- 1 -平成１７年(行ケ)第１０７６７号審決取消請求事件口頭弁論終結日平成１８年７月１８日判決原告株式会社半導体エネルギー研究所訴訟代理人弁理士玉城信一被告特許庁長官中嶋誠指定代理人瀧内健夫同松本邦夫同河合章同徳永英男同大場義則主文 特許庁が不服２００２－１８６９４号事件について平成１７年９月１２日にした審決を取り消す。 訴訟費用は被告の負担とする。 事実 及び理由第１請求主文第１項と同旨第２争いのない事実 特許庁における手続の経緯原告は，平成６年２月１５日（優先権主張・平成５年２月１５日）にした特許出願（特願平６－４０５２２号）を分割して，平成１３年３月１２日，発明の名称を「薄膜トランジスタ」とする発明につき特許出願（特願２００１－６７９８６号。以下「本願」という。）をした。 特許庁は，平成１４年８月２３日，本願につき拒絶査定をしたので，原告- 2 -は，これを不服として審判請求をした。 特許庁は，上記請求を不服２００２－１８６９４号事件として審理し，その係属中，原告は，平成１４年１０月２８日付け手続補正書をもって，特許請求の範囲の補正をしたが，特許庁は，平成１６年１１月１１日，上記補正を却下する決定をし，同年１１月２６日付けで拒絶理由の通知をした。 原告は，上記通知の指定期間内である平成１７年１月２８日，特許請求の範囲の補正（以下「本件第１補正」という。）をしたが，更に，同年２月２４日付けの最後の拒絶理由の通知を受けて，その指定期間内である同年４月４日，特許請求の範囲について補正（以下「本件第２補正」という。）をした。 そして，特許庁は，審理の結果，平成１７年９月１２日，本件第２補正を却下した上，「本件 受けて，その指定期間内である同年４月４日，特許請求の範囲について補正（以下「本件第２補正」という。）をした。 そして，特許庁は，審理の結果，平成１７年９月１２日，本件第２補正を却下した上，「本件審判の請求は，成り立たない。」との審決（以下，単に「審決」という。）をし，その謄本は同年９月２８日原告に送達された。 特許請求の範囲(1)本件第１補正後本件第１補正後の特許請求の範囲は請求項１ないし４から成り，その請求項１，２の記載は，次のとおりである（以下，請求項１，２に係る発明を併せて「本件第１補正発明」という。）。 【請求項１】基板上に形成されたニッケルを含む結晶性半導体膜と，前記結晶性半導体膜の上に形成されたゲイト絶縁膜と，前記ゲイト絶縁膜の上に形成されたゲイト電極とを有し，前記結晶性半導体膜は前記ニッケルにより結晶化されたものであり，前記結晶性半導体膜に含まれる前記ニッケルの濃度は１×１０ｃｍ～１×１０ｃｍであり，前記 －３ －３ニッケルを除去することにより，前記結晶性半導体膜中のニッケル濃度の上限値は前記濃度１×１０ｃｍを上回らないことを特徴とする薄 －３膜トランジスタ。 - 3 -【請求項２】基板上に形成されたニッケルを含む結晶性半導体膜と，前記結晶性半導体膜の上に形成されたゲイト絶縁膜と，前記ゲイト絶縁膜の上に形成されたゲイト電極とを有し，前記結晶性半導体膜は前記ニッケルにより結晶化されたものであり，前記結晶性半導体膜に含まれる前記ニッケルの濃度は１×１０ｃｍ～１×１０ｃｍであり，前記 －３ －３ニッケルを除去することにより，前記結晶性半導体膜中のニッケル濃度の上限値は前記濃度１×１０ｃｍを上回らなく，前記基板に平行な －３方向に結晶が成長してなることを －３ －３ニッケルを除去することにより，前記結晶性半導体膜中のニッケル濃度の上限値は前記濃度１×１０ｃｍを上回らなく，前記基板に平行な －３方向に結晶が成長してなることを特徴とする薄膜トランジスタ。 (2)本件第２補正後本件第２補正後の特許請求の範囲は請求項１ないし４から成り，その請求項１，２の記載は，次のとおりである（下線部は本件第２補正による補正箇所。以下，請求項１，２に係る発明を併せて「本件第２補正発明」という｡)｡【請求項１】基板上に形成されたニッケルを含む結晶性半導体膜と，前記結晶性半導体膜の上に形成されたゲイト絶縁膜と，前記ゲイト絶縁膜の上に形成されたゲイト電極とを有し，前記結晶性半導体膜は前記ニッケルにより結晶化されたものであり，前記結晶性半導体膜に含まれる前記ニッケルの濃度は１×１０ｃｍ～１×１０ｃｍであり，前記 －３ －３結晶性半導体膜中のニッケル濃度の上限値は，前記ニッケルを除去することにより前記濃度１×１０ｃｍを上回らないことを特徴とする薄 －３膜トランジスタ。 【請求項２】基板上に形成されたニッケルを含む結晶性半導体膜と，前記結晶性半導体膜の上に形成されたゲイト絶縁膜と，前記ゲイト絶縁膜の上に形成されたゲイト電極とを有し，前記結晶性半導体膜は前記ニッケルにより結晶化されたものであり，前記結晶性半導体膜に含まれる前記ニッケルの濃度は１×１０ｃｍ～１×１０ｃｍであり，前記 －３ －３- 4 -結晶性半導体膜中のニッケル濃度の上限値は，前記ニッケルを除去することにより前記濃度１×１０ｃｍを上回らなく，前記基板に平行な －３方向に結晶が成長してなