセット処理時（最初に測定・加工される切断予定ライン） 被告製品では、ハイトセット処理（本件明細書等２の段落【００４３】、【００５１】～【００５３】）中に、測距用レーザ光が一旦消灯し、その後に再点灯する。このハイトセット処理が行われるとき、ピエゾアクチュエータの伸び量は、ＡＦ原点の状態、すなわち最初に測定・加工される切断予定ラインのための測定初期位置に保持されるように制御されている。 そして、被告製品は、この処理の後に、測距用レーザ光（第二のレーザ光）が再点灯するので、「レンズを測定初期位置に保持した状態で前記第二のレーザ光の照射を開始」（構成要件Ｒ）するという要件を充足する。 ⑶ 均等侵害上記のとおり、被告製品は、少なくとも最初に測定・加工される切断予定ラ インでは、「レンズを測定初期位置に保持した状態で前記第二のレーザ光の照射を開始」（構成要件Ｒ）するという要件を文言充足する。 これに対し、２回目以降に測定・加工される切断予定ラインでは、「他端側所定の高さ」（構成⑮、㉒）が測定初期位置（想定ピエゾ現在位置）とされる。 そして、走査の折返しがなされる際に、対物レンズを「他端側所定の高さ」に 保持するようにピエゾアクチュエータの伸び量が制御されるが、その際に、測距用レーザ光が一旦オフになることはない。そのため、「開始」を測距用レーザ光がオフからオンになることを意味すると解釈した場合、被告製品は、２回目以降に測定・加工 の伸び量が制御されるが、その際に、測距用レーザ光が一旦オフになることはない。そのため、「開始」を測距用レーザ光がオフからオンになることを意味すると解釈した場合、被告製品は、２回目以降に測定・加工される切断予定ラインでは測距用レーザ光オン・オフのタイミングの要件を文言充足しないことになる。 しかしながら、「開始」についてこのような文言解釈がなされた場合でも、 被告製品は、以下のとおり、均等の５要件を全て充足するため、走査の折返しがなされる際に測距用レーザ光が一旦オフになる構成と均等である。よって、被告製品は、２回目以降に測定・加工される切断予定ラインに着目しても、「レンズを測定初期位置に保持した状態で前記第二のレーザ光の照射を開始」（構成要件Ｒ）との要件を充足する。 ア第１要件本件発明２－１の課題解決手段は、測定初期位置に保持された集光レンズが加工対象物に差し掛かった後に測定初期位置保持状態を解除することであり、その作用効果は、主面の変位を取得する過程で加工対象物端部の形状変動による影響を極力排除できることである。 そして、集光レンズを測定初期位置に保持するように保持手段を制御する以前、すなわち測定初期位置保持状態になる以前に第二のレーザ光（測距用レーザ光）が照射されていたか否かは、本件発明２－１の課題解決手段及び作用効果とは無関係である。そのため、測定初期位置保持状態になる以前に第二のレーザ光（測距用レーザ光）を照射する機能・構成は、必要のない機 能・構成の付加にすぎない。したがって、測定初期位置保持状態になる以前に第二のレーザ光（測距用レーザ光）が照射されていたか否かは、本件発明２－１の本質的部分ではない。なお、この第１要件の充足性については、被告も実質的に争ってい がって、測定初期位置保持状態になる以前に第二のレーザ光（測距用レーザ光）が照射されていたか否かは、本件発明２－１の本質的部分ではない。なお、この第１要件の充足性については、被告も実質的に争っていない。 イ第２要件 測定初期位置を保持した状態になる以前に第二のレーザ光（測距用レーザ光）が照射されていたか否かは、本件発明２－１の目的（加工対象物端部におけるレーザ光の集光点のズレを極力少なくすること）の達成及び本件発明２－１の作用効果（主面の変位を取得する過程で加工対象物端部の形状変動による影響を極力排除できること）には影響しない。 これに対し、被告は、測定初期位置保持状態になる前から測距用レーザ 光を照射しておくことによって、アルミ製ダイシングフレームをウェハエッジと誤検出する効果が発生する旨主張する。 しかしながら、走査開始待機位置（走査折返し地点）はダイシングフレームの内側にあるため、測距用レーザ光がダイシングフレームに照射されることはない（甲１１９の２）。したがって、測距用レーザ光がダイシン グフレームに照射され続けていても、アルミ製ダイシングフレームがウェハエッジと誤検出される可能性はない。 ウ第３要件測距用レーザ光（ＡＦレーザ光）のオン・オフのタイミングは、被告製品と従来被告製品（原告製ＳＤエンジンが搭載されたレーザ加工装置）とで相 違しない。したがって、従来被告製品の流通によって、被告製品における測距用レーザ光のオン・オフのタイミングは公知になっていた。 また、甲１１９の１の動画（２００９年７月２９日公開。甲１１９の３）により、本件発明２－１の実施品が測距用レーザ光を照射し続けつつ走査を繰り返す態様（甲１１９の２）、すなわち、各切断予定ラ いた。 また、甲１１９の１の動画（２００９年７月２９日公開。甲１１９の３）により、本件発明２－１の実施品が測距用レーザ光を照射し続けつつ走査を繰り返す態様（甲１１９の２）、すなわち、各切断予定ラインで測定初期位 置への高さ調整が行われる以前から測距用レーザ光を照射している態様は公知になっていた。 したがって、測定初期位置保持状態で測距用レーザ光の照射をオフからオンに切り替える構成を、レンズを測定初期位置に保持した状態になる前から測距用レーザ光を照射しておく構成に置き換えることは、被告製品の製造が 始まった時点で、容易に想到可能（公知）であった。 エ第４要件及び第５要件被告は、第４要件及び第５要件については何ら主張していない。 オ小括以上のとおり、被告製品において、レンズを測定初期位置に保持した状態 になる前から測距用レーザ光が照射されている構成は、「当該レンズを測定 初期位置に保持した状態で前記第二のレーザ光の照射を開始」（構成要件Ｒ）する構成と均等である。 （被告の主張）⑴ 構成要件の解釈及び被告製品の構成要件充足性ア本件発明２－１の構成要件Ｒは、「当該レンズを測定初期位置に保持した 状態で前記第二のレーザ光の照射を開始し」と規定しているところ、被告製品では、電源が投入された後、遅くともステージにシリコンウェハが搭載されるよりも以前から、測距用レーザ光を照射しており、初期位置に保持する前から測距用レーザ光を照射しているため、同要件を満たさない。 イ原告の主張に対する反論 構成要件の解釈原告は、①本件明細書等２では、「保持手段を制御する以前に測距用レーザ光（第二のレーザ光）の照射がオフになっていることが記載されてい」 イ原告の主張に対する反論 構成要件の解釈原告は、①本件明細書等２では、「保持手段を制御する以前に測距用レーザ光（第二のレーザ光）の照射がオフになっていることが記載されてい」ないこと、「保持手段を制御する以前に測距用レーザ光（第二のレーザ光）の照射がオフになっているか否かは、本件各発明の作用効果に影響を与え ない」ことや、②主面変位を連続して取得する際に、「保持手段を制御する以前に測距用レーザ光の照射を停止するのが無駄な動作であること」を根拠として、「開始」とは「実行し、その後も照射を継続」するという意味である旨主張する。 しかしながら、「開始」という用語に、「実行し、その後も継続する」 などという意味はなく、原告の解釈は独自の見解であって、「開始」との用語は、一般の用語例どおり「始めること。始まること。」と解釈すべきである（乙１４１）。また、作用効果に影響を与えないということや、無駄な動作であることを根拠に、特許請求の範囲に記載された「開始」という用語本来の意味を曲げて、自己に都合よく解釈するのは不当である。 被告製品の動作 原告は、「ハイセットがなされる際、観察用可視光の集光点が主面に位置するようピント合わせをするときには測距用レーザ光の照射はオフにされる。その後、ピエゾアクチュエータ（保持手段）の伸び量がＡＦ原点の状態のまま測距用レーザ光の照射がオフからオンに切り替わる」とも主張する。 しかしながら、被告製品では、そのような動作はしていない。すなわち、被告製品では、シリコンウェハのレーザ光入射面を検出する際、加工用レーザ光と同じ対物レンズを用いて可視光によるピント合わせをするのではなく、加工用レーザ光の対物レンズは用いずに、 いない。すなわち、被告製品では、シリコンウェハのレーザ光入射面を検出する際、加工用レーザ光と同じ対物レンズを用いて可視光によるピント合わせをするのではなく、加工用レーザ光の対物レンズは用いずに、別の独立した測距用センサを用いている。そのため、この際、測距用レーザ光をオフにする必要 はなく、実際、被告製品では測距用レーザ光はオンのままである（乙１４３）。 したがって、原告の主張は、被告製品の動作につき誤った前提に立ったものであり、理由がない。 ⑵ 均等侵害 原告は、均等侵害を主張するものの、以下のとおり、理由がないア第１要件及び第２要件本件明細書等２の【発明が解決しようとする課題】の欄には、「加工対象物の外側の位置からレーザ光の照射を開始してレーザ光と加工対象物とをその主面に沿って移動させて加工を行う場合に、測定手段は加工対象物の外 側から測定を開始し、加工対象物の内側へと測定を行っていくことになる。 そして、この測定によって得られた主面高さの測定値に基づいて集光レンズを駆動すると、加工対象物の端部においてレーザ光の集光点がずれる場合がある。」と記載されている。そして、この課題を解決するための手段として本件発明２－１が採用したのが、「当該レンズを測定初期位置に保持した状 態で前記第二のレーザ光の照射を開始し、・・前記主面で反射される前記第 二のレーザ光の反射光に応じて、前記レンズを前記測定初期位置に保持した状態を解除するように前記保持手段を制御し」という構成（構成要件Ｒ）であり、本件発明２－１は、このような構成を採用することによって、「レーザ光の集光点のずれを極力少なくしつつ効率よくレーザ加工を行うことができる」との効果を奏するものである（段落【００２３】） Ｒ）であり、本件発明２－１は、このような構成を採用することによって、「レーザ光の集光点のずれを極力少なくしつつ効率よくレーザ加工を行うことができる」との効果を奏するものである（段落【００２３】）。すなわち、本 件発明２は、測距用レーザ光による測定を開始しているにもかかわらず、一定区間（初期位置に保持する区間）だけＡＦ追従をさせないという課題解決手段を採用した結果、端部の形状変動による悪影響が生じなくなるという作用効果を奏するものである。 これに対し、被告製品では、電源を投入した後、遅くともステージにシリ コンウェハが搭載されるよりも以前から、測距用レーザ光をシリコンウェハに照射している。そして、被告製品は、測距用レーザ光を照射しつつも、加工対象物にベベルがある場合には、「エッジオフ機能」を設けることなどにより、上記の課題を解決することとしている。また、加工対象物にベベルがない場合には、「端部」が平らであることから、そもそも、上記の課題に直 面していない。このように、被告製品では、「測距用レーザ光による測定を開始しているにもかかわらず、一定区間（初期位置に保持する区間）だけＡＦ追従をさせないこととした結果、端部の形状変動による悪影響が生じなくなる」という本件発明２－１の作用効果を実現していない。 したがって、被告製品と本件発明２－１との相違部分は、同発明の本質的 部分に該当するとともに、被告製品は本件発明２－１の作用効果を奏していないから、均等の第１要件及び第２要件を充足しない。 イ第３要件について原告は、「走査開始待機位置（走査折返し地点）で一時的に測距用レーザ光の照射を停止する処理が無駄な動作であることは当業者にとって明らか である。したがって、走査開始待機 件について原告は、「走査開始待機位置（走査折返し地点）で一時的に測距用レーザ光の照射を停止する処理が無駄な動作であることは当業者にとって明らか である。したがって、走査開始待機位置（走査折返し地点）で一時的に測距 用レーザ光の照射を停止しないことは、当業者にとって適宜選択可能な設計事項である」と主張する。 しかしながら、①誤検出を防止するという設計思想の下、現実のウェハエッジを超えて外側に達した地点で測距用レーザ光の照射を停止し、折り返す際には、ダイシングフレームを超えてから（ダイシングフレームの内側に達 してから）測距用レーザ光の照射を開始するという構成は、決して無駄な構成ではない。また、②本件発明２－１は、折り返した際のＡＦ追従及び改質領域の形成についての発明ではなく、最初に加工を開始する際のＡＦ追従及び改質領域の形成についての発明として認定すべきである。 また、原告は、被告が「集光レンズがダイシングフレームを通過するまで の測距用レーザ光の照射を停止しておく構成に代えて集光レンズがダイシングフレームを通過する前から測距用レーザ光（第二のレーザ光）を照射している構成を創作するのは容易ではなかった旨主張する」とした上で、置換容易性の検討対象である差異は、対物レンズを測定初期位置に保持した状態になる以前における測距用レーザ光の照射の有無であり、集光レンズがダイ シングフレームを通過するまで測距用レーザ光の照射を停止しておく構成は、本件発明２－１で特定される構成ではない旨主張する。 しかしながら、上記のとおり、本件発明２－１は、折り返した際のＡＦ追従及び改質領域の形成についての発明ではなく、最初に加工を開始する際のＡＦ追従及び改質領域の形成についての発明である。また する。 しかしながら、上記のとおり、本件発明２－１は、折り返した際のＡＦ追従及び改質領域の形成についての発明ではなく、最初に加工を開始する際のＡＦ追従及び改質領域の形成についての発明である。また、本件発明２－１ に対応する本件明細書等２の実施形態の記載がハイトセットの場面における動作であることからしても、本件発明２－１を、折り返した際のＡＦ追従及び改質領域の形成についての発明と理解することはできない。 さらに、原告は、本件訴訟において、一貫して、被告製品についてハイトセットの直後の態様を捉えて本件発明２－１の技術的範囲に属する旨を主 張している以上、ハイトセットの際の動作において、本件発明２－１の技術 的範囲に属さない構成とすることが容易に想到し得るか否かが判断されるべきである。 そして、被告製品において、ハイトセットの直後において、構成要件Ｒを充足しないのは、被告製品が、別軸のセンサを設けて、ハイトセットを行う構成を採用したからである。このように、別軸のセンサを設けて、ハイトセ ットを行うことについては、第３要件の基準時である従来被告製品の製造時点において、いずれの文献にも記載も示唆もなされておらず、当業者が容易に想到できるものではない。 これに対し、原告は、従来被告製品でも測距用レーザ光が照射し続けられたことを根拠に、均等の第３要件が充たされる旨主張する。 しかしながら、本件においては、被告が従来被告製品の製造を開始した時点まで遡って「製造時」と解すべきであり、かつ、従来被告製品が公知化したことは、第３要件の充足を否定する根拠とはならない。すなわち、「侵害時」の意味について、最高裁平成１０年２月２４日無限摺動用ボールスプライン軸受事件判決の判例解説（乙１４２）は、「具体的には、 したことは、第３要件の充足を否定する根拠とはならない。すなわち、「侵害時」の意味について、最高裁平成１０年２月２４日無限摺動用ボールスプライン軸受事件判決の判例解説（乙１４２）は、「具体的には、どの時点をも って製品の製造の時点というべきかという点が問題となる。必ずしも当該製品の量産を現実に開始した時点である必要はないと思われる。量産につながる同一人の一連の行為であれば、量産と一体の行為と評価できる行為を始めた時点まで遡って、製造の時点と解することができよう。」と記載している（同１４７頁）。そして、原告と被告は、平成１４年、ステルスダイシング エンジンを搭載したＳＤダイサーの開発を企図して共同開発契約を締結したのであり（乙１）、シリコン又は化合物半導体ウェハの加工分野におけるＳＤダイサーの製造、販売において、両者は協力関係にあった。そのような協力関係が基礎となって、平成２１年の展示会において公開された従来被告製品及び被告製品は、開発・製造販売に至ったものであり、測距用レーザ光 の照射についても、両製品においてはほぼ同様の構成を採用している。そう すると、従来被告製品の開発は、被告製品の量産と一体の行為と評価できるから、均等の第３要件との関係における被告製品の「製造時」は、従来被告製品の製造まで遡って、製造の時点と判断すべきである。 したがって、平成２１年７月２９日の従来被告製品の公開によって、被告製品を製造することが容易に想到し得たということはできないから、原告の 主張には理由がない。 以上のとおり、被告製品は、少なくとも均等の第３要件を充足しない。 ９ 争点２－３（被告製品は「前記第二のレーザ光の反射光に応じて、前記レンズを前記測定初期位置に保持した状態を解除」（構成要件Ｒ）し、「当該解除後に 告製品は、少なくとも均等の第３要件を充足しない。 ９ 争点２－３（被告製品は「前記第二のレーザ光の反射光に応じて、前記レンズを前記測定初期位置に保持した状態を解除」（構成要件Ｒ）し、「当該解除後に・・前記主面との距離を調整するように前記保持手段を制御」（構成要件Ｓ）するも のといえるか）（本件発明２－１に関して）（原告の主張）被告製品では、ウェハエッジ検出基準として、光量基準又は座標基準のいずれかを選択することができる。そして、被告製品は、測距用レーザ光（第二のレーザ光）を用いた光量基準により、ウェハエッジの位置を検出した上、当該位置か ら予め設定された所定の距離を離れた地点で、「レンズを前記測定初期位置に保持した状態を解除」（構成要件Ｒ）して、ＡＦ追従走査を開始するから、「解除後に・・主面との距離を調整するように前記保持手段を制御」（構成要件Ｓ）するという要件を充足する。 ⑴ 構成要件の解釈 ア構成要件Ｒは、測距用レーザ光（第二のレーザ光）の「反射光に応じて」、測定初期位置にレンズを保持した状態を解除することのみを規定しており、文言上、反射光の全光量が所定の閾値を上回った地点で直ちにレンズを保持した状態を解除することまでは規定されていない。また、本件明細書等２においても、「レンズを測定初期位置に保持した状態」が解除される地点につ いて、格別の記載はない。 そうすると、測定初期位置の保持状態が解除される地点は、測距用レーザ光反射光の全光量が所定の閾値を上回った後であれば、この地点より適宜後ろの地点であってもよく、ユーザが加工対象物端部の形状変動による影響を極力排除するよう適宜同地点を設定することができる。 イこれに対し、被告は、構成要件Ｒの「前記 あれば、この地点より適宜後ろの地点であってもよく、ユーザが加工対象物端部の形状変動による影響を極力排除するよう適宜同地点を設定することができる。 イこれに対し、被告は、構成要件Ｒの「前記第二のレーザ光の反射光に応じ て、前記レンズを前記測定初期位置に保持した状態を解除する」とは、光量基準において測距用レーザ光反射光の全光量が所定の閾値を上回った地点で対物レンズの高さを測定初期位置に保持する制御を直ちに停止することを意味する旨主張する。 しかしながら、「反射光に応じて」との文言自体から、反射光の全光量が 閾値を超えることをもってウェハエッジを検出し、かつ、ウェハエッジを検出した瞬間に、レンズを初期位置に保持した状態を解除して、ＡＦ追従を開始するという意味までを読み取ることはできない。したがって、被告の主張は、特許請求の範囲及び本件明細書等２の記載に反して構成要件を不当に限定解釈するものであり、失当である。 ⑵ 被告製品の構成要件充足性ア被告製品では、加工対象物端部の形状変動による影響を極力排除するように、測距用レーザ光（第二のレーザ光）の反射光の全光量が所定の閾値を上回った地点より後ろ(内側)の地点で、適宜、エッジ処理区間（標準的には５ｍｍ）を設定することができる。 そうすると、被告製品においては、測距用レーザ光（第二のレーザ光）に応じて決定されるウェハエッジ検出位置に基づいて、レンズを測定初期位置に保持した状態を解除する地点が決定されるのであり、エッジ処理区間の終点でレンズを測定初期位置に保持した状態が解除されてＡＦ追従が開始されるという被告製品の構成は、「前記第二のレーザ光の反射光に応じて、前 記レンズを前記測定初期位置に保持した状態を解除する」（構成要件Ｒ）と 定初期位置に保持した状態が解除されてＡＦ追従が開始されるという被告製品の構成は、「前記第二のレーザ光の反射光に応じて、前 記レンズを前記測定初期位置に保持した状態を解除する」（構成要件Ｒ）と いう要件を充足する。 イまた、被告製品では、エッジ処理区間を０ｍｍに設定することもできる。 この場合、測距用レーザ光反射光の全光量が所定の閾値を上回った地点で、測定初期位置にレンズを保持した状態（ＡＦ固定制御）が解除され、ＡＦ追従が開始することになるから、被告が主張する解釈を前提としても、被告製 品は、「前記第二のレーザ光の反射光に応じて、前記レンズを前記測定初期位置に保持した状態を解除する」（構成要件Ｒ）との要件を充足する。 （被告の主張）⑴ 構成要件の解釈構成要件Ｒは、「前記主面で反射される前記第二のレーザ光の反射光に応 じて、前記レンズを前記測定初期位置に保持した状態を解除する」と規定している。 そして、本件明細書等２には、第二のレーザ光の反射光が特定の閾値を超えた時点で、レンズを測定初期位置に保持した状態を解除する例しか開示されていない（段落【００４１】～【００５６】参照）。すなわち、本件明細 書等２においては、第二のレーザ光の反射光は、レンズを測定初期位置からＡＦ追従させる「切替点」を観測するものとして説明されている。 そうすると、「反射光に応じて、前記レンズを前記測定初期位置に保持した状態を解除する」とは、反射光によってＡＦ追従させる「切替点」を観測した時点で、レンズを測定初期位置に保持した状態を解除するという意味で あると理解すべきである。 なお、本件明細書等２には、「反射光によって切り替え点を観測した時点から、所定距離を通過するまでの間 ンズを測定初期位置に保持した状態を解除するという意味で あると理解すべきである。 なお、本件明細書等２には、「反射光によって切り替え点を観測した時点から、所定距離を通過するまでの間、レンズを測定初期位置に保持する」ことや、その作用効果について、記載もなければ示唆もない。 ⑵ 被告製品の構成要件充足性 ア被告製品（固定）について ベベルのあるシリコンウェハの場合被告製品（固定）では、加工対象物にベベルがある場合、座標基準を用いてＡＦ固定制御を解除するが、この場合、反射光を用いることなく、ＡＦ固定制御を解除することになるので、「反射光に応じて、前記レンズを前記測定初期位置に保持した状態を解除する」（構成要件Ｒ） という要件を充足しない。 ベベルのないシリコンウェハの場合被告製品（固定）では、加工対象物にベベルがない場合、光量基準を適用し、反射光の光量を基準として、加工対象物の現実のウェハエッジを観測した上で、その地点から、予め定められた所定距離を進んだ地点 でＡＦ固定制御を解除し、ＡＦ追従を開始する。 そして、上記のとおり、構成要件Ｒの「反射光に応じて、前記レンズを前記測定初期位置に保持した状態を解除する」とは、反射光によってレンズをＡＦ追従させる「切替点」を観測した時点で、レンズを前記測定初期位置に保持した状態を解除するという意味であるところ、被告製 品（固定）では、「切替点」を観測した時点でＡＦ追従を開始しているわけではない。 そうすると、被告製品（固定）は、「反射光に応じて、前記レンズを前記測定初期位置に保持した状態を解除する」（構成要件Ｒ）という要件を充足しない。 イ被告製品（ るわけではない。 そうすると、被告製品（固定）は、「反射光に応じて、前記レンズを前記測定初期位置に保持した状態を解除する」（構成要件Ｒ）という要件を充足しない。 イ被告製品（低追従）について 加工対象物にベベルがある場合被告製品（低追従）では、被告製品（固定）と同様に、加工対象物にベベルがある場合には、座標基準を適用してＡＦ固定制御及び低追従ＡＦ制御を解除する。この場合、反射光を用いずに、ＡＦ固定制御及び低 追従制御を解除することになるので、「反射光に応じて、前記レンズを 前記測定初期位置に保持した状態を解除する」（構成要件Ｒ）という要件を充足しない。 加工対象物にベベルがない場合被告製品（低追従）では、加工対象物にベベルがない場合、光量基準を適用し、反射光の光量を基準として、加工対象物の現実のウェハエッ ジを観測した上で、低追従ＡＦ制御を開始し、その地点から予め設定された所定距離を進んだ地点で、低追従ＡＦ制御を解除し、ＡＦ追従を開始する。 そして、上記のとおり、構成要件Ｒの「反射光に応じて、前記レンズを前記測定初期位置に保持した状態を解除する」とは、反射光によって レンズをＡＦ追従させる「切替点」を観測した時点で、レンズを前記測定初期位置に保持した状態を解除するという意味であるところ、被告製品（低追従）では、「切替点」を観測した時点で、ＡＦ追従を開始しているわけではない。 そうすると、「反射光に応じて、前記レンズを前記測定初期位置に保 持した状態を解除する」（構成要件Ｒ）という要件を充足しない。 争点２－４（被告製品は「前記切断予定ラインの一端部において前記改質領域を形成し」（構成要件２Ｒ）、また、「当該 位置に保 持した状態を解除する」（構成要件Ｒ）という要件を充足しない。 争点２－４（被告製品は「前記切断予定ラインの一端部において前記改質領域を形成し」（構成要件２Ｒ）、また、「当該一端部における改質領域の形成後に・・前記レンズを前記加工初期位置に保持した状態を解除」（構成要件２Ｓ）するものといえるか）（本件発明２－２に関して） （原告の主張）⑴ 構成要件の解釈ア本件明細書等２では、「切断予定ラインの一端部」について何ら限定は付されていないため、「切断予定ラインの一端部」とは、文字どおり、加工対象物においてユーザが切断を所望するライン(段落【００３７】)の一方の端 部を指すものと解釈すべきである。 また、本件発明２－２の課題を解決するという観点からも、「切断予定ラインの一端部」すなわち集光用レンズを加工初期位置に保持する範囲は、レーザの集光点のずれをもたらす「形状変動」全体を含むのが望ましいところ、そのような「形状変動」はベベルに限定されるものではない。 イこれに対し、被告は、本件明細書等２の図８に示される平板状の加工対象 物Ｓの端部にＲ形状角が描かれていることを根拠に、構成要件２Ｒの「切断予定ラインの一端部」は、シリコンウェハのベベル部分に限定されると主張する。 しかしながら、本件明細書等２に、図８で図示されるＲ形状角がシリコンウェハのベベルであることを示す記載はない。また、図８は、模式図にすぎず、ベベルを表すものではなく、Ｒ形状角と切断予定ラインの一端部Ｊとの 位置関係を特定するものではない。そもそも、本件発明２の加工対象物は、シリコンウェハに限定されない。したがって、図８を根拠に構成 ベルを表すものではなく、Ｒ形状角と切断予定ラインの一端部Ｊとの 位置関係を特定するものではない。そもそも、本件発明２の加工対象物は、シリコンウェハに限定されない。したがって、図８を根拠に構成要件２Ｒの「切断予定ラインの一端部」の範囲がシリコンウェハのベベルに限定されるとの被告の主張には根拠がない。 ⑵ 被告製品の構成要件該当性 ア加工対象物にベベルがある場合 前記のとおり、「切断予定ラインの一端部」の範囲には限定がないところ、被告製品はいずれも、ベベルのあるシリコンウェハについては、光量基準を適用し、ウェハエッジを検出するに当たって、シリコンウェハの現実の端からベベルが終了するまでの区間（シリコンウェハの現実の外端からウェハエッジ検出位置までの区間）において、対物レンズは必ず加工初期位置に完全 に固定されるように制御される。そして、ベベル部分においても、主面に近い深さでは、改質領域が形成される。 すなわち、被告製品は、光量基準でベベルを有するシリコンウェハのエッジを検出するに当たって、シリコンウェハの現実の端からベベルが終了するまでの区間において、ＡＦ固定制御をしつつ、レーザ加工することにより改 質領域を形成した後にＡＦ固定制御を解除し、ウェハエッジ検出位置（エッジ処理区間が設定されない場合）又はエッジ処理区間の終端（エッジ処理区間が設定される場合）でＡＦ追従レーザ加工を開始する。 そうすると、被告製品は、「切断予定ラインの一端部」（構成要件２Ｒ）において改質領域を形成するとともに、「当該一端部における改質領域の形 成後に・・前記レンズを前記加工初期位置に保持した状態を解除」（構成要件２Ｓ）するという要件を充足する。 イ加工対象物にベベルがない場合 当該一端部における改質領域の形 成後に・・前記レンズを前記加工初期位置に保持した状態を解除」（構成要件２Ｓ）するという要件を充足する。 イ加工対象物にベベルがない場合前記のとおり、「切断予定ラインの一端部」の範囲には限定がないところ、エッジ処理区間（典型的には、ウェハエッジ検出位置を始点とする５ｍｍの 区間）は、「切断予定ラインの一端部」に含まれるということができる。 そして、被告製品（低追従）における低追従ＡＦ制御が、集光用「レンズを前記加工初期位置に保持した状態」であることは、既に述べたとおりである。そうすると、被告製品（固定）及び被告製品（低追従）のいずれについても、エッジ処理区間、すなわち、「切断予定ラインの一端部」において、 「レンズを前記加工初期位置に保持した状態」という要件を充足する。 また、被告製品は、改質領域を形成した後に、ＡＦ固定制御又は低追従ＡＦ制御を解除し、ＡＦ追従レーザ加工を開始する。したがって、被告製品は、「当該一端部における改質領域の形成後に・・前記レンズを前記加工初期位置に保持した状態を解除」（構成要件２Ｓ）するという要件を充足する。 （被告の主張） ⑴ 構成要件の解釈ア特許請求の範囲の記載本件発明２－２の「切断予定ラインの一端部」で「改質領域を形成」については、「当該レンズを加工初期位置に保持した状態で前記第一のレーザ光の照射を開始し、前記制御手段は前記レンズと前記加工対象物とを相対的に 移動させるように前記移動手段を制御して前記切断予定ラインの一端部において前記改質領域を形成し、」（構成要件２Ｒ）、「当該一端部における改質領域の形成後に、前記制御手段は、前記レンズを前記加工初期位置に保持 ように前記移動手段を制御して前記切断予定ラインの一端部において前記改質領域を形成し、」（構成要件２Ｒ）、「当該一端部における改質領域の形成後に、前記制御手段は、前記レンズを前記加工初期位置に保持した状態を解除し…」（同２Ｓ）との記載がある。 このような特許請求の範囲の記載からは、①切断予定ラインの一端部にお いては、改質領域が形成されること、②一端部における改質領域形成後にレンズを加工初期位置に保持する状態が解除されることが読み取れる。 イ本件明細書等２の記載 本件明細書等２の記載（段落【０００４】～【０００６】、【００１１】、【００１８】、【００１９】、【００４６】、【００４７】、【００６０】、 【００６２】、【００７５】）によれば、本件発明２は、加工対象物の外側の位置からレーザ光の照射を開始してレーザ光と加工対象物とをその主面に沿って移動させて加工を行う場合に、加工対象物の外側から測定を開始し、加工対象物の内側へと測定を行っていく際に、この測定によって得られた主面高さの測定値に基づいて集光レンズを駆動すると、加工対象 物の端部の形状変動によって、同端部においてレーザ光の集光点がずれる という課題が存在することを前提に、当該課題を解決するために、測定初期位置にレンズを保持した状態で、切断予定ラインの一端部に第一のレーザ光（加工用）を照射して改質領域を形成した後、レンズを保持した状態を解除して主面の変位を取得しつつ改質領域を形成することにより、加工対象物の端部の形状変動による影響を極力排除してレーザ加工を実施す ることを可能とするという作用効果を奏する発明であることが理解できる。 このような本件明細書等２に記載された発明の課題、課題解決手段及び作用効果に関する記 除してレーザ加工を実施す ることを可能とするという作用効果を奏する発明であることが理解できる。 このような本件明細書等２に記載された発明の課題、課題解決手段及び作用効果に関する記載に照らせば、「一端部」とは、加工対象物の端部の形状変動によって、同端部においてレーザ光の集光点がずれるという課題 が生じる部位を指すと理解すべきである。 この点につき、特許請求の範囲の文言上は、「切断予定ラインの一端部」と規定されているものの、上述した本件発明２の課題に加え、本件明細書等２には、切断予定ラインがシリコンウェハの現実の端から始まり、現実の端で終わる例しか開示されていないことからすれば、「切断予定ライン の一端部」とは、「加工対象物の一端部」と同義と解すべきである。 また、①本件特許の出願時点において、「加工対象物の端部の形状変動による影響」として、「ベベル」が当業者に広く認識されていたこと（当事者間に争いなし）、②「加工対象物の端部の形状変動による影響」を回避することのできる座標基準による加工対象物の端の特定は、本件特許の 出願時点においては未だ存在していなかったこと（乙１５１）、③本件明細書等２の実施例に係る【００６０】【図８】（Ｂ）において、「受光部の４分割位置検出素子が検出する全光量が予め定められた閾値よりも大きく」なる点によって、レンズが切断予定ラインの一端に相当する位置にあるものと検知し、切断予定ラインのうち、切断を開始する側の端の方で ある、加工対象物の現実の端から上記点までの部分（図８（Ｂ）の区間Ｊ） を「一端部」としているところ、このような検知方法によって把握できる加工対象物の形状としては「ベベル」以外には考え難いこと等からすれば、「一端部」は、具体 の部分（図８（Ｂ）の区間Ｊ） を「一端部」としているところ、このような検知方法によって把握できる加工対象物の形状としては「ベベル」以外には考え難いこと等からすれば、「一端部」は、具体的には「ベベル」を指すと解するほかはない。 これに対し、原告は、「一端部」の範囲は特定されておらず、ユーザが加工対象物端部の形状変動による影響を受けない範囲で好適な範囲に設 定することができると主張する（原告第４５準備書面３６頁）。 しかしながら、仮に、この主張が任意に「一端部」の範囲を設定できるという趣旨であるとすると、加工対象物の端部においていかなる範囲で形状変動が発生するのか、また、いかなる範囲でその影響を避けるために「一端部」を設定するのか一切特定ができないことになる。すなわち、本件明 細書等２からは、初期位置に保持した状態を解除する基準としてユーザが好適な範囲を全く任意に設定できることを読み取れないし、「一端部」の通常の意味からして、どこでも任意にというわけではなく、切断予定ラインの２つの端部のうちの一方の端部と評価できる部分でなければならないから、原告の解釈には理由がない。 ウ小括以上によれば、本件発明２－２の「切断予定ラインの一端部」とは、切断予定ラインの一方の端部のうち、レンズを初期位置に保持して改質領域を形成し、形成後にレンズを加工初期位置に保持する制御を解除するまでの区間であり、具体的には、加工対象物の端部の形状変動によって、同端部におい てレーザ光の集光点がずれるという課題が生じる部位を指すと解すべきであり、上記のとおり、具体的には「ベベル」を指すと解するほかはない。 ⑵ 被告製品の構成要件該当性ア加工対象物にベベルがある場合被告製 という課題が生じる部位を指すと解すべきであり、上記のとおり、具体的には「ベベル」を指すと解するほかはない。 ⑵ 被告製品の構成要件該当性ア加工対象物にベベルがある場合被告製品（固定）及び被告製品（低追従）のいずれについても、加工対象 物がベベルのあるシリコンウェハである場合、エッジオフ機能を採用してい るため、切断予定ラインであるシリコンウェハの端から一定の距離（数ｍｍ）は、レーザ加工領域が形成されないようにアプリケーションが設置されている。なお、被告は、被告製品（低追従)を顧客に納入するに当たっては、エッジオフ機能をオンにするアプリケーションを設定して納入しており、顧客も、同機能を必ずオンにして使用しているところ、同機能をオフにすることは被 告の知る限り、あり得ないことである。 また、仮にベベルのあるシリコンウェハに対して、エッジオフ機能をオフに設定したとしても、ベベル部分ではレーザ加工領域を形成することはできない。すなわち、シリコンウェハの浅い部分にレーザ加工する場合も、ベベルの上面にはアブレーションが生じるところ、アブレーションは、加工対象 物の表面に現出する現象であるから、「レーザ加工領域」との要件を満たさない。 イ加工対象物にベベルがない場合加工対象物がベベルのないシリコンウェハである場合、シリコンウェハの現実の端から、シリコンウェハの反射光の全光量が予め定められた閾値を超 えるまでの範囲は、存在しないか極めて僅かである。すなわち、加工対象物がベベルのないシリコンウェハである場合、加工対象物の端部の形状変動によって、同端部においてレーザ光の集光点がずれるという課題が生じる部位が存在しないから、「一端部」において「改質領域を形成」することがな ルのないシリコンウェハである場合、加工対象物の端部の形状変動によって、同端部においてレーザ光の集光点がずれるという課題が生じる部位が存在しないから、「一端部」において「改質領域を形成」することがない。 したがって、加工対象物がベベルのないシリコンウェハである場合にも、 被告製品は「前記切断予定ラインの一端部において前記改質領域を形成し」（構成要件２Ｒ）、「当該一端部における改質領域の形成後に、・・前記レンズを前記加工初期位置に保持した状態を解除」（構成要件２Ｓ）するとの要件を充足しない。 11 争点２－５（被告製品は「改質領域」（構成要件Ｉ、Ｐ、２Ｉ、２Ｐ、２Ｒ、 ２Ｓ、３Ｉ）を形成するといえるか（本件発明２全てに共通） （原告の主張）⑴ 構成要件の解釈被告は、本件発明２における「改質領域」の意義が明確ではないとして、本件明細書等２を参照した上で、これを「多光子吸収により形成された改質領域」を意味する旨主張する。しかしながら、「改質領域」の意義は、前記争点１－ １（原告の主張）⑴記載のとおりであり、多光子吸収が支配的に寄与して形成された物には限られない。 ⑵ 被告製品の構成要件該当性被告製品により切断されるシリコンウェハに「改質領域」が形成されることは、前記争点１－１（原告の主張）⑵記載のとおりである。したがって、被告 製品は、「改質領域」（構成要件Ｉ、Ｐ、２Ｉ、２Ｐ、２Ｒ、２Ｓ、３Ｉ）を形成する。 （被告の主張）⑴ 構成要件の解釈本件発明２の構成要件には、「改質領域」という用語が用いられているとこ ろ、当該用語は技術用語ではなく、一般的に意義が明確な用語であるとはいえない。 そして、本件明細書等２には、「レーザ加工装置１は、・・加工 件には、「改質領域」という用語が用いられているとこ ろ、当該用語は技術用語ではなく、一般的に意義が明確な用語であるとはいえない。 そして、本件明細書等２には、「レーザ加工装置１は、・・加工対象物Ｓの内部に集光点Ｐを合わせて加工用レーザ光Ｌ１（第一のレーザ光）を照射し、加工対象物Ｓの内部に多光子吸収による改質領域Ｒを形成する装置である。」 （段落【００２５】）、「多光子吸収による改質領域Ｒを形成することができる。」（段落【００３８】）との記載があるところ、これらの記載からすると、本件明細書等２において、改質領域とは、多光子吸収によって形成されるものと説明されている。 そうすると、本件発明２における「改質領域」とは、多光子吸収によって形 成された領域と理解すべきである。 ⑵ 被告製品の構成要件該当性被告製品では、主として、多光子吸収によらず、一光子吸収によって領域を形成していることから、本件発明２の「改質領域」を充足しない。 12 争点２－６（被告製品は「制御手段」（構成要件Ｎ～Ｓ、２Ｎ～２Ｓ）を有するか（本件発明２－１及び２－２に関して） （原告の主張）前記争点１－６（原告の主張）記載のとおり、被告製品は、「制御手段」（構成要件Ｎ～Ｓ、２Ｎ～２Ｓ）を備えている。 （被告の主張）前記争点１－６（被告の主張）記載のとおり、被告製品の「制御手段」が完成 するのは海外であるから、被告製品は、国内に存在する限り、「制御手段」（構成要件Ｎ～Ｓ、２Ｎ～２Ｓ）を備えていない。 13 争点３－１（乙２４発明に基づく進歩性の欠如）（被告の主張）⑴ 乙２４発明の構成 乙２４公報には、以下の発明が記載されている。 [構成２４ａ]：ウェ ない。 13 争点３－１（乙２４発明に基づく進歩性の欠如）（被告の主張）⑴ 乙２４発明の構成 乙２４公報には、以下の発明が記載されている。 [構成２４ａ]：ウェハ状の加工対象物である半導体ウェハの内部に、分離の起点となる加工変質層であるスクライブ・ラインを形成するレーザー加工機であって、[構成２４ｂ]：前記加工対象物である半導体ウェハが載置されるステージと、 [構成２４ｃ]：レーザー光を出射するレーザー光源と、[構成２４ｄ]：前記ステージに載置された前記加工対象物である半導体ウェハの内部に、前記レーザー光源から出射されたレーザー光を集光し、加工変質層であるスクライブ・ラインを形成させる集光用レンズと、[構成２４ｅ]：レーザ光の焦点が前記加工対象物である半導体ウェハの内部に 位置するように、レーザー光学系を調整し、レーザ光の焦点が前記 加工対象物である半導体ウェハの前記分離予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物である半導体ウェハの厚さ方向と直交する方向にステージを移動させる処理部と、を備え、[構成２４ｆ]：前記加工対象物は半導体ウェハであること[構成２４ｇ]：を特徴とするレーザー加工機。 ⑵ 一致点及び相違点ア本件発明１と乙２４発明の一致点及び相違点は、以下のとおりである。 一致点本件発明１と乙２４発明は、いずれも「ウェハ状の加工対象物の内部に、切断の起点となる改質領域を形成するレーザ加工装置であって、前記加工 対象物が載置される載置台と、レーザ光を出射するレーザ光源と、前記載置台に載置された前記加工対象物の内部に、前記レーザ光源から出射されたレーザ光を集光 成するレーザ加工装置であって、前記加工 対象物が載置される載置台と、レーザ光を出射するレーザ光源と、前記載置台に載置された前記加工対象物の内部に、前記レーザ光源から出射されたレーザ光を集光する集光用レンズと、レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置するように」、レーザー光学系を調整し、「レーザー光の集光点が前記加工対象物の切断予定ラインに沿って移動するように前記 加工対象物の厚さ方向と直交する方向に前記載置台を移動させる機能を有する制御部と、を備えることを特徴とするレーザ加工装置」である点において一致する。 相違点ａ 相違点２４－１ 本件発明１は、「改質領域」が多光子吸収によって形成された領域であるのに対し、乙２４発明では、改質領域がどのようにして形成され、どのような形状なのか明らかではない点。 ｂ 相違点２４－２本件発明１は、加工対象物が「シリコンウェハ」であり、「改質領域」 が溶融処理領域であるのに対し、乙２４発明では、加工対象物が半導体 ウェハであり、「改質領域」が溶融しているか否か明確ではない点。 ｃ 相違点２４－３レーザ光の集光点が加工対象物の内部に位置するようにするに当たって、本件発明１は、「加工対象物のレーザ光入射面を基準として前記加工対象物の厚さ方向に第１移動量だけ前記集光用レンズを移動させ」 るのに対し、乙２４発明では、どのように調整しているのか明らかではない点。 ｄ 相違点２４－４本件発明１の制御部は、載置台を移動させた後、更に「レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置するように、前記レーザ光入射面を 基準として前記加工対象物の厚さ方向に第２移動量だけ前記 本件発明１の制御部は、載置台を移動させた後、更に「レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置するように、前記レーザ光入射面を 基準として前記加工対象物の厚さ方向に第２移動量だけ前記集光用レンズを移動させ、レーザ光の集光点が切断予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物の厚さ方向と直交する方向に前記載置台を移動させる機能」を有するのに対し、乙２４発明の制御部は、そのような機能を有しない点。 イ原告の主張に対する反論 相違点２４－Ａａ 原告は、相違点２４－Ａの存在を主張するものの、乙２４文献には、加工変質層が切断の起点になることが開示されているため、相違点Ａは相違点とならない。 すなわち、乙２４文献には、「実施例２においてもレーザー加工機からのレーザーを窒化物半導体ウエハーの窒化物半導体２０５側から照射し、焦点がサファイア基板２０１の底面から２０μm のサファイア基板内部に結ばれるようにレーザー光学系を調整する。調整したレーザー光線を１６Ｊ／ｃｍ2 で照射させながらステージを移動させることによ りサファイア基板の底面付近の基板内部に加工変質層２０６となるス クライブ・ラインを形成する（図２（Ｂ））。」（段落【００４５】)、「実施例２では半導体ウエハーの片面側からレーザーにより基板表裏両面にスクライブ・ラインを形成することで、厚みがある窒化物半導体ウエハーでもスクライブ・ラインに沿って簡単に窒化物半導体素子を分割することが可能となる。」(段落【００４９】)との記載や、下記【図 ２】の記載が存在する。これらの記載からも明らかなように、乙２４文献には、レーザによって形成されたスクライブ・ラインに沿って分割することが記載されている。そして、ここでいう「レー や、下記【図 ２】の記載が存在する。これらの記載からも明らかなように、乙２４文献には、レーザによって形成されたスクライブ・ラインに沿って分割することが記載されている。そして、ここでいう「レーザによって形成されたスクライブ・ライン」とは、レーザによって形成された「加工変質層であるスクライブ・ライン」を指すのは明らかである。 そうすると、乙２４文献には、「加工変質層であるスクライブ・ライン」が分割の起点となること、すなわち切断の起点となることが開示されているといえる。 【図２】 ｂ これに対し、原告は、切断の起点となるのは「スクライブ・ライン２加工変質層であるスクライブライン分割加工変質層であるスクライブライン ０７」のみであって、「スクライブ・ライン２０６」は分離ガイドの役割を果たすにすぎない旨主張するが、段落【００４９】には、前記のとおり、「基盤表裏両面にスクライブ・ラインを形成する」と記載されていることからしても、「スクライブ・ライン２０６」も「加工変質層であるスクライブ・ライン」に当たり、切断の起点となることは明らかで ある。 ｃ また、原告の主張するように、スクライブ・ライン２０７の上部からローラーで力を加えた場合には、確かに上部から切断されることになるものの、その場合であっても、スクライブ・ライン２０６と半導体ウェハの底面とを結ぶ亀裂については、スクライブ・ライン２０６が起点と なって形成されるものであるから、なお、スクライブ・ライン２０６が切断の起点であるということができる。 ｄ 乙２４公報の請求項４に係る発明は、スクライブ・ライン２０７を必須とせず、スクライブ・ 形成されるものであるから、なお、スクライブ・ライン２０６が切断の起点であるということができる。 ｄ 乙２４公報の請求項４に係る発明は、スクライブ・ライン２０７を必須とせず、スクライブ・ライン２０６しか有しないものも想定している。 このことからも、スクライブ・ライン２０６も切断の起点となり得るこ とが裏付けられる。 ⑶ 相違点に関する容易想到性前記の各相違点に係る本件発明１の構成は、以下のとおり、乙２４発明に乙２５発明を組み合わせることにより、いずれも当業者が容易に想到できる。 ア相違点２４－１ 副引例としての乙２５発明乙２５文献には、「加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより、加工対象物の内部に改質領域を形成するレーザ加工方法において、改質領域を多光子吸収によって形成するレーザ加工装置。」という発明（乙２５発明）が記載されている。 そして、乙２５発明は、加工対象物を複雑な形状に切断加工することを 課題としており、その課題解決のために、多光子吸収による加工という構成を採用することにより、加工対象物を自由な形状に加工できるという効果を実現するものである。 乙２４発明と乙２５発明の組合せ乙２４発明及び乙２５発明は、共に加工対象物の内部に集光点を合わせ てレーザ光を照射することで、加工対象物の内部に改質領域を形成している点で、技術分野が同一である。 また、乙２５発明は、加工対象物を複雑な形状に切断加工することを課題とした発明であるところ、乙２４発明もレーザ加工方法に関する発明である以上、自明の課題として複雑な形状に切断加工するという課題を有し ており、両者の課題は共通してい 状に切断加工することを課題とした発明であるところ、乙２４発明もレーザ加工方法に関する発明である以上、自明の課題として複雑な形状に切断加工するという課題を有し ており、両者の課題は共通している。他方で、乙２４発明に乙２５発明を組み合わせることに格別な困難性もない。 そうすると、乙２４発明を基に乙２５発明を組み合わせることで、改質領域を多光子吸収によって形成すること、すなわち相違点２４－１に係る本件発明１の構成は、当業者にとって容易に想到できる。 イ相違点２４－２乙２４発明では、加工対象物は半導体ウェハであり、シリコンウェハであるとの限定はない。しかしながら、レーザ加工によってシリコンウェハを切断することは周知慣用技術であり、また、レーザ加工によってシリコンウェハの内部に集光点を集めてマーキングをする技術も周知技術である。そして、 レーザ加工において、加工対象物をシリコンウェハとした場合、条件次第でシリコンウェハを溶融可能であることも周知技術である。 一方で、本件発明１において、加工対象物をシリコンウェハとし、かつ、改質領域を溶融処理領域としたがゆえに得られる作用効果については、本件明細書等１には記載も示唆もなされていない。 そうすると、乙２４発明を基に、加工対象物をシリコンウェハとし、改質 領域を溶融処理領域とすることは、当業者が容易に想到できるといえる。 したがって、相違点２４－２に係る本件発明１の構成は、当業者が適宜設計すべき事項として容易に想到できる。 ウ相違点２４－３乙２４公報には、「レーザー加工機によって照射されるレーザーはレンズ などの光学系により種々に焦点を調整させることができる」と開示されており、レンズを調整することで焦点 ウ相違点２４－３乙２４公報には、「レーザー加工機によって照射されるレーザーはレンズ などの光学系により種々に焦点を調整させることができる」と開示されており、レンズを調整することで焦点を調整することが開示されている。 そして、レンズの移動量を決定するに当たって、レーザ光入射面を基準とするか、それとも他の位置を基準とするかは、当業者が適宜設計可能な設計事項にすぎない。 そうすると、相違点２４－３に係る本件発明１の構成は、当業者が適宜設計すべき事項として容易に想到できる。 エ相違点２４－４相違点２４－４は、要するに、本件発明１では１本の切断予定ラインに対して、切断の起点となる領域を加工対象物の内部の深さ方向が互いに異なる 位置に複数列形成しているのに対し、乙２４発明では１列しか形成していないということに尽きる。そして、乙２５公報には、「焦点は、最初ワークの下側にあわせ、それから上方に移動させるのが効率的である」との記載や、「焦点の位置を３ｍｍ／ｍｉｎの速さでワーク底面より引き上げることにより、直径３０ｍｍの円筒形の孔を開けた。このとき、ワーク内部における エキシマレーザのビームの垂直方向の焦点位置は、レンズの位置を移動させることによって変化させた」との記載がある。そうすると、乙２５公報には、相違点４に係る本件発明１の構成が開示されている。 そして、上記のとおり、乙２４発明に乙２５公報に開示された技術を組み合わせることは、当業者が容易に想到できることである。 そうすると、乙２４発明を基に乙２５公報に開示された技術を組み合わせ ることで、１本の切断予定ラインに対して、切断の起点となる領域を加工対象物の内部の深さ方向が互いに異なる位置に複数形成すること、す 乙２４発明を基に乙２５公報に開示された技術を組み合わせ ることで、１本の切断予定ラインに対して、切断の起点となる領域を加工対象物の内部の深さ方向が互いに異なる位置に複数形成すること、すなわち、相違点２４－４に係る本件発明１の構成は、当業者にとって容易に想到できる。 （原告の主張） ⑴ 乙２４発明の構成乙２４公報には、被告が主張するような発明は記載されていない。すなわち、乙２４発明の内容は、次のとおりである（下線部は、被告主張に係る構成との相違点である。）。 [構成２４ａ’]：ウェハ状の加工対象物である、サファイア基板に窒化物半 導体を積層させた窒化物半導体ウエハーの内部に、加工変質層であるスクライブ・ラインを形成するレーザー加工機であって、[構成２４ｂ’]：前記加工対象物であるサファイア基板に窒化物半導体を積層させた窒化物半導体ウエハーが載置されるステージと、[構成２４ｃ’]：レーザー光を出射するレーザー光源と、 [構成２４ｄ’]：前記ステージに載置された前記加工対象物であるサファイア基板に窒化物半導体を積層させた窒化物半導体ウエハーの内部に、前記レーザー光源から出射されたレーザー光を集光し、加工変質層であるスクライブ・ラインを形成させる集光用レンズと、[構成２４ｅ’]:レーザー光の焦点が前記加工対象物であるサファイア基板に 窒化物半導体を積層させた窒化物半導体ウエハーの内部に位置するように、レーザー光学系を調整し、レーザー光の焦点が前記加工対象物であるサファイア基板に窒化物半導体を積層させた窒化物半導体ウエハーの前記分離予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物であるサファイア基板に窒化物半導体を積層させた 窒化物半導体 象物であるサファイア基板に窒化物半導体を積層させた窒化物半導体ウエハーの前記分離予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物であるサファイア基板に窒化物半導体を積層させた 窒化物半導体ウエハーの厚さ方向と直交する方向にステージを移 動させる処理部と、を備え、[構成２４ｆ’]：前記加工対象物はサファイア基板に窒化物半導体を積層させた窒化物半導体ウエハーであること[構成２４ｇ’]：を特徴とするレーザ加工機⑵ 一致点及び相違点 ア本件発明１と乙２４発明の一致点及び相違点は、それぞれ次のとおりである。 一致点本件発明１と乙２４発明は、いずれも、「ウェハ状の加工対象物の内部に、改質領域を形成するレーザ加工装置であって、前記加工対象物が 載置される載置台と、レーザ光を出射するレーザ光源と、前記載置台に載置された前記加工対象物の内部に、前記レーザ光源から出射されたレーザ光を集光し、そのレーザ光の集光点の位置で前記改質領域を形成させる集光用レンズと、レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置するように、レーザ光学系を調整し、レーザ光の集光点が前記加工対象 物の切断予定ラインに沿って移動するように前記加工対象物の厚さ方向と直交する方向に前記載置台を移動させる機能を有する制御部と、を備えるレーザ加工装置。」である点において一致する。 相違点ａ 相違点２４－Ａ 本件発明１は、「切断の起点となる改質領域」を形成するレーザ加工装置であるのに対し、乙２４発明は、「加工変質層であるスクライブ・ライン」を形成するものであって、「切断の起点となる改質領域」を形成するものではない点。 ｂ 相違点２４－Ｂ るレーザ加工装置であるのに対し、乙２４発明は、「加工変質層であるスクライブ・ライン」を形成するものであって、「切断の起点となる改質領域」を形成するものではない点。 ｂ 相違点２４－Ｂ 本件発明１の「制御部」は、「レーザ光の集光点が前記加工対象物の 内部に位置するように、前記加工対象物のレーザ光入射面を基準として前記加工対象物の厚さ方向に第１移動量だけ前記集光用レンズを移動させ、レーザ光の集光点が前記加工対象物の切断予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物の厚さ方向と直交する方向に前記載置台を移動させた後、レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に 位置するように、前記レーザ光入射面を基準として前記加工対象物の厚さ方向に第２移動量だけ前記集光用レンズを移動させ、レーザ光の集光点が前記切断予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物の厚さ方向と直交する方向に前記載置台を移動させる機能を有する制御部」であるのに対し、乙２４発明の「制御部」は、「前記加工対象 物のレーザ光入射面を基準として前記加工対象物の厚さ方向に第１移動量だけ前記集光用レンズを移動させる機能」（以下、この機能を「機能Ａ」という。）も、「レーザ光の集光点が前記加工対象物の切断予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物の厚さ方向と直交する方向に前記載置台を移動させた後、レーザ光の集光点が前記加工対 象物の内部に位置するように、前記レーザ光入射面を基準として前記加工対象物の厚さ方向に第２移動量だけ前記集光用レンズを移動させる機能」（以下、この機能を「機能Ｂ」という。）も、有していない点。 ｃ 相違点２４－Ｃ 本件発明１の「加工対象物」は、「シリコンウェハ」であるのに対し、乙２４発明の「加 させる機能」（以下、この機能を「機能Ｂ」という。）も、有していない点。 ｃ 相違点２４－Ｃ 本件発明１の「加工対象物」は、「シリコンウェハ」であるのに対し、乙２４発明の「加工対象物」は、「サファイア基板に窒化物半導体を積層させた窒化物半導体ウエハー」である点。 イ被告の主張に対する反論 相違点２４－１ 被告は、相違点２４－１として、本件発明１は、「『改質領域』が多 光子吸収によって形成された領域であるのに対し、乙２４発明では、改質領域がどのようにして形成され、どのような形状なのか明らかではない点。」を挙げている。しかしながらが、「改質領域」が、「多光子吸収によって形成された領域」であることは、本件発明１の構成要件ではないから、相違点２４－１は、本件発明１と乙２４発明との間の相違点 とはならない。 相違点２４－２被告は、相違点２４－２として、「本件発明１は、加工対象物が『シリコンウェハ』であり、『改質領域』が溶融処理領域であるのに対し、乙２４発明では、加工対象物が半導体ウエハーであり、『改質領域』が 溶融しているか否か明確ではない点。」を挙げている。しかしながら、「改質領域」が「溶融処理領域」であることは本件発明１の要件ではなく、乙２４発明の「加工対象物」は、単なる「半導体ウエハー」ではないから、相違点２４－２の特定は誤りである。 相違点２４－３及び相違点２４－４ 被告が挙げる相違点２４－３及び相違点２４－４は、いずれも、相違点２４－Ｂに含まれている。 相違点２４－Ａ被告は、乙２４公報の段落【００４５】、【００４９】及び【図２】の記載を根拠として、乙２４文献には、「加工変質層であるスクライ ブ・ライン」が分割の起点 れている。 相違点２４－Ａ被告は、乙２４公報の段落【００４５】、【００４９】及び【図２】の記載を根拠として、乙２４文献には、「加工変質層であるスクライ ブ・ライン」が分割の起点となること、すなわち切断の起点となることが開示されているから、相違点２４－Ａは相違点ではない旨主張する。 しかしながら、乙２４文献の【図２】において、切断の起点となるものと解されるのは、スクライブ・ライン２０７のみであって、スクライブ・ライン２０６は含まれない。そもそも、乙２４文献には、スクライ ブ・ライン２０６が分離の起点となることを示す記載はなく、スクライ ブ・ライン２０６は分離ガイドの役割を果たすものにすぎないというべきである。 また、乙２４公報の段落【００４７】にいう「溝部（スクライブ・ライン）に沿ってローラーによって荷重をかけ」というのは、甲２６（２頁下の図及び４頁上の図）に示されるスクライブ技術に関する技術常識に照ら せば、切断対象物の表面に設けられたスクライブ溝に、当該スクライブ溝を拡大する方向の力が作用するように、外力を付加すると考えるのが自然であり、乙２４文献の【図２（Ｃ）】でみれば、その下側の面のスクライブ・ライン２０７に対向する部分（甲第２６号証の４頁上の図に示される支点に相当する位置）をローラーで押すことを意味していると解するのが 自然である。そして、そのように外力を加えた場合、作用点に位置するスクライブ・ライン２０７は分離の起点となり得るが、支点近傍に位置するスクライブ・ライン２０６が分離の起点とならないことは明らかである。 ⑶ 容易想到性ア相違点２４－Ａ 乙２４発明の「加工変質層であるスクライブ・ライン」を「切断の起点となる改質 イン２０６が分離の起点とならないことは明らかである。 ⑶ 容易想到性ア相違点２４－Ａ 乙２４発明の「加工変質層であるスクライブ・ライン」を「切断の起点となる改質領域」に変更することが容易であったことを示す証拠は何も存在しない上に、乙２４発明をそのように変更する動機付けも全く存在しない。 イ相違点２４－Ｂ 相違点２４－Ｂには、被告の主張する相違点２４－３が含まれるところ、被告は、その相違点２４－３につき、レンズの移動量を決定するに当たって、レーザ光入射面を基準とするか、それとも他の位置を基準とするかは、当業者が適宜設計可能な設計事項にすぎないと主張する。 しかしながら、乙２４発明は、レーザ光学系を具体的にどのように調 整するか何らの示唆も示していないため、乙２４発明を出発点として、 「加工対象物のレーザ光入射面を基準として前記加工対象物の厚さ方向に第１移動量だけ前記集光用レンズを移動させる機能」に到達するためには、少なくとも、①レーザ光学系のうちの集光用レンズを加工対象物の厚さ方向に移動させる方式を選択するステップと、②集光用レンズを加工対象物の厚さ方向に移動させる基準位置として加工対象物のレーザ 光入射面を選択するステップの２つのステップが必要となるが、そのような複数の選択ステップを経る必要がある事項を設計事項とはいえない。 また、相違点２４－Ｂには、被告の主張する相違点２４－４も含まれるところ、被告は、その相違点２４－４につき、乙２５文献には、レー ザ光の集光点の位置を変えることにより、１本の切断予定ラインに対して、切断の起点となる領域を加工対象物の内部の深さ方向が互いに異なる位置に複数形成する技術が開示されている、すな 献には、レー ザ光の集光点の位置を変えることにより、１本の切断予定ラインに対して、切断の起点となる領域を加工対象物の内部の深さ方向が互いに異なる位置に複数形成する技術が開示されている、すなわち、乙２５文献には相違点４に係る構成が開示されているという前提に立った上で、乙２４発明に乙２５文献に開示された技術を組み合わせることは、当業者が 容易に想到できることであると主張する。 しかしながら、乙２４発明と乙２５発明は、以下の表のとおり、技術分野（加工対象物）、課題及び作用・機能のいずれも相違するものであるため、乙２４発明に乙２５発明を組み合わせることはできない。 乙２４発明乙２５発明技術分野（加工対象物）厚さ２００μm 程度のサファイア基板に窒化物半導体を積層させた窒化物半導体ウェハ厚さが１５０ｍｍにも及ぶ光学ガラス、石英ガラスなどの無機ガラス、アクリル樹脂などの透明樹脂等課題窒化物半導体ウエハーをチップ状石英ガラスなどの透明材料に対 に分離するに際し、切断面のクラック、チッピングの発生をより少なくする。また、窒化物半導体の結晶性を損なうことなく、かつ、歩留まりよく所望の形、サイズに分離された窒化物半導体素子を量産性良く形成する製造方法を提供する。（乙第２４号証【００１３】）し、厚板であっても自由な切断加工を可能とする。（乙２５公報第２頁左上欄第２～５行）作用・機能サファイア基板の内部に、ローラー荷重を作用させた場合の割れ方を制御するためのスクライブ・ライン２０６を形成する。 高エネルギービームの照射位置（集光点）をスキャンさせ、透明材料の切断面全体に連続的なクラックを発生させることによって透明材料を切断加工する。 さらに、仮に乙２ ・ライン２０６を形成する。 高エネルギービームの照射位置（集光点）をスキャンさせ、透明材料の切断面全体に連続的なクラックを発生させることによって透明材料を切断加工する。 さらに、仮に乙２４発明に乙２５発明を適用したとしても、相違点２４－４に係る本件発明１の構成には至らない。すなわち、乙２５文献には「エキシマレーザをワークの上面から照射し、ワークを３ｒ．ｐ．ｍの回転数で回転させながら、焦点の位置を３ｍｍ／ｍｉｎの速さでワーク底面より引き上げることにより、直径３０ｍｍの円筒形の孔を開け た。」という記載が存在するところ、同記載からも明らかなように、乙２５発明は、加工対象物の底面から表面（レーザ光入射面）までクラックを連続させるように焦点の位置を移動させるものであって、レーザ光の集光点を、加工対象物の厚さ方向と直交する方向に移動させた後に加工対象物の厚さ方向に移動させるものではない。したがって、乙２５文 献には、被告がいう相違点２４－４に係る本件発明１の構成は開示されておらず、仮に乙２４発明に乙第２５発明を適用したとしても、相違点 ２４－４を埋めることはできない。 また、乙２５発明は、加工対象物の底面側から加工を開始するものであるから、仮に乙２４発明に乙２５発明を適用する場合には、レンズ移動基準は、加工対象物の底面とするのが自然であり、レンズ移動基準をレーザ光入射面にするという発想は生じない。したがって、その意味に おいても、相違点２４－４は埋められない。 ウ相違点Ｃ乙２４発明の「サファイア基板に窒化物半導体を積層させた窒化物半導体ウエハー」を「シリコンウェハ」に換えた場合には、乙２４発明の課題自体が存在しないことになり、乙２４発明の意義が失われることに なる。したがって、乙２４ に窒化物半導体を積層させた窒化物半導体ウエハー」を「シリコンウェハ」に換えた場合には、乙２４発明の課題自体が存在しないことになり、乙２４発明の意義が失われることに なる。したがって、乙２４公報に接した当業者は、乙２４発明の「サファイア基板に窒化物半導体を積層させた窒化物半導体ウエハー」における「サファイア基板」を「スピネル基板」に換えることまでは容易に想到し得るかもしれないが、その「サファイア基板に窒化物半導体を積層させた窒化物半導体ウエハー」を「シリコンウェハ」に換えようとまで するはずがない。 また、本件特許の原出願前には、乙２４発明の「サファイア基板に窒化物半導体を積層させた窒化物半導体ウエハーの内部に集光点を有するレーザ光を照射してスクライブ・ラインを形成する」技術がシリコンウェハに対する切断の起点の形成にも使用できるという知見自体が存在し なかった。そうすると、乙２４発明の「サファイア基板に窒化物半導体を積層させた窒化物半導体ウエハー」を「シリコンウェハ」に置換しようとする動機付けは全くない。 14 争点３－２（乙２６発明に基づく進歩性の欠如）（被告の主張） ⑴ 引例としての適格性 原告は、乙２６文献に記載された実施例が実施可能でないとして、乙２６文献の引例としての適格性を否定する。 しかしながら、引用文献は、そこに一定の技術的思想が開示されていれば、引例としての適格性を有し、当該引用文献記載の発明が実施可能なものであるか否かは、引例適格性を認める上で問題とならないと解すべきである。そして、 乙２６文献においては、ガラス物体を破断又は分離するために適切な破断点を形成する方法において、微小亀裂をガラス壁又はガラス板の内部に形成するという技術思 題とならないと解すべきである。そして、 乙２６文献においては、ガラス物体を破断又は分離するために適切な破断点を形成する方法において、微小亀裂をガラス壁又はガラス板の内部に形成するという技術思想が開示されていると認められるから、引例としての適格性に欠けるところはない。 ⑵ 乙２６発明の構成 乙２６公報には、以下の発明が記載されている。 ［構成２６ａ］：加工対象物であるガラス物体の内部に、分離の起点となる破断点を形成するレーザー加工装置であって、［構成２６ｂ］：前記加工対象物であるガラス物体が載置されるローラーと、［構成２６ｃ］：レーザ光を出射するレーザ光源と、 ［構成２６ｄ］：前記ローラーに載置された前記加工対象物であるガラス物体の内部に、前記レーザ光源から出射されたレーザ光を集光し、そのレーザ光の集光点の位置で微小亀裂を形成させるレーザーレンズと、［構成２６ｅ］：レーザ光の集光点が前記加工対象物であるガラス物体の内部 に位置するように、レーザ光学系を調整し、前記レーザ光の集光点が前記加工対象物の前記分割線に沿って移動するように、前記ローラーを移動させる機能を有するローラーの制御部と、を備え、［構成２６ｆ］：前記加工対象物がガラス物体である［構成２６ｇ］：ことを特徴とするレーザー加工装置。 ⑶ 一致点及び相違点 本件発明１と乙２６発明の一致点及び相違点は、以下のとおりである。 一致点本件発明１と乙２６発明は、いずれも「加工対象物の内部に、切断の起点となる改質領域を形成するレーザ加工装置であって、前記加工対象物が載置される載置台と、レーザ光を出射するレーザ光源と、前記載置台に載 置された前記加工対象物の内部に、 対象物の内部に、切断の起点となる改質領域を形成するレーザ加工装置であって、前記加工対象物が載置される載置台と、レーザ光を出射するレーザ光源と、前記載置台に載 置された前記加工対象物の内部に、前記レーザ光源から出射されたパルスレーザ光を集光し、そのレーザ光の集光点の位置で前記改質領域を形成させる集光用レンズと、レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置するように」光学系を調整し、「レーザ光の集光点が前記加工対象物の切断予定ラインに沿って移動するように、前記載置台を移動させる機能を有す る制御部と、を備えることを特徴とするレーザ加工装置」である点において一致する。 相違点ａ 相違点２６－１本件発明１の加工対象物は、「ウェハ状の加工対象物」であるのに対 し、乙２６発明の加工対象物は、「ローラー」で回転される形状の「ガラス物体」（アンプル）である点。 ｂ 相違点２６－２本件発明１は、加工対象物が「シリコンウェハ」であり、「改質領域」が多光子吸収によって形成された溶融処理領域であるのに対し、乙２６ 発明では、加工対象物が「ガラス物体」であり、「改質領域」が多光子吸収によって形成されたか否か、及び、溶融しているか否かが明確ではない点。 ｃ 相違点２６－３本件発明１は、「加工対象物のレーザ光入射面を基準として前記加工 対象物の厚さ方向に第１移動量だけ前記集光用レンズを移動させ」るの に対し、乙２６発明では、どのように調整しているのか明らかではない点ｄ 相違点２６－４本件発明１の制御部は、載置台を移動させた後、更に「レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置するように、前記 うに調整しているのか明らかではない点ｄ 相違点２６－４本件発明１の制御部は、載置台を移動させた後、更に「レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置するように、前記レーザ光入射面を 基準として前記加工対象物の厚さ方向に第２移動量だけ前記集光用レンズを移動させ、レーザ光の集光点が切断予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物の厚さ方向と直交する方向に前記載置台を移動させる機能」を有するのに対し、乙２６発明の制御部は、そのような機能を有しない点。 ⑷ 容易想到性上記各相違点に係る本件発明１の構成は、以下のとおり、乙２６発明に乙２５発明を組み合わせることにより、いずれも当業者が容易に想到できる。 ア相違点２６－１乙２６公報には、実施例にあるアンプルのほかに、「ガラス板」の内部に 微小亀裂を設けて破断点を形成することが記載されているから（段落【００１４】、【００３７】）、乙２６公報に接した当業者は、「加工対象物」である「ガラス物体」（アンプル）を「ローラー」で回転する構成に代えて、「ウェハ状」である「ガラス板」を「加工対象物」とする構成を用いることや、「ウェハ状の加工対象物」である「ガラス板」の内部につき、「集光点」 が「直線的」に移動する構成を用いることにつき、示唆を受けるといえる。 イ相違点２６－２前記争点３－１において、相違点２４－１について述べたように、乙２５発明は、改質領域を多光子吸収によって形成するレーザ加工方法である。 そうすると、乙２６発明及び乙２５発明は、共に加工対象物であるガラス 物体の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することで、加工対象物の内 部に改質領域を形成してい 。 そうすると、乙２６発明及び乙２５発明は、共に加工対象物であるガラス 物体の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することで、加工対象物の内 部に改質領域を形成している点で、技術分野が同一であるといえる。 また、乙２５発明は、加工対象物を複雑な形状に切断加工することを課題とした発明であるところ、乙２６発明もレーザ加工方法に関する発明である以上、自明の課題として複雑な形状に切断加工するという課題を有しており、課題も共通している。他方で、乙２６発明に乙２５発明を組み合わせること に格別な困難性もない。 そうすると、乙２６発明に乙２５発明を組み合わせることで、改質領域を多光子吸収によって形成することは、当業者が容易に想到できる事項である。 さらに、レーザ加工によってシリコンウェハを切断することは周知慣用技術であり、また、レーザ加工によってシリコンウェハの内部に集光点を集め てマーキングをする技術も周知技術である。そして、レーザ加工において、加工対象物をシリコンウェハとした場合、条件次第でシリコンウェハを溶融可能であることも周知技術である。 したがって、乙２６発明に乙２５発明を組み合わせることや、周知技術を適用することにより、加工対象物をシリコンウェハとし、改質領域を多光子 吸収によって形成された溶融処理領域とすること、すなわち、相違点２６－２に係る本件発明１の構成は、当業者が容易に想到できる。 ウ相違点２６－３前記争点３－１において相違点２４－３について述べたように、レンズの移動量を決定するに当たって、レーザ光入射面を基準とするか、それとも他 の位置を基準とするかは当業者が適宜設計可能な設計事項にすぎない。 したがって、相違点２６－３に係る ように、レンズの移動量を決定するに当たって、レーザ光入射面を基準とするか、それとも他 の位置を基準とするかは当業者が適宜設計可能な設計事項にすぎない。 したがって、相違点２６－３に係る本件発明１の構成は、当業者が適宜設計すべき事項として容易に想到できる。 エ相違２６－４前記争点３－１において相違点２４－４について述べたように、相違点２ ６－４に係る本件発明１の構成は、乙２５発明により開示されている。そし て、乙２６発明に乙２５発明を適用することは、当業者が容易に想到できる。 （原告の主張）⑴ 引例としての不適格性乙２６公報は、無効２００５－８０１６６審決（甲２７）において、記載された実施例が実施不可能であるという理由で、引用例としての適格性が否定さ れた文献である。 したがって、乙２６公報は、引用発明としての適格性を欠く。 ⑵ 乙２６発明の構成本件発明１と乙２６発明の一致点及び相違点は、以下のとおりである。 ア一致点 被告主張の一致点につき、争わない。 イ相違点 相違点２６－Ａ本件発明１の「加工対象物」は「シリコンウェハ」であるのに対し、乙２６発明の「加工対象物」は「ローラーで回転される形状のガラス物 体（アンプル）」である点。 相違点２６－Ｂ本件発明１の「制御部」は、「レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置するように、前記加工対象物のレーザ光入射面を基準として前記加工対象物の厚さ方向に第１移動量だけ前記集光用レンズを移動さ せ、レーザ光の集光点が前記加工対象物の切断予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物の厚さ方向と直交する方向に として前記加工対象物の厚さ方向に第１移動量だけ前記集光用レンズを移動さ せ、レーザ光の集光点が前記加工対象物の切断予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物の厚さ方向と直交する方向に前記載置台を移動させた後、レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置するように、前記レーザ光入射面を基準として前記加工対象物の厚さ方向に第２移動量だけ前記集光用レンズを移動させ、レーザ光の集光点が前記切 断予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物の厚さ方向と直 交する方向に前記載置台を移動させる機能を有する制御部」であるのに対し、乙２６発明の「制御部」は、「前記加工対象物のレーザ光入射面を基準として前記加工対象物の厚さ方向に第１移動量だけ前記集光用レンズを移動させる機能」（機能Ａ）も、「レーザ光の集光点が前記加工対象物の切断予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物の厚 さ方向と直交する方向に前記載置台を移動させた後、レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置するように、前記レーザ光入射面を基準として前記加工対象物の厚さ方向に第２移動量だけ前記集光用レンズを移動させる機能」（機能Ｂ）も、有していない点。 ウ被告の主張に対する反論 相違点２６－２被告主張に係る相違点２６－２は、本件発明１が要件としていない「改質領域が、多光子吸収によって形成された溶融処理領域である点」を本件発明１が要件とするという前提に立っている点で適切ではない。 したがって、相違点２６－Ａのとおり特定すべきである。 相違点２６－３及び相違点２６－４被告主張に係る相違点２６－３及び相違点２６－４は、相違点２６－Ｂと大差はないものの、相違点は、乙 －Ａのとおり特定すべきである。 相違点２６－３及び相違点２６－４被告主張に係る相違点２６－３及び相違点２６－４は、相違点２６－Ｂと大差はないものの、相違点は、乙２６発明から出発して本件発明１の構成に到達することが容易であるか否かを検討するために特定されるべきものであることからすれば、正しくは、相違点２６－Ｂのとおり特 定すべきである。 ⑶ 容易想到性ア相違点２６－Ａ 本件特許の原出願前には、乙２６発明の「ガラス物体の内部に、分離の起点となる破断点を形成する」技術がシリコンウェハに対する切断の 起点の形成にも使用できるという知見は存在しなかったところ、そのよ うな状況において、乙２６発明の「ローラーで回転される形状のガラス物体（アンプル）」を「シリコンウェハ」に換えようとする動機付けは全く存在しない。 これに対し、被告は、レーザ加工によってシリコンウェハを切断することは周知慣用技術であり、また、レーザ加工によってシリコンウェハ の内部に集光点を集めてマーキングをする技術も周知技術であるから加工対象物をシリコンウェハとすることは、当業者が容易に想到できることである旨主張する。 しかしながら、仮に被告が主張するような周知技術が存在したとしても、それらは、「乙２６発明の『ガラス物体の内部に、分離の起点とな る破断点を形成する』技術がシリコンウェハに対する切断の起点の形成にも使用できるという知見」を示すものでない以上、相違点Ａに係る容易想到性を基礎付けるものではない。したがって、被告の主張には理由がない。 イ相違点２６－Ｂ 乙２６発明においては、加工対象物の位置を必要な精度で所要の位置に合わせるこ 想到性を基礎付けるものではない。したがって、被告の主張には理由がない。 イ相違点２６－Ｂ 乙２６発明においては、加工対象物の位置を必要な精度で所要の位置に合わせることが想定されているのであり、そもそも集光用レンズを加工対象物の厚さ方向に移動させる機能自体が必要とされていない。そのため、乙２６発明に関し、集光用レンズを移動させる機能を設ける動機付けは全く存在しないし、ましてや、移動の基準を加工対象物のレーザ 光入射面とするといった工夫に想到し得るはずがない。 また、乙２６発明は、開封前に破断することなく、開封時に安全に破断し得るような破断点を形成しようとした発明であるのに対し、乙２５発明は、透明材料に連続的なクラックを発生させることによって透明材料を切断加工する技術である。 そうすると、仮に乙２６発明に乙２５発明を適用した場合には、乙２ ６発明の「開封前に破断することなく」という課題を達成することができなくなってしまう。 したがって、乙２６発明には、乙２５発明を組み合わせることに対する阻害要因がある。 争点３－３（乙３３発明に基づく進歩性の欠如） （被告の主張）⑴ 乙３３発明の構成乙３３公報には、以下の発明が記載されている。 ［構成３３ａ］：ウェハ状の加工対象物の内部に、分割の起点となるスクライブ溝を形成するレーザ加工装置であって、 ［構成３３ｂ］：前記加工対象物を移動させる装置と、［構成３３ｃ］：レーザ光を出射するレーザ光源と、［構成３３ｄ］：前記加工対象物の内部に、前記レーザ光源から出射されたレーザ光を集光し、そのレーザ光の集光点の位置で前記スクライブ溝を形成させる集光用レンズと、 を出射するレーザ光源と、［構成３３ｄ］：前記加工対象物の内部に、前記レーザ光源から出射されたレーザ光を集光し、そのレーザ光の集光点の位置で前記スクライブ溝を形成させる集光用レンズと、 ［構成３３ｅ］：レーザ光の焦点を前記加工対象物の内部に位置させた状態で、レーザ光の集光点が前記加工対象物の分割予定ラインに沿って移動するように、前記各対象物の厚さ方向と直交する方向に前記加工対象物を移動させる機能を有する処理部と、を備え、 ［構成３３ｆ］：前記加工対象物はＧａＰ単結晶基板に電極が積層されたものであること［構成３３ｇ］：を特徴とするレーザ加工装置。 ⑵ 一致点及び相違点本件発明１と乙３３発明の一致点及び相違点は、以下のとおりである。 ア一致点 本件発明１と乙３３発明は、いずれも「ウェハ状の加工対象物の内部に、切断の起点となる改質領域を形成するレーザ加工装置であって、レーザ光を出射するレーザ光源と、前記加工対象物の内部に、前記レーザ光源から出射されたレーザ光を集光し、そのレーザ光の集光点の位置で前記改質領域を形成させる集光用レンズと、レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置」 した状態で、「レーザ光の集光点が前記加工対象物の切断予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物の厚さ方向と直交する方向に」前記加工対象物を移動させる「機能を有する制御部と、を備えることを特徴とするレーザ加工装置」である点において一致する。 イ相違点 相違点３３－１レーザ光の集光点が加工対象物の内部に位置するようにするに当たって、本件発明１は、「加工対象物のレーザ光入射面を基準として前記加工対象物の厚さ方向に 相違点３３－１レーザ光の集光点が加工対象物の内部に位置するようにするに当たって、本件発明１は、「加工対象物のレーザ光入射面を基準として前記加工対象物の厚さ方向に第１移動量だけ前記集光用レンズを移動させ」るのに対し、乙３３発明では、どのように調整しているのか明らかではない点。 相違点３３－２本件発明１の「制御部」は、載置台を移動させた後、更に「レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置するように、前記レーザ光入射面を基準として前記加工対象物の厚さ方向に第２移動量だけ前記集光用レンズを移動させ、レーザ光の集光点が前記切断予定ラインに沿って移動する ように、前記加工対象物の厚さ方向と直交する方向に前記載置台を移動させる機能」を有するのに対し、乙３３発明の処理部は、そのような機能を有しない点。 相違点３３－３本件発明１は、「改質領域」が多光子吸収によって形成された領域であ るのに対し、乙３３発明では、改質領域がどのようにして形成され、どの ような形状なのか明らかではない点。 相違点３３－４本件発明１は、加工対象物が「シリコンウェハ」であり、「改質領域」が溶融処理領域であるのに対し、乙３３発明では、加工対象物がＧａＰ単結晶基板に電極が積層されたものであり、「改質領域」が溶融しているか 否か明確ではない点。 相違点３３－５本件発明１は、「加工対象物が載置される載置台」を備えるのに対し、乙３３発明では、加工対象物を移動させる装置は備えているが、それが載置台か否か明確ではない点。 相違点３３－６（予備的な相違点）被告は、乙３３発明の認定に関し、分割 ３３発明では、加工対象物を移動させる装置は備えているが、それが載置台か否か明確ではない点。 相違点３３－６（予備的な相違点）被告は、乙３３発明の認定に関し、分割の起点が加工対象物の内部に形成されるという前提に立っているが（前記⑴の［構成３３ａ］）、仮に、分割の起点が加工対象物の内部ではなく、裏面側に形成されていると認定された場合、次の相違点３３－６が生じることになる。 「本件発明１は、加工対象物の内部に改質領域を形成するのに対し、乙３３発明は、加工対象物の裏側にスクライブ溝（改質領域に相当）を形成する点。」⑶ 容易想到性上記各相違点に係る本件発明１の構成は、以下のとおり、乙３３発明に乙２ ５発明を組み合わせることにより、いずれも当業者が容易に想到できる。 ア相違点３３－１乙３３公報には、レーザ光の集光を加工対象物の内部に位置するようにするための具体的な態様については開示されていないものの、レンズの移動量を調整することで集光点を調整することは、当業者であれば具体的技術の適 用として当然行うことである。そして、レンズの移動量を決定するに当たっ て、レーザ光入射面を基準とするか、それとも他の位置を基準とするかは当業者が適宜設計可能な設計事項にすぎない。 したがって、上記相違点３３－１に係る本件発明１の構成は、当業者が適宜設計すべき事項として容易に想到できる事項といえる。 イ相違点３３－２ 相違点３３－２は、要するに、本件発明１では１本の切断予定ラインに対して、切断の起点となる領域を加工対象物の内部の深さ方向が互いに異なる位置に複数列形成しているのに対し、乙３３発明では１列しか形成してい 点３３－２は、要するに、本件発明１では１本の切断予定ラインに対して、切断の起点となる領域を加工対象物の内部の深さ方向が互いに異なる位置に複数列形成しているのに対し、乙３３発明では１列しか形成していないというものである。 そして、乙２５公報には、「焦点は、最初ワークの下側にあわせ、それか ら上方に移動させるのが効率的である」との記載や、「焦点の位置を３ｍｍ／ｍｉｎの速さでワーク底面より引き上げることにより、直径３０ｍｍの円筒形の孔をあけた。このとき、ワーク内部におけるエキシマレーザのビームの垂直方向の焦点位置は、レンズの位置を移動させることによって変化させた」との記載があることからすれば、レーザ光の集光点の位置を変えること により、１本の切断予定ラインに対して、切断の起点となる領域を加工対象物の内部の深さ方向が互いに異なる位置に複数形成する技術が開示されているといえる。すなわち、乙２５公報には、相違点３３－２に係る本件発明１の構成が開示されているといえる。 また、後述するように、乙３３発明に乙２５公報に開示された技術を組み 合わせることは、当業者が容易に想到できることである。 そうすると、乙３３発明に乙２５公報に開示された技術を組み合わせることで、１本の切断予定ラインに対して、切断の起点となる領域を加工対象物の内部の深さ方向が互いに異なる位置に複数形成すること、すなわち、相違点３３－２に係る本件発明１の構成は、当業者が容易に想到できる。 ウ相違点３３－３ 副引例としての乙２５発明Ａ乙２５公報には、「この発明においては、多光子吸収を利用して、・・透明材料の結合ボンドを切断したり、あるいは、発熱を利用して微小なクラックを透明材料内部に発生させるの ての乙２５発明Ａ乙２５公報には、「この発明においては、多光子吸収を利用して、・・透明材料の結合ボンドを切断したり、あるいは、発熱を利用して微小なクラックを透明材料内部に発生させるのである」と記載されているとおり、多光子吸収に関する技術が記載されている。 また、乙２５公報の実施例１には、合成石英ガラスの内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することによって、合成石英ガラスを切断加工することが記載されている。 そうすると、乙２５公報には「加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより、加工対象物の内部に改質領域を形成するレ ーザ加工方法において、改質領域を多光子吸収によって形成するレーザ加工方法。」という発明（以下「乙２５発明Ａ」という。）が開示されていることが認められる。 また、乙２５発明は、加工対象物を複雑な形状に切断加工することを課題としており、そのため多光子吸収による加工という構成を採用した結果、 加工対象物を自由な形状に加工できるという効果を奏する発明である。 乙３３発明と乙２５発明Ａの組合せ乙３３発明及び乙２５発明Ａは、いずれも加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することで、加工対象物の内部に改質領域を形成している点で、技術分野が同一である。 また、乙２５発明Ａは、加工対象物を複雑な形状に切断加工することを課題とした発明であるところ、乙３３発明もレーザ加工方法に関する発明である以上、自明の課題として複雑な形状に切断加工するという課題を有しており、両者は課題も共通している。一方で、乙３３発明に乙２５発明Ａを組み合わせることに格別な困難性もない。 そうすると、乙３ 課題として複雑な形状に切断加工するという課題を有しており、両者は課題も共通している。一方で、乙３３発明に乙２５発明Ａを組み合わせることに格別な困難性もない。 そうすると、乙３３発明を基に乙２５発明Ａを組み合わせることで、改 質領域を多光子吸収によって形成することは、当業者にとって容易に想到できることであり、すなわち、相違点３３－３に係る本件発明１の構成を想到することは、当業者にとって容易なことである。 エ相違点３３－４乙３３発明では、相違点３３－４に示したように、加工対象物はＧａＰ単 結晶基板に電極が積層されたものであり、シリコンウェハではないものの、乙３３公報には、「将来さらに波長エネルギーの小さいレーザー光の加工機が得られれば、さらにエネルギー禁止帯幅の小さい半導体結晶にも適用できる」と記載されており、ＧａＰ単結晶基板以外に適用することが示唆されている。 そして、乙３７公報には、「およそ１．１μm からほぼ５μm の波長まで実質的に透明なシリコンの場合、波長１．９μm でパルスを出射するレーザが、この実施例の方法を実装するのには適している」と記載されており、波長エネルギーの小さいレーザ光によって、シリコンウェハを加工することが開示されている。したがって、これらの記載からすれば、乙３３発明におい てシリコンウェハを加工対象物としようとすることは、当業者であれば容易に想到できる。 加えて、レーザ加工によってシリコンウェハを切断することは周知慣用技術であり、また、レーザ加工によってシリコンウェハの内部に集光点を集めてマーキングをする技術も周知技術である。 そして、レーザ加工において、加工対象物をシリコンウェハとした場合、 術であり、また、レーザ加工によってシリコンウェハの内部に集光点を集めてマーキングをする技術も周知技術である。 そして、レーザ加工において、加工対象物をシリコンウェハとした場合、条件次第でシリコンウェハを溶融可能であることも周知技術である。一方で、本件発明１において、加工対象物をシリコンウェハとし、かつ、改質領域を溶融処理領域としたがゆえに得られる顕著な作用効果については、本件明細書等１には記載も示唆もなされていない。 そうすると、乙３３発明を基に、加工対象物をシリコンウェハとし、改質 領域を溶融処理領域とすることは、当業者が容易に想到できることである。 以上によれば、上記相違点３３－４に係る本件発明１の構成は、乙３７公報の記載を参照することで、又は周知慣用技術を適用することで、当業者が容易に想到できる事項といえる。 オ相違点３３－５ 乙３３発明は、加工対象物を移動させる装置を備えてはいるものの、それが載置台であるかは不明である。しかしながら、ウェハー状の加工対象物を移動させる際に、載置台を用いることは周知慣用技術であり、乙３３発明を基に、加工対象物を移動させる装置を具体的に設計するに当たって、載置台を用いることは当業者が容易に想到できることである。 そうすると、上記相違点３３－５に係る本件発明１の構成は、乙３３発明を基に周知慣用技術を適用することで当業者が容易に想到できる事項といえる。 カ相違点３３－６（予備的相違点） 副引例としての乙２４Ａ発明 乙２４公報には、実施例１として、加工対象物の裏面にスクライブ・ラインを形成する技術が記載されているほか、実施例２として、加工対象物の内部にスクライブ・ライン ての乙２４Ａ発明 乙２４公報には、実施例１として、加工対象物の裏面にスクライブ・ラインを形成する技術が記載されているほか、実施例２として、加工対象物の内部にスクライブ・ラインを形成する技術が記載されている。 そして、乙２４公報には、このように加工対象物の内部にスクライブ・ラインを形成する作用効果として、「レーザー照射による加工くずの発生 もない」と記載されていることからすれば、乙２４公報には、レーザ照射による加工くずの発生の防止を目的とした「加工対象物である半導体ウェハーの裏面にスクライブ・ラインを形成する代わりに、加工対象物の内部にスクライブ・ラインを形成するレーザ加工機。」という発明が開示されていると認められる（以下、この発明を「乙２４発明Ａ」という。）。 乙３３発明と乙２４発明Ａの組合せ 乙３３発明のように、レーザー照射によって表面又は裏面にスクライブ溝を形成するレーザスクライブ法においては、レーザ照射による加工くずの発生が従来から課題として知られていたから（乙３５公報の段落【０００２】参照）、乙３３発明において、レーザ照射による加工くずの発生の防止を目的として、乙２４発明Ａを適用することは、当業者が容易に想到 できることである。 また、乙３３発明と乙２４発明Ａは、共にレーザスクライブ法に関する技術であり、技術分野も同一である。一方で、乙３３発明と乙２４発明Ａを組み合わせることを阻害するような事情もない。 そうすると、乙３３発明を基に、乙２４発明Ａを組み合わせることは、 当業者が容易に想到できることであり、上記相違点３３－６に係る本件発明１の構成は、乙３３発明を基に乙２４発明Ａを組み合わせることで、当業者が容易に想到できる事項といえる。 ことは、 当業者が容易に想到できることであり、上記相違点３３－６に係る本件発明１の構成は、乙３３発明を基に乙２４発明Ａを組み合わせることで、当業者が容易に想到できる事項といえる。 キ以上のとおり、本件発明１は、乙３３発明と対比すると、上記相違点３３－１ないし５において相違するが、当該各相違点に係る構成は、乙２５発明 及び乙３７発明を組み合わせて、周知慣用技術を適用することで、当業者が容易に想到できるため、進歩性を欠く。 また、仮に上記相違点３３－６において相違したとしても、当該相違点に係る構成は、乙２５発明、乙３７発明及び乙２４発明Ａを組み合わせて、周知慣用技術を適用することで、当業者が容易に想到できるため、いずれにせ よ、進歩性を欠く。 （原告の主張）⑴ 乙３３公報に記載された発明の構成被告主張に係る乙３３発明は、少なくとも構成３３ａを次の構成３３ａ’のように修正して特定するのが妥当である。 ［構成３３ａ’］：ウェハ状の加工対象物の裏面に、分割の起点となるスク ライブ溝を形成するレーザ加工装置であって、⑵ 一致点及び相違点本件発明１と乙３３発明の一致点及び相違点は、次のとおりである。 ア一致点本件発明１と乙３３発明は、いずれも「ウェハ状の加工対象物に、切断 の起点となる改質領域を形成するレーザ加工装置であって、レーザ光を出射するレーザ光源と、前記レーザ光源から出射されたレーザ光を集光し、そのレーザ光の集光点の位置で前記改質領域を形成させる集光用レンズと、レーザ光の集光点が前記加工対象物の切断予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物の厚さ方向と直交する方向に前記加工対象物を 移動させる の位置で前記改質領域を形成させる集光用レンズと、レーザ光の集光点が前記加工対象物の切断予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物の厚さ方向と直交する方向に前記加工対象物を 移動させる機能を有する制御部と、を備えることを特徴とするレーザ加工装置」である点において一致する。 イ相違点本件発明１と乙３３発明との間には、少なくとも、次の相違点３３－Ａがあるというべきである。 （相違点３３－Ａ）本件発明１のレーザ加工装置は、「加工対象物の内部に改質領域を形成」するものであるのに対し、乙３３発明のレーザ加工装置は、「加工対象物の裏面に改質領域を形成」するものである点。 ⑶ 容易想到性 ア相違点３３－Ａ乙３３公報にも他の証拠にも、乙３３発明の「加工対象物の裏面に改質領域を形成」するという構成を、本件発明１の「加工対象物の内部に改質領域を形成」するという構成に置換する動機付けを示す記載は一切存在しない。 むしろ、乙３３発明は、「裏面全体に金属電極を付加した半導体結晶ウェ ーハをペレットに分割する場合、表面からの加工法によるスクライブでは裏 面電極が切断されないため、半導体結晶は分離できても電極が連なった複合ペレットが多く発生する欠点がある。」という課題を踏まえ、「裏面を加工する方法」を実現するための装置を提供することを目的とした発明であるところ、それを裏面ではなく内部を加工するものとすることに対しては、阻害要因がある。 イ相違点３３－２乙３３発明は、「加工対象物の裏面」に改質領域を形成するものであり、レーザ光を集光する加工対象物の厚さ方向の位置は、加工対象物の裏面近傍に限られている。そのような裏面 イ相違点３３－２乙３３発明は、「加工対象物の裏面」に改質領域を形成するものであり、レーザ光を集光する加工対象物の厚さ方向の位置は、加工対象物の裏面近傍に限られている。そのような裏面近傍の位置に集光点を位置させるのに、集光用レンズを移動させる基準を「加工対象物のレーザ光入射面」とすべき理由 は全くない。 ウ相違点３３－３乙３３発明には、相違点３３－２に係る本件発明１の構成を採用すべき理由も全くない。 前記争点３－２において、相違点２６－Ｂで主張したのと同様の理由によ り、乙３３発明に乙２５発明を適用することはできないし、仮に適用できたとしても、相違点３３－２に係る本件発明１の構成には至らない。 エ相違点３３－３ないし５相違点３３－３ないし５については、被告の主張を認めるものではないものの、これらの相違点に係る容易想到性の有無にかかわらず、本件発明１は、 乙３３発明と比較して進歩性を有するものである。 オ相違点３３－６被告主張に係る相違点３３－６は、実質的には、相違点３３－Ａと同じであり、相違点３３－６が存在することは認めるが、相違点３３－６の容易想到性に係る被告の主張は、前提において誤っており、理由がない。 すなわち、乙２４公報の実施例１及び２の記載から把握されるレーザ加 工機の発明は、サファイア基板に窒化物半導体を積層させた窒化物半導体ウエハーを加工対象物とする発明のみに限られるものであり、半導体ウェハー全般を加工対象とし得る加工機の発明ではない。したがって、半導体ウエハーが「サファイア基板に窒化物半導体を積層させた窒化物半導体ウエハー」であることを捨象した上で、乙２４公報に記載された発明を乙２４発明Ａの ように認 工機の発明ではない。したがって、半導体ウエハーが「サファイア基板に窒化物半導体を積層させた窒化物半導体ウエハー」であることを捨象した上で、乙２４公報に記載された発明を乙２４発明Ａの ように認定することは誤りである。 カ以上のとおり、本件発明１は、乙３３発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 16 争点３－４（乙３４発明に基づく進歩性の欠如）（被告の主張） ⑴ 乙３４発明の構成乙３４公報には、次の発明が記載されている。 ［構成３４ａ］：半導体基板である加工対象物の裏面に、分割の起点となる溝を形成するレーザスクライブ装置であって、［構成３４ｂ］：前記加工対象物が載置されるテーブルと、 ［構成３４ｃ］：レーザ光を出射するレーザ光源と、［構成３４ｄ］：前記テーブルに載置された前記加工対象物の裏面に、前記レーザ光源から出射されたレーザ光を集光し、そのレーザ光の集光点の位置で前記溝を形成させる凸レンズと、［構成３４ｅ］：レーザ光の焦点を前記加工対象物の裏面に位置させた状態 で、レーザ光の集光点が前記加工対象物の分割予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物の厚さ方向と直交する方向に前記テーブルを移動させる機能を有する処理部と、を備え、［構成３４ｆ］：前記加工対象物はサファイアの半導体基板であること ［構成３４ｇ］：を特徴とするレーザスクライブ装置。 ⑵ 一致点及び相違点本件発明１と乙３４発明の一致点及び相違点は、以下のとおりである。 ア一致点本件発明１と乙３４発明は、いずれも「ウェハ状の加工対象物に、切断の起点となる改質領域を形成するレーザ加工 発明１と乙３４発明の一致点及び相違点は、以下のとおりである。 ア一致点本件発明１と乙３４発明は、いずれも「ウェハ状の加工対象物に、切断の起点となる改質領域を形成するレーザ加工装置であって、前記加工対象物が 載置される載置台と、レーザ光を出射するレーザ光源と、前記載置台に載置された前記加工対象物に、前記レーザ光源から出射されたレーザ光を集光し、そのレーザ光の集光点の位置で前記改質領域を形成させる集光用レンズと、レーザ光の集光点が前記加工対象物に位置」した状態で「レーザ光の集光点が前記加工対象物の切断予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象 物の厚さ方向と直交する方向に前記載置台を移動させる機能を有する制御部と、を備えることを特徴とするレーザ加工装置」である点において一致する。 イ相違点 相違点３４－１ レーザ光の集光点が加工対象物に位置するようにするに当たって、本件発明１は、「加工対象物のレーザ光入射面を基準として前記加工対象物の厚さ方向に第１移動量だけ前記集光用レンズを移動させ」るのに対し、乙３４発明では、どのように調整しているのか明らかではない点。 相違点３４－２ 本件発明１の「制御部」は、載置台を移動させた後、更に「レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置するように、前記レーザ光入射面を基準として前記加工対象物の厚さ方向に第２移動量だけ前記集光用レンズを移動させ、レーザ光の集光点が前記切断予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物の厚さ方向と直交する方向に前記載置台を移動さ せる機能」を有するのに対し、乙３４発明の処理部は、そのような機能を 有しない点。 相違点３４－３本件発明１は 対象物の厚さ方向と直交する方向に前記載置台を移動さ せる機能」を有するのに対し、乙３４発明の処理部は、そのような機能を 有しない点。 相違点３４－３本件発明１は、「改質領域」が多光子吸収によって形成された領域であるのに対し、乙３４発明では、改質領域がどのようにして形成され、どのような形状なのか明らかではない点。 相違点３４－４本件発明１は、加工対象物が「シリコンウェハ」であり、「改質領域」が溶融処理領域であるのに対し、乙３４発明では、加工対象物がサファイアの半導体基板であり、「改質領域」が溶融しているか否か明確ではない点。 相違点３４－５本件発明１は、「加工対象物の内部に」改質領域を形成するのに対し、乙３４発明では、加工対象物の裏面に改質領域を形成している点。 ⑶ 容易想到性上記各相違点に係る本件発明１の構成は、以下のとおり、乙３４発明に乙２ ５発明を組み合わせることにより、いずれも当業者が容易に想到できる。 ア相違点３４－１相違点３４－１は、前記争点３－３（被告の主張）⑶において、本件発明１と乙３３発明との相違点である相違点３３－１について主張したのと同様の理由により、当業者が容易に想到できる。 イ相違点３４－２相違点３４－２は、要するに、本件発明１では１本の切断予定ラインに対して、切断の起点となる領域を加工対象物の内部の深さ方向が互いに異なる位置に複数列形成しているのに対し、乙３３発明では１列しか形成していないというものである。 そうすると、相違点３４－２は、前記争点３－３（被告の主張）⑶におい て、本件発明１と乙３３発明との相違点である相違点３３－２について主張 しか形成していないというものである。 そうすると、相違点３４－２は、前記争点３－３（被告の主張）⑶におい て、本件発明１と乙３３発明との相違点である相違点３３－２について主張したのと同様の理由により、当業者が容易に想到できる。 ウ相違点３４－３相違点３４－３は、前記争点３－３（被告の主張）⑶において、本件発明１と乙３３発明との相違点である相違点３３－３について主張したのと同 様の理由により、当業者が容易に想到できる。 エ相違点３４－４乙３４公報には、「本発明の一実施例としてサファイアの半導体基板について述べたが、このように被加工体がレーザ光線に対し透過性を有するものに対して効果的にスクライブできるものである」と記載されており、サファ イアの半導体基板以外に適用することが示唆されている。 そうすると、相違点３４－４は、前記争点３－３（被告の主張）⑶において、本件発明１と乙３３発明との相違点である相違点３３－４について主張したとの同様の理由により、当業者が容易に想到できる。 オ相違点３４－５ 乙２４公報には、レーザ照射による加工くずの発生の防止を目的とした、「加工対象物である半導体ウェハーの裏面にスクライブ・ラインを形成する代わりに、加工対象物の内部にスクライブ・ラインを形成するレーザ加工機。」という構成を有する発明（乙２４発明Ａ）が開示されているといえる。 そして、乙３４発明のように、レーザー照射によって裏面にスクライブ溝 を形成するレーザスクライブ法においては、レーザ照射による加工くずの発生が従来から課題として知られていた（乙３５公報の段落【０００２】）。 そうすると、乙３４発明において、レーザ照射による加工くずの発生の防止を目的として、乙２４発 ては、レーザ照射による加工くずの発生が従来から課題として知られていた（乙３５公報の段落【０００２】）。 そうすると、乙３４発明において、レーザ照射による加工くずの発生の防止を目的として、乙２４発明Ａを適用することは、当業者が容易に想到できることである。また、乙３４発明と乙２４発明Ａは、共にレーザスクライブ 法に関する技術であり、技術分野も同一である。一方で、乙３４発明と乙２ ４発明Ａを組み合わせることを阻害するような事情もない。 以上によれば、乙３４発明を基に、乙２４発明Ａを組み合わせることにより、上記相違点３４－５に係る本件発明１の構成は、当業者が容易に想到できる。 （原告の主張） ⑴ 乙３４発明の構成乙３４公報に記載された発明の構成は、次のとおりである（下線部は、被告主張に係る構成との相違点である。）。 ［構成３４ａ’］：半導体基板である加工対象物の表面及び裏面に、そのいずれかが分割の起点となる相互に対向する溝（１５及び１６） を形成するレーザスクライブ装置であって、［構成３４ｂ］：前記加工対象物が載置されるテーブルと、［構成３４ｃ］：レーザ光を出射するレーザ光源と、［構成３４ｄ’］：前記テーブルに載置された前記加工対象物の表面及び裏面に、前記レーザ光源から出射されたレーザ光を集光し、そ れらのレーザ光の集光点の位置で前記相互に対向する溝（１５及び１６）を形成させる凸レンズと、［構成３４ｅ’］：レーザ光の焦点を前記加工対象物の表面及び裏面に位置させた状態で、レーザ光の集光点が前記加工対象物の分割予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物の厚さ方 向と直交する方向に前記テーブルを移動させる機能を有する処理部と、を備え、［構成３４ｆ］：前記加工 の集光点が前記加工対象物の分割予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物の厚さ方 向と直交する方向に前記テーブルを移動させる機能を有する処理部と、を備え、［構成３４ｆ］：前記加工対象物はサファイアの半導体基板であること［構成３４ｇ］：を特徴とするレーザスクライブ装置。 ⑵ 一致点及び相違点 本件発明１と乙３４発明の一致点及び相違点は、次のとおりである。 ア一致点一致点が被告の主張のとおりであることは認める。 イ相違点被告の主張する相違点は正確であるとはいえず、本件発明１と乙３４発明との間には、少なくとも次の相違点が存在する。 相違点３４－Ａ本件発明１のレーザ加工装置は、「加工対象物の内部に、切断の起点となる改質領域を形成する」ものであるのに対し、乙３４発明のレーザ加工装置（レーザスクライブ装置）は、「加工対象物の表面及び裏面に、そのいずれかが分割の起点となる相互に対向する溝（１５及び１６）を形成す る」ものであって、「加工対象物の内部に、切断の起点となる改質領域を形成する」ものではない点。 相違点３４－Ｂ本件発明１の「制御部」は、「レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置するように、前記加工対象物のレーザ光入射面を基準として前記 加工対象物の厚さ方向に第１移動量だけ前記集光用レンズを移動させ、レーザ光の集光点が前記加工対象物の切断予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物の厚さ方向と直交する方向に前記載置台を移動させた後、レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置するように、前記レーザ光入射面を基準として前記加工対象物の厚さ方向に第２移動量だ け前記集光用 厚さ方向と直交する方向に前記載置台を移動させた後、レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置するように、前記レーザ光入射面を基準として前記加工対象物の厚さ方向に第２移動量だ け前記集光用レンズを移動させ、レーザ光の集光点が前記切断予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物の厚さ方向と直交する方向に前記載置台を移動させる機能を有する」ものであるのに対し、乙３４発明の「制御部」は、そのような機能を有するものではなく、「レーザ光の集光点が前記加工対象物の表面及び裏面に位置するように、前記加工対象物の 厚さ方向に前記集光用レンズを移動させ、レーザ光の集光点が前記加工対 象物の切断予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物の厚さ方向と直交する方向に前記載置台を移動させる機能を有する」にすぎないものである点。 ⑶ 容易想到性ア相違点３４－Ａ 乙３４公報その他の証拠にも、乙３４発明の「加工対象物の表面及び裏面に、そのいずれかが分割の起点となる相互に対向する溝（１５及び１６）を形成する」という構成を本件発明１の「加工対象物の内部に、切断の起点となる改質領域を形成する」という構成に置換することに対する動機付けを示す記載は一切ない。 むしろ、そのような構成の置換については阻害要因がある。すなわち、乙３４発明は、「従来の方法のごとく半導体基板の表面にレーザ光線を集光して溝をつけ、つまりスクライブして半導体基板を分割する方法ではサファイヤがレーザ光線に対して透過性を有するため、レーザ光線を透過しない被加工体に比ベ溝が浅くなり、分割する場合に不規則に割れ、半導体基板上の回 路・素子を破壊もしくは損傷するという欠点があった。」という課題を踏まえ、「集光点を被加工体の集光光学系 を透過しない被加工体に比ベ溝が浅くなり、分割する場合に不規則に割れ、半導体基板上の回 路・素子を破壊もしくは損傷するという欠点があった。」という課題を踏まえ、「集光点を被加工体の集光光学系の面に一致させ、その後その反対側の面に合わせ、被加工体を加工し得るレーザスクライブ装置」という構成を採用することで、「このように半導体基板５の両面に対向してスクライブした後に分割すれば、第２ 図（ｂ）の点線１７より割れ、その分割面は、ほぼ直 線状に割れる。」という作用効果を得ることができたというものである。そうすると、乙３４発明は、構成３４ａ’における「加工対象物の表面及び裏面に、そのいずれかが分割の起点となる相互に対向する溝（１５及び１６）を形成する」という構成を課題解決手段とした発明であるということができる。したがって、その構成を、本件発明１のように「加工対象物の内部に、 切断の起点となる改質領域を形成する」という構成に置換した場合には、乙 ３４発明の課題解決手段がもはや機能しなくなることは明らかである。 イ相違点３４－Ｂ乙３４発明は、加工対象物の表面及び裏面に、そのいずれかが分割の起点となる相互に対向する溝（１５及び１６）を形成するものであって、「加工対象物の内部」に改質領域を形成するものではない。したがって、乙３４発 明について、レーザ光の集光点を「加工対象物の内部」に位置するように移動させるようにすべき理由は存在せず、乙３４発明には、相違点３４－Ｂに係る本件発明１の構成を採用すべき理由がない。この点のみからも、乙３４発明において相違点３４－Ｂに係る本件発明１の構成を採用することが、当業者において容易に想到し得るものではないことは明らかである。 ウ以上のとおり、本件発明１は、 の点のみからも、乙３４発明において相違点３４－Ｂに係る本件発明１の構成を採用することが、当業者において容易に想到し得るものではないことは明らかである。 ウ以上のとおり、本件発明１は、乙３４発明に基づき当業者が容易想到し得たものではない。 17 争点３－５（乙２５に基づく進歩性の欠如）（被告の主張）⑴ 乙２５発明の構成 乙２５公報には、以下の発明が記載されている。 ［構成２５ａ］：厚板の合成石英ガラスである加工対象物の内部に、切断の起点となる連続的なクラックを形成するレーザ加工装置であって、［構成２５ｂ］：前記加工対象物が載置される載置台と、 ［構成２５ｃ］：レーザ光を出射するレーザ光源と、［構成２５ｄ］：前記載置台に載置された前記加工対象物の内部に、前記レーザ光源から出射されたレーザ光を集光し、そのレーザ光の集光点の位置で前記連続的なクラックを形成させるレンズと、［構成２５ｅ］：レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置した状態 で、レーザ光の集光点が前記加工対象物の切断予定ラインに沿 って移動するように、前記加工対象物を回転させつつ、前記レンズを垂直方向に移動させる機能を有する処理部と、を備え、［構成２５ｆ］：前記加工対象物は厚板の合成石英ガラスであること［構成２５ｇ］：を特徴とするレーザ加工装置。 ⑵ 一致点及び相違点 本件発明１と乙２５発明の一致点及び相違点は、以下のとおりである。 ア一致点本件発明１と乙２５発明は、いずれも「加工対象物の内部に、切断の起点となる改質領域を形成するレーザ加工装置であって、前記加工対象物が載置される載置台と、レーザ光を出射するレーザ光源 致点本件発明１と乙２５発明は、いずれも「加工対象物の内部に、切断の起点となる改質領域を形成するレーザ加工装置であって、前記加工対象物が載置される載置台と、レーザ光を出射するレーザ光源と、前記載置台に載置され た前記加工対象物の内部に、前記レーザ光源から出射されたレーザ光を集光し、そのレーザ光の集光点の位置で前記改質領域を形成させる集光用レンズと、レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置」した状態で「レーザ光の集光点が前記加工対象物の切断予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物」を動作する「機能を有する制御部と、を備えることを特徴と するレーザ加工装置」である点において一致する。 イ相違点 相違点２５－１レーザ光の集光点が加工対象物に位置するようにするに当たって、本件発明１は、「加工対象物のレーザ光入射面を基準として前記加工対象物の 厚さ方向に第１移動量だけ前記集光用レンズを移動させ」るのに対し、乙２５発明では、どのように調整しているのか明らかではない点。 相違点２５－２本件発明１は、レーザ光の集光点を直線的に移動させるのに対し、乙２５発明では、加工対象物を回転させている点。 相違点２５－３ 本件発明１の「制御部」は、載置台を移動させた後、更に「レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置するように、前記レーザ光入射面を基準として前記加工対象物の厚さ方向に第２移動量だけ前記集光用レンズを移動させ、レーザ光の集光点が前記切断予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物の厚さ方向と直交する方向に前記載置台を移動さ せる機能」を有するのに対し、乙２５発明の処理部は、そのような機能を有しない点。 切断予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物の厚さ方向と直交する方向に前記載置台を移動さ せる機能」を有するのに対し、乙２５発明の処理部は、そのような機能を有しない点。 相違点２５－４本件発明１は、加工対象物が「ウェハ状の」「シリコンウェハ」であり、「改質領域」が溶融処理領域であるのに対し、乙２５発明では、加工対象 物が厚板の合成石英ガラスであり、「改質領域」が溶融しているか否か明確ではない点。 ⑶ 容易想到性上記各相違点に係る本件発明１の構成は、以下のとおり、乙２５発明に周知技術を適用することにより、いずれも当業者が容易に想到できる。 ア相違点２５－１乙２５公報には、レーザ光の集光点が加工対象物に位置するようにするための具体的な態様は開示されていないものの、レンズの移動量を調整することで集光点を調整することは、当業者であれば具体的技術の適用として当然行うことである。そして、レンズの移動量を決定するに当たって、レーザ光 入射面を基準とするか、それとも他の位置を基準とするかは当業者が適宜設計可能な設計事項にすぎない。 そうすると、上記相違点２５－１に係る本件発明１の構成は、当業者が適宜設計すべき事項として容易に想到できる。 イ相違点２５－２ 乙２５発明では、加工対象物を回転させることによって、加工対象物の内 部に改質領域を形成しているものの、乙２５発明は、透明材料を複雑な形状に切断加工することを目的とした発明であり、当業者であれば、曲線的な加工のみならず、直線的な加工も想定していると理解する。 そうすると、相違点２５－２に係る本件発明１の構成は、当業者が適宜設計すべき事項として容易に想到できる。 、当業者であれば、曲線的な加工のみならず、直線的な加工も想定していると理解する。 そうすると、相違点２５－２に係る本件発明１の構成は、当業者が適宜設計すべき事項として容易に想到できる。 ウ相違点２５－３本件発明１では１本の切断予定ラインに対して、切断の起点となる領域を加工対象物の内部の深さ方向が互いに異なる位置に複数列形成している。これに対し、乙２５発明では加工対象物を回転させながらレーザ光の集光点の位置を変えることにより、１本の切断予定ラインに対して、切断の起点とな る領域を加工対象物の内部の深さ方向が互いに異なる位置に複数形成している。要するに、相違点２５－３は、本件発明１が直線状に改質領域を形成することから、上下に２段形成されるところ、乙２５発明は回転しながらレーザ光の集光点の位置を引き上げることで、上下に複数段形成する点で異なることをいうものである。 そして、相違点２５－２において述べたように、乙２５発明について、直線状に加工する態様が容易に想到できる以上、相違点２５－３に係る本件発明１の構成も当業者が容易に想到できる。 エ相違点２５－４乙２５発明の加工対象物は、厚板の合成石英ガラスであり、ウェハ状のも のでもなければ、シリコンウェハでもないものの、レーザ加工によってシリコンウェハを切断することは周知慣用技術であり、また、レーザ加工によってシリコンウェハの内部に集光点を集めてマーキングをする技術や、レーザ加工において、加工対象物をシリコンウェハとした場合、条件次第でシリコンウェハを溶融可能であることも周知技術である。他方で、本件明細書等１ には、加工対象物をシリコンウェハとし、かつ、改質領域を溶融処理領域と した場合に限り得られる作用効果について、 ウェハを溶融可能であることも周知技術である。他方で、本件明細書等１ には、加工対象物をシリコンウェハとし、かつ、改質領域を溶融処理領域と した場合に限り得られる作用効果について、何ら言及がない。 そうすると、乙２５発明を基に、加工対象物をシリコンウェハとし、改質領域を溶融処理領域とすることは、当業者が容易に想到できる。 （原告の主張）⑴ 乙２５発明の構成 乙２５発明は、少なくとも構成２５ａを、次の構成２５ａ’のように修正して特定するのが妥当である（下線部は、被告主張に係る構成との相違点である。）。 ［構成２５ａ’］：厚板の合成石英ガラスの内部に、底面（レーザ光入射面とは反対側の面）から上面（レーザ光入射面）に亘る連続的なク ラックを形成することによって、前記加工対象物を切断するレーザ加工装置であって、⑵ 一致点及び相違点ア一致点本件発明１と乙２５発明は、いずれも「加工対象物の内部に、改質領域を 形成するレーザ加工装置であって、前記加工対象物が載置される載置台と、レーザ光を出射するレーザ光源と、前記載置台に載置された前記加工対象物の内部に、前記レーザ光源から出射されたレーザ光を集光し、そのレーザ光の集光点の位置で前記改質領域を形成させる集光用レンズと、前記集光用レンズを移動させ、前記載置台を移動させる機能を有する制御部と、を備える ことを特徴とするレーザ加工装置」である点において一致する。 イ相違点本件発明１の進歩性に影響しない相違点は措くとしても、本件発明１と乙２５発明との間には、本件発明１の進歩性に影響する構成上の相違点として、少なくとも次の相違点があるというべきである。 相違点２５－Ａ 本件 ても、本件発明１と乙２５発明との間には、本件発明１の進歩性に影響する構成上の相違点として、少なくとも次の相違点があるというべきである。 相違点２５－Ａ 本件発明１のレーザ加工装置は、「シリコンウェハの内部に、切断の起点となる改質領域を形成する」ものであるのに対し、乙２５発明のレーザ加工装置は、「厚板の合成石英ガラスの内部に、底面（レーザ光入射面とは反対側の面）から上面（レーザ光入射面）に亘って連続的なクラックを形成することによって、前記加工対象物を切断する」もの（構成２５ａ’ を採用したもの）であって、「シリコンウェハの内部に、切断の起点となる改質領域を形成する」ものではない点。 相違点２５－Ｂ本件発明１の「制御部」は、「レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置するように、前記加工対象物のレーザ光入射面を基準として前記 加工対象物の厚さ方向に第１移動量だけ前記集光用レンズを移動させ、レーザ光の集光点が前記加工対象物の切断予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物の厚さ方向と直交する方向に前記載置台を移動させた後、レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置するように、前記レーザ光入射面を基準として前記加工対象物の厚さ方向に第２移動量だ け前記集光用レンズを移動させ、レーザ光の集光点が前記切断予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物の厚さ方向と直交する方向に前記載置台を移動させる機能を有する」ものであるのに対し、乙２５発明の「制御部」は、そのような機能を有するものではなく、代わりに「レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置した状態で、レーザ光の集光点 が前記加工対象物の切断予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物を回転させ 能を有するものではなく、代わりに「レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置した状態で、レーザ光の集光点 が前記加工対象物の切断予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物を回転させつつ、前記レンズを垂直方向に移動させる機能を有する」もの（被告主張に係る［構成２５ｅ］を採用したもの）である点。 ⑶ 容易想到性ア相違点２５－Ａ 乙２５発明おける「加工対象物」が「厚板の合成石英ガラス」であると いう構成は、乙２５発明における課題解決のための技術的手段ではなく、課題が生じる前提となる構成である。そのような加工対象物を別のものに置換するということは、乙２５発明が想定していた課題が生じる前提を失わせるものであるから、他の文献に記載された技術を組み合わせることが容易か否かにかかわらず、当業者が容易に想到し得ることではない。すな わち、乙２５公報の［発明が解決しようとする課題］の記載からも明らかなように、乙２５発明は、１０ｍｍ程度以上の厚さを有する厚板状の透明な加工対象物を「直線状あるいは円筒形」以外の複雑な形状に加工することを目的とした発明であるのに対し、「シリコンウェハ」は、通常、厚さが数百μm 以下であり、直線状以外の複雑な形状に切断するニーズが存在 することが知られていたものでもない。 したがって、乙２５公報に接した当業者は、その加工対象物を「シリコンウェハ」に置換することには想到しない。 また、乙２５公報を含め、上記構成２５ａ’に換えて本件発明１の「シリコンウェハの内部に、切断の起点となる改質領域を形成する」という構 成を採用することに対する動機付けを示す記載のある文献は、存在しない。 イ相違点２５－Ｂ乙２５公報を含め、上記構成２５ｅに換 ェハの内部に、切断の起点となる改質領域を形成する」という構 成を採用することに対する動機付けを示す記載のある文献は、存在しない。 イ相違点２５－Ｂ乙２５公報を含め、上記構成２５ｅに換えて本件発明１の制御部に係る構成を採用することに対する動機付けを示す記載は、全くない。 ウ以上のとおり、本件発明１は、乙２５発明に基づき当業者が容易に想到し 得たものではない。 18 争点３－６（乙３６に基づく進歩性の欠如）（被告の主張）⑴ 乙３６発明の構成乙３６公報には、次の発明が記載されている。 ［構成３６ａ］：シリコン基板である加工対象物の内部に、マーキングと なる微小亀裂群を形成するレーザ加工装置であって、［構成３６ｂ］：前記加工対象物が載置される保持台と、［構成３６ｃ］：レーザ光を出射するレーザ光源と、［構成３６ｄ］：前記保持台に載置された前記加工対象物の内部に、前記レーザ光源から出射されたパルスレーザ光を集光し、そのレ ーザ光の集光点の位置で微小亀裂群を形成させる集光光学系と、［構成３６ｅ］：レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置した状態で、レーザ光の集光点が前記加工対象物の前記マーキング予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物の厚さ 方向と直交する方向に前記保持台を移動させる機能を有する制御部と、を備え、［構成３６ｆ］：前記加工対象物はシリコン基板であること［構成３６ｇ］：を特徴とするレーザ加工装置。 ⑵ 一致点及び相違点 ア一致点本件発明１と乙３６発明は、いずれも「ウェハ状の加工対象物の内部に、改質領域を形成するレーザ加工装置であって、前記加工対 するレーザ加工装置。 ⑵ 一致点及び相違点 ア一致点本件発明１と乙３６発明は、いずれも「ウェハ状の加工対象物の内部に、改質領域を形成するレーザ加工装置であって、前記加工対象物が載置される載置台と、レーザ光を出射するレーザ光源と、前記載置台に載置された前記加工対象物に、前記レーザ光源から出射されたパルスレーザ光を集光し、そ のレーザ光の集光点の位置で前記改質領域を形成させる集光用レンズと、レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置」した状態で「レーザ光の集光点が前記加工対象物の予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物の厚さ方向と直交する方向に前記載置台を移動させる機能を有する制御部と、を備え、前記加工対象物はシリコンウェハであることを特徴とするレ ーザ加工装置」である点において一致する。 イ相違点 相違点３６－１本件発明１は切断に関する技術であるのに対し、乙３６発明はマーキングに関する技術である点。 相違点３６－２ レーザ光の集光点が加工対象物の内部に位置するようにするに当たって、本件発明１は、「加工対象物のレーザ光入射面を基準として前記加工対象物の厚さ方向に第１移動量だけ前記集光用レンズを移動させ」るのに対し、乙３６発明では、どのように調整しているのか明らかではない点。 相違点３６－３ 本件発明１の「制御部」は、載置台を移動させた後、更に「レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置するように、前記レーザ光入射面を基準として前記加工対象物の厚さ方向に第２移動量だけ前記集光用レンズを移動させ、レーザ光の集光点が前記切断予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物の厚さ方向と直交する方向に前記載置台を移 を基準として前記加工対象物の厚さ方向に第２移動量だけ前記集光用レンズを移動させ、レーザ光の集光点が前記切断予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物の厚さ方向と直交する方向に前記載置台を移動さ せる機能」を有するのに対し、乙３６発明の制御部は、そのような機能を有しない点。 相違点３６－４本件発明１は、「改質領域」が多光子吸収によって形成された領域であるのに対し、乙３６発明では、改質領域がどのようにして形成され、どの ような形状なのか明らかではない点。 相違点３６－５本件発明１は、加工対象物が「シリコンウェハ」であり、「改質領域」が溶融処理領域であるのに対し、乙３６発明では、加工対象物がシリコン基板であり、「改質領域」が溶融しているか否か明確ではない点。 ⑶ 容易想到性 上記各相違点に係る本件発明１の構成は、以下のとおり、乙３６発明に乙２５発明及び周知技術を適用することにより、いずれも当業者が容易に想到できる。 ア相違点３６－１レーザ加工の一般的な分類によれば、レーザ加工は、除去、接合、表面改 質の３つに大別され、除去という分類の下に、切断（金属、非金属の薄板切断）及びマーキング（工具、半導体など）が挙げられる。 レーザ加工のうち、切断とマーキングは、同じ除去という大分類に属しており、近縁の技術分野である。したがって、当業者にとっては、マーキングに係る発明を切断に適用することは、適宜設計可能な事項の範囲内であり、 容易に想到できることである。 このように、一般に切断とマーキングとが近接した技術分野である点に加えて、本件発明１の切断方法は、加工対象物に内部から表面まで達するクラック等を形成して直ちに切 容易に想到できることである。 このように、一般に切断とマーキングとが近接した技術分野である点に加えて、本件発明１の切断方法は、加工対象物に内部から表面まで達するクラック等を形成して直ちに切断を行うものではなく、むしろ、表面に不必要な割れが発生することにより、半導体チップが損傷するとの課題を解決するた めに、加工対象物の内部に切断の起点を設け、表面に不必要な割れを発生しないようにするというものである。このような本件発明１の具体的内容に照らせば、加工対象物の内部に設けた改質領域を、本件発明１の切断に供するか、マーキングに供するかは、当業者にとっては、設計事項の範囲内に属し、これらの用途を適宜選択すれば足りることである。 このように、相違点１は、そもそも実質的な相違点ではなく、当業者の適宜設計可能な事項の範囲内であるにすぎない。 イ相違点３６－２乙３６公報には、レーザ光の集光点が加工対象物の内部に位置するようにするための具体的な態様は開示されていないものの、レンズの移動量を 調整することで集光点を調整することは、当業者であれば具体的技術の適 用として当然行うことである。そして、レンズの移動量を決定するに当たって、レーザ光入射面を基準とするか、それとも他の位置を基準とするかは当業者が適宜設計可能な設計事項にすぎない。 そうすると、相違点３６－２に係る本件発明１の構成は、当業者が適宜設計すべき事項として容易に想到できる。 ウ相違点３６－３相違点３６－３は、要するに、本件発明１では１本の切断予定ラインに対して、切断の起点となる領域を加工対象物の内部の深さ方向が互いに異なる位置に複数列形成しているのに対し、乙３６発明では１列しかマーキングラインを は、要するに、本件発明１では１本の切断予定ラインに対して、切断の起点となる領域を加工対象物の内部の深さ方向が互いに異なる位置に複数列形成しているのに対し、乙３６発明では１列しかマーキングラインを形成していないというものである。 もっとも、乙２５公報には、「焦点は、最初ワークの下側にあわせ、それから上方に移動させるのが効率的である」との記載や、「焦点の位置を３ｍｍ／ｍｉｎの速さでワーク底面より引き上げることにより、直径３０ｍｍの円筒形の孔をあけた。このとき、ワーク内部におけるエキシマレーザのビームの垂直方向の焦点位置は、レンズの位置を移動させることによって変化さ せた」との記載がある。そうすると、乙２５公報には、レーザ光の集光点の位置を変えることにより、１本の切断予定ラインに対して、切断の起点となる領域を加工対象物の内部の深さ方向が互いに異なる位置に複数形成する技術が開示されているといえる。すなわち、乙２５公報には、上記相違点３６－３に係る本件発明１の構成が開示されている。 そして、後述するように、乙３６発明に乙２５発明を組み合わせることは、当業者が容易に想到できる。 そうすると、１本の切断予定ラインに対して、改質領域を加工対象物の内部の深さ方向が互いに異なる位置に複数形成すること、すなわち相違点３６－３に係る本件発明１の構成は、当業者が容易に想到できる。 エ相違点３６－４ 相違点３６－４に係る本件発明１の構成については、前記争点３－３（被告の主張）⑶において、本件発明１と乙３３発明との相違点である相違点３３－３について主張したのと同様の理由により、当業者が容易に想到できる。 オ相違点３６－５乙３６発明は、シリコン基板を加工対象物とするものであるところ 乙３３発明との相違点である相違点３３－３について主張したのと同様の理由により、当業者が容易に想到できる。 オ相違点３６－５乙３６発明は、シリコン基板を加工対象物とするものであるところ、レ ーザ加工において、シリコンウェハーを加工対象物とした場合に、条件次第でシリコンウェハーを溶融可能であることは、周知慣用技術である。また、本件明細書等１には、シリコンウェハーを加工対象物とし、かつ、改質領域を溶融処理領域とした場合に得られる作用効果についての言及はない。 そうすると、乙３６発明を基に、シリコンウェハーを加工対象物とし、改質領域を溶融処理領域とすることは、当業者が容易に想到できる。 したがって、相違点３６－５に係る本件発明１の構成は、周知慣用技術を適用することで、当業者が容易に想到できる。 （原告の主張） ⑴ 乙３６発明の構成乙３６公報には、被告主張に係る乙３６発明の構成のうち、少なくとも、「微小亀裂群を形成するレーザ加工装置」、「微小亀裂群を形成させる集光光学系」に相当する各構成は記載されていない。そして、被告が「微小亀裂」と称しているものは、乙３６公報の請求項の記載に依拠するのであれば「変質領域」の ような表現が妥当であるし、段落【００２２】の記載に依拠するのであれば、「光学的損傷」のような表現が妥当である。 そうすると、乙３６発明は、次のとおり特定すべきである（下線部は、被告主張に係る構成との相違点である。）。 ［構成３６ａ’］：シリコン基板である加工対象物の内部に、マーキング となる光学的損傷を形成するレーザ加工装置であって、 ［構成３６ｂ］：前記加工対象物が載置される保持台と、［構成３６ｃ］：レーザ光を出射する 部に、マーキング となる光学的損傷を形成するレーザ加工装置であって、 ［構成３６ｂ］：前記加工対象物が載置される保持台と、［構成３６ｃ］：レーザ光を出射するレーザ光源と、［構成３６ｄ’］：前記保持台に載置された前記加工対象物の内部に、前記レーザ光源から出射され、ビーム分割手段により分割されたパルスレーザ光を集光し、そのレーザ光の集光点の位置で光 学的損傷を形成させる集光光学系と、［構成３６ｅ’］：レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置するように、光検出器から得られた発光強度情報に基づいて、前記集光光学系と前記保持台とのレーザビームの光軸方向に関する相対位置を調整し、レーザ光の集光点が前記加工対象物 の内部に位置した状態で、レーザ光の集光点が前記加工対象物の前記マーキング予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物の厚さ方向と直交する方向に前記保持台を移動させる機能を有する制御部と、を備え、［構成３６ｆ］：前記加工対象物はシリコン基板であること ［構成３６ｇ］：を特徴とするレーザ加工装置。 ⑵ 一致点及び相違点ア一致点被告主張に係る一致点は、本件発明１の構成要件ではない「パルスレーザ光」を一致点として含んでいること等の点で不正確であり、本件発明１と乙 ３６発明との間の一致点は、次のように特定するのが妥当である。 すなわち、本件発明１と乙３６発明は、いずれも「ウェハ状の加工対象物の内部に、改質領域を形成するレーザ加工装置であって、前記加工対象物が載置される載置台と、レーザ光を出射するレーザ光源と、前記載置台に載置された前記加工対象物の内部に、前記レーザ光源から出射されたレーザ光を 集光し するレーザ加工装置であって、前記加工対象物が載置される載置台と、レーザ光を出射するレーザ光源と、前記載置台に載置された前記加工対象物の内部に、前記レーザ光源から出射されたレーザ光を 集光し、そのレーザ光の集光点の位置で前記改質領域を形成させる集光用レ ンズと、レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置した状態でレーザ光の集光点が前記加工対象物の予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物の厚さ方向と直交する方向に前記載置台を移動させる機能を有する制御部と、を備え、前記加工対象物はシリコンウェハであることを特徴とするレーザ加工装置」である点において一致する。 イ相違点 相違点３６－Ａ本件発明１のレーザ加工装置は、加工対象物の内部に、「切断の起点となる改質領域を形成する」ものであるのに対し、乙３６発明のレーザ加工装置は、加工対象物の内部に、「マーキングとなる光学的損傷を形成する」 ものであって、「切断の起点となる改質領域を形成する」ものではない点。 相違点３６－Ｂ本件発明１の「制御部」は、「レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置するように、前記加工対象物のレーザ光入射面を基準として前記加工対象物の厚さ方向に第１移動量だけ前記集光用レンズを移動させ、レ ーザ光の集光点が前記加工対象物の切断予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物の厚さ方向と直交する方向に前記載置台を移動させた後、レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置するように、前記レーザ光入射面を基準として前記加工対象物の厚さ方向に第２移動量だけ前記集光用レンズを移動させ、レーザ光の集光点が前記切断予定ライン に沿って移動するように、前記加工対象物の厚さ方向と直交する方向に前記載 を基準として前記加工対象物の厚さ方向に第２移動量だけ前記集光用レンズを移動させ、レーザ光の集光点が前記切断予定ライン に沿って移動するように、前記加工対象物の厚さ方向と直交する方向に前記載置台を移動させる機能を有する」ものであるのに対し、乙３６発明の「制御部」は、そのような機能を有するものではない点。 ⑶ 容易想到性ア相違点３６－Ａ 乙３６公報はもとより、いずれの文献にも、乙３６発明における「マーキ ングとなる光学的損傷を形成する」という構成を本件発明１の「切断の起点となる改質領域を形成する」という構成に置換することに対する動機付けを示す記載は全くない。 むしろ、乙３６発明における「マーキングとなる光学的損傷を形成する」という構成を本件発明１の「切断の起点となる改質領域を形成する」という 構成に置換した場合には、マーキングという乙３６発明の本来の目的を達成することができなくなることが明らかであるから、当業者がそのような置換をするはずがない。すなわち、乙３６発明には、上記のような置換につき、明らかな阻害要因がある。 イ相違点３６－Ｂ 被告は、レンズの移動量を決定するに当たって、レーザ光入射面を基準とするか、それとも他の位置を基準とするかは当業者が適宜設計可能な設計事項にすぎない旨主張する（被告主張に係る相違点３６－２）。 しかしながら、乙３６発明は、「加工対象物の表面に損傷を与えることなく、その内部にマーキングする」という課題を解決するために、「レー ザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置するように、光検出器から得られた発光強度情報に基づいて、前記集光光学系と前記保持台とのレーザビームの光軸方向に関する相対位置を調整し、」という構成 ザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置するように、光検出器から得られた発光強度情報に基づいて、前記集光光学系と前記保持台とのレーザビームの光軸方向に関する相対位置を調整し、」という構成を必須の構成とする発明であるから、そもそも、レーザ光の集光点が加工対象物の内部に位置するようにするに当たり、「加工対象物のレーザ光入射面を基準に 特定の移動量だけ集光光学系を移動させる」という構成を採用する余地はない。 また、被告は、乙２５公報には、レーザ光の集光点の位置を変えることにより、１本の切断予定ラインに対して、切断の起点となる領域を加工対象物の内部の深さ方向が互いに異なる位置に複数形成する技術（相違点３ ６－３に係る本件発明１の構成）が開示されているという前提に立ち、乙 ３６発明に当該技術を組み合わせることは、当業者が容易に想到できる旨主張する（被告主張に係る相違点３６－３）。 しかしながら、乙２５公報には、上記相違点３６－３に係る本件発明１の構成は開示されていない。 仮に、開示されていたとしても、その技術は、厚板の切断のための技術 であるから、「薄板状の被加工部材にマーキングする際にも、表面まで達するクラックの発生を抑制すること」を目的とした乙３６発明に適用するという発想は生じない。むしろ、乙３６発明に「１本の切断予定ラインに対して、切断の起点となる領域を加工対象物の内部の深さ方向が互いに異なる位置に複数形成する技術」を採用した場合には、「表面まで達するク ラックの発生」が促進されることになり、乙３６発明が解決しようとした課題を解決できなくなるため、乙３６発明には、「１本の切断予定ラインに対して、切断の起点となる領域を加工対象物の内部の深さ方向が互いに異なる位置に複数形成する技術」 り、乙３６発明が解決しようとした課題を解決できなくなるため、乙３６発明には、「１本の切断予定ラインに対して、切断の起点となる領域を加工対象物の内部の深さ方向が互いに異なる位置に複数形成する技術」を採用することに対する阻害要因がある。 ウ以上のとおり、本件発明１は、乙３６発明に基づき当業者が容易想到し得 たものではない。 19 争点３－７（乙３７に基づく進歩性の欠如）（被告の主張）⑴ 乙３７発明の構成乙３７公報には、次の発明の構成が記載されている。 ［構成３７ａ］：ウェハ状の加工対象物の内部に切断の起点となる光学破壊群を形成するレーザ加工装置であって、［構成３７ｂ］：前記加工対象物はレーザ光に対して、相対移動可能であり、［構成３７ｃ］：レーザ光を出射するレーザ光源と［構成３７ｄ］：前記加工対象物の内部に、前記レーザ光源から出射された パルスレーザ光を集光し、そのレーザ光の集光点の位置で前記 光学破壊群を形成させる対物レンズと、［構成３７ｅ］：レーザ光の集光点が前記加工対象物に対して鋸運動するように制御する制御部と、を備え、［構成３７ｆ］：前記加工対象物はシリコンウェハであること［構成３７ｇ］：を特徴とするレーザ加工装置。 ⑵ 相違点及び一致点本件発明１と乙３７発明の一致点及び相違点は、以下のとおりである。 ア一致点本件発明１と乙３７発明は、いずれも「ウェハ状の加工対象物の内部に、切断の起点となる改質領域を形成するレーザ加工装置であって、レーザ光を 出射するレーザ光源と、前記加工対象物の内部に、前記レーザ光源から出射されたパルスレーザ光を集光し、そのレーザ光の集 に、切断の起点となる改質領域を形成するレーザ加工装置であって、レーザ光を 出射するレーザ光源と、前記加工対象物の内部に、前記レーザ光源から出射されたパルスレーザ光を集光し、そのレーザ光の集光点の位置で前記改質領域を形成させる集光用レンズと、制御部と、を備え、前記加工対象物はシリコンウェハであることを特徴とするレーザ加工装置」である点において一致する。 イ相違点 相違点３７－１本件発明１は、「加工対象物が載置される載置台」を備えるのに対し、乙３７発明では、加工対象物はレーザ光に対して相対移動している点。 相違点３７－２ 本件発明１は、制御部が「レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置するように、前記加工対象物のレーザ光入射面を基準として前記加工対象物の厚さ方向に第１移動量だけ前記集光用レンズを移動させ、レーザ光の集光点が前記加工対象物の切断予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物の厚さ方向と直交する方向に前記載置台を移動させた後、 レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置するように、前記レーザ 光入射面を基準として前記加工対象物の厚さ方向に第２移動量だけ前記集光用レンズを移動させ、レーザ光の集光点が前記切断予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物の厚さ方向と直交する方向に前記載置台を移動させる機能を有する」のに対し、乙３７発明は、制御部が、レーザ光の集光点が前記加工対象物に対して鋸運動するように制御する点。 相違点３７－３本件発明１は、「改質領域」が多光子吸収によって形成された領域であるのに対し、乙３７発明では、改質領域がどのようにして形成され、どのような形状なのか明らかではない点。 相違点３７ 本件発明１は、「改質領域」が多光子吸収によって形成された領域であるのに対し、乙３７発明では、改質領域がどのようにして形成され、どのような形状なのか明らかではない点。 相違点３７－４ 本件発明１は、加工対象物が「シリコンウェハ」であり、「改質領域」が溶融処理領域であるのに対し、乙３７発明では、加工対象物がシリコンウェハではあるものの、「改質領域」が溶融しているか否か明確ではない点。 ⑶ 容易想到性 上記各相違点に係る本件発明１の構成は、以下のとおり、乙３７発明に乙２５発明Ａ及び周知技術を適用することにより、いずれも当業者が容易に想到できる。 ア相違点３７－１乙３７発明では、加工対象物はレーザ光に対して相対移動しているものの、 載置台を有するか否かは明確ではない。 もっとも、レーザ加工を行う際に、加工対象物を載置する載置台を設けることは、当業者にとって周知慣用技術である。そして、本件発明１において、載置台を設けることの有利な作用効果については、本件明細書等１には記載も示唆もなされていない。 そうすると、上記相違点３７－１に係る本件発明１の構成は、乙３７発明 を基に周知慣用技術を適用することで当業者が容易に想到できる。 イ相違点３７－２乙３７発明では、レーザ光の集光点が前記加工対象物に対して鋸運動する。 ここにいう「鋸運動」とは、図示すると、次のようなものである。そうすると、相違点３７－２については、文言上は相違する部分は多いように見える ものの、実際の動作は酷似しており、唯一、本件発明１は、レンズの移動量を決定するに当たって、レーザ光入射面を基準としている点で、乙３７発明と相違するにすぎない。 ように見える ものの、実際の動作は酷似しており、唯一、本件発明１は、レンズの移動量を決定するに当たって、レーザ光入射面を基準としている点で、乙３７発明と相違するにすぎない。 そして、レンズの移動量を決定するに当たって、レーザ光入射面を基準とするか、それとも他の位置を基準とするかは、当業者が適宜設計可能な設計事項にすぎない。 したがって、上記相違点３７－２に係る本件発明１の構成は、当業者が適 宜設計すべき事項として容易に想到できる。 ウ相違点３７－３ 副引例としての乙２５発明Ａ前記のとおり、乙２５公報には、「加工対象物の内部に集光点を合わせ てレーザ光を照射することにより、加工対象物の内部に改質領域を形成するレーザ加工方法において、改質領域を多光子吸収によって形成するレーザ加工方法。」という発明が記載されている（乙２５発明Ａ）。 乙３７発明と乙２５発明Ａの組合せ乙３７発明及び乙２５発明Ａは、共に加工対象物の内部に集光点を合わ せてレーザ光を照射することで、加工対象物の内部に改質領域を形成している点で、技術分野が同一である。 また、乙２５発明Ａは、加工対象物を複雑な形状に切断加工することを課題とした発明であるところ、乙３７発明もレーザ加工方法に関する発明である以上、自明の課題として複雑な形状に切断加工するという課題を有 しており、課題も共通している。そして、乙３７発明に乙２５発明Ａを組み合わせることに格別な困難性もない。 そうすると、乙３７発明を基に乙２５発明Ａを組み合わせることで、改質領域を多光子吸収によって形成することは、当業者にとって容易に想到できることである。 せることに格別な困難性もない。 そうすると、乙３７発明を基に乙２５発明Ａを組み合わせることで、改質領域を多光子吸収によって形成することは、当業者にとって容易に想到できることである。 したがって、相違点３７－３に係る本件発明１の構成は、当業者が容易に想到できる。 エ相違点３７－４乙３７発明においては、加工対象物であるシリコンウェハーが溶融しているか否か明らかではないものの、レーザ加工において、加工対象物をシリコ ンウェハーとした場合、条件次第でシリコンウェハーを溶融可能であることは周知慣用技術である。そして、本件発明１において、加工対象物をシリコンウェハーとし、かつ、改質領域を溶融処理領域とした場合に限り得られる作用効果については、本件明細書等１には記載も示唆もなされていない。 そうすると、乙３７発明を基に、加工対象物をシリコンウェハーとし、改 質領域を溶融処理領域とすることは、当業者が容易に想到できることである。 したがって、上記相違点３７－４に係る本件発明１の構成は、周知慣用技術を適用することで、当業者が容易に想到できる。 （原告の主張）⑴ 乙３７公報に記載された発明の構成乙３７公報には、被告主張に係る［構成ａ］及び［構成ｆ］とを備えた「レ ーザ加工装置」の発明、すなわち、「シリコンウェハの内部に切断の起点となる光学破壊群を形成するレーザ加工装置」の発明は記載されてはいない。 したがって、乙３７発明については、［構成ａ］及び［構成ｆ］を、それぞれ、次の［構成ａ’］と［構成ｆ’］のように修正して特定するのが妥当である（下線部は、被告主張に係る構成との相違点である。）。 ［構成ａ’］：ウェハ状の加工対象物の表面から ］を、それぞれ、次の［構成ａ’］と［構成ｆ’］のように修正して特定するのが妥当である（下線部は、被告主張に係る構成との相違点である。）。 ［構成ａ’］：ウェハ状の加工対象物の表面から、完全に切れた溝を厚さ方向に連続させることで切断するレーザ加工装置であって、［構成ｆ’］：前記加工対象物は特定されないこと、⑵ 一致点及び相違点ア一致点 本件発明１と乙３７発明は、いずれも「ウェハ状の加工対象物の内部に、改質領域を形成するレーザ加工装置であって、レーザ光を出射するレーザ光源と、前記加工対象物の内部に、前記レーザ光源から出射されたパルスレーザ光を集光し、そのレーザ光の集光点の位置で前記改質領域を形成させる集光用レンズと、制御部と、を備えるレーザ加工装置」である点において一致 する。 イ相違点 相違点３７－Ａ本件発明１のレーザ加工装置は、「シリコンウェハの内部に、切断の起点となる改質領域を形成する」ものであるのに対し、乙３７発明のレーザ 加工装置は、「ウェハ状の加工対象物の表面から、完全に切れた溝を厚さ 方向に連続させることで切断する」もの（［構成ａ’］を採用したもの）であって、「シリコンウェハの内部に、切断の起点となる改質領域を形成する」ものではない点。 相違点３７－Ｂ本件発明１の「制御部」は、「レーザ光の集光点が前記加工対象物の内 部に位置するように、前記加工対象物のレーザ光入射面を基準として前記加工対象物の厚さ方向に第１移動量だけ前記集光用レンズを移動させ、レーザ光の集光点が前記加工対象物の切断予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物の厚さ方向と直交する方向に前記載置台を移動させた後、レーザ光 方向に第１移動量だけ前記集光用レンズを移動させ、レーザ光の集光点が前記加工対象物の切断予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物の厚さ方向と直交する方向に前記載置台を移動させた後、レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置するように、前記 レーザ光入射面を基準として前記加工対象物の厚さ方向に第２移動量だけ前記集光用レンズを移動させ、レーザ光の集光点が前記切断予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物の厚さ方向と直交する方向に前記載置台を移動させる機能を有する」ものであるのに対し、乙３７発明の「制御部」は、そのような機能を有するものではなく、代わりに「レーザ 光の集光点が前記加工対象物に対して鋸運動するように制御する制御部」を有するもの（被告主張に係る［構成ｅ］を採用したもの）である点。 ⑶ 容易想到性ア相違点３７－Ａ 乙３７発明における「ウェハ状の加工対象物の表面から、完全に切れた 溝を厚さ方向に連続させることで切断する」という構成を、本件発明１の「シリコンウェハの内部に、切断の起点となる改質領域を形成する」という構成に置換することに対する動機付けを示す文献は、存在しない。 少なくとも、加工対象物がシリコンウェハの場合、本件特許１の出願前には、「乙３７発明における『加工対象物の表面から、完全に切れた溝を 厚さ方向に連続させることで切断する』という構成を『加工対象物の内部 に切断の起点となる改質領域を形成する』という構成に置換しても、『加工対象物を切断する』という乙３７発明の課題を解決できる」ことを示す知見は存在していなかった。 そのような状況において、当業者が、「乙３７発明における『加工対象物の表面から、完全に切れた溝を厚さ方向に連続させることで切 いう乙３７発明の課題を解決できる」ことを示す知見は存在していなかった。 そのような状況において、当業者が、「乙３７発明における『加工対象物の表面から、完全に切れた溝を厚さ方向に連続させることで切断する』 という構成を本件発明１の『シリコンウェハの内部に、切断の起点となる改質領域を形成する』という構成に置換すること」に想到するはずがない。 イ相違点３７－Ｂ 乙３７発明の「レーザ光の集光点が前記加工対象物に対して鋸運動するように制御する制御部」という構成を、本件発明１の制御部に係る構成に 置換することに対する動機付けを示す文献は存在しない。 乙３７発明は、「ウェハ状の加工対象物の表面から、完全に切れた溝を厚さ方向に連続させることで切断する」という構成を採用したものであって、加工対象物の内部に切断の起点となる改質領域を形成するものではないから、本件発明１のように、各「加工対象物の厚さ方向と直交する方向 に載置台を移動させ」という動作の前に、「レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置するように、前記加工対象物のレーザ光入射面を基準として前記加工対象物の厚さ方向に第１移動量又は第２移動量だけ前記集光用レンズを移動させる」という動作をさせることを必要としない発明である。このような乙３７発明においては、本件発明１の「加工対象物の レーザ光入射面を基準として前記加工対象物の厚さ方向に第１移動量だけ前記集光用レンズを移動させ」という構成や、「前記レーザ光入射面を基準として前記加工対象物の厚さ方向に第２移動量だけ前記集光用レンズを移動させ」という構成を採用すべき理由はない。 ウ以上のとおり、本件発明１は、乙３７発明に基づいて、当業者が容易に発 明をすることができたものではない。 量だけ前記集光用レンズを移動させ」という構成を採用すべき理由はない。 ウ以上のとおり、本件発明１は、乙３７発明に基づいて、当業者が容易に発 明をすることができたものではない。 争点３－８－１（乙１２０に基づく進歩性の欠如）（被告の主張）⑴ 一致点及び相違点本件審決予告によれば、一致点及び相違点は、次のとおりである。 ア一致点 ウェハ状の加工対象物の内部に、改質領域を形成するレーザ加工装置であって、前記加工対象物が載置される載置台と、レーザ光を出射するレーザ光源と、前記載置台に載置された前記加工対象物の内部に、前記レーザ光源から出射されたレーザ光を集光し、そのレーザ光の集光点の位置で前記改質領域を形成させる集光用レンズと、レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部 に位置するように、前記集光用レンズを調整し、レーザ光の集光点が前記加工対象物の切断予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物の厚さ方向と直交する方向に前記載置台を移動させる機能を有する制御部と、を備えるレーザ加工装置。 イ相違点 相違点１２０－１本件発明１は、改質領域が「切断の起点」となるのに対し、乙１２０発明は、改質領域に相当する微視的なマイクロ・クラックの集合である加工変質部が、基板２０１上の溝部２０３の内部側に形成されており、当該加工変質部が切断の起点となるものか明らかではない点。 相違点１２０－２本件発明１は、加工対象物が「シリコンウェハ」であるのに対し、乙１２０発明は、加工対象物が基板２０１である点。 相違点１２０－３本件発明１は、「制御部」により、「レーザ光の集光点が前記加工対象 工対象物が「シリコンウェハ」であるのに対し、乙１２０発明は、加工対象物が基板２０１である点。 相違点１２０－３本件発明１は、「制御部」により、「レーザ光の集光点が前記加工対象 物の内部に位置するように、前記加工対象物のレーザ光入射面を基準とし て前記加工対象物の厚さ方向に第１移動量だけ前記集光用レンズを移動させ、レーザ光の集光点が前記加工対象物の切断予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物の厚さ方向と直交する方向に前記載置台を移動させた後、レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置するように、前記レーザ光入射面を基準として前記加工対象物の厚さ方向に第２移動 量だけ前記集光用レンズを移動させ、レーザ光の集光点が前記切断予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物の厚さ方向と直交する方向に前記載置台を移動させる」制御をしているのに対し、乙１２０発明は、レーザ光線の焦点が基板２０１上の溝部２０３の内部側に位置するように、前記レーザーの光学系を調整し、レーザ光線の焦点が前記基板２０１ のブレイク・ライン２０４に沿って移動するように、前記基板２０１の厚さ方向と直交する方向に前記ステージを移動させる制御をしているが、基板２０１の厚さ方向に複数のブレイク・ラインを形成しているか不明な点。 ⑵ 容易想到性上記各相違点に係る本件発明１の構成は、本件審決予告が認定したとおり、 乙３７発明に乙２５発明Ａ及び周知技術を適用することにより、いずれも当業者が容易に想到できる。 ア相違点１２０－１相違点１２０－１は、実質的な相違点ではない。 イ相違点１２０－２ 乙１２０発明において、レーザ光により切断分離される加工対象物として、シ 相違点１２０－１相違点１２０－１は、実質的な相違点ではない。 イ相違点１２０－２ 乙１２０発明において、レーザ光により切断分離される加工対象物として、シリコンウェハを採用することは、当業者にとっての選択的事項の範疇である。 ウ相違点１２０－３乙１２０発明に乙３４の技術的事項を適用して、相違点１２０－３に係る 本件各発明の構成とすることは、当業者が容易になし得るものである。 （原告の主張）⑴ 一致点及び相違点本件発明１と乙１２０発明との間には、本件審決予告が認定した相違点１２０－１ないし１２０－３のほかに、少なくとも次の相違点１２０－４があるというべきである。 （相違点１２０－４）乙１２０発明は、基板の表面に溝部を形成することを必須の構成として、「加工変質部」すなわち「ブレイク・ライン」を溝部の底面の下部に形成することにより半導体ウエハーを切断加工するレーザ加工装置であるのに対し、本件発明１は、基板の表面に溝部を形成する必要がなく、シリコンウェハの内部に改 質領域を形成してこれを切断加工するレーザ加工装置であること。 ⑵ 容易想到性ア相違点１２０－１乙１２０公報には、切断の起点がどこになるかを示す記載は一切存在せず、技術常識を考慮しても、乙１２０の図２（Ｃ）のブレイク・ライン２０４、 すなわち加工変質部が切断の起点になるとは理解されない。したがって、相違点１は実質的な相違点である。 そして、乙１２０発明においては、溝部が形成されており、その底部の下部にブレイク・ライン２０４すなわち加工変質部が形成されているのであるから、切断における溝部と加工変質部の役割は不明であ そして、乙１２０発明においては、溝部が形成されており、その底部の下部にブレイク・ライン２０４すなわち加工変質部が形成されているのであるから、切断における溝部と加工変質部の役割は不明である。そうすると、こ の加工変質部を「切断の起点」にすることが容易想到であったということはできない。 イ相違点１２０－２乙１２０発明は、サファイアやスピネル基板などの上に窒化物半導体が形成された半導体ウエハーはダイヤモンドスクライバーのみで切断すること が困難であるほか、ダイサーのみで切断しようとすると、その切断面にクラ ック、チッピングが発生しやすいため綺麗に切断できず、また、基板から窒化物半導体層が部分的に剥離するといった課題を踏まえた発明であり、「ダイヤモンドスクライバーにより、ダイサーで形成した溝部の底面にスクライブ・ラインを形成する」という従来の工程に換えて、「レーザー照射により、溝部の底面にブレイク・ラインを形成する」という工程を採用するものであ る。これにより、より幅が狭くかつ深い溝部に、高精度のブレイク・ライン形成を可能にしたものである。 したがって、乙１２０発明の加工対象物を、基板の表面に溝部が形成されることがない「シリコンウェハ」に換えるとことは、技術分野の相違をもたらすものである上、乙１２０発明を無意味にすることになるから、当業者に おいて容易に想到であるとはいえない。 ウ相違点１２０－３相違点１２０－３に係る本件発明１の構成のうち、少なくとも、集光レンズを加工対象物の厚さ方向に、第１移動量だけ移動させる際の基準と、第２移動量だけ移動させる際の基準の両方を、「加工対象物のレーザ光入射面」 とした構成は、以下に示すとおり、乙１２ も、集光レンズを加工対象物の厚さ方向に、第１移動量だけ移動させる際の基準と、第２移動量だけ移動させる際の基準の両方を、「加工対象物のレーザ光入射面」 とした構成は、以下に示すとおり、乙１２０発明に基づいて当業者が容易に想到し得た構成ではない。 すなわち、乙１２０公報の段落【００３３】には、「本発明は溝部近傍に形成されたレーザー加工によるブレイク・ラインに加えて半導体ウエハーの総膜厚の中心をレーザー加工させても良い。」という記載があるところ、こ の記載は、乙１２０発明の制御部を「加工対象物の厚さ方向にブレイク・ラインが複数本形成されるように集光点を移動させる機能」を有するように変更することを示唆するものであるといえる。 もっとも、「溝部近傍」にレーザ加工によるブレイク・ラインを形成する際には、溝部との関係が重要になるため、溝部の底面を基準にして集光点を 移動させるのが自然であるのに対し、「半導体ウエハーの総膜厚の中心」に レーザ加工によるブレイク・ラインを形成する際には、溝部は無関係となり半導体ウエハーの総膜厚との関係が重要になるため、半導体ウエハーの上面又は半導体ウエハーの底面を基準にして集光点を移動させるのが自然である。そのため、上記段落【００３３】の記載に基づいて、乙１２０発明に上記機能を設ける場合には、集光レンズを加工対象物の厚さ方向に第１移動量 だけ移動させる際の基準と、第２移動量だけ移動させる際の基準とは、相互に異なる面とするのが自然であるということができ、その両方を「加工対象物のレーザ光入射面」とはしないはずである。 これに対し、本件発明１の制御部については、集光レンズを加工対象物の厚さ方向に、第１移動量だけ移動させる際の基準と、第２移動量だけ移動さ 象物のレーザ光入射面」とはしないはずである。 これに対し、本件発明１の制御部については、集光レンズを加工対象物の厚さ方向に、第１移動量だけ移動させる際の基準と、第２移動量だけ移動さ せる際の基準の両方を、「加工対象物のレーザ光入射面」とすることにより、シリコンウェハの切断に適した深さ位置に正確に改質領域を形成することが可能となるが、このような効果は、乙１２０発明においては全く想定されていないから、乙１２０発明に基づいて当業者が容易に想到し得た構成ではない。 エ相違点１２０－４ 乙１２０文献には、「基板の表面に溝部が形成されていないウェハ」につき、「基板に達する切断のための溝形成」という工程を経ることなく好適に切断加工できることについての開示自体が全くない。また、乙１２０発明に係るレーザ加工機を、基板の表面に溝が形成されていなくても切断 できるように改変することを示唆するような文献の記載も一切存在しない。 したがって、乙１２０発明に係るレーザ加工機を、基板の表面に溝が形成されていなくても切断できるように改変することは、当業者が容易に想到し得たことではない。 「基板に溝部を形成し、該溝部の底部にブレイク・ラインをレーザー照 射により形成する」という技術的事項が乙１２０発明の本質的部分であるというべきところ（段落【０００８】～【００１２】及び特許請求の範囲の記載）、「基板の表面に溝部が形成されていないウェハ」につき、「基板に達する切断のための溝形成」という工程を経ることなく好適に切断加工できるように改変することは、上記本質的部分を変更することを意味する。 そして、このような改変は基板上に窒化物半導体が形成された半導体ウエハーの切断に特有の課題の 程を経ることなく好適に切断加工できるように改変することは、上記本質的部分を変更することを意味する。 そして、このような改変は基板上に窒化物半導体が形成された半導体ウエハーの切断に特有の課題の解決を不可能にするものであるから、そのような改変には明白な阻害要因がある。 そもそも、本件発明１は、「加工対象物の表面を加工せずに、その内部に、切断の起点となる改質領域を形成する」という発明であるため、「加工 対象物の表面に溶融や切断予定ラインから外れた割れが生じることなく、加工対象物を切断することができる。」（段落【００１１】）という効果を奏するものであり、基板の表面に溝部を形成することを必須の構成とする乙１２０発明とは、その技術思想において異なるものである。 オ以上のとおり、本件発明１は、乙１２０発明に基づき当業者が容易想到し得 たものではない。 21 争点３－８－２（訂正の再抗弁の成否（乙１２０に基づく進歩性の欠如の抗弁に対するもの））（原告の主張）仮に訂正前の本件発明１につき、乙１２０発明に対する進歩性が認められない としても、本件においては、次のとおり、本件訂正請求により、訂正の再抗弁が成立するから、無効理由は認められない。 ⑴ 訂正の要件を満たすことア特許庁に対し、訂正審判の請求又は訂正の請求を行ったこと原告は、令和３年５月２８日、特許庁に対し、本件発明１の構成要件Ｆを 次のとおり訂正する内容の訂正請求（本件訂正請求）を行った（甲１１６）。 訂正前の構成要件Ｆ前記加工対象物はシリコンウェハであることを特徴とするレーザ加工装置。 訂正後の構成要件Ｆ′前記加工対象物は、シリコン単結晶 訂正前の構成要件Ｆ前記加工対象物はシリコンウェハであることを特徴とするレーザ加工装置。 訂正後の構成要件Ｆ′前記加工対象物は、シリコン単結晶構造部分に前記切断予定ラインに沿 った溝が形成されていないシリコンウェハであることを特徴とするレーザ加工装置。 イ訂正が訂正要件を満たしていること 訂正の目的本件訂正請求は、「加工対象物」としての「シリコンウェハ」について 「シリコン単結晶構造部分に前記切断予定ラインに沿った溝が形成されていない」ものに限定するものである。 したがって、本件訂正請求は、特許法１３４条の２第１項ただし書１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更する訂正ではないこと 本件訂正請求は、「加工対象物」としての「シリコンウェハ」について「シリコン単結晶構造部分に前記切断予定ラインに沿った溝が形成されていない」ものに限定するものであり、発明のカテゴリーや対象、目的を変更するものではない。 したがって、本件訂正請求は、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更 するものに該当せず、特許法１３４条の２第９項で準用する１２６条６項に適合するものである。 願書に添付した明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であること本件訂正は、本件明細書等１に記載した事項との関係において新たな技術的事項を導入するものではない。 すなわち、「加工対象物」としての「シリコンウェハ」がシリコン単結 晶構造部分を有することは、技術常識であり、また、本件明細書等１の段落【００２７】に「加工対象物がシリコン単結晶構造の場合 なわち、「加工対象物」としての「シリコンウェハ」がシリコン単結 晶構造部分を有することは、技術常識であり、また、本件明細書等１の段落【００２７】に「加工対象物がシリコン単結晶構造の場合・・」と記載されている。そして、本件図１～図４（加工対象物の平面図及び切断予定ラインに垂直な断面図）には、「加工対象物」において切断予定ラインに沿った溝が形成されていないことが示されている。 もっとも、本件図１～図４について説明している段落【００１５】～【００１７】には、溝の有無について明示的な記載はない。そのため、本件明細書等１には、「シリコン単結晶構造部分に切断予定ラインに沿った溝が形成されていないシリコンウェハ」について明示的な記載はない。 ここで、シリコン単結晶構造部分を有する「シリコンウェハ」について あえて区分するとすれば、「シリコン単結晶構造部分に切断予定ラインに沿った溝が形成されていないシリコンウェハ」（以下「シリコンウェハＡ」という。）と、「シリコン単結晶構造部分に切断予定ラインに沿った溝が形成されているシリコンウェハ」（以下「シリコンウェハＢ」という。）とに区分することができるところ、本件明細書等１においては、「シリコ ンウェハ」について「シリコンウェハＡ」と「シリコンウェハＢ」とに区分されて記載されておらず、「加工対象物」としての「シリコンウェハ」が「シリコンウェハＡ」である旨（又は「シリコンウェハＡ」を含む旨）の明示的な記載はない。 しかし、切断してシリコンチップに分割する前の「シリコンウェハ」に 関する当業者の技術常識では、「シリコンウェハＡ」は通常のものであるのに対して、「シリコンウェハＢ」は存在するとしても特殊である。そして、本件明細書等１の記載 割する前の「シリコンウェハ」に 関する当業者の技術常識では、「シリコンウェハＡ」は通常のものであるのに対して、「シリコンウェハＢ」は存在するとしても特殊である。そして、本件明細書等１の記載に接した当業者であれば、出願時の技術常識に照らして、本件明細書等１において溝に関する明示的な記載がなくても、あるいは、本件明細書等１において溝に関する明示的な記載がないからこ そ、「シリコンウェハ」として通常の「シリコンウェハＡ」が本件明細書 等に記載されているのと同然であると理解するのであって、当業者は、「シリコンウェハ」が特殊な「シリコンウェハＢ」に限られるとは理解しない。 そうすると、「シリコンウェハＡ」は、当業者によって本件明細書等１の全ての記載を総合することにより導かれる技術的事項に含まれるものであり、訂正事項１は、「シリコンウェハ」から特殊な「シリコンウェハ Ｂ」を除いて通常の「シリコンウェハＡ」に限定するものである。そのため、この限定により新たな技術上の意義が追加されないことは明らかであり、本件明細書等に記載した事項との関係において新たな技術的事項を導入するものではない。 したがって、本件訂正請求は、本件明細書等１に記載した事項の範囲内 の訂正であり、特許法１３４条の２第９項で準用する第１２６条５項に適合するものである。 ⑵ 当該訂正によって、被告が主張している無効理由が解消することア訂正後の構成要件上記訂正請求に係る訂正によって、本件発明１のシリコンウェハである加 工対象物について、「その表面に溝部が形成されていないこと」、より具体的には、「シリコン単結晶構造部分に切断予定ラインに沿った溝が形成されていないこと」が特定されることになる。 ハである加 工対象物について、「その表面に溝部が形成されていないこと」、より具体的には、「シリコン単結晶構造部分に切断予定ラインに沿った溝が形成されていないこと」が特定されることになる。 これにより、相違点２は、次のとおり、相違点２’となる（相違点１、３及び４は変わらない。）。 （相違点２’）乙１２０発明は、加工対象物がサファイア、スピネルなどの基板であるのに対し、本件発明１は、加工対象物が「シリコン単結晶構造部分に前記切断予定ラインに沿った溝が形成されていないシリコンウェハ」である点。 イ進歩性 乙１２０には、通常のシリコンウェハを、「基板に達する切断のための溝 形成」という工程を経ることなく好適に切断加工できる装置についての開示は全くないし、乙１２０に記載されたレーザ加工装置をそのような装置に改変することを示唆する記載も一切ない。 かえって、乙１２０に記載された発明の本質的部分は、「基板に溝部を形成し、該溝部にブレイク・ラインをレーザー照射により形成する」という技 術的事項にあると解されるところ（段落【０００８】～【００１２】及び特許請求の範囲の記載）、レーザ加工装置を「通常のシリコンウェハを、『基板に達する切断のための溝形成』という工程を経ることなく好適に切断加工できる装置」に改変するということは、上記本質的部分を変更するとともに、乙１２０の「発明が解決しようとした課題」（基板上に窒化物半導体が形成 された半導体ウエハーの切断に特有の課題）の解決が不可能なものに改変することを意味するものであるから、そのような改変には、明白な阻害要因があるというべきである。 ウ以上によれば、上記訂正請求に係る訂正により、被告が主張して 課題）の解決が不可能なものに改変することを意味するものであるから、そのような改変には、明白な阻害要因があるというべきである。 ウ以上によれば、上記訂正請求に係る訂正により、被告が主張している無効理由が解消することは明らかである。 ⑶ 被告製品が本件訂正発明１の技術的範囲に属すること被告製品は、いずれも、「シリコン単結晶構造部分に前記切断予定ラインに沿った溝が形成されていないシリコンウェハ」を加工対象物とするレーザ加工装置であることは明らかである。甲１０の１にも、被告製品が「Ｓｉウエーハ表面に損傷を与えず非接触でのダイシングが可能」と記載されており、シリコ ンウェハに切断のための溝の形成がされていないことが示されている。 したがって、被告製品は、本件訂正発明１の技術的範囲に属する。 （被告の主張）以下のとおり、本件訂正は訂正要件を欠くものであるから不適法であるし、仮に訂正要件を満たすとしても、本件訂正発明１は進歩性を欠くから、訂正の再抗 弁には理由がない。 ⑴ 訂正の適法性以下のとおり、本件訂正請求は訂正要件を欠くものである。 ア本件訂正請求は本件発明１を限定するものではないこと本件発明１は、「レーザ加工装置」に関する発明であるところ、「加工対象物」は、当該レーザ加工装置の構成要素ではない。そのため、本件訂正は、 その加工対象物であるシリコンウェハを限定するものにすぎず、結局は、発明であるレーザ加工装置の用途を特定しているにすぎない。 そして、「シリコンウェハ」を加工するために用いられるレーザ加工装置と、「シリコン単結晶構造部分に前記切断予定ラインに沿った溝が形成されていないシリコンウェハ」を加工するために用いられ 。 そして、「シリコンウェハ」を加工するために用いられるレーザ加工装置と、「シリコン単結晶構造部分に前記切断予定ラインに沿った溝が形成されていないシリコンウェハ」を加工するために用いられるレーザ加工装置とで は、レーザ加工装置という物という観点からは何ら異なる点はないから、本件訂正は、本件発明１を限定するものとはいえない。 したがって、本件訂正請求は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものではなく、訂正要件に違反するものである。 イ仮に本件訂正請求が本件発明１を限定するものであったとしても、本件訂 正請求は、訂正要件を満たすものではないこと 「シリコン単結晶構造部分」について本件発明１は、本来、「半導体材料基板、圧電材料基板やガラス基板等の加工対象物の切断」に共通に使用されることを意図したものであって、加工の対象を個々のシリコンウェハの結晶構造部分に着目するという発 想はそもそもないし、様々なシリコンウェハについて、「シリコン単結晶構造部分」に「切断予定ラインに沿った溝が形成されていない」ことは念頭に置かれていない。 それにもかかわらず、本件訂正は、シリコンウェハについて、「シリコン単結晶構造部分に前記切断予定ラインに沿った溝が形成されていない」 との限定を付すことにより、訂正発明の進歩性を基礎付けようとするもの であり、本件明細書等１に発明として記載されていなかった事項に基づいて新たな技術的意義を主張するものである。 「溝が形成されていない」の意味内容について本件発明１において、溝が形成されていない部分というのは、切断予定ライン５の幅の中、すなわち、半導体素子が形成されていない部分（分割 されて半導体チップとな ていない」の意味内容について本件発明１において、溝が形成されていない部分というのは、切断予定ライン５の幅の中、すなわち、半導体素子が形成されていない部分（分割 されて半導体チップとなる領域の間の部分（【００７４】））を指すものと考えられるものの、シリコンウェハが「シリコン単結晶構造部分に前記切断予定ラインに沿った溝が形成されていない」ものであるというだけでは、どのような状態の溝を意味するのか不明である。 もともと、本件発明１は、溝の有無やその場所については関心がないと ころ、本件訂正は、この意味においても、本件明細書等１に発明として記載されていなかった事項に基づいて新たな技術的意義を主張するものである。 シリコンウェハについて一般に、「シリコンウェハ」といわれるものには、シリコン単結晶のイ ンゴットから切り出したウェハ（シリコン基板となる）、その表面にシリコンの単結晶層を成長させたエピタキシャルウェハ、絶縁基板にシリコン単結晶を形成したＳＯＩウェハ等（乙１２９）があるところ、本件明細書等１の段落【００２８】によっても、単に「シリコンウェハ」とされているだけで、どのようなシリコンウェハを使って実験したのか不明である。 そうすると、本件訂正発明１が、「前記加工対象物は、シリコン単結晶構造部分に前記切断予定ラインに沿った溝が形成されていないシリコンウェハである」というときに、どのようなものを「シリコンウェハ」と考えているのか不明確である。例えば、仮に、エピタキシャルウェハも本件訂正発明１に含まれるとした場合、「溝」は、シリコン基板に形成されて いないだけでは足りず、その上に成長させた単結晶層にも形成されていな いものでなければならないのか、それとも、 訂正発明１に含まれるとした場合、「溝」は、シリコン基板に形成されて いないだけでは足りず、その上に成長させた単結晶層にも形成されていな いものでなければならないのか、それとも、シリコン基板上に溝が形成されていなければよいのかは不明である。 したがって、本件訂正は、発明の内容を不明確にするものであるから、「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものとはいえず、訂正要件を満たさない。 ⑵ 訂正によって、被告が主張している無効理由が解消されないことア上記のとおり、本件訂正は、本件発明１を限定するものではないため、「シリコン単結晶構造部分に前記切断予定ラインに沿った溝が形成されていない」との特定は、新規性・進歩性の判断に何ら影響を与えるものではない。 イまた、仮に本件訂正が本件発明１を限定するものであり、訂正要件を満た すと考えられた場合であっても、本件訂正発明１は進歩性を欠く。 すなわち、乙１２０公報には、乙１２０発明に係る半導体ウェハの切断技術を、サファイア以外の材料より成る基板を有する半導体ウェハを切断するために適用できることが記載されているところ（段落【００２４】）、乙３７公報には、加工対象物の内部にレーザ光を集光させて、当該加工対象物の 内部に改質領域を形成する技術を、シリコンに適用できる旨が記載されている（乙３７〔１４頁２１行～１５頁８行〕）。そうすると、乙１２０公報に接した当業者は、乙１２０発明に係る半導体ウェハの切断技術を、シリコン基板に適用できると考える。 そして、（パルス）レーザ光を集光させて、半導体基板（単結晶のシリコ ンを含む）を切断（割断）することは、本件特許の優先日前に周知の技術となっており、その中には、切断予定ラインに沿って溝が形成され て、（パルス）レーザ光を集光させて、半導体基板（単結晶のシリコ ンを含む）を切断（割断）することは、本件特許の優先日前に周知の技術となっており、その中には、切断予定ラインに沿って溝が形成されるものも、形成されないものも含まれるところ、シリコンウェハについては、これにレーザ光の焦点を当てて切断する場合、溝を形成していないシリコンウェハを用いることが広く知られていた。また、溝が形成された基板を加工対象物と しようとする場合には、溝を形成するための工程が必要となることから、当 業者は、溝を形成しない基板を加工対象物として利用することに動機付けられる。 したがって、乙１２０公報に接した当業者は、乙１２０発明に係る半導体ウェハの切断技術を、溝が形成されていないシリコン基板から成る半導体ウェハに適用することを容易に想到するといえる。そのため、乙１２０公報の 特許請求の範囲や明細書及び図面において、半導体ウェハの窒化物半導体（１０１、２０１、３０１、４０１）の表面に溝部（１０３、２０３、３０３、４０３）が形成されたものが記載されていることも、阻害要因となるものではない。 以上によれば、原告の主張する訂正の再抗弁には理由がない。 22 争点３－９（サポート要件違反）（被告の主張）本件発明１における「改質領域」につき、本件明細書等１には、多光子吸収によって形成されるものしか開示されておらず、他の方法によって形成されるものについては一切開示されていない。 これに対し、原告は、本件発明１における「改質領域」は、多光子吸収によって形成されるものに限定されない旨主張しているところ、仮に原告の主張するように、「改質領域」が多光子吸収以外によって形成されるものも含むのであれば、特許請求の ける「改質領域」は、多光子吸収によって形成されるものに限定されない旨主張しているところ、仮に原告の主張するように、「改質領域」が多光子吸収以外によって形成されるものも含むのであれば、特許請求の範囲の記載が、明細書で開示された範囲を超えていることになるから、特許法３６条６項１号が定めるサポート要件に違反する。 （原告の主張）本件明細書等１の発明の詳細な説明の記載に基づけば、「改質領域」が多光子吸収によって形成されるものであるか否かにかかわらず、当業者としては発明の課題を解決できることを認識できるから、サポート要件には違反しない。 23 争点３－１０（明確性要件違反） （被告の主張） 本件発明１の特許請求の範囲には、「改質領域」との用語が用いられているところ、この「改質領域」とは、技術的な定義がされた用語ではなく、本件明細書等１を参酌する限り、多光子吸収によって形成されたものと理解される。 しかしながら、原告は、「改質領域」につき、同じく本件明細書等１の記載を根拠に、多光子吸収によって形成されたものに限られないとして、被告とは異なる 定義をしている。 このように、「改質領域」の意義について多義的に解する余地がある以上、権利として不明確といわざるを得ず、特許法３６条６項２号が定める明確性要件に違反する。 （原告の主張） 前記争点１－１（原告の主張）⑴イにおいて主張したところに照らせば、本件各発明１における「改質領域」が、多光子吸収によって形成されたものに限定されないものであることは明確であるから、本件発明１に不明確なところはない。 24 争点３－１１（実施可能要件違反）（被告の主張） 原告が、本件明細書等１に記載の実験条件の 定されないものであることは明確であるから、本件発明１に不明確なところはない。 24 争点３－１１（実施可能要件違反）（被告の主張） 原告が、本件明細書等１に記載の実験条件の下では、多光子吸収ではなく単光子吸収の方が支配的であると主張する趣旨であれば、そのような実験条件によって形成される改質領域（溶融処理領域）が、「多光子吸収により形成される」と開示した本件特許１は、実施可能要件を欠くため、無効とされるべきである。 （原告の主張） 本件明細書等１に開示された実験条件で「切断の起点となる改質領域」が形成されること自体に疑いはないのであるから、本件明細書等１の開示に基づき本件発明１を実施可能であることは明らかである。 したがって、「切断の起点となる改質領域」が形成される原理が「多光子吸収により形成された」と説明されていたからといって、本件発明１が実施できないと 考えるべき理由はない。 争点４－１（サポート要件違反１）（本件発明２全てに関して）（被告の主張）本件発明２は、いずれも、加工対象物の端部において改質領域を形成することを必須とした発明となっていない。すなわち、本件発明２は、いずれも加工対象物の端部において改質領域を形成しないものも権利範囲内に含むものである。 他方で、本件明細書等２においては、本件発明２の作用として、「加工用対物レンズ４２を初期位置に保持した状態で切断予定ラインの一端部において改質領域を形成し、その後加工用対物レンズ４２レンズを保持した状態を解除して予め取得した表面Ｓ１の変位に追従させながら改質領域を形成するので、加工対象物Ｓの端部の形状変動による影響を極力排除して改質領域を形成できる。」（段 落【００７５】 ズを保持した状態を解除して予め取得した表面Ｓ１の変位に追従させながら改質領域を形成するので、加工対象物Ｓの端部の形状変動による影響を極力排除して改質領域を形成できる。」（段 落【００７５】）との記載がある。これは、本件発明２の作用について、加工対象物の端部の形状による影響を排除して改質領域を形成することを説明するものであり、加工対象物の端部において、改質領域を形成することを前提としたものといえる。 そうすると、本件明細書等２には、加工対象物の端部においてレンズを保持し た状態で改質領域を形成するものしか開示していない一方で、本件発明２は、加工対象物の端部において改質領域を形成しないものも権利範囲内としていることから、本件発明２は、いずれも、本件明細書等２に記載された発明を超えた発明として、サポート要件に違反するものである。 （原告の主張） ⑴ 本件発明２－１についてア本件発明２－１は、「当該レンズを測定初期位置に保持した状態で前記第二のレーザ光の照射を開始し、前記制御手段は前記レンズと前記加工対象物とを前記主面に沿って相対的に移動させるように前記移動手段を制御し、前記主面で反射される前記第二のレーザ光の反射光に応じて、前記レンズを前 記測定初期位置に保持した状態を解除するように前記保持手段を制御し、当 該解除後に、前記制御手段は前記主面で反射される前記第二のレーザ光の反射光を検出しながら前記レンズと前記主面との距離を調整するように前記保持手段を制御し、前記変位取得手段は前記切段予定ラインに沿った前記主面の変位を取得する、」という発明特定事項（構成要件Ｒ、Ｓ）を有しているが、本件発明２－１がそのような発明特定事項を有するということは、本 件発明２－１が段落【００１ 段予定ラインに沿った前記主面の変位を取得する、」という発明特定事項（構成要件Ｒ、Ｓ）を有しているが、本件発明２－１がそのような発明特定事項を有するということは、本 件発明２－１が段落【００１８】にいう「測定初期位置にレンズを保持した状態で切断予定ラインの一端部に第二のレーザ光を照射した後、すなわちレンズと加工対象物とが相対的に移動してレンズが加工対象物に差し掛かった後に、レンズを保持した状態を解除して主面の変位を取得する」という機能を備えていることを意味する。 そして、その機能を有していれば、段落【００１８】に記載される効果の表裏として把握される課題（「加工対象物の端部の形状変動による影響を極力排除して変位を取得する」という課題）が解決されることは、当業者に明らかである。このことは、「本件発明２－１が加工対象物の端部において、改質領域を形成するか否か」とは無関係である。 イこれに対し、被告は、段落【００７５】の記載を根拠に、サポート要件違反である旨主張するが、同段落は、「また、」でつながる一連の記載の最初の記載である【００７３】の冒頭の「本実施形態では、」という記載から明らかなように、飽くまで一実施形態についての記載にすぎず、本件発明全体に係る課題を表したものではない。したがって、段落【００１８】の記載は、 本件発明２－１が課題を解決できるか否かとは無関係であり、サポート要件違反の根拠にはならない。また、【００７５】の記載内容のそれ自体も、「加工対象物の端部において、改質領域を形成することを前提とした」記載とはいえない。 ⑵ 本件発明２－２について 本件発明２－２は、「当該レンズを加工初期位置に保持した状態で前記第一 のレーザ光の照射を開始し、前記制御手段は前記 載とはいえない。 ⑵ 本件発明２－２について 本件発明２－２は、「当該レンズを加工初期位置に保持した状態で前記第一 のレーザ光の照射を開始し、前記制御手段は前記レンズと前記加工対象物とを相対的に移動させるように前記移動手段を制御して前記切断予定ラインの一端部において前記改質領域を形成し、当該一端部における改質領域の形成後に、前記制御手段は、前記レンズを前記加工初期位置に保持した状態を解除し、前記変位取得手段が取得した前記主面の変位に基づいて前記レンズと前記加工 対象物との間隔を調整するように前記保持手段を制御し、前記レンズと前記加工対象物とを相対的に移動させるように前記移動手段を制御して前記改質領域を形成する」という発明特定事項（構成要件２Ｒ、２Ｓ）を有しているが、本件発明２－２がそのような発明特定事項を有するということは、本件発明２－２が段落【００１９】にいう「加工初期位置にレンズを保持した状態で切断 予定ラインの一端部において改質領域を形成し、その後レンズを保持した状態を解除して主面の変位に追従させながら改質領域を形成する」という機能を備えていることを意味する。そして、その機能を有していれば、同段落【００１９】に記載される効果の表裏として把握される課題（「加工対象物の端部の形状変動による影響を極力排除して改質領域を形成できる。」という課題）が解 決されることは、当業者に明らかである。このことも、本件発明２－２が加工対象物の端部において、改質領域を形成するか否かとは無関係である。 なお、本件発明２－２にいう「加工対象物の端部」は、本件明細書等２の段落【０００４】の記載等から、「加工対象物の端から、『レンズを加工初期位置に保持する機構を有しない従来技術によると集光点のずれが生じ得る 本件発明２－２にいう「加工対象物の端部」は、本件明細書等２の段落【０００４】の記載等から、「加工対象物の端から、『レンズを加工初期位置に保持する機構を有しない従来技術によると集光点のずれが生じ得る範囲』 までを含む部分とでもいうべき、ある範囲をもった部分」を指しているといえる。そして、その意味における「加工対象物の端部」の全範囲において改質領域を形成しない場合には、レンズを加工初期位置に保持する機構を有しない従来技術であっても「改質領域形成における加工対象物の端部の形状変動による影響」という課題は生じないということにはなる。しかし、そのような場合で あっても、本件発明２－２が「改質領域形成における加工対象物の端部の形状 変動による影響」を加工対象物の端部の範囲内でレーザ照射がなされる場合と同程度に少なくできることは明らかであるし、それにより、加工対象物の端部の範囲を気にすることなくレーザ照射の開始位置を決定できるという効果が得られること（効果の表裏としての課題が解決されること）も明らかであるから、本件発明２－２が、課題を解決できない装置を含んでいることにはならな い。 ⑶ 本件発明２－３本件発明２－３は、本件発明２－１又は２－２の要件を全て含む発明であるところ、前述のとおり、本件発明２－１及び２－２がサポート要件を満たしている以上、本件発明２－３も同様にサポート要件を満たしている。 26 争点４－２（サポート要件違反２）（本件発明２全てに関して）（被告の主張）前記争点３－９（被告の主張）と同様の理由により、本件発明２は、サポート要件に違反し、無効である。 （原告の主張） 前記争点３－９（原告の主張）と同様の理由により、本件発明２は、サポート要 ９（被告の主張）と同様の理由により、本件発明２は、サポート要件に違反し、無効である。 （原告の主張） 前記争点３－９（原告の主張）と同様の理由により、本件発明２は、サポート要件には違反しない。 27 争点４－３（明確性要件違反）（本件発明２全てに関して）（被告の主張）⑴ 本件発明２－１及び２－２について 本件発明２－１及び２－２には、「改質領域」との用語が用いられているところ、前記のとおり、「改質領域」は、技術的な定義がなされている用語ではなく、明細書を参酌すると、多光子吸収によって形成されたものと理解される。 一方で、原告は、同じく明細書を根拠に、被告とは異なる定義をしている。 このように、「改質領域」の意義について多義的に解する余地がある以上、 権利として不明確であるといわざるを得ず、特許法３６条６項２号が定める明 確性要件に違反する。 ⑵ 本件発明２－３について本件発明２－３には、本件発明２－１又は２－２に従属する発明であり、本件発明２－１又は２－２と同様の理由で、特許法３６条６項２号が定める明確性要件に違反する。 （原告の主張）⑴ 被告は、「『改質領域』は、技術的な定義のなされている用語ではなく、明細書を参酌すると、多光子吸収によって形成されたものと理解される。一方で、原告は、同じく明細書を根拠に、被告とは異なる定義をしている。」と主張し、それを理由に、「このように、『改質領域』の意義について多義的に解する余 地がある以上、権利として不明確といわざるを得ない」と主張する。 しかしながら、本件発明２－１及び２－２にいう「改質領域」は、多光子吸収によって形成されたものに限定されないものとして明確であり、本件発明２－１及び２－ して不明確といわざるを得ない」と主張する。 しかしながら、本件発明２－１及び２－２にいう「改質領域」は、多光子吸収によって形成されたものに限定されないものとして明確であり、本件発明２－１及び２－２に不明確なところはないから、本件発明２－１及び２－２に明確性要件違反はない。 ⑵ 被告は、本件発明２－３につき、本件発明２－１又は２－２と同じ理由しか主張していない。そして、上記のとおり、本件発明２－１にも本件発明２－２にも明確性要件違反はないから、本件発明２－３にも明確性要件違反はない。 28 争点５（本件実施許諾契約の成否）（被告の主張） 以下のとおり、原告と被告との間では、原告が被告に良いレーザエンジンを提供し被告がこれを商品化するまでという条件において、原告が、被告から、従来どおり、１台当たり●（省略）●実施料の支払を受けることの対価として、被告に対し、被告が被告製レーザエンジンを開発しこれを搭載したＳＤダイシング装置を顧客に販売することを許諾することを内容とする実施許諾契約（以下「本件 実施許諾契約」という。）が成立している。 ⑴ 合意の存在ア別紙平成２６年１０月８日付け議事録（以下「本件議事録」という。乙１８）に明記されているとおり、原告は、被告がレーザエンジンを開発してそれを搭載したダイシング装置を顧客に売ることに合意（以下「本件合意」という。）をした。 この際、被告のＫ代表取締役副社長（以下「Ｋ副社長」という。）は、被告が被告製のＳＤダイサーを販売するだけではなく、原告にも良いレーザを供給してほしいと要請した。そして、Ｋ副社長が議事録を作成し、その内容を読み上げて確認したところ、原告のＳＤエンジンの製造開発部門の部長であったＬ（以下「Ｌ部長」という。） く、原告にも良いレーザを供給してほしいと要請した。そして、Ｋ副社長が議事録を作成し、その内容を読み上げて確認したところ、原告のＳＤエンジンの製造開発部門の部長であったＬ（以下「Ｌ部長」という。）から、「オートフォーカスの件」につ いて指摘があったため（乙１８参照）、その点はＫ副社長が議事録に追加したが、その他に原告から議事録の作成について指摘はなく、原告の代表権を有するＭ代表取締役副社長（以下「Ｍ副社長」という。）は、この議事録を受領し署名した。 イまた、同月２３日の面談では、被告が開発しリリースするレーザダイシン グ装置に関して被告が原告に対して支払うライセンス料について、従前と同じ額である●（省略）●とすることが確認された。この際の議事録も、両者が確認した上で署名がされている。 ウ本件合意を受けて、被告は被告製レーザダイシング装置の商品化に向けた開発に着手し、平成２６年１０月の面談の後、１年以上もの間、被告と原告 はライセンス契約を前提とした行動をしていた。そして、原告が被告に対して送付したメール（乙２０）には、被告製レーザダイシング装置について、「装置が受注になり販売になった場合」に「⇒別途ロイヤリティ費をお支払いいただき、ロイヤリティシール（プレート）を送付させていただきます」と記載されており、原告が、被告製レーザダイシング装置の顧客への販売に 対して原告保有特許をライセンスすることに合意していたことが、端的に示 されている。 ⑵ 契約書が存在しないことに理由があることこれに対し、原告は、このような重大な合意を契約書なしですることはあり得ないと主張するが、以下のような事情を考慮すれば、契約書が作成されなかったことも何ら不合理ではない。 すなわち これに対し、原告は、このような重大な合意を契約書なしですることはあり得ないと主張するが、以下のような事情を考慮すれば、契約書が作成されなかったことも何ら不合理ではない。 すなわち、被告は、原告にとって、ステルスダイシング装置を初めて世に送り出した重要なパートナーであったにもかかわらず、原告は、被告と競合するディスコ社との関係を次第に強め、生産性の高い長波長のエンジンを同社にのみ供給するようになった結果、平成２６年頃には被告のダイシング事業が危機的な状況に陥っていた。そして、原告は、サムスン社向けの納期に関して被告 をディスコ社よりも不利に扱っており、こうした状況について、原告には多少の負い目があり、特に、被告との業務提携を主導してきた原告のＭ副社長には、原告との関係性を修復しようという思いがあった。そのような中で被告から、「顧客を引き留めるためにも、現状はＡＣＣＴ開発レーザーを売りたい。」との提案があったことから、原告としては、その要求を受け入れることが被告と の関係改善に資すると考えたものである。 また、原告は、被告が独自のレーザエンジンの開発に成功するとは思っておらず、万が一成功したとしても、原告が良いエンジンを開発すればそれを搭載したダイシング装置を商品化するとの合意があれば、被告が長期にわたって独自のエンジンを載せた装置を製造販売することにはならず、被告の顧客に原告 のレーザエンジンを載せた装置が販売されることになるので、被告が顧客を引き留めることは、原告にとってもメリットがあると判断した。 他方で、被告としても、原告がそれほど間を置かずに、被告にとって良好なレーザエンジンを供給してくれるものと信じていたことから、長期にわたって独自エンジンを載せた装置を製造販売していくこと 他方で、被告としても、原告がそれほど間を置かずに、被告にとって良好なレーザエンジンを供給してくれるものと信じていたことから、長期にわたって独自エンジンを載せた装置を製造販売していくことは想定していなかった。 このように、本件合意は、原告被告の共存共栄につながるものであるととも に、長期にわたる事項について取決めをするものではなかったため、トップ同士が署名した議事録による合意書が存在すればよく、それに加えて契約書の作成が必要であるとは、双方とも思い至らなかったのである。 ⑶ 本件合意後の原告の対応原告は平成２６年の当日はもちろん、その後１年以上が経過するまで、本件 合意の対象がサムスン社向けのサンプル機１台であるとの主張はしていなかった。そして、原告が本件合意の対象がサムスン社向けの装置に限られるとの主張を初めてしたのは、平成２７年１１月１９日のＬ部長からＮ氏に宛てたメールにおいてであった。しかも、そのメールには、被告製のエンジンはサムスン社に対してのみ紹介する合意だったと記載されているにすぎず、サンプル機 １台に限られるとは記載されていない。 そして、本件合意の対象がサンプル機１台に限られる旨の主張が初めて書面により明確にされたのは、平成２８年６月１３日のＲ氏の書簡においてである。 （原告の主張）被告は、平成２６年１０月８日、原告が被告に対し、ステルスダイシング技術 に関する全ての特許権の実施を、被告が開発するエンジンを搭載したレーザダイシング装置を対象として許諾したと主張するが、以下のような事情に照らせば、同主張に理由がないことは明らかである。 ⑴ 契約書が存在しないこと原告の事業戦略は、協力関係にあるＳＤダイサーメーカーに対し、原告製の と主張するが、以下のような事情に照らせば、同主張に理由がないことは明らかである。 ⑴ 契約書が存在しないこと原告の事業戦略は、協力関係にあるＳＤダイサーメーカーに対し、原告製の ステルスダイシングエンジンを販売し、その販売先に限り、本件特許発明を含むＳＤダイサー関連特許をライセンス許諾するというものである。そして、原告は、高性能なレーザエンジンのメーカーとして、レーザエンジンの優れた用途であるステルスダイシング技術を研究、開発し、そのような技術とそれを体現したステルスダイシングエンジンを普及させるべく、特許戦略と一体となっ たこの事業戦略を実施してきた。この事業戦略を支えるために、原告は、ステ ルスダイシング技術のパイオニアとして、同技術の研究開発、同技術を体現するステルスダイシングエンジンの開発・製造と、特許ポートフォリオの構築に膨大な投資をしてきた。 以上を背景として、原告と被告との間の本件業務提携契約（甲６の２）においては、原告がＳＤエンジンを製造し、これを被告に供給することが、同契約 の前提条件として明示され、合意されていた。このような極めて重要な内容であるにもかかわらず、同契約の期間中において、同契約の重要な内容に反する合意を、契約書はおろか、契約書案すら作成することもなく、口頭で合意することは、一部上場企業同士の契約としてあり得ない。 ⑵ 合意内容が経済合理性に反すること 原告は、ＳＤエンジンのメーカーであり、原告にとって、本件業務提携契約に合意されていたとおり、ＳＤエンジンの製造販売を継続し、これにより収益を上げ、その開発費を回収することが重要な基本戦略であるにもかかわらず、被告に対し、被告製のＳＤエンジン搭載したＳＤダイサーの製造販売を容認し、低額のロ Ｄエンジンの製造販売を継続し、これにより収益を上げ、その開発費を回収することが重要な基本戦略であるにもかかわらず、被告に対し、被告製のＳＤエンジン搭載したＳＤダイサーの製造販売を容認し、低額のロイヤリティのみを受領するということは、原告にとって、重要な基本 戦略に反することであり、経済的合理性が全くない。 もっとも、原告は、特定の顧客をつなぎ止めるためにサンプル機を納入する必要があるという被告の言い分に応じて、被告製品のサンプル機１台の紹介を認めたことはあるものの、それ以上に、被告製エンジンを取り付けた被告製品を販売してもよい旨の了承をしたことはない。 29 争点６－１－１（特許法１０２条２項の適用の可否）（原告の主張）原告には、被告の侵害行為により、ＳＤダイサーの中枢ユニットであるＳＤエンジンの製造販売ができなくなるという逸失利益が生じたものである。そのため、特許法１０２条２項の趣旨及び大合議判決に照らせば、本件については、同項の 推定規定が適用されるべきである。 ⑴ 大合議判決の解釈知財高裁平成２５年２月１日判決（ごみ貯蔵器事件大合議判決）及び知財高裁令和元年６月７日判決（二酸化炭素含有粘性組成物事件大合議判決）は、「特許権者に、侵害行為による特許権侵害行為がなかったならば利益が得られたであろうという事情が存在する場合」であれば、特許法１０２条２項の推定規定 が適用されることを示したものである。 そして、本件では、以下のとおり、上記のような関係が存在するため、特許法１０２条２項の推定規定は適用される。 アディスコ社と被告の２社は、海外及び国内の顧客に対し、ほぼ独占的にＳＤダイサーを供給している。したがって、被告の侵害行為により、ディスコ 法１０２条２項の推定規定は適用される。 アディスコ社と被告の２社は、海外及び国内の顧客に対し、ほぼ独占的にＳＤダイサーを供給している。したがって、被告の侵害行為により、ディスコ 社製品の販売量が減少した結果、原告も、ディスコ社への販売を通じて得られたはずの①ＳＤエンジン一式の販売利益及び②ＬＤモジュールの交換による利益及び③包括ライセンス契約による実施料相当額の利益を失った。 また、原告は、被告による侵害行為以前には、被告との間の業務提携契約及び包括ライセンス契約に基づき、原告製のＳＤエンジンを提供していたと ころ、被告による侵害行為がなければ、原告は、従来どおり、被告に対し、原告製のＳＤエンジンを製造販売していたはずである。その意味においても、原告には、上記ア①～③の逸失利益が生じている。 イその上で、原告と被告の業務態様の相違（被告がＳＤダイサーを製造販売し、原告がＳＤエンジンを製造販売する。）については、ＳＤダイサー中 のプラットフォーム部分（ＳＤエンジン以外の部分）の販売による利益を一部推定覆滅することで対応すれば足りる（下記３参照）。 ウ被告は、特許法１０２条２項の適用は、代替性のある競合品を販売している場合に限られる旨主張するが、被告独自の見解である。上記にいう代替性のある場合が２項適用の典型例であるとしても、その典型例に限定するのは 困難であり、条文上もそのような限定は存在しない。 仮に被告の主張を前提にすると、特許権者は、特許法１０２条２項の適用を受けるためには、経験則により逸失利益の額が侵害者の得た額と同額であることを立証する必要が生じるため、同項の趣旨を没却することになる。この点につき、二酸化炭素含有粘性組成物事件大合議判決が、「特 を受けるためには、経験則により逸失利益の額が侵害者の得た額と同額であることを立証する必要が生じるため、同項の趣旨を没却することになる。この点につき、二酸化炭素含有粘性組成物事件大合議判決が、「特許権者と侵害者の業務態様等に相違が存在すること」を推定覆滅事由として挙げている ことからも、特許権者の製品と侵害品が異なる市場で販売される場合にも１０２条２項が適用されることが前提となっている。 ⑵ ディスコ社製品と被告製品の関係原告とディスコ社との間の業務提携契約及び包括ライセンス契約により、全てのディスコ社製ＳＤダイサーには原告製ＳＤエンジンが組み込まれている。 そのため、被告の侵害行為によりディスコ社製ＳＤダイサーの販売数量が減少した場合、原告製ＳＤエンジン一式の販売数量もそれだけ減少する。 そして、次のとおり、ディスコ社製品と被告製品は、事実上、ＳＤダイサーの世界シェアを独占しており、被告製品が１台売れれば、ディスコ社製品が１台売れなくなるという関係にある。 ア原告製ＳＤエンジンと被告製ＳＤエンジンの競合平成３０年以降、１０００ＤＳがディスコ社向けの原告製ＳＤエンジンの主力製品であったが、平成３０年３月に被告が最初に販売したＳＤエンジンＮＳ９０１は、１０００ＤＳと略同波長である１１００ｎｍの加工用レーザ光を照射するものであり、明らかに１０００ＤＳの競合品として市場投入さ れたものである。 イ国内では、シリコンウェハ用のＳＤダイサーのメーカーとしては、ディスコ社と被告の２社しか存在しない。そして、海外では複数の企業がＳＤダイサーを製造しているものの、下記のサムスン社によるＥＯＴｅｃｈｎｉｃｓ社（以下「ＥＯ社」という。）製のＳＤエンジンの購入を除いては、シリ か存在しない。そして、海外では複数の企業がＳＤダイサーを製造しているものの、下記のサムスン社によるＥＯＴｅｃｈｎｉｃｓ社（以下「ＥＯ社」という。）製のＳＤエンジンの購入を除いては、シリ コンウェハ切断用のＳＤダイサーが販売された実績はない。 ウサムスン社は、被告製品の販売期間である平成２８年３月２９日以降、ディスコ社又は被告以外の企業からは、ＳＤエンジンを購入していない。 なお、サムスン社は、平成２７年から平成２８年にかけてのＥＯ社製ＳＤエンジンを購入したものの、その後は購入していない。 実際にも、平成２８年９月までにサムスン社に対して販売された●（省略） ●被告製品については、ディスコ社が販売予定であったＳＤダイサー９台中の●（省略）●台の需要を被告が奪ったという事実がある（甲１４１）。そして、ディスコ社の失注台数●（省略）●と原告の受注台数●（省略）●には●（省略）●台分しか差がないところ、これは、サムスン社において、単に購入台数を予定よりも減少させたためにすぎず、ディスコ社製ＳＤダイサ ーに代えてＥＯ社製ＳＤダイサーを購入することとしたわけではない。 エサムスン社以外にも、平成３０年１月末までのディスコの失注台数と被告の販売台数を比較すると、ＴＩ社（●（省略）●）、シグネティクス社（●（省略）●）、ＳＫＨｙｉｘ社（●（省略）●）、ＳＣＰＫ社（●（省略）●）という関係になる。これにより、ディスコ社の失注台数＝被告製品の販 売台数ということができる。 なお、サムスン社については、最初に販売された1 台（サンプル機）についても、侵害品に含めて考えるべきである。 （被告の主張）本件においては、特許法１０２条２項を適用する前提を欠くため、同項に基づ スン社については、最初に販売された1 台（サンプル機）についても、侵害品に含めて考えるべきである。 （被告の主張）本件においては、特許法１０２条２項を適用する前提を欠くため、同項に基づ く推定規定を用いることはできない。また、被告製品の販売がなければ原告製ＳＤエンジンが販売することができたという関係にもないから、原告に逸失利益が生じたともいい難い。 ⑴ 大合議判決の解釈ア民法７０９条に基づく不法行為による損害賠償制度は、加害行為がなかっ た場合に想定される利益状態と、加害行為によって現実に発生した不利益状 態とを金銭的に評価した差額を損害として把握し、これを填補するものである（差額説・現実損害説）。そして、特許法１０２条２項は、このような不法行為に基づく損害賠償制度の枠内において、損害の「額」について事実上の推定を認める趣旨であることに照らせば、同項の推定を受けるのは、差額説・現実損害説により把握される権利者の逸失利益の範囲に留まることは当 然である。 また、１０２条２項は、法律上の事実推定規定であるところ、「侵害者が侵害品を販売して利益を得ていなければ、特許権者等は自己の製品を販売してこれと同額の利益を得られたはずである」という一応の経験則を背景とするものである。 このような制度趣旨に照らして大合議判決の射程を検討すると、１０２条２項の適用が認められるのは、同項に基づく推定を正当化できる場合、すなわち、特許権者が少なくとも侵害品と代替性のある競合品を販売している場合に限られると解すべきである。 イ市場において競合しないこと 被告は、被告製エンジンを不可分一体のものとして組み込んだ被告製品を販売しており、被告製エンジンのみの販売は ている場合に限られると解すべきである。 イ市場において競合しないこと 被告は、被告製エンジンを不可分一体のものとして組み込んだ被告製品を販売しており、被告製エンジンのみの販売はしていない。他方で、原告製ＳＤエンジンの販売先は、ディスコ社製ＳＤダイサーの購入者ではなく、原告製ＳＤエンジンを組み込んでＳＤダイサーを製造するディスコ社である。 そのため、原告製ＳＤエンジンの需要者は、ディスコ社であるのに対し、被告製ＳＤエンジンの需要者は存在しない。このように、ＳＤエンジンとＳＤダイサーとでは、需要者は全く重ならないから、両者の市場は明瞭に区別される。したがって、ＳＤエンジンは被告製品の代替品として用いることはできず、ＳＤエンジンの市場とＳＤダイサーの市場とは明確に区別 されるべきであり、実際にも区別されている。 また、原告は、ＳＤダイサーの部品であるＳＤエンジンの販売しか行っていないところ、ＳＤエンジンの販売価格は●（省略）●程度であるのに対し、ＳＤダイサーは●（省略）●であることからすれば、同質の利益を得られる関係にはない。 ウ原告の主張に対する反論 大合議判決の事案は、部品しか販売していない特許権者が完成品の販売による利益について特許法１０２条２項の損害を主張したものではないから、本件のような事案にまで射程は及ばない。 原告は、大合議判決が業務態様等の相違を覆滅事由として挙げていることを根拠として、業務態様が相違する場合であっても、１０２条２項の適 用が前提とされている旨主張する。 しかしながら、大合議判決は、侵害者の利益と推定を受ける特許権者の逸失利益との間に、一応の経験則が成立し得るだけの同質性が認められることを当然の前提としつつ、業務態様の れている旨主張する。 しかしながら、大合議判決は、侵害者の利益と推定を受ける特許権者の逸失利益との間に、一応の経験則が成立し得るだけの同質性が認められることを当然の前提としつつ、業務態様の相違が覆滅事由に当たると述べたものにすぎない。このように大合議判決の射程を限定的に解する立場は、 学説の主流を成す。 侵害品の一部に用いられている部品を製造・販売している部品メーカーが、当該部品の販売に関し、侵害者が最終製品の製造・販売により得た利益と同額の利益を得ることはあり得ない。そもそも、特許法１０２条２項は、経験則に基づき、逸失利益の立証の困難性の軽減を図る規定であると ころ、推定を正当化できない事情がある場合にまで推定を認めることは同項の制度趣旨に反する。 ⑵ ディスコ社製品と被告製品の関係原告は、「被告製品が１台売れれば、ディスコ社製品が１台売れなくなる」関係にあると主張するが、実際にはそのような関係もないから、その意味でも、 「被告による行為がなければ原告は逸失利益を得られたはずであった」ともい えない。 ア海外のＳＤエンジンメーカーの存在 被告製品の販売台数●（省略）●に対して販売されたものであるところ、海外のエンドユーザは海外のメーカーからも購入している。 具体的には、ＥＯ社は、僅か２年間でサムスン社に約５０台もレーザダ イシング装置を販売しているが、この台数は、平成２８年３月から令和３年１１月２９日までの５年８カ月もの間に販売された被告製品の台数●（省略）●台を上回るものである。同期間中に、被告は、サムスン社に●（省略）●台しか納入していないことからすれば、そのシェアは圧倒的である。 以上のように、仮に被告が被告製品を製造していなかっ 略）●台を上回るものである。同期間中に、被告は、サムスン社に●（省略）●台しか納入していないことからすれば、そのシェアは圧倒的である。 以上のように、仮に被告が被告製品を製造していなかったとしても、海外の需要者は、ディスコ社以外からの海外のメーカーから購入できた可能性は十分にあるから、被告による侵害行為がなければ原告製ＳＤエンジンが販売できたとはいえない。 立証責任の配分という観点からは、原告において、他に競合する事業者 が存在しないことを立証すべきところ、原告はこの点を何ら立証していない。 イサムスン社の対応被告製品●（省略）●はサムスン社への販売であるところ、サムスン社は、２社購入が原則である。そのため、被告製品が販売されなかったとしても、 ディスコ社とＥＯ社の２社からの購入を維持していたはずであり、ディスコ社からのみ購入することはあり得ない。これは、サムスン社のＯ氏の電子メール（乙２９１）の記載内容からも明らかである。 ウ TexasInstruments 社（以下「ＴＩ社」という。）の対応被告の販売台数●（省略）●はＴＩ社への販売であるところ、これまで、 ＴＩ社はディスコ社のＳＤダイサーを購入した実績はない。 被告製品の性能に対する評価ＴＩ社のデバイス設計は、被告製品の性能に基づいて変更されているところ、ディスコ社製品により、被告製品と同等の性能が得られる保証はない。そして、ＴＩ社は、被告製品に対し、「２０１８年テキサス・インスツルメンツサプライヤー大賞」を与えていることからも明らかないよう に、ＴＩ社が被告製品を購入したのは、単に被告製品がＳＤダイサーであるというだけではなく、被告製品の性能やＴＩ社の事業への貢献を高く評価したからであり、そのよう ていることからも明らかないよう に、ＴＩ社が被告製品を購入したのは、単に被告製品がＳＤダイサーであるというだけではなく、被告製品の性能やＴＩ社の事業への貢献を高く評価したからであり、そのような実績のないディスコ社製品を購入していたはずであるとはいえない。 被告製品がＲＭ付きの製品であること ●（省略）●これに対し、ディスコ社は、ＲＭが取り付けられた製品を販売していない。 エ対応関係の不存在ディスコ社の失注台数が原告主張のとおりであることについては、客観的な裏付けを欠く上、仮に原告の主張を前提としても、ディスコ社が失注した 台数の方が被告の販売実績よりも多いから、その差分については、被告以外の他のメーカーが顧客に販売した可能性が高い。 また、ディスコ社の失注と被告の販売が一対一に対応していることの立証もなく、ディスコ社の失注については他のメーカーが販売した一方で、そもそもディスコ社に引き合いのなかった需要に対して被告が販売した可能性 も存在する。 オディスコ社製品はもともと不人気だったこと被告は、平成２８年以降、被告製品の販売を開始したが、その後、ディスコ社が平成３０年４月頃に新製品の販売を開始するまでの間、ディスコ社のレーザダイシング装置はほとんど売れていなかった。 争点６－１－２（特許法１０２条２項に基づく損害額） （原告の主張）⑴ 販売台数について被告は、平成２８年から令和４年２月２５日までの被告製品の販売台数につき、別紙「被告製品販売状況一覧表」（以下、単に「一覧表」という。）のとおり、合計●（省略）●台であると主張している。そのため、平成２８年から 令和４年２月２５日までの間に少なくとも●（省略）●台の被告製品が製造・ 売状況一覧表」（以下、単に「一覧表」という。）のとおり、合計●（省略）●台であると主張している。そのため、平成２８年から 令和４年２月２５日までの間に少なくとも●（省略）●台の被告製品が製造・販売されたことになる。 なお、被告は、平成２８年３月の１台（サムスン社に対するサンプル機。別紙一覧表の№１）については、利益の算定の根拠となる台数から控除すべきであると主張するものの、当該１台は、デモ機の返却と引換えに販売されたもの であるから、これを販売数から除外する理由はない。 ⑵ 限界利益の額ア被告製品の売上高被告は、被告製品本体に加え、ＲＭモジュールやオプション品を含めた全体を１つの装置として販売していたものであるから、被告製品の売上高を算 出するに当たっては、被告製品本体のみならず、ＲＭモジュールやオプション品の売上高も含める必要がある。 そして、被告製品●（省略）●のそれぞれの売上高は、別紙一覧表の対応する「売上金額（ａ）」欄記載の各金額とおりであり、これらを合計すると、●（省略）●円となる。 また、被告製品●（省略）●台分の売上高は、上記の金額に、別紙一覧表の№●（省略）●に対応する「売上金額（ａ）欄」記載の金額（●（省略）●円）を加算した●（省略）●となる。 イ被告製品の限界利益 主位的主張 被告製品は、ＲＭモジュールやオプション品を含めて一体として販売さ れているところ、特許法１０２条２項にいう「利益の額」は、これらのＲＭモジュールやオプション品を含めた被告製品全体の限界利益をいうものである。 ａ 被告製品№●（省略）●の限界利益被告製品ごとに、ＲＭモジュールやオプション品を含んだ直接経 のＲＭモジュールやオプション品を含めた被告製品全体の限界利益をいうものである。 ａ 被告製品№●（省略）●の限界利益被告製品ごとに、ＲＭモジュールやオプション品を含んだ直接経費を 集計した表が甲１５９であるところ、これによれば、被告製品●（省略）●の直接経費は、●（省略）●となる。 そうすると、被告製品●（省略）●台分の限界利益は、●（省略）●となり、限界利益を売上高で除した限界利益率は、●（省略）●％となる。 ｂ 被告製品№●（省略）●の限界利益被告製品№●（省略）●の売上高は●（省略）●円であるところ（乙３２５、３２９）、これに上記の限界利益率●（省略）●％を乗じると、限界利益は●（省略）●円となる。 ｃ 限界利益の合計 上記ａ及びｂを合計すると、被告製品（●（省略）●台分）の限界利益の合計額は、●（省略）●円となる。 予備的主張仮に、被告製品の売上高にはＲＭモジュールやオプション品の売上高が含まれないと考えた場合には、これらの原価については、直接経費には含 まれないことになる。 そして、その場合の被告製品の売上げの合計額は●（省略）●円となり、直接経費の合計額は●（省略）●円であるから、限界利益の額は●（省略）●円（＝●（省略）●）となる。 被告の主張に対する反論 被告は、被告製品の限界利益を算定するに当たって、売上総額から、 ①直接原価（乙３０４）及び②販売手数料を除き、かつ、③販売変動費及び④試作品製造・改良費については、当該半期に被告が販売したレーザダイシング関連全体の売上高に占める被告製品の割合に基づいて、当該半期において支出した被告製品の販売変動費及び試作品製造・改良費の総額をそれぞれ 造・改良費については、当該半期に被告が販売したレーザダイシング関連全体の売上高に占める被告製品の割合に基づいて、当該半期において支出した被告製品の販売変動費及び試作品製造・改良費の総額をそれぞれ算出すべきである旨主張する。 しかしながら、被告製品の各半期の限界利益率（乙３２４、３２５）は●（省略）●までと大きく変動しているが、そのようなことは通常考え難い。また、被告が直接原価として提出する証拠（乙３０４）は、その分量が大部であり、原告としてはその内容に適切に認否反論することが困難である上、短期間で確認しただけでも被告製品とは無関係な経費 が多数含まれており、上記証拠に依拠して被告製品の限界利益を算定することはできない。 ⑶ 推定覆滅ア覆滅事由本件においては、大合議判決が指摘した事由のうち、特許権者と侵害者の 業務態様等の相違のみが、推定一部覆滅事由に該当し得る。それ以外の事由は認められない。 被告が平成２８年に被告製品の販売を開始してから現在に至るまでの間の被告製品の総販売台数は、現在のディスコ社のＤＦＬ７３６１及びＤＦＬ７３６２の年間販売台数にも及ばない。現在、ＳＤダイサーについて、 原告・ディスコ社に比して被告の販売誘引力が劣るのは明らかである。これは、原告製ＳＤエンジンの性能に寄与するところが大きく、ＳＤダイサーにおいては、中核的ユニットであるＳＤエンジンの性能がその市場価値を左右する。 また、ＥＯ社その他韓国や中国のメーカーのＳＤダイサーに関しては、 具体的な製造実績や販売状況は明らかではない。ＥＯ社以外のメーカーは、 シリコンウェハ用のＳＤダイサーではなく、ガラス用や発光ダイオード等の窒化物半導体用の切断加工装置であり、シリコンウ 具体的な製造実績や販売状況は明らかではない。ＥＯ社以外のメーカーは、 シリコンウェハ用のＳＤダイサーではなく、ガラス用や発光ダイオード等の窒化物半導体用の切断加工装置であり、シリコンウェハ用のＳＤダイサーに関する競業会社であるとはいえない。 さらに、ＥＯ社もサムスン社に対し、平成２７年から２８年にかけて販売した実績があるのみである。 イ覆滅割合ＳＤダイサーのプラットフォーム部分は、半導体の切断加工装置としては汎用的な部品である。これに対し、ＳＤエンジンこそがＳＤダイサーに必須の中核的ユニットであり、ＳＤエンジンの性能がＳＤダイサーの装置全体の性能を大きく左右し、ＳＤダイサーの市場価値を決定付けていることからす ると、被告製品１台当たりの限界利益のうち、ＳＤエンジンが寄与する割合は、プラットフォーム部分が寄与する割合と比べて、極めて大きいから、利益に対する寄与の比率は、３：１と評価されるべきである。 そうすると、覆滅割合は、２５％にとどまるというべきである。 ウ覆滅後の限界利益の額 主位的主張主位的主張に係る覆滅後の限界利益の額は、●（省略）●円×０．７５）となる。 予備的主張予備的主張に係る覆滅後の限界利益の額は、●（省略）●円×０．７５） となる。 ⑷ 弁護士費用本件訴訟の難易度及び係属期間、被告による本件訴訟及びその他の訴訟並びに無効審判における訴訟態様等に照らせば、弁護士費用相当額●（省略）●円については、被告による侵害行為と相当因果関係のある損害である。 ⑸ 合計 以上によれば、特許法１０２条２項に基づく損害の額は、次のと 費用相当額●（省略）●円については、被告による侵害行為と相当因果関係のある損害である。 ⑸ 合計 以上によれば、特許法１０２条２項に基づく損害の額は、次のとおりである。 そして、原告は、これらの一部請求として、２４億円並びにうち２１億円に対する平成３０年１１月１日から及びうち３億円に対する令和２年２月１日から各支払済みまで年５分の割合による遅延損害金の支払を求めるものである。 ア主位的主張に係る損害額：３２億７９３４万９９７３円（＝●（省略）●） イ予備的主張に係る損害額：２５億９７２４万０１６３円（＝●（省略）●）（被告の主張）仮に特許法１０２条２項が適用される場合、本件において同項により推定される限界利益の額は、以下のとおり、●（省略）●⑴ 販売台数 ア販売台数は●（省略）●台であるところ、下記イのとおり、損害賠償の対象からは１台は控除すべきであるから、●（省略）●台となる。 イサムスン社に対するデモ機について原告は、サンプル品又はデモ機を現状有姿のまま引き取る場合のみならず、採用の決まったサンプル品又はデモ機と同一仕様の製品につき受注を受け た場合についても、ライセンスをする意思を有していたというべきである。 そのため、サムスン社に対するサンプル用のデモ機１台は含まれるべきではない。 すなわち、被告とサムスン社との間で締結された共同評価契約（乙２９５）においては、被告製品のサンプル品を被告がサムスン社に提供し、被告とサ ムスン社が共同でその性能を評価することや、サンプル品の評価が完了した後、サムスン社がサンプル品を購入する場合があることが規定されている。 他方で、原告と被告との間では、平成２６年１０月 サ ムスン社が共同でその性能を評価することや、サンプル品の評価が完了した後、サムスン社がサンプル品を購入する場合があることが規定されている。 他方で、原告と被告との間では、平成２６年１０月３０日付けのメールをもって、サムスン社向けに出荷する装置に限っては、サンプル出荷の際にはロイヤリティの支払は不要であるが、「装置が受注になり販売になった場合」 には別途ロイヤリティを支払うことにつき合意が成立した（乙２０）。そし て、原告がライセンス対象として認める「装置が受注になり販売になった場合」とは、正に、サンプル品（デモ機）の評価完了後の販売であって、サンプル品（デモ機）を現状有姿のまま引き取る場合のみならず、採用が決まったサンプル品（デモ機）と同一仕様の製品について受注を受けた場合を意味すると解すべきである。 以上によれば、原告としても、上記契約に基づき、被告がサムスン社に提供したサンプル品に係る販売として、平成２８年３月に譲渡した１台については、原告としても、ライセンスをする意思を有していたというべきである。 ⑵ 推定の対象についてア大合議判決は、１０２条２項が「妥当な損害の填補」のために、立証の困 難性の軽減を図った規定であるところ、ここでいう「妥当な損害」とは、差額説の下で認められる損害、すなわち、「加害行為がなかった場合に想定される利益状態と加害行為によって現実に発生した不利益状態を金銭的に評価して得られる差額」である。そうすると、同項は、特許権者が自身の製品を販売することで得られたであろう利益の額の範囲内で推定を認め、立証の 負担を軽減した規定であると解されるところ、その範囲を超えて、侵害者が独自に得た利益の額をも特許権者が得た利益の額であると推定することは、特許法１０２ う利益の額の範囲内で推定を認め、立証の 負担を軽減した規定であると解されるところ、その範囲を超えて、侵害者が独自に得た利益の額をも特許権者が得た利益の額であると推定することは、特許法１０２条２項の制度趣旨に反する。 そして、二酸化炭素含有粘性組成物事件大合議判決は、特許法１０２条２項により推定される侵害者が受けた利益の額について、「原則として」侵害 者が得た利益全額であると述べるにすぎず、例外を許容しているところ、本件においては、その例外として、侵害者が得た利益全額について推定を認めるのではなく、特許権者が得られたであろう利益の限度で推定が及ぶと解すべきである。 イ本件では、被告製品の製造販売等により被告が得た利益のうち、原告が得 られたであろう利益は、被告製エンジン部分に相当する利益に限られる。そ のため、被告製品の製造販売等によって被告が得た利益のうち、被告製エンジン部分に相当する利益の額についてのみ、２項の推定が及ぶと解すべきである。 そして、被告は、被告製エンジンのみについての限界利益は管理していないところ、被告製エンジン部分と被告製品全体につき、限界利益率が同一で あると仮定した上、被告製品全体の限界利益の額に、被告製品全体の販売価格（●（省略）●）に占める被告製品エンジンを販売した場合の価格の割合である●（省略）●％を乗じた額をもって、特許法１０２条２項の推定が及ぶ利益の額と解すべきである。 なお、被告は、被告製エンジンを単体で販売した実績はないため、被告が 購入していた当時の原告製エンジンの価格をもって、被告製エンジンの価格とみなすことにする。 ウこれに対し、原告は、ＲＭモジュールやオプション品についても、推定の対象に含まれる 告が 購入していた当時の原告製エンジンの価格をもって、被告製エンジンの価格とみなすことにする。 ウこれに対し、原告は、ＲＭモジュールやオプション品についても、推定の対象に含まれる旨主張するが、以下のとおり、理由がない。 ＲＭモジュールは、元来、半導体ウェハの製造工程において、ポリッシ ュ・グラインダ（ウェハの薄片化とダメージ除去を行う装置）に、中間ユニットを介して接続するために開発された装置であり、ウェハ裏面にダイシングテープを貼付するとともに、ウェハ表面に添付された表面保護テープを剥離する工程を担うものである。 そして、ダイシング装置である被告製品とＲＭモジュールの関係は、こ のようなポリッシュ・グラインダとＲＭモジュールの関係と同様であり、ＲＭモジュールが被告製品に接続された場合には、被告製品においてレーザ照射による加工を行った後、加工対象物であるウェハが中間ユニットを介してＲＭモジュールに搬送され、同所において、裏面にダイシングテープの貼付と表面の保護テープの剥離が行われるものである。この場合、被 告製品とＲＭモジュールは、中間ユニットにより接続されているものの、 それぞれが独立したモニタ及び制御機構を有しており、個別に制御することが可能である。 以上のとおり、ＲＭモジュールは、半導体ウェハ製造工程中の一工程を担う装置であるところ、ダイシング装置に接続されることもあれば、ポリッシュ・グラインダに接続されることもあるものであり、ダイシング装置 とは全く別の機能を有する装置である。 したがって、ＲＭモジュールの売上高を含めて被告製品の売上高を算出することは相当ではない。 オプション品には、ダイシング装置を構成するものではない様々なオプション品や業務委 である。 したがって、ＲＭモジュールの売上高を含めて被告製品の売上高を算出することは相当ではない。 オプション品には、ダイシング装置を構成するものではない様々なオプション品や業務委託費が含まれるところ、これらは、本件各発明の実施に は関係がない。本件各発明の実施に直接関係する構成は、標準品である被告製品に含まれており、オプション品は、個々の顧客からの個別の要請に応じて被告が別途受注・受託したものにすぎない。 したがって、オプション品の売上高を含めて被告製品の売上高を算出することは相当ではない。 ⑶ 利益の額についてア被告は、経理システム上、個々の被告製品ごとに限界利益の額を管理しているわけではないものの、半期ごとに経費の額等を管理している。そこで、半期ごとに、被告製品の限界利益率を算出し、これを当該半期における各被告製品の売上高に乗じることにより、限界利益を算出するのが相当である。 このようにして算出した被告製品の限界利益の総額は、●（省略）●である。そして、この金額に、被告製品全体のうち被告製エンジンの占める割合である●（省略）●％を乗じた●（省略）●円が本件において特許法１０２条２項に基づき推定される限界利益の額となる。 イこれに対し、原告は、被告製品の限界利益につき６５００万円と主張する が、同額は、原告自身が主張する原告製ＳＤエンジンの販売単価（８００Ｄ Ｓ：●（省略）●、１０００ＤＳ: ●（省略）●）よりも高額であるから、明らかに不合理である。 ⑷ 推定覆滅ア推定覆滅事由大合議判決が挙げる推定覆滅事由は、次のとおりである。 市場の非同一性本件で推定される利益の額について、被告製エンジンに相 ⑷ 推定覆滅ア推定覆滅事由大合議判決が挙げる推定覆滅事由は、次のとおりである。 市場の非同一性本件で推定される利益の額について、被告製エンジンに相当する部分の利益に限定されるとすれば、この事情は考慮することを要しない。しかしながら、仮に、被告製品全体の販売によって得られる利益の額全額について推定が及ぶ場合には、覆滅割合は、少なくとも●（省略）●。 競合品の存在海外には、ＥＯ社のほか、徳力激光、長城科技、無錫先導知能設備などの競合他社が存在する。 侵害者の営業努力被告製品の販売は、プロービングマシンやレーザ以外のダイシングマシ ン等の被告製品の半導体製造装置を購入している顧客との良好な関係や、既存顧客に対する積極的な営業活動が功を奏した結果、販売に至ったものが多い。具体的には、既存顧客への販売割合は、●（省略）●。 侵害品の性能被告製品には、ディスコ社の製品にはない利点がある。 イ覆滅割合上記ないしの事情に鑑みれば、推定覆滅割合は、①被告製エンジン全体を基礎とする場合には、少なくとも●（省略）●％に上り、②被告製品全体を基礎とする場合には、●（省略）●％に上る。 ⑸ 金額 以上によれば、覆滅後の特許法１０２条２項の損害は●（省略）●となる。 31 争点６－２－１（特許法１０２条１項の適用の可否）（原告の主張）⑴ 大合議判決の解釈知財高裁令和２年２月２８日判決（美容器事件大合議判決）は、「特許権者又は専用実施権者がその侵害の行為がなければ販売することができた物」につ き、「侵害行為によってその販売数量に影響を受ける 知財高裁令和２年２月２８日判決（美容器事件大合議判決）は、「特許権者又は専用実施権者がその侵害の行為がなければ販売することができた物」につ き、「侵害行為によってその販売数量に影響を受ける特許権者等の製品、すなわち、侵害品と市場において競合関係に立つ特許権者等の製品」と判示している。上記「すなわち」の語義に照らせば、「侵害品と市場において競合関係に立つ特許権者等の製品」は、「侵害行為によってその販売数量に影響を受ける特許権者等の製品」と同義であるから、「競合関係」とは、侵害品の販売によ り特許権者等の製品の販売数量が影響を受ける関係であれば足りる。そして、「市場」は、そのような競合関係がある市場を意味する。 本件においては、被告製品の販売により、ディスコ社製品の販売数量が直接影響を受ける結果、特許権者である原告のＳＤエンジンの販売する量もそれに応じて影響を受ける関係にある。 ⑵ 本件における当てはめ被告は、「競合」する製品であるといえるためには、代替性が認められるものでなければならないなどと主張するが、シリコンウェハ用のＳＤダイサーのメーカーは、世界的に見てもディスコ社と被告の２社が事実上独占しており、この２社のみが、サムスン社等の半導体製造業者に対し、ＳＤダイサーを販売 しているという客観的状況からすれば、被告の侵害行為がなければディスコ社を介して原告のＳＤエンジンが販売できた関係にある以上、市場における競合関係は認められる。 （被告の主張）⑴ 大合議判決の解釈 ア １０２条１項は、同条２項と同様に、民法７０９条に基づく不法行為によ る損害賠償制度の枠内において、侵害品が販売されなかったとすれば、特許権者のみがその代替品を販売できたはずであるという経験則を背景 は、同条２項と同様に、民法７０９条に基づく不法行為によ る損害賠償制度の枠内において、侵害品が販売されなかったとすれば、特許権者のみがその代替品を販売できたはずであるという経験則を背景に、逸失利益の「額」に関し、法律上の事実推定を定めたものである。そのような制度趣旨に照らせば、同条１項の推定規定の適用を受けるためには、特許権者の製品が侵害品の代替品となる競合品であり、特許権者が侵害品と同数の製 品を販売できたはずであるという経験側が認められる必要がある。 そして、美容器事件大合議判決が、「すなわち侵害品と市場において競合関係に立つ特許権者等の製品であれば足りる」と判示した趣旨は、特許権者等の製品が、侵害品と市場において競合関係に立つものであって初めて、特許権侵害により、特許権者等の競合品の販売利益の減少が生じたとの経験則 に沿うものとなることから、そのような特許権者等を、侵害がなかった場合に想定される利益状態に回復させるために、競合品の販売利益の損失を逸失利益と捉えて、同条１項の推定の対象とすることにあると解される。 このような同項の制度趣旨に照らせば、同項の推定を受けるためには、特許権者の製品が侵害品と代替性のある競合品であり、特許権者が侵害品と同 数の製品を販売できたはずであるという経験則が必要である。 以上によれば、「競合」するといえるためには、単に競合関係にあるというだけでは足りず、侵害品が売れなければ特許権者等の製品が売れたはずという代替性が認められるものである必要がある。 イ原告が市場において販売する製品はＳＤエンジンであるのに対し、被告製 品はこれを搭載したダイシング装置であるため、両者が市場において競合することはない。すなわち、原告は、ＳＤエンジンという部品を製造 市場において販売する製品はＳＤエンジンであるのに対し、被告製 品はこれを搭載したダイシング装置であるため、両者が市場において競合することはない。すなわち、原告は、ＳＤエンジンという部品を製造販売しているにすぎず、被告製品との代替性を持ち、市場において競合する製品の製造販売を行っているわけではないから、特許法１０２条１項の推定を受ける前提を欠く。 ⑵ 市場における実情 前記のとおり、被告製品が１台販売されなければディスコ社製品が１台販売できたという関係にはないため、その結果、被告製品が１台販売されなければ原告製ＳＤエンジンが１台販売できたという関係にもないから、この意味においても、本件では特許法１０２条１項を適用することはできない。 ⑶ 需要者のニーズ レーザダイシング装置の需要者は、レーザエンジンの性能のみならず、装置全体の性能に着目して当該装置を採用するのであって、エンジンのみの性能に着目して採用を決定する事業者は存在しない。 ⑷ 実施の能力レーザダイシング装置は、大半が受注生産であり、生産に相応の時間を要す るところ、被告製品の販売台数である●（省略）●台を、ディスコ社が同時期に自社製品を製造することができたことは何ら立証されていないから、「実施の能力」の立証を欠くものであり、特許法１０２条１項は適用されないというべきである。 32 争点６－２－２（特許法１０２条１項に基づく損害額） （原告の主張）⑴ 限界利益の額ア ８００ＤＳについて ８００ＤＳ本体８００ＤＳ本体は、●（省略）●である。したがって、単位数量当たり の利益の額は、●（省略）●となる（●（省略）●）。 交換用ＬＤモジュール ８００ＤＳ本体８００ＤＳ本体は、●（省略）●である。したがって、単位数量当たり の利益の額は、●（省略）●となる（●（省略）●）。 交換用ＬＤモジュール８００ＤＳ交換用ＬＤモジュールの１台当たりの限界利益は、●（省略）●である。 イ １０００ＤＳについて １０００ＤＳ本体 １０００ＤＳ本体は、●（省略）●である。したがって、単位数量当たりの利益の額は、●（省略）●となる（●（省略）●）。 交換用ＬＤモジュール１０００ＤＳ交換用ＬＤモジュールの１台当たりの限界利益は、●（省略）●である。 ⑵ 損害額以下のとおり、損害額は合計１６億０５１４万５７６６円となる。 ア対応関係前記のとおり、被告製ＳＤエンジンＮＳ９００が原告製ＳＤエンジン８００ＤＳと市場で競合し、被告製品ＳＤエンジンＮＳ９０１が原告製ＳＤエン ジン１０００ＤＳと市場で競合してきた。 したがって、ＮＳ９００の販売数量に８００ＤＳの単位数量当たりの利益の額を、ＮＳ９０１の販売数量に１０００ＤＳの単位数量当たりの利益をそれぞれ乗じるのが相当である。 イ ＮＳ９００搭載機の販売による８００ＤＳ一式の逸失利益 ８００ＤＳ本体ＮＳ９００の販売台数は●（省略）●台であるところ、これによる原告の逸失利益は、●（省略）●となる（●（省略）●台） ８００ＤＳ交換用ＬＤモジュールの逸失利益８００ＤＳが一台販売されれば、導入後●（省略）●は使用されること になるが、その間、●（省略）●、交換用ＬＤモジュールを販売することになる。 その ールの逸失利益８００ＤＳが一台販売されれば、導入後●（省略）●は使用されること になるが、その間、●（省略）●、交換用ＬＤモジュールを販売することになる。 そのため、交換用ＬＤモジュールの逸失利益は、●（省略）●（＝●（省略）●）となる。 ウ ＮＳ９０１搭載機の販売による１０００ＤＳ一式の逸失利益 １０００ＤＳ本体 ＮＳ９０１の販売台数は●（省略）●台であるところ、これによる原告の逸失利益は、●（省略）●（＝●（省略）●台）となる。 １０００ＤＳ交換用ＬＤモジュールの逸失利益１０００ＤＳが一台販売されれば、導入後●（省略）●は使用されることになるが、その間●（省略）●、交換用ＬＤモジュールを販売すること になる。 そのため、交換用ＬＤモジュールの逸失利益は、●（省略）●となる。 エ小計上記イないしエを合計すると、１６億０５１４万５７６６円となる。 オ弁護士費用 前記争点６－１－２において主張したとおり、弁護士費用相当額●（省略）●円については、被告による侵害行為と相当因果関係のある損害である。 カ合計以上によれば、特許法１０２条２項に基づく損害の額は、●（省略）●（＝●（省略）●）となるところ、原告は、同額及びこれに対する平成３０年１ １月１日から支払済みまで年５分の割合による遅延損害金の支払を求めるものである。 （被告の主張）⑴ 販売価格ア原告のディスコ社に対する販売価格は●（省略）●されているが、実際に は、累計販売台数が多いことによるディスカウントがされていると考えられるから、●（省略）●と推定される。そのため、原告製ＳＤエンジンの販売価 対する販売価格は●（省略）●されているが、実際に は、累計販売台数が多いことによるディスカウントがされていると考えられるから、●（省略）●と推定される。そのため、原告製ＳＤエンジンの販売価格は、８００ＤＳ及び１０００ＤＳのそれぞれについて、最大でも●（省略）●であると考えるべきである。 イこれに対し、原告は、販売価格につき、８００ＤＳは●（省略）●、１０ ００ＤＳは●（省略）●であると主張するものの、以下のとおり、原告とデ ィスコ社の間で、●（省略）●もの高価格で原告製ＳＤエンジンが取引されていたとは考え難い。 原告主張の販売価格（８００ＤＳ：●（省略）●、１０００ＤＳ：●（省略）●）は、陳述書（甲１４２）のみを裏付けとするものであり、立証不十分である。 また、上記陳述書（甲１４２）に引用された見積書は、飽くまで見積書にすぎず、実際の販売価格を示すものではないところ、被告が原告製ＳＤエンジンを購入していた際の単価が●（省略）●（乙１４。●（省略）●）であったことに照らせば、ディスコ社が、その１．５倍以上の高価格で原告製ＳＤエンジンを購入していたとは考え難い。 ウ ＬＤモジュール及びライセンス料について原告は、ＬＤモジュール交換費用及びライセンス料についても推定の対象に含まれる旨主張するものの、以下のとおり、理由がない。 ＬＤモジュール自体は侵害品ではない上に、交換を希望しない顧客も存在する。実際にも、メーカーが設定した交換寿命の３倍以上や５倍以上の 期間使用した後に交換されている。したがって、ＬＤモジュール交換費用は含まれるべきではない。 ライセンス料は、ライセンス契約を締結した当事者にのみ適用されるものであるところ、本件 期間使用した後に交換されている。したがって、ＬＤモジュール交換費用は含まれるべきではない。 ライセンス料は、ライセンス契約を締結した当事者にのみ適用されるものであるところ、本件では、原告自身がライセンス契約は存在しないと主張している以上、損害賠償の対象とはならない。 ⑵ 原価ア被告製品に搭載されている被告製レーザエンジンの直接材料費は、乙３０３のとおりであり、１台当たり●（省略）●円である。そして、原告製ＳＤエンジンの原価も同程度であると考えるべきところ、その中央値は約●（省略）●円である。 したがって、原告製ＳＤエンジンの原価は、８００ＤＳ及び１０００ＤＳ のそれぞれについて、最大でも●（省略）●円と考えるべきである。 イ原告の主張に対する反論原告は、陳述書（甲１４２）に基づき原価を主張するものの、以下のとおり理由がない。 原告製ＳＤエンジンについて ａ 原告主張の原価（８００ＤＳ：●（省略）●、１０００ＤＳ：●（省略）●）は、販売価格と同様、陳述書のみを裏付けとするものであり、立証不十分である。 ｂ また、甲１４２に原価データのスクリーンショットが引用されているところ、「７５期上期製品予定原価」と記載されており、実際の原価と 一致しているかどうかも不明であるし、「７５期」がいつであるかも特定できない。 ｃ さらに、上記の原価データのスクリーンショットに記載された数字と、甲１４２本体の記載内容には齟齬がある。 交換用ＬＤモジュールについて 交換用ＬＤモジュールの販売による利益は、特許法１０２条１項による推定の対象とはならないが、仮に対象になるとした場合であっても、原告の主張する販売 交換用ＬＤモジュールについて 交換用ＬＤモジュールの販売による利益は、特許法１０２条１項による推定の対象とはならないが、仮に対象になるとした場合であっても、原告の主張する販売価格及び原価が裏付けを欠くものであることは、上記ａ（原告製ＳＤエンジン）と同様である。 ⑶ 単位数量当たりの利益の額 以上によれば、原告が販売することができた物の単位数量当たりの利益の額は、●（省略）●（＝●（省略）●）となる。 ⑷ 推定覆滅事由以下の事情を踏まえると、原告製ＳＤエンジンの販売によって原告が得られる限界利益の●（省略）●％について、推定が覆滅されるというべきである。 そのため、原告製ＳＤエンジンの単位数量当たりの限界利益の額は、●（省 略）●％）となる。 ア本件発明１について従来技術に比べた本件発明１の特徴的部分は存在しないに等しく、本件発明１の原告製ＳＤエンジンを搭載したディスコ社製ＳＤダイサーの顧客吸引力への貢献は限定的である。 イ本件発明２について被告製ＳＤエンジンを搭載したディスコ社製ＳＤダイサーは、本件発明２の実施品ではない。この点につき、原告は、原告製ＳＤエンジンを搭載したディスコ社製ＳＤダイサーが本件発明２の実施品であることを明確に主張するものではない。 そうすると、本件発明２は、原告製ＳＤエンジンを搭載したディスコ社製ＳＤダイサーにおいて、その顧客吸引力に何らの貢献もしていないことになるから、大幅な覆滅がされる必要がある。 ウ他の特許の存在原告は、複数の特許権に基づき、同一の被告製品に対して複数の侵害訴訟 を提起しているところ、地方裁判所での審理においては、被告製品は、本件の２件の特許を含めた計５件の特許発明の の特許の存在原告は、複数の特許権に基づき、同一の被告製品に対して複数の侵害訴訟 を提起しているところ、地方裁判所での審理においては、被告製品は、本件の２件の特許を含めた計５件の特許発明の実施品であると認定されている。 そうすると、原告製ＳＤエンジンは、本件発明１以外の発明の技術的特徴も備えているというべきであり、この点についても推定覆滅事情として考慮されるべきである。 ⑸ 販売することができないとする事情の有無及びその数量ア美容器事件大合議判決によれば、特許法１０２条１項が定める「販売することができないとする事情」は、侵害行為と特許権者等の製品の販売減少との相当因果関係を阻害する事情をいい、①特許権者と侵害者の業務態様や価格等に相違が存在すること（市場の非同一性）、②市場における競合品の存 在、③侵害者の営業努力（ブランド力、宣伝広告）、④侵害品及び特許権者 の製品の性能（機能、デザイン等特許発明以外の特徴）に相違が存在することなどの事情がこれに該当すると判示している。 そして、上記にいう「販売することができないとする事情」として挙げられる事情は、特許法１０２条２項の推定覆滅事由と同一であるから、前記該当箇所において主張したとおりである。そうすると、「販売することができ ないとする事情」に相当する数量は、被告製品の販売数の●（省略）●％を下らない。 イ以上によれば、特許法１０２条１項に基づく限界利益の額は、●（省略）●となる（＝●（省略）●％）⑹ 弁護士費用相当額 争う。 33 争点６－２－３（特許法１０２条３項の重畳適用の可否及び適用される場合の損害額）について（原告の主張）⑴ 重畳適用の可否及び適用の対象 原 争う。 33 争点６－２－３（特許法１０２条３項の重畳適用の可否及び適用される場合の損害額）について（原告の主張）⑴ 重畳適用の可否及び適用の対象 原告は、ＳＤダイサーメーカーである被告又はディスコ社に対して、原告のＳＤ技術関連特許（以下「本件特許ポートフォリオ」という。）をライセンスし、その許諾の条件として、原告製のＳＤエンジンの購入と、そのＳＤダイサーへの組込み、ＳＤダイサーに関する特許発明のロイヤリティの支払とを、不可分一体の条件として、ライセンス契約を締結し、その事業を実施してきたこ と、原告は、ＳＤエンジンのメーカーであり、その製造販売がライセンス契約の主たる目的であり、ＳＤエンジンの製造販売による利益がライセンス契約の主たる対価であったこと、ライセンス契約におけるロイヤリティは副次的なものであり、そのロイヤリティのレートは低額に抑えられていたこと、以上の事実は、前記のとおりである。 他方、被告は、原告との本件業務提携契約の途中から、ライセンスの条件に 反して、原告からＳＤエンジンを購入することなく、ロイヤリティの支払もせずに、被告製品を製造販売し、本件各特許権を侵害していること、原告は、被告の本件各特許権の侵害行為、すなわち被告製品の製造販売行為により、原告がＳＤエンジンを製造販売していれば得られたはずの逸失利益と、原告のＳＤエンジンを組み込んだＳＤダイサーが製造販売されていれば、その後に必要と なるＳＤエンジンの定期的メンテナンスに伴う交換用部品の販売をすることができたことによる逸失利益の損害を被っていること、実施料相当額の支払も受けていないこと、以上の事実は、前記のとおりである。 したがって、本件については、特許法１０２条１項１号による損害賠 することができたことによる逸失利益の損害を被っていること、実施料相当額の支払も受けていないこと、以上の事実は、前記のとおりである。 したがって、本件については、特許法１０２条１項１号による損害賠償だけでは、本件各特許権侵害に基づく損害を評価しきれていないと評価されるもの であり、例外的に特許法１０２条３項に基づく損害賠償が更に認められるべきである。 ⑵ 損害額ア原告と被告は、もともと、本件特許ポートフォリオ（ＳＤ技術関連特許）のライセンスに基づいて、●（省略）●をロイヤリティとして合意していた のに（甲６の１〔７条１（４）〕）、被告は、当該合意に違反することを知りながら、被告製品の製造販売を継続してきたのであって、被告の行為が極めて悪質であることからすると、特許法１０２条４項の規定に鑑みれば、「その特許発明の実施に対し受けるべき金銭の額」（特許法１０２条３項）は、侵害を前提とした金額であり、被告製品の販売価格の合計に、少なくとも ６％を乗じた金額であると認められるべきである。 イそして、被告製品の販売価格は１億円であるから、１０２条３項に基づく損害額は、●（省略）●円となる（＝１億円×●（省略）●台×６％）。 （被告の主張）⑴ 重畳適用の可否 逸失利益について、特許法１０２条１項及び３項に基づき二重に推定規定を 適用し、合算した金額を損害とすることは認められない。 ⑵ 適用の対象特許法１０２条３項は、「その特許発明の実施に対し受けるべき金銭の額に相当する額の金銭」と規定し、いわゆる実施料相当額を侵害に対する最低限度の損害額として推定するものであるところ、原告の主張する①ＳＤエンジンの 製造販売による利益相当額及び②交換部品による利益相当額は、同項による と規定し、いわゆる実施料相当額を侵害に対する最低限度の損害額として推定するものであるところ、原告の主張する①ＳＤエンジンの 製造販売による利益相当額及び②交換部品による利益相当額は、同項による推定の対象ではないから、原告の主張は失当である。 ⑶ 損害額争う。 34 争点６－３（特許法１０２条３項に基づく損害） （原告の主張）⑴ １０２条４項の適用本件では、１０２条４項が適用されるため、特許権侵害を前提として、特許権を侵害したものとの間で合意するとした場合に特許権者が得ることになる対価を考慮すべきである。 ⑵ 適正な実施料率ア原告は、メーカーとして、ＳＤエンジン一式の製造につき、これまで一切ライセンスを付与することなく、自社製造を原則とする方針を貫いてきたものであり、ＳＤエンジン一式の製造販売を独占し、販売により得られた営業利益により、更なる研究開発を行うというビジネスモデルを採用している。 したがって、本件各発明の実施品の製造・販売について原告が特許権侵害者と合意し得るライセンスの額は、原告製ＳＤエンジン一式の製造販売による限界利益を下回ることはない。そして、下記のないしを合計すると、●（省略）●％（＝●（省略）●＋２９＋●（省略）●）となるところ、原告は、アライアンスパートナーに対し、原告製のＳＤエンジンを購入すると いう契約上の義務に違反した場合には、違約金として、製品の販売価格の３ ５％の実施料相当損害額を支払う旨の義務を課していること（甲１４３）に照らせば、少なくとも、３５％を実施料率とすべきである。 ＳＤダイサー一式の平均価格は●（省略）●であるところ、前記のとおり、限界利益が●（省略）●（８００ＤＳ）又は●（省略 １４３）に照らせば、少なくとも、３５％を実施料率とすべきである。 ＳＤダイサー一式の平均価格は●（省略）●であるところ、前記のとおり、限界利益が●（省略）●（８００ＤＳ）又は●（省略）●（１０００ＤＳ）であるとすれば、本件各発明の実施品の製造・販売につき原告が特 許権侵害者との間で合意し得る実施料率は、２９％を下回ることはない。 ＬＤモジュールの交換により得られる利益の平均である●（省略）●に相当する●（省略）●の料率も加算されるべきである。 原告は、原告から原告製ＳＤエンジンを購入し、同エンジンを搭載したＳＤダイサーを製造販売するアライアンスパートナーに対してのみ、本件 各特許を含む本件特許ポートフォリオにつきライセンスを行っていた。これにより、原告は、原告製ＳＤエンジンを購入することを条件として、アライアンスパートナーから、原告製ＳＤエンジンの対価に加えて、標準料率●（省略）●％のライセンス料を受領していた。 なお、被告に対するライセンス料率が●（省略）●に変更されたのは、 ●（省略）●円滑なビジネスの継続という観点から、原告が政策的に採用した措置であり、標準料率は飽くまで●（省略）●％であるイ被告の主張に対する反論被告は、本件特許ポートフォリオ全体の実施料率を本件特許ポートフォリオに含まれる全特許件数で除することにより算出すべきである旨主張する ものの、理由がない。 本件特許ポートフォリオは、ＳＤ技術に関するものであるが、様々な特許が含まれており、原告は、この中から複数の装置特許を選択の上、本件の一連の訴訟を遂行している。 また、原告がこのような包括的なライセンスをしているのは、被告のよ うなＳＤダイサーメーカーのみならず、メーカ 、原告は、この中から複数の装置特許を選択の上、本件の一連の訴訟を遂行している。 また、原告がこのような包括的なライセンスをしているのは、被告のよ うなＳＤダイサーメーカーのみならず、メーカーからＳＤダイサーを購入 してこれを業務上使用する半導体メーカーが、その業務遂行上不可欠となる多数の方法特許も保有するため、これらを含めて包括的にライセンスをしているものである。これらの多数の特許については、審理の対象にすらなっていないところ、これらの特許を含めた複数の特許で実施料率を割り付けることは適切ではない。 大合議判決は、①実際の実施許諾契約における実施料率や、それが明らかではない場合には業界における実施料の相場等も考慮に入れつつ、②当該特許発明自体の価値すなわち特許発明の技術内容や重要性、他のものによる代替可能性、③当該特許発明を当該製品に用いた場合の売上げ及び利益への貢献や侵害の態様、④特許権者と侵害者との協業関係や特許権者の 営業方針等訴訟に現れた諸事情を考慮して、合理的な料率を定めるべきとされている。 本件では、上記①については、本件における●（省略）●％という実施料率は、原告のみによるＳＤエンジンの供給による限界利益の取得が前提となるものであるから、原告のみによるＳＤエンジンの供給が問題となら ない場合には参考にならない。 上記②については、本件特許発明を実施しない場合にはそもそも、シリコンウェハ用のＳＤダイサー自体が成立し得ないため、被告は本件各特許権を侵害することなくシリコンウェハ用のＳＤダイサーを製造販売できなかったのであり、本件特許発明の価値は、それほど重要である。 上記③については、本件特許発明を用いなければ、そもそもシリコンウェハ用 リコンウェハ用のＳＤダイサーを製造販売できなかったのであり、本件特許発明の価値は、それほど重要である。 上記③については、本件特許発明を用いなければ、そもそもシリコンウェハ用のＳＤダイサーにつき、被告は売上げを上げることさえできなかったのであり、また、被告は、もともと原告との間で本件業務提携契約及び包括ライセンス契約を締結していたにもかかわらず、これらの契約を無視して、本件各特許権を侵害することを知りながら、被告製のＳＤエンジン を製造・販売するという侵害行為を継続しているものであり、その侵害態 様は極めて悪質である。 上記④については、原告は、莫大な資金を投じて最新技術に係る研究開発を重ねて特許を取得し、開発後に当該特許の実施品等を製造販売するメーカーであるところ、高い限界利益を生じさせるＳＤダイサーに関する実施料率が限界利益率●（省略）●の２分の１を下回るものであれば、侵害 した方が得ということになり、このような結果は相当ではない。 本件発明１の価値についてａ 本件発明１が極めて高い技術的価値を有していることは、①本件各発明を含むＳＤ技術は、原告が世界で初めて開発した技術であり、業界の専門家から称賛され、高い評価を得てきたこと、②本件発明１の中核的 技術思想を開示する先行文献が皆無であること、③被告において採用可能な代替技術も存在しないことからも明らかである。 ｂ 本件訂正により、切断のための溝が形成されたシリコンウェハについては対象から除外されるものの、通常のシリコンウェハの内部に切断の起点となる改質領域を形成し得るレーザ加工装置であることには変わ りはないため、訂正によって技術的価値は低減しない。 象から除外されるものの、通常のシリコンウェハの内部に切断の起点となる改質領域を形成し得るレーザ加工装置であることには変わ りはないため、訂正によって技術的価値は低減しない。 また、訂正後の特許発明１に進歩性が認められない旨の被告の主張は、発明の価値に仮託して無効論を主張するものであり、時機に後れた攻撃防御方法として却下されるべきである。 ⑶ 実施料額 ア ●（省略）●台分の場合原告は、特許法１０２条３項に基づく損害額の算定の基礎となる売上金額については、ＲＭモジュールやオプション品を含まない被告製品本体の売上高とすることに異議はない。 そして、被告製品●（省略）●台分の売上高は、●（省略）●（乙３２９） であるから、「特許発明の実施に対し受けるべき金銭の額に相当する額」は、 ●（省略）●円×０．３５≒●（省略）●円となる。 そして、弁護士費用相当額●（省略）●円の限度で、被告による侵害と相当因果関係のある損害というべきところ、損害額の合計は、１８億６２５４万０８００円（≒●（省略）●となる。 したがって、原告は、特許法１０２条３項に基づく損害として、被告に対 し、１８億６２５４万０８００円及びこれに対する平成３０年１１月１日から支払済みまで年５分の割合による遅延損害金の支払を求めるものである。 イ ●（省略）●台分の場合仮に、サムスン社へのサンプル機を含まない場合には、被告製品●（省略）●台分の売上高は、●（省略）●円となる。 そうすると、「特許発明の実施に対し受けるべき金銭の額に相当する額」は、●（省略）●円×０．３５＝●（省略）●円となる。 そして、弁護士費用として、●（省略）●円も被告によ そうすると、「特許発明の実施に対し受けるべき金銭の額に相当する額」は、●（省略）●円×０．３５＝●（省略）●円となる。 そして、弁護士費用として、●（省略）●円も被告による侵害と相当因果関係のある損害というべきところ、損害額の合計は、１８億２２５６万０８０６円（＝●（省略）●）となる。 したがって、この場合には、原告は、１０２条３項に基づく損害として、被告に対し、１８億２２５６万０８０６円及びこれに対する平成３０年１１月１日から支払済みまで年５分の割合による遅延損害金の支払を求める。 ⑷ 被告の主張に対する反論ア被告の主張について 被告は、下記に掲げる事情について、二酸化炭素含有粘性組成物事件大合議判決において判示された考慮要素である「侵害の態様」に関するものであるから、損害額の算定において考慮されるべきである旨主張するものの、同主張は、特許法１０２条３項の改正経緯及び令和元年特許法改正による同条４項の創設という立法趣旨を考慮しないものであり、そもそも失当である。 イ本件各発明が共有であること 契約書の解釈被告は、本件業務提携準備契約６条１項の記載につき、「ステルスダイシング技術」と「ＳＤエンジンに関しない本成果」がいずれも原告と被告の共有になると解釈した上で、本件発明２は「ステルスダイシング技術」に当たるから、原告と被告の共有である旨主張する。 しかしながら、仮に被告が主張するように「ステルスダイシング技術」に関する発明も共有とするのであれば、条項としては、「ステルスダイシング技術に関する本成果及びＳＤエンジンに関しない本成果は原告被告共有とする」と記載するはずである。 実質的にみても シング技術」に関する発明も共有とするのであれば、条項としては、「ステルスダイシング技術に関する本成果及びＳＤエンジンに関しない本成果は原告被告共有とする」と記載するはずである。 実質的にみても、上記の主張は、「ステルスダイシング技術」が、「原 告が基本特許を有するレーザを用いたダイシング技術」（第１条）であり、同技術が、「ＳＤエンジンに関する技術」を中核とするものであることを看過したものである。そもそも、ステルスダイシング技術は、業務提携開始以前に原告が単独で開発したものであり、ＳＤエンジンを用いた加工装置及び方法における全ての基礎となる基本発明であるから、発明を完成さ せた原告に単独帰属することは、本件業務提携準備契約の当然の前提であった。 本件発明２は「ステルスダイシング技術」ではないこと本件発明２の請求項の末尾が「レーザ加工装置」となっているとしても、本件明細書等２の記載から明らかなように、その内容は、改質領域を形成 して加工対象物を切断する原告の発明に関するものであり、ＳＤエンジン自体の挙動の制御に関わるものであるから、その実質も「ＳＤエンジン」に関するものである。 乙１５５の１の存在乙１５５の１の作成経緯は不明であるが、いずれにせよ、本件業務提携 準備契約が締結された後に従業者間でやり取りされた電子データと考え られるところ、法人間の契約書ではない以上、同契約の内容を変更するものではない。 当事者間の協議被告は、平成２８年１０月１９日、原告に対し、特許が共願となるべきであるとして共有化を要望し、同月２４日に、共有化の対象となる原告の 特許発明のリストを原告に提示したが、同リストの中には、本件発明 告は、平成２８年１０月１９日、原告に対し、特許が共願となるべきであるとして共有化を要望し、同月２４日に、共有化の対象となる原告の 特許発明のリストを原告に提示したが、同リストの中には、本件発明２も含まれていた。これを受けて、原告と被告は協議を行ったものの、被告は、平成２８年１１月１５日、十分な精査ができていなかったとして、本件発明２は共有となり得ないことを自ら判断し、前記リストから除外する形で訂正する旨述べて、本件特許２が原告に単独で帰属することが確認された。 そして、その後、本件訴訟の提起後約３年間が経過するまでの間、本件発明２の帰属が問題となることはなかった。 以上によれば、本件発明２は、上記６条柱書に規定された「協議」の結果、原告単独に権利帰属することが当事者双方で確認され、同「協議」が終了したというべきである。 （被告の主張）⑴ 損害又は不当利得の額以下のとおり、本件各特許権に係る実施料率は●（省略）●％であるところ、本件における損害又は不当利得の額は、２８６万７３６０円を超えることはない。 （計算式）●（省略）●＝２８６万７３６０円⑵ 当事者間における実際の合意以下のとおり、●（省略）●である。そして、当事者間で実際に実施許諾契約が締結されている場合には、それに加えて、業界相場を考慮する必要はないから、本件において、上記料率を超える料率が認定されるべきではない。 ア原告と被告との間では、かつて、ステルスダイシングに係る特許権の 実施料率につき、当初●（省略）●％とする旨の合意が存在した（甲６の２。 本件業務提携契約）。その後、●（省略）●ため、同料率は、●（省略）●％に改定されたものの（乙１５）、この実施料率は、原告と被告によるＳＤダイサー ●（省略）●％とする旨の合意が存在した（甲６の２。 本件業務提携契約）。その後、●（省略）●ため、同料率は、●（省略）●％に改定されたものの（乙１５）、この実施料率は、原告と被告によるＳＤダイサーの共同開発における被告の技術的な貢献を反映したものである。 イまた、本件業務提携契約をした当時（平成１９年９月）の時点で原告が保 有していたステルスダイシングに係る●（省略）●であり（乙１６４）、その全てのライセンスに対する対価が●（省略）●％であった。すなわち、本件業務提携契約をした当時、特許１件当たりの実質的対価は、●（省略）●であったということであり、●（省略）●％に改定された後の実質的対価は、契約当初の●（省略）●を前提とすると、●（省略）●であったということ になる。 そして、実施許諾の対象となる個々の特許の技術的価値や充足性の有無を審理することが現実的ではない場合に、ライセンス対象となる特許の数で除し、特許１件当たりの実施料率を認定するという手法は、アップル対サムスン大合議判決でも採用され、一般的に行われているものである。 ウさらに、当該実施料の支払は、原告製ＳＤＥマーク（訴状別紙被告製品目録）を貼付することに対する対価としての位置付けでもあった。したがって、商標ライセンスとしての意味合いを除くと、特許の実施許諾に対する対価は、上記●（省略）●％よりも低いものであったとさえいえる。 ⑶ 本件特許の技術的価値が低いこと ア本件特許１について本件特許１については、原告は、加工対象物を「シリコン単結晶構造部分に前記切断予定ラインに沿った溝が形成されていないシリコンウェハ」に限定する訂正をした。そうすると、本件特許１は、「レーザを用いて内部に切断の起点を形成する」ことに特徴のあ 「シリコン単結晶構造部分に前記切断予定ラインに沿った溝が形成されていないシリコンウェハ」に限定する訂正をした。そうすると、本件特許１は、「レーザを用いて内部に切断の起点を形成する」ことに特徴のある発明であるが、この訂正によって、 当該特徴には新規性がないことが明確になったものである。 さらに、本件特許１はレーザ加工装置の発明であるところ、その加工対象物の限定は、発明の対象である装置の構成を特定するものではなく、その訂正の適法性及びそれが進歩性を裏付ける要素とされることには疑義がある。 加えて、本件審決予告において、本件発明１の進歩性を否定する際の主引例とされた乙１２０文献において、加工対象物を溝が形成されていないシリコ ンウェハとすることは極めて容易であり、当業者が当然に想起する事項である。したがって、原告の訂正の適法性及び訂正後の本件特許１の有効性には重大な疑義がある。 以上のとおり、訂正後の本件発明１は、進歩性を認めることはできないし、その点を措くとしても、訂正後の本件特許１の技術的価値は、先行技術に照 らして極めて低い。 イ本件特許２について本件特許２についても、本件特許１と同様に「レーザを用いて内部に切断の起点を形成する」ことが技術的特徴の中心であるが、同特徴は公知の技術にすぎない。本件特許２についても、後述する代替技術の存在をも考慮すれ ば、先行技術に照らした技術的価値はなきに等しい（乙１６６。審判請求書）。 ⑷ 代替技術の存在ア被告は、本件特許２につき、代替技術を開発しており、特許（特許第６９１１２７７号。乙１６７）を取得している。当該代替技術は、ウェハ端部でレンズを固定するという構成を採らないものである。 イまた、本件特許２は、「レ 術を開発しており、特許（特許第６９１１２７７号。乙１６７）を取得している。当該代替技術は、ウェハ端部でレンズを固定するという構成を採らないものである。 イまた、本件特許２は、「レーザを用いて内部に切断の起点を形成する」際に、ウェハ端部でのレーザ光のずれを防止するために、ウェハの端部ではレンズを保持し、その後は保持した状態を解除してレンズと主面との間隔を調整しながらレーザ光を照射する構成としたものであるところ、当該構成は、東京地裁４６部に係属している平成３０年（ワ）第２８９３１号事件で審理 された特許第４５０９５７８号に係る特許と共通する。そして、同４６部に おいては、いわゆる「低追従」型の被告製品（低追従）については非充足である旨の判断が示されており、「低追従」型の技術は、本件特許２の代替技術となりうる。 ウ以上のとおり、本件特許２には代替技術が存在するため、本件特許２の技術的価値は極めて低い。 ⑸ 被告の顧客吸引力ア半導体は、①ウェハ製造工程、②前工程、③テスト工程、④後工程と呼ばれる各工程を経て製造される（乙１６８）。そして、被告の営業部門は、顧客に対し、全ての種類の製品のプロモーションを行い、実際にも、多くの顧客にそれらの複数の工程に係る装置を販売している。複数の連続した工程に 係る装置を取り扱っているため、個々の各工程の知見を得ることができ、また、各工程間に生じる問題点等を顧客から汲み取り、製品や製造プロセスの開発、改良に反映することができている。 イ被告は、「プロービングマシン」について、世界一のシェア（５０％強）を獲得しており（ディスコ社は、プロービングマシンを取り扱っていない。）、 プロービングマシンにより実証されている被告の高い技術力への信 プロービングマシン」について、世界一のシェア（５０％強）を獲得しており（ディスコ社は、プロービングマシンを取り扱っていない。）、 プロービングマシンにより実証されている被告の高い技術力への信頼、評価が、被告製品を含む半導体製造装置全般についての顧客の購入動機にも、大きく繋がっている。 ウ原告がＳＤエンジンを製造し、ディスコ社がそれを搭載して販売している長波長のレーザを使用するレーザダイシング装置には、デバイスへのダメー ジが大きく扱いづらいという難点があるのに対し、被告の開発したレーザエンジンは、主としてレーザの波長がレーザ加工領域の形成に適したものであるため、①シリコンウェハの透過率がほどよい、②亀裂を生むためのパワーを内部に集約しやすい、③デバイスへのダメージが少ない、④加工スピードも調整できるなどの利点があり、全体として、バランスのよいレーザエンジ ンとなっている。実際、このような被告製品の技術的特長が、顧客の高い評 価を受け、販売につながったものである。 エ被告保有特許被告は、レーザダイシング装置について、●（省略）●件もの特許を保有しているところ、これらの特許の中には、被告が販促資料において強調している被告製品の技術的特徴の一部を構成しているものも存在する。 ⑹ 侵害の態様ア共同出願違反であること本件特許２は、原告と被告の共同開発の過程で確認された特許であり、原告と被告の合意によれば両者の共有となるべきものであった。したがって、被告は、本来、本件特許２を自己実施することができたはずであったところ、 原告が、被告に無断で単独で出願し、単独で特許を保有するに至ったものである。 イ原被告間の交渉経緯 交渉経緯が考慮要 許２を自己実施することができたはずであったところ、 原告が、被告に無断で単独で出願し、単独で特許を保有するに至ったものである。 イ原被告間の交渉経緯 交渉経緯が考慮要素となるべきこと令和元年の特許法の改正は、従来の判例法理及び裁判実務を前提とした ものであるところ、侵害者の主観的態様は、実施料率の認定において考慮される事情であり、二酸化炭素含有粘性組成物事件大合議判決も、従来の判例法理・裁判実務に沿うものとして、「侵害の態様」を実施料率認定の考慮要素として挙げたものである。したがって、原告・被告間の交渉経緯に基づき、実施につき許諾を得たものと認識していたとの被告の主観は、 当然に考慮される必要がある。 実際の交渉経緯ａ 原告のＭ副社長及び被告のＫ副社長が出席した平成２６年１０月８日の面談において、被告製ＳＤエンジンの開発を原告が了承し、これに対して被告がロイヤリティを支払うとの合意がなされ、被告は、この合 意の存在を信じて被告製ＳＤエンジンを搭載した装置の開発を行った ものである。このような経緯において、仮に、通常実施権を許諾する旨の合意が成立していないとすれば、Ｍ副社長及びＬ部長による上記面談時等の言動は、被告に、被告製ＳＤエンジンの製造販売等について、原告の許諾を受けたと誤認させるものであった。 そうすると、被告が侵害行為をなすに至った原因は、原告自身の過失 ある行為にも起因するというべきであり、この点も実施料率の算定に当たって考慮されるべきである。 上記合意の存在は、Ｍ副社長も含めた出席者４名全員が読み合わせの上、署名を行った別紙本件議事録（乙１８）の記載内容からも明らかである。 ｂ 原告は、平成２９年９月１８日の本件業務提携契約の終了により 存在は、Ｍ副社長も含めた出席者４名全員が読み合わせの上、署名を行った別紙本件議事録（乙１８）の記載内容からも明らかである。 ｂ 原告は、平成２９年９月１８日の本件業務提携契約の終了により、ライセンス許諾が終了した旨主張するが、実際には、本件業務提携契約の終了後も、原告製レーザエンジンに関する原告のライセンスは終了していない。その後も、被告は、原告製レーザエンジンを搭載した被告製品の販売を継続し、これに対するライセンス料を支払っていたものである。 また、被告は、上記ａの本件合意が成立したものと認識していたところ、これが業務提携契約の終了により、本件合意も終了したとの認識はなかった。すなわち、平成２６年１０月８日の本件合意は、被告製レーザエンジンを搭載した被告製品の販売に関する合意であるのに対し、本件業務提携契約は原告製レーザエンジンの購入に関する合意であり、相 互に連動して終了するものとは捉えていなかった。 ⑺ 原告の主張に対する反論ア原告は、実施許諾契約(甲１４３)において、同契約に違反して原告製ＳＤエンジンを搭載していないＳＤダイサーを製造・販売する行為に対し３５％の実施料率を課していた旨主張するが、甲１４３は、相手方及び年月日がマ スキングされており、本件発明を含む原告の特許に係る実施許諾契約である かどうかは不明である。 また、上記契約１２条は、「特許発明の実施に対し受けるべき金銭の額」を定めたものではなく、ライセンス条件に違反するＳＤダイサーが市場に発見された場合の違約罰を規定したものである。 イ原告は、本件特許発明を実施しなかった場合には、そもそもシリコンウェ ハＳＤダイサー自体が成り立たない旨主張するが、ディスコ社製ＳＤダイサーは本件発明２の実施品では 規定したものである。 イ原告は、本件特許発明を実施しなかった場合には、そもそもシリコンウェ ハＳＤダイサー自体が成り立たない旨主張するが、ディスコ社製ＳＤダイサーは本件発明２の実施品ではないことや、本件発明１の技術的価値が低いことは、前記のとおりである。 ウ原告は、被告が本件各特許権を侵害することを知りながら意図的に侵害行為を継続し、別件において裁判所から特許権侵害の判断を示された後も侵害 行為を継続していることからすれば、被告の侵害態様は、悪質である旨主張する。 しかしながら、被告が被告製レーザエンジンを搭載した被告製品の開発を開始したのは、平成２６年１０月８日の代表取締役同士の会談において、本件合意により原告の許諾を受けたという誤認に基づくものである。 争点６－４（民法７０９条に基づく不法行為の成否及び損害額）（原告の主張）⑴ 相当因果関係アシリコンウェハ用ＳＤダイサーのメーカーは、実質的に被告とディスコ社の２社に限られるところ、前記のとおり、被告製品が１台販売されればディ スコ社製ＳＤダイサー及びそれに組み込まれた原告製ＳＤエンジン一式の販売数量が１台減少するという関係にある。したがって、被告の侵害行為とディスコ社製ＳＤダイサー並びにこれに組み込まれる原告製ＳＤエンジン一式の販売の減少による逸失利益及びその交換用のＬＤモジュールの販売の減少による逸失利益との間には、相当因果関係が認められる。 イまた、被告による被告製品の販売行為がなければ、原告は、原告製ＳＤエ ンジンを搭載したＳＤダイサーの販売額の●（省略）●％の上乗せ実施料を取得することができたのであり、これも被告の侵害行為と相当因果関係のある損害である。 ⑵ 損害額 ＳＤエ ンジンを搭載したＳＤダイサーの販売額の●（省略）●％の上乗せ実施料を取得することができたのであり、これも被告の侵害行為と相当因果関係のある損害である。 ⑵ 損害額原告は、次のとおり、合計で１９億７０３９万５７６６円の損害を被った。 そこで、原告は、民法７０９条に基づき、被告に対し、１９億７０３９万５７６６円及びこれに対する平成３０年１１月１日から支払済みまで年５分の割合による遅延損害金の支払を求めるものである。 ア ＳＤエンジン一式及び交換用モジュールに係る逸失利益：１６億０５１４万５７６６円（前記争点６－２－２参照） イ実施料相当額：●（省略）●ウ弁護士費用相当額：●（省略）●（被告の主張）前記のとおり、被告製品が１台販売されればディスコ社製ＳＤダイサーの販売数量が１台減少することは立証されていない。 また、交換用ＬＤモジュールの販売による利益についても、侵害行為と相当因果関係のある損害とは認められない。 さらに、実施料は、原告とライセンス契約を締結した者からのみ徴収できるものにすぎないから、これが不法行為に基づく損害額に含まれることはない。 したがって、原告の主張には理由がない。 36 争点７（不当利得の成否及び不当利得金の額）（原告の主張）被告は、本件各特許に対する実施料相当額を不当に利得しているところ、当該不当利得金を原告に返還すべき義務を負う。その額は、前記争点６－３において主張したとおり、１６億３８２９万０８００円となる。 そして、原告は、不当利得返還請求権に基づき、被告に対し、１６億３８２９万０８００円及びこれに対する平成３０年１１月１日から支払済みまで年５分 ８２９万０８００円となる。 そして、原告は、不当利得返還請求権に基づき、被告に対し、１６億３８２９万０８００円及びこれに対する平成３０年１１月１日から支払済みまで年５分の割合による法定利息の支払を求める。 （被告の主張）争う。 37 争点８（差止めの必要性）（原告の主張）被告は、令和３年１２月をもって、被告製品の製造販売等を停止し（２台を除く）、同月２７日に被告のウェブサイトにおいて、被告製品１の生産及び販売を終了したことを明記しているから、本件においては被告製品の製造、販売等に対 する差止めの必要性はない旨主張する。 しかしながら、被告のウェブサイトに被告製品の製造販売の終了が掲載されていても、それは被告の顧客であるエンドユーザに向けられたものということはできない上、被告が本件訴訟において特許権侵害を争い、心証開示後も製造販売行為を継続している事実からすれば、被告が主要顧客のリピート需要に応じて、被 告製品の製造、販売又は輸出を行うおそれは高い。 したがって、本件においては、被告製品の製造、販売等を差し止める必要性は高い。 （被告の主張）原告は、本件訴訟において、被告製品の差止めを求めているが、被告は、令和 ３年１２月をもって、その時点で既に受注済みであり、海外に輸出済みであった●（省略）●を除き、被告製品の製造販売を停止した。そして、被告は、同月２７日、被告のウェブサイトにおいて、被告製品１の製造及び販売を終了したことを明記した。 また、被告製品２のうち、「ＭＬ２００」、「ＭＬ２００Ｐｌｕｓ」及び「Ｍ ＬＰｌｕｓⅡ」については、現在、製造しておらず、また、「ＭＬ２００ＥＸ」 については、販売実 た。 また、被告製品２のうち、「ＭＬ２００」、「ＭＬ２００Ｐｌｕｓ」及び「Ｍ ＬＰｌｕｓⅡ」については、現在、製造しておらず、また、「ＭＬ２００ＥＸ」 については、販売実績はない。さらに、「ＭＬ２００ＥＸＷＨ」及び「ＭＬ２００ＰｌｕｓＸＷＨ」については、そもそも型式として存在していない。 したがって、本件においては、被告製品１及び２に係る差止めの必要性は存在しない。 第４ 当裁判所の判断 １ 本件発明１の内容⑴ 本件明細書等１（甲１の２及び３）には、次のとおりの記載があることが認められる。 ア技術分野「本発明は、半導体材料基板、圧電材料基板やガラス基板等の加工対象物 の切断に使用されるレーザ加工装置に関する。」【０００１】イ背景技術「レーザ応用の一つに切断があり、レーザによる一般的な切断は次の通りである。例えば半導体ウェハやガラス基板のような加工対象物の切断する箇所に、加工対象物が吸収する波長のレーザ光を照射し、レーザ光の吸収によ り切断する箇所において加工対象物の表面から裏面に向けて加熱溶融を進行させて加工対象物を切断する。しかし、この方法では加工対象物の表面のうち切断する箇所となる領域周辺も溶融される。よって、加工対象物が半導体ウェハの場合、半導体ウェハの表面に形成された半導体素子のうち、上記領域付近に位置する半導体素子が溶融する恐れがある。」【０００２】 「加工対象物の表面の溶融を防止する方法として、例えば、特許文献１や特許文献２に開示されたレーザによる切断方法がある。これらの文献に開示された切断方法では、加工対象物の切断する箇所をレーザ光により加熱し、そして加工対象物を冷却することにより、加工対象物の切断する箇所に熱衝撃を生じ れたレーザによる切断方法がある。これらの文献に開示された切断方法では、加工対象物の切断する箇所をレーザ光により加熱し、そして加工対象物を冷却することにより、加工対象物の切断する箇所に熱衝撃を生じさせて加工対象物を切断する。」【０００３】 （特許文献１）特開２０００－２１９５２８号公報 （特許文献２）特開２０００－１５４６７号公報ウ発明が解決しようとする課題「しかし、これらの文献に開示された切断方法では、加工対象物に生じる熱衝撃が大きいと、加工対象物の表面に、切断予定ラインから外れた割れやレーザ照射していない先の箇所までの割れ等の不必要な割れが発生するこ とがある。よって、これらの切断方法では精密切断をすることができない。 特に、加工対象物が半導体ウェハ、液晶表示装置が形成されたガラス基板や電極パターンが形成されたガラス基板の場合、この不必要な割れにより半導体チップ、液晶表示装置や電極パターンが損傷することがある。また、これらの切断方法では平均入力エネルギーが大きいので、半導体チップ等に与え る熱的ダメージも大きい。」【０００４】「本発明の目的は、加工対象物の表面に不必要な割れを発生させることなくかつその表面が溶融しないレーザ加工装置を提供することである。」【０００５】エ課題を解決するための手段 「本発明に係るレーザ加工装置は、ウェハ状の加工対象物の内部に、切断の起点となる改質領域を形成するレーザ加工装置であって、加工対象物が載置される載置台と、レーザ光を出射するレーザ光源と、載置台に載置された加工対象物の内部に、レーザ光源から出射されたレーザ光を集光し、そのレーザ光の集光点の位置で改質領域を形成させる集光用レンズ と、レーザ光の集光点が加工対象物の ーザ光源と、載置台に載置された加工対象物の内部に、レーザ光源から出射されたレーザ光を集光し、そのレーザ光の集光点の位置で改質領域を形成させる集光用レンズ と、レーザ光の集光点が加工対象物の内部に位置するように、加工対象物のレーザ光入射面を基準として加工対象物の厚さ方向に第１移動量だけ集光用レンズを移動させ、レーザ光の集光点が加工対象物の切断予定ラインに沿って移動するように、加工対象物の厚さ方向と直交する方向に載置台を移動させた後、レーザ光の集光点が加工対象物の内部に位置するよう に、レーザ光入射面を基準として加工対象物の厚さ方向に第２移動量だけ 集光用レンズを移動させ、レーザ光の集光点が切断予定ラインに沿って移動するように、加工対象物の厚さ方向と直交する方向に載置台を移動させる機能を有する制御部と、を備えることを特徴とする。」【０００６】「本発明に係るレーザ加工装置によれば、加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより、加工対象物の内部に改質領域を 形成することができる。加工対象物の切断する箇所に何らかの起点があると、加工対象物を比較的小さな力で割って切断することができる。本発明に係るレーザ加工装置によれば、改質領域を起点として切断予定ラインに沿って加工対象物が割れることにより、加工対象物を切断することができる。よって、比較的小さな力で加工対象物を切断することができるので、 加工対象物の表面に切断予定ラインから外れた不必要な割れを発生させることなく加工対象物の切断が可能となる。なお、集光点とはレーザ光が集光した箇所のことである。切断予定ラインは加工対象物の表面や内部に実際に引かれた線でもよいし、仮想の線でもよい。」【０００７】「また、本発明に係るレーザ加 。なお、集光点とはレーザ光が集光した箇所のことである。切断予定ラインは加工対象物の表面や内部に実際に引かれた線でもよいし、仮想の線でもよい。」【０００７】「また、本発明に係るレーザ加工装置によれば、加工対象物の内部に改 質領域を形成している。よって、加工対象物の表面ではレーザ光がほとんど吸収されないので、加工対象物の表面が溶融することはない。」【０００８】「また、本発明に係るレーザ加工装置によれば、加工対象物に照射されるレーザ光の加工対象物への入射方向におけるレーザ光の集光点の位置を 変えることにより、改質領域を入射方向に沿って並ぶように複数形成することができる。このため、加工対象物を切断する際に起点となる箇所を増やすことができる。」【０００９】「本発明に係るレーザ加工装置によれば、ウェハ状の加工対象物の内部において、加工対象物のレーザ光入射面から加工対象物の厚さ方向に第１ の距離だけ離れた第１の位置、及び第１の距離より短い第２の距離だけ離 れた第２の位置に、切断の起点となる改質領域を確実に形成することができる。」【００１０】オ本件各発明の効果「本発明に係るレーザ加工装置によれば、加工対象物の表面に溶融や切断予定ラインから外れた割れが生じることなく、加工対象物を切断するこ とができる。よって、加工対象物を切断することにより作製される製品（例えば、半導体チップ、圧電デバイスチップ、液晶等の表示装置）の歩留まりや生産性を向上させることができる。」【００１１】「また、本発明に係るレーザ加工装置によれば、複数の改質領域を形成することにより加工対象物を切断する際の起点となる箇所を増やすことが できる。従って、加工対象物の厚みが比較的大きい場合等においても、加 本発明に係るレーザ加工装置によれば、複数の改質領域を形成することにより加工対象物を切断する際の起点となる箇所を増やすことが できる。従って、加工対象物の厚みが比較的大きい場合等においても、加工対象物の切断が可能となる。」【００１２】カ発明を実施するための最良の形態「以下、本発明の好適な実施形態について図面を用いて説明する。本実施形態に係るレーザ加工方法は、多光子吸収により改質領域を形成してい る。多光子吸収はレーザ光の強度を非常に大きくした場合に発生する現象である。まず、多光子吸収について簡単に説明する。」【００１３】「材料の吸収のバンドギャップＥＧよりも光子のエネルギーｈνが小さいと光学的に透明となる。よって、材料に吸収が生じる条件はｈν＞ＥＧである。しかし、光学的に透明でも、レーザ光の強度を非常に大きくする とｎｈν＞ＥＧの条件（ｎ＝２、３、４、・・である）で材料に吸収が生じる。この現象を多光子吸収という。パルス波の場合、レーザ光の強度はレーザ光の集光点のピークパワー密度（Ｗ／ｃｍ２）で決まり、例えばピークパワー密度が１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上の条件で多光子吸収が生じる。ピークパワー密度は、（集光点におけるレーザ光の１パルス当たりの エネルギー）÷（レーザ光のビームスポット断面積×パルス幅）により求 められる。また、連続波の場合、レーザ光の強度はレーザ光の集光点の電界強度（Ｗ／ｃｍ２）で決まる。」【００１４】「このような多光子吸収を利用する本実施形態に係るレーザ加工の原理について図１～図６を用いて説明する。図１はレーザ加工中の加工対象物１の平面図であり、図２は図１に示す加工対象物１のII－II 線に沿った断 面図であり、図３はレーザ加工後の加工対象物１の平面 について図１～図６を用いて説明する。図１はレーザ加工中の加工対象物１の平面図であり、図２は図１に示す加工対象物１のII－II 線に沿った断 面図であり、図３はレーザ加工後の加工対象物１の平面図であり、図４は図３に示す加工対象物１のIV－IV 線に沿った断面図であり、図５は図３に示す加工対象物１のV－V 線に沿った断面図であり、図６は切断された加工対象物１の平面図である。」【００１５】「図１及び図２に示すように、加工対象物１の表面３には切断予定ライ ン５がある。切断予定ライン５は直線状に延びた仮想線である。本実施形態に係るレーザ加工は、多光子吸収が生じる条件で加工対象物１の内部に集光点Ｐを合わせてレーザ光Ｌを加工対象物１に照射して改質領域７を形成する。なお、集光点とはレーザ光Ｌが集光した箇所のことである。」【００１６】 【図１】　【図２】 「レーザ光Ｌを切断予定ライン５に沿って（すなわち矢印Ａ方向に沿っ て）相対的に移動させることにより、集光点Ｐを切断予定ライン５に沿って移動させる。これにより、図３～図５に示すように改質領域７が切断予定ライン５に沿って加工対象物１の内部にのみ形成される。本実施形態に係るレーザ加工方法は、加工対象物１がレーザ光Ｌを吸収することにより加工対象物１を発熱させて改質領域７を形成するのではない。加工対象物 １にレーザ光Ｌを透過させ加工対象物１の内部に多光子吸収を発生させて改質領域７を形成している。よって、加工対象物１の表面３ではレーザ光Ｌがほとんど吸収されないので、加工対象物１の表面３が溶融するこ １にレーザ光Ｌを透過させ加工対象物１の内部に多光子吸収を発生させて改質領域７を形成している。よって、加工対象物１の表面３ではレーザ光Ｌがほとんど吸収されないので、加工対象物１の表面３が溶融することはない。」【００１７】 【図４】 【図３】 【図５】【図６】「加工対象物１の切断において、切断する箇所に起点があると加工対象 物１はその起点から割れるので、図６に示すように比較的小さな力で加工 対象物１を切断することができる。よって、加工対象物１の表面３に不必要な割れを発生させることなく加工対象物１の切断が可能となる。」【００１８】「なお、改質領域を起点とした加工対象物の切断は、次の二通りが考えられる。一つは、改質領域形成後、加工対象物に人為的な力が印加される ことにより、改質領域を起点として加工対象物が割れ、加工対象物が切断される場合である。これは、例えば加工対象物の厚みが大きい場合の切断である。人為的な力が印加されるとは、例えば、加工対象物の切断予定ラインに沿って加工対象物に曲げ応力やせん断応力を加えたり、加工対象物に温度差を与えることにより熱応力を発生させたりすることである。他の 一つは、改質領域を形成することにより、改質領域を起点として加工対象物の断面方向（厚さ方向）に向かって自然に割れ、結果的に加工対象物が切断される場合である。これは、例えば加工対象物の厚みが小さい場合、改質領域が１つでも可能であり、加工対象物の厚みが大きい場合、厚さ方向に複数の改質領域を形成することで可能となる。なお 加工対象物が切断される場合である。これは、例えば加工対象物の厚みが小さい場合、改質領域が１つでも可能であり、加工対象物の厚みが大きい場合、厚さ方向に複数の改質領域を形成することで可能となる。なお、この自然に割れ る場合も、切断する箇所の表面上において、改質領域が形成されていない部分まで割れが先走ることがなく、改質部を形成した部分のみを割断することができるので、割断を制御よくすることができる。近年、シリコンウェハ等の半導体ウェハの厚さは薄くなる傾向にあるので、このような制御性のよい割断方法は大変有効である。」【００１９】 「さて、本実施形態において多光子吸収により形成される改質領域として、次の(1)～(3)がある。」【００２０】「(2) 改質領域が溶融処理領域の場合レーザ光を加工対象物（例えばシリコンのような半導体材料）の内部に集光点を合わせて、集光点における電界強度が１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以 上でかつパルス幅が１μｓ以下の条件で照射する。これにより加工対象物 の内部は多光子吸収によって局所的に加熱される。この加熱により加工対象物の内部に溶融処理領域が形成される。溶融処理領域とは一旦溶融後再固化した領域、溶融状態中の領域及び溶融から再固化する状態中の領域のうち少なくともいずれか一つを意味する。また、溶融処理領域は相変化した領域や結晶構造が変化した領域ということもできる。また、溶融処理領 域とは単結晶構造、非晶質構造、多結晶構造において、ある構造が別の構造に変化した領域ということもできる。つまり、例えば、単結晶構造から非晶質構造に変化した領域、単結晶構造から多結晶構造に変化した領域、単結晶構造から非晶質構造及び多結晶構造を含む構造に変化した領域を意味する。加工対象物 こともできる。つまり、例えば、単結晶構造から非晶質構造に変化した領域、単結晶構造から多結晶構造に変化した領域、単結晶構造から非晶質構造及び多結晶構造を含む構造に変化した領域を意味する。加工対象物がシリコン単結晶構造の場合、溶融処理領域は例えば 非晶質シリコン構造である。なお、電界強度の上限値としては、例えば１×１０１２（Ｗ／ｃｍ２）である。パルス幅は例えば１ｎｓ～２００ｎｓが好ましい。」【００２７】「なお、シリコンウェハは、溶融処理領域を起点として断面方向に向かって割れを発生させ、その割れがシリコンウェハの表面と裏面に到達する ことにより、結果的に切断される。シリコンウェハの表面と裏面に到達するこの割れは自然に成長する場合もあるし、加工対象物に力が印加されることにより成長する場合もある。なお、溶融処理領域からシリコンウェハの表面と裏面に割れが自然に成長するのは、一旦溶融後再固化した状態となった領域から割れが成長する場合、溶融状態の領域から割れが成長する 場合及び溶融から再固化する状態の領域から割れが成長する場合のうち少なくともいずれか一つである。いずれの場合も切断後の切断面は図１２に示すように内部にのみ溶融処理領域が形成される。加工対象物の内部に溶融処理領域を形成する場合、割断時、切断予定ラインから外れた不必要な割れが生じにくいので、割断制御が容易となる。」【００３３】 ⑵ 本件発明１の技術的特徴 本件発明１に係る特許請求の範囲の記載及び上記⑴の本件明細書等１の記載内容によれば、本件発明１は、加工対象物である半導体ウェハ等を切断するためのレーザ加工装置に関するものであり、加工対象物の表面に不必要な割れを発生させることなく、かつ、その表面が溶融しないレーザ加工装置を れば、本件発明１は、加工対象物である半導体ウェハ等を切断するためのレーザ加工装置に関するものであり、加工対象物の表面に不必要な割れを発生させることなく、かつ、その表面が溶融しないレーザ加工装置を提供することを課題とするものである。 上記課題を解決するために、本件発明１は、請求項１記載の構成を備えることによって、加工対象物の内部に集光点を合せてレーザ光を照射することにより、加工対象物の内部に改質領域を形成し、比較的小さな力で加工対象物を切断することができるようにし、もって、加工対象物の表面に切断ラインから外れた不必要な割れを発生させることなく加工対象物の切断を可能に するとともに、加工対象物の表面ではレーザ光がほとんど吸収されなくなるため、加工対象物の表面を溶融させることなく加工対象物の切断を可能にするものであると認められる。 ２ 争点１－１（被告製品は「改質領域」（構成要件Ａ及びＤ）を形成するものといえるか） ⑴ 「改質領域」の意義ア特許請求の範囲の記載前記前提事実によれば、本件発明１に係る特許請求の範囲には、「ウェハ状の加工対象物の内部に、切断の起点となる改質領域を形成する」（構成要件Ａ）、「前記加工対象物の内部に、・・そのレーザ光の集光点の位置で前 記改質領域を形成させる」（構成要件Ｄ）、「前記加工対象物は・・シリコンウェハである」（構成要件Ｆ）という各記載があることが認められる。 上記認定事実によれば、「改質領域」とは、シリコンウェハを加工対象物として、その内部にレーザ光を集光することにより、集光点の位置で形成されるものを意味すると認められる。 イ本件明細書等１の記載 本件明細書等１の【発明を実施するための最良の形態】には、「本実施形態において 、集光点の位置で形成されるものを意味すると認められる。 イ本件明細書等１の記載 本件明細書等１の【発明を実施するための最良の形態】には、「本実施形態において多光子吸収により形成される改質領域」として、①「一つ又は複数のクラックを含むクラック領域」（段落【００２１】）、②「溶融処理領域」（段落【００２７】）、③「屈折率変化領域」（段落【００３４】）の３種類が掲げられていることが認められる。 そして、上記②の「溶融処理領域」については、「改質領域が溶融処理領域である場合」として、「レーザ光を加工対象物（例えばシリコンのような半導体材料）の内部に集光点を合わせて、集光点における電界強度が１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上でかつパルス幅が１μｓ以下の条件で照射する。これにより加工対象物の内部は多光子吸収によって局所的に加熱され る。この加熱により加工対象物の内部に溶融処理領域が形成される。」との記載（段落【００２７】）や、シリコンウェハの内部で溶融処理領域が形成されることが実験によって確認された旨の記載（段落【００２８】ないし【００３２】）があることが認められる。 上記認定事実によれば、本件明細書等１の記載は、加工対象物であるシ リコンウェハの内部にレーザ光を集光すると、当該集光点付近に「溶融処理領域」が形成され、これを改質領域というものであることが認められる。 そして、溶融処理領域の意義については、「溶融処理領域とは一旦溶融後再固化した領域、溶融状態中の領域及び溶融から再固化する状態中の領域のうち少なくともいずれか一つを意味する。また、溶融処理領域は相変 化した領域や結晶構造が変化した領域ということもできる。また、溶融処理領域とは単結晶構造、非晶質構造、多結晶構造において、ある のうち少なくともいずれか一つを意味する。また、溶融処理領域は相変 化した領域や結晶構造が変化した領域ということもできる。また、溶融処理領域とは単結晶構造、非晶質構造、多結晶構造において、ある構造が別の構造に変化した領域ということもできる。つまり、例えば、単結晶構造から非晶質構造に変化した領域、単結晶構造から多結晶構造に変化した領域、単結晶構造から非晶質構造及び多結晶構造を含む構造に変化した領域 を意味する。」という記載があることが認められる（段落【００２７】）。 ウ 「改質領域」の解釈上記の本件特許請求の範囲及び本件明細書等１の各記載によれば、「改質領域」（構成要件Ａ及びＤ）とは、加工対象物であるシリコンウェハの内部にレーザ光を集光することによって集光点付近に形成される「溶融処理領域」を意味するものと解するのが相当である。 そして、本件明細書等１の上記イの記載に照らせば、「溶融処理領域」とは、「一旦溶融後再固化した領域」、「溶融状態中の領域」又は「溶融から再固化する状態中の領域」のうち少なくともいずれか一つであること、すなわち、相変化が生じた領域又は結晶構造が変化した領域（単結晶構造から非晶質構造に変化した領域、単結晶構造から多結晶構造に変化した領域又は 単結晶構造から非晶質構造及び多結晶構造を含む構造に変化した領域）を意味するものと解される。 エ 「改質領域」が多光子吸収が支配的に寄与して形成されるものに限定されるかについて被告は、「改質領域」（構成要件Ａ、Ｄ）について、多光子吸収が支配的 に寄与して形成されるものに限定される旨主張するため、以下、検討する。 特許請求の範囲及び明細書等の記載についてａ 本件発明１に係る特許請求の範囲には、そも が支配的 に寄与して形成されるものに限定される旨主張するため、以下、検討する。 特許請求の範囲及び明細書等の記載についてａ 本件発明１に係る特許請求の範囲には、そもそも「多光子吸収」という文言は存在せず、「改質領域」が多光子吸収の支配的な寄与により形成されるものと解されるような記載も存在しない。 そして、本件明細書等１の【発明を実施するための最良の形態】においては、「以下、本発明の好適な実施形態について図面を用いて説明する。本実施形態に係るレーザ加工方法は、多光子吸収により改質領域を形成している。多光子吸収はレーザ光の強度を非常に大きくした場合に発生する現象である。」との記載（段落【００１３】）に続 き、多光子吸収についての説明が記載されているものの（段落【００ １４】ないし【００１９】）、これは、本件明細書等１の文字通り、一つの好適な実施例を示したものにすぎず、もとより本件明細書等１には、改質領域の形成方法が当該実施例に限定される趣旨をいう記載は存在しない。そうすると、本件明細書等１は、多光子吸収により改質領域が形成された一例を掲げたものにすぎず、これを超えて、多光 子吸収以外によって形成される改質領域を除外するものとはいえない。 しかも、前記認定事実によれば、本件明細書等１には、「これにより加工対象物の内部は多光子吸収によって局所的に加熱される。この加熱により加工対象物の内部に溶融処理領域が形成される。」と記載 され（段落【００２７】）、「改質領域」は、集光点付近に形成される「溶融処理領域」を意味するものと認められるところ、「溶融処理領域」の内容についても、相変化という観点や結晶構造の変化という観点から定義がされているものの、多光子吸収や単光子吸収という に形成される「溶融処理領域」を意味するものと認められるところ、「溶融処理領域」の内容についても、相変化という観点や結晶構造の変化という観点から定義がされているものの、多光子吸収や単光子吸収という観点からの定義はされていない。そのため、本件明細書等１の上記記載 によれば、「溶融処理領域」は、多光子吸収や単光子吸収という観点から定義付けられるものであるとはいえない。 のみならず、本件発明１は、加工対象物の表面を溶融する方法により加工対象物を切断する場合には、切断箇所の周辺領域も溶融してしまうため、「加工対象物の表面に不必要な割れを発生させることなくかつそ の表面が溶融しないレーザ加工装置を提供する」という課題（段落【０００５】）を解決するために、加工対象物であるシリコンウェハの内部にレーザ光を集光させ、集光点付近に切断の起点となる「改質領域」を形成することによって、上記課題を解決するものである。そうすると、上記課題の解決手段という観点からみても、「改質領域」が、多光子吸 収が支配的に寄与して形成されたものに限られるということはできな い。 したがって、構成要件Ａ及びＤにいう「改質領域」について、多光子吸収が支配的に寄与して形成されたものに限定されると解することはできない。 ｂ これに対し、被告は、本件明細書等１の「以上のように本実施形態に よれば、改質領域を多光子吸収により形成している。」（段落【００３５】）という記載や、本件明細書等１においては、発明の実施形態として、多光子吸収によって改質領域を形成する例しか説明されていないことを根拠として、「改質領域」は多光子吸収が支配的に寄与して形成されたものに限定される旨主張するものの、上記において説示したとおり、 多光子 によって改質領域を形成する例しか説明されていないことを根拠として、「改質領域」は多光子吸収が支配的に寄与して形成されたものに限定される旨主張するものの、上記において説示したとおり、 多光子吸収によって改質領域を形成する一例を掲げたものにすぎず、これに限定するものではないのであるから、被告の主張は、採用することができない。 ｃ その他に、被告の主張及び提出証拠を改めて検討しても、被告の主張は、本件発明１に係る特許請求の範囲及び本件明細書等１の内容を正解 するものとはいえず、いずれも採用することができない。 包袋禁反言について被告は、本件発明１の特許請求の範囲を解釈するに当たって、本件先行特許に係る出願経過を参酌すべきであり、同出願経過を踏まえると、原告は、本件特許１にいう「改質領域」が「多光子吸収によるもの」に限定さ れるよう説明していたのであるから、禁反言の法理により、「改質領域」とは、多光子吸収により形成されたものに限定されるべきである旨主張する。 そこで検討するに、後掲証拠及び弁論の全趣旨によれば、本件先行特許及び本件特許１の出願経過につき、以下の事実が認められる。 ａ 本件先行特許に係る出願経過 ⒜ 原告は、平成１３年９月１３日、本件先行特許に係る出願（特願２００１－２７８７６８）をし、これに基づき、平成１５年３月１４日、発明の名称を「切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法」とする発明（以下「本件先行発明」という。）につき、特許権の設定登録を受けた（乙４３。請求項の数３７）。 本件先行発明の【特許請求の範囲】には、ウェハ状の加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、当該加工対象物の内部 許権の設定登録を受けた（乙４３。請求項の数３７）。 本件先行発明の【特許請求の範囲】には、ウェハ状の加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、当該加工対象物の内部において改質領域を形成することを規定する請求項が複数存在するところ、その多くは、「改質領域」という文言につき、特段の限定を付してはいないものの、一部については「多光子吸収による改質領域」 という限定を付している（請求項１及び２３）。 ⒝ 原告は、本件先行特許の審査過程において、平成１４年１１月１８日付けで、拒絶理由通知を受けた。これを受けて、原告は、平成１５年１月１４日、特許庁に対し、意見書（乙４４）を提出した。 同意見書においては、引用文献１（特開０４－１１１８００号公報） に記載された発明との比較として、多光子吸収により微小クラックを発生させて切断加工をすることは公知技術であるが、「多光子吸収による改質領域によって、切断予定ラインに沿ってウェハ状の加工対象物のレーザ光入射面から所定距離内側に切断起点領域を形成する」ことは公知技術ではないばかりか、「多光子吸収を利用するに際し「ウ ェハ状、すなわち薄く平たい形状のものを加工対象とし、その切断面となる部分内において改質領域を形成し、その改質領域を切断の際の起点とする」という着想」は、技術常識に反する旨の記載が存在する。 ⒞ また、原告は、平成１７年８月１５日、本件先行特許に係る無効審判（無効２００５－８０１６６）において、答弁書を提出した（乙５ ０）。 ⒟ 特許庁は、平成１８年３月３日、原告による訂正を認めた上で、審判請求は成り立たない旨の審決をし、同審決は同年４月１４日に確定した。 （以上につき、乙４３、４４ ）。 ⒟ 特許庁は、平成１８年３月３日、原告による訂正を認めた上で、審判請求は成り立たない旨の審決をし、同審決は同年４月１４日に確定した。 （以上につき、乙４３、４４、４８ないし５１、弁論の全趣旨）ｂ 本件特許１に係る出願経過 ⒜ 原告は、平成１３年９月１３日を出願日とする特許出願（平成１２年９月１３日に出願した特願２０００－２７８３０６号に基づく優先権を主張したもの。特願２００５－２０９０７３。）の一部を分割して、平成１８年３月２日、本件特許１に係る特許出願（特願２００６－５６６７１。以下「本件出願１」という。）をした。 ⒝ 特許庁は、平成１８年５月１日付けで、原告に対し、本件出願１につき、類似した内容の出願が多数存在し、請求項の数及び明細書の分量が膨大であるところ、不明な点が存在するとして、特許法１９４条１項に基づき、原告による出願の全体像や、分割出願と原出願との記載の比較、全ての案件についての特許請求の範囲の記載の比較等を明 確にした書面の提出を求める通知書を送付した。 これを受けて、原告は、同年７月１０日、原告の出願した複数の特許群につき、個々の請求項相互の差異を示した乙４９一覧表を提出した。本件先行特許は、一覧表の最上段に掲載され、その「要点」欄には、「ＳＤに関する基本特許出願」と記載されていた。 （以上につき、甲１の２、１の３、乙４８、４９）⒞ 特許庁は、平成１８年１０月１３日、本件特許１につき、設定登録をした。 ⒟ 原告は、その後、本件発明１に係る特許請求の範囲を訂正することを求める旨の訂正審判請求（訂正２０１８－３９００７３）をしたと ころ、平成３０年７月３日、当該訂正を認める旨の審決 をした。 ⒟ 原告は、その後、本件発明１に係る特許請求の範囲を訂正することを求める旨の訂正審判請求（訂正２０１８－３９００７３）をしたと ころ、平成３０年７月３日、当該訂正を認める旨の審決がされ、同審 決は、同月１３日に確定した（別紙「特許請求の範囲」記載１の特許請求の範囲の記載は、この訂正を反映したものである。）。 ｃ 以上を前提に検討するに、本件先行特許は、飽くまで、本件特許とは別個の独立した特許であるから、本件発明１の特許請求の範囲を解釈するに当たって、本件発明１とは異なる本件先行特許の出願経過を参酌す るのは相当ではない。そして、前記認定事実によれば、本件発明１は「改質領域」としてこれに限定を付していないのに対し、本件先行特許の請求項１等は「多光子吸収による改質領域」としてあえて限定を付するなど、本件発明１と本件先行特許では異なる文言が採用されている。そうすると、原告提出に係る乙４９一覧表において本件先行特許が「ＳＤに 関する基本特許出願」と記載された事情等を踏まえても、本件先行特許の出願経過に照らし、原告が、本件発明１の「改質領域」についてまで、その限定がないにもかかわらず、「多光子吸収によるもの」に限定するような説明をしていたといえないことは明らかであり、被告の主張は、その前提を欠く。 したがって、仮に本件特許１の権利範囲を解釈するに当たって、本件先行発明に係る出願経過を参酌した場合であっても、禁反言の法理により本件発明１の「改質領域」を被告主張のように限定して解釈することはできない。 ｄ その他に、被告の主張及び提出証拠を改めて検討しても、被告の主張 は、いずれもその前提を欠くものであり、上記判断を左右するに至らず、いずれも採用することができない。 オ 「改質領域 。 ｄ その他に、被告の主張及び提出証拠を改めて検討しても、被告の主張 は、いずれもその前提を欠くものであり、上記判断を左右するに至らず、いずれも採用することができない。 オ 「改質領域」はボイドを形成しないものに限られるか被告は、「改質領域」とはボイドを形成しないものに限定されるべきである旨主張するものの、以下のとおり、同主張は、採用することができない。 特許請求の範囲及び明細書等の記載 本件発明１に係る特許請求の範囲には、「ボイド」という文言は記載されておらず、その他に、「改質領域」が「ボイド」を形成しないものであると解される記載も存在せず、本件明細書等１においても、「ボイド」に関連するような記載は何ら存在しない。 そうすると、本件発明１の特許請求の範囲及び本件明細書等１の各記載 によれば、「改質領域」（構成要件Ａ及びＤ）につき、ボイドを形成しないものに限定するのは相当ではない。 出願経過の参酌（包袋禁反言）について被告は、本件発明１の特許請求の範囲を解釈するに当たって、乙５３発明の出願経過を参酌すべきであり、同出願経過に照らせは、本件発明１の 「改質領域」は、禁反言の法理により、ボイドが形成されないものに限定解釈されるべきである旨主張する。 そこで検討するに、後掲の各証拠及び弁論の全趣旨によれば、乙５３発明及び本件出願１の経過につき、以下の事実が認められる。 ａ 乙５３発明に係る出願経過 原告は、平成１６年７月２０日、乙５３発明に係る特許を出願したところ、平成２２年５月２０日付けで、審査官から、拒絶理由通知（乙５５）を受けた。同拒絶理由通知では、乙５４公報が引用文献とされた上、 原告は、平成１６年７月２０日、乙５３発明に係る特許を出願したところ、平成２２年５月２０日付けで、審査官から、拒絶理由通知（乙５５）を受けた。同拒絶理由通知では、乙５４公報が引用文献とされた上、乙５４公報には、微小空洞が形成される点は明確にされていないものの、多光子吸収による溶融処理領域を形成する点においては乙５３発明と 差異がないことから、微小空洞が形成されるものと推認されるし、微小空洞を形成することは当業者が容易に成し得たことである旨指摘されていた。 これを受けて、原告は、意見書（乙５６）を提出したところ、同意見書には、乙５３発明は、乙５４発明と比較した場合、「切断予定ライン に沿って半導体基板の内部に溶融処理領域を形成すると共に、半導体基 板の内部であって溶融処理領域を挟んでパルスレーザ光の入射側とは反対側に、切断予定ラインに沿って相互に離隔するように複数の微小空洞を形成する点」において相違する旨の記載がある。 （以上につき、乙５３ないし５６）ｂ 本件発明１の出願経過 原告は、平成１３年９月１３日を出願日とする特許出願（平成１２年９月１３日に出願した特願２０００－２７８３０６号に基づく優先権を主張したもの。特願２００５－２０９０７３。）の一部を分割して、平成１８年３月２日、本件出願１をした。 また、原告は、同年７月１０日、前記エ(ｲ)ｂ⒝に記載した経緯によ り、乙４９一覧表を提出したところ、乙５３発明につき、同一覧表の「要点」欄には、「ウエハ内部に改質領域として溶融処理領域と微小空洞を形成する。」と記載されていた。 （以上につき、乙４９）ｃ 以上を前提に検討するに、乙５３発明は、本件発明１とは別個の独立 した特許 域として溶融処理領域と微小空洞を形成する。」と記載されていた。 （以上につき、乙４９）ｃ 以上を前提に検討するに、乙５３発明は、本件発明１とは別個の独立 した特許発明であるのみならず、本件発明１よりも後に出願されたものであるから、本件発明１の技術的範囲を解釈する際に、乙５３発明の出願経過における原告の主張等を参酌することは相当ではない。そして、本件発明１の出願経過において、乙５３発明についてはウェハ内部に改質領域として微小空洞が形成される旨記載された乙４９一覧表を提出 していた事情を踏まえても、原告において、これとは別の発明である本件発明１の「改質領域」につき、上記事情をもって、ボイドが形成されないものに限定する旨主張したと直ちに解することはできない。したがって、被告の主張は、採用することができない。 ｄ その他に、被告の主張及び提出証拠を改めて検討しても、被告の主張 は、上記判断を左右するに至らず、いずれも採用することができない。 したがって、仮に本件特許１の権利範囲を解釈するに当たって、乙５３発明に係る出願経過を参酌した場合であっても、禁反言の法理により本件発明１の「改質領域」を被告主張のように限定して解釈することはできない。 ⑵ 被告製品のレーザ加工処理領域に「溶融」が生じているか。 本件発明１の「改質領域」が「溶融処理領域」を意味することは当事者間に争いがないところ、被告は、被告製品によって形成されたシリコンウェハ内部のレーザ加工領域においては、「溶融」は生じていない旨主張する。 アシリコンの融点について証拠（甲７６、７８、１２７、乙６３）及び弁論の全趣旨によれば、シリ コンの融点は、最も高い常圧時において おいては、「溶融」は生じていない旨主張する。 アシリコンの融点について証拠（甲７６、７８、１２７、乙６３）及び弁論の全趣旨によれば、シリ コンの融点は、最も高い常圧時において１６８７Ｋであり、圧力が上がると融点が下がること、シリコンは、溶融して固体から液体へと相変化すると、体積が減少するという性質を有すること、以上の各事実が認められる。 イ被告製品により形成されたシリコンウェハの改質領域の温度 甲７６文献及び甲３３文献の記載内容甲７６文献は、単結晶シリコンにナノ秒パルスレー ザを照射した場合のシリコン内部の温度変化について実施した数値シミュレーションの結果を紹介しているところ、[Fig４⒝]におい て、改質領域においてシリコンの融点を超えていることが示されている。 また、甲３３文献も、同様【Fig4】 に、単結晶シリコンにナノ秒パルスレーザを照射した場合のシリコン内部の温度変化について、単結晶シリコン１００μm、焦点位置６０μm との条件下で実施された数値シミュレーションの結果を紹介しているところ、「Fig.9⒜」及び「Fig.9⒝」においては、深さ５９μm 付近にて急激な熱吸収が始まり、瞬間的に２万Ｋ程度まで温度上昇することや、その後、１ ００ｎｓまでの間に表面方向に２０００Ｋを超える高温領域が伸びていくことが示されている。 被告の主張について被告は、甲７６文献及び甲３３文献の記載内容は正確性を欠くものであ る旨主張するものの、以下のとおり、同 被告の主張について被告は、甲７６文献及び甲３３文献の記載内容は正確性を欠くものであ る旨主張するものの、以下のとおり、同主張は、採用することができない。 ａ 被告は、甲７６文献は、シリコン内部が溶融することを仮定したシミュレーションの結果であるから、溶融が生じたという結論が導かれるのは当然であり、甲７６文献に基づき溶融を立証するのは、循環論法である旨主張する。 しかしながら、仮説を立ててその当否を検証するというのは、科学論 文においては一般的な手法であるというべきであり、シリコン内部が溶融することを仮定した文献であるからといって、直ちにその証拠価値が低いということはできない。 ｂ 被告は、甲７６文献に記載されたシリコンのバンドギャップエネルギーの式には重大な誤りがある旨指摘する。 しかしながら、甲７６文献の共著者である原告従業員のＢは、その陳述書（甲１０１）において、被告の指摘する点については記述上の誤記にすぎず、甲７６文献で実際に行われたシミュレーションにおいては、正確な式を用いている旨説明しているところ、技術常識に照らし、同説明に格別不自然なところは見当たらず、被告の主張は、甲７６文献の信 用性を直ちに否定するものとはいえない。 ｃ 被告は、甲７６文献の計算モデルは、融点を超えた領域を全て液体として扱っているものであり、シリコンが異常液体であり、溶融により体積が減少することを踏まえていない旨指摘する。 しかしながら、被告の上記指摘は、それ自体、シリコンの内部で融点 を超える高温が生じるという結論自体を直ちに左右するものとはいえない。そして、 ことを踏まえていない旨指摘する。 しかしながら、被告の上記指摘は、それ自体、シリコンの内部で融点 を超える高温が生じるという結論自体を直ちに左右するものとはいえない。そして、Ｂは、その陳述書（甲１１３）において、甲７６文献は物理現象のモデリングを記述したものであるところ、被告の上記指摘に係る点は、「解析結果に与える影響は小さく、第一モデルとしては考慮不要」と判断した旨説明している。これらの事情を踏まえると、被告の 上記指摘は、少なくとも、ナノ秒パルスレーザの照射により、シリコンウェハ内部において、シリコンの融点を超える高温領域が生じるという点については、甲７６文献のシミュレーション結果の正確性を否定することにはならない。 ｄ 被告は、甲７６文献は原告の従業員を著者に含んでいる点において、 そもそも信用性が低い旨主張するものの、原告の従業員であるＢは共著 者の一部にすぎず（甲７６の２）、その他の共著者は本件訴訟と利害関係が存在することまでうかがわれないことからすると、被告の主張は、甲７６文献の信用性を左右する事情ということはできない。 ｅ 被告は、シミュレーションと同一条件で行われた実験結果においては、アモルファスが生じることが確認されていないことや、ボイドが２つ形 成されていることを指摘して、甲７６文献の信用性を否定する。 しかしながら、甲７６文献により、シリコンウェハの改質領域の温度が融点を超えることが認められるところ、アモルファスが確認されていないことをもって、温度変化の正確性が直ちに損なわれるものということはできない。また、ボイドが２つ形成されている具体的な理由は必ず しも明らかではないものの、むしろ、ボイドが１つ以上形成されているこ をもって、温度変化の正確性が直ちに損なわれるものということはできない。また、ボイドが２つ形成されている具体的な理由は必ず しも明らかではないものの、むしろ、ボイドが１つ以上形成されていることは、原告の主張する溶融のメカニズムに合致するものといえるから、ボイドが２つ形成されているという事情も、甲７６文献の信用性を左右するものということはできない。 ｆ 被告は、甲７６文献及び甲３３文献における数値シミュレーションと 被告製品とでは加工条件が異なり、前者のエネルギー密度は後者よりも高いため、甲７６文献及び甲３３文献の計算結果は被告製品の加工について妥当しない旨主張する。そして、具体的な数値としては、被告は、被告製品のエネルギー密度は、甲７６文献の加工条件の２５分の１未満、甲３３文献の加工条件の約８分の１にすぎない旨主張する。 しかしながら、甲７６文献には、レーザの照射によってシリコン内部の温度が最大で何度まで上昇するのかについての記載はないものの、甲３３文献においては、上記において記載したとおり、集光点付近において、シリコンの融点（１６８７Ｋ）を遥かに超える２万Ｋ程度まで温度上昇し、その後、表面方向に２０００Ｋを超える高温領域が伸びていく ことが示されている。また、被告の主張する被告製品の加工条件を前提 としても、被告製品においては、１パルス当たりのエネルギーは５．０μＪであるところ、この数字は、甲３３文献の４．４５μＪを上回るものであるから、被告の主張する集光点におけるエネルギー密度の違いを前提としても、なお甲７６文献および甲３３文献は、被告製品を用いて加工したシリコンウェハの内部において、シリコンの融点を超える温度 上昇が生じることを優に推認させるものといえる。 度の違いを前提としても、なお甲７６文献および甲３３文献は、被告製品を用いて加工したシリコンウェハの内部において、シリコンの融点を超える温度 上昇が生じることを優に推認させるものといえる。 ｇ その他に、被告の主張及び提出証拠を改めて検討しても、上記陳述書の内容及び技術常識を踏まえると、被告の主張は、いずれも上記判断を左右するに至らず、いずれも採用することができない。 融点を超えた場合に溶融が生じるか ａ 以上のとおり、甲７６文献及び甲３３文献によれば、被告製品によりシリコンウェハ内部に形成された改質領域において、シリコンの融点を超える高温領域が生じることが認められる。そして、融点を超える以上、シリコンは溶融すると推認するのが合理的であるから、シリコンウェハの内部において、レーザ加工により融点を超える温度上昇が生じており、 シリコンは溶融すると認めるのが相当である。 ｂ これに対し、被告は、甲７６文献及び甲３３文献のシミュレーション結果が信用できないことを根拠として、融点を超えるから直ちに溶融しているということはできない旨主張するものの、上記各文献のシミュレーション結果が信用できることは、上記において説示したとおりである。 したがって、被告の主張は、採用することができない。 また、被告は、シリコンウェハの内部における温度上昇は、極めて短時間内の現象であり、物質の状態変化が常に平衡状態を経由し続けるわけではないことから、仮に融点を超えていたとしても、直ちに溶融が生じるとは限らない旨主張する。 しかしながら、被告の上記主張は、単なる可能性を指摘するにとどま るものであって、シリコンの温度が融点を超えてもなお溶融が生じないことや、融点を超えた場合に固体から液体への相変 しかしながら、被告の上記主張は、単なる可能性を指摘するにとどま るものであって、シリコンの温度が融点を超えてもなお溶融が生じないことや、融点を超えた場合に固体から液体への相変化を経ずに直ちに気体に昇華することを示した文献や実験結果は、証拠として提出されておらず、被告製品において、そのような現象が実際に生じたことを認めるに足りる証拠もない。したがって、被告の主張は、採用することができ ない。 さらに、被告は、①固体から液体になると体積が減少するというシリコンの性質に照らせば、シリコン内部で溶融が生じた場合、体積が減少する結果、当該減少分の空間が生じるはずであるにもかかわらず、実際には、固体内部は外界と通じていないため、当該空間が生じる余地はな い旨や、②シリコン内部で溶融が生じる場合には、液体シリコンと固体シリコンとの界面のみならず、体積減少により生じた空間と液体シリコンとの界面を形成するためのエネルギーも必要となるため、融点に到達した後も溶融が生じない可能性がある旨主張する。 しかしながら、被告の上記主張は、いずれも、単なる理論上の可能性 を指摘するものにすぎず、実際にシリコン内部で融点を超えているにもかかわらず、被告の主張するメカニズムによって溶融しない現象が発生することを裏付ける証拠はない。したがって、被告の主張は、いずれも採用することができない。 ｃ なお、この点に関し、被告が自ら主張する「溶融によらないメカニズ ム」の根拠として提出する乙４１文献には、「瞬間的に２００００Ｋ程度まで温度上昇する．瞬時に１００００Ｋを超えるような領域は一気に気化し、ボイドが形成されると推定される．」という記載が存在するところ、この記載のみからすれば、シリコンは溶融することなく、固相か 度まで温度上昇する．瞬時に１００００Ｋを超えるような領域は一気に気化し、ボイドが形成されると推定される．」という記載が存在するところ、この記載のみからすれば、シリコンは溶融することなく、固相から気相へと変化するように一応読むこともできる。 しかしながら、乙４１文献には、乙４１文献の著者であるＤ教授が共 著者となっている甲８２文献及び甲８３文献が参考文献として挙げられているところ、これらの文献には、同様に、「瞬間的に１００００Ｋを超えるような領域は一気に気化し、ボイドが形成されると推定される」旨の記載があるものの、他方、別の箇所においては、「冷却過程で溶融が進行し、さらに温度が低下すると凝固、多結晶化が起こる」（甲８２）、 「加熱中は強い圧縮応力のために抑制されていた溶融が冷却過程で進行し、さらなる温度低下に伴って再凝固して多結晶化すると予想される。」（甲８３）旨の記載が存在する。そうすると、乙４１文献における「一気に気化する」との記載も、シリコンが液相を経ることなく、固相から気相へと直接変化することを表したものではなく、温度変化が急 激であるため、ごく短時間のうちに固相から液相を経て気相へと相変化する趣旨を表現したものと解するのが相当である。したがって、この点についても、上記判断を左右するものとはいえない。 ウナノ秒レーザ証拠（甲８０、８１、９５）及び弁論の全趣旨によれば、被告製品は、パ ルス幅がナノ秒（１０－９秒）単位のナノ秒レーザを用いており、ナノ秒レーザは、パルス幅がフェムト秒（１０－１５秒）単位のフェムト秒レーザに比べて熱的加工に特徴があることが認められる。 エレーザ加工領域の割断後断面写真（ＦＥ－ＳＥＭ）について 証拠（甲３１〔６頁〕写真④）及び弁論 （１０－１５秒）単位のフェムト秒レーザに比べて熱的加工に特徴があることが認められる。 エレーザ加工領域の割断後断面写真（ＦＥ－ＳＥＭ）について 証拠（甲３１〔６頁〕写真④）及び弁論の全趣旨によれば、被告製品に よって形成されたシリコン内部のレーザ加工領域をＳＥＭで観察したところ、ボイドが存在することや、ボイド上方領域にレーザ加工領域ではない部分とは異なる像が確認されたことが認められる。 これに対し、原告は、さらに、被告製品によるレーザ加工領域の写真（甲３１〔６頁〕写真④）により、ボイド上方領域に液体の噴出痕が確認でき る旨主張するが、同写真によっても、液体の噴出痕が存在するとまでは直 ちに認めることはできない。したがって、原告の主張は、採用することができない。 オラマン分析について ラマン分析の意義物質に光を照射すると散乱光が発生するところ、その大半は、照射光と 同一の波長の散乱光（レイリー散乱光）であるが、僅かに波長の異なる散乱光も含まれており、これをラマン散乱光という。そして、レイリー散乱光とラマン散乱光との間にはエネルギー差が存在するところ、これは、物質内の原子間振動のエネルギーに対応している。そのため、散乱光を分光したスペクトル（ラマンスペクトル）には、物質内の化学結合情報が反映 される。 このように、ラマン散乱光を分析することで、物質内の分子構造や結晶構造を把握することができるところ（ラマン分析）、本件においては、シリコン内部の多結晶又はアモルファスの有無を確認する方法として用いることができる。（甲９２、９３、１２７） 原告によるラマン分析の結果証拠（甲５１）及び弁論の全趣旨によれば、 多結晶又はアモルファスの有無を確認する方法として用いることができる。（甲９２、９３、１２７） 原告によるラマン分析の結果証拠（甲５１）及び弁論の全趣旨によれば、原告は、被告製品によるレーザ加工領域につき、自らラマン分析（原告によるラマン分析）を行ったことが認められる。 そして、原告によるラマン分析は、２種類の加工サンプル（０．５Ｗ及 び１．２Ｗ）につき実施され、そのいずれについても、改質領域及び非改質領域のそれぞれに２箇所ずつ、ラマンスペクトルの測定及びその形状の比較が行われた。 その結果、１．２Ｗの加工サンプルについては、改質領域においては、非改質領域と比較して、①ピークの半値全幅（ＦＷＨＭ）が広くなってい ることが確認され、結晶性が低下していることがうかがわれるほか、②低 波数側に、ピークの裾野が広がった状態の「テール」が確認されることから、多結晶シリコンが存在するという分析結果が示された。 また、０．５Ｗの加工サンプルについては、改質領域においては、３００ｃｍ－１付近に幅広のピークが確認されており、アモルファスシリコンの存在が示唆される箇所も存在するという分析結果が示された。 （以上につき、甲５１） 東レリサーチセンターによるラマン分析の結果証拠（甲５５）及び弁論の全趣旨によれば、原告は、被告製品によるレーザ加工領域につき、第三者機関である東レリサーチセンターに依頼してラマン分析（東レによるラマン分析）を行ったことが認められる。 そして、東レによるラマン分析（甲５５）は、レーザ加工痕周辺の１０μm×１２μm の領域において、全５２５か所の測定を行うものであり、いずれの測定場所においても、 認められる。 そして、東レによるラマン分析（甲５５）は、レーザ加工痕周辺の１０μm×１２μm の領域において、全５２５か所の測定を行うものであり、いずれの測定場所においても、単結晶Ｓｉラマン線が観測されたものの、①アモルファスＳｉに由来するＴＡフォノン線の強度分布によれば、一部の場所において、強度が高い箇所が存在し（甲５５〔１０頁〕の中央の図 （Fig.3-1⒝）のうち、明るい色で示されている部分）、②当該箇所のうち３点（ＰｏｉｎｔＡ、Ｂ及びＣ）につき、波数１００ｃｍ－１と２００ｃｍ－１の間において、ＴＡフォノン線のピークが観察されることから（Fig.3-2⒝）、アモルファスシリコンが存在していると考えられるという分析結果が示された。 また、東レによるラマン分析(甲５５)においては、粒径の小さい多結晶Ｓｉでは、一般的にラマン線のピーク位置は低波数側にシフトすること、試料に応力が生じると、原子間の結合距離・結合力が変化する結果、ラマン線のピークシフトが生じること、本件においては、応力によるピークシフトと多結晶Ｓｉの存在によるピークシフトが重畳している可能性があ り、それぞれの影響によるピークシフトを詳細に区別することが困難であ ること、以上の事実も示されている。 分析結果の評価ａ 前記及びの認定事実によれば、被告製品によりシリコン内部に形成されたレーザ加工領域においては、主としてシリコンの単結晶構造が維持されているものの、一部において、アモルファスが存在することが 認められる。 ｂ これに対し、被告は、原告によるラマン分析の結果と東レリサーチセンターによるラマン分析の結果が相互に矛盾する旨主張する。 しかしな が存在することが 認められる。 ｂ これに対し、被告は、原告によるラマン分析の結果と東レリサーチセンターによるラマン分析の結果が相互に矛盾する旨主張する。 しかしながら、東レによるラマン分析の結果は、上記のとおり、波数１００ｃｍ－１と２００ｃｍ－１の間において、アモルファスが確認され るというものであるが、この波数域については、原告によるラマン分析において、そもそも対象となっていないものであるから、これをもって、結果が相互に矛盾するということはできない。他方、原告によるラマン分析の結果によれば、３００ｃｍ－１付近に幅広のピークが確認されており、アモルファスＳｉに由来するＬＡフォノン線を示しているところ、 これは、東レによるラマン分析において、波数３００ｃｍ－１においてもラマンスペクトルのピークが観察されている（甲５５〔１１頁〕）ことにも沿うものであるといえる。 したがって、被告の主張は、採用することができない。 ｃ 被告は、東レによるラマン分析（甲５５）においては、多結晶の存在 を示す観測結果は示されていない旨主張する。 しかしながら、上記のとおり、東レによるラマン分析においては、ピークシフトが存在することを前提に、応力によるピークシフトと多結晶Ｓｉの存在によるピークシフトの区別が困難であることが指摘されているにすぎないことからすれば、ピークシフトが多結晶Ｓｉに起因する 可能性も排除されないのであって、東レによるラマン分析（甲５５）の 結果によっても、直ちに多結晶が存在しないということはできない。上記において説示したとおり、少なくとも、東レによるラマン分析によっても、アモルファスが生じていることは認められる以上、多結晶の存在 結果によっても、直ちに多結晶が存在しないということはできない。上記において説示したとおり、少なくとも、東レによるラマン分析によっても、アモルファスが生じていることは認められる以上、多結晶の存在が示されていないという被告の主張は、いずれにせよ、上記判断を左右するものではない。 その他に、被告の主張及び提出証拠を改めて検討しても、被告の主張は、前記判断を左右するに至らず、いずれも採用することができない。 カ電子線後方散乱解析（ＥＢＳＤ）の結果について証拠（甲８６、８７、乙４６）及び弁論の全趣旨によれば、ＥＢＳＤとは、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を使用して、 試料の正面の結晶方位をサブミクロンのスケールでマッピングする検査方法であり、異なる結晶方位は異なる色で表示されるものであることが認められる。 そして、被告は、第三者に依頼し、被告 製品によりシリコンウェハに形成された加工領域につき、ＥＢＳＤを行ったところ、その結果は、右の【ＩＰＦマップ】のとおりであり、緑色が略全域を占めている　【ＩＰＦマップ】ものの、ボイド上方領域の周辺部分には、やや色の薄くなった部分（黄緑色 ないし白）が存在するほか、全域にわたって、黒色の部分も存在することが認められる（乙４６の２）。 そして、証拠（甲９６ないし１００）によれば、ＥＢＳＤにおいては、①試料表面に凹凸がある場合、凹凸の部分が影になるために信号が得られないことがあること、その場合、ＩＰＦマップ上では黒く表示されること、②他 方で、結晶構造を持たないために結晶方位のデータを取得できない非晶質の 箇所もＩＰＦマップ上では黒く表示されること、③そして、ＩＰＦマップ上で黒く表示されている部分が、上記①の影響によるものなのか、 造を持たないために結晶方位のデータを取得できない非晶質の 箇所もＩＰＦマップ上では黒く表示されること、③そして、ＩＰＦマップ上で黒く表示されている部分が、上記①の影響によるものなのか、上記②の影響によるものなのか、あるいは、その両方の影響によるものなのかについては、明確に区別することができないことが認められる。 上記認定事実によれば、本件におけるＥＢＳＤの結果によっても、被告製 品によって形成されたボイド上方領域が全て単結晶を維持しているということはできず、これをもって、同領域において多結晶及びアモルファスの存在を否定することはできないというべきである。 キ電子線回折の観察結果について証拠（乙４６の１）及び弁論の全趣旨によれば、被告は、被告製品によっ て形成されたレーザ加工領域につき、ボイドとボイド上方領域の双方において水平方向に切断した断面を指定領域とした上、それぞれの指定領域につき３箇所を電子線回折（ＴＥＭ／ＥＤ）により観察したこと、その結果は、下記の【⒜】ないし【⒟】のとおりであり、ボイド上方領域については、結晶性が保たれた（単結晶）像が確認されたものの（⒞）、ボイドについては、 ややぼんやりとした回折像が確認されたことが認められる（⒜及び⒝）。 ⒜　⒝ ⒞⒟上記認定事実によれば、ボイド上方領域においても、観察点においては単結晶構造が保たれていることがうかがわれるものの、それ以外の箇所におい て多結晶及びアモルファスが存在する可能性を排除するものではなく、むしろ、ボ ボイド上方領域においても、観察点においては単結晶構造が保たれていることがうかがわれるものの、それ以外の箇所におい て多結晶及びアモルファスが存在する可能性を排除するものではなく、むしろ、ボイドにおいては、結晶構造が変化している可能性があることが認められる。 そうすると、電子線回折の観察結果（乙４６の１）をもって、被告製品によって形成された加工領域につき、多結晶及びアモルファスの存在を否定す ることはできないというべきである。 ク結論以上の認定事実によれば、被告製品は熱的加工を特徴とするナノ秒レーザを用いたものであるところ、数値シミュレーションの結果（甲３３、７６）によれば、加工領域においてはシリコンの融点を超えており、当該部分にお いては、シリコンが溶融しているものと考えるのが合理的であること、他方で、被告製品によって形成された加工領域において、融点を超えてもシリコンの溶融が生じないことをうかがわせる特段の事情は見当たらないこと、被告製品によって形成されたレーザ加工領域において、ＳＥＭによりボイドの存在を確認することができること、ラマン分析によっても、ボイド上方領域 において、単結晶とは異なるアモルファスが存在するとの分析結果が示され ていること、以上の各事実が認められる。 そして、被告の指摘する実験結果（ＥＢＳＤや電子線回折）によっても、被告製品によって形成される加工領域において、多結晶及びアモルファスの存在が否定されるものではないことは、上記において説示したとおりである。 これらの事情の下においては、被告製品によって形成される加工領域にお いては、ボイド及びボイド上方領域付近で、シリコンの溶融と再固化が生じているものと認めるのが相当である。 ケ被 これらの事情の下においては、被告製品によって形成される加工領域にお いては、ボイド及びボイド上方領域付近で、シリコンの溶融と再固化が生じているものと認めるのが相当である。 ケ被告の主張について単結晶の存在（エピタキシャル成長）についてａ 被告は、ボイド及びボイド上方領域に単結晶が存在することを根拠と して、溶融は生じていない旨主張する。 しかしながら、証拠（甲８８、８９）及び弁論の全趣旨によれば、シリコンは、単結晶と接する領域が一旦溶融した後に再凝固する際、隣接する単結晶から、同じ構造の単結晶として凝固すること（エピタキシャル成長）が認められる。 そうすると、被告製品によってシリコンウェハに形成された加工領域（ボイド及びボイド上方領域）において、シリコンが一旦溶融した後に再凝固する場面において、エピタキシャル成長により、単結晶が形成される可能性が十分に存在するということができる。 したがって、ボイド及びボイド上方領域に単結晶が存在するという事 実も、被告製品によって形成された加工領域において溶融が生じていることを否定するものとはいえない。 ｂ 被告は、被告製品によりシリコン内部に形成された加工領域においてはエピタキシャル成長が生じない旨主張するが、被告の同主張は、以下のとおり、いずれも採用することができない。 ⒜ 被告は、シリコンウェハ内部の短時間のレーザ加工によりエピタキ シャル成長が生じることを裏付ける文献等は存在しない旨主張する。 しかしながら、Ｐら共著による論文「パワー半導体ＩＧＢＴの深い活性化のためのトップフラットビーム・ハイブリッドレーザアニール装置の開発」（甲８９）には、シリ 裏付ける文献等は存在しない旨主張する。 しかしながら、Ｐら共著による論文「パワー半導体ＩＧＢＴの深い活性化のためのトップフラットビーム・ハイブリッドレーザアニール装置の開発」（甲８９）には、シリコンウェハの表面にレーザを照射した場合に、表層から０．５μm 深さ程度のシリコンが溶融した後、 レーザパルスからの熱供給が途絶えると急冷却により溶融部の温度が低下し、溶融部下層の固体の単結晶シリコンからエピタキシャル成長することで、良質なシリコン単結晶が再結晶した旨の記載が存在する。また、甲４８文献にも、シリコン内部におけるレーザによる溶融と再凝固のプロセスにおいて、エピタキシャル成長が生じる旨記載さ れている。これらの記載は、被告製品によるシリコン内部の加工領域において、エピタキシャル成長により単結晶が生じるという機序に沿うものといえる。 ⒝ 被告は、株式会社日産アークの分析結果報告書（乙８９、９１、１１８）によれば、被告製品によるシリコンの加工領域においては、割 れの近傍では僅かに結晶方位のずれが観察されるところ、一旦溶融しエピタキシャル成長するような場合には、固相と結晶方位が同一となるように結晶化していくため、そのような方位のずれが見られないはずである旨主張する。 しかしながら、上記報告書は、エピタキシャル成長につき、チョク ラルスキー法に代表されるような、非常に緩やかな温度勾配や冷却速度に基づき、長時間をかけて再凝固する方法を前提とするものであることが認められるところ（乙８９、９１、１１８）、被告製品によるシリコンウェハの加工領域においては、上記において説示したとおり、短時間のうちに急激な温度上昇及び冷却のプロセスを経るものであ るから、被告製品によるシリコンの加工は、 １８）、被告製品によるシリコンウェハの加工領域においては、上記において説示したとおり、短時間のうちに急激な温度上昇及び冷却のプロセスを経るものであ るから、被告製品によるシリコンの加工は、上記報告書とは条件を異 にするものである。そうすると、上記報告書の記載内容も、被告製品によりシリコン内部に形成された加工領域においてエピタキシャル成長が生じる可能性を否定するものとはいえない。 ⒞ 被告は、甲４８文献につき、①波長約１５５０ｎｍ、パルス幅３． ５ｎｓという条件下でエピタキシャル成長が生じたというものであ るところ、当該パルス幅は被告製品による加工の場合の約９０分の１であり、エネルギー密度が９０倍以上となるため、被告製品による加工とは、加工条件が異なること、②エピタキシャル成長が生じたとされる加工痕は、被告製品により形成された加工領域とは全く異なる旨を指摘し、被告製品による加工領域においてエピタキシャル成長は生 じていない旨主張する。 しかしながら、甲４８文献は、そもそも、所定の条件下でシリコンにレーザを照射した場合に、溶融したシリコンが凝固する際に単結晶化することを明らかにしたものにすぎず、被告製品による加工領域において溶融したシリコンが凝固する際に単結晶化することを直接実 証したものではない。そして、甲４８文献は、当該所定の条件下以外でレーザ光を照射した場合に再結晶しないことを結論付けたものではないから、甲４８文献の加工条件やレーザ痕が被告製品による加工条件や加工領域の状態と異なるという事情も、被告製品による加工領域においてエピタキシャル成長が生じることを否定するものではな い。 ⒟ 被告は、本来、エピタキシャル成長した場合に転位は生じないにも と異なるという事情も、被告製品による加工領域においてエピタキシャル成長が生じることを否定するものではな い。 ⒟ 被告は、本来、エピタキシャル成長した場合に転位は生じないにもかかわらず、原告自身、被告製品によるレーザ加工領域において転位が生じていることを認めている旨主張する。 しかしながら、証拠（乙８９、９１、１１８）及び弁論の全趣旨に よれば、エピタキシャル成長において転位が生じないのは、チョクラ ルスキー法のように、非常に緩やかな温度勾配や冷却速度に基づき、長時間をかけて再凝固する方法を採用した場合であると認められるところ、被告製品によるレーザ加工は、短時間のうちに急激な温度上昇と下降を生じさせるものであるから、そもそも前提条件を異にするものであることは、上記において説示したとおりである。そうすると、 被告製品によるシリコンの加工領域において転位が生じているという事情も、同加工領域におけるエピタキシャル成長の発生を否定するものとはいえない。 ⒠ その他に、被告の主張及び提出証拠を改めて検討しても、被告の主張は、上記に掲げた文献等の内容に照らし、いずれも前記判断を左右 するに至らず、いずれも採用することができない。 溶融によらないメカニズムについてａ 被告は、以下のメカニズムに依拠した上で、被告製品による加工プロセスにおいて溶融は生じていない旨主張するため、以下において検討する。 ① 集光点付近でレーザ光吸収（単光子吸収で足りる。）が生じる。 ② レーザ光により、局所的に高密度のエネルギーを与えられたマイクロ爆発が生じ、ボイドが形成される。 ③ 熱衝撃波がレーザ照射面に向けて伝播する。 ④ 熱衝撃波の先端で非常に レーザ光により、局所的に高密度のエネルギーを与えられたマイクロ爆発が生じ、ボイドが形成される。 ③ 熱衝撃波がレーザ照射面に向けて伝播する。 ④ 熱衝撃波の先端で非常に高い圧縮応力が生じ、高転位密度層が形成 される。 ⑤ 先行するレーザパルスで形成された高転移密度層を、次のレーザパルスで形成された熱衝撃波が通過する際、高転位密度層内の転位が核となって亀裂が生じる。 ｂ 乙４１文献の記載内容 上記メカニズムは、基本的には乙４１文献に記載されたものと同様で あるところ、証拠（乙４１）及び弁論の全趣旨によれば、乙４１文献の著者は、甲３３文献の共著者であるＤ教授であること、乙４１文献には、甲３３文献の「Fig.9⒜」と同様の「Fig.2」が掲載されていること、また、急激な熱吸収が始まり、瞬間的に２００００Ｋ程度まで温度上昇する旨の記載が存在すること、以上の各事実が認められる。 上記認定事実によれば、乙４１文献も、甲３３文献と同様に、シリコン内部で融点を超える温度に達する領域が存在することを否定するものではないものと認められる。 また、乙４１文献には、「瞬間的に２００００Ｋ程度まで温度上昇する．瞬時に１００００Ｋを超えるような領域は一気に気化し、ボイドが 形成されると推定される」という記載が存在するものの、この記載は、シリコンが液相を経ることなく、固相から気相へと直接変化することを表したものではなく、温度変化が急激であるため、ごく短時間のうちに固相から液相を経て気相へと相変化することを表現したものと解されることは、前記イｃにおいて既に説示したとおりである。 これに対し、被告は、溶融によ るため、ごく短時間のうちに固相から液相を経て気相へと相変化することを表現したものと解されることは、前記イｃにおいて既に説示したとおりである。 これに対し、被告は、溶融によらないメカニズムとして、乙６１等に基づき②のプロセスを掲げているところ、②にいう「マイクロ爆発」は、証拠（乙６１）、技術説明会における口頭議論の結果及び弁論の全趣旨によれば、ナノ秒レーザーによる熱的加工ではなく、フェムト秒レーザーによる非熱加工によるものであることが認められることからすると、 被告の上記メカニズムは、ナノ秒レーザーによる熱的加工とフェムト秒レーザーによる非熱加工という、いわば異なる現象を組み合わせたものといえるから、技術常識に照らし、それ自体、独自の見解をいうものである。 ｃ 以上によれば、乙４１文献には、被告が主張するような溶融によらな いメカニズムが記載されているとはいえず、被告主張に係る溶融によら ないメカニズムは、それ自体当を得ないものである。その他に、被告製品による加工領域において溶融によらないメカニズムが生じていることを認めるに足りる証拠は存在しない。 したがって、被告の主張は、採用することができない。 ｄ これに対し、被告は、被告社内実験の結果（乙８５）によれば、①ボ イドが形成されなくても、ボイド上方領域が形成されることや、②ボイドがウェハ下端近傍に形成されてもボイド上方領域が形成されることが明らかとなったところ、この結果は、原告の主張する溶融によるメカニズムに合致せず、被告の主張する溶融によらないメカニズムに合致する旨主張する。 しかしながら、原告主張に係るメカニズムでは、溶融が生じた場合に必ずボイドが生じるというものではなく、ボイ ニズムに合致せず、被告の主張する溶融によらないメカニズムに合致する旨主張する。 しかしながら、原告主張に係るメカニズムでは、溶融が生じた場合に必ずボイドが生じるというものではなく、ボイドが形成されていない場合でも溶融が生じたことを否定するものではないから、被告社内実験の上記①及び②の結果は、原告主張に係るメカニズムと直ちに矛盾するものとはいえない。他方、被告主張に係るメカニズムでは、マイクロ爆発 によりボイドが形成されるところ、ボイドが形成されない場合に、熱衝撃波の発生及びボイド上方領域の形成に関する機序が不明となるため、上記①の結果を説明することができず、また、被告主張に係るメカニズムでは、技術常識を踏まえると、マイクロ爆発の熱衝撃波がウェハ下端から抜けてしまうことになるから、上記②の結果についても、説明する ことができない。そうすると、被告の主張は、上記判断を左右するに至らない。 したがって、被告の主張は、採用することができない。 ｅ その他に、被告の主張及び提出証拠を改めて検討しても、被告の主張は、上記説示に照らし、いずれも前記判断を左右するに至らず、いずれ も採用することができない。 ⑶ 被告製品が「改質領域」（構成要件Ａ、Ｄ）を形成しているかア 「溶融処理領域」該当性 上記において説示したとおり、被告製品によりシリコン内部に形成されたレーザ加工領域においては、ボイド及びボイド上方領域付近で、シリコンの溶融と再固化が生じることが認められる。 そうすると、被告製品によってシリコン内部に形成されたレーザ加工領域は、シリコンが「一旦溶融後再固化した領域」に該当するものと認められるから、「溶融処理領域」に当たるといえる。 これに対し、 ると、被告製品によってシリコン内部に形成されたレーザ加工領域は、シリコンが「一旦溶融後再固化した領域」に該当するものと認められるから、「溶融処理領域」に当たるといえる。 これに対し、被告は、被告製品による加工領域のうち、ボイド上方領域においては、単結晶が広く見られ、アモルファスが生じている部分はごく 限定的であることからすれば、「溶融処理領域」には当たらないと解すべきである旨主張する。 しかしながら、仮に、被告が主張するように、ボイド上方領域において、アモルファスが生じている部分が限定的であるとしても、アモルファスが生じている以上、上記にいう溶融後再固化が生じていることには変わりが ない。 したがって、被告の主張は、採用することができない。 イ多光子吸収が支配的に寄与して形成されたものに限定されないこと弁論の全趣旨によれば、被告製品によりシリコン内部に形成される溶融処理領域は、多光子吸収が支配的に寄与して形成されたものではないことが認 められるものの、本件発明１の「改質領域」（構成要件Ａ及びＤ）は、多光子吸収が支配的に寄与して形成されたものに限定されないことは、上記において説示したとおりである。 したがって、被告製品によりシリコン内部に形成される溶融処理領域が、多光子吸収が支配的に寄与して形成されたものではなかったとしても、その ことは、「改質領域」該当性を左右するものではない。 ウボイドが形成されないものに限定されないこと前記において認定したとおり、被告製品によりシリコン内部に形成されたレーザ加工領域においては、ボイドが形成されるものの、本件発明１の「改質領域」（構成要件Ａ及びＤ）はボイドが形成されるものに限られないことは、上記におい おり、被告製品によりシリコン内部に形成されたレーザ加工領域においては、ボイドが形成されるものの、本件発明１の「改質領域」（構成要件Ａ及びＤ）はボイドが形成されるものに限られないことは、上記において説示したとおりである。 したがって、被告製品によりシリコン内部に形成されたレーザ加工領域においてボイドが形成されることは、「改質領域」該当性を左右するものではない。 エその他に、被告の主張及び提出証拠を改めて検討しても、上記において繰り返し説示したところに照らし、被告の主張は、いずれも前記判断を左右す るに至らず、いずれも採用することができない。 オ小括以上によれば、被告製品は「改質領域」（構成要件Ａ及びＤ）を形成するものと認められる。 ３ 争点１－２（被告製品は「集光点の位置で」（構成要件Ｄ）改質領域を形成す るものといえるか）前記認定によれば、被告製品においては、ボイド及びボイド上方領域において改質領域が形成されるものと認められるところ、被告は、ボイド上方領域は、レーザの焦点よりも上方に位置するため、レーザ光の「集光点の位置」（構成要件Ｄ）においては改質領域が形成されない旨主張する。 ⑴ 「集光点の位置で」の意義ア特許請求の範囲の記載構成要件Ｄは、「レーザ光の集光点の位置で前記改質領域を形成させる集光用レンズ」と規定しているところ、既に説示したところに照らせば、「改質領域」とは、一定の広がりを持った領域であることが認められる。 そうすると、上記にいう「改質領域」が形成される「集光点の位置」とは、 「改質領域」が文字通り一定の領域を有する以上、必然的にレーザ光の集光点に限定されるものではなく、集光点を含む一定の「領 すると、上記にいう「改質領域」が形成される「集光点の位置」とは、 「改質領域」が文字通り一定の領域を有する以上、必然的にレーザ光の集光点に限定されるものではなく、集光点を含む一定の「領域」を意味するものと解するのが自然である。 イ本件明細書等１の記載本件明細書等１には、「集光点」につき、「集光点とはレーザ光が集光 した箇所のこと」(段落【０００７】)、「パルス波の場合、レーザ光の強度はレーザ光の集光点のピークパワー密度（Ｗ／ｃｍ２）で決まり・・ピークパワー密度は、（集光点におけるレーザ光の１パルス当たりのエネルギー）÷（レーザ光のビームスポット断面積×パルス幅）により求められる。」(段落【００１４】)、「本実施形態に係るレーザ加工は、多光子吸 収が生じる条件で加工対象物１の内部に集光点Ｐを合わせてレーザ光Ｌを加工対象物１に照射して改質領域７を形成する。なお、集光点とはレーザ光Ｌが集光した箇所のことである。」（段落【００１６】）、「シリコンウェハの内部で溶融処理領域が形成されることを実験により確認した。実験条件は次ぎの通りである。・・レーザ光スポット断面積：３．１４×１ ０－８ｃｍ２」(段落【００２８】、【００２９】)という記載があることが認められる。 上記認定事実によれば、本件明細書等１においては、「集光点」は、「レーザ光が集光した箇所」と定義されているところ、レーザー光のビームスポットも一定の断面積を持つものであることが認められる。 そして、上記のとおり、「集光点の位置で」形成される「改質領域」も一定の広がりを持つものであるところ、本件明細書等１には、「溶融処理領域の厚さ方向の大きさは１００μm 程度である。」と記載されており、前記のとおりレーザ光のビームスポット断面積の集光半径 領域」も一定の広がりを持つものであるところ、本件明細書等１には、「溶融処理領域の厚さ方向の大きさは１００μm 程度である。」と記載されており、前記のとおりレーザ光のビームスポット断面積の集光半径が１μm 程度であることに照らせば、「改質領域」は「集光点」よりも、かなり広い領域に及 ぶものであるといえる。 ウ上記特許請求の範囲及び本件明細書等１の各記載によれば、「集光点の位置で」とは、改質領域が形成される位置を限定するものではなく、当該改質領域が「集光点の位置」よりも広い範囲に及ぶ場合であっても、「集光点の位置で」レーザ光が照射され、改質領域が形成される限り、これを充足するものと解するのが相当である。 ⑵ 被告製品の改質領域はレーザ光の「集光点の位置」で形成されるといえるか。 証拠（甲３１）及び弁論の趣旨によれば、甲３１の５頁目のスライドに記載された写真は、被告製品によりシリコン内部に形成されたレーザ加工領域の割断後断面写真であることが認められるところ、同写真では、「狭義の集光点：「１．初期吸収」による加工の開始点」と記載された箇所から数μm 上方に、 全長１０μmに満たないボイドが形成され、そのボイドのさらに数μm上方に、全長１０μm から２０μm 程度のボイド上方領域が形成されていることが認められる。 そうすると、被告製品のレーザ光の照射により、その上方に広い範囲でボイド及びボイド上方領域が形成されたものと認められることからすると、「集光 点の位置で」レーザ光が照射され、改質領域が形成されたといえるから、被告製品における改質領域の形成は、「集光点の位置で」の文言を充足するものといえる。 その他に、被告の主張及び提出証拠を改めて検討しても、被告の主張は、上記 れ、改質領域が形成されたといえるから、被告製品における改質領域の形成は、「集光点の位置で」の文言を充足するものといえる。 その他に、被告の主張及び提出証拠を改めて検討しても、被告の主張は、上記特許請求の範囲及び本件明細書等１の各記載に照らし、いずれも前記判断を 左右するに至らず、いずれも採用することができない。 したがって、被告製品は、レーザ光の「集光点の位置で」（構成要件Ｄ）改質領域を形成するものと認められる。 ４ 争点１－３（被告製品のレーザ加工領域は「切断の起点となる」（構成要件Ａ）ものといえるか） ⑴ 被告製品（非除去）について シリコンウェハの分割方法について、被告製品には、①シリコンウェハをチップに分割する前にレーザ加工領域を除去するもの（被告製品（除去））と、②除去しないもの（以下「被告製品（非除去）」という。）の２種類が存在するところ、弁論の全趣旨によれば、被告製品（非除去）について、レーザ加工領域が「切断の起点」となることは、被告も、格別争っていないものと解され る。 そうすると、被告製品（非除去）のレーザ加工領域は、「切断の起点」（構成要件Ａ）となるものと認められる。 ⑵ 被告製品（除去）についてアこれに対し、被告は、被告製品（除去）については、シリコンウェハをチ ップに分割する時点では、既にレーザ加工領域（ボイド及びボイド上方領域）は存在せず、その切断は、ボイドの下に生じる下亀裂を起点として行われるのであるから、レーザ加工領域は「切断の起点となる」（構成要件Ａ）ものではない旨主張するため、以下検討する。 イ 「切断の起点」の意義 本件発明１の構成要件Ａは、「ウェハ状の加工対象物の内部に、切断の 切断の起点となる」（構成要件Ａ）ものではない旨主張するため、以下検討する。 イ 「切断の起点」の意義 本件発明１の構成要件Ａは、「ウェハ状の加工対象物の内部に、切断の起点となる改質領域を形成するレーザ加工装置」と記載されているところ、この記載は、切断の時点で改質領域が存在していることを文言上限定するものではない。そして、本件明細書等１には、「なお、シリコンウェハは、溶融処理領域を起点として断面方向に向かって割れを発生させ、その割れ がシリコンウェハの表面と裏面に到達することにより、結果的に切断される」(段落【００３３】)という記載があることが認められる。 そうすると、改質領域が「切断の起点となる」というのは、改質領域を起点として生じた「割れ」により、結果的にシリコンウェハが切断される場合を含むものと解するのが相当である。 ウ被告製品（除去）のレーザ加工領域が「切断の起点となる」ものか 被告の主張を前提としても、ボイドの下に存在する下亀裂は、被告製品によるレーザ加工により生じた改質領域を起点として生じたものであるところ、被告製品（除去）は、改質領域を起点として生じた下亀裂が裏面に到達することにより、結果的にシリコンウェハが切断されるものであるということができる。 そうすると、被告製品（除去）においても、改質領域を起点として生じた「割れ」により、結果的にシリコンウェハが切断されるのであるから、改質領域が「切断の起点となる」ものと認められる。 これに対し、被告は、切断の機序につき、「改質領域からの割れの発生」と「切断」という２つのプロセスを区別した上で、「切断」（構成要件Ａ） に該当するのは後者に限られる旨主張する。 しかしながら、前 対し、被告は、切断の機序につき、「改質領域からの割れの発生」と「切断」という２つのプロセスを区別した上で、「切断」（構成要件Ａ） に該当するのは後者に限られる旨主張する。 しかしながら、前記のとおり、本件明細書等１には、「溶融処理領域を起点として断面に向かって割れを発生させ、その割れがシリコンウェハの表面と裏面に到達することにより、結果的に切断される。シリコンウェハの表面と裏面に到達するこの割れは自然に成長する場合もあるし、加工対 象物に力が印加されることにより成長する場合もある。」(段落【００３３】)と記載されていることからすれば、構成要件Ａにいう「切断」とは、本件明細書等１の記載に照らし、割れの発生及び当該割れが加工対象物の表面ないし裏面に到達するという一連の過程をいうものと解するのが相当である。 したがって、被告の主張は、採用することができない。 ⑶ 小括以上によれば、被告製品により形成された改質領域は、シリコンウェハをチップに分割する前にこれが除去されるか否かにかかわらず、いずれも「切断の起点となる」（構成要件Ａ）ものと認められる。 その他に、被告の主張及び提出証拠を改めて検討しても、上記特許請求の範 囲及び本件明細書等１の各記載に照らし、被告の主張は、前記判断を左右するに至らず、いずれも採用することができない。 ５ 争点１－４（被告製品は「集光用レンズを移動させ・・る機能を有する」（構成要件Ｅ）ものといえるか）⑴ 「集光用レンズを移動させ・・る」の意義について ア特許請求の範囲の記載本件発明１の構成要件Ｅは、「レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置するように・・、第１移動量だけ前記集光用レンズを移動させ」と規定しており、集光点が ア特許請求の範囲の記載本件発明１の構成要件Ｅは、「レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置するように・・、第１移動量だけ前記集光用レンズを移動させ」と規定しており、集光点が加工対象物の内部に位置するように集光点の移動を制御するに当たって、集光用レンズのみを移動させることが文言上規定される ものではない。 イ本件明細書等１の記載本件明細書等１には、「レーザ光Ｌを切断予定ライン５に沿って・・相対的に移動させることにより、集光点Ｐを切断予定ライン５に沿って移動させる。これにより、・・改質領域７が切断予定予定ライン５に沿って加工対象 物１の内部にのみ形成される。」(段落【００１７】)、「Ｚ軸ステージ１１３をＺ軸方向に移動させることにより、加工対象物１の内部にレーザ光Ｌの集光点Ｐを合わせることができる。つまり、Ｚ軸ステージ１１３により加工対象物１の厚み方向における集光点Ｐの位置が調節される。・・なお、集光用レンズ１０５をＺ軸方向に移動させることによっても、これらの調節やレ ーザ光の集光点を加工対象物の内部に合わせることができる。」(段落【００４６】)という記載があることが認められる。 上記の本件明細書等１の記載によれば、集光点をＺ軸方向に移動するに当たっては、集光用レンズを移動させる方法と、載置台（Ｚ軸ステージ１１３）を移動させる方法の２つの方法があるとされており、これを前者に限る趣旨 の記載を認めることはできない。 ウそうすると、「集光用レンズを移動させ・・る」（構成要件Ｅ）とは、集光点が加工対象物内の特定の場所に位置するように、集光用レンズ又は載置台の位置を移動させることにより、集光点を加工対象物との関係で相対的に移動させることを意味す 動させ・・る」（構成要件Ｅ）とは、集光点が加工対象物内の特定の場所に位置するように、集光用レンズ又は載置台の位置を移動させることにより、集光点を加工対象物との関係で相対的に移動させることを意味するものであり、加工対象物の位置を固定した上で、集光用レンズのみを移動させることに限定されるものではないと解するの が相当である。 ⑵ 被告製品が「集光用レンズを移動させ・・る機能を有する」といえるか。 ア前記前提事実のとおり、被告製品は、①レーザ加工エンジンユニットをＺ軸方向に動かす駆動機構を備えており、複数回のレーザ加工走査による複数段のレーザ加工領域の形成（複数段レーザ加工走査）をする場合にお ける各レーザ加工領域の深さへの加工用レーザ光の集光点の移動は、レーザ加工エンジンユニットをＺ軸方向に動かすことによりなされること（構成⑪）、②加工用レーザ光の集光点がシリコンウェハの主面に合うようにレーザ加工エンジンユニットの高さを調整した上、更にレーザ加工エンジンユニットを所定の移動量だけシリコンウェハの主面に近付ける（Ｚ軸方 向に移動させる）ことにより、加工用レンズの集光点をシリコンウェハ内部の所定の深さに合わせる（ハイト調整）する機能を有すること（構成⑬）が認められる。 上記認定事実によれば、被告製品は、レーザ加工エンジンユニット全体をＺ軸方向に移動させることにより、レーザ光の集光点がシリコンウェハ の内部に位置するように、集光点を加工対象物との関係で相対的に移動させる機能を有しているということができる。 そうすると、被告製品は、「レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置するように・・、第１移動量だけ前記集光用レンズを移動させる・・機能を有する（構成要件Ｅ）ものと認められる。 イ うすると、被告製品は、「レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置するように・・、第１移動量だけ前記集光用レンズを移動させる・・機能を有する（構成要件Ｅ）ものと認められる。 イこれに対し、被告は、「集光用レンズを移動させ」るというのは、集光用 レンズのみを移動させることを意味するという前提に立ち、被告製品では、厚さ方向（Ｚ軸方向）に移動するに当たって、対物レンズを含むレーザ加工エンジン全体が移動するから、「集光用レンズを移動させ」るという要件を満たさない旨主張する。 しかしながら、構成要件Ｅにいう「集光用レンズを移動させ」るというの が、集光用レンズのみを移動させる機能を有するものには限定されないことは、前記⑴において説示したとおりであり、被告の主張は、前提を欠く。したがって、被告の主張は、採用することができない。 ６ 争点１－５（被告製品は「前記レーザ光入射面を基準として前記加工対象物の厚さ方向に第２移動量だけ前記集光用レンズを移動させ・・る機能を有する」（構 成要件Ｅ）といえるか）⑴ 被告製品の構成前記前提事実によれば、被告製品は、次に掲げる構成を有することが認められる。 ① シリコンウェハのＸＹ平面上の所定の点（例えば、中心）で加工用レーザ 光の集光点がシリコンウェハの主面に合うようにレーザ加工エンジンユニットの高さを調整（ハイト調整基準位置に調整）した上、更にレーザ加工エンジンユニットを所定の移動量だけシリコンウェハの主面に近づける（Ｚ軸方向に移動させる）ことにより、加工用レンズの集光点をシリコンウェハ内部の所定の深さに合わせる（ハイト調整）機能を有し、また、対物レンズの 走査中、レーザ加工エンジンユニットは、ハイト調整された高さに固定される構成（ り、加工用レンズの集光点をシリコンウェハ内部の所定の深さに合わせる（ハイト調整）機能を有し、また、対物レンズの 走査中、レーザ加工エンジンユニットは、ハイト調整された高さに固定される構成（構成⑬）② レーザ加工エンジンユニットをハイト調整基準位置から第１移動量だけシリコンウェハの主面に近付いた位置にハイト調整をしてＡＦ追従レーザ加工（第１段ＡＦ追従レーザ加工）をした後、同一の切断予定ラインにおい て、レーザ加工エンジンユニットを、第１段ＡＦ追従レーザ加工を行った位 置を基準として第２移動量だけシリコンウェハの主面に近付いた位置にハイト調整をして、予め記憶された切断予定ラインに沿ったシリコンウェハの主面の変位に基づいて、再びＡＦ追従レーザ加工（第２段ＡＦ追従レーザ加工）をするという構成（構成⑲）⑵ 被告製品の構成要件充足性 前記認定事実によれば、被告製品は、まず、第１段目のレーザ加工をする際には、シリコンウェハの主面を基準として、シリコンウェハの厚さ方向に第１移動量だけ、レーザ加工エンジンユニットを移動させ、次に、第２段目のレーザ加工をする際には、当該第１段目のレーザ加工をした位置を基準として、シリコンウェハの厚さ方向に更に第２移動量だけ、レーザ加工エンジンユニット を移動させるものであると認められる。 そして、第２移動量の移動は、直接的には、第１段目のレーザ加工をした位置を基準とするものであるが、当該第１段目のレーザ加工をした位置自体は、シリコンウェハの主面を基準として決定されているのであるから、第２移動量の移動も、結果的には、シリコンウェハの主面を基準として決定されているも のといえる。 そうすると、被告製品は「前記レーザ光入射面を基準として前記加工対象物の厚 いるのであるから、第２移動量の移動も、結果的には、シリコンウェハの主面を基準として決定されているも のといえる。 そうすると、被告製品は「前記レーザ光入射面を基準として前記加工対象物の厚さ方向に第２移動量だけ前記集光用レンズを移動させ・・る機能を有する」（構成要件Ｅ）ものと認められる。 ⑶ 被告の主張について アこれに対し、被告は、加工対象物の高さは面内の場所によって異なることからすれば、第１移動量の移動を行って１段目の深さを決定する時点と、第２移動量の移動を行って２段目の深さを決定する時点では、集光用レンズの場所が異なるため、レーザ入射光面は、１段目と２段目に共通して用いることのできる根本的基準にはなり得ない旨主張する。 しかしながら、被告製品も、変位取得過程において、主面の高さに応じた 変位を取得しており、当該取得した変位に基づき１段目の加工を行っているのであって、「加工用レーザ光の集光点は、シリコンウェハの主面にうねり（凹凸）があっても、常に、シリコンウェハの主面から一定の深さに位置するように制御される」（構成⑭）のであるから、加工対象物の高さが面内の場所によって異なることを前提としても、１段目の加工を開始する時点（第 １移動量の移動を行った時点）と、１段目の加工が終了した時点（第２移動量の移動を行う時点）とで、集光用レンズのシリコンウェハの主面からの距離は変わらないはずであり、被告の主張は、前提を欠く。 したがって、被告の主張は、採用することができない。 イその他に、被告の主張及び提出証拠を改めて検討しても、被告の主張は、 被告製品の前記構成に照らし、いずれも前記判断を左右するに至らず、いずれも採用することができない。 ７ 争点１－６（被告 その他に、被告の主張及び提出証拠を改めて検討しても、被告の主張は、 被告製品の前記構成に照らし、いずれも前記判断を左右するに至らず、いずれも採用することができない。 ７ 争点１－６（被告製品は「制御部」（構成要件Ｅ）を備えるものといえるか）⑴ 被告製品は、構成⑬及び⑲を備えるところ、これにより、被告製品が構成要件Ｅに規定された機能を有することは、前記争点１－４及び１－５において既 に説示したとおりである。 そして、前記前提事実によれば、被告製品は、「カッティングテーブルをＸ軸方向に動かす駆動機構、レーザ加工エンジンユニットをＺ軸方向に動かす駆動機構、及びピエゾアクチュエータは、それぞれ、被告製品１（固定）のコンピュータシステムにより制御される。」という構成（構成⑫）を有することが 認められるから、被告製品は、構成要件Ｅに規定された機能を有する「制御部」（構成要件Ｅ）を備えるものと認められる。 ⑵ これに対し、被告は、被告製品の制御部が機能するためには、エンジニアが数日間作業をして、アプリケーション及びシステムを作成・調整する必要があるところ、そのような作成・調整は海外で行われる以上、被告製品が日本国内 に存在する限り、「制御部」（構成要件Ｅ）は備わっていない旨主張する。 しかしながら、被告製品に限らず、一般に、精密機械を稼働させるに当たって、個々のエンドユーザのニーズに沿ったパラメータの調整等の作業を要する場合は数多く存在するものと認められ、弁論の全趣旨によれば、被告製品についても、パラメータを調整等することによって所望の加工を実現できる完成品となるものと推認するのが相当である。仮に、被告がこれを超えて、パラメー タを調整等することによっても上記完成品に至らない いても、パラメータを調整等することによって所望の加工を実現できる完成品となるものと推認するのが相当である。仮に、被告がこれを超えて、パラメー タを調整等することによっても上記完成品に至らない旨主張していると解したとしても、証拠及び弁論の全趣旨を踏まえても、上記主張を認めるに足りる証拠はない。そうすると、上記被告製品は、パラメータの調整等を要する上記完成品の限度で譲渡、輸出等されるものであれば、上記にいう取引の実情に照らしても、「制御部」を備えるものと認めるのが相当である。したがって、被 告の主張は、採用することができない。 ８ 本件発明２の内容⑴ 明細書の記載本件明細書等２には、次のとおりの記載があることが認められる。 ア技術分野 「本発明は、レーザ光を照射することで加工対象物を加工するためのレーザ加工方法及びレーザ加工装置に関する。」（段落【０００１】）イ背景技術「従来のレーザ加工技術には、加工対象物を加工するためのレーザ光を集光する集光レンズに対し、加工対象物の主面高さを測定する測定手段 （接触式変位計や超音波距離計等）を所定の間隔をもって並設させたものがある（例えば、下記特許文献１の図６～図１０参照。）。このようなレーザ加工技術では、加工対象物の主面に沿ってレーザ光でスキャンする際に、測定手段により加工対象物の主面高さを測定し、その測定点が集光レンズの直下に到達したときに、その主面高さの測定値に基づいて集光レン ズと加工対象物の主面との距離が一定となるように集光レンズをその光軸 方向に駆動する。」（段落【０００２】）「また、主面が凸凹している加工対象物を加工する技術としては、加工準備として、加工を施す部分全ての平面度を ように集光レンズをその光軸 方向に駆動する。」（段落【０００２】）「また、主面が凸凹している加工対象物を加工する技術としては、加工準備として、加工を施す部分全ての平面度を平面度測定手段（投光器と反射光受光器とを有する平面度測定器）によって測定した後、その平面度測定手段をブレードに取り替えて、測定した平面度に基づいて加工対象物を 加工するものがある（例えば、下記特許文献２参照。）。 （特許文献１）特開２００２－２１９５９１号公報（特許文献２）特開平１１－３４５７８５号公報」（段落【０００３】）ウ発明が解決しようとする課題「しかしながら、上記特許文献１に記載のレーザ加工技術においては、 次のような解決すべき課題がある。すなわち、加工対象物の外側の位置からレーザ光の照射を開始してレーザ光と加工対象物とをその主面に沿って移動させて加工を行う場合に、測定手段は加工対象物の外側から測定を開始し、加工対象物の内側へと測定を行っていくことになる。そして、この測定によって得られた主面高さの測定値に基づいて集光レンズを駆動する と、加工対象物の端部においてレーザ光の集光点がずれる場合がある。」（段落【０００４】）「また、上記特許文献２に記載の技術を用いた場合には、加工対象物の主面の平面度を正確に把握できるのものの、測定時と加工時とでそれぞれに用いる手段を交換するので、交換の手間がかかると共に交換に伴うずれ が生じる恐れがある。」（段落【０００５】）「そこで本発明では、レーザ光の集光点のずれを極力少なくしつつ効率よくレーザ加工を行うことができるレーザ加工方法及びレーザ加工装置を提供することを目的とする。」（段落【０００６】）エ課題を解決するための手段 のずれを極力少なくしつつ効率よくレーザ加工を行うことができるレーザ加工方法及びレーザ加工装置を提供することを目的とする。」（段落【０００６】）エ課題を解決するための手段 「本発明のレーザ加工方法は、第一のレーザ光をレンズで集光して加工 対象物の内部に集光点を合わせて照射し、加工対象物の切断予定ラインに沿って加工対象物の内部に改質領域を形成するレーザ加工方法であって、（１）加工対象物の主面の変位を測定するための第二のレーザ光をレンズで集光して加工対象物に向けて照射し、当該照射に応じて主面で反射される反射光を検出しながら、切断予定ラインに沿った主面の変位を取得する 変位取得ステップと、（２）第一のレーザ光を照射し、当該取得した変位に基づいてレンズと主面との間隔を調整しながら、レンズと加工対象物とを主面に沿って相対的に移動させて、切断予定ラインに沿って改質領域を形成する加工ステップと、を備える。」(段落【０００７】)「本発明のレーザ加工方法によれば、切断予定ラインに沿って主面の変 位を取得し、その取得した変位に基づいてレンズと主面との間隔を調整しながら改質領域を形成するので、加工対象物内部の所定の位置に改質領域を形成することができる。また、加工用の第一のレーザ光を集光するレンズで測定用の第二のレーザ光を集光するので、より的確に主面の変位を取得できる。」(段落【０００８】) 「また本発明のレーザ加工方法では、変位取得ステップでは、レンズと加工対象物とを第一の速度で主面に沿って相対的に移動させながら、第一の時間間隔で切断予定ラインに沿った主面の変位を取得し、加工ステップでは、レンズと加工対象物とを第一の速度よりも速い第二の速度で主面に沿って相対的に移動させな 面に沿って相対的に移動させながら、第一の時間間隔で切断予定ラインに沿った主面の変位を取得し、加工ステップでは、レンズと加工対象物とを第一の速度よりも速い第二の速度で主面に沿って相対的に移動させながら、第一の時間間隔よりも短い第二の時間間 隔でレンズと主面との間隔を調整しながら改質領域を形成することも好ましい。改質領域を形成する際の第二の速度よりも遅い第一の速度で主面の変位を取得するので、例えば主面に大きな段差がある場合であっても的確に主面の変位を取得できる。また、主面の変位を取得する際の第一の速度よりも速い第二の速度で改質領域を形成するので加工効率が向上する。ま た例えば、主面の変位を取得する切断予定ライン方向の距離間隔と、改質 領域を形成する際のレンズと主面との間隔を調整する際の切断予定ライン方向の距離間隔とが等しくなるように第一の速度、第二の速度、第一の時間間隔、及び第二の時間間隔をそれぞれ設定すれば、取得した主面の変位により忠実に沿ってレンズと主面との間隔を調整できる。」(段落【０００９】) 「本発明のレーザ加工装置によれば、切断予定ラインに沿って主面の変位を取得し、その取得した変位に基づいてレンズと主面との間隔を調整しながら改質領域を形成するので、加工対象物内部の所定の位置に改質領域を形成することができる。また、加工用の第一のレーザ光を集光するレンズで測定用の第二のレーザ光を集光するので、より的確に主面の変位を取 得できる。」(段落【００１６】)「また本発明のレーザ加工装置では、制御手段は第二のレーザ光の集光点が加工対象物に対する所定の位置に合うように設定された測定初期位置にレンズを保持するように保持手段を制御し、当該レンズを測定初期位置に保持した状態で第二のレ 置では、制御手段は第二のレーザ光の集光点が加工対象物に対する所定の位置に合うように設定された測定初期位置にレンズを保持するように保持手段を制御し、当該レンズを測定初期位置に保持した状態で第二のレーザ光の照射を開始し、制御手段はレンズと加 工対象物とを主面に沿って相対的に移動させるように移動手段を制御し、主面で反射される第二のレーザ光の反射光に応じて、レンズを測定初期位置に保持した状態を解除するように保持手段を制御し、当該解除後に、制御手段は主面で反射される第二のレーザ光の反射光を検出しながらレンズと主面との距離を調整するように保持手段を制御し、変位取得手段は切段 予定ラインに沿った主面の変位を取得することも好ましい。測定初期位置にレンズを保持した状態で切断予定ラインの一端部に第二のレーザ光を照射した後、すなわちレンズと加工対象物とが相対的に移動してレンズが加工対象物に差し掛かった後に、レンズを保持した状態を解除して主面の変位を取得するので、加工対象物の端部の形状変動による影響を極力排除し て変位を取得できる。また、反射光の光量は反射する面との距離に応じて 変化するので、例えば、反射光の光量が所定の変化をする部分を加工対象物の主面の外縁に相当するものと想定してレンズを保持した状態を解除できる。」(段落【００１８】)「また本発明のレーザ加工装置では、制御手段は変位取得手段が取得した切断予定ラインに沿った主面の変位に基づいて主面に対してレンズを保 持する加工初期位置を設定し、当該設定した加工初期位置にレンズを保持するように保持手段を制御し、当該レンズを加工初期位置に保持した状態で第一のレーザ光の照射を開始し、制御手段はレンズと加工対象物とを相対的に移動させるように移動手段を制御して切断予定ラインの一 保持するように保持手段を制御し、当該レンズを加工初期位置に保持した状態で第一のレーザ光の照射を開始し、制御手段はレンズと加工対象物とを相対的に移動させるように移動手段を制御して切断予定ラインの一端部において改質領域を形成し、当該一端部における改質領域の形成後に、制御手 段は、レンズを加工初期位置に保持した状態を解除し、変位取得手段が取得した主面の変位に基づいてレンズと加工対象物との間隔を調整するように保持手段を制御し、レンズと加工対象物とを相対的に移動させるように移動手段を制御して改質領域を形成することも好ましい。加工初期位置にレンズを保持した状態で切断予定ラインの一端部において改質領域を形成 し、その後レンズを保持した状態を解除して主面の変位に追従させながら改質領域を形成するので、加工対象物の端部の形状変動による影響を極力排除して改質領域を形成できる。」(段落【００１９】)「また本発明のレーザ加工装置では、変位取得手段が切断予定ラインに沿った主面の変位を取得する際に併せて第一のレーザ光を照射し、切断予 定ラインに沿って改質領域を形成することも好ましい。主面の変位の取得に合わせて改質領域も形成するので、一度のスキャンで測定と加工とを行うことができる。」(段落【００２０】)オ発明の効果「本発明のレーザ加工方法及びレーザ加工装置によれば、レーザ光の集光 点のずれを極力少なくしつつ効率よくレーザ加工を行うことができる。」(段 落【００２３】)カ発明を実施するための最良の形態「（変位取得工程）引き続いて、ウエハ状の加工対象物Ｓの切断予定ラインＣ１～Ｃｎに沿った表面Ｓ１の変位を取得する変位取得行程について説明する。」(段落【００４１】) 「図 形態「（変位取得工程）引き続いて、ウエハ状の加工対象物Ｓの切断予定ラインＣ１～Ｃｎに沿った表面Ｓ１の変位を取得する変位取得行程について説明する。」(段落【００４１】) 「図４（Ａ）～図４（Ｃ）を参照しながら説明する。図４（Ａ）～図４（Ｃ）は、図３のII－II 断面を示す図である。尚、理解を容易にするために図４（Ａ）～図４（Ｃ）においては断面を示すハッチングを省略する。 図４（Ａ）に示すように、加工対象物Ｓはダイシングフィルム２ａを介してステージ２に吸着されて固定されている。ダイシングフィルム２ａはダ イシングリング（図示しない）で固定されている。」(段落【００４２】)「図４（Ａ）に示すように、加工対象物２の切断予定ラインＣ１上の一点Ｑ１に対応する位置に加工用対物レンズ４２が配置されるようにステージ２が移動する。加工用対物レンズ４２を保持しているアクチュエータ４３は最も縮んだ状態から２５μm 伸びた状態になる。この伸び量２５μm は、ア クチュエータ４３の最大伸び量５０μm の半分の量として設定されている。 この状態で観察用可視光の反射光のピントが合うようにステージ２を上下させる。このピントが合った状態で測距用レーザ光Ｌ２を照射し、その反射光に基づいて非点収差信号を得て、この非点収差信号の値を基準値とする。」(段落【００４３】) 「続いて、図４（Ｂ）に示すように、図４（Ａ）の状態におけるアクチュエータ４３の伸び量を保持したまま、加工用対物レンズ４２切断予定ラインＣ１の延長上の点Ｘ１に対応する位置に配置されるようにステージ２が移動する。図４（Ｂ）に示す鉛直方向における加工対象物Ｓに対する加工用対物レンズ４２の位置が初期位置（測定初期位置）となる。その後、 図４（Ｂ）中の矢印Ｆの方向に 配置されるようにステージ２が移動する。図４（Ｂ）に示す鉛直方向における加工対象物Ｓに対する加工用対物レンズ４２の位置が初期位置（測定初期位置）となる。その後、 図４（Ｂ）中の矢印Ｆの方向に加工用対物レンズ４２が移動するようにス テージ２が移動する（測定準備ステップ）。」(段落【００４４】)「測距用レーザ光Ｌ２はダイシングフィルム２ａにおいては反射率が低く反射される全光量は少ないが、加工対象物Ｓにおいては反射される全光量が増大する。すなわち、受光部４５（図１参照）の４分割位置検出素子が検出する測距用レーザ光Ｌ２の反射光の全光量が多くなるので、反射光 の全光量が予め定められた閾値を超えた場合に加工対象物Ｓの切断予定ラインＣ１と加工用対物レンズ４２が交差する位置にあるものと判断できる。 従って、受光部４５（図１参照）の４分割位置検出素子が検出する全光量が予め定められた閾値よりも大きくなった場合に、加工用対物レンズ４２が切断予定ラインＣ１の一端に相当する位置にあるものとして、その時点で のアクチュエータ４３の伸び量の保持を解除して非点収差信号が基準値となるようにアクチュエータ４３の伸び量制御を開始する（第一測定ステップ）。」(段落【００４５】)「従って、加工用対物レンズ４２が図４（Ｂ）中の矢印Ｆ方向に移動すると図４（Ｃ）に示す状態になる。図４（Ｃ）に示すように、区間Ｇ１（一 端部）においては加工用対物レンズ４２を保持している状態から加工用対象物Ｓの表面Ｓ１の変位に追従させるまでの移行区間となるので、この部分においてはアクチュエータ４３の移動量が表面Ｓ１の変位とは対応していない。その後、アクチュエータ４３の伸び量の保持を解除して非点収差信号が基準値となるようにアクチュエータ４３の伸び量制御を行う区間 分においてはアクチュエータ４３の移動量が表面Ｓ１の変位とは対応していない。その後、アクチュエータ４３の伸び量の保持を解除して非点収差信号が基準値となるようにアクチュエータ４３の伸び量制御を行う区間Ｇ２ においては、アクチュエータ４３の移動量が表面Ｓ１の変位と対応している。従って、アクチュエータ４３の伸び量変化の軌跡Ｇは表面Ｓ１の変位と対応することになる。その後、図４（Ｃ）に示すように加工用対物レンズ４２は切断予定ラインＣ１の他端に差し掛かると、受光部４５（図１参照）の４分割位置検出素子が検出する測距用レーザ光Ｌ２の反射光の全光 量が少なくなる。従って、受光部４５（図１参照）の４分割位置検出素子 が検出する全光量が予め定められた閾値よりも小さくなった場合に、加工用対物レンズ４２が切断予定ラインＣ１の一端に相当する位置にあるものとして、その時点でのアクチュエータの伸び量を保持すると共に、軌跡Ｇの記録を終了する。この軌跡Ｇの情報は変位格納部７０７に格納される（第二測定ステップ）。」(段落【００４６】) 「この変位取得行程におけるレーザ加工装置１の動作について図７に示すフローチャートを参照しながら説明する。制御装置７のステージ制御部７０２がステージ２に対して加工用対物レンズ４２がＣ１上の一点Ｑ１に移動するように制御信号を出力する（ステップＳ０１）。この制御信号の出力に応じてステージ２が移動する。更に制御装置７のアクチュエータ制御 部７０３がアクチュエータ４３に対して２０μm 伸びるように制御信号を出力する。この制御信号の出力に応じてアクチュエータ４３は２０μm 伸びる。この状態で可視観察光によってピントが合うようにステージ２を上下させ、その可視観察光のピントが合う位置を設定する（ステップＳ０ する。この制御信号の出力に応じてアクチュエータ４３は２０μm 伸びる。この状態で可視観察光によってピントが合うようにステージ２を上下させ、その可視観察光のピントが合う位置を設定する（ステップＳ０２）。」（段落【００５１】） 「制御装置７のレーザ出射制御部７０１はレーザダイオード４４に対して測距用レーザ光Ｌ２を出射するように制御信号を出力する（ステップＳ０３）。この制御信号の出力に応じてレーザダイオード４４は測距用レーザ光Ｌ２を出射し、加工対象物Ｓの表面Ｓ１で反射された反射光は受光部４５の４分割位置検出素子が受光する。この受光に応じて出力される信号 は集光点演算部７０４及び端部判断部７０５に出力される。」（段落【００５２】）「集光点演算部７０４はこの状態における非点収差信号値を基準値として保持する（ステップＳ０４）。続いて、ステージ移動制御部７０２からステージ２に対して、加工用対物レンズ４２が加工対象物Ｓの切断予定ラ インＣ１の延長上のＸ１に対応する位置まで移動するように制御信号を出力 する（ステップＳ０５）。この制御信号の出力に応じてステージ２は移動し、加工用対物レンズ４２が加工対象物Ｓの切断予定ラインＣ１の延長上のＸ１に対応する位置まで移動する。」（段落【００５３】）「続いて、ステージ移動制御部７０２からステージ２に対して、加工用対物レンズ４２が図４（Ｂ）中の矢印Ｆの方向に移動するように制御信号 を出力する。この制御信号の出力に応じてステージ２は移動し、加工用対物レンズ４２が矢印Ｆ方向に移動を開始する。」（段落【００５４】）「制御装置７の端部判断部７０５は、受光部４５から出力される信号に基づいて、加工用対物レンズ４２が加工対象物Ｓの端部に差し掛かったかどうかを判断する（ステップＳ を開始する。」（段落【００５４】）「制御装置７の端部判断部７０５は、受光部４５から出力される信号に基づいて、加工用対物レンズ４２が加工対象物Ｓの端部に差し掛かったかどうかを判断する（ステップＳ０６）。端部判断部７０５は、加工用対物 レンズ４２が加工対象物Ｓの端部に差し掛かったと判断すると、アクチュエータ制御部７０３に対してアクチュエータ４３の伸縮を開始して、非点収差信号が保持している基準値に等しくなるように、制御信号を出力するように指示する指示信号を出力する。アクチュエータ制御部７０３はアクチュエータ４３に伸縮を開始して、非点収差信号が保持している基準値に 等しくなるための、制御信号を出力する（ステップＳ０７）。この制御信号の出力に応じてアクチュエータ４３は加工対象物Ｓの表面Ｓ１の変位に応じて伸縮して、非点収差信号が保持した値になるように（加工用対物レンズ４２と加工対象物Ｓの表面Ｓ１の距離が一定になるように）加工用対物レンズ４２を保持する。従って、アクチュエータ４３の伸縮量の軌跡Ｇ は加工対象物Ｓの表面Ｓ１の変位に応じて形成される（図４（Ｃ）参照）。制御装置７の変位取得再生部７０６はこのアクチュエータ４３の伸縮量の記録を開始する（ステップＳ０８）。」（段落【００５５】）「端部判断部７０５は、受光部４５から出力される信号に基づいて、加工用対物レンズ４２が加工対象物Ｓの他端に差し掛かったかどうかを判断 する（ステップＳ０９）。端部判断部７０５は、加工用対物レンズ４２が 加工対象物Ｓの端部に差し掛かったと判断すると、アクチュエータ制御部７０３に対してアクチュエータ４３の伸縮を停止する制御信号を出力するように指示する指示信号を出力する。この指示信号の出力に応じて、アクチュエータ制御部７０３はアク と判断すると、アクチュエータ制御部７０３に対してアクチュエータ４３の伸縮を停止する制御信号を出力するように指示する指示信号を出力する。この指示信号の出力に応じて、アクチュエータ制御部７０３はアクチュエータ４３に対して伸縮を停止して保持状態とするための制御信号を出力する（ステップＳ１０）。この制御信 号の出力に応じてアクチュエータ４３は伸縮を停止する。アクチュエータ制御部７０３がアクチュエータ４３に制御信号を出力したことに応じて、変位取得再生部７０６はアクチュエータ４３の伸縮量の記録を終了する（ステップＳ１１）。ステージ移動制御部７０２は、加工用対物レンズ４２が切断予定ラインＣ１の延長線上の点Ｘ２に差し掛かると、ステージ２に 対して移動を停止するように制御信号を出力する（ステップＳ１２）。その後、変位格納部７０６に格納されているアクチュエータ４３の伸縮量の内、記録を終了した時点から所定時間前に記録されたものとして格納されているアクチュエータ４３の伸縮量の平均値を算出し、この平均値となるようにアクチュエータ４３の伸縮量を固定する（ステップＳ１３）。」 （段落【００５６】）「（加工工程）引き続いて、加工用レーザ光Ｌ１及び測距用レーザ光Ｌ２を照射して改質領域を形成する加工工程について説明する。」（段落【００５７】）「図４（Ａ）～図４（Ｃ）と同様に図３のII－II 断面を示す図８（Ａ） ～図８（Ｃ）を参照しながら説明する。尚、理解を容易にするために図６（Ａ）～図６（Ｃ）においては断面を示すハッチングを省略する。図８（Ａ）は、切断予定ラインＣ１において加工用対物レンズ４２が改質領域の形成を開始した状態を示している。図８（Ａ）に至る前に、ステージ２が更に所定の距離（以下、加工高さ）上昇して、加工対象物Ｓの表面Ｓ （Ａ）は、切断予定ラインＣ１において加工用対物レンズ４２が改質領域の形成を開始した状態を示している。図８（Ａ）に至る前に、ステージ２が更に所定の距離（以下、加工高さ）上昇して、加工対象物Ｓの表面Ｓ１と 加工用対物レンズ４２との距離が加工高さ分だけ近づくように設定され る。ここで、可視域のピント位置とレーザ光の集光位置とが一致するものとすれば、加工用レーザ光Ｌ１は、加工対象物Ｓの内部であって、その表面Ｓ１から加工高さと加工対象物Ｓのレーザ波長における屈折率との積の値に相当する位置に集光されることになる。例えば、加工対象物Ｓがシリコンウェハであってその屈折率が３．６（波長１．０６μm）であり、加工 高さが１０μm であれば、３．６×１０＝３６μm の位置に集光されることになる。」（段落【００５８】）「アクチュエータ４３は図４（Ｃ）で設定された伸び量で固定されており、加工用対物レンズ４２は初期位置（加工用初期位置）に配置されている。図４（Ｃ）から図８（Ａ）の状態に差し掛かる前に加工用レーザ光Ｌ １及び測距用レーザ光Ｌ２が照射される。加工用対物レンズ４２が図中矢印Ｈの方向に移動するようにステージ２が移動する（加工準備ステップ）。」（段落【００５９】）「測距用レーザ光Ｌ２はダイシングフィルム２ａにおいては反射率が低く反射される全光量は少ないが、加工対象物Ｓにおいては反射される全光 量が増大する。すなわち、受光部４５（図１参照）の４分割位置検出素子が検出する測距用レーザ光Ｌ２の反射光の全光量が多くなるので、反射光の全光量が予め定められた閾値を超えた場合に加工対象物Ｓの切断予定ラインＣ１と加工用対物レンズ４２が交差する位置にあるものと判断できる。 従って、受光部４５（図１参照）の４分割位置検出素子が検出す 光の全光量が予め定められた閾値を超えた場合に加工対象物Ｓの切断予定ラインＣ１と加工用対物レンズ４２が交差する位置にあるものと判断できる。 従って、受光部４５（図１参照）の４分割位置検出素子が検出する全光量 が予め定められた閾値よりも大きくなった場合に、加工用対物レンズ４２が切断予定ラインＣ１の一端に相当する位置にあるものとして（図８（Ａ）に相当する状態になってものとして）、その時点でのアクチュエータ４３の伸び量の保持を解除してアクチュエータ４３の伸び量制御を開始する。 この伸び量は、図４（Ａ）～図４（Ｃ）を参照しながら説明したように取 得されたアクチュエータ４３の伸び量の軌跡Ｇに基づいて制御される。よ り具体的には、変位取得再生部７０６が変位格納部７０７に格納されている軌跡Ｇの情報に従って再生情報を生成し、変位取得再生部７０６からアクチュエータ制御部７０３に出力される再生情報に従ってアクチュエータ制御部７０３が制御信号をアクチュエータ４３に出力する。従って、加工用対物レンズ４２が図６（Ａ）中の矢印Ｈ方向に移動すると図８（Ｂ）に 示す状態になる。図８（Ｂ）に示すように、区間Ｊ（一端部）においては一定の加工高さで改質領域Ｒが形成されることになる。この区間Ｊにおいて一定の加工高さで改質領域Ｒが形成されると、その後、加工用対物レンズ４２は切断予定ラインＣ１に沿って移動し、加工用レーザ光Ｌ１によって改質領域Ｒを形成する（第一加工ステップ）。」(段落【００６０】) 「図８（Ｂ）に示す状態から更に加工用対物レンズ４２が図８（Ａ）中矢印Ｈの方向に移動すると、図８（Ｃ）に示すように加工用対物レンズ４２は切断予定ラインＣ１の他端に差し掛かる。加工用対物レンズ４２が加工対象物Ｓから外れた位置に至ると、図８（Ａ）を参照 図８（Ａ）中矢印Ｈの方向に移動すると、図８（Ｃ）に示すように加工用対物レンズ４２は切断予定ラインＣ１の他端に差し掛かる。加工用対物レンズ４２が加工対象物Ｓから外れた位置に至ると、図８（Ａ）を参照しながら説明したのとは逆の状態となり、受光部４５（図１参照）の４分割位置検出素子が検 出する測距用レーザ光Ｌ２の反射光の全光量が少なくなる。従って、受光部４５（図１参照）の４分割位置検出素子が検出する全光量が予め定められた閾値よりも小さくなった場合に、加工用対物レンズ４２が切断予定ラインＣ１の一端に相当する位置にあるものとして（図８（Ｃ）に相当する状態になってものとして）、その時点でのアクチュエータの伸び量を保持す る。アクチュエータ４３の伸び量を保持したまま加工用対物レンズ４２が図８（Ｃ）中のＸ２の位置に至るようにステージ２が移動し、次の切断予定ラインＣ２の加工に備える（第二加工ステップ）。」（段落【００６１】)⑵ 本件発明２の技術的特徴本件特許２の特許請求の範囲及び前記⑴の本件明細書等２の各記載によれ ば、本件発明２は、レーザ光を照射することで加工対象物を加工するためのレ ーザ加工装置に関するものであり、加工対象物の端部におけるレーザの集光点のずれを極力少なくするとともに、平面度測定手段を用いて加工対象物の主面の平面度を測定した後に、当該平面度測定手段をブレードに交換して加工する場合に生じる交換の手間等を省き、効率よくレーザ加工を行うことのできるレーザ加工装置を提供することを課題とするものである。 そして、本件発明２は、①請求項１３の構成を備えることにより、レンズを測定初期位置に保持した状態で、切断予定ラインに沿って加工対象物の主面にレーザ光を照射し、その反射光を検出するこ である。 そして、本件発明２は、①請求項１３の構成を備えることにより、レンズを測定初期位置に保持した状態で、切断予定ラインに沿って加工対象物の主面にレーザ光を照射し、その反射光を検出することにより、端部を検知した後にレンズの保持状態を解除し、加工対象物の主面の変位を取得した上で、当該取得した変位に基づき、同じレンズで加工対象物の内部に改質領域を形成すること ができるようにするものであり、もって、加工対象物の端部における形状変動による影響を極力排除してその変位を取得した上、より効率的な加工を可能にするという効果を実現し（本件発明２－１）、また、②請求項１５の構成を備えることにより、レンズを加工初期位置に保持した状態で切断予定ラインの一端部において改質領域を形成し、その後レンズを保持した状態を解除して主面 の変位に沿った改質領域を形成できるようにするものであり、もって、加工対象物の端部の形状変動による影響を極力排除しつつ、効率的な改質領域の形成を可能にするという効果を実現し（本件発明２－２）、さらに、③請求項１６の構成を備えることにより、変位取得過程において、切断予定ラインに沿った主面の変位を取得する際に、併せて加工用のレーザ光を照射し、もって、一度 のスキャンで測定と加工を同時に行うことを可能にするという効果を実現するもの（本件発明２－３）であると認められる。 ９ 争点２－１（被告製品は「測定初期位置に前記レンズを保持する」（構成要件Ｑ）、「加工初期位置に前記レンズを保持する」（構成要件２Ｑ）ものといえるか）（本件発明２－１及び２－２に関して） ⑴ 「初期位置に前記レンズを保持」の意義 ア特許請求の範囲の記載本件発明２－１及び２－２に係る特許請求の範囲は、測定又 明２－１及び２－２に関して） ⑴ 「初期位置に前記レンズを保持」の意義 ア特許請求の範囲の記載本件発明２－１及び２－２に係る特許請求の範囲は、測定又は加工「初期位置に前記レンズを保持」（構成要件Ｑ、２Ｑ）と規定しているほか、「進退自在に保持する保持手段」（構成要件Ｍ）と規定しているところ、このような記載からは、文言上、「保持」の具体的な内容まで規定するものではな い。 イ本件明細書等２の記載本件明細書等２には、本件発明２につき、「加工対象物の端部においてレーザ光の集光点がずれる場合がある」という課題が存在することを踏まえ（段落【０００４】）、「レンズと加工対象物とが相対的に移動してレンズ が加工対象物に差し掛かった後に、レンズを保持した状態を解除して主面の変位を取得するので、加工対象物の端部の形状変動による影響を極力排除して変位を取得できる。」（段落【００１０】）という記載が存在するところ、これらの記載によれば、対物レンズの「保持」は、加工対象物の端部の形状変動による影響を排除するために必要とされるものであると解される。そう すると、このような必要性に鑑みると、「保持」とは、少なくとも対物レンズがＺ軸方向(加工対象物の主面の方向)に変動しないものと解するのが相当である。 また、前記認定事実によれば、本件明細書等２の実施例をみても、「この変位取得行程におけるレーザ加工装置１の動作について図７に示すフロー チャートを参照しながら説明する。制御装置７のステージ制御部７０２がステージ２に対して加工用対物レンズ４２がＣ１上の一点Ｑ１に移動するように制御信号を出力する（ステップＳ０１）。この制御信号の出力に応じてステージ２が移動する。更に制御装 ７のステージ制御部７０２がステージ２に対して加工用対物レンズ４２がＣ１上の一点Ｑ１に移動するように制御信号を出力する（ステップＳ０１）。この制御信号の出力に応じてステージ２が移動する。更に制御装置７のアクチュエータ制御部７０３がアクチュエータ４３に対して２０μm 伸びるように制御信号を出力する。この 制御信号の出力に応じてアクチュエータ４３は２０μm 伸びる。この状態で 可視観察光によってピントが合うようにステージ２を上下させ、その可視観察光のピントが合う位置を設定する（ステップＳ０２）。」（段落【００５１】）、「続いて、ステージ移動制御部７０２からステージ２に対して、加工用対物レンズ４２が図４（Ｂ）中の矢印Ｆの方向に移動するように制御信号を出力する。この制御信号の出力に応じてステージ２は移動し、加工用対 物レンズ４２が矢印Ｆ方向に移動を開始する。」（段落【００５４】）、「制御装置７の端部判断部７０５は、受光部４５から出力される信号に基づいて、加工用対物レンズ４２が加工対象物Ｓの端部に差し掛かったかどうかを判断する（ステップＳ０６）。端部判断部７０５は、加工用対物レンズ４２が加工対象物Ｓの端部に差し掛かったと判断すると、アクチュエータ制御部７ ０３に対してアクチュエータ４３の伸縮を開始して、非点収差信号が保持している基準値に等しくなるように、制御信号を出力するように指示する指示信号を出力する。アクチュエータ制御部７０３はアクチュエータ４３に伸縮を開始して、非点収差信号が保持している基準値に等しくなるための、制御信号を出力する（ステップＳ０７）。この制御信号の出力に応じてアクチュ エータ４３は加工対象物Ｓの表面Ｓ１の変位に応じて伸縮して、非点収差信号が保持した値になるように（加工用対物レンズ４２と加 信号を出力する（ステップＳ０７）。この制御信号の出力に応じてアクチュ エータ４３は加工対象物Ｓの表面Ｓ１の変位に応じて伸縮して、非点収差信号が保持した値になるように（加工用対物レンズ４２と加工対象物Ｓの表面Ｓ１の距離が一定になるように）加工用対物レンズ４２を保持する。従って、アクチュエータ４３の伸縮量の軌跡Ｇは加工対象物Ｓの表面Ｓ１の変位に応じて形成される（図４（Ｃ）参照）。制御装置７の変位取得再生部７０６ はこのアクチュエータ４３の伸縮量の記録を開始する（ステップＳ０８）。」（段落【００５５】）という記載が認められるところ、これらの記載によれば、「加工用対物レンズを保持しているアクチュエータ」(段落【０００４】)の伸び量は、伸縮を開始するまでの間は、当初設定された２０μm の状態で固定されていることが認められる。 ウ以上のとおり、本件明細書等２の上記記載を参酌して本件発明２－１及び ２－２の特許請求の範囲を解釈すれば、「測定初期位置に前記レンズを保持する」（構成要件Ｑ）及び「加工初期位置に前記レンズを保持する」（構成要件２Ｑ）とは、対物レンズの高さが初期位置に固定されており、少なくとも初期位置の高さからＺ軸方向には変動しないことを意味するものと解するのが相当である。 ⑵ 被告製品の構成要件充足性ア被告製品（固定）（ベベルあり） （ベベルなし） 前記前提事実のとおり、被告製品（固定）においては、加工対象物がベベルのあるウェハである場合及びベベルのないウェハである場合のいずれの場合においても、①走査開始待機位置からウェハエッジ検出位置までの区間に加え、②ウェハエッジ検出位置から予め設定さ 加工対象物がベベルのあるウェハである場合及びベベルのないウェハである場合のいずれの場合においても、①走査開始待機位置からウェハエッジ検出位置までの区間に加え、②ウェハエッジ検出位置から予め設定された所定の距離（エッジ処理区間）を通過するまでの間、対物レンズが所定の高さに固定された状態（Ａ Ｆ固定制御）であり（構成⑮ないし⑰）、当該エッジ処理区間の通過後にＡＦ固定制御が解除され、ＡＦ追従制御となること（構成⑰及び⑱）が認められる。 そうすると、被告製品（固定）は、走査開始待機位置からウェハエッジ検出位置及びエッジ処理区間においてＡＦ固定制御されているということが できるから、「初期位置に前記レンズを保持」（構成要件Ｑ、２Ｑ）という要件を充足するものと認められる。 イ被告製品（低追従） （ベベルあり） （ベベルなし） ウェハエッジ検出位置から予め設定された距離（エッジ処理区間）を通過するまで：非充足（ベベルあり、ベベルなし）ａ 前記前提事実によれば、被告製品（低追従）においては、加工対象物にベベルがある場合及びベベルがない場合のいずれにおいても、エッジ 処理区間では、低追従制御の状態であり（構成⑯′）、同区間では、ピエゾアクチュエータは、ピエゾ現在位置がピエゾ制御指令値と一致する方向（Ｚ軸方向）に進退移動することが認められる。 上記認定事実によれば、対物レンズが所定の高さに固定されているとはいえず、「初期位置に前記レンズを保持」（構成要件Ｑ、２Ｑ）との 要件を充足するものとは認められない。 ｂ これに対し、原告は、低追従制御にあっ さに固定されているとはいえず、「初期位置に前記レンズを保持」（構成要件Ｑ、２Ｑ）との 要件を充足するものとは認められない。 ｂ これに対し、原告は、低追従制御にあっては、Ｘ軸座標０ｍｍ～１０ｍｍ区間における対物レンズの高さの変位は僅か０．１５μm にすぎないのであって、偶発的なずれと差異がない程度であるため、実質的な変位とはいえないとして、なお「保持」されている旨主張する。 しかしながら、「保持」とは、少なくとも対物レンズがその高さ方向 に変動しないと解されることは、上記において説示したとおりである。 したがって、原告の主張は、採用することができない。 現実のウェハエッジからウェハエッジ検出位置までの区間：充足（ベベルあり）ａ 前記認定事実によれば、被告製品（低追従）においては、少なくとも、 ベベルのあるウェハにつき、光量基準を適用した場合、ウェハエッジ検出位置を通過するまでの間は、反射光の全光量が閾値を越えないため、対物レンズが所定の高さに固定された状態であることが認められる（構成⑮）。 そうすると、被告製品（低追従）は、上記区間においては、「初期位 置に前記レンズを保持」（構成要件Ｑ、２Ｑ）するものであると認められる。 ｂ これに対し、被告は、被告製品では、ベベルのあるウェハに対し、光量基準を適用することはできない旨主張する。 しかしながら、被告製品は、ベベルのあるウェハ及びベベルのないウ ェハの双方を加工対象物として想定するものであり、加工対象物の端を検出する方法として座標基準と光量基準の２種類の設定方法が存在することは、前記前提事実のとおりである。そして、証拠（甲４５）及び弁論の全趣旨によれ 工対象物として想定するものであり、加工対象物の端を検出する方法として座標基準と光量基準の２種類の設定方法が存在することは、前記前提事実のとおりである。そして、証拠（甲４５）及び弁論の全趣旨によれば、原告において、実際に、被告製品（低追従）（ＭＬ３００ＥＸ）につき、ベベルのあるウェハに対して光量基準を適用し た結果、問題なく作動したことが確認されているところ、同確認結果の 信用性が問題となるような事情は格別認められない。したがって、被告の主張は、その信用性が低いものであり、採用することができない。 ｃ 被告は、被告製品のエンドユーザに対し、光量基準を適用することは推奨しておらず、実際にベベルのあるシリコンウェハについて光量基準を選択しているエンドユーザの存在を把握していない旨主張する。 しかしながら、構成要件充足性の判断においては、被告製品が、べベルのあるシリコンウェハに光量基準を適用する機能を有するか否かを問題とすべきであって、被告がエンドユーザに対し当該機能を実際に推奨するかどうかは、上記判断を左右する事情となるものとはいえない。 したがって、被告の主張は、採用することができない。 ｄ 被告は、上記区間においては、被告製品は加工用レーザを照射していないため、「初期位置に前記レンズを保持」（構成要件Ｑ、２Ｑ）していない旨主張する。 しかしながら、被告の主張は、「当該レンズを・・初期位置に保持した状態で・・レーザ光の照射」（構成要件Ｒ、２Ｒ）という要件該当性 （後記争点２－２）の判断で問題となるのは格別、「保持」という要件該当性の判断を左右するものとはいえない。したがって、被告の主張は、採用することができない。 ｅ なお、被告は、ユーザ （後記争点２－２）の判断で問題となるのは格別、「保持」という要件該当性の判断を左右するものとはいえない。したがって、被告の主張は、採用することができない。 ｅ なお、被告は、ユーザが光量基準を適用したのであれば、「制御部」（構成要件Ｅ）を完成させたのはエンドユーザであり、被告が被告製品 を提供する時点においては、「制御部」（構成要件Ｅ）は未完成である旨主張する。しかしながら、エンドユーザが初期設定等を変更しさえすれば光量基準を適用することが可能であるとすれば、「制御部」（構成要件Ｅ）は、上記時点において既に完成していると認めるのが相当である。したがって、被告の主張は、採用することができない。 走査開始待機位置からウェハエッジ検出位置までの区間：充足（ベベル あり、ベベルなし）ａ 前記前提事実によれば、被告製品（低追従）についても、加工対象物がベベルありの場合とベベルなしの場合のいずれにおいても、走査開始待機位置からウェハエッジ検出位置までの区間においては、対物レンズが所定の高さに固定された状態であることが認められる（構成⑮）。 そうすると、被告製品（低追従）は、上記区間においても、「初期位置に前記レンズを保持」（構成要件Ｑ．２Ｑ）するものであると認められる。 ｂ これに対し、被告は、上記区間においても、被告製品は加工用レーザを照射していないため、「初期位置に前記レンズを保持」（構成要件Ｑ、 ２Ｑ）との要件を満たさない旨主張するが、同主張が採用できないことは、前記イにおいて説示したところと同様である。 ウ以上によれば、被告製品（固定）及び被告製品（低追従）のいずれについても、「初期位置に前記レンズを保持」（構成要件Ｑ、２Ｑ）との要 いことは、前記イにおいて説示したところと同様である。 ウ以上によれば、被告製品（固定）及び被告製品（低追従）のいずれについても、「初期位置に前記レンズを保持」（構成要件Ｑ、２Ｑ）との要件を充足するものと認められる。 その他に、被告の主張及び提出証拠を改めて検討しても、被告の主張は、上記において説示したところと同様に、いずれも前記判断を左右するに至らない。したがって、被告の主張は、いずれも採用することができない。 争点２－２（被告製品は「レンズを測定初期位置に保持した状態で前記第二のレーザ光の照射を開始」（構成要件Ｒ）するものといえるか）（本件発明２－１ に関して）⑴ 被告製品（固定）ア前記前提事実によれば、被告製品（固定）においては、走査開始待機位置において対物レンズを所定の高さに固定し、その状態を保持したまま、切断予定ラインに沿って測距用のレーザ光を照射し、その反射光の全光量が閾値 を超えたことをもって、ウェハエッジを検出することが認められる（構成⑮ 及び⑰）。 そうすると、被告製品（固定）は、「レンズを測定初期位置に保持した状態で前記第二のレーザ光の照射を開始」（構成要件Ｒ）という要件を充足するものと認められる。 イこれに対し、被告は、被告製品では、電源が投入された後、遅くともステ ージにシリコンウェハが搭載されるよりも以前から、測距用レーザ光を照射している以上、「レンズを測定初期位置に保持した状態で前記第二のレーザ光の照射を開始」（構成要件Ｒ）するものではない旨主張する。 しかしながら、構成要件Ｒは、単に「レンズを測定初期位置に保持した状態で第二のレーザ光の照射を開始」と規定しているにすぎず、本件発明２－ 」（構成要件Ｒ）するものではない旨主張する。 しかしながら、構成要件Ｒは、単に「レンズを測定初期位置に保持した状態で第二のレーザ光の照射を開始」と規定しているにすぎず、本件発明２－ １の特許請求の範囲、本件明細書等２のいずれにも、第二のレーザ光の照射がステージにおけるシリコンウェハの搭載後に行われることに限定する旨の記載を認めることはできない。 そして、本件発明２－１は、加工対象物の外側の位置からレーザ光の照射を開始し、加工対象物の外側から内側に向かって加工対象物の主面の高さを 測定した上で、当該測定によって得られた測定値に基づき加工を行った場合には、加工対象物においてレーザ光の集光点がずれるという課題があったことを前提として（段落【０００４】～【０００７】）、上記課題を解決するために、測定初期位置に保持した状態で、切断予定ラインに沿って加工対象物の主面にレーザ光を照射し、その反射光の検出を通じて端部を検知した後 に、初めてレンズの保持状態を解除するものである。そうすると、加工対象物の外側の位置からレーザ光が照射されていれば、上記課題は解決されることになるから、レーザ光の照射がステージにおけるシリコンウェハの搭載後に行われることは、上記課題解決手段との関係において、何ら技術的意義を有するものとはいえない。そうすると、本件発明２－１は、本件明細書等２ の記載を踏まえると、「第二のレーザ光の照射を開始」とは、「レンズを測 定初期位置に保持した状態」までに開始されていることを意味するものと解するのが相当である。したがって、均等に関する主張を判断するまでもなく、被告製品は、「レンズを測定初期位置に保持した状態で前記第二のレーザ光の照射を開始」（構成要件Ｒ）という要件を充足するものと認められる。 相当である。したがって、均等に関する主張を判断するまでもなく、被告製品は、「レンズを測定初期位置に保持した状態で前記第二のレーザ光の照射を開始」（構成要件Ｒ）という要件を充足するものと認められる。 以上によれば、被告の主張は、採用することができない。 ウその他に、被告の主張及び提出証拠を改めて検討しても、被告の主張は、上記において説示したところと同様に、いずれも前記判断を左右するに至らない。したがって、被告の主張は、いずれも採用することができない。 エなお、本件発明２－２においても、「レンズを加工初期位置に保持した状態で前記第一のレーザ光の照射を開始し」と規定されているところ（構成要 件２Ｒ）、上記と同様の理由により、「第一のレーザ光の照射を開始」とは、「レンズを加工初期位置に保持した状態」までに開始されていることを意味するものと解するのが相当であり、被告の主張が採用できないことは、上記と同様である。したがって、被告の主張は、採用することができない。 ⑵ 被告製品（低追従） 前記前提事実のとおり、被告製品（低追従）は、エッジ処理区間及びＡＦ追従終了位置から走査折返し位置までの区間における制御が異なる以外は、被告製品（固定）の構成と差異はないところ、前記⑴と同様の理由により、「レンズを測定初期位置に保持した状態で前記第二のレーザ光の照射を開始」（構成要件Ｒ）との要件を充足するものと認めるのが相当である。したがって、上記 と同様の理由により、被告の主張は、採用することができない。 11 争点２－３（被告製品は「前記第二のレーザ光の反射光に応じて、前記レンズを前記測定初期位置に保持した状態を解除」（構成要件Ｒ）し、当該「解除後に・・主面との距離を調整するように前記保持手段を制御」（構 点２－３（被告製品は「前記第二のレーザ光の反射光に応じて、前記レンズを前記測定初期位置に保持した状態を解除」（構成要件Ｒ）し、当該「解除後に・・主面との距離を調整するように前記保持手段を制御」（構成要件Ｓ）するものといえるか）（本件発明２－１に関して） ⑴ 「レーザ光の反射光に応じて、・・保持した状態を解除する」（構成要件Ｒ）、「解除後に」（構成要件Ｓ）の意味についてア特許請求の範囲の記載本件発明２－１の構成要件Ｒは、第二のレーザ光の反射光に「応じて」レンズを測定初期位置に保持した状態を「解除」することを規定し、また、構 成要件Ｓは、「当該解除後に」、レンズと主面との距離を調整するように保持手段を制御することを規定している。 これらの各規定によれば、本件発明２－１は、当初は測定初期位置にレンズを固定する制御を行った上で、その後、当該固定制御を解除し、主面との距離を調整する制御を行うものであり、当該固定制御を解除して主面との距 離を調整する制御に移行するタイミングは、第二のレーザ光の反射光により決定されるものであると理解することができる。 イ本件明細書等２の記載本件明細書等２には、「本発明のレーザ加工方法によれば、切断予定ラインに沿って主面の変位を取得し、その取得した変位に基づいてレンズと主面 との間隔を調整しながら改質領域を形成するので、加工対象物内部の所定の位置に改質領域を形成することができる。」（段落【０００８】)という記載があるところ、この記載によれば、改質領域を形成するに当たっては、取得された主面の変位に基づき、レンズと主面との間隔を調整するものとされている。そして、上記において説示したとおり、本件発明２－１において、当 この記載によれば、改質領域を形成するに当たっては、取得された主面の変位に基づき、レンズと主面との間隔を調整するものとされている。そして、上記において説示したとおり、本件発明２－１において、当 初、「測定初期位置に前記レンズを保持」（構成要件Ｑ）するのは、加工対象物の端部の形状変動による影響を排除するためであることからすると、加工対象物の端部が終了し、形状変動による影響を考慮する必要がなくなれば、直ちに保持状態を解除し、上記のように、レンズと主面との間隔を調整する状態に制御するのが望ましいものといえる。 したがって、「レーザ光の反射光に応じて、前記レンズを前記測定初期位 置に保持した状態を解除するように前記保持手段を制御」（構成要件Ｒ）し、「当該解除後に、・・前記レンズと前記主面との距離を調整するように前記保持手段を制御」（構成要件Ｓ）するというのは、反射光の全光量が閾値を超えた時点で、直ちに、「測定初期位置に前記レンズを保持」した状態を解除するとともに、「レンズと前記主面との距離を調整するように前記保持手 段を制御」（構成要件Ｓ）する状態に移行することを意味するものと解するのが相当である。 ウ上記の本件明細書等２の記載を踏まえ、前記アの特許請求の範囲を解釈すると、「当該解除後に・・前記レンズと前記主面との距離を調整するように前記保持手段を制御し」（構成要件Ｓ）という要件における「当該解除後に」 という文言は、「当該解除後、直ちに」という時間的な意味を有するものと解するのが相当である。 エこれに対し、原告は、「当該解除後に」という文言は、解除後、一定の時間を置いてから主面との距離の調整をする制御に移行する場合も含むものであり、「直ちに」主面との距離の調整を必要とする 。 エこれに対し、原告は、「当該解除後に」という文言は、解除後、一定の時間を置いてから主面との距離の調整をする制御に移行する場合も含むものであり、「直ちに」主面との距離の調整を必要とするものではない旨主張す る。 しかしながら、仮に原告の主張するように、解除と制御の間に時間的な制約が付されていないと解釈した場合には、測定初期位置にレンズを保持した状態を解除した後、「前記レンズと前記主面との距離を調整するように前記保持手段を制御」する状態に移行するまでの間、タイムラグが生じることに なるが、その間、格別の制御がなければ、加工対象物内部の所定の位置に改質領域を形成することが困難となることは明らかである。そして、上記において説示したとおり、本件発明２－１の技術的意義は、変位取得過程において、主面の正確な変位を取得するために、レンズと主面との距離を調整するように制御するのを基本としつつも、例外的に、加工対象物の端部における 形状変動による影響を避けるため、レンズを「初期位置に保持」する点にあ ることが認められる。 そうすると、本件発明２－１の技術的意義に鑑みると、装置が端部の終了を検知した時点で、レンズを「初期位置に保持」した状態を直ちに解除すると解するのが相当であり、原告の主張は、本件発明２の技術的意義を正解するものとはいえない。 したがって、原告の主張は、採用することができない。 オその他に、原告の主張及び提出証拠を改めて検討しても、原告の主張は、本件発明２－１の技術的意義に鑑みると、いずれも前記判断を左右するに至らない。したがって、原告の主張は、採用することができない。 ⑵ 被告製品の構成要件該当性 ア被告製品（固定）について（ベベルあり） ずれも前記判断を左右するに至らない。したがって、原告の主張は、採用することができない。 ⑵ 被告製品の構成要件該当性 ア被告製品（固定）について（ベベルあり） （ベベルなし) 前記前提事実によれば、被告製品（固定）においては、加工対象物であるシリコンウェハにベベルがある場合及びベベルがない場合のいずれの場合においても、まず、走査開始待機位置からウェハエッジ検出位置までの間、 対物レンズが所定の高さに固定された状態（ＡＦ固定制御）であることが認められる（構成⑮）。 そして、前記前提事実によれば、ウェハエッジ検出位置においては（シリコンウェハにベベルがある場合は、ベベルの終端部であり、シリコンウェハにベベルがない場合は、現実のウェハエッジとなる。）、反射光の全光量が 閾値を越えるものの、その時点で直ちに固定制御が解除されるわけではなく、その後、予め設定された一定の距離を通過するまでの間は、ＡＦ固定方式が維持されることが認められる（構成⑰）。 そうすると、被告製品（固定）は、「前記第二のレーザ光の反射光に応じて、前記レンズを前記測定初期位置に保持した状態を解除」（構成要件Ｒ） するとの要件を充足せず、また、「当該解除後に、・・前記レンズと前記主面との距離を調整するように前記保持手段を制御」（構成要件Ｓ）するとの要件も充足しないというべきである。 イ被告製品（低追従）について （ベベルあり） （ベベルなし) 前記認定事実によれば、被告製品 告製品（低追従）について （ベベルあり） （ベベルなし) 前記認定事実によれば、被告製品（低追従）においては、加工対象物であるシリコンウェハにベベルがある場合及びベベルがない場合のいずれの場合においても、まず、走査開始待機位置からウェハエッジ検出位置までの間、対物レンズが所定の高さに固定された状態（ＡＦ固定）であることが認められる（構成⑮）。 そして、ウェハエッジ検出位置においては（シリコンウェハにベベルがある場合は、ベベルの終端部であり、シリコンウェハにベベルがない場合は、 現実のウェハエッジとなる。）、反射光の全光量が閾値を越えるため、ＡＦ固定制御が解除されることになる。そうすると、被告製品（低追従）は、「前記第二のレーザ光の反射光に応じて、前記レンズを測定初期位置に保持した状態を解除」（構成要件Ｒ）するとの要件を充足するものと認められる。 もっとも、前記前提事実によれば、被告製品（低追従）においては、ＡＦ 固定制御が解除された後、予め設定された一定の距離を通過するまでの間は、低追従ＡＦ制御が維持されることが認められる（構成⑰’）。そして、低追従ＡＦ制御状態においては、前記前提事実のとおり、ピエゾアクチュエータは、ピエゾ現在位置とピエゾ制御指令値とが一致する方向に進退移動するように制御され、主面（ウェハ表面の高さ）に応じた変動が生じるものの、ピ エゾ制御指令値には０ではない一定の有限の値が上限値として設定されていることからすれば（構成⑯′）、当該上限値を超える部分においては主面に追従するものではない。 そうすると、被告製品（低追従）は、「解除後に、・・前記主面と 限の値が上限値として設定されていることからすれば（構成⑯′）、当該上限値を超える部分においては主面に追従するものではない。 そうすると、被告製品（低追従）は、「解除後に、・・前記主面との距離を調整するように前記保持手段を制御」（構成要件Ｓ）するとの要件を充足 しないというべきである。 ウこれに対し、原告は、被告製品ではエッジ処理区間を０ｍｍに設定することもでき、その場合には、エッジ処理区間が存在しないことになる以上、装置がウェハエッジを検出した時点で、直ちに固定制御を解除し、ＡＦ追従走査に移行する旨主張するが、被告製品において上記のような設定が可能であ ることを認めるに足りる的確な証拠は存在しない。したがって、原告の主張は、採用することができない。 ⑶ 以上によれば、被告製品（固定）は、本件発明２－１の構成要件Ｒ及びＳを充足せず、被告製品（低追従）も、本件発明２－１の構成要件Ｓを充足しないことになる。 その他に、原告の主張及び提出証拠を改めて検討しても、本件発明２－１の 技術的意義に鑑みると、原告の主張は、いずれも前記判断を左右するに至らない。したがって、原告の主張は、いずれも採用することができない。 12 争点２－４（被告製品は「前記切断予定ラインの一端部において前記改質領域を形成し」（構成要件２Ｒ）、また、「当該一端部における改質領域の形成後に、・・前記レンズを前記加工初期位置に保持した状態を解除」（構成要件２Ｓ）するも のといえるか）（本件発明２－２に関して）⑴ 被告製品（固定）の場合ア加工対象物にベベルがある場合前記前提事実によれば、被告製品（固定）では、ファースト・トレースモードにおいては、測距用レーザ光を照射するとともに、加工用レーザ光 告製品（固定）の場合ア加工対象物にベベルがある場合前記前提事実によれば、被告製品（固定）では、ファースト・トレースモードにおいては、測距用レーザ光を照射するとともに、加工用レーザ光 を照射する（構成⑳）。 そして、ベベルのあるシリコンウェハを加工対象物として光量基準を適用した場合には、ベベル部分においては、測距用レーザ光の反射光の全光量が閾値を超えないため、ＡＦ固定制御がされたまま加工用レーザ光の照射が行われ、その後、ベベルの終端部においては、測距用レーザ光の反射 光の全光量が閾値を超えるため、その地点でウェハエッジを検出するものの（ベベルの終端部がウェハエッジ検出位置となる。）、その後も、予め設定された所定の距離（エッジ処理区間）において、引き続きＡＦ固定制御をしたまま加工用レーザ光の照射が行われ、最終的に、エッジ処理区間通過後に、ＡＦ固定制御が解除され、ＡＦ追従走査に移行することが認め られる（構成⑰）。 そうすると、被告製品（固定）では、「レンズを加工初期位置に保持した状態で前記第一のレーザ光の照射を開始し、・・前記切断予定ラインの一端部において前記改質領域を形成し」（構成要件２Ｒ）、「当該一端部における改質領域の形成後に、・・前記レンズを前記加工初期位置に保持 した状態を解除し」（構成要件２Ｓ）との要件を充足するものと認められ る。 （ベベルあり） これに対し、被告は、被告製品はベベルのあるシリコンウェハのベベル部分においてはレーザ加工をしていないので、「一端部において前記改質領域を形成」していない旨主張する。 しかしながら、同主張は、被告製品について、加工対象物がベベルのあるシリコンウェハである 部分においてはレーザ加工をしていないので、「一端部において前記改質領域を形成」していない旨主張する。 しかしながら、同主張は、被告製品について、加工対象物がベベルのあるシリコンウェハである場合には光量基準が適用されないことを前提と するものであると解されるところ、ベベルのあるシリコンウェハについても、被告製品において光量基準が適用され得ることは、前記争点２－１において説示したとおりであり、被告の主張は、前提を欠く。したがって、被告の主張は、採用することができない。 被告は、被告製品においては、ベベル部分でレーザ照射を行うと、ウェ ハの表面にまで加工跡（アブレーション）が生じる結果、デブリが発生してしまうなど、切断品質に問題が生じる以上、「改質領域を形成」するものとはいえない旨主張する。 しかしながら、弁論の全趣旨によれば、被告製品（固定）において、ベベルありの加工対象物のベベル部分にレーザ照射を行った場合には、右の【断面図１】のような加工痕が形成されることが認めら れることからすると、ベベル部分に改質領域が形成されていることが認められる。　【断面図１】仮に、被告が主張するとおり、改質領域がウェハ内の深い部分では形成されないことや、デブリが生じる可能性が認められるとしても、このことは、改質領域が形成されていること自体を否定するものとはいえず、上記 認定を左右するものではない。したがって、被告の主張は、採用することができない。 被告は、「改質領域の形成後に、・・前記レンズを前記加工初期位置に保持した状態を解除し」（構成要件２Ｓ）という要件につき、レーザ光の反射光の全光量が閾値よりも大きくなった時点（ベベルの終端部）で、直 ちに初期位置に保持した ・前記レンズを前記加工初期位置に保持した状態を解除し」（構成要件２Ｓ）という要件につき、レーザ光の反射光の全光量が閾値よりも大きくなった時点（ベベルの終端部）で、直 ちに初期位置に保持した状態を解除する必要があるという前提に立った上、被告製品では、加工対象物であるシリコンウェハにベベルがある場合には、ベベルの終端部分を越えた時点で直ちにＡＦ固定制御が解除されるものではないため、「改質領域の形成後に・・初期位置を保持した状態を解除し」（構成要件２Ｓ）との要件を充足しない旨主張する。 しかしながら、構成要件２Ｒ、２Ｓは、「一端部において改質領域を形成し」（２Ｒ）、「当該一端部における改質領域の形成後に・・レンズを前記加工初期位置に保持した状態を解除し」（２Ｓ）と規定しているにすぎず、文言上、改質領域の形成後に解除するという以上に、レンズの保持状態を解除する時期を限定するような記載はない。そして、本件明細書等 ２にも、「図８（Ｂ）に示すように、区間Ｊ（一端部）においては一定の 加工高さで改質領域Ｒが形成されることになる。この区間Ｊにおいて一定の加工高さで改質領域Ｒが形成されると、その後、加工用対物レンズ４２は切断予定ラインＣ１に沿って移動し、加工用レーザ光Ｌ１によって改質領域Ｒを形成する（第一加工ステップ）」との記載があるにとどまり（段落【００６０】）、改質領域の形成後直ちに解除する趣旨をいう記載は存 在しない。 そうすると、本件明細書等２の各記載を踏まえて本件発明２－２の特許請求の範囲の文言を解釈すれば、改質領域の形成後「直ちに」保持状態を解除することまで規定するものではなく、被告の主張は、前記判断を左右するものではない。 したがって、被告の主張は、採用することが 範囲の文言を解釈すれば、改質領域の形成後「直ちに」保持状態を解除することまで規定するものではなく、被告の主張は、前記判断を左右するものではない。 したがって、被告の主張は、採用することができない。 イ加工対象物にベベルがない場合前記のとおり、被告製品（固定）では、ファースト・トレースモードにおいては、測距用レーザ光を照射するとともに、加工用レーザ光を照射する（構成⑳）。そして、べベルのないシリコンウェハを加工対象物として光量基準 を適用した場合には、現実のウェハエッジ部分がウェハエッジ検出位置となるところ（構成⑰）、当該ウェハエッジ検出位置から予め定められた所定の距離（エッジ処理区間）においては、ＡＦ固定制御がされたまま加工用レーザ光の照射が行われ、その後、エッジ処理区間通過後に、ＡＦ固定制御が解除され、ＡＦ追従走査に移行することが認められる（構成⑰）。 （ベベルなし） 上記認定事実によれば、被告製品（固定）は、ベベルのないシリコンウェハを加工対象物とする場合、切断予定ラインの一番外側の部分において、加工用レーザの高さを初期位置に固定した状態のまま加工用レーザを照 射し、その後、予め設定された所定の距離通過後に、当該固定状態を解除し、ＡＦ追従走査に移行することが認められる。 そうすると、被告製品（固定）については、「レンズを加工初期位置に保持した状態で前記第一のレーザ光の照射を開始し、・・前記切断予定ラインの一端部において前記改質領域を形成し」（構成要件２Ｒ）、「当該 一端部における改質領域の形成後に、・・前記レンズを前記加工初期位置に保持した状態を解除し」（構成要件２Ｓ）との要件を充足するものと認められる。 改質領域を形成し」（構成要件２Ｒ）、「当該 一端部における改質領域の形成後に、・・前記レンズを前記加工初期位置に保持した状態を解除し」（構成要件２Ｓ）との要件を充足するものと認められる。 ウ以上によれば、被告製品（固定）においては、加工対象物がベベルのあるシリコンウェハである場合及びベベルのないシリコンウェハである場合の いずれの場合においても、構成要件２Ｒ及び２Ｓを充足することが認められる。 その他に、被告の主張及び提出証拠を改めて検討しても、被告の主張は、本件発明２－２の特許請求の範囲及び本件明細書等２の各記載に照らし、い ずれも採用することができない。 ⑵ 被告製品（低追従）の場合ア加工対象物にベベルがある場合 前記のとおり、被告製品（低追従）では、ファースト・トレースモードにおいては、測距用レーザ光を照射するとともに、加工用レーザ光を照射 する（構成⑳）。そして、ベベルのあるシリコンウェハを加工対象物として光量基準を適用した場合には、ベベル部分においては、測距用レーザ光の反射光の全光量が閾値を超えないため、ＡＦ固定制御がされたまま加工用レーザ光の照射が行われ、その後、ベベルの終端部においては、測距用レーザ光の反射光の全光量が閾値を超えるため、その地点でウェハエッジ を検出すると（ベベルの終端部がウェハエッジ検出位置となる。）、予め設定された所定の距離（エッジ処理区間）においては、低追従ＡＦ制御の状態で加工用レーザ光の照射が行われ、最終的に、当該エッジ処理区間通過後に、低追従ＡＦ制御が解除され、ＡＦ追従走査に移行することが認められる（構成⑯’及び⑰’）。 そうすると、被告製品（低追従）では、「レンズを加工初期位置に保持した状態で前記第 後に、低追従ＡＦ制御が解除され、ＡＦ追従走査に移行することが認められる（構成⑯’及び⑰’）。 そうすると、被告製品（低追従）では、「レンズを加工初期位置に保持した状態で前記第一のレーザ光の照射を開始し、・・切断予定ラインの一端部において前記改質領域を形成し」（構成要件２Ｒ）、「当該一端部における改質領域の形成後に、・・前記レンズを前記加工初期位置に保持した状態を解除し」（構成要件２Ｓ）との要件を充足するものと認められる。 （ベベルあり） これに対し、被告は、被告製品（低追従）については、ベベルのある加工対象物のベベル部分においては、改質領域が形成されない旨主張する。 しかしながら、弁論の全趣旨によれば、 被告製品（低追従）において、ベベルありの加工対象物のベベル部分にレーザ照射を行った場合には、右の【断面図２】のとおりの加工痕が形成されることが認められることからすると、ベベル部分に改質領 域が形成されていることが認められる。　【断面図２】仮に、被告が主張するとおり、改質領域がウェハ内の深い部分では形成されないことや、デブリが生じる可能性が認められるとしても、このことは、改質領域が形成されていること自体を否定するものとはいえず、上記認定を左右するものではない。したがって、被告の主張は、採用すること ができない。 その他に、被告の主張及び提出証拠を改めて検討しても、被告の主張は、上記において説示したところに照らすと、いずれも採用することができない。 イ加工対象物にベベルがない場合前記前提事実によれば、被告製品（低追従）は、ファースト・トレースモードにおいては、測距用 したところに照らすと、いずれも採用することができない。 イ加工対象物にベベルがない場合前記前提事実によれば、被告製品（低追従）は、ファースト・トレースモードにおいては、測距用レーザ光を照射するとともに、加工用レーザ光を照射する（構成⑳）。そして、べベルのないシリコンウェハを加工対象物として光量基準を適用した場合には、現実のウェハエッジ部分がウェハエッジ検 出位置となるところ（構成⑰）、当該ウェハエッジ検出位置から予め定められ所定の距離（エッジ処理区間）においては、低追従ＡＦ制御がされたまま加工用レーザ光の照射が行われ、その後、エッジ処理区間通過後に、ＡＦ固定制御が解除され、ＡＦ追従走査に移行することが認められる（構成⑰）。 そうすると、被告製品（低追従）は、ベベルのないシリコンウェハを加工 対象物とする場合には、「加工初期位置に保持した状態で・・一端部において前記改質領域を形成」（構成要件２Ｒ）との要件や、「改質領域の形成後に・・保持した状態を解除し」（構成要件２Ｓ）との要件を充足しないというべきである。 （ベベルなし） ウ以上によれば、被告製品（低追従）は、加工対象物にベベルがない場合には構成要件２Ｒ及び２Ｓを充足しないものの、加工対象物であるシリコンウェハにベベルがある場合には構成要件２Ｒ及び２Ｓを充足することになる。 したがって、被告製品（低追従）は、構成要件２Ｒ及び２Ｓを充足するものと認められる。 13 争点２－５（被告製品は「改質領域」（構成要件Ｉ、Ｐ、２Ｉ、２Ｐ、２Ｒ、２Ｓ、３Ｉ）を形成するといえるか）（本件発明２全てに共通）被告は、本件明細書等２には、「レーザ加工装置１は、・・加工対象物Ｓの内 部に集光点Ｐを合わせて加工用レーザ光 Ｉ、２Ｐ、２Ｒ、２Ｓ、３Ｉ）を形成するといえるか）（本件発明２全てに共通）被告は、本件明細書等２には、「レーザ加工装置１は、・・加工対象物Ｓの内 部に集光点Ｐを合わせて加工用レーザ光Ｌ１（第一のレーザ光）を照射し、加工対象物Ｓの内部に多光子吸収による改質領域Ｒを形成する装置である。」（段落【００２５】）、「多光子吸収による改質領域Ｒを形成することができる。」（段落【００３８】）との記載があることを根拠に、「改質領域」とは、多光子吸収が支配的に寄与して形成されたものに限られるという解釈をし、被告製品におけ るレーザ加工領域は多光子吸収が支配的に寄与して形成されたものではないため、本件発明２の「改質領域」に該当しない旨主張する。 しかしながら、本件発明２の特許請求の範囲の記載には、「多光子吸収」という文言は存在せず、「改質領域」が多光子吸収によって形成されたものであると解されるような記載も存在しない。 また、本件明細書等２の【発明を実施するための最良の形態】においては、「レーザ加工装置１は、・・加工対象物Ｓの内部に多光子吸収による改質領域Ｒを形成する装置である。」(段落【００２５】)、「多光子吸収による改質領域Ｒを形成することができる。」（段落【００３８】）という記載が認められるものの、これは、一つの好適な実施例を示したものにすぎず、本件明細書等２のその余の 記載をみても、改質領域の形成方法が当該実施例に限定される趣旨をいう記載は存在しない。そうすると、本件明細書等２は、多光子吸収により改質領域が形成された一例を掲げたものにすぎず、これを超えて、多光子吸収以外によって形成される改質領域を除外するものとはいえない。 のみならず、本件発明２の課題解決手段という観点からみても、本件発明 形成された一例を掲げたものにすぎず、これを超えて、多光子吸収以外によって形成される改質領域を除外するものとはいえない。 のみならず、本件発明２の課題解決手段という観点からみても、本件発明２は、 加工対象物の外側から内側に向かって主面の測定を行い、当該測定結果に基づき 集光レンズを移動させると、加工対象物の端部においてレーザ光の集光点がずれる場合があるという課題（段落【０００４】）や、加工対象物の主面の測定時と加工時とでそれぞれ用いる手段を交換すると、手間を要するとともに、交換に伴うずれが生じるおそれがあるという課題（段落【０００５】）を解決するために、加工用のレーザ光を集光するレンズで測定用のレーザ光を集光するとともに、レ ンズを測定初期位置や加工初期位置に保持した状態でレーザ光の照射を行い、その後レンズを保持した状態を解除することにより、加工対象物の端部の形状変動による影響を極力排除し、もって上記課題を解決するものである。そうすると、本件発明２の上記課題解決手段という観点からみても、「改質領域」が、多光子吸収が支配的に寄与して形成されたものに限られるということはできない。 そうすると、構成要件Ｉ、Ｐ、２Ｉ、２Ｐ、２Ｒ、２Ｓ及び３Ｉにいう「改質領域」について、多光子吸収が支配的に寄与して形成されたものに限定されると解することはできない。 その他に、被告の主張及び提出証拠を改めて検討しても、本件発明２の特許請求の範囲及び本件明細書等２の各記載に照らし、被告の主張は、いずれも採用す ることができない。 14 争点２－６（被告製品は「制御手段」（構成要件Ｎ～Ｓ、２Ｎ～２Ｓ）を備えるか）⑴ 前記前提事実によれば、被告製品は、構成⑦、⑩及び⑪のとおり、カッティングテーブル ることができない。 14 争点２－６（被告製品は「制御手段」（構成要件Ｎ～Ｓ、２Ｎ～２Ｓ）を備えるか）⑴ 前記前提事実によれば、被告製品は、構成⑦、⑩及び⑪のとおり、カッティングテーブルをＸ軸方向に動かす駆動機構、レーザ加工エンジンをＺ軸方向に 動かす駆動機構及びピエゾアクチュエータを介して対物レンズを保持する機構を備えることが認められる。そして、構成⑫のとおり、これらの駆動機構やピエゾアクチュエータは、被告製品のコンピュータシステムにより制御されることが認められるから、被告製品は、「制御手段」（構成要件Ｎ、２Ｎ）を備えていることが認められる。 そして、争点２－１ないし２－４において説示したところに照らせば、被告 製品（固定）は、本件発明２－１の構成要件Ｑ、本件発明２－２の構成要件２Ｑ、２Ｒ及び２Ｓにいう「制御手段」を備えること、被告製品（低追従）は、本件発明２－１の構成要件Ｑ及びＲ、本件発明２－２の構成要件２Ｑ、２Ｒ及び２Ｓにいう「制御手段」を備えることが、それぞれ認められる。 ⑵ これに対し、被告は、被告製品は、海外の顧客への納品後に、エンジニアが 数日間作業を行い、具体的にアプリケーション及びシステムを作成・調整することで、初めて、レーザ光の集光点に関する制御が決定されるものであり、その時点において「制御部」がようやく完成することになるから、国内に存在する限り、「制御手段」（構成要件Ｑ～Ｓ、２Ｑ～２Ｓ）を備えない旨主張するものの、同主張が採用できないことは、前記争点１－６において説示したとこ ろと同様である。 充足論についてのまとめ以上のとおり、被告製品は、少なくとも、本件発明２－１の構成要件Ｓを充足しないから、本件発明２－１の技術的範囲に属するものとは たとこ ろと同様である。 充足論についてのまとめ以上のとおり、被告製品は、少なくとも、本件発明２－１の構成要件Ｓを充足しないから、本件発明２－１の技術的範囲に属するものとは認められないものの、本件発明２－２の構成要件をいずれも充足するものであるから、本件発明２－２ の技術的範囲に属するものと認められる。 そして、被告は、被告製品が本件発明２－３の構成要件３Ｉを充足することを争うものの、被告製品が同構成要件を充足することは、前記争点２－５において説示したとおりである。そうすると、被告製品は本件発明２－２（請求項１４）の構成要件をいずれも充足する以上、「請求項１０～１５のいずれか１項に記載 のレーザ加工装置」（構成要件３Ｊ）の構成要件も充足するものと認められる。 したがって、被告製品は、本件発明２－３の技術的範囲にも属するものと認められる。 16 争点３－１（乙２４発明に基づく進歩性の欠如）について⑴ 乙２４発明の内容 ア証拠（乙２４）及び弁論の全趣旨によれば、乙２４公報には、次のとおり の記載があることが認められる。 特許請求の範囲【請求項１】「基板(101)上に窒化物半導体(102)が形成された半導体ウエハー(100)を窒化物半導体素子(110)に分割する窒化物半導体素子(110)の製造方法であって、 前記半導体ウエハー(100)は第１及び第２の主面を有し該第１の主面(111)側及び／又は第２の主面(121)側からレーザーを前記半導体ウエハー(100)を介して照射し少なくとも前記基板(101)の第２の主面(121)側及び／又は前記基板(101)の第１の主面(111)側に形成された焦点にスクライブ・ライン(103) を前記半導体ウエハー(100)を介して照射し少なくとも前記基板(101)の第２の主面(121)側及び／又は前記基板(101)の第１の主面(111)側に形成された焦点にスクライブ・ライン(103)を形成する工程と、 前記スクライブ・ラインに沿って半導体ウエハーを分離する工程とを有することを特徴とする窒化物半導体素子の製造方法。 【請求項２】前記第１の主面(111)は基板(101)上の一方にのみ窒化物半導体(102)が形成された半導体ウエハー(100)の窒化物半導体積層側であり、第２の主面(121)は半導体ウエハー(100)を介して第１の主面(111)と対向 する基板露出面側である請求項１に記載された窒化物半導体素子の製造方法。 【請求項３】前記スクライブ・ラインは基板露出面に形成された凹部(103)である請求項１に記載された窒化物半導体素子の製造方法。 【請求項４】前記スクライブ・ラインは基板内部に形成された加工変質層 (206)である請求項１に記載された窒化物半導体素子の製造方法。 発明の属する技術分野等「本発明は紫外域から橙色まで発光可能な発光ダイオードやレーザーダイオード、更には高温においても駆動可能な３-５族半導体素子の製造方法に係わり、特に、基板上に形成された窒化物半導体素子の製造方法に関 する。」(段落【０００１】) 「今日、高エネルギーバンドギャップを有する窒化物半導体（ＩｎXＧａYＡｌ1-X-YＮ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）を利用した半導体素子が開発されつつある。窒化物半導体を利用したデバイス例として、青色、緑色や紫外がそれぞれ発光可能な発光ダイオードや青紫光が発光可能な半導体レーザが報告されている。更には高温においても安定駆動可能且 が開発されつつある。窒化物半導体を利用したデバイス例として、青色、緑色や紫外がそれぞれ発光可能な発光ダイオードや青紫光が発光可能な半導体レーザが報告されている。更には高温においても安定駆動可能且つ機械的 強度が高い各種半導体素子などが挙げられる。」(段落【０００２】)「通常、ＧａＡｓ、ＧａＰやＩｎＧａＡｌＡｓなどの半導体材料が積層された半導体ウエハーは、チップ状に切り出され赤色、橙色、黄色などが発光可能なＬＥＤチップなどの半導体素子として利用される。半導体ウエハーからチップ状に切り出す方法としては、ダイサー、やダイヤモンドス クライバーが用いられる。ダイサーとは刃先をダイヤモンドとする円盤の回転運動によりウエハーをフルカットするか、又は刃先巾よりも広い巾の溝を切り込んだ後（ハーフカット）、外力によりカットする装置である。 一方、ダイヤモンドスクライバーとは同じく先端をダイヤモンドとする針などにより半導体ウエハーに極めて細い線（スクライブ・ライン）を例え ば碁盤目状に引いた後、外力によってカットする装置である。ＧａＰやＧａＡｓ等のせん亜鉛構造の結晶は、へき開性が「１１０」方向にある。そのため、この性質を利用してＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＰなどの半導体ウエハーを比較的簡単に所望形状に分離することができる。」(段落【０００３】) 「しかしながら、窒化物半導体を利用した半導体素子は、ＧａＰ、ＧａＡｌＡｓやＧａＡｓ半導体基板上に形成させたＧａＡｓＰ、ＧａＰやＩｎＧａＡｌＡｓなどの半導体素子とは異なり単結晶を形成させることが難しい。結晶性の良い窒化物半導体の単結晶膜を得るためには、ＭＯＣＶＤ法やＨＤＶＰＥ法などを用いサファイアやスピネル基板など上にバッフ ァー層を介して形成させることが行われて 形成させることが難しい。結晶性の良い窒化物半導体の単結晶膜を得るためには、ＭＯＣＶＤ法やＨＤＶＰＥ法などを用いサファイアやスピネル基板など上にバッフ ァー層を介して形成させることが行われている。サファイア基板などの上 に形成された窒化物半導体層を所望の大きさに切断分離することによりＬＥＤチップなど半導体素子を形成させなければならない。」(段落【０００４】)「サファイアやスピネルなどに積層される窒化物半導体はヘテロエピ構造である。窒化物半導体はサファイア基板などとは格子定数不整が大きい。 また、サファイア基板は六方晶系という結晶構造を有しており、その性質上へき開性を有していない。さらに、サファイア、窒化物半導体ともモース硬度がほぼ９と非常に硬い物質である。」(段落【０００５】)「したがって、ダイヤモンドスクライバーで切断することは困難であった。また、ダイサーでフルカットすると、その切断面にクラック、チッピ ングが発生しやすく綺麗に切断できなかった。また、場合によっては基板から窒化物半導体層が部分的に剥離する場合があった。」(段落【０００６】)「窒化物半導体の結晶性を損傷することなく半導体ウエハーを正確にチップ状に分離することができれば、半導体素子の電気特性や効率を向上さ せることができる。しかも、１枚の半導体ウエハーから多くの半導体チップを得ることができるため生産性をも向上させられる。」(段落【０００７】)「そのため窒化物半導体ウエハーはダイヤモンドスクライバーやダイサーを組み合わせて所望のチップごとに分離することが行われている。チッ プごとの分離方法として特開平８－２７４３７１号などに記載されている。具体的一例として、図５（Ａ）から図５（Ｄ）に窒化物半導体素子の製造方 所望のチップごとに分離することが行われている。チッ プごとの分離方法として特開平８－２７４３７１号などに記載されている。具体的一例として、図５（Ａ）から図５（Ｄ）に窒化物半導体素子の製造方法を示す。サファイア基板(501)上に窒化物半導体層(502)が形成された半導体ウエハー(500)を図５（Ａ）に示している。サファイア基板下面側から窒化物半導体層に達しない深さでダイサー（不示図）による溝部 (509)を形成する工程を図５（Ｂ）に示している。溝部(509)にスクライブ・ ライン(507)を形成する工程を図５（Ｃ）に示してある。スクライブ工程の後半導体ウエハー(500)をチップ状の半導体発光素子(510)に分離する分離工程を図５（Ｄ）に示してある。これにより、切断面のクラック、チッピングが発生することなく比較的綺麗に切断することができるとされている。」(段落【０００８】) 発明が解決しようとする課題「しかしながら、半導体ウエハーの一方のみにスクライブ・ラインなどを形成させると分離時に他方の切断面にクラック、チッピングが発生しやすい傾向にある。分離された窒化物半導体素子の一表面形状は揃えることが可能であるが、窒化物半導体素子の他方の表面形状ではバラツキが発生 し、半導体ウエハーにクラックやチッピングが生じやすい。したがって、半導体ウエハーを分離するときに、スクライブ・ライン形成面側から形成されていない半導体ウエハー面側への割れかたを制御し完全に窒化物半導体素子の形状を揃えて切断することは極めて難しいという問題を有する。」(段落【０００９】) 「他方、半導体ウエハーの両面にスクライブ・ラインを形成させ窒化物半導体ウエハーの割れ方を制御することは可能である。しかし、 ことは極めて難しいという問題を有する。」(段落【０００９】) 「他方、半導体ウエハーの両面にスクライブ・ラインを形成させ窒化物半導体ウエハーの割れ方を制御することは可能である。しかし、窒化物半導体ウエハーの両主面にスクライブ・ラインを形成するには半導体ウエハーをゴミの付着などを防止しつつ、ひっくり返し再度固定する工程が必要となり極めて量産性が悪くなる。また、サファイア基板上に形成された窒 化物半導体の半導体ウエハー硬度は極めて高くダイヤモンドスクライバーのカッター刃先などの消耗、劣化が多くなり加工精度のバラツキ、刃先交換の為の製造コストが発生する。さらには、ダイヤモンドスクライバーでスクライブ・ラインを形成させると刃先の磨耗に応じてダイヤモンドスクライバーの加重を変えなければならない。また、ダイヤモンドスクライ バーによりスクライブ・ラインを形成させるためにはそのダイヤモンドの 刃先ごとに適した角度で接触させなければならず極めて量産性が悪いという問題を有する。」(段落【００１０】)「より小さい窒化物半導体素子を正確に量産性よく形成させることが望まれる今日においては上記切断方法においては十分ではなく、より優れた窒化物半導体素子の製造方法が求められている。」(段落【００１１】) 「特に、窒化物半導体の結晶性を損傷することなく半導体ウエハーを正確にチップ状に分離することができれば、半導体素子の電気特性や効率を向上させることができる。しかも、１枚のウエハーから多くの窒化物半導体素子を得ることができるため生産性をも向上させられる。」(段落【００１２】) 「したがって、本発明は窒化物半導体ウエハーをチップ状に分離するに際し、切断面のクラック、チッピングの発生をより少なくする。また、窒 ため生産性をも向上させられる。」(段落【００１２】) 「したがって、本発明は窒化物半導体ウエハーをチップ状に分離するに際し、切断面のクラック、チッピングの発生をより少なくする。また、窒化物半導体の結晶性を損なうことなく、かつ歩留まりよく所望の形、サイズに分離された窒化物半導体素子を量産性良く形成する製造方法を提供することを目的とするものである。」(段落【００１３】) 課題を解決するための手段「本発明は、基板(101)上に窒化物半導体(102)が形成された半導体ウエハー(100)を窒化物半導体素子(110)に分割する窒化物半導体素子(110)の製造方法である。特に、半導体ウエハー(100)は第１及び第２の主面を有し第１の主面(111)側及び／又は第２の主面(121)側からレーザーを半導 体ウエハー(100)を介して照射し少なくとも基板(101)の第２の主面(121)側及び／又は基板(101)の第１の主面(111)側に形成された焦点にスクライブ・ライン(103)を形成する工程と、スクライブ・ラインに沿って半導体ウエハーを分離する工程とを有する窒化物半導体素子の製造方法である。」(段落【００１４】) 発明の実施の形態 「本発明者らは種々実験の結果、窒化物半導体素子を製造する場合において半導体ウエハーの特定箇所に特定方向からレーザーを照射することにより、半導体特性を損傷することなく量産性に優れた窒化物半導体素子を製造することができることを見いだし本発明を成すに到った。」(段落【００２１】) 「即ち、本発明の方法により窒化物半導体素子の分離ガイドとなるスクライブ・ラインを窒化物半導体層を損傷することなく窒化物半導体ウエハーを透過 し本発明を成すに到った。」(段落【００２１】) 「即ち、本発明の方法により窒化物半導体素子の分離ガイドとなるスクライブ・ラインを窒化物半導体層を損傷することなく窒化物半導体ウエハーを透過してレーザー照射面側以外の任意の点に形成することができる。 特に、同一面側から窒化物半導体素子に悪影響を引き起こすことなく半導体ウエハーの両面を比較的簡単に加工することができる。以下、本発明の 製造方法について詳述する。」(段落【００２２】)「半導体ウエハーとして、ＬＤ（laserdiode）となる構成の窒化物半導体層をスピネル基板上に形成させた。具体的には、スピネル基板上に、ＧａＮのバッファー層、ｎ型ＧａＮのコンタクト層、ｎ型ＡｌＧａＮのクラッド層、ｎ型ＧａＮの光ガイド層、ＳｉをドープしＩｎの組成を変化させ た多重量子井戸構造となるＩｎＧａＮの活性層、ｐ型ＡｌＧａＮのキャップ層、ｐ型ＧａＮの光ガイド層、ｐ型ＡｌＧａＮのクラッド層及びｐ型ＧａＮのコンタクト層が積層されている。この半導体ウエハーのスピネル基板側からＣＯ2 レーザーを照射して窒化物半導体層とスピネル基板の界面に加工変質層をスクライブ・ラインとして形成させた。スクライブ・ライ ンと略平行にダイサーによりスピネル基板上に溝を形成させる。ローラーにより溝に沿って加圧することで窒化物半導体素子を形成させた。分離された窒化物半導体素子は何れも端面が綺麗に形成されている。以下、本発明の工程に用いられる装置などについて詳述する。」(段落【００２３】)「（窒化物半導体ウエハー１００、２００、３００、４００）窒化物半 導体ウエハー１００、２００、３００、４００としては、基板１０１上に 窒化物半導体１０２が形成されたものである。窒化物半導体１０２の基板 １００、２００、３００、４００）窒化物半 導体ウエハー１００、２００、３００、４００としては、基板１０１上に 窒化物半導体１０２が形成されたものである。窒化物半導体１０２の基板１０１としては、サファイア、スピネル、炭化珪素、酸化亜鉛や窒化ガリウム単結晶など種々のものが挙げられるが量産性よく結晶性の良い窒化物半導体層を形成させるためにはサファイア基板、スピネル基板などが好適に用いられる。サファイア基板などは劈開性がなく極めて硬いため本発 明が特に有効に働くこととなる。窒化物半導体は基板の一方に形成させても良いし両面に形成させることもできる。」(段落【００２４】)「なお、レーザーが照射された窒化物半導体ウエハーは、その焦点となる照射部が選択的に飛翔した凹部１０３、４０３或いは微視的なマイクロ・クロックの集合である加工変質層２０６、３０８になると考えられる。 また、第１の主面側、第２の主面側とは加工分離される半導体ウエハーの総膜厚を基準として、総膜厚の半分からその第１の主面或いは第２の主面に向けての任意の位置を言う。したがって、半導体ウエハーの表面でも良いし内部でも良い。さらに、本発明は第１の主面側及び／又は第２の主面側のレーザー加工に加えて半導体ウエハーの総膜厚の中心をレーザー加 工させても良い。」(段落【００３０】)「（レーザー加工機）本発明に用いられるレーザー加工機としては、窒化物半導体ウエハーが分離可能な溝、加工変質層などが形成可能なものであればよい。具体的には、ＣＯ2レーザー、ＹＡＧレーザーやエキシマ・レーザーなどが好適に用いられる。」(段落【００３１】) 「レーザー加工機によって照射されるレーザーはレンズなどの光学系により所望により種々に焦点を調節させることができる。したが キシマ・レーザーなどが好適に用いられる。」(段落【００３１】) 「レーザー加工機によって照射されるレーザーはレンズなどの光学系により所望により種々に焦点を調節させることができる。したがって、同一方向からのレーザー照射により半導体ウエハーの任意の焦点に窒化物半導体を損傷させることなく溝、加工変質層などを形成させることができる。 また、レーザーの照射面は、フィルターを通すことなどにより真円状、楕 円状や矩形状など所望の形状に調節させることもできる。」(段落【００３ ２】)「レーザー加工機によるスクライブ・ラインの形成にはレーザー照射装置自体を移動させても良いし照射されるレーザーのみミラーなどで走査して形成させることもできる。さらには、半導体ウエハーを保持するステージを上下、左右、９０度回転など種々駆動させることにより所望のスク ライブ・ラインを形成することもできる。以下、本発明の実施例について詳述するが実施例のみに限定されるものでないことは言うまでもない。」(段落【００３３】)「（実施例１）厚さ２００μm であり洗浄されたサファイアを基板としてＭＯＣＶＤ法を利用して窒化物半導体を積層させ窒化物半導体ウエハ ーを形成させた。窒化物半導体は基板を分離した後に発光素子とすることが可能なよう多層膜として成膜させた。まず、５１０℃において原料ガスとしてＮＨ3（アンモニア）ガス、ＴＭＧ（トリメチルガリウム）ガス及びキャリアガスである水素ガスを流すことにより厚さ約２００オングストロームのバッファー層を形成させた。」(段落【００３４】) 「最後に、反応装置の温度を１０５０℃に維持し原料ガスとしてＮＨ3（アンモニア）ガス、ＴＭＧガス、ドーパントガスとしてＣｐ2Ｍｇガス及びキャリアガス た。」(段落【００３４】) 「最後に、反応装置の温度を１０５０℃に維持し原料ガスとしてＮＨ3（アンモニア）ガス、ＴＭＧガス、ドーパントガスとしてＣｐ2Ｍｇガス及びキャリアガスとして水素ガスを流しｐ型コンタクト層として厚さ約０． ５μm のＧａＮ層を形成させた（図１（Ａ））。（なお、ｐ型窒化物半導体層は４００℃以上でアニール処理してある。）こうして形成された半導 体ウエハー１００を形成された窒化物半導体１０２が上になるように上下・左右の平面方向に自由に駆動可能なテーブル上に固定させた。レーザー光線（波長３５６ｎｍ）をサファイア基板１０１上に形成された窒化物半導体１０２側から照射し、焦点がサファイア基板１０１の略底面に結ばれるようにレーザーの光学系を調整した。調整したレーザーを１６Ｊ／ｃ ｍ2 で照射させながらステージを移動させることによりサファイア基板１ ０１の底面に深さ約４μm のスクライブ・ライン１０３を縦横に形成する。 形成されたスクライブ・ライン１０３は、窒化物半導体ウエハー１００の主面から見るとそれぞれがその後に窒化物半導体素子１１０となる約３５０μm 角の大きさに形成させてある（図１（Ｂ））。」(段落【００３８】)「次に、レーザー加工機のレーザー照射部のみダイシングソーと入れ替 え窒化物半導体ウエハーの固定を維持したままダイサーにより、半導体ウエハー１００に窒化物半導体１０２の上面からサファイア基板１０１に達する溝部１０４を形成する。ダイサーにより形成された溝部１０４は、レーザー照射により形成されたスクライブ・ライン１０３と半導体ウエハー１００を介して平行に形成されており、溝部１０４底面とサファイア基 板１０１側の底面との間隔が、１００μm でほぼ均一にさせた（図１（ 射により形成されたスクライブ・ライン１０３と半導体ウエハー１００を介して平行に形成されており、溝部１０４底面とサファイア基 板１０１側の底面との間隔が、１００μm でほぼ均一にさせた（図１（Ｃ））。」(段落【００３９】)「スクライブ・ライン１０３に沿って、不示図のローラーにより荷重を作用させ、窒化物半導体ウエハーを切断分離することができる。分離された端面はいずれもチッピングやクラックのない窒化物半導体素子１１０ を形成することができる（図１（Ｄ））。」(段落【００４０】)「実施例１ではレーザーが照射される窒化物半導体１０２が形成された半導体ウエハー１００の表面側ではなく窒化物半導体１０２及びサファイア基板１０１を透過した半導体ウエハー１００の裏面側となるサファイア基板１０１底面で集光されたレーザーによりスクライブ・ライン１０ ３が形成される。」(段落【００４１】)「半導体ウエハー１００の窒化物半導体１０２が形成された主面側（レーザー照射側）からサファイアなどの基板１０１に達する溝部１０４を形成することで、容易にかつ正確にスクライブ・ライン１０４に沿って窒化物半導体素子１１０を分割することができる。」(段落【００４２】) 「なお、スクライブ・ライン１０３の形成をレーザーで行うため、ダイ ヤモンドスクライバーの如き、カッターの消耗、劣化による加工精度のバラツキ、刃先交換のために発生するコストを低減することができる。また、半導体ウエハーの片側からだけの加工で、半導体ウエハー両面から加工したのと同様の効果を得られ、上面、裏面においても形状の揃った窒化物半導体素子１１０を製造することが可能となり、製造歩留まりを高め、形状 のバラツキが低減できる分、特に、切り代を小さくし、半導体素子の と同様の効果を得られ、上面、裏面においても形状の揃った窒化物半導体素子１１０を製造することが可能となり、製造歩留まりを高め、形状 のバラツキが低減できる分、特に、切り代を小さくし、半導体素子の採り数を向上させることが可能となる。さらに、スクライブ・ライン１１０をサファイア基板１０１側の表面で形成させるためにレーザーによる加工くずが窒化物半導体１０２上に付着することなくスクライブ・ラインを形成することができる。」(段落【００４３】) 「（実施例２）実施例１と同様にして形成させた半導体ウエハーに、ＲＩＥ（ReactiveIonEtching）によって窒化物半導体表面側から溝が形成されるサファイア基板との境界面が露出するまでエッチングさせ複数の島状窒化物半導体層２０５が形成された半導体ウエハーを用いる。なお、エッチング時にｐｎ各半導体が露出するようマスクを形成させエッチン グ後除去させてある。また、ｐｎ各半導体層には、電極２２０がスパッタリング法により形成されている（図２（Ａ））。」(段落【００４４】)「この半導体ウエハー２００を実施例１と同様のレーザー加工機に固定配置させた。実施例２においてもレーザー加工機からのレーザーを窒化物半導体ウエハーの窒化物半導体２０５側から照射し、焦点がサファイア基 板２０１の底面から２０μm のサファイア基板内部に結ばれるようにレーザー光学系を調整する。調整したレーザー光線を１６Ｊ／ｃｍ2 で照射させながらステージを移動させることによりサファイア基板の底面付近の基板内部に加工変質層２０６となるスクライブ・ラインを形成する（図２（Ｂ））。」(段落【００４５】) 「次に、レーザー光学系（不示図）を調整し直し、焦点がエッチングに より露出されたサファイア 層２０６となるスクライブ・ラインを形成する（図２（Ｂ））。」(段落【００４５】) 「次に、レーザー光学系（不示図）を調整し直し、焦点がエッチングに より露出されたサファイア基板２０１の上面（窒化物半導体の形成面側）に結ばれるように調整した。調整したレーザーを照射させながらステージを移動させることにより、半導体ウエハーに窒化物半導体層側の上面からサファイア基板に達する溝部を形成する。形成された溝部２０４は、加工変質層２０６とサファイア基板２０１を介して略平行に形成させてある。 なお、レーザー照射により形成されたサファイア基板２０１上の溝部２０４は、溝部の底面とサファイア基板の底面との間隔が、約１００μm で、ほぼ均一になるように調整してある。さらに、レーザー光学系を調節し直し、焦点がサファイア基板２０１に設けられた溝部底面に結ばれるよう調節した。調節したレーザーを１４Ｊ／ｃｍ2 で照射させながらステージを 移動させることにより、窒化物半導体が形成されたサファイア基板の露出面に設けられた溝部２０４の底面に深さ約３μm のスクライブ・ライン２０７を形成する（図２（Ｃ））。」(段落【００４６】)「続いて、溝部（スクライブ・ライン）に沿ってローラーによって荷重をかけ半導体ウエハーを切断し、ＬＥＤチップ２１０を分離させた（図２ （Ｄ））。」(段落【００４７】)「こうして形成されたＬＥＤチップに電力を供給したところいずれも発光可能であると共に切断端面にはチッピングが生じているものはほとんどなかった。歩留まりは９８％以上であった。」(段落【００４８】)「実施例２では半導体ウエハーの片面側からレーザーにより基板表裏両 面にスクライブ・ラインを形成することで、厚みがある窒化物半導体ウエハーで りは９８％以上であった。」(段落【００４８】)「実施例２では半導体ウエハーの片面側からレーザーにより基板表裏両 面にスクライブ・ラインを形成することで、厚みがある窒化物半導体ウエハーでもスクライブ・ラインに沿って簡単に窒化物半導体素子を分割することが可能となる。また、溝の形成される部分が、サファイア基板までエッチングされているため、溝形成による窒化物半導体への損傷がより少なく分離させた後の窒化物半導体素子の信頼性を向上させることが可能で ある。特に、スクライブ・ラインが形成されるとき、レーザーの焦点がサ ファイア基板内部で結ばれていることから、半導体ウエハーを固定している、テーブル若しくは粘着性シートを損傷することなく加工が実現できる。 また、レーザー照射による加工くずの発生もない。なお、全てをレーザー加工でなく溝の形成をダイサーで行っても本発明と同様に量産性良く窒化物半導体素子を形成することができる。」(段落【００４９】) 発明の効果「本発明の窒化物半導体素子の製造方法では、レーザー源から照射したレーザーをレンズなどの光学系で集光することにより、所望の焦点付近でエネルギーを集中させることができる。このエネルギー密度が非常に高くなった焦点でワークの加工がなされる。特に、窒化物半導体ウエハーを透 過したレーザーの焦点を利用する。不要な分離部となる窒化物半導体ウエハーに光学系で調整したレーザーを照射し、必要な窒化物半導体層の損傷をすることなく窒化物半導体ウエハーのレーザー照射面に対して半導体ウエハーの反対側の面まで自由に加工を行うことが可能となる。」(段落【００６６】) 「したがって、本発明は窒化物半導体ウエハーを透過した所望の焦点での加工を利用することによ 対して半導体ウエハーの反対側の面まで自由に加工を行うことが可能となる。」(段落【００６６】) 「したがって、本発明は窒化物半導体ウエハーを透過した所望の焦点での加工を利用することにより、窒化物半導体ウエハーを両面側から加工する必要がなく、片側からのみの加工で窒化物半導体ウエハーの表裏両面から加工したのと同じ効果を得ることができる。したがってより歩留まりを向上させ、且つ形状にバラツキが少ない窒化物半導体素子及びその量産性 の良い製造方法を提供することができる。」(段落【００６７】)イ乙２４発明の技術的特徴上記アの記載内容によれば、従来技術では、窒化物半導体がサファイヤ基板の上に積層された場合、サファイヤ基板は性質上劈開性を有していないことや、サファイヤ及び窒化物半導体のいずれも硬度が高いことから、ダイヤ モンドスクライバーで切断することは困難であり、また、ダイサーで切断す ると、その切断面にクラックやチッピングが生じてしまうという問題や、基板から窒化物半導体層が部分的に剥離してしまうという課題があり、他方、半導体ウエハーの両面にスクライブ・ラインを形成させる方法は、半導体ウエハーへのゴミの付着等を防止しつつ、半導体ウエハーを裏返して固定するという工程が必要となるため、量産性が低くなり、また、スクライブ・ライ ンを形成するためのダイヤモンド・スクライバーの刃先が消耗等することで、製造コストや精度差が生ずること等の課題があった。 上記課題を解決するために、乙２４発明は、請求項記載の構成を備えることによって、半導体ウエハーの特定箇所に特定方向からレーザを照射することにより、窒化物半導体層を損傷することなく、窒化物半導体素子の分離ガ イドとなるスクライブ・ラインをレーザ照 成を備えることによって、半導体ウエハーの特定箇所に特定方向からレーザを照射することにより、窒化物半導体層を損傷することなく、窒化物半導体素子の分離ガ イドとなるスクライブ・ラインをレーザ照射面以外の任意の点に形成した後に、レーザ照射部をダイシングソーと交換し、窒化物半導体の上面からサファイア基板に到達するような溝部を形成し、もって、スクライブ・ラインに沿って窒化物半導体素子を分割することを可能とするものであり、これにより、量産性を損なうことなく、また、切断面のクラックやチッピングの発生 を少なくしながら、所望の形又はサイズに分離された窒化物半導体素子を製造するという効果を実現するものであると認められる。 ⑵ 乙２４発明の構成ア前記⑴の認定事実及び弁論の全趣旨によれば、乙２４公報には、次のような構成が開示されていることが認められる。 [構成１ａ]：基板上に窒化物半導体を積層させた半導体ウエハーを加工対象物とし、その内部に加工変質層であるスクライブ・ラインを形成するレーザ装置であって、[構成１ｂ]：前記加工対象物である基板上に窒化物半導体を積層させた半導体ウエハーが載置されるステージと、 [構成１ｃ]：レーザ光を出射するレーザ光源と、 [構成１ｄ]：前記ステージに載置された前記加工対象物である基板上に窒化物半導体を積層させた半導体ウエハーの内部に、前記レーザ光源から出射されたレーザ光を集光し、加工変質層であるスクライブ・ラインを形成させる集光用レンズと、［構成１ｅ］:レーザ光の焦点が前記加工対象物である基板上に窒化物半導体 を積層させた半導体ウエハーの内部に位置するように、レーザー光学系を調整し、レーザー光の焦点が前記加工対象 と、［構成１ｅ］:レーザ光の焦点が前記加工対象物である基板上に窒化物半導体 を積層させた半導体ウエハーの内部に位置するように、レーザー光学系を調整し、レーザー光の焦点が前記加工対象物である窒化物半導体を積層させた半導体ウエハーの前記スクライブ・ラインに沿って移動するように、前記加工対象物である基板上窒化物半導体を積層させた半導体ウエハーの厚さ方向と直交する方向に ステージを移動させる処理部と、を備え、［構成１ｆ］:前記加工対象物は基板上に窒化物半導体を積層させた半導体ウエハーである［構成１ｇ］:レーザ加工機。 イ乙２４発明の認定についての補足説明 加工対象物について（構成１ａ）被告は、乙２４発明の加工対象物は「半導体ウエハー」であると主張するのに対し、原告は、「サファイア基板に窒化物半導体を積層させた窒化物半導体ウエハー」であると主張する。 そこで検討するに、乙２４公報における特許請求の範囲の記載は、「基 板上（101）に窒化物半導体(102)が形成された半導体ウエハー(100)」（請求項１）というものであり、半導体ウエハーのうち「基板上に窒化物半導体が形成された」ものに限定されるものの、それ以上に、当該「基板」が「サファイア基板」であることを文言上限定するものではない。 そして、前記認定事実によれば、乙２４公報の【発明の詳細な説明】に は、「サファイアやスピネルなどに積層される窒化物半導体」(段落【００ ０５】)、「半導体ウエハーとして、ＬＤ（laserdiode）となる構成の窒化物半導体層をスピネル基板上に形成させた。」（段落【００２３】)、「窒化物半導体１０２の基板１０１としては、サファイア、スピネル 「半導体ウエハーとして、ＬＤ（laserdiode）となる構成の窒化物半導体層をスピネル基板上に形成させた。」（段落【００２３】)、「窒化物半導体１０２の基板１０１としては、サファイア、スピネル、炭化珪素、酸化亜鉛や窒化ガリウム単結晶など種々のものが挙げられるが量産性よく結晶性の良い窒化物半導体層を形成させるためにはサファイア基板、 スピネル基板などが好適に用いられる。」(段落【００２４】)との記載があるところ、これらの記載によれば、「サファイア基板」は、「基板」のうちの代表的な一例として掲げられるにすぎないことが認められる。 そうすると、乙２４発明の加工対象物は、被告が主張するように「半導体ウエハー」全般をいうものと解することはできず、他方、原告が主張す るように「サファイア基板に窒化物半導体を積層させた窒化物半導体ウエハー」に限定されるものと解することもできず、前記［構成１ａ］のとおり特定するのが相当である。 「加工変質層であるスクライブ・ライン」が切断の起点と なるものであるかについて（構成１ａ等）ａ 被告は、乙２４公報には、「加工対象物であるスクライブ・ライン」（スクライブ・ ライン２０６）が切断の起点となることが記載されている旨主張する。 しかしながら、乙２４公報の実施例２には、【図２】　【図２】 のとおり、基板内部に形成した加工変質層によるスクライブ・ライン（２ ０６）と溝部底面に形成したスクライブ・ライン（２０７）の２つのスクライブ・ラインが存在するところ、「溝部（スクライブ・ライン）に沿ってローラーによって荷重をかけ半導体ウェハーを切断し」(段落【００４７】)という記載からすれば、切断の起点となるのは、 の２つのスクライブ・ラインが存在するところ、「溝部（スクライブ・ライン）に沿ってローラーによって荷重をかけ半導体ウェハーを切断し」(段落【００４７】)という記載からすれば、切断の起点となるのは、荷重が直接作用することになる溝部底面のスクライブ・ライン２０７であると認める のが相当である。 他方、「半導体ウエハーの両面にスクライブ・ラインを形成させ窒化物半導体ウエハーの割れ方を制御することは可能である」(段落【００１０】)という記載や、「窒化物半導体素子の分離ガイドとなるスクライブ・ラインを・・レーザー照射面側以外の任意の点に形成することがで きる。」(段落【００２２】)という記載を踏まえると、基板内部に形成した加工変質層によるスクライブ・ライン２０６は、飽くまで、溝部底面のスクライブ・ラインを起点として形成された割れ方を制御するためのものにすぎないと認められる。 したがって、被告の主張は、採用することができない。 ｂ 被告は、スクライブ・ライン２０７の上部からローラーで力を加えることにより、上部から切断される場合であっても、スクライブ・ライン２０６と半導体ウエハーの底面を結ぶ亀裂については、スクライブ・ライン２０６が起点となる以上、スクライブ・ライン２０６が切断の起点となる旨主張する。 しかしながら、半導体ウエハーの底面に到達する亀裂がスクライブ・ライン２０６と結ばれているからといって、半導体ウエハーの切断自体が同スクライブ・ラインから開始されるということはできず、切断の起点となるということはできない。したがって、被告の主張は、採用することができない。 ｃ 被告は、乙２４公報の請求項４に係る発明には、スクライブ・ライン ２０７を必 起点となるということはできない。したがって、被告の主張は、採用することができない。 ｃ 被告は、乙２４公報の請求項４に係る発明には、スクライブ・ライン ２０７を必須とせず、スクライブ・ライン２０６しか有しないものも想定していることから、スクライブ・ライン２０６が切断の起点となる旨主張する。 しかしながら、加工変質層であるスクライブ・ライン２０６が記載された【図２】においては、溝部底面にもスクライブ・ライン２０７が形 成されている。そして、乙２４公報の【発明な詳細な説明】及び図面におけるその他の記載によっても、加工対象物の表面にスクライブ・ラインを形成することなく、加工対象物の内部にのみ、加工変質層であるスクライブ・ラインを形成する構成について開示されているものと認めることはできない。 そうすると、乙２４公報には加工変質層であるスクライブ・ライン２０６しか有しない構成が開示されていることを前提とした被告の上記主張は、その前提を欠く。したがって、被告の主張は、採用することができない。 ｄ 以上によれば、乙２４公報には、「加工変質層であるスクライブ・ラ イン」が切断の起点となるという構成が開示されているものと認めることはできない。 その他に、被告の主張及び提出証拠を改めて検討しても、被告の主張は、乙２４公報の内容に照らし、いずれも採用することができない。 ⑶ 一致点及び相違点 上記⑵によれば、本件発明１と乙２４発明の一致点及び相違点は、次のとおりであることが認められる。 ア一致点本件発明１と乙２４発明は、いずれも「ウェハ状の加工対象物の内部に、改質領域を形成するレーザ加工装置であって、前記加工対象 致点及び相違点は、次のとおりであることが認められる。 ア一致点本件発明１と乙２４発明は、いずれも「ウェハ状の加工対象物の内部に、改質領域を形成するレーザ加工装置であって、前記加工対象物が載置される 載置台と、レーザ光を射出するレーザ光源と、前記載置台に載置された前記 加工対象物の内部に、前記レーザ光源から出射されたレーザ光を集光する集光用レンズと、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記改質領域を形成するために、レーザ光の集光点を前記加工対象物の内部に位置させた状態で前記切断予定ラインに沿ってレーザ光の集光点を直線的に移動させる機能を有する制御部と、を備えるレーザ加工装置」である点において一致する。 イ相違点 相違点２４－①本件発明１では、「改質領域」が「切断の起点」となるのに対し、乙２４発明では、「加工変質層であるスクライブ・ライン」が切断の起点となるか明らかではない点。 相違点２４－②本件発明１の制御部は、「加工対象物のレーザ光入射面を基準として」、「集光用レンズを移動」させるのに対し、乙２４発明では、どのように調整しているのか明らかではない点。 相違点２４－③ レーザ光の集光点が加工対象物の内部に位置するようにするに当たって、本件発明１は、「加工対象物のレーザ光入射面を基準として前記加工対象物の厚さ方向に第1 移動量だけ前記集光用レンズを移動させ」るのに対し、乙２４発明では、どのように調整しているか明らかではない点。 相違点２４－④ 本件発明１の制御部は、載置台を移動させた後、更に「レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置するように、前記レーザ光入射面を基 しているか明らかではない点。 相違点２４－④ 本件発明１の制御部は、載置台を移動させた後、更に「レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置するように、前記レーザ光入射面を基準として前記加工対象物の厚さ方向に第２移動量だけ前記集光用レンズを移動させ、レーザ光の集光点が切断予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物の厚さ方向と直交する方向に前記載置台を移動させる機 能」を有するのに対し、乙２４発明の制御部は、そのような機能を有して いない点。 相違点２４－⑤本件発明１は、加工対象物が「シリコンウェハ」であるのに対し、乙２４発明では、加工対象物が「基板に窒化物半導体を積層させた半導体ウエハー」であり、「改質領域」が溶融しているかどうか明らかではない点。 ウ相違点の認定についての補足説明被告は、本件発明１にいう「改質領域」は、多光子吸収が支配的に寄与して形成されるものに限定されるという前提に立った上、本件発明１では、「改質領域」が多光子吸収によって形成された領域であるのに対し、乙２４発明では改質領域がどのように形成され、どのような形状であるのか不明である 点も相違点である旨主張する。 しかしながら、本件発明１の「改質領域」は多光子吸収が支配的に寄与して形成されたものに限定されるものではないことは、争点１－１において説示したとおりであり、被告の主張は、前提を欠く。したがって、被告の主張は、採用することができない。 ⑷ 容易想到性ア前述のとおり、本件発明１と乙２４発明との間には相違点２４－①が存在するところ、相違点２４－①に係る構成の容易想到性につき、被告は具体的に主張立証するものではないから、この点をもっ 到性ア前述のとおり、本件発明１と乙２４発明との間には相違点２４－①が存在するところ、相違点２４－①に係る構成の容易想到性につき、被告は具体的に主張立証するものではないから、この点をもっても、本件発明１は、乙２４発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえな い。 さらに、相違点２４－②についても、乙２４公報（段落【００４５】）によれば、焦点がサファイア基板の底面から２０μm のサファイア基板内部に結ばれるようにレーザー光学系を調整する旨記載されており、前記認定に係る乙２４発明の技術的意義に鑑みると、乙２４発明においては、集光レンズ を移動するに当たり、底面を基準とすることに代えて、加工対象物のレーザ光入射面を基準とする動機付けを欠くものといえる。 のみならず、乙２４発明は、前記認定事実のとおり、サファイア等の基板に窒化物半導体を積層させた半導体ウエハーの切断に特有の課題を解決するためのものであるから、乙２４発明に接した当業者において、加工対象物 をサファイア等の基板に代えて、上記特有の課題がそもそも存在しないシリコンウェハに置き換えることにつき、動機付けがあるといえないことは明らかである。しかも、本件発明１の特許出願前に、そもそもサファイア等の基板に対する加工をシリコンウェハに適用し得たことを認めるに足りる的確な証拠もない。 そうすると、その余の点について検討するまでもなく、本件発明１は、乙２４発明に基づいて容易に想到することができたものとはいえない。したがって、被告の主張は、採用することができない。 イその他に、被告の主張及び提出証拠を改めて検討しても、被告の主張は、乙２４発明の技術的意義を正解するものとはいえず、いずれも前記判断を左 右するに 主張は、採用することができない。 イその他に、被告の主張及び提出証拠を改めて検討しても、被告の主張は、乙２４発明の技術的意義を正解するものとはいえず、いずれも前記判断を左 右するに至らず、いずれも採用することができない。 17 争点３－２（乙２６発明に基づく進歩性の欠如）⑴ 乙２６発明の内容ア証拠（乙２６）及び弁論の全趣旨によれば、乙２６公報には、次のとおりの記載があることが認められる。 特許請求の範囲破断領域に微小亀裂を発生させることにより、ガラス物体のガラス壁を破断するためまたはガラス板を分離するために破断点を形成する方法において、前記微小亀裂を前記ガラス壁またはガラス板の内部に形成することを特 徴とする破断点を形成する方法（請求項１）。 発明の属する技術分野「本発明は、破断領域に微小亀裂を発生させることにより、ガラス物体、特に破断開封用アンプルまたは管のガラス壁を破断するため、またはガラス板を分離するために適切な破断点を形成（produce）する方法に関する。」（段落【０００１】） 「アンプル（いわゆる、ワンポイントカットまたはタングステンカットのアンプル（break-openampoules））の開口部は、すでに多くの特許及び特許出願の対象となっている。しかしながら、ここで述べられた方法は全て多かれ少なかれ不利益をともなう。破断開封後さらに取り扱われるアンプルの破断縁はしばしばぎざぎざであって、傷つける恐れがあり、その恐 れは相対的に広い範囲で変化する破断力がむしろ高い値にしばしば達するという事実によってさらに高められ、その結果、手はその瞬間極めて高い緊張にさらされ、アンプルの開封後制御でき があり、その恐 れは相対的に広い範囲で変化する破断力がむしろ高い値にしばしば達するという事実によってさらに高められ、その結果、手はその瞬間極めて高い緊張にさらされ、アンプルの開封後制御できない方法で動き、ぎざぎざの破断した縁で傷つく。最後に、さらに、破断線又は破断片がアンプル本体に侵入し、使用できなくなるという問題がある。さらに、破断操作中に 形成される破断ガラスは、アンプル中に存在する配合物を汚染する恐れがある。」(段落【０００３】)発明が解決しようとする課題と解決手段「本発明の目的は、破断開封アンプルを再現できかつ安全に開口する方法で破断開封アンプルの破断領域に所定の破断点を形成することにある。 特に、破断開封が困難なアンプルを開封するときに生ずる傷の発生を避け、かつ、アンプルの開封で生ずるアンプル内の医薬品の損傷を妨げることを意図する。」(段落【００１３】)「本発明の目的は、破断領域に微小亀裂を発生させることにより、ガラス物体、特に破断開封用アンプルまたは管のガラス壁を破断するため、ま たはガラス板を分離するために適切な破断点を形成する方法において、前 記微小亀裂を前記ガラス壁またはガラス板の内部に形成することを特徴とする破断点を形成する方法により達成される。」(段落【００１４】)「前記微小亀裂はレーザー照射により形成することが好ましい。」(段落【００１５】)「前記使用されるレーザー放射線はガラスが透明または少なくとも半 透明の波長を有し、かつ、レーザーパルス時間は＜１ｍｓ、特に＜１００ｎｓであることが好ましい。」(段落【００１６】) 発明の実施の形態「本発明によれば、適切な破断点は、微小亀裂が制御された方法でアンプルのガラス壁内部に形成されると 、特に＜１００ｎｓであることが好ましい。」(段落【００１６】) 発明の実施の形態「本発明によれば、適切な破断点は、微小亀裂が制御された方法でアンプルのガラス壁内部に形成されるという事実によって作られる。最初に述 べた従来の技術であって、それぞれの場合にガラス壁がガラス表面からの微小亀裂により弱くなる技術に対して、問題の表面は本発明の方法を使用するときに損傷を受けない。」(段落【００２１】)「好都合なことに、本発明に従う微小亀裂は集中レーザー照射手段により形成される；アンプルの場合、従来技術から公知であるが、アンプルの 首領域で生ずる。直径＜１００μm のレーザービームをガラス壁の中心に収束することが有益であることが証明された。このことを実施するために、ガラスが透明でありまたは少なくとも半透明である波長を備えるレーザー放射を利用することが必要なことは明らかである。レーザーパラメーターを好適に選択することにより、当業者は、制御された方法で微小亀裂の 長さや幾何学的な配列などの形成及び促進を調節することができる。これを実施するための適切なパラメーターを見つけだすことは進歩性を要求せず、これらは当業者によって、例えば適切な通常の実験に基づいて容易に決定できる。上記から明らかなように、ガラス物体（例えば、アンプル）の種々の幾何学性に関するプロセスパラメーターを採用することは容易 である。微小亀裂は、約１０～１０００Ｈｚの繰り返し周波数を備える単 一レーザーパルスまたは一連のレーザーパルスを利用して形成できる。」(段落【００２８】)「相対的に長期保存及び輸送中でさえアンプルの安定性を保証するために、ガラス表面に垂直な亀裂の大きさは、ガラス壁厚の約０．５倍を越えるべきではない。」(段 して形成できる。」(段落【００２８】)「相対的に長期保存及び輸送中でさえアンプルの安定性を保証するために、ガラス表面に垂直な亀裂の大きさは、ガラス壁厚の約０．５倍を越えるべきではない。」(段落【００３０】) 「本発明方法の２つの実際に実施可能な実施態様は、アンプルの実施例を参照して説明する。」(段落【００３１】)「１）適切な破断点は、例えば適切な分割線に沿って周囲方向に配列した一若しくはそれ以上の微小亀裂領域によって、アンプル締め付け部の周囲の点に形成してよい。この方法（ワンポイントカット）では、破断開封 するときにアンプルを配列又は調整するために適切な破断点をマークすることが必要である。」(段落【００３２】)「２）さらに、適切な破断点は、アンプルの首周りを走るように適切な分割線に沿って形成してよい（いわゆる破断リングアンプルに類似する方法）。この場合、アンプルは予め配列又は調整することなく破断開封でき る。破断の適切な方向にマークをつける必要はない。限られた破断方法に対し、適切な破断点の角間隔は３０゜を越えるべきではない。」(段落【００３３】)「使用されたレーザー放射源は、Ｑ－スイッチまたはモードロックＮｄソリッドステートレーザーであることが好都合である。短焦点距離を備え る適切な光システムは、必要により広いビーム断面を有するレーザービームを＜０．１ｍｍのスポット直径に収束する。大きい湾曲面を有すると、例えば、円柱または屈折の光システム（従来技術）により付加的な形状を備えるビームを提供する必要がある。非ガウスレーザービームプロファイルを用いると、破断方向に微小亀裂の付加的な配向を達成することが可能 である。短いレーザーパルス時間のため、必要により、アンプル輸送の間 要がある。非ガウスレーザービームプロファイルを用いると、破断方向に微小亀裂の付加的な配向を達成することが可能 である。短いレーザーパルス時間のため、必要により、アンプル輸送の間 適切な破断点を適用することができるが、これは壁の焦点位置を０．１ｍｍよりも精度よく維持するために、多くの支出が必要である。プロセスコントロールは、例えば、プラズマ形成の光電子的観察及びレーザーパラメーターの再調整によって実施してよい。」(段落【００３５】)「当然、本発明の方法は、適切な破断点をアンプルに適用するために好 適であるばかりではない。この方法は、例えばガラス管を切断する等の多くの適用に対し、高品質、再現性を有する初期亀裂を得るために使 用してよい。」（段落【００３６】）「この方法は、フラットガラスの分野において特殊な切断プロセスに用いてもよ い（例えば、適切な形状（時計皿）のガラス片をガラス板から切断する）。」(段落【００３７】) 「本発明の実験的実施態様は図面を用いて示し、　【図１】 下記により詳細に記述する。」(段落【００３８】)「図１は本発明に従って破断開封アンプルに適切な破断点を形成するための位置の図式レイアウトを示す。」(段落【００３９】)「図１において、適切な破断点はアンプルの首２（締め付け）の領域においてホウケイ酸ガラス製の２ｍｌアンプル１に形成する。」(段落【００ ４０】) 「締め付けは、アンプルの製造方法において二次成形用具（formingtool）を用いてタレット装置上で直径６．５ｍｍ、壁厚０．８ｍｍに予め形成された。適切な破断点は図１で図式された更なるプロセスラインで適用され、ここで、アンプル１はチェインコンベヤー rmingtool）を用いてタレット装置上で直径６．５ｍｍ、壁厚０．８ｍｍに予め形成された。適切な破断点は図１で図式された更なるプロセスラインで適用され、ここで、アンプル１はチェインコンベヤーから、リフト装置３を使用してストップローラー４に対して持ち上げられる。アンプル１は、ローラー６ が二次成形用具を追跡するような方法でローラー（rollertable)５及び６上に置く。」（段落【００４１】)「パルス時間約１０ｎｓ、パルスエネルギー２５ｍＪのＱ－スイッチＮｄ：ＹＡＧレーザー７を使用して適切な破断点を作る。レーザービームは、焦点距離５０ｍｍのレーザーレンズ８を使用してガラス壁の中心に収束 させる：直径は約０．１ｍｍである。適切な破断点がガラス壁の中心に形成されるように、アンプルの首２（締め付け）の直径は大きくて０．１ｍｍの公差を有する。１０Ｈｚのレーザー繰り返し周波数を用いると、３つの適切な破断点は周囲方向に沿って１ｍｍ間隔でアンプルの首に適用される。これを達成するために必要なアンプルの回転はローラー４の駆動に よって行われる。」(段落【００４２】)「３つの適切な破断点は顕微鏡で見ることが可能で、アンプルを明確にかつ物理的に破断できる。」(段落【００４３】)イ乙２６発明の技術的特徴上記アの記載によれば、従来技術では、ガラス物体であるアンプルを切断 する際、従来の切断方法によると、切り口に細かい刻み目が生じて、アンプルを扱う人を傷付けたり、切断中に生じるガラスの破片によりアンプル中の配合物が汚染されたりするおそれがあった。 このような課題を解決するために、乙２６発明は、請求項１記載の構成を備えることにより、レーザ照射等によりアンプルの破断領域に微小亀裂を発 生させ、適切な破断 汚染されたりするおそれがあった。 このような課題を解決するために、乙２６発明は、請求項１記載の構成を備えることにより、レーザ照射等によりアンプルの破断領域に微小亀裂を発 生させ、適切な破断点を形成することによって、アンプルを容易に切断する ことを可能にするものであると認められる。 ⑵ 乙２６公報の引例適格性について原告は、無効２００５－８０１６６審決（甲２７）において、乙２６公報は、実施不可能であるという理由で引用例としての適格性が否定された文献であるとして、引用発明としての適格性を欠く旨主張する。 そこで検討するに、上記無効２００５－８０１６６審決（甲２７）においては、乙２６公報に記載された実施例の条件の下では、レーザービームの集光半径が小さいため、ガラス内部の所望の収束点に達する以前に、ガラス表面で多光子吸収が発生するほどのエネルギー密度となってしまう結果、ガラス内部にのみ多光子吸収による微小亀裂を生じさせることは不可能であるという理由 に基づき、乙２６公報に記載された実施例は、実施不可能であり、発明が完成しているとはいえないとして、進歩性の判断に当たって乙２６公報の記載事項を考慮することはできないと判断されたものである（甲２７〔１５頁〕）。 しかしながら、前記⑴の記載によれば、乙２６公報には、レーザー照射によりアンプルの破断領域に微小亀裂を発生させ、適切な破断点を形成するための 基本的な構成が開示されている (段落【０００１】、【００１３】、【００１４】、【００１５】、【００３２】、【００３３】)。 そして、乙２６公報には、微小亀裂を発生させるレーザーの各種パラメーターについても、レーザパルス時間を１ｍｓ未満にすること、特に１００ｎｓ未満であることが好ましい 、【００３２】、【００３３】)。 そして、乙２６公報には、微小亀裂を発生させるレーザーの各種パラメーターについても、レーザパルス時間を１ｍｓ未満にすること、特に１００ｎｓ未満であることが好ましいことや、集光点の直径を１００μm 未満にすること、 約１０～１０００Ｈｚの繰り返し周波数を備える単一レーザーパルス又は一連のレーザーパルスを利用することができることが記載されている（【００１６】、【００２８】）。のみならず、「これを実施するための適切なパラメーターを見つけだすことは進歩性を要求せず、これらは当業者によって、例えば適切な通常の実験に基づいて容易に決定できる。」（【００２８】）とまで記 載されている。 上記各記載によれば、仮に、実施例として開示されていた実験条件それ自体によっては、ガラス内部にのみ多光子吸収による微小亀裂を生じさせることができなかったとしても、乙２６公報に記載されているとおり、技術常識を踏まえた当業者による試行錯誤により、ガラス内部にのみ微小亀裂を生じさせることは可能であるといえるから、乙２６公報に開示されている実施例自体ではな く、被告主張に係る技術的思想の限度で乙２６公報を引用例として認定することができると認めるのが相当である。したがって、乙２６発明は、上記の限度で「刊行物に記載された発明」（特許法２９条１項３号）に該当するものとして、引用例としての適格性を否定されないというべきである。 したがって、原告の主張は、採用することができない。 ⑶ 乙２６発明の構成前記⑴の認定事実及び弁論の全趣旨によれば、乙２６公報には、被告主張に係る乙２６発明の構成が開示されていると認められる。 ⑷ 一致点及び相違点上記⑵によれば、本件発明１と乙２６発明の一致 ⑴の認定事実及び弁論の全趣旨によれば、乙２６公報には、被告主張に係る乙２６発明の構成が開示されていると認められる。 ⑷ 一致点及び相違点上記⑵によれば、本件発明１と乙２６発明の一致点及び相違点は、次のとお りであることが認められる。 ア一致点本件発明１及び乙２６発明は、いずれも、「加工対象物の内部に、切断の起点となる改質領域を形成するレーザ加工装置であって、前記加工対象物が載置される載置台と、レーザ光を出射するレーザ光源と、前記載置台に載置 された前記加工対象物の内部に、前記レーザ光源から出射されたパルスレーザ光を集光し、そのレーザ光の集光点の位置で前記改質領域を形成させる集光用レンズと、レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置するように」光学系を調整し、「レーザ光の集光点が前記加工対象物の切断予定ラインに沿って移動するように、前記載置台を移動させる機能を有する制御部と、を 備えるレーザ加工装置」である点において一致する。 イ相違点 相違点２６－①本件発明１の加工対象物の形状は、「ウェハ状」であるのに対し、乙２６発明の加工対象物の形状は、「ローラーで回転される形状の物体（アンプル）」である点。 相違点２６－②本件発明１の制御部は、「加工対象物のレーザ光入射面を基準として」、「集光用レンズを移動」させるのに対し、乙２６発明では、どのように調整しているのか明らかではない点。 相違点２６－③ 本件発明１の制御部は、載置台を移動させた後、更に「レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置するように、前記レーザ光入射面を基準として前記加工対象物の厚さ方向に第２移動量だけ前記集 ③ 本件発明１の制御部は、載置台を移動させた後、更に「レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置するように、前記レーザ光入射面を基準として前記加工対象物の厚さ方向に第２移動量だけ前記集光用レンズを移動させ、レーザ光の集光点が切断予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物の厚さ方向と直交する方向に前記載置台を移動させる機 能」を有するのに対し、乙２６発明の制御部は、そのような機能を有していない点。 相違点２６－④本件発明１は、加工対象物が「シリコンウェハ」であるのに対し、乙２６発明では、加工対象物が「ガラス物体」であり、「改質領域」が溶融し ているかどうか明らかではない点。 ウ相違点についての補足説明被告は、本件発明１では「改質領域」は多光子吸収が支配的に寄与して形成された領域であるのに対し、乙２６発明では「改質領域」がどのように形成され、どのような形状であるのか不明である点も相違点である旨主張する ものの、同主張が採用できないことは、前記争点３－１（前記１６⑶ウ）に おいて説示したところと同様である。 ⑸ 容易想到性ア本件事案に鑑み、相違点２６－④から判断する。 前記認定事実のとおり、乙２６発明の課題は、「破断開封アンプルを再現できかつ安全に開口する方法で破断開封アンプルの破断領域に所定の 破断点を形成することにある。特に、破断開封が困難なアンプルを開封するときに生ずる傷の発生を避け、かつ、アンプルの開封で生ずるアンプル内の医薬品の損傷を妨げることを意図する」(【００１３】)というものであることが認められる。そして、乙２６公報には、ガラス以外の材料を加工対象物とすることについては記載も示唆もされていないこ ンプル内の医薬品の損傷を妨げることを意図する」(【００１３】)というものであることが認められる。そして、乙２６公報には、ガラス以外の材料を加工対象物とすることについては記載も示唆もされていないことからすれ ば、乙２６発明の加工対象物は、破断開封アンプル等のガラス物体であると認めるのが相当である。そして、そのようなガラス物体と本件発明１の加工対象物であるシリコンウェハとは、物質としての性質も用途も全く異なるものであるというべきであるから、乙２６発明に接した当業者において、加工対象物をシリコンウェハに置換することにつき、動機付けがある といえないことは明らかである。 これに対し、被告は、レーザ加工によってシリコンウェハを切断することは周知慣用技術である旨主張するものの、本件発明１の特許出願前において、乙２６発明のガラス物体の内部に破断点を形成する技術が、シリコンウェハの内部に切断の起点を形成する技術としても適用できる知見が 存在したことを認めるに足りる的確な証拠はなく、被告の主張は、前提を欠く。そもそも、乙２６発明に接した当業者がガラス物体をシリコンウェハに置き換える動機付けを欠くことは、上記において説示したとおりであるから、被告の主張は、いずれにしても上記判断を左右するものとはいえない。 したがって、被告の主張は、採用することができない。 イ以上によれば、その余の点を判断するまでもなく、本件発明１は、当業者が乙２６発明に基づいて容易に発明をすることができたものとはいえない。 ウその他に、被告の主張及び提出証拠を改めて検討しても、乙２６発明の技術的課題及びその解決手段に照らし、被告の主張は、いずれも採用することができない。 18 争点３－３（乙３３発明に基 ウその他に、被告の主張及び提出証拠を改めて検討しても、乙２６発明の技術的課題及びその解決手段に照らし、被告の主張は、いずれも採用することができない。 18 争点３－３（乙３３発明に基づく進歩性の欠如）⑴ 乙３３発明の内容ア証拠（乙３３）及び弁論の全趣旨によれば、乙３３公報には、次のとおりの記載があることが認められる。 特許請求の範囲 「半導体結晶ウェーハの表面方向からレーザー光を照射し、半導体結晶ウェーハの裏面近傍に焦点を結び、半導体結晶ウェーハの裏面を加工することを特徴とする半導体ウェーハの加工法。」（１頁左下５行～９行） 発明の詳細な説明「又裏面全体に金属電極を付加した半導体結晶ウェーハをペレットに分 割する場合、表面からの加工法によるスクライブでは裏面電極が切断されないため、半導体結晶は分離できても電極が連った複合ペレットが多く発生する欠点がある」（１頁右下７行～１２行）「本発明の方法はレーザー光のエネルギーよりもエネルギー禁止帯幅が大きい半導体結晶ではレーザー光がほとんど吸収されずに裏面に到達す ることを用い、レーザー光の焦点を半導体結晶ウェーハの裏面近傍に結ぶことにより半導体結晶ウェーハの裏面を表面からのレーザー光照射で加工することである。」（２頁左上４行～１０行）「本発明の実施例に用いられた半導体結晶はＧａＰであり、レーザー光はＹＡＧレーザーである。ＧａＰのエネルギー禁止帯幅は３．１ｅＶであ り、ＹＡＧレーザーの発振波長１．０６μに相当するエネルギー約１．２ ｅＶよりも充分大きく、従ってレーザー光はほとんど吸収されずＧａＰ結晶を透過する。ＧａＰ結晶ウェーハは第１図に断面が示されている。」（２頁左上１３行 ０６μに相当するエネルギー約１．２ ｅＶよりも充分大きく、従ってレーザー光はほとんど吸収されずＧａＰ結晶を透過する。ＧａＰ結晶ウェーハは第１図に断面が示されている。」（２頁左上１３行～１９行）「（１１１）面ＧａＰ単結晶基板１１上にＮ型層１２およびＰ型層１３を形成したＰ－Ｎ接合をもったＧａＰ結晶ウェーハに電極として表面に １５０μφの金、亜鉛、ニッケルから成るオーム性電極１４を０．４ｍｍの間隔で付加し、裏面には金とシリコン（２％）から成るオーム性電極１ ５ ３０００Åを付加し、その上に金１６を約１μ付加してある。ＧａＰ結晶ウェーハの厚さは１６０μ±１０μである。」（２頁左上２０行～右上７行） 「第２図に光学レンズ５１によって焦点を結ぶときの半導体結晶ウェーハ５２とレーザー光焦点５３の位置が示されている。第２図（ａ）は従来通常行なわれている表面からの加工における焦点位置であり、焦点は半導体結晶表面の近傍にある。第２図（ｂ）は本発明の方法におけるレーザー光焦点５３の位置であり、ＧａＰの屈折率３．３を考慮し、半導体結晶ウ ェーハを約４００μレンズに近づけて設定した。レーザー光の出力および半導体結晶ウェーハの移動速度を一定として、スクライブ溝を入れたときの溝の形状を調べた結果を表１に示す。」（２頁右上８行～１８行）「上記（ａ）、（ｂ）の各方法でスクライブ溝を入れたウェーハをローラー式のブレーキング装置を用い、条件を一定にしてペレットに分割した とき、連ったペレットの割合は表２のように裏面からスクライブ溝を入れた（ｂ）で少ない。（ａ）の方法で連ったペレットの多くはＧａＰ結晶は割れており、裏面電極が連っていることが認められた。」（２頁左下５行～１１行） 実施例２ 「実 イブ溝を入れた（ｂ）で少ない。（ａ）の方法で連ったペレットの多くはＧａＰ結晶は割れており、裏面電極が連っていることが認められた。」（２頁左下５行～１１行） 実施例２ 「実施例１と同様な半導体結晶ウェーハを用い、先づ第２図（ｂ）の焦 点位置に設定し、レーザー光の出力を下げるとともにＧａＰ結晶ウェーハの移動速度を３倍にして裏面をスクライブした後、第２図（ａ）の焦点位置に設定し、実施例１と同じ条件で表面からスクライブしてペレットに分割した。この両面からスクライブすることによりほとんど１００％連ったペレットを無くすることができた。」（２頁右下１３行～３頁左上１行） 「本発明の実施例としてＹＡＧレーザーを用い、ＧａＰ結晶ウェーハのペレットに分割するためのスクライブ溝を入れることを例として説明したが、本発明の特長を活かしさらに複雑な加工にも適用可能であることはいうまでもない。半導体結晶ウェーハとしてはＹＡＧレーザーを用いる場合でもレーザ光の波長エネルギーよりも大きな禁止帯幅をもつ半導体結 晶および多元素化合物半導体結晶の全てに適用できる。将来さらに波長エネルギーの小さいレーザー光の加工機が得られれば、さらにエネルギー禁止帯幅の小さい半導体結晶にも適用できる。」（３頁左上２行～１３行）「本発明の方法によれば裏面に表面電極パターンとの対応した電極や位置指定することなく表面電極のパターンに従って簡単にかつ正確に裏 面の加工ができる。」（３頁左上１７行～２０行）イ乙３３発明の技術的特徴上記アの記載によれば、従来技術では、半導体結晶ウェーハをペレットに分割するに当たって、表面をレーザ光でスクライブする方法を採用した場合、裏面電極が切断されないため、半導体結晶自体は分離できる 上記アの記載によれば、従来技術では、半導体結晶ウェーハをペレットに分割するに当たって、表面をレーザ光でスクライブする方法を採用した場合、裏面電極が切断されないため、半導体結晶自体は分離できるものの、電極が 連なった複合ペレットが多く発生してしまうという課題があった。 このような課題を解決するために、乙３３発明は、半導体結晶ウェーハの表面からレーザ光を照射する際に、半導体ウェーハの裏面近傍に焦点を設定することによって、表面電極のパターンに従って容易かつ正確に裏面の加工が可能となるという効果を実現するものであることが認められる。 ⑵ 乙３３発明の構成 ア上記⑴の認定事実及び弁論の全趣旨によれば、乙３３公報には、次のような構成が開示されていることが認められる。 ［構成３３ａ］：ウェハ状の加工対象物の裏面に、分割の起点となるスクライブ溝を形成するレーザ加工装置であって、［構成３３ｂ］：前記加工対象物を移動させる装置と、 ［構成３３ｃ］：レーザ光を出射するレーザ光源と、［構成３３ｄ］：前記加工対象物の裏面近傍に、前記レーザ光源から出射されたレーザ光を集光し、そのレーザ光の集光点の位置で前記スクライブ溝を形成させる集光用レンズと、［構成３３ｅ］：レーザ光の焦点を前記加工対象物の裏面近傍に位置させ た状態で、レーザ光の集光点が前記加工対象物の分割予定ラインに沿って移動するように、前記各対象物の厚さ方向と直交する方向に前記加工対象物を移動させる機能を有する処理部と、を備え、［構成３３ｆ］：前記加工対象物はＧａＰ単結晶基板に電極が積層された ものである［構成３３ｇ］：レーザ加工装置。 イ乙３３発明の認定についての補足説明被告は と、を備え、［構成３３ｆ］：前記加工対象物はＧａＰ単結晶基板に電極が積層された ものである［構成３３ｇ］：レーザ加工装置。 イ乙３３発明の認定についての補足説明被告は、[構成３３ａ]につき、スクライブ溝が形成されるのは、ウェハ状の加工対象物の「裏面」ではなく、「内部」である旨主張する。 しかしながら、前記認定によれば、乙３３発明の特許請求の範囲には、「・・半導体結晶ウェーハの裏面を加工することを特徴とする半導体ウェーハの加工法」と記載されており、また、乙３３公報の実施例２には、「表面電極のパターンに従って簡単にかつ正確に裏面の加工ができる。」と記載されており、いずれも文言上、「裏面」が加工の対象とされていることが認められ る。さらに、乙３３公報に記載された実施例１においても、ＧａＰ結晶ウェ ーハの裏面には、オーム性電極１５（０．３μm）及び金（約１μm）が積層されているにもかかわらず、裏面にスクライブ溝を設けることによって、裏面電極が連なっているペレットの割合が少なくなったことが記載されていることからすると（前記⑴ア）、この記載によれば、スクライブ溝は、文字通り、裏面に形成されている溝であるものと解するのが相当である。 上記乙３３発明の特許請求の範囲及び乙３３公報の記載を踏まえると、スクライブ溝が形成されるのは、内部ではなく、文字通り、裏面であると認めるのが相当である。 そうすると、［構成３３ａ］、［構成３３ｄ］及び［構成３３ｅ］は、前記アのとおり認定するのが相当であり、これと異なる被告の上記主張は、い ずれも採用することができない。 ⑶ 一致点及び相違点上記⑵の認定事実及び弁論の全趣旨によれば、本件発明１と乙３３発明の一致点 が相当であり、これと異なる被告の上記主張は、い ずれも採用することができない。 ⑶ 一致点及び相違点上記⑵の認定事実及び弁論の全趣旨によれば、本件発明１と乙３３発明の一致点及び相違点は、次のとおりであることが認められる。 ア一致点 本件発明１と乙３３発明は、いずれも「ウェハ状の加工対象物に、切断の起点となる改質領域を形成するレーザ加工装置であって、レーザ光を出射するレーザ光源と、前記レーザ光源から出射されたレーザ光を集光し、そのレーザ光の集光点の位置で前記改質領域を形成させる集光用レンズと、レーザ光の集光点が前記加工対象物の切断予定ラインに沿って移動するように、前 記加工対象物を移動させる機能を有する制御部と、を備えることを特徴とするレーザ加工装置」である点において一致する。 イ相違点 相違点３３－①レーザ光の集光点が加工対象物の内部に位置するようにするに当たっ て、本件発明１は、「加工対象物のレーザ光入射面を基準として前記加工 対象物の厚さ方向に第１移動量だけ前記集光用レンズを移動させ」るのに対し、乙３３発明では、どのように調整しているのか明らかではない点。 相違点３３－②本件発明１の「制御部」は、載置台を移動させた後、更に「レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置するように、前記レーザ光入射面を 基準として前記加工対象物の厚さ方向に第２移動量だけ前記集光用レンズを移動させ、レーザ光の集光点が前記切断予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物の厚さ方向と直交する方向に前記載置台を移動させる機能」を有するのに対し、乙３３発明の制御部は、そのような機能を有しない点。 記切断予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物の厚さ方向と直交する方向に前記載置台を移動させる機能」を有するのに対し、乙３３発明の制御部は、そのような機能を有しない点。 相違点３３－③本件発明１は、加工対象物が「シリコンウェハ」であるのに対し、乙３３発明では、加工対象物がＧａＰ単結晶基板に電極が積層されたものであり、「改質領域」が溶融しているかどうか明らかではない点。 相違点３３－④ 本件発明１は、「加工対象物が載置される載置台」を備えるのに対し、乙３３発明では、加工対象物を移動させる装置は備えているが、それが載置台か否か明確ではない点。 相違点３３－⑤本件発明１は、加工対象物の内部に改質領域を形成するのに対し、乙３ ３発明は、加工対象物の裏側にスクライブ溝を形成する点。 ウ相違点についての補足説明被告は、本件発明１では「改質領域」は多光子吸収が支配的に寄与して形成された領域であるのに対し、乙３３発明では改質領域がどのように形成され、どのような形状であるのか不明である点も相違点である旨主張するもの の、同主張が採用できないことは、前記争点３－１（前記１６⑶ウ）におい て説示したところと同様である。 ⑷ 容易想到性本件事案に鑑み、相違点３３－⑤から判断する。 ア被告は、乙２４公報には「加工対象物である半導体ウェハーの裏面にスクライブ・ラインを形成する代わりに、加工対象物の内部にスクライブ・ライ ンを形成するレーザ加工機」という発明（乙２４Ａ発明）が開示されているという前提に立ち、乙３３発明のように、加工対象物の裏面にレーザ照射をしてスクライブ・ラインを形成する場合には、加工くずの発生が従来から課題 レーザ加工機」という発明（乙２４Ａ発明）が開示されているという前提に立ち、乙３３発明のように、加工対象物の裏面にレーザ照射をしてスクライブ・ラインを形成する場合には、加工くずの発生が従来から課題として知られていたところ、これに乙２４Ａ発明を適用することによって、加工対象物の内部にスクライブ・ラインを形成し、もって加工くずの発生を 防止しようとすることは、当業者が容易に想到できる旨主張する。 しかしながら、乙２４公報には、加工対象物の表面にスクライブ・ラインを形成することなく、加工対象物の内部のみに加工変質層であるスクライブ・ラインを形成する構成を開示するものではないことは、前記争点３－１（前記１６⑵イ）において説示したとおりである。そうすると、乙２４公 報には、被告の主張するような発明（乙２４Ａ発明）が開示されているということはできず、被告の主張は、前提を欠く。仮に、乙２４公報に被告の主張する乙２４Ａ発明が開示されている前提に立ったとしても、前記認定事実によれば、乙３３発明は、半導体結晶ウェーハの裏面にスクライブ溝を形成することにより、電極が連なった複合ペレットの発生を防止するという課題 解決手段を採用するものであるところ、裏面にスクライブ溝を形成する代わりに、内部にスクライブ・ラインを形成した場合には、電極が連なった複合ペレットの発生を防止するという上記課題を解決することができなくなるといえるから、乙３３発明に乙２４Ａ発明を適用することには、阻害要因があるというべきである したがって、被告の主張は、採用することができない。 イ以上によれば、その余の点を判断するまでもなく、本件発明１は、当業者が乙３３発明に基づいて容易に発明をすることができたものとはいえない。 の主張は、採用することができない。 イ以上によれば、その余の点を判断するまでもなく、本件発明１は、当業者が乙３３発明に基づいて容易に発明をすることができたものとはいえない。 ウその他に、被告の主張及び提出証拠を改めて検討しても、被告の主張は、乙３３発明が採用する課題解決手段に鑑みると、いずれも採用することができない。 19 争点３－４（乙３４発明に基づく進歩性の欠如）⑴ 乙３４発明の内容ア証拠（乙３４）及び弁論の全趣旨によれば、乙３４公報には、次のとおりの記載があることが認められる。 特許請求の範囲 「レーザ発振器と、このレーザ発振器から照射されるレーザ光線を集光し被加工体に照射する集光光学系とを有し、被加工体内でレーザ光線の集光点を移動でき、被加工体を加工し得ることを特徴とするレーザスクライブ装置。」 発明の詳細な説明 「本発明はレーザスクライブ装置に係り、特に透明な被加工体を容易に加工し得るレーザスクライブ装置に関する。」（１頁左下１０行～１２行）「そこで、サフアイヤ等の半導体基板を分割するためにレーザ光線を使用して従来の方法のごとく半導体基板の表面にレーザ光線を集光して溝をつけ、つまりスクライブして半導体基板を分割する方法ではサファイヤ がレーザ光線に対して透過性を有するため、レーザ光線を透過しない被加工体に比べ溝が浅くなり、分割する場合に不規則に割れ、半導体基板上の回路・素子を破壊もしくは損傷するという欠点があつた。そこで基板に溝をより深くつけるようにスクライブすると半導体基板表面にレーザ光線を長時間照射しなくてはならず能率が悪く、また半導体基板上の回路・素 子を熱等により破壊したり損傷したり、ま た。そこで基板に溝をより深くつけるようにスクライブすると半導体基板表面にレーザ光線を長時間照射しなくてはならず能率が悪く、また半導体基板上の回路・素 子を熱等により破壊したり損傷したり、また寿命を短かくする等の悪影響 をもたらす欠点があつた。」（１頁右下９行～２頁左上２行）「本発明の目的はこれらの欠点を除去し、被加工体例えばレーザ光線に対して透過性を有する物体をスクライブして分割するに際し容易に分割することができるレーザスクライブ装置を提供することにある。」（２頁左上３行～７行） 「本発明においては、これらの目的を達成するため被加工体例えばサフアイヤ等のレーザ光線に対し透過性を有する物質内でレーザ光線の焦点を移動できることに注目し、レーザ発振器と、このレーザ発振器から照射されるレーザ光線を集光し被加工体に照射する集光光学系を備えており、前記集光光学系により集光された集光点を前記被加工体内で移動して、例 えば集光点を被加工体の集光光学系の面に一致させ、その後その反対側の面に合わせ、被加工体を加工し得るレーザスクライブ装置を提供する。」（２頁左上８行～１８行）「以下本発明の被加工体としてサフアイヤで形成された半導体基板を用いてスクライブする装置の一実施例を図を参照しなから説明する。第１ 図は本発明の前記一実施例の一部を拡大した構成図で、レーザ発振器１のレーザ光線照射方向にレーザ光線が直角に曲るように、レーザ光線を反射し、可視光を透過するようなダイクロイツクミラー２を設ける。このダイクロイツクミラー２で反射したレーザ光線の光軸に合うように光軸を一致させ、このレーザ光線を集光させる集光光学系例えば凸レンズ３を設け る。この凸レンズ３をダイクロイツクミラー２で反射されたレーザ光線 ツクミラー２で反射したレーザ光線の光軸に合うように光軸を一致させ、このレーザ光線を集光させる集光光学系例えば凸レンズ３を設け る。この凸レンズ３をダイクロイツクミラー２で反射されたレーザ光線の光軸方向に移動するため光学系駆動装置４を設ける。凸レンズ３で集光されたレーザ光線の焦点が照射されるようにサフアイヤの半導体基板５を設ける。この半導体基板５は移動装置６によつて移動される。この移動装置６はテーブル７とテーブル移動装置８を有しており、テーブル７の上に は半導体基板５の回路、素子等が形成されていない面（以下裏面９と呼び、 形成されている面を表面１０と呼ぶ）がテーブル７の面に接するように載置され、このテーブル７はテーブル移動装置８により凸レンズ３の光軸と垂直方向に移動される。」（２頁左上１９行～左下１行）「その後、テーブル移動装置８によつてテーブル７を移動させ半導体基板５の表面１０の所望位置に前記焦点を設定 する。従って、レーザ発振器１より照射されたレーザ光線はダイクロイツクミラー２で反射され、凸レンズ３に導びかれ半導体基板５の表面１０の前記の位置に集光する。そして　【第２図⒝ 】テーブル７が所望方向に移動できるように テーブル移動装置８を可動させると、第２図（ａ）に示した溝１５が半導体基板５の表面１０に形成される。その後、半導体基板５がレーザ光線を透過することを利用し、レーザ光線の集光点を半導体基板５の裏面９の前記した溝１５の下の所望の位置に設定する。例えばまず、光学系駆動装置４によって凸レンズ３を駆動し、凸レンズ３の焦点を半導体基板５の裏面 ９に一致させ、その後テーブル移動装置８を移動し半導体基板５の裏面の前記溝１５の下の所望位置に設定する。この状態でレーザ光線をレーザ発振 ンズ３を駆動し、凸レンズ３の焦点を半導体基板５の裏面 ９に一致させ、その後テーブル移動装置８を移動し半導体基板５の裏面の前記溝１５の下の所望位置に設定する。この状態でレーザ光線をレーザ発振器より照射すれば前記のように裏面９にレーザ光線が集光する。その後テーブル７をテーブル駆動装置８を駆動して所望方向に移動すると第２図（ｂ）に示すように表面１０の溝１５に合わせて裏面９をスクライブす ることになり、溝１６は溝１５の下で半導体基板５の裏面９に形成される。」（２頁左下２０行～３頁左上３行）「このように半導体基板５の両面に対向してスクライブした後に分割すれば第２図（ｂ）の点線１７より割れ、その分割面は、ほぼ直線状に割れる。」（３頁左上１７行～１９行） 「また被加工体面をスクライブするのに本一実施例ではテーブル駆動 装置でテーブルを移動しているが、集光光学系をレーザ光線の照射方向に対して垂直に移動し、レーザ光線の集光点を移動してスクライブをしてもよい。」（３頁右上４行～８行）「また本発明の一実施例としてサフアイヤの半導体基板について述べたが、このように被加工体がレーザ光線に対し透過性を有するものに対し て効果的にスクライブできるものである。」（３頁左下６行～９行）イ乙３４発明の技術的特徴上記アの記載によれば、従来技術では、レーザ光に対して透過性を有するサファイヤ等の物質が半導体基板に使用された場合、レーザ光を透過しない物質に比べてレーザ光による溝が浅くなるため、分割する際に不規則に割れ たり、基板上の回路や素子を損傷したりするおそれがある一方で、溝を深くするためにレーザ光の照射時間を長くすると、能率が悪くなったり、熱等により基板上の回路や素子を損傷したりするおそれがあるという課題があっ 板上の回路や素子を損傷したりするおそれがある一方で、溝を深くするためにレーザ光の照射時間を長くすると、能率が悪くなったり、熱等により基板上の回路や素子を損傷したりするおそれがあるという課題があった。 このような課題を解決するために、乙３４発明は、特許請求の範囲記載の 構成を備えることにより、レーザの集光点を加工対象物の一面に一致させて溝を加工した後に、集光点を反対側の面に合わせて溝を加工し、もって、相互に対向した溝を形成するレーザスクライブ装置を提供するものであり、これによって、レーザ光に透過性を有するサファイヤ等の半導体基板についても、両面に対向した溝に沿ってスクライブした後に分割することで、半導体 基板上の回路や素子を破壊・損傷することなく分割することを可能とするという効果を実現するものであると認められる。 ⑵ 乙３４発明の構成ア上記⑴の認定事実及び弁論の全趣旨によれば、乙３４公報には、次のような構成が開示されていることが認められる。 ［構成３４ａ］：半導体基板である加工対象物の表面及び裏面に、そのい ずれかが分割の起点となる相互に対向する溝（１５及び１６）を形成するレーザスクライブ装置であって、［構成３４ｂ］：前記加工対象物が載置されるテーブルと、［構成３４ｃ］：レーザ光を出射するレーザ光源と、［構成３４ｄ］：前記テーブルに載置された前記加工対象物の表面及び裏 面に、前記レーザ光源から出射されたレーザ光を集光し、それらのレーザ光の集光点の位置で前記相互に対向する溝（１５及び１６）を形成させる凸レンズと、［構成３４ｅ］：レーザ光の焦点を前記加工対象物の表面及び裏面に位置させた状態で、レーザ光の集光点が前記加工対象物の分割予 定ラインに沿って移 び１６）を形成させる凸レンズと、［構成３４ｅ］：レーザ光の焦点を前記加工対象物の表面及び裏面に位置させた状態で、レーザ光の集光点が前記加工対象物の分割予 定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物の厚さ方向と直交する方向に前記テーブルを移動させる機能を有する処理部と、を備え、［構成３４ｆ］：前記加工対象物はサファイアの半導体基板である［構成３４ｇ］：レーザスクライブ装置。 イ乙３４発明の認定の補足説明被告は、［構成３４ａ］及び［構成３４ｄ］につき、「裏面」のみに溝を形成するものである旨主張する。 しかしながら、前記認定事実によれば、乙３４公報の特許請求の範囲は、「被加工体内でレーザ光源の集光点を移動でき」と規定しているところ、乙 ３４公報の発明の詳細な説明には、課題の解決の手段として、「集光点を前記被加工体内で移動して、例えば集光点を被加工体の集光光学系の面に一致させ、その後その反対側の面に合わせ、被加工体を加工し得るレーザスクライブ装置」という記載があることが認められ、実施例においても、「半導体基板５の両面に対向してスクライブした後に分割すれば（中略）その分割面 は、ほぼ直線状に割れる。」という記載があることが認められる。 上記認定事実及び前記認定に係る乙３４発明の技術的特徴によれば、甲３４発明は、加工対象物の内部で集光点を移動させることにより、表面と裏面の双方に、互いに対向する溝を形成することで、加工対象物の分離を容易にするものであることが認められる。 そうすると、［構成３４ａ］及び［構成３４ｄ］は、「裏面」のみではな く、「表面及び裏面」の両面に溝を形成するものとして、それぞれ前記アのとおり認定するのが相当である が認められる。 そうすると、［構成３４ａ］及び［構成３４ｄ］は、「裏面」のみではな く、「表面及び裏面」の両面に溝を形成するものとして、それぞれ前記アのとおり認定するのが相当である。したがって、被告の主張は、採用することができない。 ⑶ 一致点及び相違点上記⑵の認定事実及び弁論の全趣旨によれば、本件発明１と乙３４発明の一 致点及び相違点は、次のとおりであることが認められる。 ア一致点本件発明１と乙３４発明は、いずれも「ウェハ状の加工対象物に、切断の起点となる改質領域を形成するレーザ加工装置であって、前記加工対象物が載置される載置台と、レーザ光を出射するレーザ光源と、前記載置台に載置 された前記加工対象物に、前記レーザ光源から出射されたレーザ光を集光し、そのレーザ光の集光点の位置で前記改質領域を形成させる集光用レンズと、レーザ光の集光点が前記加工対象物に位置」した状態で、「レーザ光の集光点が前記加工対象物の切断予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物の厚さ方向と直交する方向に前記載置台を移動させる機能を有する制 御部と、を備えるレーザ加工装置」である点において一致する。 イ相違点 相違点３４－①レーザ光の集光点が加工対象物に位置するようにするに当たって、本件発明１は、「加工対象物のレーザ光入射面を基準として前記加工対象物の 厚さ方向に第１移動量だけ前記集光用レンズを移動させ」るのに対し、乙 ３４発明では、どのように調整しているのか明らかではない点。 相違点３４－②本件発明１の「制御部」は、載置台を移動させた後、更に「レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置するように、前記レーザ光入射 うに調整しているのか明らかではない点。 相違点３４－②本件発明１の「制御部」は、載置台を移動させた後、更に「レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置するように、前記レーザ光入射面を基準として前記加工対象物の厚さ方向に第２移動量だけ前記集光用レン ズを移動させ、レーザ光の集光点が前記切断予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物の厚さ方向と直交する方向に前記載置台を移動させる機能」を有するのに対し、乙３４発明の制御部は、そのような機能を有しない点。 相違点３４－③ 本件発明１は、加工対象物が「シリコンウェハ」であるのに対し、乙３４発明では、加工対象物がサファイアの半導体基板であり、「改質領域」が溶融しているかどうかは明らかではない点。 相違点３４－④本件発明１は、「加工対象物の内部に、切断の起点となる改質領域」を 形成するのに対し、乙３４発明では、「加工対象物の表面及び裏面に、そのいずれから分割の起点となる相互に対向する溝（１５及び１６）を形成する」ものである点。 ウ相違点についての補足説明被告は、本件発明１では「改質領域」は多光子吸収によって形成された領 域であるのに対し、乙３４発明では改質領域がどのように形成され、どのような形状であるのか不明である点も相違点である旨主張するが、同主張を採用することができないことは、前記争点３－１（前記１６⑶ウ）において説示したところと同様である。 ⑷ 容易想到性 ア本件事案に鑑み、相違点３４－④から判断する。 被告は、乙２４公報には「加工対象物である半導体ウェハーの裏面にスクライブ・ラインを形成する代わりに、加工対象物の内部にスクライブ・ラインを形成 違点３４－④から判断する。 被告は、乙２４公報には「加工対象物である半導体ウェハーの裏面にスクライブ・ラインを形成する代わりに、加工対象物の内部にスクライブ・ラインを形成するレーザ加工機」という発明（乙２４Ａ発明）が開示されているという前提に立ち、乙３４発明のように、加工対象物の表面又は裏面にレーザ照射をしてスクライブ・ラインを形成する場合には、加工くずの発生が従 来から課題として知られていたところ、これに乙２４Ａ発明を適用することによって、加工対象物の内部にスクライブ・ラインを形成し、もって加工くずの発生を防止しようとすることは、当業者が容易に想到できる旨主張する。 しかしながら、乙２４公報には、加工対象物の表面にスクライブ・ラインを形成することなく、加工対象物の内部のみに加工変質層であるスクライ ブ・ラインを形成する構成を開示するものではないことは、前記争点３－１（前記１６⑵イ）又は前記争点３－３（前記１８⑷ア）において説示したとおりである。そうすると、乙２４公報には、被告の主張するような発明（乙２４Ａ発明）が開示されているということはできず、被告の主張は、前提を欠く。仮に、乙２４公報に被告の主張する乙２４Ａ発明が開示されている前 提に立ったとしても、前記認定事実によれば、乙３４発明は、被加工体の表面と裏面の双方を加工し、相互に対向する溝を形成することで、被加工体の分離を容易にするという課題解決手段を採用するものであるところ、このような２つの溝を形成する代わりに、内部にスクライブ・ラインを形成した場合には、被加工体の分離を容易にするという上記課題を解決することができ なくなるといえるから、乙３４発明に乙２４Ａ発明を適用することには、阻害要因があるというべきである ンを形成した場合には、被加工体の分離を容易にするという上記課題を解決することができ なくなるといえるから、乙３４発明に乙２４Ａ発明を適用することには、阻害要因があるというべきであるしたがって、被告の主張は、採用することができない。 イ以上によれば、その余の点を判断するまでもなく、本件発明１は、当業者が乙３４発明に基づいて容易に発明をすることができたものとはいえない。 ウその他に、被告の主張及び提出証拠を改めて検討しても、被告の主張は、 乙３４発明が採用する課題解決手段に鑑みると、いずれも採用することができない。 争点３－５（乙２５に基づく進歩性の欠如）⑴ 乙２５発明の内容証拠（乙２５）及び弁論の全趣旨によれば、乙２５公報には、次のとおりの 記載があることが認められる。 ア特許請求の範囲⑴ 透明材料に吸収されない高エネルギービームを透明材料内部に焦点を結ばせて照射することを特徴とする透明材料の切断加工方法。 ⑵ 特許請求の範囲第１項において、透明材料の下側に高エネルギービーム の焦点を合せ、次に、上方に焦点を移動させる透明材料の切断加工方法。 ⑶ 特許請求の範囲第１項ないし第２項のいずれかにおいて、透明材料は石英ガラスである透明材料の切断加工方法。 ⑷ 特許請求の範囲第１項ないし第３項のいずれかにおいて、高エネルギービームはエキシマレーザである透明材料の切断加工方法。 イ発明の詳細な説明従来の技術「従来、石英ガラスなどの種々の透明材料を切断加工する方法として、バンドソーや内周刃などの直線的な切断機や、コアドリル、円筒研削機などの円形の加工機械が使用され直線状または、円筒状の加工がおこなわれ ている スなどの種々の透明材料を切断加工する方法として、バンドソーや内周刃などの直線的な切断機や、コアドリル、円筒研削機などの円形の加工機械が使用され直線状または、円筒状の加工がおこなわれ ている。 また、不定形の切断加工には炭酸ガスレーザを使用したレーザ加工機等が使用されている。」（１頁右下３行ないし９行）発明が解決しようとする課題「従来の切断加工機械のバンドソーや、内周刃などでは直線的な切断加 工のみであり、また、コアドリル、円筒研削機などの円形の加工機械は、 円筒形の切断のみであり、複雑な加工には使用できなかった。炭酸ガスレーザを利用したレーザ切断機では、炭酸ガスレーザビームの波長はガラスを透過しないため、材料表面部に集光し表面より溶断して行くが、この場合溶断表面より内部へ進行するに従って、溶断面のピットによりレーザビームがさえぎられるので、溶断する厚さに対し限度があり、現状では１０ ｍｍ程度が限界である。 本発明は、石英ガラスなどの透明材料を複雑な形状に切断加工することを目的とし、被加工物の厚味に影響を受けず、厚板であっても自由な切断加工を可能とすることを目的としている。」（１頁右下１１行ないし２頁左上５行） 課題を解決するための手段「そこで、本発明は、石英ガラスなどの透明材料に吸収されない高エネルギービームを透明材料内部に焦点を結ばせて照射し、透明材料内部に微小なクラックを発生させることによって透明材料を切断加工しようとするものである。 透明材料としては、例えば、光学ガラス、石英ガラスなどの無機ガラス、アクリル樹脂などの透明樹脂等が挙げられる。 高エネルギービームとしては、ＸｅＦ（３５１ｎｍ）、ＸｅＣｌ（３０８ｎｍ）、ＫｒＦ（２４８ｎｍ）、ＡｒＦ（１９３ 光学ガラス、石英ガラスなどの無機ガラス、アクリル樹脂などの透明樹脂等が挙げられる。 高エネルギービームとしては、ＸｅＦ（３５１ｎｍ）、ＸｅＣｌ（３０８ｎｍ）、ＫｒＦ（２４８ｎｍ）、ＡｒＦ（１９３ｎｍ）等のエキシマレーザーや、ＹＡＧレーザ及びその高調波等が挙げられる。 透明材料の高エネルギービームに対する吸収特性に応じて、適切な高エネルギービームを選択する必要がある。 高エネルギービームは、１００Ｈｚ以上の高くりかえし周波数の方が効率的である。」（２頁左上７行～２頁右上４行）「焦点の移動は、光学的に焦点位置を移動させても、また、ワークを移 動させても良く、操作しやすい方法を適宜選択できる。 焦点は、最初ワークの下側にあわせ、それから上方に移動させるのが効率的である。最初に、ワークの上方に焦点を合せると、切断部分により高エネルギービームが部分的に切断されてしまい作業効率が悪くなるからである。」（２頁右上欄５行～１２行）作用 「透明材料に吸収されない高エネルギービームを、レンズやミラーから構成される光学系を介して透明材料の内部に焦点を合せ、高エネルギービームを透明材料内部に照射する。すると、高エネルギービームの照射された箇所に数十ミクロン以下の微小なクラックが発生する。高エネルギービームの照射位置を移動させて、透明材料に連続的なクラックを発生させる ことによって透明材料を切断加工する。」（２頁右上１７行～２頁左下５行）「クラックの発生について更に詳しく説明する。 固体中では、荷電子のエネルギー準位は帯状のいわゆるバンド構造をとっている。絶縁体ではバンドギャップ以下のフォトンエネルギーのフォトン、すなわち、長波長の光は吸収しない。 しかし、バンドギャップよりも低エネルギーの光 ー準位は帯状のいわゆるバンド構造をとっている。絶縁体ではバンドギャップ以下のフォトンエネルギーのフォトン、すなわち、長波長の光は吸収しない。 しかし、バンドギャップよりも低エネルギーの光でも、レンズで集光するなどしてフォトン密度を極端に高くすると、２個あるいは、それ以上のフォトンを同時に吸収することにより、電子が充満帯（エネルギーギャップよりエネルギーの低いエネルギーバンド）から伝導帯（エネルギーギャップよりエネルギーが高く、通常の状態では電子の存在しないエネルギー バンド）に励起される。 このように、フォトンを同時に２個吸収することを２光子吸収、さらに一般に複数個吸収することを多光子吸収という。」（２頁左下６行～２頁右下１行）「この発明においては、多光子吸収を利用して、バンドギャップよりエ ネルギーが低く、本来、吸収の起こらない波長の光を透明材料に吸収させ ることにより、透明材料の結合ボンドを切断したり、あるいは、発熱を利用して微小なクラックを透明材料内部に発生させるのである。」（２頁右下２行～７行）実施例「実施例１ 透明材料として１５０×１５０×１５０ｍｍの合成石英ガラス（ＯＨ１３００ｐｐｍ含有）を使用し、高エネルギービームとしては、不安定共振器を用いたエキシマレーザ（ＫｒＦ ２４８ｎｍエネルギー密度５０ｍＪ／ｃｍ２・パルス、くり返し周波数１５０Ｈｚ）を使用し、焦点距離５００ｍｍのレンズで集光し、ミラーで反射させ、上面を予め研磨したワーク である厚板の合成石英ガラスの内部にエキシマレーザビームの焦点を合せエキシマレーザをワークの上面から照射し、ワークを３ｒ．ｐ．ｍの回転数で回転させながら、焦点の位置を３ｍｍ／ｍｉｎの速さでワーク底面より引き上げることにより、直径３ エキシマレーザビームの焦点を合せエキシマレーザをワークの上面から照射し、ワークを３ｒ．ｐ．ｍの回転数で回転させながら、焦点の位置を３ｍｍ／ｍｉｎの速さでワーク底面より引き上げることにより、直径３０ｍｍの円筒形の孔を開けた。 このとき、ワーク内部におけるエキシマレーザのビームの垂直方向の焦 点位置は、レンズの位置を移動させることによって変化させた。 また、ワーク内部での焦点位置の水平方向の移動は、ワーク自体を水平方向に移動させることによっておこなった。 切断に当っては、焦点位置は、ワークの底面から上方向に移動させた。」（３頁左上１３行～３頁右上１５行） 効果「以上、述べてきたように、透明材料の内部に焦点をあわせ、透明材料に対し吸収の無い高エネルギービーム、例えば、石英ガラスに対しエキシマレーザを照射すると、微細なクラックが透明材料の内部に発生する。これを連続させることによって透明材料を複雑な形状に切断加工できる。 焦点をワークの内部に結ばせているのでワークの厚味に影響を受けず、 自由な形状に加工できる。 焦点の移動をコンピュタにプログラムしておくことによって、円錐形、ひょうたん型など、その形状は制約を受けないといってよいものである。」（３頁右上１６行～３頁左下７行）ウ乙２５発明の技術的特徴 上記ア及びイの記載によれば、従来技術では、石英ガラスなどの透明材料を不定形に切断加工するに当たって、直線状又は円筒状の加工しかできない直線的な切断機器や円形の加工機器ではなく、炭酸ガスレーザを使用したレーザ加工機等が使用されていたが、その場合、溶断表面より内部へ進行するに従って溶断面のピットによりレーザビームがさえぎられるため、溶断する 厚さに対し限度があり、溶断できる厚 ーザを使用したレーザ加工機等が使用されていたが、その場合、溶断表面より内部へ進行するに従って溶断面のピットによりレーザビームがさえぎられるため、溶断する 厚さに対し限度があり、溶断できる厚さが１０ｍｍ程度に限られてしまうという課題があった。 このような課題を解決するために、乙２５発明は、特許請求の範囲に記載された構成を備えることにより、石英ガラスなどの透明材料に吸収されない高エネルギービームを透明材料内部に焦点を結ばせて照射し、その内部に微 小なクラックを発生させ、その際に、照射位置を移動させて連続的なクラックを発生させることにより、透明材料についても複雑な形状での切断加工を可能にするという効果を実現するものであると認められる。 ⑵ 乙２５発明の構成ア前記⑴の認定事実及び弁論の全趣旨によれば、乙２５公報には、次のよう な構成が開示されていることが認められる。 ［構成２５ａ］：厚板の合成石英ガラスである加工対象物の内部に、連続的なクラックを形成するレーザ加工装置であって、［構成２５ｂ］：前記加工対象物が載置される載置台と、［構成２５ｃ］：レーザ光を出射するレーザ光源と、 ［構成２５ｄ］：前記載置台に載置された前記加工対象物の内部に、前記 レーザ光源から出射されたレーザ光を集光し、そのレーザ光の集光点の位置で微小なクラックを形成させるレンズと、［構成２５ｅ］：前記加工対象物の切断予定ラインに沿って切断予定ラインに沿って複数の前記微小なクラックを形成させ、前記連続的なクラックを形成するために、前記レーザ光の集光点を前 記加工対象物の内部に位置させた状態で、前記レーザ光の集光点が前記加工対象物の切断予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物を回 的なクラックを形成するために、前記レーザ光の集光点を前 記加工対象物の内部に位置させた状態で、前記レーザ光の集光点が前記加工対象物の切断予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物を回転させつつ、前記レンズを垂直方向に移動させる機能を有する処理部と、を備え、［構成２５ｆ］：前記加工対象物は厚板の合成石英ガラスである ［構成２５ｇ］：レーザ加工装置。 イ乙２５発明の認定の補足説明被告は、乙２５公報には、加工対象物の内部に「切断の起点となる改質領域」を形成する構成が開示されている旨主張する。 しかしながら、前記認定事実によれば、乙２５公報には、切断の機序につ き、「透明材料に連続的なクラックを発生させることによって透明材料を切断加工する。」（前記ア）、「微細なクラックが透明材料の内部に発生する。 これを連続させることによって透明材料を複雑な形状に切断加工できる。」（前記ア）という記載があることが認められるものの、それ以上に具体的な機序を開示するものではない。 そうすると、加工対象物の内部に形成された「微小なクラック」や「連続的なクラック」がどのように作用して切断されるのかは、明らかではないというほかなく、連続的なクラックが「切断の起点」となることまでを開示するものと認めることができない。 したがって、［構成２５ａ］については、上記アのとおり認定するのが相当 であり、被告の主張は、採用することができない。 ⑶ 一致点及び相違点上記⑵の認定事実及び弁論の全趣旨に照らせば、本件発明１と乙２５発明の一致点及び相違点は、次のとおりであることが認められる。 ア一致点本件発明１と乙２５発明は、「加工対象物の内部に、改質領域 実及び弁論の全趣旨に照らせば、本件発明１と乙２５発明の一致点及び相違点は、次のとおりであることが認められる。 ア一致点本件発明１と乙２５発明は、「加工対象物の内部に、改質領域を形成する レーザ加工装置であって、前記加工対象物が載置される載置台と、レーザ光を出射するレーザ光源と、前記載置台に載置された前記加工対象物の内部に、前記レーザ光源から出射されたレーザ光を集光し、そのレーザ光の集光点の位置で前記改質領域を形成させる集光用レンズと、レーザ光の集光点を前記加工対象物の内部に位置させた状態で、レーザ光の集光点が前記加工対象物 の切断予定ラインに沿って移動するように、集光点を移動させる機能を有する制御部と、を備えるレーザ加工装置」である。 イ相違点 相違点２５－①本件発明１では、加工対象物が「ウェハ状の」「シリコンウェハ」であ るのに対し、乙２５発明では、加工対象物が「厚板の合成石英ガラス」であること。 相違点２５－②本件発明１は、レーザ光の集光点を直線的に移動させるのに対し、乙２５発明では、加工対象物を回転させている点。 そして、本件発明１は、上記直線的に移動させるに当たり、「加工対象物のレーザ光入射面を基準として前記加工対象物の厚さ方向に第１移動量だけ前記集光用レンズを移動させ」、更に、「レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置するように、前記レーザ光入射面を基準として前記加工対象物の厚さ方向に第２移動量だけ前記集光用レンズを移動させ」、 レーザ光の集光点が前記切断予定ラインに沿って移動するように、加工対 象物の厚さ方向と直交する方向に前記載置台を移動させるのに対し、乙２５発明では、どのよう レンズを移動させ」、 レーザ光の集光点が前記切断予定ラインに沿って移動するように、加工対 象物の厚さ方向と直交する方向に前記載置台を移動させるのに対し、乙２５発明では、どのように調整、移動等しているのか明らかでない点。 相違点２５－③本件発明１では、加工対象物内部の「改質領域」が「切断の起点」となるのに対し、乙２５発明では、加工対象物内部の「改質領域」が「切断の 起点」となるか否かが明らかではない点。 ⑷ 容易想到性ア相違点２５－①について検討するに、前記認定事実によれば、乙２５発明は、石英ガラスなどの透明材料を加工対象物とすることを前提とするものであり、乙２５公報には、シリコンウェハを加工対象物とすることの記載も示 唆もないことが認められる。仮に、加工対象物をシリコンウェハに置き換えた場合にも、本件発明１の特許出願前に、石英ガラスの場合と同様の作用機序によって、シリコンウェハについても連続的なクラックが発生するとの知見があったことを認めるに足りる的確な証拠はない。そうすると、乙２５発明に接した当業者が、加工対象物をシリコンウェハに置き換える動機付けを 欠くものといえる。そもそも、前記認定に係る乙２５発明の技術的特徴によれば、乙２５発明は、炭酸ガスレーザを使用したレーザ加工機等が使用された場合、溶断表面より内部へ進行するに従って溶断面のピットによりレーザビームがさえぎられるため、溶断する厚さに対し限度があり、溶断できる厚さが１０ｍｍ程度に限られてしまうという課題を解決し、もって厚板であっ ても複雑な形状の切断加工を可能にするものである。しかも、前記認定事実によれば、乙２５発明は、透明材料の内部に微小なクラックを発生させるものであると認めるのが 課題を解決し、もって厚板であっ ても複雑な形状の切断加工を可能にするものである。しかも、前記認定事実によれば、乙２５発明は、透明材料の内部に微小なクラックを発生させるものであると認めるのが相当であるから、乙２５発明をシリコンウェハの加熱溶融に適用するには、技術分野の共通性を明らかに欠くものといえる。そうすると、乙２５発明に接した当業者において、技術分野も異なる上、上記課 題を有しないことが明らかである、厚さの極めて薄く複雑な形状の切断加工 を求められないシリコンウェハに厚板の合成石英ガラスを置き換えることにつき、動機付けが認められないことは明らかである。 イのみならず、相違点２５－②に係る本件発明１の構成についても、乙２５発明は、厚板であっても自由な切断加工を可能とするものであるから、一応直線状に加工する態様も含まれるといえるものの、相違点２５－②に係る本 件発明１のような動作を行うことにつき、記載も示唆も一切されていないのであるから、乙２５発明に接した当業者が相違点２５－②に係る本件発明１の構成を容易に想到できるものと認めることはできない。 ウこれに対し、被告は、レーザ加工によってシリコンウェハを切断することは周知慣用技術である旨主張するが、本件発明１の特許出願前に、石英ガラ スの場合と同様の作用機序によって、シリコンウェハについても連続的なクラックが発生するとの知見があったことを認めるに足りる的確な証拠はない。そもそも、乙２５発明に接した当業者が厚板の合成石英ガラスをシリコンウェハに置き換える動機付けを欠くことは、上記において説示したとおりであるから、被告の主張は、いずれにしても上記判断を左右するものとはい えない。 したがって、被告の主張は、採用することができない。 る動機付けを欠くことは、上記において説示したとおりであるから、被告の主張は、いずれにしても上記判断を左右するものとはい えない。 したがって、被告の主張は、採用することができない。 エ以上によれば、その余の点を判断するまでもなく、本件発明１は、当業者が乙２５発明に基づいて容易に発明をすることができたものとはいえない。 オその他に、被告の主張及び提出証拠を改めて検討しても、乙２５発明の技 術的課題及びその解決手段に照らし、被告の主張は、いずれも採用することができない。 21 争点３－６（乙３６発明に基づく進歩性の欠如）⑴ 乙３６発明の内容ア証拠（乙３６）及び弁論の全趣旨によれば、乙３６公報には、次のとおり の記載があることが認められる。 特許請求の範囲レーザ光源から出射したレーザビームを複数のレーザビームに分割する工程と、分割された複数のレーザビームを被加工部材の内部のある微小領域に集光することにより、前記被加工部材の集光部分を変質させてマーキングする工程とを有するマーキング方法（請求項１）。 複数のレーザビームを得る工程と、前記複数のレーザビームのうち一部のレーザビームを、表と裏とを有する板状部材に、その表側から入射させ、他のレーザビームを該板状部材に、その裏側から入射させ、該板状部材の内部のある微小領域に集光することにより、前記被加工部材の集光部分を変質させてマーキングする工程とを有するマーキング方法（請求項２）。 光軸に垂直な仮想平面上において、中心から遠ざかるに従って光強度が増大するような光強度分布を有するレーザビームを、被加工部材の内部に集光し、前記被加工部材の集光部分を変質させてマーキングするマー 光軸に垂直な仮想平面上において、中心から遠ざかるに従って光強度が増大するような光強度分布を有するレーザビームを、被加工部材の内部に集光し、前記被加工部材の集光部分を変質させてマーキングするマーキング方法（請求項３）。 光軸に垂直な断面形状が円環状になるようなレーザビームを、被加工部 材の内部に集光し、前記被加工部材の集光部分を変質させてマーキングするマーキング方法（請求項４）。 発明の詳細な説明ａ 発明の属する技術分野「本発明は、レーザを用いたマーキング方法及びマーキング装置に関 し、特に薄板状の被加工部材にマーキングを行うのに適したマーキング方法及びマーキング装置に関する。」（段落【０００１】）ｂ 従来の技術「レーザ光によるアブレーションを利用して、例えば透明ガラス基板等の被加工部材の表面にマーキングする方法が知られている。この方法 によると、被加工部材の表面に微細な割れが発生し、その破片が製造ラ インに混入する場合がある。また、マーキングされた位置の近傍に「デブリ」と称される付着物が堆積するため、この付着物を除去するための洗浄を行う必要がある。」（段落【０００２】）「被加工部材の表面に損傷を与えることなく、その内部にレーザ光を集光し、被加工部材の内部にマーキングを行う方法が、特開平３－１２ ４４８６号公報に開示されている。この方法によると、被加工部材の表面が損傷を受けないため、微細な割れの発生、及びデブリの付着を防止できる。」（段落【０００３】）ｃ 発明が解決しようとする課題「上述の特開平３－１２４４８６号公報に開示された方法によると、 被加工部材の表面から０．５～２．５ｍｍ程度の深さの位置にマーキングを行うことができる。 ）ｃ 発明が解決しようとする課題「上述の特開平３－１２４４８６号公報に開示された方法によると、 被加工部材の表面から０．５～２．５ｍｍ程度の深さの位置にマーキングを行うことができる。この方法を用いて、例えば厚さ１ｍｍ以下の薄板状の被加工部材にマーキングすると、内部に発生したクラックが表面まで到達する場合がある。表面まで達したクラックは、微細なパーティクル発生の原因になる。」（段落【０００４】） 「本発明の目的は、薄板状の被加工部材にマーキングする際にも、表面まで達するクラックの発生を抑制することができるマーキング方法及びマーキング装置を提供することである。」（段落【０００５】）ｄ 課題を解決するための手段「本発明の一観点によると、レーザ光源から出射したレーザビームを 複数のレーザビームに分割する工程と、分割された複数のレーザビームを被加工部材の内部のある微小領域に集光することにより、前記被加工部材の集光部分を変質させてマーキングする工程とを有するマーキング方法が提供される。」（段落【０００６】）「本発明の他の観点によると、複数のレーザビームを得る工程と、前 記複数のレーザビームのうち一部のレーザビームを、表と裏とを有する 板状部材に、その表側から入射させ、他のレーザビームを該板状部材に、その裏側から入射させ、該板状部材の内部のある微小領域に集光することにより、前記被加工部材の集光部分を変質させてマーキングする工程とを有するマーキング方法が提供される。」（段落【０００７】）「複数のレーザビームが集光された微小領域におけるレーザ光のエ ネルギ密度があるしきい値を超えると、被加工対象部材が変質し、微小領域にマーキングすることができる。１本のレーザビームを照射する場合に比べて、 ザビームが集光された微小領域におけるレーザ光のエ ネルギ密度があるしきい値を超えると、被加工対象部材が変質し、微小領域にマーキングすることができる。１本のレーザビームを照射する場合に比べて、しきい値を超えた領域を、より局在化させることが可能になる。」（段落【０００８】）ｅ 発明の実施の形態 「図１（Ａ）は、本発明の第１の実施例によるマーキング装置の動作原理を示す。」（段落【００２０】）「レーザ光源１から、１本のレーザビーム１１が出射 する。レーザビーム１１は、ビーム分割手段２に入射する。ビーム分割手段２は、レーザビーム１１を２つの部分ビーム１２Ａと１２Ｂと に分割する。分割された部分　【図１(A)】ビーム１２Ａと１２Ｂは、集光光学系３に入射する。なお、部分ビーム１２Ａと１２Ｂとの総エネルギの和が、レーザビーム１１のエネルギにほぼ等しくなり、エネルギロスの生じないように分割することが好ましい。」（段落【００２１】） 「集光光学系３に対向するように、保持台４が配置されている。保持 台４の上に被加工部材１０が載置される。集光光学系３は、部分ビーム１２Ａと１２Ｂとを、被加工部材１０の内部の微小領域１３に集光する。 微小領域１３及びその近傍においてレーザ光の密度が高くなる。このレーザ光の密度が、あるしきい値よりも高くなると、光学的非線型現象による吸収が起こると考えられる。この吸収に基づき、光学的損傷 (OpticalDamage)あるいは光学的絶縁破壊(OpticalBreakdown)が生じ、被加工部材１０の微小領域１３が変質し、外部から視認し得るようになる。このようにして、被加工部材１０の内部にマーキングすることができる。」（ 的絶縁破壊(OpticalBreakdown)が生じ、被加工部材１０の微小領域１３が変質し、外部から視認し得るようになる。このようにして、被加工部材１０の内部にマーキングすることができる。」（段落【００２２】）「微小領域１３から発生する光が、光検出器５により観測される。光 検出器５の観測結果が位置調節手段６に通知される。一般的に、被加工部材１０の表面でアブレーションが生ずると、その内部で光学的損傷あるいは光学的絶縁破壊が起きている場合に比べて、発光強度が大きくなる。位置調節手段６は、光検出器５から得られた発光強度情報に基づいて、被加工部材１０の表面でアブレーションが生じないように、集光光 学系３と保持台４とのレーザビームの光軸方向に関する相対位置を調節する。このようにして、被加工部材１０の表面に損傷を与えることなく、その内部にマーキングすることが可能になる。」（段落【００２３】）「また、ビーム分割手段２と集光光学系３とを被加工部材１０の表面に平行な面内で移動させることにより、面内の所望の位置にマーキング することができる。」（段落【００２４】）「また、２本の部分ビーム１２Ａと１２Ｂとに分割して微小領域１３に集光するため、１本のレーザビーム１１をそのまま集光する場合に比べて、被加工部材１０の深さ方向に関するレーザ光の密度を、より微小な領域に集中させることができる。このため、変質する領域の深さ方向 の長さを短くすることができ、変質領域が被加工部材１０の表面まで達 することを抑制することが可能になる。」（段落【００２５】）「被加工部材１０の深さ方向に関して、より微小な領域にレーザビームを集光させるためには、集光光学系３の対物レンズとして、なるべく開口数の大きなレンズを用いることが好 になる。」（段落【００２５】）「被加工部材１０の深さ方向に関して、より微小な領域にレーザビームを集光させるためには、集光光学系３の対物レンズとして、なるべく開口数の大きなレンズを用いることが好ましい。」（段落【００２６】）「なお、使用するレーザ光としては、被加工部材１０との組み合わせ により適当なものを選択する。例えば、石英ガラスにマーキングする場合には、石英ガラスに対して透明な波長領域、すなわち赤外線領域、可視光線領域、もしくは紫外線領域の波長を有するレーザ光を使用することができる。また、一般的な板ガラスにマーキングする場合には、板ガラスに対して透明な波長領域、すなわち赤外線領域もしくは可視光線領 域の波長を有するレーザ光を使用することができる。また、ガラス以外にも、例えばシリコン基板等にマーキングしたい場合には、シリコン基板に対して透明な波長領域のレーザ光を用いればよい。」（段落【００２７】）「レーザビーム１１をそのまま集光すると、光軸方向に関して比較的 長い領域において、その光軸近傍の光強度がしきい値を超える。一方、レーザビーム２１のように、その光軸近傍において光強度の弱いビームを集光する場合には、光軸方向に関してより短い領域でのみしきい値を超えるように制御することが容易になる。」（段落【００３９】）「このため、被加工部材１０の厚さ方向に関して、より短い領域にの みマーキングすることができ、クラックの表面への到達を抑制することが可能になる。」（段落【００４０】）ｆ 発明の効果「以上説明したように、本発明によれば、被加工部材の内部に局所的にマーキングすることができる。マーキングによるクラックの発生が表 面まで到達しないようにできるため、被加工部材の破片等 「以上説明したように、本発明によれば、被加工部材の内部に局所的にマーキングすることができる。マーキングによるクラックの発生が表 面まで到達しないようにできるため、被加工部材の破片等が原因となる ゴミの発生を抑制することができる。」（段落【００７１】）イ乙３６発明の技術的特徴上記アの記載内容によれば、乙３６発明は、レーザを用いたマーキング方法及びマーキング装置に関するものであり、薄板状の被加工部材に加工する場合であっても、内部に発生したクラックが表面まで到達することを抑制す るための方法・装置を提供することを課題とするものである。 このような課題を解決するために、乙３６発明は、各請求項記載の構成を備えることによって、レーザビームを複数のレーザービームに分割した上、それらの分割された複数のレーザービームを被加工部材の内部にある微少領域に集光することにより、被加工部材の内部に局所的にマーキングするこ とができるという効果を実現するものであると認められる。 ⑵ 乙３６発明の構成ア前記⑴の認定事実及び弁論の全趣旨によれば、乙３６公報には、次のような構成が開示されていることが認められる。 ［構成３６ａ］：シリコン基板である加工対象物の内部に、マーキングと なる光学的損傷を形成するレーザ加工装置であって、［構成３６ｂ］：前記加工対象物が載置される保持台と、［構成３６ｃ］：レーザ光を出射するレーザ光源と、［構成３６ｄ］：前記保持台に載置された前記加工対象物の内部に、前記レーザ光源から出射され、ビーム分割手段により分割されたパル スレーザ光を集光し、そのレーザ光の集光点の位置で光学的損傷を形成させる集光光学系と、［構成 た前記加工対象物の内部に、前記レーザ光源から出射され、ビーム分割手段により分割されたパル スレーザ光を集光し、そのレーザ光の集光点の位置で光学的損傷を形成させる集光光学系と、［構成３６ｅ］：レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置するように、光検出器から得られた発光強度情報に基づいて、前記集光光学系と前記保持台とのレーザビームの光軸方向に関する相 対位置を調整し、レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に 位置した状態で、レーザ光の集光点が前記加工対象物の前記マーキング予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物の厚さ方向と直交する方向に前記保持台を移動させる機能を有する制御部と、を備え、［構成３６ｆ］：前記加工対象物はシリコン基板である ［構成３６ｇ］：レーザ加工装置。 イ乙３６発明の認定の補足説明被告は、［構成３６ｄ］に関し、乙３６発明には、集光点の位置で「微小亀裂」を形成する構成が開示されている旨主張する。 そこで検討するに、前記認定事実によれば、乙３６公報の特許請求の範囲 には、「被加工部材の集光部分を変質させてマーキングする工程」と記載されるにとどまり、上記にいう変質によって「微小亀裂」を形成する旨の記載は存在しない。 そして、乙３６公報には、「被加工部材の集光部分を変質させてマーキングする」（段落【０００６】）、「複数のレーザビームが集光された微小領 域におけるレーザ光のエネルギ密度があるしきい値を超えると、被加工対象部材が変質し、微小領域にマーキングすることができる」（段落【０００８】）、「微小領域１３及びその近傍においてレーザ光の密度が高くなる。このレーザ光の密度が、あるしきい値よりも高くなると、光学的非線型現象に し、微小領域にマーキングすることができる」（段落【０００８】）、「微小領域１３及びその近傍においてレーザ光の密度が高くなる。このレーザ光の密度が、あるしきい値よりも高くなると、光学的非線型現象による吸収が起こると考えられる。この吸収に基づき、光学的損傷(OpticalDamage) あるいは光学的絶縁破壊(OpticalBreakdown) が生じ、被加工部材１０の微小領域１３が変質し、外部から視認し得るようになる。このようにして、被加工部材１０の内部にマーキングすることができる。」（段落【００２２】）という記載があることが認められる。これらの記載によれば、被加工部材の内部の微小領域にレーザビームが集光されることで、被加工部材に光学的損 傷又は光学的絶縁破壊が生じる結果、当該微小領域が変質し、当該微小領域 にマーキングがされることが認められる。 さらに、乙３６公報には、「このため、被加工部材１０の厚さ方向に関して、より短い領域にのみマーキングすることができ、クラックの表面への到達を抑制することが可能になる。」（段落【００４０】）との記載や、「マーキングによるクラックの発生が表面まで到達しないようにできるため、被 加工部材の破片等が原因となるゴミの発生を抑制することができる。」(段落【００７１】)との記載があるところ、これらの記載によれば、マーキングの加工過程においてクラックが生じることが認められるものの、それ以上に、マーキング自体がクラックにより形成されるものとはいえない。 その他に、乙３６公報には、上記微小領域に「微小亀裂」を形成し又はこ れが生じることを前提とするような記載は存在しない。 そうすると、乙３６発明において、レーザ光の集光点の位置で「微小亀裂」を形成する構成が開示さ は、上記微小領域に「微小亀裂」を形成し又はこ れが生じることを前提とするような記載は存在しない。 そうすると、乙３６発明において、レーザ光の集光点の位置で「微小亀裂」を形成する構成が開示されているということはできない。 したがって、被告の主張は、採用することができない。 ⑶ 一致点及び相違点 上記認定事実及び弁論の全趣旨によれば、本件発明１と乙３６発明の一致点及び相違点は、次のとおりであることが認められる。 ア一致点本件発明１と乙３６発明は、「ウェハ状の加工対象物の内部に、加工領域を形成するレーザ加工装置であって、前記加工対象物が載置される載置台と、 レーザ光を出射するレーザ光源と、前記載置台に載置された前記加工対象物の内部に、前記レーザ光源から出射されたレーザ光を集光し、そのレーザ光の集光点の位置で前記改質領域を形成させる集光用レンズと、レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置した状態で、レーザ光の集光点が前記加工対象物の予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物の厚さ方向 と直交する方向に前記載置台を移動させる機能を有する制御部と、を備え、 前記加工対象物はシリコンウェハであることを特徴とするレーザ加工装置」である点において一致する。 イ相違点相違点３６－①本件発明１のレーザ加工装置は、加工対象物の内部に、「切断の起点と なる改質領域を形成する」ものであるのに対し、乙３６発明のレーザ加工装置は、加工対象物の内部に「マーキングとなる光学的損傷を形成する」ものである点。 相違点３６－②本件発明１は、「加工対象物のレーザ光入射面を基準として前記加工対 象物の厚さ方向に第１移動量だけ前記集光用レンズを移動させ」るのに対 形成する」ものである点。 相違点３６－②本件発明１は、「加工対象物のレーザ光入射面を基準として前記加工対 象物の厚さ方向に第１移動量だけ前記集光用レンズを移動させ」るのに対し、乙３６発明では、どのように調整しているのか明らかではない点。 相違点３６－③本件発明１の「制御部」は、載置台を移動させた後、更に「レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置するように、前記レーザ光入射面を 基準として前記加工対象物の厚さ方向に第２移動量だけ前記集光用レンズを移動させ、レーザ光の集光点が前記切断予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物の厚さ方向と直交する方向に前記載置台を移動させる機能」を有するのに対し、乙３６発明の制御部は、そのような機能を有しない点。 相違点３６－④本件発明１は、加工対象物が「シリコンウェハ」であるのに対し、乙３６発明では、加工対象物がシリコン基板である点。 ウ相違点についての補足説明被告は、本件発明１では「改質領域」は多光子吸収によって形成された領 域であるのに対し、乙３６発明では改質領域がどのように形成され、どのよ うな形状であるのか不明である点も相違点である旨主張するものの、同主張が採用できないことは、前記争点３－１（前記１６⑶ウ）において説示したところと同様である。 ⑷ 容易想到性ア前記(1)イの乙３６発明の技術的特徴によれば、乙３６発明の課題は、薄 板状の被加工部材にレーザを用いたマーキングを加工する場合に、被加工部材の内部に光学的損傷を生じさせることでマーキングを形成しつつ、その際に被加工部材の内部に生じたクラックが表面まで到達することを抑制するための方法 レーザを用いたマーキングを加工する場合に、被加工部材の内部に光学的損傷を生じさせることでマーキングを形成しつつ、その際に被加工部材の内部に生じたクラックが表面まで到達することを抑制するための方法・装置を提供することにあることが認められる。そうすると、乙３６発明において「切断の起点となる改質領域を形成」し、内部に発生した クラックを加工対象物の表面に到達させることは、クラックが表面まで到達することを抑制するという乙３６発明の課題を解決することができなくなる。そうすると、乙３６発明において、飽くまで「マーキング」のためにすぎない「光学的損傷」を、加工対象物の「切断の起点」とする構成に置換することには、明らかに阻害要因があるというべきである。 イ以上によれば、その余の点を判断するまでもなく、本件発明１は、当業者が乙３６発明に基づいて容易に発明をすることができたものとは認められず、被告の主張は、採用することができない。 ウその他に、被告の主張及び提出証拠を改めて検討しても、被告の主張は、乙３６発明の技術的課題を正解するものとはいえず、いずれも採用すること ができない。 22 争点３－７（乙３７に基づく進歩性の欠如）⑴ 乙３７発明の内容ア証拠（乙３７）及び弁論の全趣旨によれば、乙３７公報には、次のとおりの記載があることが認められる。 特許請求の範囲 【請求項１】レーザ光に対し実質的に透明な物質に対しマテリアルプロセシングを行う方法であって、前記レーザ光のパルスを前記物質の内部に集光させ、前記パルスは当該物質に光学的破壊を生じさせるようなものであるという工程と、前記レーザー光の前記パルスの集光点を、予め定められた経路に従っ て前記物質に 光のパルスを前記物質の内部に集光させ、前記パルスは当該物質に光学的破壊を生じさせるようなものであるという工程と、前記レーザー光の前記パルスの集光点を、予め定められた経路に従っ て前記物質に対し相対的に移動させる工程から構成される方法【請求項２】前記マテリアルプロセシングは穿孔プロセスである、前記請求項１に記載の方法【請求項３】前記マテリアルプロセシングはマーキングプロセスである、前記請求項１に記載の方法 【請求項４】前記マテリアルプロセシングは切断プロセスである、請求項１に記載の方法。 発明の背景「出願人が知る限りでは、マーキングやイメージ形成技術とは対照的に、切断や穿孔といった産業への応用に用いられている真のマテリアルプロ セシング技術において、内部光学破壊を用いることを記載した先行技術はない。ここでいう「マテリアルプロセシング」という用語の定義は、産業用レーザの用語法（溶接も含む。）において通常用いられており、本特許出願の全体にわたって前提とされている。したがって、適当な物質における、光学的な内部破壊現象を、産業その他へ応用するために、新しい方法 が深刻に求められている。」（３頁１１行～１８行） 発明の概要「本発明は、光学的に透明な物質の内部光学破壊現象を用いた、マテリアルプロセシングの新しい方法を提供する。この現象は、オーダー（桁）が10 ピコ秒又はより短い、超短パルスを出射するレーザからのビームの 焦点が、高品質の対物レンズを用いて、加工される物質の内部に合わせら れ、その結果、レーザ波長の回折限界に近い焦点スポットが、物質内で得られたときに起こる。そのように短く高いピーク強度のパルスは、例えば時間方向 を用いて、加工される物質の内部に合わせら れ、その結果、レーザ波長の回折限界に近い焦点スポットが、物質内で得られたときに起こる。そのように短く高いピーク強度のパルスは、例えば時間方向に圧縮された後方誘導ブリユアン散乱（SBS）Nd:YAG レーザで得られる。オーダー（桁）が1013 watts/cm2のように高いパワー密度では、パワーに対する線形応答の透過限界が物質内で超えられて、物質がレーザ 光を強く吸収するため、物質は光学破壊を受ける。パワー強度が著しく高いため、物質の原子および分子の結合は分断され、物質はほぼ瞬時に、その最も基礎的な要素に、一般には非常にイオン化された構成原子に分解する。」（３頁下６行～４頁１０行）「本発明のまた別の好適な実施例によれば、さらに透明な物質の超微細 切断のための方法が提供される。この方法は、上で挙げた穿孔の実施例に記述された方法に類似してよいが、互いに緊密に離間した複数の孔を穿孔することで、連続的な切れ目の溝を形成する、さらなるステップを含む。」（６頁下７行～下３行）「別のやり方として、好ましくは、集光されたレーザビームが作られて、 切断する材料を多数回横断する。最初の横断は材料の表面で行われる。そして、集光されたレーザビームは、少しずつ材料内部へと降りて、鋸運動を行う。その結果、完全に切れた溝ができる。所望であれば、この溝は、まっすぐ厚さ方向に延長して材料を貫通することも可能である。」（６頁下２行～７頁３行） 「本発明のまた別の好適な実施例によれば、レーザ光に対して実質的に透明な物質にマテリアルプロセシングを行う方法が提供される。この方法は、レーザ光の複数のパルス（この複数のパルスは、物質が光学破壊を受 本発明のまた別の好適な実施例によれば、レーザ光に対して実質的に透明な物質にマテリアルプロセシングを行う方法が提供される。この方法は、レーザ光の複数のパルス（この複数のパルスは、物質が光学破壊を受けるようなものである）の焦点を、物質の内部に合わせるステップと、レーザ光の複数のパルスの焦点を、予め決められた経路に沿って物質に対し 相対移動させるステップと、を含む。」（７頁４行～１０行） 「本発明のまた別の好適な実施例によれば、上述の方法において、物質がガラス、プラスチック、宝石、または半導体であるような方法が提供される。」（７頁２１行～２３行）「本発明のまた別の好適な実施例によれば、上述の方法において、レーザ光の複数のパルスの焦点の、予め決められた経路に沿った物質に対する 相対移動が、レーザ光の複数のパルスの出射と、予め決められたやり方で同期される。」（７頁下１行～８頁４行） 好適な実施形態の説明「本発明の別の好適な実施例によれば、可視光に対しては不透明であるが、近赤外においては透明な物質の内部に、近赤外線を用いることで読み 取ることのできる、非常に高い解像度を持った識別マークを用いてマークする方法が記述される。この方法は、先の実施形態の方法において記述したような超短パルス幅レーザをマークされるべき試料に集光する工程と、これに引き続く、試料とレーザービームをレーザーパルスレートに合わせて移動させ、所望のマークを形成するステップから構成される。」（１２ 頁１８行～２６行）「この方法は特に半導体産業で有用である。半導体産業では、シリコンやヒ化ガリウムのウェハに、非常に高分解能の識別マークを付し、かつ、このマークを、ウェハ表面には付さないこと １８行～２６行）「この方法は特に半導体産業で有用である。半導体産業では、シリコンやヒ化ガリウムのウェハに、非常に高分解能の識別マークを付し、かつ、このマークを、ウェハ表面には付さないことが必要である。ウェハ表面だと、表面にマークするプロセスが、多くのウェハプロセス段階で要求され る清浄度のレベルにとって有害となるからである。」（１２頁下４行～１３頁１行）「およそ1.1μm からほぼ5μm の波長まで実質的に透明なシリコンの場合、波長1.9μm でパルスを出射するレーザが、この実施例の方法を実装するには適している。」（１３頁１０行～１３行） 「本発明のまた別の好適な実施例によるさらなる方法は、内部光学破壊 効果を用いて、極めて平行な複数の超微細孔を、逆向きに穿孔する手順によって、透明物質試料に穿孔する方法である。この方法は、まず上述の第一の好適な実施例に記述したような超短パルス幅レーザの焦点を、穿孔される試料の、遠い方の表面より内側に合わせるステップ、及び所定数のパルスを打つステップからなる。（・・）次のステップでは、焦点の位置が、 物質によるが、0.1 - 10μm の距離だけ後方に移動され、次の一連のパルスが打たれる。これによりボイドが、既に存在するボイドと結合されるように拡張される。」（１３頁１３行～１９行）イ乙３７発明の技術的特徴上記アの記載によれば、乙３７発明は、光学的に透明な物質の内部光学破 壊現象を用いた「マテリアルプロシング」の新しい方法を提供するものであり、上記にいう内部光学破壊現象は、オーダー（桁）が１０ピコ秒又はより短い、超短パルスを出射するレーザからのビームの焦点が、対物レンズを用いて、加工される物質の内部に合わせられ、その 供するものであり、上記にいう内部光学破壊現象は、オーダー（桁）が１０ピコ秒又はより短い、超短パルスを出射するレーザからのビームの焦点が、対物レンズを用いて、加工される物質の内部に合わせられ、その結果、レーザ波長の回折限界に近い焦点スポットが、物質内で得られたときに起こるものである。そし て、乙３７発明は、このマテリアルプロセシングの方法として、穿孔プロセス、マーキングプロセス及び切断プロセス等を請求項として記載している。 ⑵ 乙３７発明の構成ア前記⑴の認定事実及び弁論の全趣旨によれば、乙３７公報には、次のような構成が開示されていることが認められる。 ［構成３７ａ］：ウェハ状の加工対象物の内部に光学破壊群を形成するレーザ加工装置であって、［構成３７ｂ］：前記加工対象物はレーザ光に対して、相対移動可能であり、［構成３７ｃ］：レーザ光を出射するレーザ光源と ［構成３７ｄ］：前記加工対象物の内部に、前記レーザ光源から出射され たパルスレーザ光を集光し、そのレーザ光の集光点の位置で前記光学破壊群を形成させる対物レンズと、［構成３７ｅ］：レーザ光の集光点が前記加工対象物に対して鋸運動するように制御する制御部と、を備え、［構成３７ｆ］：前記加工対象物はシリコンウェハである ［構成３７ｇ］：レーザ加工装置。 イ乙３７発明の認定についての補足説明被告は、［構成３７ａ］につき、加工対象物の内部に形成する光学的破壊群が「切断の起点となる」ものであることが開示されている旨主張する。 しかしながら、前記⑴の認定事実によれば、乙３７公報には、光学的に透 明な物質の内部光学破壊現象を用 る光学的破壊群が「切断の起点となる」ものであることが開示されている旨主張する。 しかしながら、前記⑴の認定事実によれば、乙３７公報には、光学的に透 明な物質の内部光学破壊現象を用いた「マテリアルプロセシング」に関する複数の発明が開示されているところ、そのうち、マーキングによるマテリアルプロセシングは、試料の内部に高解像度のマーキングを行うというものであるから、加工の対象物に「切断の起点」を設けるものであるということはできない。 もっとも、乙３７公報には、切断によるマテリアルプロセシングも開示されているものの、そこに記載された切断方法は、集光されたレーザビームを加工対象物において多数回横断させるというものであり、まず、材料の表面にレーザービームを横断させることにより、溝を生じさせた上で、その後も、レーザービームの横断を繰り返すことで、鋸運動によって当該溝を次第に深 くしていき、最終的に当該加工対象物を切断するというプロセスを経るところ、このような方法をもって、加工対象物の内部に切断の起点を設けるものということはできない。 さらに、乙３７公報には、穿孔によるマテリアルプロセシングについても記載されているものの、そこに記載されている内容は、超短パルス幅レーザ の焦点を、加工対象物の遠い方の表面から近い方の表面まで移動させ、超微 細孔により穿孔するというものであり、これは、レーザ加工により生じた超微細孔を連続的に結合させることにより、穿孔する仕組みであることからすれば、この方法についても、加工対象物の内部に切断の起点を設けるものということはできないそうすると、乙３７公報には、加工対象物の内部に「切断の起点となる光 学破壊群を形成する」ことが開示されているものと認めることは 、加工対象物の内部に切断の起点を設けるものということはできないそうすると、乙３７公報には、加工対象物の内部に「切断の起点となる光 学破壊群を形成する」ことが開示されているものと認めることはできない。 したがって、被告の主張は、採用することができない。 ⑶ 一致点及び相違点上記⑵の認定事実及び弁論の全趣旨によれば、本件発明１と乙３７発明の一致点及び相違点は、次のとおりであることが認められる。 ア一致点本件発明１及び乙３７発明は、「ウェハ状の加工対象物の内部に、改質領域を形成するレーザ加工装置であって、レーザ光を出射するレーザ光源と、前記加工対象物の内部に、前記レーザ光源から出射されたパルスレーザ光を集光し、そのレーザ光の集光点の位置で前記改質領域を形成させる集光用レ ンズと、制御部と、を備えるレーザ加工装置」である点において一致する。 イ相違点 相違点３７－①本件発明１のレーザ加工装置は、加工対象物である「シリコンウェハの内部に、切断の起点となる改質領域を形成する」ものであるのに対し、乙 ３７発明において加工対象物に形成される光学的破壊群は、切断の起点となるものではない点。 相違点３７－②本件発明１は、「加工対象物が載置される載置台」を備えるのに対し、乙３７発明では、そのような構成を備えるか明らかではない点。 相違点３７－③ 本件発明１は、制御部が「レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置するように、前記加工対象物のレーザ光入射面を基準として前記加工対象物の厚さ方向に第１移動量だけ前記集光用レンズを移動させ、レーザ光の集光点が前記加工対象物の切断予定ラインに沿っ 対象物の内部に位置するように、前記加工対象物のレーザ光入射面を基準として前記加工対象物の厚さ方向に第１移動量だけ前記集光用レンズを移動させ、レーザ光の集光点が前記加工対象物の切断予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物の厚さ方向と直交する方向に前記載置台を移動させた後、 レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置するように、前記レーザ光入射面を基準として前記加工対象物の厚さ方向に第２移動量だけ前記集光用レンズを移動させ、レーザ光の集光点が前記切断予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物の厚さ方向と直交する方向に前記載置台を移動させる機能を有する」のに対し、乙３７発明は、制御部が、レー ザ光の集光点が前記加工対象物に対して鋸運動するように制御する点。 ⑷ 容易想到性ア相違点３７－① 上記のとおり、本件発明１と乙３７発明には相違点３７－①が認められるところ、この相違点３７－①に係る構成の容易想到性につき、被告は具 体的に主張、立証するものではない。そうすると、その余の点を判断するまでもなく、本件発明１は、乙３７発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 念のため更に検討するに、乙３７発明は、光学的に透明な物質の内部光学破壊現象を用いたマテリアルプロセシングに関する複数の発明が開示 されており、そのうち、「切断」及び「穿孔」の方法によるものは、加工対象物の切断に関するものである。 しかしながら、その具体的な方法として乙３７公報に開示されているのは、レーザーにより加工対象物の表面に生じさせた溝を、鋸運動によって次第に深くしていくという方法（切断）や、レーザー加工により生じた超 微細孔を連続的に結合させることによ 報に開示されているのは、レーザーにより加工対象物の表面に生じさせた溝を、鋸運動によって次第に深くしていくという方法（切断）や、レーザー加工により生じた超 微細孔を連続的に結合させることにより、加工対象物の遠い方の表面から 近い方の表面までを超微細孔により穿孔するという方法（穿孔）であり、いずれも、レーザー加工により加工対象物の表面から裏面まで貫通する溝又は孔を形成することにより、加工対象物の切断を実現するものであることが認められる。 そうすると、乙３７発明は、材料の内部に切断の起点となる改質領域を 形成するものではなく、完全な切断溝を形成することで材料を切断するものであることからすると、乙３７発明がそれ自体で切断を完成させるものである以上、その他の切断の構成を適用する動機付けを欠くものといえる。 この点につき、被告は、乙２５発明を適用することができる旨主張するものの、上記のとおり動機付けを欠く上、乙３７発明にいう切断溝を、乙 ２５発明にいう連続的なクラックに置き換えたとしても、これが切断の起点となるには加工対象物等に応じた条件設定が必要となるから、そもそも加工対象物やクラックの形状が異なる乙２５発明を適用しても、相違点３７－①に係る本件発明１の構成（切断の起点）に容易に至るものとはいえない。 イ以上によれば、その余の点を判断するまでもなく、本件発明１は、当業者が乙３７発明に基づいて容易に発明をすることができたものとは認められず、被告の主張は、採用することができない。 ウその他に、被告の主張及び提出証拠を改めて検討しても、被告の主張は、乙３７発明の技術的特徴等に照らし、いずれも採用することができない。 23 争点３－８（乙１２０に基づく進歩性の欠如） の他に、被告の主張及び提出証拠を改めて検討しても、被告の主張は、乙３７発明の技術的特徴等に照らし、いずれも採用することができない。 23 争点３－８（乙１２０に基づく進歩性の欠如）⑴ 乙１２０発明の内容ア証拠（乙１２０）及び弁論の全趣旨によれば、乙１２０公報には、次のとおりの記載があることが認められる。 特許請求の範囲 【請求項１】基板(101)上に窒化物半導体(102)が形成された半導体ウエ ハー(100)を窒化物半導体素子(110)に分割する窒化物半導体素子の製造方法であって、前記半導体ウエハー(100)は第１及び第２の主面を有し少なくとも該第１の主面側及び／又は第２の主面側の基板(101)に溝部(103)を形成する工程と、該溝部(103)にブレイク・ライン(104)をレーザー照射により形成する工程と、前記ブレイク・ライン(104)に沿って半導 体ウエハーを分離する工程とを有することを特徴とする窒化物半導体素子の製造方法。 【請求項２】前記第１の主面(121)は基板(101)上の一方にのみ窒化物半導体が形成された半導体ウエハー(100)の窒化物半導体積層側であり、前記第２の主面(111)は半導体ウエハーを介して対向する基板露出面側であ る請求項１記載に記載された窒化物半導体素子の製造方法。 【請求項３】前記ブレイク・ラインは基板(101)の溝部底面に形成された凹部(104)である請求項１に記載された窒化物半導体素子の製造方法。 【請求項４】前記ブレイク・ラインは基板(201)内部に形成された加工変質部(204)である請求項１に記載された窒化物半導体素子の製造方法。 発明の詳細な説明ａ 発明の属する技術分野 ク・ラインは基板(201)内部に形成された加工変質部(204)である請求項１に記載された窒化物半導体素子の製造方法。 発明の詳細な説明ａ 発明の属する技術分野「本発明は紫外域から橙色まで発光可能な発光ダイオードやレーザーダイオード、さらには高温においても駆動可能な３-５族半導体素子の製造方法に係わり、特に、基板上に窒化物半導体積層された半導体ウエ ハーから窒化物半導体素子を分割する製造方法に関する。」（段落【０００１】）ｂ 従来技術「今日、高エネルギーバンドギャップを有する窒化物半導体（ＩｎXＧａYＡｌ1-X-YＮ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）を利用した半導体素子が 種々開発されつつある。窒化物半導体を利用したデバイス例として、青 色、緑色や紫外がそれぞれ発光可能な発光ダイオードや青紫光が発光可能な半導体レーザが報告されている。さらには高温においても安定駆動可能かつ機械的強度が高い各種半導体素子などが挙げられる。」（段落【０００２】）「通常、赤色、橙色、黄色などが発光可能なＬＥＤチップなどの半導 体素子として利用されるＧａＡｓ、ＧａＰやＩｎＧａＡｌＡｓなどの半導体材料が積層された半導体ウエハーの場合は、半導体ウエハーからダイサーやダイヤモンドスクライバーによりチップ状に切り出され形成される。ダイサーとは刃先をダイヤモンドとする円盤の回転運動により半導体ウエハーをフルカットするか、又は刃先巾よりも広い巾の溝を切 り込んだ後（ハーフカット）、外力によりカットする装置である。一方、ダイヤモンドスクライバーとは同じく先端をダイヤモンドとする針により半導体ウエハーに極めて細い線（スクライブ・ライン）を例えば碁盤目状に引いた後、外力に ト）、外力によりカットする装置である。一方、ダイヤモンドスクライバーとは同じく先端をダイヤモンドとする針により半導体ウエハーに極めて細い線（スクライブ・ライン）を例えば碁盤目状に引いた後、外力によってカットする装置である。ＧａＰやＧａＡｓ等のせん亜鉛構造の結晶は、へき開性が「１１０」方向にある。そ のため、この性質を利用してＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＰなどの半導体ウエハーを比較的簡単に所望形状に分離することができる。」（段落【０００３】）「しかしながら、窒化物半導体を利用した半導体素子は、ＧａＰ、ＧａＡｌＡｓやＧａＡｓ半導体基板上に形成させたＧａＡｓＰ、ＧａＰや ＩｎＧａＡｌＡｓなどの半導体素子とは異なり単結晶を形成させることが難しい。結晶性の良い窒化物半導体の単結晶膜を得るためには、ＭＯＣＶＤ法やＨＤＶＰＥ法などを用いサファイアやスピネル基板など上にバッファーを介して形成させることが行われている。そのため、サファイア基板などの上に形成された窒化物半導体層ごと所望の大きさ に切断分離することによりＬＥＤチップなど半導体素子を形成させな ければならない。」（段落【０００４】）「サファイアやスピネルなどに積層される窒化物半導体はヘテロエピ構造である。窒化物半導体はサファイア基板などとは格子定数不整が大きく熱膨張率も異なる。また、サファイア基板は六方晶系という結晶構造を有しており、その性質上へき開性を有していない。さらに、サフ ァイア、窒化物半導体ともモース硬度がほぼ９と非常に硬い物質である。」（段落【０００５】）「したがって、ダイヤモンドスクライバーのみで切断することは困難であった。また、ダイサーでフルカットすると、その切断面にクラック、チッピングが発生しやすく綺麗に切断できなかった。 落【０００５】）「したがって、ダイヤモンドスクライバーのみで切断することは困難であった。また、ダイサーでフルカットすると、その切断面にクラック、チッピングが発生しやすく綺麗に切断できなかった。また、場合によっ ては基板から窒化物半導体層が部分的に剥離する場合があった。」（段落【０００６】）「そのため窒化物半導体ウエハーは所望のチップごとに分割する方法として特開平８－２７４３７１号などに記載されているようにダイヤモンドスクライバーやダイサーを組み合わせて使用する方法が考え られている。具体的一例として、図５（Ａ）から図５（Ｄ）に窒化物半導体素子を製造する工程を示す。図５（Ａ）は、サファイア基板５０１上に窒化物半導体５０２が形成された半導体ウエハー５００を示す。図５（Ｂ）はサファイア基板５０１の下面側から窒化物半導体５０２に達しない深さでダイサー（不示図）による溝部５０３を形成する工程を示 す。図５（Ｃ）は、溝部にダイヤモンドスクライバーでスクライブ・ライン５０４を形成する工程を示す。図５（Ｄ）は、スクライブ工程の後、半導体ウエハー５００をチップ状５１０に分離する分離工程を示してある。これにより、切断面のクラック、チッピングが発生することなく比較的綺麗に切断することができるとされている。」（段落【０００７】） ｃ 発明が解決しようとする課題 「しかしながら、あらかじめダイサーなどで半導体ウエハー５００の厚みを部分的に薄くさせた溝部５０３を形成し、溝部５０３にダイヤモンドスクライバーでスクライブ・ライン５０４を形成させる場合、ダイヤモンドスクライバーの刃先が溝部５０３の底に接触しなければならない。」（段落【０００８】） 「即ち、通常ダイサーの円盤幅よりもダイヤモンドスク スクライブ・ライン５０４を形成させる場合、ダイヤモンドスクライバーの刃先が溝部５０３の底に接触しなければならない。」（段落【０００８】） 「即ち、通常ダイサーの円盤幅よりもダイヤモンドスクライバーの刃先の方が大きい。そのため図６の如く、ダイヤモンドスクライバーの刃先６０１が半導体ウエハー５００に形成された溝部５０３の底面に届かない場合がある。この状態でスクライバーを駆動させると半導体ウエハーの平面では図７の如き、所望のスクライブ・ライン７０３が形成さ れず歪んだスクライブ・ライン７０４が形成される傾向にある。これらを防止する目的でダイヤモンドスクライバーの刃先が溝部５０３の底に接触するためにはダイサーで形成した溝部５０３の幅を広くする必要がある。溝部５０３が広くなると半導体ウエハーからの半導体素子の採り数が減少する。」（段落【０００９】） 「他方、溝の幅を狭くした場合は刃先が溝の底に接触させるために溝部５０３の深さを浅くする必要がある。溝部５０３を浅くすると半導体ウエハーの分離部の厚みが厚くなり半導体ウエハーを正確に分離することが困難になる傾向がある。したがって、何れも正確により小さい窒化物半導体素子を形成することができないという問題があった。」（段 落【００１０】）「より小さい窒化物半導体素子を正確に量産性よく形成させることが望まれる今日においては上記切断方法においては十分ではなく、優れた窒化物半導体素子の製造方法が求められている。窒化物半導体の結晶性を損傷することなく半導体ウエハーを正確にチップ状に分離するこ とができれば、半導体素子の電気特性等を向上させることができる。し かも、１枚の半導体ウエハーから多くの半導体素子を得ることができるため生産性をも向上させられる。」（段落 するこ とができれば、半導体素子の電気特性等を向上させることができる。し かも、１枚の半導体ウエハーから多くの半導体素子を得ることができるため生産性をも向上させられる。」（段落【００１１】）「したがって、本発明は窒化物半導体ウエハーをより小さいチップ状に分割するに際し、切断面のクラック、チッピングの発生をより少なくする。また、窒化物半導体の結晶性を損なうことなく、かつ歩留りよく 所望の形、サイズに分離された窒化物半導体素子を量産性良く形成することができる製造方法を提供することを目的とする。」（段落【００１２】）ｄ 課題を解決するための手段「本発明は、基板１０１上に窒化物半導体１０２が形成された半導体 ウエハー１００を窒化物半導体素子１１０に分割する窒化物半導体素子の製造方法である。特に、半導体ウエハー１００は第１及び第２の主面を有し少なくとも第１の主面側及び／又は第２の主面側の基板１０１に溝部１０３を形成する工程と、溝部１０３にブレイク・ライン１０４をレーザー照射により形成する工程と、ブレイク・ライン１０４に沿 って半導体ウエハーを分離する工程とを有する窒化物半導体素子の製造方法である。」（段落【００１３】）「本発明の請求項２に記載された窒化物半導体素子の製造方法は、第１の主面１２１が基板１０１上の一方にのみ窒化物半導体が形成された半導体ウエハー１００の窒化物半導体積層側であり、第２の主面１１ １は半導体ウエハーを介して対向する基板露出面側である。」（段落【００１４】）「本発明の請求項３に記載された窒化物半導体素子の製造方法は、ブレイク・ラインが基板１０１の溝部底面に形成された凹部１０４である。」（段落【００１５】） 「本発明の請求項４に記載された窒化物半導体素子 求項３に記載された窒化物半導体素子の製造方法は、ブレイク・ラインが基板１０１の溝部底面に形成された凹部１０４である。」（段落【００１５】） 「本発明の請求項４に記載された窒化物半導体素子の製造方法は、ブ レイク・ラインが基板２０１内部に形成された加工変質部２０４である。」（段落【００１６】）「本発明の請求項５に記載された窒化物半導体素子の製造方法は、ダイヤモンドスクライバー、ダイサー、エッチング装置、レーザー加工機から選択される少なくとも１種によって溝部１０３を形成するもので ある。」（段落【００１７】）「本発明の請求項６に記載された窒化物半導体素子の製造方法は、溝部４０３は第１の主面側４２１の予め基板４０１が露出された表面に形成されたものである。 本発明の請求項７に記載された窒化物半導体素子の製造方法は、溝部１０３の幅が１０μm 以上３５μm 以下であり、 溝部１０３の深さが３．７μm 以上１００μm 以下である。」（段落【００１８】）ｅ 発明の実施の形態「本発明者らは種々実験の結果、窒化物半導体素子を製造する場合において半導体ウエハーの特定箇所にレーザーを照射することにより、半 導体特性を損傷することなく量産性に優れた窒化物半導体素子を製造することができることを見いだし本発明を成すに到った。」（段落【００１９】）「本発明の方法による分離端面がブレイクラインに沿って平坦に形成される理由は定かではないが溝部形成に伴って溝部近傍に内部応力 が生ずること及びその内部応力とブレイクラインが切断端面形状に大きく関係していると考えられる。」（段落【００２０】）「即ち、ダイサーやダイヤモンドスクライバーなどにより機械的に削りとられた溝部は、その溝部形成時に内部応力が生 ブレイクラインが切断端面形状に大きく関係していると考えられる。」（段落【００２０】）「即ち、ダイサーやダイヤモンドスクライバーなどにより機械的に削りとられた溝部は、その溝部形成時に内部応力が生ずる。特に、溝部の底面に沿ってダイヤモンドスクライバーによるスクライブ・ラインを形 成する工程においてはスクライバーの刃先にかかる加重で溝部底以外 にも広く歪みが増幅される。そのため、溝部形成後にダイヤモンドスクライバーで分離させると半導体ウエハー内に保持された応力によって所望通りの端面が形成されず、より正確に窒化物半導体ウエハーが分離できないと考えられる。」（段落【００２１】）「本発明はダイサーにより生じた内部応力に依存することなくレー ザースクライバーにより分割に寄与する局所的な応力を発生させる。これにより端面が綺麗（平滑）であり量産性の良い窒化物半導体素子を製造することができると考えられる。また、窒化物半導体素子を分離されるためには半導体ウエハーの厚みが部分的に薄い溝部を形成させる。その溝部よりも狭いブレイク・ラインをレーザー照射により形成すること で、極めて細いブレイク・ラインを所望の深さまで深く形成することができ量産性の良い窒化物半導体素子を分離できるものである。以下、本発明の製造方法例について説明する。」（段落【００２２】）「半導体ウエハーとして、ＬＤ（laserdiode）となる構成の窒化物半導体層をスピネル基板上に形成させた。具体的には、スピネル基板上に、 ＧａＮのバッファー層、ｎ型ＧａＮのコンタクト層、ｎ型ＡｌＧａＮのクラッド層、ｎ型ＧａＮの光ガイド層、ＳｉをドープしＩｎの組成を変化させた多重量子井戸構造となるＩｎＧａＮの活性層、ｐ型ＡｌＧａＮのキャップ層、ｐ型ＧａＮの光ガイド層 コンタクト層、ｎ型ＡｌＧａＮのクラッド層、ｎ型ＧａＮの光ガイド層、ＳｉをドープしＩｎの組成を変化させた多重量子井戸構造となるＩｎＧａＮの活性層、ｐ型ＡｌＧａＮのキャップ層、ｐ型ＧａＮの光ガイド層、ｐ型ＡｌＧａＮのクラッド層及びｐ型ＧａＮのコンタクト層が積層されている。この半導体ウエハー のスピネル基板側をウエットエッチングにより半導体ウエハー表面に溝部を縦横に形成させる。ＣＯ2 レーザーを溝部の底面に照射してスピネル基板内部に加工変質部としてブレイク・ラインを溝部に沿って縦横に形成させた。ブレイク・ラインに沿ってローラーによる加圧により窒化物半導体素子として分離させる。分離された窒化物半導体素子は何れ も端面が綺麗に形成されている。以下、本発明の工程に用いられる装置 などについて詳述する。」（段落【００２３】）「（窒化物半導体ウエハー）窒化物半導体ウエハーとしては、基板上に窒化物半導体層が形成されたものである。窒化物半導体の基板としては、サファイア、スピネル、炭化珪素、酸化亜鉛や窒化ガリウム単結晶など種々のものが挙げられるが量産性よく結晶性の良い窒化物半導体 層を形成させるためにはサファイア基板、スピネル基板などが好適に用いられる。サファイア基板などは劈開性がなく極めて硬いため本発明が特に有効に働くこととなる。」（段落【００２４】）「窒化物半導体（ＩｎXＧａYＡｌ1-X-YＮ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）はＭＯＣＶＤ法やＨＶＰＥ法などにより種々形成することができる。窒 化物半導体にＰＮ接合、ＰＩＮ接合、ＭＩＳ接合を形成させることにより半導体素子として利用することができる。半導体の構造もホモ接合、ヘテロ接合やダブルへテロ接合など種々選択することができる。また、半導体層を量子効果が生じる程度の 合、ＭＩＳ接合を形成させることにより半導体素子として利用することができる。半導体の構造もホモ接合、ヘテロ接合やダブルへテロ接合など種々選択することができる。また、半導体層を量子効果が生じる程度の薄膜とした単一量子井戸構造や多重量子井戸構造とすることもできる。」（段落【００２５】） 「窒化物半導体はバンドギャップが比較的大きく熱に強いことから紫外から赤色系まで発光可能な発光ダイオード、ＤＶＤなどに利用可能な短波長レーザーなどの発光素子、光センサーや比較的高起電力を有する太陽電池などの受光素子、耐熱性を持つトランジスターなど種々の半導体素子として利用することができる。」（段落【００２６】） 「基板の厚さとしてはレーザー加工機の加工精度や出力により種々選択することができるがレーザーにより大きい溝（深い溝）を形成させる場合はダイサーに比べて時間が掛かること及び長時間の加熱による部分的な破壊などの観点からレーザー加工による溝部などを大きく形成させすぎないことが好ましい。」（段落【００２７】） 「また、ダイサーなどにより半導体ウエハーに形成される溝部として は、歩留りよく所望の形、サイズに量産性良く形成する観点から溝部の幅が３５μm 以下が好ましく３０μm 以下がより好ましい。更に好ましくは２５μm 以下である。下限については特に制限はないがダイサーで形成する場合、あまり薄くし過ぎると刃先がぶれるため溝部を細くかつ深く形成しがたい傾向にある。したがって、１０μm 以上が好ましく、 １５μm 以上がより好ましい。さらに、好ましくは２０μm 以上である。 また、溝部の深さは半導体ウエハーの厚みにもよるが量産性や分離のし易さから３．７μm 以上が好ましく、より好ましくは４．５μm 以上である。更に好ましくは 。さらに、好ましくは２０μm 以上である。 また、溝部の深さは半導体ウエハーの厚みにもよるが量産性や分離のし易さから３．７μm 以上が好ましく、より好ましくは４．５μm 以上である。更に好ましくは５．２μm 以上である。上限値は特に制限はないが量産性を考慮して１００μm 以下であることが望ましい。同様に、溝 部が幅３５μm 以下深さ５．２μm 以上、より好ましくは幅３０μm 以下深さ４．５μm、更に好ましくは幅２５μm 以下深さ３．７μm 以上の範囲においてはダイヤモンドスクライバーでは溝部に図６の如く半導体ウエハーの分割に寄与するスクライブ・ラインを形成することができないため本発明の効果が特に大きい。」（段落【００２８】） 「なお、窒化物半導体ウエハーに単に溝を形成する方法としては、ウエットエッチング、ドライエッチング、ダイサー、ダイヤモンドスクライバーやレーザーの加工さらにはこれらの組合せにより形成することができる。しかしながら、ある程度の幅を持ち効率よく半導体ウエハーの厚みを部分的に薄くさせるためにはダイサーを用いることが好まし い。特に、ダイサーを用いて溝部を形成させた場合は、チップ状に分割した時の端面の綺麗さ（平滑性）の差が顕著に出る傾向にある。即ち、ダイサーを用いて溝部を形成させた後にレーザーを用いて半導体ウエハーを分離したものと、ダイサーを用いて溝部を形成させた後にダイヤモンドスクライバーにより分離させたものとをそれぞれ比較するとレ ーザーにより凹部を形成させたものの方が分離端面が綺麗に形成され る傾向にある。このような平滑性は、透光性絶縁層であるサファイア基板を利用した光学設計をする場合には顕著な違いとなる場合がある。」（段落【００２９】）「窒化物半導体が積層されたサファイ る傾向にある。このような平滑性は、透光性絶縁層であるサファイア基板を利用した光学設計をする場合には顕著な違いとなる場合がある。」（段落【００２９】）「窒化物半導体が積層されたサファイア基板を分離させる場合、切断端面を量産性良く切断させるために窒化物半導体ウエハーの最も薄い 分離部の厚みは１００μm 以下が好ましい。１００μm 以下だとチッピングなどが少なく比較的容易に分離することができる。また、基板の厚さの下限は特に問わないが、あまり薄くすると半導体ウエハー自体が割れやすく量産性が悪くなるため３０μm 以上であることが好ましい。」（段落【００３０】） 「窒化物半導体層が単一量子井戸構造や多重量子井戸構造などの薄膜を含む場合、レーザー照射による半導体接合や半導体層の損傷を防ぐ目的で予めレーザーが照射される窒化物半導体層をエッチングなどにより予め除去することもできる。」（段落【００３１】）「発光ダイオード用の窒化物半導体ウエハーとする場合、基板で通常 ２００から５００μm の厚みがあり、ｐｎ接合を持つ窒化物半導体層で数μm から数十μm の厚みがある。したがって、半導体ウエハーのほとんどが基板の厚みで占められることとなる。レーザーによる加工を行いやすくするために基板の厚みを研磨により薄くすることができる。このような研磨は、窒化物半導体を形成させてから薄くしても良いし薄く研 磨した基板上に窒化物半導体を形成させることもできる。」（段落【００３２】）「なお、レーザーが照射された窒化物半導体ウエハーは、その焦点となる照射部が選択的に飛翔する或いは微視的なマイクロ・クロックの集合である加工変質部になると考えられる。また、本発明のブレイク・ラ インは半導体ウエハーの溝部表面を除去しても良いし基 の焦点となる照射部が選択的に飛翔する或いは微視的なマイクロ・クロックの集合である加工変質部になると考えられる。また、本発明のブレイク・ラ インは半導体ウエハーの溝部表面を除去しても良いし基板の溝部より も内部側に加工変質部を形成させても良い。さらに、本発明は溝部近傍に形成されたレーザー加工によるブレイク・ラインに加えて半導体ウエハーの総膜厚の中心をレーザー加工させても良い。」（段落【００３３】）「（レーザー加工機）本発明に用いられるレーザー加工機としては、ブレイク・ラインとなる凹部、加工変質部などが形成可能なものであれ ばよい。具体的には、ＹＡＧレーザー、ＣＯ2レーザーやエキシマ・レーザーなどが好適に用いられる。特に、ＹＡＧレーザーは熱の変質が少なくブレイク・ラインを形成することができる。また、ＣＯ2 レーザーはパワーを挙げることができるため切断能力に優れる。」（段落【００３４】）「レーザー加工機によって照射されるレーザーはレンズなどの光学 系により所望により種々に焦点を調節させることができる。したがって、レーザー照射により半導体ウエハーの任意の焦点に窒化物半導体を損傷させることなく凹部、加工変質部などを形成させることができる。また、レーザーの照射面は、フィルターを通すことなどにより真円状、楕円状や矩形状など所望の形状に調節させることもできる。」（段落【０ ０３５】）「レーザー加工機によるブレイク・ラインの形成にはレーザー照射装置自体を移動させても良いし照射されるレーザーのみミラーなどで走査して形成させることもできる。さらには、半導体ウエハーを保持するステージを上下、左右、９０度回転など種々駆動させることにより所望 のブレイク・ラインを形成することもできる。以下、本発明の実施 査して形成させることもできる。さらには、半導体ウエハーを保持するステージを上下、左右、９０度回転など種々駆動させることにより所望 のブレイク・ラインを形成することもできる。以下、本発明の実施例について詳述するが実施例のみに限定されるものでないことは言うまでもない。」（段落【００３６】）「（実施例１）厚さ２００μm であり洗浄されたサファイアを基板１０１としてＭＯＣＶＤ法を利用して窒化物半導体を積層させ窒化物半 導体ウエハーを形成させた。窒化物半導体は基板を分割した後に発光素 子１１０として働くよう多層膜として成膜させた。まず、５１０℃において原料ガスとしてＮＨ3（アンモニア）ガス、ＴＭＧ（トリメチルガリウム）ガス及びキャリアガスである水素ガスを流すことにより厚さ約２００オングストロームのバッファー層を形成させた。」（段落【００３７】） 「次に、ＴＭＧガスの流入を止めた後、反応装置の温度を１０５０℃に挙げ再びＮＨ3（アンモニア）ガス、ＴＭＧガス、ドーパントガスとしてＳｉＨ4（シラン）ガス、キャリアガスとして水素ガスを流すことによりｎ型コンタクト層として働く厚さ約４μm のＧａＮ層を形成させた。」（段落【００３８】） 「活性層は、一旦、キャリアガスのみとさせ反応装置の温度を８００℃に保持し後、原料ガスとしてＮＨ3（アンモニア）ガス、ＴＭＧガス、ＴＭＩ（トリメチルインジウム）及びキャリアガスとして水素ガスを流すことにより厚さ約３ｎｍのアンドープＩｎＧａＮ層を堆積させた。」（段落【００３９】） 「活性層上にクラッド層を形成させるため原料ガスの流入を停止し反応装置の温度を１０５０℃に保持した後、原料ガスとしてＮＨ3（アンモニア）ガス、ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）ガス、ＴＭＧガス、ド 「活性層上にクラッド層を形成させるため原料ガスの流入を停止し反応装置の温度を１０５０℃に保持した後、原料ガスとしてＮＨ3（アンモニア）ガス、ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）ガス、ＴＭＧガス、ドーパントガスとしてＣｐ2Ｍｇ（シクロペンタジエルマグシウム）ガス及びキャリアガスとして、水素ガスを流しｐ型クラッド層として厚さ約 ０．１μm のＧａＡｌＮ層を形成させた。」（段落【００４０】）「最後に、反応装置の温度を１０５０℃に維持し原料ガスとしてＮＨ3（アンモニア）ガス、ＴＭＧガス、ドーパントガスとしてＣｐ2Ｍｇガス及びキャリアガスとして水素ガスを流しｐ型コンタクト層として厚さ約０．５μm のＧａＮ層を形成させた（なお、ｐ型窒化物半導体層は４ ００℃以上でアニール処理してある。）。」（段落【００４１】） 「半導体ウエハーに、ＲＩＥ（ReactiveIonEtching）によって窒化物半導体表面側から溝部が形成されるサファイア基板との境界面が露出するまでエッチングさせ複数の島状窒化物半導体層が形成された半導体ウエハーを用いる。なお、エッチング時にｐｎ各半導体が露出するようマスクを形成させエッチング後除去させてある。また、ｐｎ各半導 体層には、電極１２０がスパッタリング法により形成されている（図１（Ａ））。」（段落【００４２】）「こうして形成された窒化物半導体ウエハー１００のサファイア基板１０１を１００μm まで研磨した後、半導体ウエハー１００のサファイア基板面１１１が上になるように水平方向に自由駆動可能なテーブ ル上に真空チャックを用いて固定させた。ブレード回転数３０、０００ｒｐｍ、切断速度３ｍｍ／ｓｅｃでステージを移動させることによりサファイア基板１０１の底面に幅約３０μm、深さ約１５μm ブ ル上に真空チャックを用いて固定させた。ブレード回転数３０、０００ｒｐｍ、切断速度３ｍｍ／ｓｅｃでステージを移動させることによりサファイア基板１０１の底面に幅約３０μm、深さ約１５μm の溝を縦横に形成し溝部１０３とさせる。溝部１０３は、窒化物半導体ウエハー１００のサファイア基板露出面側１１１から見るとエッチング面１３０と 略平行に形成されておりそれぞれがその後に窒化物半導体素子となる３００μm 角の大きさに形成させてある（図１（Ｂ））。」（段落【００４３】）「次に、ダイサーの刃先など駆動部のみレーザー（３５６ｎｍ）が照射可能なＹＡＧレーザー照射装置と入れ替えた（不示図）。窒化物半導 体ウエハー１００の固定は維持したままレーザーの焦点を窒化物半導体ウエハーの溝部１０３底面に結ばれるようレーザーの光学系を調節させる。調節したレーザー光線を１６Ｊ／ｃｍ２で照射させながらステージを移動させることにより溝部１０３の底面に沿って深さ約３μm の更なる溝としての凹部１０４をブレイク・ラインとして形成する（図１ （Ｃ））。」（段落【００４４】） 「ブレイク・ラインにｄ沿って、ローラー（不示図）により荷重をかけ、窒化物半導体ウエハー１００を切断分離することができる。分離された窒化物半導体素子１１０の端面はいずれもチッピングやクラックのない窒化物半導体素子を形成することができる（図１（Ｄ））。」（段落【００４５】） 「こうして形成された窒化物半導体素子であるＬＥＤチップに電力を供給したところいずれも発光可能であると共に切断端面にはクラックやチッピングが生じているものはほとんどなかった。また、発生していたチッピングも極めて小さいものであり、歩留りは９８％以上であった。」（段落【００４６】） 可能であると共に切断端面にはクラックやチッピングが生じているものはほとんどなかった。また、発生していたチッピングも極めて小さいものであり、歩留りは９８％以上であった。」（段落【００４６】） 「これにより、ブレイク・ラインの形成をレーザーで行うため、ダイヤモンドスクライバーを利用したものと異なりカッターの消耗、劣化による加工精度のバラツキ、刃先交換のために発生するコストを低減することができる。製造歩留りを高め、形状のバラツキが低減できる。特に、切り代を小さくし、半導体素子の採り数を向上させることが可能とな る。」（段落【００４７】）「（実施例２）実施例１のレーザー照射装置における焦点深さをレーザーの光学系を調整させて深くさせた以外は実施例１と同様にしてブレイク・ラインを形成させた。形成されたブレイク・ラインは基板２０１の表面となる溝部２０３に凹部は形成されていないが基板２０１内 部に加工変質部として形成されている（図２（Ｃ））。」（段落【００４８】）「ブレイク・ラインの形成を溝部２０３底面でなく基板２０１内面に形成させても実施例１のＬＥＤチップとほぼ同様の歩留りを形成することができる。」（段落【００４９】） ｆ 発明の効果 「本発明は半導体ウエハーの基板に達する溝部を形成し、その溝部にレーザー照射によるブレイク・ラインを形成する。これにより刃先消耗等による加工精度の劣化を引き起こすことなく、より幅が狭くかつ深い溝部に、加工バラツキのない高精度のブレイク・ライン形成を可能にし、容易にかつ正確にブレイク・ラインに沿って窒化物半導体素子を分割することが可 能となる。そのため、形状の揃った製品供給、及び製品歩留りの向上が可能となる。」（段落【００６４】）「また にし、容易にかつ正確にブレイク・ラインに沿って窒化物半導体素子を分割することが可 能となる。そのため、形状の揃った製品供給、及び製品歩留りの向上が可能となる。」（段落【００６４】）「また、レーザー照射により半導体ウエハーに対して非接触でブレイク・ラインを形成することにより、従来のようなスクライブ・カッターの劣化、交換により発生していた加工コストの低減が可能となる。」（段落 【００６５】）「さらに、半導体層面側から基板に達する溝部を、あらかじめ窒化物半導体が除去された半導体ウエハーに形成することで、溝部形成による半導体への損傷がなく信頼性の高い素子を製造することが可能となる。」（段落【００６６】） 「窒化物半導体積層面側の凹部をレーザー照射により形成することで、より幅の狭い溝部を形成することですむ。このため半導体ウエハーからの窒化物半導体素子の採り数を向上させることが可能となる。」（段落【００６７】）イ乙１２０発明の技術的特徴 上記アの記載内容によれば、従来技術では、窒化物半導体がサファイヤ基板の上に積層された場合、サファイヤ基板は性質上劈開性を有していないことや、サファイヤ及び窒化物半導体のいずれも硬度が高いことから、ダイヤモンドスクライバーのみで切断することは困難である一方で、ダイサーのみで切断すると、その切断面にクラックやチッピングが生じてしまうという問 題や、基板から窒化物半導体層が部分的に剥離してしまうという課題があっ た。このような課題を解決するために、ダイヤモンドスクライバーとダイサーを組み合わせて使用する方法が考えられるものの、基板にダイサーで溝部を設けた上で当該溝部にダイヤモンドスクライバーでスクライブ・ラインを形成させる場合には、ダイヤモ イヤモンドスクライバーとダイサーを組み合わせて使用する方法が考えられるものの、基板にダイサーで溝部を設けた上で当該溝部にダイヤモンドスクライバーでスクライブ・ラインを形成させる場合には、ダイヤモンドスクライバーを溝部の底に接触させる必要があるところ、ダイサーの円盤幅よりもダイヤモンドスクライバーの刃先 の方が大きいため、溝部の幅を広くする必要があり、その場合、半導体ウェハーから切断できる半導体素子の数が減少することになり、他方、溝の幅を狭くしつつダイヤモンドスクライバーの刃先を溝部の底に接触するためには、溝部を浅くする必要があるが、溝部が浅くなると、半導体ウェハーを正確に分離することが困難になるという課題が更に生じていた。 このような課題を解決するために、乙１２０発明は、請求項記載の構成を備えることによって、半導体ウェハーの主面の一方に、ダイヤモンドスクライバーやダイサーにより溝部を形成した上で、当該溝部の底面にレーザを照射することにより、当該溝部にブレイク・ラインを形成し、当該ブレイク・ラインに沿って窒化物半導体素子を分割することを可能とするものであり、 これによって、チッピングやクラックを生じさせることなく、品質の高い製品を供給できるという効果や、幅の狭い溝部を形成することを通じて半導体ウェハーから採取できる半導体素子の数を向上させるという効果を実現するものであることが認められる。 ⑵ 乙１２０発明の構成 前記⑴の認定事実及び弁論の全趣旨によれば、乙１２０公報には、次のような構成が開示されていることが認められる。 ［構成１２０ａ］：基板の一方の表面に溝部が形成され、他方の表面に窒化物半導体を積層させた半導体ウエハーを加工対象物とし、その内部に加工変質部を形成するレーザ装置であって、 が認められる。 ［構成１２０ａ］：基板の一方の表面に溝部が形成され、他方の表面に窒化物半導体を積層させた半導体ウエハーを加工対象物とし、その内部に加工変質部を形成するレーザ装置であって、 ［構成１２０ｂ］：前記半導体ウエハーが載置されるステージと、 ［構成１２０ｃ］：レーザ光を出射するレーザ光源と、［構成１２０ｄ］：前記ステージに載置された前記半導体ウエハーの内部に、前記レーザ光源から出射されたレーザ光を集光し、加工変質部を形成させる集光用レンズと、［構成１２０ｅ］：焦点を内部に位置させた状態で、ブレイク・ラインに沿っ てステージを直線的に移動させる処理部と、を備え［構成１２０ｆ］：前記加工対象物は窒化物半導体が形成されたサファイアやスピネルなどの基板である［構成１２０ｇ］：レーザ加工機。 ⑶ 一致点及び相違点 上記⑵の認定事実及び弁論の全趣旨に照らせば、本件発明１と乙１２０発明の一致点及び相違点は、次のとおりであることが認められる。 ア一致点本件発明１と乙１２０発明は、「ウェハ状の加工対象物の内部に、改質領域を形成するレーザ加工装置であって、前記加工対象物が載置される載置台 と、レーザ光を射出するレーザ光源と、記載置台に載置された前記加工対象物の内部に、前記レーザ光源から出射されたレーザ光を集光する集光用レンズと、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記改質領域を形成するために、レーザ光の集光点を前記加工対象物の内部に位置させた状態で前記切断予定ラインに沿ってレーザ光の集光点を直線的に移動させる機能を有す る制御部と、を備えるレーザ加工装置」である点において一致する。 イ相違 記加工対象物の内部に位置させた状態で前記切断予定ラインに沿ってレーザ光の集光点を直線的に移動させる機能を有す る制御部と、を備えるレーザ加工装置」である点において一致する。 イ相違点 相違点１２０－①本件発明１は、加工対象物が「シリコンウェハ」であるのに対し、乙１２０発明は、加工対象物が窒化物半導体が形成されたサファイアやスピネ ルなどの基板である点。 相違点１２０－②本件発明１は、「制御部」により、「レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置するように、前記加工対象物のレーザ光入射面を基準として前記加工対象物の厚さ方向に第１移動量だけ前記集光用レンズを移動させ、レーザ光の集光点が前記加工対象物の切断予定ラインに沿って移動 するように、前記加工対象物の厚さ方向と直交する方向に前記載置台を移動させた後、レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置するように、前記レーザ光入射面を基準として前記加工対象物の厚さ方向に第２移動量だけ前記集光用レンズを移動させ、レーザ光の集光点が前記切断予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物の厚さ方向と直交する方向 に前記載置台を移動させる」制御をしているのに対し、乙１２０発明は、レーザ光の焦点が基板の溝部の内部側に位置するように、レーザーの光学系を調整し、レーザ光の焦点が前記基板のブレイク・ラインに沿って移動するように、前記基板の厚さ方向と直交する方向に前記ステージを移動させる制御をしているが、基板の厚さ方向に複数のブレイク・ラインを形成 しているか明らかではない点。 相違点１２０－③本件発明１は、加工対象物である基板の表面に溝部を形成する必要がなく、シリコンウェハの内部に改質領域を のブレイク・ラインを形成 しているか明らかではない点。 相違点１２０－③本件発明１は、加工対象物である基板の表面に溝部を形成する必要がなく、シリコンウェハの内部に改質領域を形成してこれを切断加工するレーザ加工装置であるに対し、乙１２０発明は、基板の表面に溝部を形成する ことを必須の構成として、「加工変質部」すなわち「ブレイク・ライン」を溝部の底面の下部に形成することにより半導体ウエハーを切断加工するレーザ加工装置である点。 ウ相違点についての補足説明原告は、本件発明１では改質領域が「切断の起点」となるのに対し、乙１ ２０発明では、改質領域に相当する微視的なマイクロ・クラックの集合であ る加工変質部が基板上の溝部の内部側に形成されており、当該加工変質部が切断の起点となるかが明らかではない点も実質的な相違点である旨主張する。 しかしながら、乙１２０公報には、「本発明の方法による分離端面がブレイクラインに沿って平坦に形成される理由は定かではないが溝部形成に伴 って溝部近傍に内部応力が生ずること及びその内部応力とブレイクラインが切断端面形状に大きく関係していると考えられる」（段落【００２０】）という記載のほか、実施例１として「ブレイク・ラインに沿って、ローラー（不示図）により荷重をかけ、窒化物半導体ウエハー１００を切断分離することができる。」（段落【００４５】）、実施例２として「形成されたブレ イク・ラインは基板２０１の表面となる溝部２０３に凹部は形成されていないが基板２０１内部に加工変質部として形成されている（図２Ｃ）」（段落【００４８】）という記載があることが認められる。これらの記載によれば、乙１２０公報には、加工変質部であるブレイク・ラインが切 ないが基板２０１内部に加工変質部として形成されている（図２Ｃ）」（段落【００４８】）という記載があることが認められる。これらの記載によれば、乙１２０公報には、加工変質部であるブレイク・ラインが切断の起点となることが開示されていると認めるのが相当である。 そうすると、本件発明１と乙１２０発明の相違点は、上記⑴記載のとおり認定するのが相当である。したがって、原告の主張は、乙１２０公報の記載に照らし、採用することができない。 ⑷ 容易想到性ア相違点１２０－①について 被告は、乙１２０発明において、加工対象物としてシリコンウェハを採用することは、当業者にとっての選択的事項の範疇である旨主張する。 そこで検討するに、前記認定事実によれば、乙１２０発明は、窒化物半導体が形成されたサファイアやスピネルなどの基板を加工対象物とするものであるところ、サファイヤ基板は性質上劈開性を有しておらず、また、サフ ァイヤ及び窒化物半導体のいずれも硬度が高いという、正にサファイア基板 の上に窒化物半導体が積層された半導体ウェハー特有の性質に起因した課題を解決するものである。 そうすると、争点３－１⑷において説示したところと同様に、乙１２０発明は、サファイア等の基板に窒化物半導体を積層させた半導体ウエハーの切断に特有の課題を解決するためのものであるから、乙１２０発明に接した当 業者において、加工対象物をサファイア等の基板に代えて、上記特有の課題がそもそも存在しないシリコンウェハに置き換えることにつき、動機付けがあるといえないことは明らかである。しかも、本件発明１の特許出願前に、そもそもサファイア等の基板に対する加工をシリコンウェハに適用し得たことを認めるに足りる的確な証拠もな えることにつき、動機付けがあるといえないことは明らかである。しかも、本件発明１の特許出願前に、そもそもサファイア等の基板に対する加工をシリコンウェハに適用し得たことを認めるに足りる的確な証拠もない。 したがって、相違点１２０－①に係る本件発明１の構成を採用することは、当業者において容易に想到できるものと認めることはできない。 以上によれば、その余の点について検討するまでもなく、本件発明１は、乙１２０発明に基づいて容易に想到することができたものとはいえない。したがって、被告の主張は、採用することができない。 イ訂正の再抗弁について なお、念のため、訂正の再抗弁につき判断するに、証拠（甲１１６）及び弁論の全趣旨によれば、原告は、令和３年５月２８日付けで、本件発明１の「前記加工対象物はシリコンウェハである」と記載されているのを、「前記加工対象物は、シリコン単結晶構造部分に前記切断予定ラインに沿 った溝が形成されていないシリコンウェハである」に訂正する旨（本件訂正）の訂正請求をしていることが認められ、被告は、被告製品が訂正事項に係るシリコンウェハを加工対象物とするものであることを格別争っていない。 ここで訂正要件についてみると、本件発明１にいう「シリコンウェハ」 は、本件発明１の特許請求の範囲及び本件明細書等１の記載において概念 的な限定がなく、その文言上、「シリコン単結晶構造部分に前記切断予定ラインに沿った溝が形成されていないシリコンウェハ」と当該溝が形成されているシリコンウェハの両者を概念上含むものであったと解するのが相当である。そして、訂正事項は、両者のうち、溝が形成されているシリコンウェハを除くものであり、上記加工対象物の構成を更に限定するもの である。そうする 両者を概念上含むものであったと解するのが相当である。そして、訂正事項は、両者のうち、溝が形成されているシリコンウェハを除くものであり、上記加工対象物の構成を更に限定するもの である。そうすると、訂正事項は、概念的に限定のなかったシリコンウェハから、溝が形成されているシリコンウェハを除くものにすぎず、新たな技術的事項を導入するものではなく、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。 したがって、上記訂正は、訂正要件を満たすものといえる。 さらに、訂正事項を前提として改めて容易想到性について検討すると、乙１２０公報には、「本発明の方法による分離端面がブレイクラインに沿って平坦に形成される理由は定かではないが溝部形成に伴って溝部近傍に内部応力が生ずること及びその内部応力とブレイクラインが切断端面形状に大きく関係していると考えられる。」（段落【００２０】）という 記載があることが認められるところ、分離端面が平坦に形成される理由について、溝部形成に伴う内部応力と、レーザー照射により形成されるブレイクラインの双方が関与していることが示されており、その他に課題解決の機序となるものは見当たらない。このような記載によれば、乙１２０発明において基板を分離切断するには、基板の表面に溝が形成され、溝部形 成に伴って生じる内部応力があることが必須であるといえるから、乙１２０発明に接した当業者が、当該内部応力を生じさせる溝を捨象しようとするような動機付けを認めることはできず、これを訂正事項に係る「溝が形成されていないシリコンウェハ」に置き換えることには、むしろ阻害事由があるというべきである。 そうすると、仮に上記訂正に係る前の本件発明１が進歩性を欠くという 項に係る「溝が形成されていないシリコンウェハ」に置き換えることには、むしろ阻害事由があるというべきである。 そうすると、仮に上記訂正に係る前の本件発明１が進歩性を欠くという 前提に立ったとしても、本件訂正発明は、進歩性を認めるのが相当である。 したがって、原告主張に係る訂正の再抗弁は、理由があり、被告の主張は、審査基準にいうサブコンビネーションの発明をいう主張を含め、上記において説示したところによれば、いずれも採用することができない。 ウその他に、被告の主張及び提出証拠を改めて検討しても、被告の主張は、 乙１２０発明の構成及び技術的特徴等に照らし、独自の見解をいうものであり、いずれも採用することができない。 24 争点３－９（サポート要件違反）被告は、「改質領域」について、本件明細書等１には多光子吸収によって形成されるものしか開示されていないところ、実際には、多光子吸収以外によって形 成されるものも含まれるのであれば、特許請求の範囲の記載が、明細書で開示された範囲を超えていることになるため、特許法３６条６項１号に違反する旨主張する。 しかしながら、争点１－１において説示したとおり、本件明細書等１は、多光子吸収により改質領域が形成された一例を掲げたものにすぎず、本件発明１ の課題は、大要、ウェハ内部の切断予定ラインに沿って切断の起点となる改質領域が形成されることを主たる手段として解決されるのであり、必ずしも多光子吸収という現象によらなければ解決できないものではない。そうすると、本件発明１は、発明の詳細な説明の記載により当業者が本件発明１の課題を解決できると認識できる範囲を超えるものではなく、被告の主張は、上記と異なる 前提に立ってサポート要件違反を 。そうすると、本件発明１は、発明の詳細な説明の記載により当業者が本件発明１の課題を解決できると認識できる範囲を超えるものではなく、被告の主張は、上記と異なる 前提に立ってサポート要件違反をいうものであり、その前提を欠く。したがって、被告の主張は、採用することができない。 争点３－１０（明確性要件違反）被告は、本件発明１にいう「改質領域」（構成要件Ａ及びＤ）につき、技術的な定義がされていない結果、多光子吸収が支配的に寄与して形成されるものか否か について、原告と被告とで異なる主張をしているように（前記争点３－１）、多義 的に解する余地がある以上、権利として不明確であるといわざるを得ず、特許法３６条６項２号が定める明確性要件に違反する旨主張する。 しかしながら、「改質領域」について、「溶融処理領域」をいうことは当事者間において争いがないところ、本件明細書等１の記載によれば、本件発明１の課題解決手段は、切断の起点として「溶融処理領域」を内部に形成することにあり、 課題解決手段との関係でその形成が多光子吸収という現象によるものに限定されないことは、上記において説示したとおりである。そうすると、「改質領域」は、その意味で多義的に解する余地はなく、本件発明１は、第三者の利益が不当に害されるほどに不明確であるとは認められず、特許法３６条６項２号が定める明確性要件に違反するということはできない。 したがって、被告の主張は、採用することができない。 26 争点３－１１（実施可能要件違反）被告は、本件明細書等１に記載の実験条件の下では、多光子吸収ではなく単光子吸収の方が支配的であるならば、そのような実験条件によって形成される「溶融処理領域」（改質領域）につき、「多光 違反）被告は、本件明細書等１に記載の実験条件の下では、多光子吸収ではなく単光子吸収の方が支配的であるならば、そのような実験条件によって形成される「溶融処理領域」（改質領域）につき、「多光子吸収により形成される」と開示した 本件発明１は、実施可能要件を欠く旨主張する。 そこで検討するに、特許法３６条４項１号は、発明の詳細な説明の記載が、「経済産業省令で定めるところにより、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものであること」に適合することを求めていることからすると、当業者が、明細 書の発明の詳細な説明の記載及び技術常識に基づき、過度の試行錯誤を要することなく、方法の発明についてはその方法を使用することができる程度の記載を、物の発明についてはその物の生産及び使用をすることができる程度の記載を、それぞれ要するものと解するのが相当である。 これを本件についてみると、被告は、本件発明１が「多光子吸収により形成さ れる」と開示していることを前提として実施可能要件違反を主張するものの、本 件発明１がそのように限定されないことは、上記において説示したとおりであり、被告の主張は、前提を欠く。 実質的にみても、前記認定事実によれば、本件明細書等１には、加工対象物をシリコンウェハ（厚さ３５０μm、外径４インチ）、波長１０６４ｎｍのレーザ光を用いて実施した実験（レーザや集光用レンズ、載置台の移動速度等の実験条件 の詳細は、段落【００２９】に記載のとおり。)によって、シリコンウェハの内部で溶融処理領域が形成されることが開示されるなど（段落【００２８】、【００２９】）、本件発明１においては、本件明細書等１に記載の実験条件で「改質 ２９】に記載のとおり。)によって、シリコンウェハの内部で溶融処理領域が形成されることが開示されるなど（段落【００２８】、【００２９】）、本件発明１においては、本件明細書等１に記載の実験条件で「改質領域」が形成されること自体は、疑う余地はない。 そうすると、本件明細書等１に接した当業者は、その記載及び技術常識に基づ き、過度の試行錯誤を要することなく、使用する加工対象物の性質や大きさに応じて、適切なレーザ光や集光用レンズ、加工対象物が載置される載置台の移動速度等を組み合わせることによって、本件発明１を実施することができるものと認められる。 したがって、被告の主張は、採用することができない。 27 争点４－１（サポート要件違反１）被告は、本件明細書等２の段落【００７５】の記載を根拠として、本件明細書等２には、加工対象物の端部においてレンズを保持した状態で改質領域を形成するものしか開示されていない一方で、本件発明２は、いずれも加工対象物の端部において改質領域を形成しないものも権利範囲に含むものであるから、本件発明 ２は、本件明細書等２に記載された発明を超えた発明として、サポート要件に違反する旨主張する。 しかしながら、前記認定に係る本件明細書等２の記載によれば、本件発明２は端部の形状変動によるレーザ光の集光点のずれを極力排除して改質領域を形成するという課題を解決するために、加工対象物の端部においてレンズを保持する という構成を採用するものである。そうすると、上記構成を採用すれば、端部に 改質領域を形成するかどうかにかかわらず、集光点のずれを極力排除するという課題を解決することができるのであるから、本件発明２は、発明の詳細な説明の記載により当業者が当該発明の課題を解決 改質領域を形成するかどうかにかかわらず、集光点のずれを極力排除するという課題を解決することができるのであるから、本件発明２は、発明の詳細な説明の記載により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるといえる。 したがって、被告の主張は、採用することができない。 その他に、被告の主張及び提出証拠を改めて検討しても、被告の主張は、本件発明２の課題解決手段を正解するものとはいえず、いずれも採用することができない。 28 争点４－２（サポート要件違反２）被告は、本件明細書等２には、「改質領域」（構成要件Ｐ、２Ｐ、２Ｒ、２Ｓ） について、多光子吸収によって形成することしか開示されておらず、他の方法によって形成されるものについては一切開示されていないところ、仮に「改質領域」が多光子吸収以外によって形成されるものも含むのであれば、特許請求の範囲の記載が、明細書で開示された範囲を超えていることになるから、特許法３６条６項１号が定めるサポート要件に違反する旨主張する。 しかしながら、争点２－５において説示したとおり、本件明細書等２は、多光子吸収により改質領域が形成された一例を掲げたものにすぎず、本件発明２の課題は、必ずしも多光子吸収という現象によらなければ解決できないものではないことは、争点３－９において説示したとおりである。そうすると、本件発明２は、発明の詳細な説明の記載により当業者が本件発明２の課題を解決できると認識 できる範囲を超えるものではなく、被告の主張は、上記と異なる前提に立ってサポート要件違反をいうものであり、その前提を欠く。したがって、被告の主張は、採用することができない。 29 争点４－３（明確性要件違反）被告は、本件発明２にいう「改 前提に立ってサポート要件違反をいうものであり、その前提を欠く。したがって、被告の主張は、採用することができない。 29 争点４－３（明確性要件違反）被告は、本件発明２にいう「改質領域」につき、多光子吸収が支配的に寄与し て形成されたものに限定されるか否かにつき多義的に解する余地がある以上、権 利として不明確であるといわざるを得ず、特許法３６条６項２号が定める明確性要件に違反する旨主張する。 しかしながら、「改質領域」が、多光子吸収が支配的に寄与して形成されたものに限定されないことは、既に前記争点２－５において説示したところである。 そうすると、「改質領域」は、その意味で多義的に解する余地はなく、本件発明 ２は、第三者の利益が不当に害されるほどに不明確であるとは認められず、特許法３６条６項２号が定める明確性要件に違反するということはできない。 したがって、被告の主張は、採用することができない。 争点５（本件実施許諾契約の成否）⑴ 認定事実 ア原告と被告は、平成１４年９月１８日、業務提携準備に関する契約（本件業務提携準備契約）を締結した（甲６の１）。同契約においては、以下のような定めが置かれている。 定義（１条）ａ ステルスダイシング技術：原告が基本特許を有するレーザを用いたダ イシング技術ｂ ステルスダイシング装置：ステルスダイシング技術を用いた装置ｃＳＤエンジン：ステルスダイシング装置中の筐体、ステージ、搬送系部分を除いたキーコンポーネント部及びソフトウエア設計成果（６条１項） 試作機の共同開発の過程又は相手方が開示した本情報に基づき、発明・考案等を確認したときは、その取扱いにつき速やかに協議するものとし、その発 部及びソフトウエア設計成果（６条１項） 試作機の共同開発の過程又は相手方が開示した本情報に基づき、発明・考案等を確認したときは、その取扱いにつき速やかに協議するものとし、その発明・考案等及びこれらに基づく工業所有権等（以下「本成果」という。）の帰属及び運用は、次のとおりとする。 ａＳＤエンジンに関する本成果は原告に帰属するものとする。 ｂ ステルスダイシング技術及びＳＤエンジンに関しない本成果は原告・ 被告の共有とする。 前提合意（７条１項）原告及び被告は、本件業務提携準備契約の締結時点で、本業務提携を行う場合の前提として以下の事項につき合意していることを確認する。 ａ 原告は、被告に対し、ステルスダイシング技術を用いた装置（のうち、 ＳＤエンジンを有償で販売すること。 ｂ ステルスダイシング技術を用いた装置の販売は被告が担当すること。 ｃ 原告が被告に対して、被告がステルスダイシング技術を用いた装置を製造・販売するのに必要な範囲で原告の特許、ノウハウの非独占的実施権を付与し、被告はステルスダイシング技術を用いた装置の販売台数に 応じて、１台当たり、最終販売価格の●（省略）●ロイヤリティ又は対価の一部として原告に支払うこと。 イ原告と被告は、平成１５年９月１８日、上記アの契約に基づき準備と検討を行った結果として、本件業務提携契約を締結した。本件業務提携契約には、次のような定めが置かれている（甲６の２）。 本契約の位置付け（２条）ａ 本契約は業務提携準備に関する契約を補充するものである。本契約において明示的に変更・修正された場合のほか、業務提携準備に関する契約の各条項は有効である（１項）。 ｂ 本契約の合意事項は本契約の調印者名で調印された契約 に関する契約を補充するものである。本契約において明示的に変更・修正された場合のほか、業務提携準備に関する契約の各条項は有効である（１項）。 ｂ 本契約の合意事項は本契約の調印者名で調印された契約書によらな ければ修正できないものとする（３項）。 ステルスダイシング装置の製造及び販売（３条）ａ 原告は、原告と被告が協議の上決定した検査基準に基づきＳＤエンジンの出荷検査を行い、被告に有償にて納入する（柱書）。 ｂ 被告は、ステルスダイシング装置としての最終出荷検査を行い市場に 販売する（４項）。 ロイヤリティ（第４条）被告は、ステルスダイシング装置の販売台数１台当たり、同装置本体最終販売価格の●（省略）●の金額を原告に対して支払う（１項） 契約期間及び残存等（６条）本契約の有効期間は平成１５年９月１８日から平成１６年９月１８日 までとする。ただし、期間満了の３か月前までに原告又は被告から書面による変更、解約の申し出のないときは、本契約と同一条件で更に１年関継続するものとし、その後もこの例によるものとする。 ウ原告と被告は、平成１８年６月８日、ＳＤエンジンの一括発注に関して、売買基本契約（以下「本件売買基本契約」という。）を締結した（乙１４）。 本件売買基本契約においては、被告が原告に対し発注するＳＤエンジンの台数と価格が合意され、また、そのＳＤエンジンの価格には、上記のとおり別途合意したＳＤダイシング装置の販売に対するロイヤリティが含まれないことが確認された（７条）。また、本件売買基本契約においては、当該契約及び個別契約の修正又は変更は、原告及び被告の権限ある代表者が締結し た書面によらない限り、法 するロイヤリティが含まれないことが確認された（７条）。また、本件売買基本契約においては、当該契約及び個別契約の修正又は変更は、原告及び被告の権限ある代表者が締結し た書面によらない限り、法的拘束力を有しないものとされた（１４条）。 エその後、原告は、平成２３年頃から、ディスコ社に対し、長波長●（省略）●のＳＤエンジンを納入するようになったが、これにより、ディスコ社のＳＤダイシング装置の売上げが増加し、被告のＳＤダイシング装置の売上げを上回るようになった。 これに対し、被告は、従来、本件業務提携契約に基づき、原告から、波長１０９９ｎｍのＳＤエンジンの提供を受けていたものの、上記のようなディスコ社の売上増加を脅威に感じ、原告に対し、被告にも長波長のＳＤエンジンを供給するよう求めたが、原告はこれに応じなかった。そこで、被告は、原告に対し、新たなＳＤエンジンの開発を求めるとともに、自らもＳＤエン ジンの開発を開始することとした。 （以上につき、甲５７、１１５、乙８０、３２１〔２～４頁〕、３４０）。 オ原告及び被告は、平成２６年１０月８日、面談（以下、当該面談を「１０月８日の面談」という。）を行った。１０月８日の面談には、原告からは、代表取締役副社長であったＭ及びＳＤエンジンの製造開発部門の部長であったＬ部長が参加し、被告からは、代表取締役副社長のＫ（以下「Ｋ 副社長」という。）及び顧問のＱ(以下「Ｑ顧問」という。)が参加した。 そして、１０月８日の面談において、Ｋ副社長は、当日の協議内容をメモした別紙添付の議事録（以下「本件議事録」という。乙１８)を手書きで作成した上で、その場でＭ副社長及びＬ部長に対し、確認の上署名するよう求めたところ、Ｍ副社長及びＬ部長は、原告の出席者と 内容をメモした別紙添付の議事録（以下「本件議事録」という。乙１８)を手書きで作成した上で、その場でＭ副社長及びＬ部長に対し、確認の上署名するよう求めたところ、Ｍ副社長及びＬ部長は、原告の出席者としてＫが手書き した「Ｍ様」、「Ｌ部長」という記載の右側に、それぞれ署名をした。 本件議事録には、「Ａｃｃｔでの開発レーザーに関して」という項目につき、「浜松ホトニクスとＡｃｃｔでの共同開発で良いレーザーを作りたい（１０９９ｎｍではＤｉｓｃｏに勝てない。）」、「ただ時間がかかり、その間にＡｃｃｔはレーザーダイサーから撤退する事態となる。」、 「顧客を引き留めるためにも現状はＡｃｃｔ開発レーザーを売りたい→Ｍ副社長は了承する。・特許料は支払う・ＳＤＥのラベルを貼る。」との記載がある（なお、Ａｃｃｔとは被告を指す。）。 （以上につき、甲５８、１１５、乙１８、１０３、１０４、３２１．３２２、３４０） カ Ｌ部長は、１０月２３日、被告を訪問し、Ｋ副社長、Ｑ顧問及び被告の担当者と面談をした。そして、同面談について作成された別紙議事録（甲５９）には、「ＡＣＣＴコメント：●（省略）●と１０９９ｎｍは総じてほぼ同等の性能と判断、今後のビジネスを考えるとさらなるメリットが欲しい。」、「ＡＣＣＴＳＤＥエンジンリリースについて・ＳＤＥシー ル貼り、今迄通りのロイアリティを支払う」との記載が存在する。(甲５ ９、乙３２２)キ被告は、平成２７年３月２５日頃、被告製エンジンを搭載したサンプル機をサムスン社に納入することになったことを受け、原告に対し、ロイヤリティの支払を申し入れるとともに、ロイヤリティシールをサンプル機に貼付することを要望した（乙３１３、３２１〔１３～１５頁〕）。 これに対し 納入することになったことを受け、原告に対し、ロイヤリティの支払を申し入れるとともに、ロイヤリティシールをサンプル機に貼付することを要望した（乙３１３、３２１〔１３～１５頁〕）。 これに対し、原告は、平成２７年３月３０日、被告に対し、①今回のサンプル出荷に限っては、ロイヤリティの支払が不要である反面、ロイヤリティシールの支給もできないこと、②装置が受注となり、販売に至った場合には、別途ロイヤリティの支払が必要であり、その場合、ロイヤリティシールも支給することを伝えた（乙２０）。 ク原告は、平成２７年５月頃、ＴＩ社から、被告が製造しているＮＳ９００についての問い合わせがあったことを受け、同年６月２９日、被告が自社製のＳＤエンジンを紹介しているのではないかと考えて、確認のために被告を訪問した（甲６２、乙３２２〔１２～１３頁〕）。 ケその後、原告は、平成２７年１１月１９日には、被告に対し、原告とし ては、競争力のあるステルスダイシングレーザが開発されるまでの「繋ぎ」として、被告において被告製ＳＤエンジンを搭載したＳＤダイシング装置のサンプル機をサムスン社に対して設置することは了解していたものの、今般、被告が、被告がＳＫ－Ｈｙｎｉｘ社やＴＩ社に対しても、サンプル機として被告製ＳＤエンジンを搭載したＳＤダイシング装置を紹介・ 設置していることが判明したとして、抗議を申し入れた。 これに対し、被告は、サムスン社に対するサンプル機の紹介・設置は、飽くまで一例として承諾を得たものであり、競争力のあるＳＤエンジンが原告から提供されない限り、サムスン社以外のエンドユーザに対しても、被告製ＳＤエンジンを搭載したＳＤダイシング装置を販売することは、従 前から一貫した被告の立場である旨回答した。 ンジンが原告から提供されない限り、サムスン社以外のエンドユーザに対しても、被告製ＳＤエンジンを搭載したＳＤダイシング装置を販売することは、従 前から一貫した被告の立場である旨回答した。 （以上につき、甲６３、１１５、乙３２２〔１３頁〕）コ原告は、平成２８年３月２４日付けで、被告から、被告製ＳＤエンジンを搭載したＳＤダイシング装置についてのロイヤリティの支払の申出を受けたが、サムスン社へのサンプル機を除いては、原告製ＳＤエンジンを搭載していないＳＤダイシング装置の販売は認めていないとの理由で、その 受領を拒否した（乙１６５、甲１４６）。 サ原告は、平成２８年６月１３日、被告に対し、サムスン社へのサンプル機１台の納入を超えた被告製品の販売が特許権侵害に該当することを書面により通知した。これを受けて、その後、原告と被告との間で、事態の解決に向けた書面のやり取りが継続した。（甲８、乙２３、３１４） シ原告と被告との間では、その後も解決策が模索されたものの、合意に至ることはなかった。そのような中にあって、本件業務提携契約は、原告がそれ以上の更新を望まなかったため、平成２９年９月１８日、期間満了により終了した（弁論の全趣旨）。 ス原告と被告は、平成２９年３月１日にも打合せを行ったが、その際に被 告の従業員であるＳが作成したメモには、「パートナーシップ契約解消後は、当社はＨＰＫ特許の無断使用となり、当社が予想したシナリオへ急展開となる可能性大」との記載がある（乙３１６の２）。 ⑵本本件実施許諾契約の成否についてア被告は、別紙本件議事録（乙１８）を証拠として提出した上、１０月８日 の面談において、原告が被告に対し、１台当たり●（省略）●の実施 ）。 ⑵本本件実施許諾契約の成否についてア被告は、別紙本件議事録（乙１８）を証拠として提出した上、１０月８日 の面談において、原告が被告に対し、１台当たり●（省略）●の実施料の支払を受けることの対価として、被告が被告製レーザエンジンを開発しこれを搭載したＳＤダイシング装置を顧客に販売することを許諾することを内容とする実施許諾契約（本件実施許諾契約）に合意した旨主張する。 しかしながら、前記認定に係る本件業務提携契約によれば、原告が被告に 対し、ＳＤエンジンを有償で販売した上で、被告が、当該ＳＤエンジンを搭 載したＳＤダイシング装置をエンドユーザに売却することとされたところ、本件実施許諾契約は、原告製のＳＤエンジンではなく、被告製のＳＤエンジンを搭載したＳＤダイシング装置の売却を許諾するというのであるから、その内容は、本件業務提携契約の根本的な修正又は変更となることは明らかである。そして、本件業務提携契約によれば、同契約の合意事項は同契約の調 印者名で調印された契約書によらなければ修正できない旨の合意がされていたのであるから、本件実施許諾契約を修正又は変更するには、上記契約書その他の書面が必要である。 しかしながら、被告主張に係る本件議事録は、別紙添付のとおり、東京精密と印字された被告のメモ用紙における鉛筆等の走り書きのメモにすぎず、 その体裁からしても、上記にいう契約書その他の書面に該当しないことは、自明である。 しかも、本件議事録の内容をみても、ライセンスの対象商品、販売先の記載がないほか、被告主張に係る１台当たり●（省略）●の実施料の定めすらなく、仮にライセンス期間について記載されているとしても、良いレーザエ ンジンができるまでという極めて曖昧なものにとど の記載がないほか、被告主張に係る１台当たり●（省略）●の実施料の定めすらなく、仮にライセンス期間について記載されているとしても、良いレーザエ ンジンができるまでという極めて曖昧なものにとどまるのであるから、本件議事録の記載自体を踏まえても、本件実施許諾契約に係る確定的な意思表示が記載されたものとはいえないことは明らかである。仮に、１０月８日の協議において本件実施許諾契約に係る黙示の合意があったという前提に立ったとしても、証拠（乙３２１〔１８頁〕）及び弁論の全趣旨によれば、その 後も、被告は、原告に対し、本件議事録の内容を前提として、合意の条件を具体的に詰めるような交渉等を求めなかったのはもとより、本件業務提携契約の上記規定に基づき合意事項の変更に係る契約書を作成することすら打診していないのであるから、上記黙示の合意があったと解することは、極めて不自然である。 かえって、証拠（甲５８、乙３２２）及び弁論の全趣旨によれば、Ｌ部長 は、Ｋ副社長から、同人が面談終了後記載した本件議事録を示されたところ、Ｌ部長自身は、被告の要望の概要を手書きでメモ書きされた程度の認識でおり、これが後になって本件実施許諾契約が成立したと主張されるとは、夢にも思っていなかった旨供述しており、現に、Ｌ部長が１０月８日の面談当日に備忘のため作成した手書きの別紙添付のメモ（甲５８）によっても、被告 主張に係る本件実施許諾契約の内容に関する記載がうかがわれないことからしても、Ｌ部長の上記供述は、本件議事録が、飽くまで被告の要望を記載したにとどまるものであることを十分に裏付けるものといえる。 のみならず、前記認定事実によれば、被告の担当者は、平成２９年３月の交渉に関する議事録において「パートナーシップ契約解消後は、当社はＨＰ とどまるものであることを十分に裏付けるものといえる。 のみならず、前記認定事実によれば、被告の担当者は、平成２９年３月の交渉に関する議事録において「パートナーシップ契約解消後は、当社はＨＰ Ｋ特許の無断使用となり、当社が予想したシナリオへ急展開となる可能性大」と記載していたことからすれば、当の被告の担当者においてですら、本件実施許諾契約が成立していないことを当時自認していたことが認められる。 これらの事情の下においては、本件議事録（乙１８）の記載内容をもって、原告と被告との間で、本件実施許諾契約が成立したものといえず、１０月２ ３日に作成された別紙議事録（甲５９）の内容を考慮しても、同契約の合意をうかがうことはできず、その他に、本件実施許諾契約の成立を認めるに足りる的確な証拠は存在しない。したがって、本件実施許諾契約が成立したものと認めることはできない。 イ被告の主張について 被告は、契約書を作成しなかったのは、本件実施許諾契約は、原告、被告の双方に利益をもたらすものであるとともに、長期的な事項について取決めをするものではなかったため、トップ同士が署名した議事録による合意書以上に、契約書の作成が必要であるとは思い至らなかった旨主張する。 しかしながら、本件業務提携契約においては、同契約における合意事項 を修正するには、同契約の調印者名で調印された契約書の作成が必要であ ることは、上記において説示したとおりであり、被告の主張は、本件業務提携契約の規定の内容を正解しないものである。また、上記において説示したとおり、ライセンス条件すら具体的に記載されていない走り書きのメモ（本件議事録）の内容をもって、被告主張に係る本件実施許諾契約の成立があったとすることは、公正で透明性の高さ た、上記において説示したとおり、ライセンス条件すら具体的に記載されていない走り書きのメモ（本件議事録）の内容をもって、被告主張に係る本件実施許諾契約の成立があったとすることは、公正で透明性の高さが求められる取引社会にお いて、それ自体その信頼を損なう結果を招くことも自明であり、被告の主張は、その他弁論の全趣旨を踏まえても、当を得ないというほかない。したがって、被告の主張は、採用することができない。 被告は、原告が本件実施許諾契約の対象がサムスン社向けの装置に限られる旨の主張を初めてしたのは、本件合意から１年以上が経過した平成２ ７年１１月１９日の時点である旨主張する。 しかしながら、前記認定事実によれば、被告において、被告製エンジンを搭載したＳＤダイシング装置をエンドユーザに納入できる状態になったのは、平成２７年３月頃であって、原告は、同年５月頃にＴＩ社からの指摘を受けると、同年６月２９日には、速やかに事実関係を確認するため に被告を訪問していることが認められる。そうすると、原告は、被告が自社製のＳＤエンジンを紹介しているという事実を認識した後、そのまま放置せず、速やかに事実関係を確認するなどの対処をしていることが認められる。これらの事実関係によれば、かえって、原告は、当初から、被告がサムスン社以外のエンドユーザに対し被告製ＳＤエンジンを販売するこ とを許容していなかったことを推認するものといえ、被告の主張は、前記判断を左右するものとはいえない。したがって、被告の主張は、採用することができない。 その他に、被告の主張及び提出証拠を改めて検討しても、被告の主張は、本件実施許諾契約の趣旨目的を正解しないものに帰し、いずれも採用する ことができない。 31 争点６－１－ その他に、被告の主張及び提出証拠を改めて検討しても、被告の主張は、本件実施許諾契約の趣旨目的を正解しないものに帰し、いずれも採用する ことができない。 31 争点６－１－１（特許法１０２条２項の適用の可否）⑴ 認定事実前記前提事実、後掲の各証拠及び弁論の全趣旨によれば、次の事実を認めることができる。 ア原告のビジネスモデル 原告は、先端技術を研究開発する国際的な企業であり、原告が開発したステルスダイシング技術の中核的ユニットであるＳＤエンジン一式の製造については、自社製造を必須とし、一切製造ライセンスを許諾していない。このように、原告は、ＳＤエンジン一式の製造販売を独占し、その営業利益により次の研究開発費用を捻出し、先端技術の研究開発を行ってい る。 原告は、業務提携関係にあるＳＤダイサーメーカー（アライアンスパートナー）に対しては、原告が保有する本件特許を含むＳＤ技術関連特許をライセンス許諾し、当該許諾先のＳＤダイサーメーカーは、ライセンス許諾の条件として、原告に対しロイヤリティを支払うほか、原告から原告製 のＳＤエンジンを買い取り、これをＳＤダイサーに組み込んで販売している。 このように、原告は、ＳＤダイサーメーカーに対し、ＳＤエンジンの購入及びＳＤ技術関連特許（本件各特許権を含む。以下同じ。）に関する特許発明のロイヤリティの支払を、ライセンス許諾の不可分一体の条件とし て位置付け、ＳＤダイサーメーカーとの間で、ライセンス契約を締結し、その事業を実施してきた。 原告は、ＳＤエンジンのメーカーとして、ＳＤエンジンの販売による利益を、ライセンス契約における主たる対価と位置付けており、原告からＳＤエンジンを購入しないＳＤメー 業を実施してきた。 原告は、ＳＤエンジンのメーカーとして、ＳＤエンジンの販売による利益を、ライセンス契約における主たる対価と位置付けており、原告からＳＤエンジンを購入しないＳＤメーカーに対しては、ＳＤ技術関連特許（本 件各特許権を含む。以下同じ。）をライセンスすることはない。また、ラ イセンス契約におけるロイヤリティは副次的なものであるため、ライセンスの標準料率は、１台当たりの最終販売価格の●（省略）●％に抑えられていた。 （以上につき、甲１３１ないし１３５、１４３、弁論の全趣旨）イ ＳＤダイサーメーカーの状況 国内の状況国内においては、原告からシリコンのステルスダイシング技術に関するライセンス許諾を受けたことのあるＳＤダイサーメーカーは、被告とディスコ社の２社に限られるところ、両者は競合関係にある。そして、ディスコ社は、現在でも原告からライセンス許諾を受け、原告のＳＤエンジンを 購入している。（甲１３１ないし１３５、弁論の全趣旨） 海外の状況海外には、ＥＯＴｅｃｈｎｉｃｓ社（以下「ＥＯ社」という。）、徳力激光、長城科技、無錫先導知能設備等のＳＤダイサーメーカーが存在する。 （弁論の全趣旨） 被告とディスコ社の販売実績平成２８年から令和元年９月までの５年間に販売された被告製品は●（省略）●台であるのに対し、原告製ＳＤエンジンである８００ＤＳ又は１０００ＤＳを搭載したディスコ社製ＳＤエンジンは、同時期に●（省略）●販売されている。 （以上につき、甲１３１ないし１３５、乙１５６、弁論の全趣旨）ウ ＳＤダイサーの需要者（エンドユーザ） サムスン社ａＳＤダイサー ）●販売されている。 （以上につき、甲１３１ないし１３５、乙１５６、弁論の全趣旨）ウ ＳＤダイサーの需要者（エンドユーザ） サムスン社ａＳＤダイサー市場においては、サムスン社が最大の需要者である。サムスン社は、平成２０年頃から平成２３年頃までの間は、被告のみから ＳＤダイサーを購入していたものの、平成２３年頃以降、被告に加え、 ＥＯ社からもＳＤダイサーを購入するようになった。 その後、ディスコ社が原告製エンジンを搭載したＳＤダイサーの販売を開始したことを受け、サムスン社は、一時期、被告からＳＤダイサーを購入することなく、ディスコ社とＥＯ社の２社のみからＳＤダイサーを購入するようになった。 そして、サムスン社は、被告が被告製ＳＤエンジンを搭載したＳＤダイサーを製造・販売するようになった平成２８年以降は、被告及びディスコ社の２社のみからＳＤダイサーを購入し、被告は、これまで合計●（省略）●台のＳＤダイサーをサムスン社に販売した。 ｂ サムスン社は、特定のメーカーのみから製造装置を購入すると、当該 メーカーに対するコントロールが難しくなることから、ＳＤダイサーについても、２社から購入するという方針を採用している。 （以上につき、甲１４１、乙２９１、弁論の全趣旨） ＴＩ社被告製品の販売台数のうち●（省略）●台は、ＴＩ社への販売である。 ＴＩ社は、被告製品を高く評価しているところ、これまで、原告からＳＤエンジンを購入したことはない。（甲１４２、弁論の全趣旨）。 エ原告とディスコ社の関係 原告とディスコ社は、平成１８年、業務提携契約を締結し、原告のＳＤ技術を用いた 告からＳＤエンジンを購入したことはない。（甲１４２、弁論の全趣旨）。 エ原告とディスコ社の関係 原告とディスコ社は、平成１８年、業務提携契約を締結し、原告のＳＤ技術を用いたディスコ社のＳＤダイサーの共同開発に着手し、翌１９年に は、原告のＳＤエンジンを搭載したＳＤダイサーであるＤＦＬ７３４０（２００ｍｍ径ウェハ用）及びＤＦＬ７３６０（３００ｍ径ウェハ用）を開発した。 それ以後、原告は、上記業務提携契約に基づき、ディスコ社に対し、原告製ＳＤエンジンの供給を行うとともに、当該ＳＤエンジンを搭載したＳ Ｄダイサー及びその顧客による業務上の使用につき、包括ライセンスを付 与している。 これを受けて、ディスコ社は、原告製ＳＤエンジンを搭載したＳＤダイサーを製造し、エンドユーザである半導体メーカー等に販売してきた。 そして、ディスコ社は、自らがアライアンスパートナーであることを対外的に宣伝するとともに、同社製のＳＤダイサーにＳＤＥマークを表示す ることにより、自社製品が原告製ＳＤエンジンを搭載していることを明らかにしてきた。 （以上につき、甲１３１～１３６）オ ＳＤエンジン８００ＤＳ／１０００ＤＳの開発 原告は、平成２６年頃、加工対象物に対する透過性の高い波長１３４２ ｎｍのレーザ光を照射するレーザ光源を備えたＳＤエンジンである８００ＤＳを開発した。 これを受けて、ディスコ社は、８００ＤＳを搭載したＳＤダイサー（ＤＦＬ７３６１）の販売を開始したところ、当時の販売台数は、年間●（省略）●台から●（省略）●台程度で推移していた。 原告は、平成２８年頃、デバイス層に光抜けしにくい波長１０９９ｎｍのレ ６１）の販売を開始したところ、当時の販売台数は、年間●（省略）●台から●（省略）●台程度で推移していた。 原告は、平成２８年頃、デバイス層に光抜けしにくい波長１０９９ｎｍのレーザ光を照射するレーザ光源を備えたＳＤエンジンである１０００ＤＳを開発した。 これを受けて、ディスコ社は、平成２９年１２月頃、１０００ＤＳを搭載したＳＤダイサー（ＤＦＬ７３６２）の販売を開始した。 平成２８年３月頃に被告製品の販売が開始されてから現在に至るまでの間、ディスコ社のＳＤダイサーの主力製品は、上記のＤＦＬ７３６１及びＤＦＬ７３６２である（弁論の全趣旨）。 原告は、平成２８年９月９日付けで、被告に対し、①被告がサムスン社に対し納入しているＳＤエンジンにつき、原告製又は原告のライセンスを 受けた製品である旨の説明をしていないか事実確認を求めるとともに、② 被告のＳＤエンジンにはＳＤＥシールが貼られていないものがあるかどうか、③サムスン社によれば、ディスコ社が受注直前だった●（省略）●台のＳＤダイサーのうち、●（省略）●については被告から購入することになった旨報告を受けていること等を指摘する内容の文書（甲１４１）を送付した。 （以上につき、甲１３６、１４１、弁論の全趣旨）⑵ 特許法１０２条２項の適用の可否ア特許法１０２条２項は、民法の原則の下では、特許権侵害によって特許権者が被った損害の賠償を求めるためには、特許権者において、損害の発生及び額、これと特許権侵害行為との間の因果関係を主張、立証しなければなら ないところ、その立証等には困難が伴い、その結果、妥当な損害の填補がされないという不都合が生じ得ることに照らし、侵害者が侵害行為によって 許権侵害行為との間の因果関係を主張、立証しなければなら ないところ、その立証等には困難が伴い、その結果、妥当な損害の填補がされないという不都合が生じ得ることに照らし、侵害者が侵害行為によって利益を受けているときは、その利益の額を特許権者の損害額と推定するとして、立証の困難性の軽減を図った規定である。そして、特許権者に、侵害者による特許権侵害行為がなかったならば利益が得られたであろうという事情が 存在する場合には、特許法１０２条２項の適用が認められると解すべきである。 そして、特許法１０２条２項の上記趣旨からすると、同項所定の侵害行為により侵害者が受けた利益の額とは、原則として、侵害者が得た利益全額であると解するのが相当であって、このような利益全額について同項による推 定が及ぶと解すべきである。もっとも、上記規定は推定規定であるから、侵害者の側で、侵害者が得た利益の一部又は全部について、特許権者が受けた損害との相当因果関係が欠けることを主張立証した場合には、その限度で上記推定は覆滅されるものということができる（知的財産高等裁判所平成３０年第１００６３号令和元年６月７日特別部判決参照）。 もっとも、特許権者において販売等する製品が、侵害品の部品に相当する ものであり、侵害品とは需要者を異にするため、市場において競合関係に立つものと認められない場合には、当該侵害品の市場においては、侵害品の代わりに部品が購入されるものとはいえない。それにもかかわらず、上記場合において、上記部品が、侵害品と市場において競合関係に立つ第三者の製品に使用され得ることをも重ねて推認した上、特許権者に、侵害者による特許 権侵害行為がなかったならば利益が得られたであろうという事情が存在するものと認める と市場において競合関係に立つ第三者の製品に使用され得ることをも重ねて推認した上、特許権者に、侵害者による特許 権侵害行為がなかったならば利益が得られたであろうという事情が存在するものと認めるのは、明らかに特許権者が受けた損害の額以上の額を推認することになるから、特許法１０２条２項の趣旨に鑑み、同項の推定の範囲を超えるものであって、相当であるとはいえない。 したがって、上記場合には、侵害者が侵害品の販売等により受けた利益の 額は、特許権者が受けた損害の額と推定することはできないと解するのが相当である。 イこれを本件についてみると、前記認定事実によれば、原告は、ＳＤエンジンメーカーであり、ＳＤダイサーの一部を構成するＳＤエンジンを製造し、被告やディスコ社等のＳＤダイサーメーカー（半導体製造装置メーカー）に 対し、これを販売するものである。これに対し、前記認定事実によれば、被告はＳＤダイサーメーカーであり、原告から購入し又は自ら製造したＳＤエンジンを搭載したＳＤダイサーを製造し、サムスン社等の半導体製造業者や半導体加工業者（エンドユーザ）に対し、これを販売するものであることが認められる。 そうすると、特許権者である原告が販売する製品（ＳＤエンジン）は、侵害品であるＳＤダイサーの部品に相当するものであり、ＳＤダイサーとは需要者を異にするため、市場において競合関係に立つものと認めることはできない。 したがって、本件においては、被告が、侵害品であるＳＤダイサーの販売 等により受けた利益の額は、原告が受けた損害の額と推定することはできな いと解するのが相当である。 ウ原告の主張について原告は、被告及びディスコ社の２社が国内及び海外のエンドユーザに対し、ほぼ独占的にＳ 受けた損害の額と推定することはできな いと解するのが相当である。 ウ原告の主張について原告は、被告及びディスコ社の２社が国内及び海外のエンドユーザに対し、ほぼ独占的にＳＤダイサーを供給しているところ、被告の侵害行為により、ディスコ社製品の販売量が減少した結果、原告においても、ディス コ社への販売を通じて得られたはずであって、①ＳＤエンジン一式の販売利益、②ＬＤモジュールの交換による利益、③包括ライセンス契約による実施料相当の利益を失ったため、特許権者に侵害行為による特許権侵害行為がなかったならば利益が得られたであろうという事情が存在するとして、特許法１０２条２項の推定規定が適用されるべきである旨主張する。 しかしながら、前記認定事実によれば、①国内においては、被告及びディスコ社が市場におけるシェアをほぼ独占しているものの、海外には、ＥＯ社等の競合他社が存在すること、②ＳＤダイサーの最大の需要者であるサムスン社は、直近では、被告及びディスコ社のみからＳＤダイサーを購入しているものの、特定のメーカー１社のみからＳＤダイサーを購入しな いことを基本方針とし、当該２社も時期により変動していること、③被告は、これまで●（省略）●台のＳＤ装置をＴＩ社に販売しているところ、ＴＩ社は、被告製のＳＤダイサーのみを購入しており、原告からはＳＤエンジンを購入した実績がないこと、以上の各事実が認められる。 上記認定事実によれば、エンドユーザにおいて、被告からＳＤダイサー を購入していなければ、代わりにディスコ社からＳＤダイサーを購入するという関係が直ちに成り立つものと認めるに足りないというべきである。 そうすると、原告の主張は、その前提を欠く。そして、部品であるＳＤエンジンと侵害品であるＳＤダ ディスコ社からＳＤダイサーを購入するという関係が直ちに成り立つものと認めるに足りないというべきである。 そうすると、原告の主張は、その前提を欠く。そして、部品であるＳＤエンジンと侵害品であるＳＤダイサーが需要者を異にして市場において競合関係に立つものとは認められない場合、特許法１０２条２項の推定規定 が適用されないことは、上記において説示したとおりであり、原告の主張 は、上記判断を左右するものとはいえない。 したがって、原告の主張は、採用することができない。 原告は、平成３０年１月末までのディスコ社の失注台数と原告の販売台数を比較すると、両者が一致する旨主張する。 しかしながら、原告が主張するディスコ社の失注台数については、客観 的な裏付けを欠くものであり、仮に、原告の主張を前提としても、サムスン社についてはディスコ社の失注台数が●（省略）●であるのに対し、被告製品の販売台数は●（省略）●台であり、また、ＳＣＰＫについては、ディスコ社の失注台数が●（省略）●であるのに対し、被告製品の販売台数は●（省略）●台であり、両者は必ずしも一対一の関係にはないことが 認められ、原告の主張は、前提を欠く。したがって、原告の主張は、採用することができない。 その他に、原告の主張及び提出証拠を改めて検討しても、上記において説示したところに照らし、原告の主張は、いずれも採用することができない。 エ以上によれば、その余の点を判断するまでもなく、特許法１０２条２項に基づく原告の請求は理由がない。 32 争点６－２－１（特許法１０２条１項の適用の可否）⑴ 特許法１０２条１項の適用の可否ア特許法１０２条１項 特許法１０２条１項は く原告の請求は理由がない。 32 争点６－２－１（特許法１０２条１項の適用の可否）⑴ 特許法１０２条１項の適用の可否ア特許法１０２条１項 特許法１０２条１項は、民法７０９条に基づき販売数量減少による逸失利益の損害賠償を求める際の損害額の算定方法について定めた規定であり、特許法１０２条１項本文において、侵害者の譲渡した物の数量に特許権者又は専用実施権者（以下「特許権者等」という。）がその侵害行為がなければ販売することができた物の単位数量当たりの利益額を乗じた額を、特許権者等 の実施の能力の限度で損害額とし、同項ただし書において、譲渡数量の全部 又は一部に相当する数量を特許権者等が販売することができないとする事情を侵害者が立証したときは、当該事情に相当する数量に応じた額を控除するものと規定して、侵害行為と相当因果関係のある販売減少数量の立証責任の転換を図ることにより、より柔軟な販売減少数量の認定を目的とする規定である。 上記にいう特許法１０２条１項の文言及び趣旨に照らせば、特許権者等が「侵害行為がなければ販売することができた物」とは、侵害品と需要者を共通にする同種の製品であって、市場において、侵害者の侵害行為がなければ販売等することができたという競合関係にある製品をいうものと解するのが相当である（知的財産高等裁判所平成３１年第１０００３号令和２年２ 月２８日特別部判決参照）。 イ当てはめこれを本件についてみると、前記争点６－１－１において説示したとおり、ＳＤエンジンはＳＤダイサーの部品であるところ、特許権者である原告が販売する製品（ＳＤエンジン）は、侵害品であるＳＤダイサーの部品に相当す るものであり、ＳＤダイサーとは需要者を異にする り、ＳＤエンジンはＳＤダイサーの部品であるところ、特許権者である原告が販売する製品（ＳＤエンジン）は、侵害品であるＳＤダイサーの部品に相当す るものであり、ＳＤダイサーとは需要者を異にするため、市場において競合関係に立つものと認めることはできない。 そうすると、ＳＤダイサーである被告製品は、原告において侵害行為がなければ販売することができた物には該当せず、特許法１０２条１項は、本件に適用されないと解するのが相当である。 ⑵ 原告の主張についてア原告は、知的財産高等裁判所令和２年２月２８日特別部判決（いわゆる美容器事件大合議判決）に基づき、「侵害品の販売により特許権者等の製品の販売数量が影響を受ける関係」にあれば、特許法１０２条１項の適用が認められるという前提に立ち、本件においては、被告製品の販売により、ディス コ社製品の販売数量が直接影響を受ける結果、特許権者である原告のＳＤエ ンジンの販売する量もそれに応じて影響を受ける関係にあるから、同項が適用されるべきである旨主張する。しかしながら、上記において特許法１０２条１項を解釈したところを踏まえると、同項にいう推定の基礎は市場における競合関係にあると解するのが相当であり、原告の主張は、これとは異なる前提に立って主張するものに帰し、上記判断を左右するものとはいえない。 したがって、原告の主張は、採用することができない。 イその他に、原告の主張及び提出証拠を改めて検討しても、原告の主張は、上記において特許法１０２条１項を解釈したところに照らし、いずれも採用することができない。 ⑶ 以上によれば、その余の点を判断するまでもなく、本件においては、特許法 １０２条１項に基づく請求は理由がない。 １項を解釈したところに照らし、いずれも採用することができない。 ⑶ 以上によれば、その余の点を判断するまでもなく、本件においては、特許法 １０２条１項に基づく請求は理由がない。 33 争点６－３（特許法１０２条３項に基づく損害額）⑴ 実施料相当額の算定についてア特許法１０２条３項特許法１０２条３項は、特許権侵害の際に特許権者が請求し得る最低限度 の損害額を法定した規定であって、同項による損害は、原則として、侵害品の売上高を基準とし、そこに、実施に対し受けるべき料率を乗じて算定すべきである。そして、平成１０年法律第５１号による改正により、「通常受けるべき金銭の額」という同項の規定のうち「通常」の部分が削除された経緯に照らせば、同項に基づく損害の算定に当たっては、必ずしも特許権につい ての実施許諾契約における実施料率に基づかなければならない必然性はなく、特許権侵害をした者に対して事後的に定められるべき、実施に対し受けるべき料率は、むしろ、通常の実施料率に比べて自ずと高額になるであろうことを考慮すべきである。 したがって、実施に対し受けるべき料率は、①当該特許発明の実際の実施 許諾契約における実施料率や、それが明らかでない場合には業界における実 施料の相場等も考慮に入れつつ、②当該特許発明自体の価値すなわち特許発明の技術内容や重要性、他のものによる代替可能性、③当該特許発明を当該製品に用いた場合の売上げ及び利益への貢献や侵害の態様、④特許権者と侵害者との競業関係や特許権者の営業方針等訴訟に現れた諸事情を総合考慮して、合理的な料率を定めるべきである（知的財産高等裁判所平成３０年 第１００６３号令和元年６月７日特別部判決参照）。 イ当てはめこれを本件についてみると 針等訴訟に現れた諸事情を総合考慮して、合理的な料率を定めるべきである（知的財産高等裁判所平成３０年 第１００６３号令和元年６月７日特別部判決参照）。 イ当てはめこれを本件についてみると、前記認定事実、後掲の各証拠及び弁論の全趣旨によれば、上記①ないし④に係る考慮事情として、次の事実を認めることができる。 実際の実施許諾契約における実施料率等、原告の営業方針等前記認定事実のとおり、原告は、ステルスダイシング等の先端技術を研究開発するグローバル企業であり、原告が開発したステルスダイシング技術の中核的ユニットであるＳＤエンジン一式の製造については、自社製造を必須とし、一切製造ライセンスを許諾せず、ＳＤエンジンの販売利益に より先端技術の研究開発を継続するものであること、そのため、原告は、アライアンスパートナーに対し包括ライセンスを付与するに当たっては、飽くまでＳＤエンジンの販売を大前提として、当該販売とＳＤ技術関連特許に関する特許発明のロイヤリティの支払を不可分一体の条件とするものであり、原告は、アライアンスパートナーに対しては、本件特許発明を 含めたＳＤ技術関連特許につき、ＳＤダイサーの最終販売価格の●（省略）●％という実施料率に基づき、包括ライセンスを行っていること、他方、原告からＳＤエンジンを購入しないＳＤメーカーに対しては、ＳＤ技術関連特許を包括ライセンスすることは一切ないこと、以上の事実が認められる。 上記認定事実によれば、原告のビジネスモデルにおいては、ＳＤダイサーの最終販売価格の●（省略）●というライセンス料のみによっては、先端技術の研究開発を継続等して持続的成長を図るには十分ではなく、特許法１０２条３項に基づく適正な実施料率を算 においては、ＳＤダイサーの最終販売価格の●（省略）●というライセンス料のみによっては、先端技術の研究開発を継続等して持続的成長を図るには十分ではなく、特許法１０２条３項に基づく適正な実施料率を算定するに当たっては、上記認定に係る原告のビジネスモデル等を踏まえると、原告製ＳＤエンジンの販 売により生じる利益分をも考慮する必要があると認められる。 ａＳＤエンジンの販売による原告の利益への貢献等⒜ 証拠（甲１４２、１４７、１４８）及び弁論の全趣旨によれば、原告は、ディスコ社に対し、①●（省略）●頃、ＳＤエンジン（８００ＤＳ）を代金●（省略）●円で売却したこと（ＡＦユニット及び対物 レンズを含む。）、②●（省略）●頃、ＳＤエンジン（１０００ＤＳ）を代金●（省略）●円で売却したことが認められる。 ⒝ これに対し、被告は、被告が原告製ＳＤエンジンを購入していた際の単価は●（省略）●であったことに照らせば、原告提出の見積書（甲１４２）の記載の金額は高額にすぎるものであり、また、累計販売台 数が多いことに伴うディスカウントによって更に安い価格で販売されている可能性が高い旨主張する。 しかしながら、証拠（乙１４）によれば、原告と被告の間で締結された本件売買基本契約においては、累積販売台数が●（省略）●台以上の場合には、●（省略）●とされていたものの、累積販売台数が● （省略）●の場合には、●（省略）●は●（省略）●であったことが認められる。 そうすると、前記認定に係るディスコ社に対する販売代金額は、本件売買基本契約における価格と比較しても、不相当に高額であるということはできない。また、累計販売台数が多いことに伴うディスカウ ントによって更に安い価 に係るディスコ社に対する販売代金額は、本件売買基本契約における価格と比較しても、不相当に高額であるということはできない。また、累計販売台数が多いことに伴うディスカウ ントによって更に安い価格で販売されていた事実を認めるに足りる 客観的な証拠はなく、被告の主張は、飽くまで可能性を指摘するにとどまり、売上げに関する上記認定を左右するものとはいえない。したがって、被告の主張は、採用することはできない。 その他に、被告の主張及び提出証拠を改めて検討しても、被告の主張は、上記において説示したところに照らし、いずれも採用すること ができない。 ⒞ なお、原告は、ディスコ社に対するＳＤエンジンの販売代金の裏付けとして、見積書や注文書の一部のみを提出するにとどまり（甲１４２、１４７、１４８参照）、これまでに販売された全てのＳＤエンジンの販売代金は明らかではないものの、１０２条３項に基づく適正な 実施料を算定するための一事情としては、少なくとも前記の販売実績の限度でこれを斟酌するのが相当である。 ｂ 原価について原告は、原告のシステムに記録されている原価データのスクリーンショット（甲１４２）に基づき、①８００ＤＳの原価は、●（省略）●で あり、②１０００ＤＳの原価は、●（省略）●である旨主張する。 これに対し、被告は、当該データの正確性や読み方が明らかではない旨主張し、前記各金額を争っているところ、上記スクリーンショットは、画面のごく一部を抜粋したものにすぎず、記載項目の具体的な内容やその正確性が明らかであるということはできないから、上記スクリーンシ ョット（甲１４２）の記載をもって、原価を認定するのは相当ではない。 そして、その他に原価が上記の金額で 目の具体的な内容やその正確性が明らかであるということはできないから、上記スクリーンシ ョット（甲１４２）の記載をもって、原価を認定するのは相当ではない。 そして、その他に原価が上記の金額であることを認めるに足りる的確な証拠が存在しないことを踏まえると、原告のＳＤエンジンの原価は、当事者間に争いがない●（省略）●の限度で認定するのが相当である。 ｃＬＤモジュールの交換費用 原告は、原告のビジネスモデルには、ＬＤモジュールの交換による利益も含まれるという前提に立ち、ＬＤモジュールの交換費用も、原告製ＳＤエンジンの購入により生じる利益に含まれる旨主張する。 しかしながら、原告が上記主張を裏付けるものとして提出する証拠は、陳述書（甲１４２）に限られるところ、同陳述書の記載内容自体を裏付 けるに足りる客観的な証拠は提出されず、その他に上記主張を認めるに足りる的確な証拠は存在しない。そうすると、原告の主張は、裏付けを欠くものというほかない。したがって、原告の主張は、採用することができない。 ｄ 原告製ＳＤエンジンの利益の額 以上によれば、原告は、これまでの実績として、ディスコ社に対し、●（省略）●の代金で原告製のＳＤエンジンを売却した事例があり、その原価は●（省略）●であると認められるから、当該事例に係る利益額は、●（省略）●であることが認められる。そして、後記のとおり、被告製品の1 台当たりの販売価格は、約1 億円であるところ、上記事例に 係る被告製品全体に占める原告製ＳＤエンジンの利益の率は、約●（省略）●％であったことが認められる。 本件各発明の技術内容や重要性ａ 前記認定事実、証拠（甲１３４、１３５）及び弁論の全趣旨によれば、 に占める原告製ＳＤエンジンの利益の率は、約●（省略）●％であったことが認められる。 本件各発明の技術内容や重要性ａ 前記認定事実、証拠（甲１３４、１３５）及び弁論の全趣旨によれば、ステルスダイシング技術は、原告が世界で初めて開発した技術であると ころ、加工対象物の内部に溶融処理領域を形成し、もって、加工対象物の表面を溶融させることなく、加工対象物の切断を可能にするものであり、これによれば、ウェハ表面に粉塵を発生させることがなく、ブレードの交換や冷却水での洗浄処理を必要としないほか、加工箇所を最小限に抑えることができる。そのため、半導体チップの薄型化、小型化とい う要請に即応したものであって、小型化や高集積化が進んでいる半導体 チップを切り出すための革新的かつ実用的な基本技術となっている。取り分け、本件発明１は、ステルスダイシング技術の中核的技術思想を具現化するものであって、根本的に代わり得る代替技術が存在することはうかがわれず、その重要性が極めて高いものといえる。 また、本件発明２－２及び２－３は、ＳＤ技術を適用して実際に加工 を行う際に問題となる端部の形状変動に対応した実用的な技術であり、ＳＤダイサーを用いて実際に加工を行うに当たって有用なものである。 したがって、本件各発明（非侵害と認定された本件発明２－１を除く。 以下、侵害論における説示において同じ。）のステルスダイシング技術は、半導体製造装置に関連する分野において、極めて高い技術的価値を 有するものと認められる。 ｂ 被告の主張について被告は、本件各発明の価値は限定的である上、本件訂正により本件各発明の価値が相当程度低下しており、被告は、本件発明２の代替技術（乙１６７）を開発した旨主張する。しかしながら、 被告の主張について被告は、本件各発明の価値は限定的である上、本件訂正により本件各発明の価値が相当程度低下しており、被告は、本件発明２の代替技術（乙１６７）を開発した旨主張する。しかしながら、上記において説示した ところに照らすと、被告の主張は、そもそも、本件発明１の中核的技術思想を正解するものではなく、上記認定を左右するものとはいえない。 そして、本件訂正を前提とした場合であっても、本件訂正により特許請求の範囲から除外されたのは、「溝のあるシリコンウェハ」に限られるのであり、弁論の全趣旨によれば、半導体を製作する際に用いられるシ リコンウェハには溝が入っていないものが通常であるといえるから、被告の主張は、上記認定に係る本件発明１の技術的価値を左右するものとはいえない。さらに、被告にいう代替技術が本件発明２の侵害を回避し得るものであるとしても、本件発明２のステルスダイシング技術の有用性に鑑みると、その技術的価値の評価を直ちに左右する事情とはいえな い。 したがって、被告の主張は、いずれも採用することができない。 侵害の態様ａ 前記認定事実によれば、被告は、もともと、原告との間で本件業務提携契約を締結した上、本件各発明の実施につきライセンスを受けていたことは、既に説示したとおりである。そして、被告は、本件業務提携契 約が解消された後にも、本件各発明に係る特許権の侵害品である被告製品の製造販売を継続してきたことが認められ、ライセンス条件すら具体的に記載されていない走り書きのメモ（別紙本件議事録参照。乙１８）によっては、被告主張に係る本件実施許諾契約の成立があったと認められないことも、前記において認定したとおりである。 これらの事情を総合すると、原告 り書きのメモ（別紙本件議事録参照。乙１８）によっては、被告主張に係る本件実施許諾契約の成立があったと認められないことも、前記において認定したとおりである。 これらの事情を総合すると、原告が主張するとおり、被告は、故意に不正使用して原告の特許権を侵害したものと認めるのが相当である。したがって、このような事実を前提とすれば、被告の侵害の態様は、自己のダイシング事業継続に拘泥し、知的財産権を尊重する姿勢を欠くものとして極めて悪質なものであって、社会的信用を欠く行為であるという ほかない。 ｂ これに対し、被告は、本件実施許諾契約に基づき、本件各発明を実施することにつき適法なライセンスが得られている旨誤信していたことから、被告の侵害の態様は、悪質ではなく、むしろ相当実施料率を下げる方向に働く旨主張する。 しかしながら、本件実施許諾契約が成立していないことは、上記において説示したとおりである。そして、ライセンス条件すら具体的に記載されていない走り書きのメモ（別紙本件議事録参照。乙１８）によっては、被告主張に係る本件実施許諾契約の成立があったと認められないことも、前記において繰り返し認定したとおりである。それにもかかわら ず、被告において本件実施許諾契約の成立があった旨誤信していた旨の 被告の主張は、知的財産権の重要性及び本件各発明の技術的価値を看過し、当を得ないものとして、明らかに採用の限りではない。 そうすると、被告において上記にいう走り書きのメモ（別紙本件議事録参照）をもってライセンスを得たものと誤信していた旨の被告の主張は、特許法１０２条３項に基づく相当実施料額の算定に当たって、被告 に有利に斟酌されるべきものとはいえない。したがって、被告の主張は、採用することができない。 ものと誤信していた旨の被告の主張は、特許法１０２条３項に基づく相当実施料額の算定に当たって、被告 に有利に斟酌されるべきものとはいえない。したがって、被告の主張は、採用することができない。 ｃ 被告は、本件各発明が共同出願違反であり、本来無効であるべき特許であることを根拠として、本件各発明の価値が低い旨も主張する。しかしながら、特許法１０２条３項にいう「その特許発明の実施に対し受け るべき金銭の額に相当する額」を判断するに当たって考慮すべき特許発明の価値とは、飽くまで当該特許が有効であることを前提とするものであって、当該特許が無効であることを前提とする諸事情は、考慮されるべきものとはいえない。そして、被告の主張を十分に考慮したとしても、本件各発明が有効である以上、上記判断を左右するに至らない。したが って、被告の主張は、採用することができない。 ｄ その他に、被告の主張及び提出証拠を改めて検討しても、被告の主張は、上記において説示したところに照らし、いずれも採用することができない。 実施料率の算定 上記認定に係る実際の実施許諾契約における実施料率、本件各発明の技術内容や重要性、本件各発明を被告製品に用いた場合の売上げ及び利益への貢献や侵害の態様、原告の営業方針その他の本件に現れた諸事情を総合考慮して、特許法１０２条４項の趣旨に鑑み、合理的な料率を定めると、実施に対し受けるべき料率は、少なく見積もっても３０％を下らないとい うべきである。 したがって、上記実施料率は、３０％と認めるのが相当である。 原告の主張について原告は、実際の実施許諾契約における実施料率に関連し、業務委託契約（甲１４３）に規定する違約金が売上げに対する３５％の 、３０％と認めるのが相当である。 原告の主張について原告は、実際の実施許諾契約における実施料率に関連し、業務委託契約（甲１４３）に規定する違約金が売上げに対する３５％の料率とされていることから、当該料率も参酌すべきである旨主張するものの、当該違約金 の条項を締結した趣旨目的、その適用事例、当該契約の相手方その他の当該違約金の性質に関する諸事情が具体的に主張立証されていないことを踏まえると、逸失利益に係る損害として特許法１０２条３項の実施料率を算定するに当たっては、少なくとも現時点における主張立証にとどまる限度においては、上記料率を参酌するのは相当ではなく、原告の主張は、採 用することができない。 被告の主張について被告は、かつて原被告間で●（省略）●％という包括実施料率が定められていたことを前提とし、この数字を、対象となる特許の数●（省略）●で除した●（省略）●％の実施料率が相当である旨主張する。 しかしながら、そもそも●（省略）●％という数字は、原告製ＳＤエンジンを被告が購入することを条件とした場合の料率であるから、本件に適用する前提を欠く。また、上記料率は、原告と被告との間で業務提携契約が締結されていることを前提に、●（省略）●したいという被告の要望を受けて、特別に便宜を図って設定されたものであるから、特許法１０２条 ４項の規定の趣旨に照らしても、本件に適用する前提を欠く。 しかも、既に説示したとおり、本件発明１がステルスダイシング技術の中核であり、特許ポートフォリオに含まれる他の特許よりも高い価値を有するというべきところ、単純に、特許ポートフォリオ全体の実施料率を対象となる特許の数で除するというのも、明らかに本件発明１の技術的価値 あり、特許ポートフォリオに含まれる他の特許よりも高い価値を有するというべきところ、単純に、特許ポートフォリオ全体の実施料率を対象となる特許の数で除するというのも、明らかに本件発明１の技術的価値 を正解するものとはいえず、相当ではない。そうすると、被告の主張は、 いずれも本件に適切ではない。したがって、被告の主張は、採用することができない。 その他に被告の主張及び提出証拠を改めて検討しても、被告の主張は、本件発明１の技術的価値を正解しないものに帰し、前記判断を左右するに至らず、いずれも採用することができない。 ⑵ 被告製品の販売台数について平成２８年３月から令和４年２月２５日までの期間に、別紙一覧表のとおり、合計●（省略）●台の被告製品が販売されたことについては、当事者間に争いがない（乙３２９参照）。 もっとも、被告は、このうち、平成２８年３月にサムスン社に対して販売さ れたサンプル機１台（別紙一覧表№１）については、原告からライセンスを受けていたのであるから、侵害品には当たらない旨主張するため、以下検討する。 ア認定事実前記前提事実、後掲の各証拠及び弁論の全趣旨によれば、次の事実を認めることができる。 被告とサムスン社は、平成２７年５月１日頃、共同評価契約（JointEvaluationAgreement）を締結したところ、同契約には、次のような規定が設けられている。（乙２９５、弁論の全趣旨）ａ １条（目的） 東京精密は、サムスン社がレーザーソープロセスに使用するＭＬ３００ＰｌｕｓＸＷＨ（以下「システム」という。）を提供 する。被告とサムスンは、別紙Ａ及びＢに記載されている仕様とスケジュールを満たす 密は、サムスン社がレーザーソープロセスに使用するＭＬ３００ＰｌｕｓＸＷＨ（以下「システム」という。）を提供 する。被告とサムスンは、別紙Ａ及びＢに記載されている仕様とスケジュールを満たすシステムの性能について、共同での評価と改善を実施する。 ｂ ７条（購入） 評価が正常に完了した後、サムスン社はシステムを購入する場合がある。サムスン社がシステムの購入を決定した場合、被告 は、この評価に対するサムスン社の技術的貢献を考慮して、価格設定と 納品の点で最も有利な条件を提供する。サムスン社がシステムを購入しないことを決定した場合、被告は自己負担でシステムを被告に返送する。 被告は、平成２７年３月頃、サムスン社に対し、被告製レーザエンジンを搭載したダイシング装置のサンプル機を出荷するとともに、その旨を原告に報告した。 これを受けて、原告は、サンプル機の取扱いにつき内部で協議をした上で、同月３０日、被告の担当者に対し、メールを送信した（以下、このメールを「３月３０日のメール」という。）。同メールには、次のような記載があることが認められる。（以上につき、乙２０、弁論の全趣旨）ａ ロイヤリティ費及びロイヤリティシール（プレート）について ⇒ 今回のSamsung 様向けに出荷する装置に限りサンプル出荷の際には費用をお支払いいただかなくて構いません。しかし、ロイヤリティプレートなどの支給もできません。 ｂ 装置が受注になり販売になった場合について⇒ 別途ロイヤリティ費をお支払いいただき、ロイヤリティシール（プ レート）を送付させていただきます。 サムスン社は、前記共同評価契約に基づき被告から納入を受けた被告製品（デモ機）につき、評価を行 ィ費をお支払いいただき、ロイヤリティシール（プ レート）を送付させていただきます。 サムスン社は、前記共同評価契約に基づき被告から納入を受けた被告製品（デモ機）につき、評価を行った後、購入することとした。これを受けて、被告は、平成２８年３月、サムスン社に対し、改めて被告製品を１台販売し、デモ機の返却と引換えに、被告製品を納入した。（弁論の全趣旨） イ侵害品該当性について 上記認定事実によれば、原告は、３月３０日のメールにおいて、被告に対し、デモ機の出荷については、ロイヤリティの支払は不要とするものの、装置が受注になり販売になった場合には、ライセンスの対象として、ロイヤリティの支払が必要となる旨を伝えていることが認められる。 これを受けて、サムスン社は、実際にサンプル機を評価した上で、１台を購入したことが認められるのであるから、当該１台は、上記にいう場合に該当するものと認めるのが相当である。 そうすると、サムスン社に対するサンプル機（別紙一覧表№１）に関するものについては、ライセンスの対象であり、侵害品には当たらないとい うべきである。 これに対し、原告は、サムスン社が購入した１台は、サンプル機をそのまま引き取ったものではなく、サンプル機と引換えに納入したものであるから、ライセンスの対象ではない旨主張する。 しかしながら、３月３０日のメールは、単に、「装置が受注になり販売 になった場合」と記載するにとどまり、原告が主張するように、サムスンがサンプル機として受領した被告製品を現状有姿の状態で購入して引き取る場合に限る旨の記載はない。その他に、本件記録を精査しても、３月３０日のメールによるライセンスの対象が原告主張に係る内容に限定さ がサンプル機として受領した被告製品を現状有姿の状態で購入して引き取る場合に限る旨の記載はない。その他に、本件記録を精査しても、３月３０日のメールによるライセンスの対象が原告主張に係る内容に限定されることを認めるに足りる的確な証拠はない。 したがって、原告の主張は、採用することができない。 ウ小括以上によれば、損害賠償の対象となる被告製品の売上台数は●（省略）●台であることを前提として、１０２条３項に基づく損害額を算定するのが相当である。 ⑶ 被告製品の売上高ア ＲＭモジュール原告は、被告製品の売上高につき、被告製品本体のみならず、ＲＭモジュールの売上高も含めて算出すべきである旨主張する。 しかしながら、証拠（乙３２７ないし３２９）及び弁論の全趣旨によれば、 ①ＲＭモジュールは、ウェハ裏面にダイシングテープを貼付するとともに、 ウェハ表面に貼り付けられた表面保護テープを剥離する工程を担う装置であること、②通常の半導体製造工程においては、ＲＭモジュールは、ポリッシュグラインダ（ウェハの薄片化とダメージ除去を行う装置）に接続して用いられるところ、その場合、まず、ポリッシュグラインダによりウェハを薄片化等した後に、ＲＭモジュールによりダイシングテープの貼付及び表面保 護テープの剥離を行い、ダイシング装置に、中間ユニットを接続して使用されるものであること、③他方、●（省略）●こと、④ＲＭモジュールとダイシング装置は、それぞれ独立したモニタ及び制御機構を備え、個別に制御することができること、⑤被告製品のうち、ＲＭモジュールと一体として販売されたものは、●（省略）●に限られており、他社には一体として販売され ていなかったこと、以上の各事実 を備え、個別に制御することができること、⑤被告製品のうち、ＲＭモジュールと一体として販売されたものは、●（省略）●に限られており、他社には一体として販売され ていなかったこと、以上の各事実が認められる。 上記認定事実によれば、ＲＭモジュールは、ダイシング装置とは異なる目的や機能を有するものであって、物理的にも制御面でも独立した装置であり、必ずしも一般に、ダイシング装置と一体のものとして取引の対象となるものとまで認めることはできない。 これらの事情を考慮すれば、特許法１０２条３項に基づく被告製品の実施料相当額を認定するに当たっては、ＲＭモジュールの販売による利益を含めないとするのが相当である。 イオプション品原告は、被告製品の売上高につき、被告製品本体のみならず、個々のオプ ション品についても含まれるべきであると主張するものの、それ以上に、これらの具体的な内容を特定した上で、これがダイシング装置と一体のものとして取引の対象となることを認めるに足りる的確な証拠を提出するものではない。 そうすると、１０２条３項に基づく被告製品の実施料相当額を認定するに 当たっては、オプション品の販売による利益を含めないとするのが相当であ る。 ウ売上高上記認定のとおり、被告は、●（省略）●、ＲＭモジュール付きの被告製品につき、本体部分及びＲＭモジュールを一体とした販売価格を設定しているところ、弁論の全趣旨によれば、ＲＭモジュール付きの被告製品について は、その販売価格に対し、ＲＭモジュール部分が占める割合（以下「ＲＭモジュール部分の控除率」という。）が●（省略）●％であることが認められる。 そして、原告としても、ＲＭモジュール部分の控除率を● 売価格に対し、ＲＭモジュール部分が占める割合（以下「ＲＭモジュール部分の控除率」という。）が●（省略）●％であることが認められる。 そして、原告としても、ＲＭモジュール部分の控除率を●（省略）●％とした場合の被告製品●（省略）●台分の売上高が●（省略）●円であること については争うものではない（第２回口頭弁論調書参照。なお、同調書においては、乙３２９の右下にある「Ｎｏ．１を除く売上高（黄色マーク部分）の合計額」欄記載に基づき、●（省略）●円であることが確認されているものの、乙３５９の黄色マーク部分の合計額を計算すると、上記のとおり、●（省略）●円となることが認められる。）。 そうすると、被告製品●（省略）●台分の売上高は、●（省略）●円であると認めるのが相当である。 (４) 損害額ア以上によれば、１０２条３項に基づく損害の額は、次の計算式のとおり、●（省略）●円となる（小数点第一位で四捨五入）。 （計算式）●（省略）●円×０．３＝●（省略）●円イ弁護士費用本件事案の内容、難易度、審理経過及び認容額等に鑑みると、これと相当因果関係があると認められる弁護士費用相当損害額としては、●（省略）● を認めるのが相当である。 ウ合計以上によれば、損害額の合計は、１５億０６９７万８７６２円となる。 エ遅延損害金 弁論の全趣旨によれば、被告製品のうち、別紙一覧表№●（省略）●までについては、いずれも、遅くとも、原告主張に係る遅延損害金の起算日 である平成３０年１１月１日までには販売されたものと認められる。 そして、乙３６３及び弁論の全趣旨によれば、別紙一覧表№●（省略）● も、遅くとも、原告主張に係る遅延損害金の起算日 である平成３０年１１月１日までには販売されたものと認められる。 そして、乙３６３及び弁論の全趣旨によれば、別紙一覧表№●（省略）●までの売上高の合計額は●（省略）●円であることが認められるところ、これに０．３を乗じた●（省略）●円（小数点第１位で四捨五入。以下同じ。）の限度では、原告の請求どおり、平成３０年１１月１日（不法行為 の後の日）から遅滞に陥るものと認められる。 また、これに対応する弁護士費用相当損害額である●（省略）●円（＝●（省略）●）についても同様である（合計額は、１０億０５８０万９８５１円となる。）。 弁論の全趣旨によれは、別紙一覧表№●（省略）●までについては、そ れぞれ、遅くとも、対応する「売上月」欄に記載された年月の最終日までには販売されたものと認められる。 そうすると、別紙一覧表№●（省略）●までの被告製品の販売に係る損害賠償債務の遅延損害金の起算点は、次のとおりとなる。 ａ №●（省略）● ●（省略）●円であるところ、これに０．３を乗じた●（省略）●円の損害賠償債務については、平成３１年３月３１日から遅滞に陥ることになる。 また、これに対する弁護士費用相当損害額である●（省略）●円についても同様である（合計額は、３９２４万４１６８円となる。）。 ｂ №●（省略）● ●（省略）●円であるところ、これに０．３を乗じた●（省略）●円の損害賠償債務については、令和２年３月３１日から遅滞に陥ることになる。 また、これに対する弁護士費用相当額である●（省略）●円についても同様である（合計額は、２ じた●（省略）●円の損害賠償債務については、令和２年３月３１日から遅滞に陥ることになる。 また、これに対する弁護士費用相当額である●（省略）●円についても同様である（合計額は、２８２７万７９０６円となる。）。 ｃ №●（省略）●●（省略）●円であるところ、これに０．３を乗じた●（省略）●円の損害賠償債務については、令和２年７月３１日から遅滞に陥ることになる。 また、これに対する弁護士費用相当損害額である●（省略）●円につ いても同様である（合計額は、９０２９万６９５２円となる。）。 ｄ №●（省略）●●（省略）●円であるところ、これに０．３を乗じた●（省略）●円の損害賠償債務については、令和２年９月３０日から遅滞に陥ることになる。 また、これに対する弁護士費用相当損害額である●（省略）●円についても同様である（合計額は、３８６２万１７４８円となる。）。 ｅ №●（省略）●●（省略）●円であるところ、これに０．３を乗じた●（省略）●円の損害賠償債務については、令和２年１１月３０日から遅滞に陥ること になる。 また、これに対する弁護士費用相当損害額である●（省略）●円についても同様である（合計額は、３４３３万９８７７円となる。）。 ｆ №●（省略）● ●（省略）●円であるところ、これに０．３を乗じた●（省略）●円の損害賠償債務については、令和３年１月３１日から遅滞に陥ることになる。 また、これに対する弁護士費用相当損害額である●（省略）●円についても同様である（合計額は、３６５９万４００３円となる。）。 ｇ №●（省略）● 陥ることになる。 また、これに対する弁護士費用相当損害額である●（省略）●円についても同様である（合計額は、３６５９万４００３円となる。）。 ｇ №●（省略）●●（省略）●円であるところ、これに０．３を乗じた●（省略）●円については、令和３年３月３１日から遅滞に陥ることになる。 また、これに対する弁護士費用相当損害額である●（省略）●円についても同様である（合計額は、６７８６万１５６２円となる。）。 ｈ №●（省略）●●（省略）●円であるところ、これに０．３を乗じた●（省略）●円については、令和３年４月３０日から遅滞に陥ることになる。 また、これに対する弁護士費用相当損害額である●（省略）●円についても同様である（合計額は、３４８８万５４９９円となる。）。 ｉ №●（省略）●●（省略）●円であるところ、これに０．３を乗じた●（省略）●円については、令和３年６月３０日から遅滞に陥ることになる。 また、これに対する弁護士費用相当損害額である●（省略）●円についても同様である(合計額は、３５２６万９１８５円となる。)。 ｊ №●（省略）●●（省略）●円であるところ、これに０．３を乗じた●（省略）●円については、令和３年７月３１日から遅滞に陥ることになる。 また、これに対する弁護士費用相当損害額である●（省略）●円についても同様である（合計額は、２６４４万４６４０円となる。）。 ｋ №●（省略）● ●（省略）●円であるところ、これに０．３を乗じた●（省略）●円については、令和３年８月３１ は、２６４４万４６４０円となる。）。 ｋ №●（省略）● ●（省略）●円であるところ、これに０．３を乗じた●（省略）●円については、令和３年８月３１日から遅滞に陥ることになる。 また、これに対する弁護士費用相当損害額である●（省略）●円についても同様である（合計額は、３５５８万７９１３円となる。）。 ｌ №●（省略）● ●（省略）●円であるところ、これに０．３を乗じた●（省略）●円については、令和４年２月２８日から遅滞に陥ることになる。 また、これに対する弁護士費用相当損害額である●（省略）●円についても同様である（合計額は、３３７４万５４５８円となる。）。 オまとめ 以上によれば、遅延損害金は、遅延損害金目録記載の各金員を認めるのが相当である。 なお、選択的請求原因⑶について、上記のとおり認められることからすれば、これが認められないことを条件とする予備的請求原因⑸（争点７）については、判断を要しない。 34 争点６－４（民法７０９条に基づく不法行為の成否及び損害額）原告は、被告製品が１台販売されるとディスコ社製ＳＤダイサー及びそれに組み込まれた原告製ＳＤエンジン一式の販売数量が１台減少するという関係にあるという前提に立った上で、被告の侵害行為と、ディスコ社製ＳＤダイサー及びこれに組み込まれる原告製ＳＤエンジン一式の販売の減少による逸失利益との 間には、相当因果関係が認められる旨主張する。 しかしながら、シリコンウェハ用ＳＤ装置のメーカーは、グローバル企業同士の市場として海外市場を含めると、ディスコ社と被告の２社のみであるとはいえず、被告製品が１台販売され られる旨主張する。 しかしながら、シリコンウェハ用ＳＤ装置のメーカーは、グローバル企業同士の市場として海外市場を含めると、ディスコ社と被告の２社のみであるとはいえず、被告製品が１台販売されたことにより、ディスコ社製のＳＤダイサーの販売数量が１台減少するという関係にあることが認められないことは、上記において 説示したとおりである。そうすると、被告の侵害行為と、ディスコ社のＳＤ装置 及びこれに組み込まれる原告製ＳＤエンジン一式の販売減少とは、民法７０９条にいう相当因果関係があるものとまで認めることはできない。 したがって、原告の主張は、採用することができない。 争点８（差止めの必要性）について⑴ 前記前提事実のとおり、被告は、業として、被告製品を製造し、譲渡し、及 び輸出し、並びに被告製品の譲渡の申出をしていたものである。そして、弁論の全趣旨によれば、被告は、これらに関連して、被告製品を使用し、貸し渡し、又は貸渡しの申出をするおそれがあると認められるから、上記各行為についての差止め及び被告製品の廃棄を求める必要性があると認められる。 ⑵ 被告の主張 ア被告製品１について被告は、令和３年１２月をもって、被告製品の製造販売等を停止し（２台を除く。）、同月２７日に被告のウェブサイトにおいて、被告製品１の生産及び販売を終了したことを明記しているから、本件においては被告製品の製造販売等に対する差止めの必要性はない旨主張する。 しかしながら、証拠（乙３６３）及び弁論の全趣旨によれば、被告は、少なくとも、平成２８年３月から令和４年２月までの期間において、サムスン社やＴＩ社を含む国内外の顧客に対し、合計で●（省略）●台の被告製品を製造販売してきたことが 及び弁論の全趣旨によれば、被告は、少なくとも、平成２８年３月から令和４年２月までの期間において、サムスン社やＴＩ社を含む国内外の顧客に対し、合計で●（省略）●台の被告製品を製造販売してきたことが認められる。そして、被告は、対象製品を同じくする別件訴訟における令和３年８月１０日付け差止判決後もそのまま販売を 継続していた事情その他の本件に現れた諸事情を総合考慮すれば、被告の主張を十分に斟酌しても、被告において、本件判決後も従前と同様に、既存の顧客のリピート需要を踏まえ、今後も被告製品１の製造、販売等を行う可能性があることを直ちに否定することはできない。 そうすると、被告主張に係る事情を考慮しても、上記判断を左右するに至 らない。したがって、被告の主張は、採用することができない。 イ被告製品２について 被告は、被告製品２のうち、「ＭＬ２００」、「ＭＬ２００Ｐｌｕｓ」及び「ＭＬＰｌｕｓⅡ」については、現在、製造しておらず、また、「ＭＬ２００ＥＸ」については、販売実績がないため、差止めの対象とはならない旨主張するが、被告の主張が採用できないことは上記アにおいて説示 したところと同様である。 被告は、被告製品２のうち、「ＭＬ２００ＥＸＷＨ」及び「ＭＬ２００ＰｌｕｓＷＨ」については、そもそも型式として存在しないため、差止めの対象とはならない旨主張する。 そこで検討するに、原告が本件訴訟において特定する被告製品２とは、 別紙被告製品目録のとおり、その型番中に「ＭＬ２００」を含むＭＬ２００シリーズのレーザダイシングマシンのうちＳＤＥマークが筐体表面に付されていないものであり、「ＭＬ２００ＥＸＷＨ」や「ＭＬ ２００ＰｌｕｓＸＷＨ」という具体的な型番は、 ＭＬ２００」を含むＭＬ２００シリーズのレーザダイシングマシンのうちＳＤＥマークが筐体表面に付されていないものであり、「ＭＬ２００ＥＸＷＨ」や「ＭＬ ２００ＰｌｕｓＸＷＨ」という具体的な型番は、飽くまで例示として記載されるにとどまるものである。そして、本件審理の経過及び弁論の全趣旨を総合 しても、被告の主張するように、「ＭＬ２００ＥＸＷＨ」や「ＭＬ００ＰｌｕｓＸＷＨ」という型式が存在しないことを直ちに認めることはできないことからすると、被告主張に係る上記型番を除外することなく、被告製品２を特定するのが相当である。 したがって、被告の主張は、採用することができない。 36 その他その他に、原告及び被告各提出に係る準備書面及び証拠を最後に改めて十分に検討しても、原告及び被告の各主張は、技術説明会における口頭議論、総括準備書面等の内容、本件訴訟の経過に照らし、上記判断を左右するものとはいえず、上記判断とは異なる当事者双方の主張は、その限度においていずれも採用するこ とができない。 なお、仮執行宣言の申立ての採否について付言するに、原告のビジネスにおける本件各特許権の重要性及び迅速な権利実現の必要性、本件各特許権の存続期間、その執行により被告が被る不利益の程度、本件訴訟の審理経過、本件訴訟追行の態様、本件と争点が一部共通する知的財産高等裁判所令和３年（ネ）第１０１０１号同４年９月５日判決の判断内容その他の本件に現れた個別的諸事情を総合 考慮すれば、これを認めるのが相当であるものの、被告が被る不利益に鑑み、原告が主文第６項掲記の担保を立てる限度でこれを認めるのが相当であり、これに対する仮執行免脱宣言の申立ては、本件諸事情及び上記の担保条件等に照らし、相当ではないからこれを却下するものと 利益に鑑み、原告が主文第６項掲記の担保を立てる限度でこれを認めるのが相当であり、これに対する仮執行免脱宣言の申立ては、本件諸事情及び上記の担保条件等に照らし、相当ではないからこれを却下するものとする。 第５ 結論 よって、原告の請求は、主文の限度で理由があるからこれを認容することとし、その余は理由がないからいずれも棄却することとし、訴訟費用の負担につき民訴法６１条、６４条本文を、仮執行宣言につき２５９条１項を、それぞれ適用して、主文のとおり判決する。 東京地方裁判所民事第４０部 裁判長裁判官 中島基至 裁判官 小田誉太郎 裁判官 古賀千尋 （別紙）遅延損害金目録 １ うち１０億０５８０万９８５１円に対する平成３０年１１月１日から支払済みまで年５分の割合による金員 ２ うち３９２４万４１６８円に対する平成３１年３月３１日から支払済みまで年５分の割合による金員 ３ うち２８２７万７９０６円に対する令和２年３月３１日から支払済みまで年５分の割合による金員 ４ うち９０２９万６９５２円に対する令和２年７月３１日から支払済みまで年 ３分の割合による金員 ５ うち３８６２万１７４８円に対する令和２年９月３０日から支払済みまで年３分の割合による金員 ６ うち３４３３万９８７７円に対する令和２年１１月３０日から支払済みまで年３分の割合による金員 ７ うち３６５９万４００３円に対する令和３年１月３ ら支払済みまで年３分の割合による金員 ６ うち３４３３万９８７７円に対する令和２年１１月３０日から支払済みまで年３分の割合による金員 ７ うち３６５９万４００３円に対する令和３年１月３１日から支払済みまで年３分の割合による金員 ８ うち６７８６万１５６２円に対する令和３年３月３１日から支払済みまで年３分の割合による金員 ９ うち３４８８万５４９９円に対する令和３年４月３０日から支払済みまで年 ３分の割合による金員うち３５２６万９１８５円に対する令和３年６月３０日から支払済みまで年３分の割合による金員 11 うち２６４４万４６４０円に対する令和３年７月３１日から支払済みまで年３分の割合による金員 12 うち３５５８万７９１３円に対する令和３年８月３１日から支払済みまで年３分の割合による金員 13 うち３３７４万５４５８円に対する令和４年２月２８日から支払済みまで年３分の割合による金員 （別紙）被告製品目録 次の型番のレーザダイシングマシン（下記の原告ＳＤＥマークが筐体表面に付されたものを除く。） １. ＭＬ３００シリーズ（「ＭＬ３００」、「ＭＬ３００ＥＸ」、「ＭＬ３００ＥＸＷＨ」、「ＭＬ３００ＰｌｕｓＷＨ」、「ＭＬ３００ＰｌｕｓＸＷＨ」など、その型番中に「ＭＬ３００」を含むもの。） ２. ＭＬ２００シリーズ（「ＭＬ２００」、「ＭＬ２００ＥＸ」、「ＭＬ２００ＥＸＷＨ」、「ＭＬ２００ＰｌｕｓＸＷＨ」など、その型番中に「ＭＬ２００」を含むもの。） 記【原告ＳＤＥマーク】 （別紙）特許請求の範囲 １ ウェハ状の加工対象物の内部に、切断 中に「ＭＬ２００」を含むもの。） 記【原告ＳＤＥマーク】 （別紙）特許請求の範囲 １ ウェハ状の加工対象物の内部に、切断の起点となる改質領域を形成するレーザ加 工装置であって、前記加工対象物が載置される載置台と、レーザ光を出射するレーザ光源と、前記載置台に載置された前記加工対象物の内部に、前記レーザ光源から出射されたレーザ光を集光し、そのレーザ光の集光点の位置で前記改質領域を形成させる集 光用レンズと、前記加工対象物のレーザ光入射面から前記加工対象物の厚さ方向に第１の距離だけ離れた第１の位置にレーザ光の集光点を合わせて、前記加工対象物の切断予定ラインに沿ってレーザ光の集光点を移動させた後、前記レーザ光入射面から前記加工対象物の厚さ方向に第２の距離だけ離れた第２の位置にレーザ光の集光点を合 わせて、前記切断予定ラインに沿ってレーザ光の集光点を移動させる機能を有する制御部と、を備えることを特徴とするレーザ加工装置。 ２－１第一のレーザ光を加工対象物の内部に集光点を合わせて照射し、前記加工対象物 の切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部に改質領域を形成するレーザ加工装置であって、前記第一のレーザ光及び前記加工対象物の主面の変位を測定するための第二のレーザ光を前記加工対象物に向けて集光するレンズと、前記第二のレーザ光の照射に応じて前記主面で反射される反射光を検出して前 記主面の変位を取得する変位取得手段と、 前記加工対象物と前記レンズとを前記加工対象物の主面に沿って移動させる移動手段と、前記レンズを前記主面に対して進退自在に保持する保持手段と 位を取得する変位取得手段と、 前記加工対象物と前記レンズとを前記加工対象物の主面に沿って移動させる移動手段と、前記レンズを前記主面に対して進退自在に保持する保持手段と、前記移動手段及び前記保持手段それぞれの挙動を制御する制御手段と、を備え、 前記第二のレーザ光を照射しながら、前記制御手段は前記加工対象物と前記レンズとを前記主面に沿って相対的に移動させるように前記移動手段を制御し、前記変位取得手段は前記切断予定ラインに沿った前記主面の変位を取得し、前記第一のレーザ光を照射し、前記制御手段は前記変位取得手段が取得した変位に基づいて前記レンズと前記主面との間隔を調整しながら保持するように前記保 持手段を制御し、前記レンズと前記加工対象物とを前記主面に沿って相対的に移動させるように前記移動手段を制御して前記改質領域を形成し、前記制御手段は前記第二のレーザ光の集光点が前記加工対象物に対する所定の位置に合うように設定された測定初期位置に前記レンズを保持するように前記保持手段を制御し、 当該レンズを測定初期位置に保持した状態で前記第二のレーザ光の照射を開始し、前記制御手段は前記レンズと前記加工対象物とを前記主面に沿って相対的に移動させるように前記移動手段を制御し、前記主面で反射される前記第二のレーザ光の反射光に応じて、前記レンズを前記測定初期位置に保持した状態を解除するように前記保持手段を制御し、 当該解除後に、前記制御手段は前記主面で反射される前記第二のレーザ光の反射光を検出しながら前記レンズと前記主面との距離を調整するように前記保持手段を制御し、前記変位取得手段は前記切段予定ラインに沿った前記主面の変位を取得する、レーザ加工装置。 二のレーザ光の反射光を検出しながら前記レンズと前記主面との距離を調整するように前記保持手段を制御し、前記変位取得手段は前記切段予定ラインに沿った前記主面の変位を取得する、レーザ加工装置。 ２－２第一のレーザ光を加工対象物の内部に集光点を合わせて照射し、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部に改質領域を形成するレーザ加工装置であって、前記第一のレーザ光及び前記加工対象物の主面の変位を測定するための第二の レーザ光を前記加工対象物に向けて集光するレンズと、前記第二のレーザ光の照射に応じて前記主面で反射される反射光を検出して前記主面の変位を取得する変位取得手段と、前記加工対象物と前記レンズとを前記加工対象物の主面に沿って移動させる移動手段と、 前記レンズを前記主面に対して進退自在に保持する保持手段と、前記移動手段及び前記保持手段それぞれの挙動を制御する制御手段と、を備え、前記第二のレーザ光を照射しながら、前記制御手段は前記加工対象物と前記レンズとを前記主面に沿って相対的に移動させるように前記移動手段を制御し、前記変 位取得手段は前記切断予定ラインに沿った前記主面の変位を取得し、前記第一のレーザ光を照射し、前記制御手段は前記変位取得手段が取得した変位に基づいて前記レンズと前記主面との間隔を調整しながら保持するように前記保持手段を制御し、前記レンズと前記加工対象物とを前記主面に沿って相対的に移動させるように前記移動手段を制御して前記改質領域を形成し、 前記制御手段は前記変位取得手段が取得した前記切断予定ラインに沿った前記主面の変位に基づいて前記主面に対して前記レンズを保持する加工初期位置を設 手段を制御して前記改質領域を形成し、 前記制御手段は前記変位取得手段が取得した前記切断予定ラインに沿った前記主面の変位に基づいて前記主面に対して前記レンズを保持する加工初期位置を設定し、当該設定した加工初期位置に前記レンズを保持するように前記保持手段を制御し、当該レンズを加工初期位置に保持した状態で前記第一のレーザ光の照射を開始 し、前記制御手段は前記レンズと前記加工対象物とを相対的に移動させるように前 記移動手段を制御して前記切断予定ラインの一端部において前記改質領域を形成し、当該一端部における改質領域の形成後に、前記制御手段は、前記レンズを前記加工初期位置に保持した状態を解除し、前記変位取得手段が取得した前記主面の変位に基づいて前記レンズと前記加工対象物との間隔を調整するように前記保持手段 を制御し、前記レンズと前記加工対象物とを相対的に移動させるように前記移動手段を制御して前記改質領域を形成する、レーザ加工装置。 ２－３前記変位取得手段が前記切断予定ラインに沿った前記主面の変位を取得する際 に併せて前記第一のレーザ光を照射し、前記切断予定ラインに沿って前記改質領域を形成する、請求項１０～１５のいずれか１項に記載のレーザ加工装置。 （以下、別紙省略）

▼ クリックして全文を表示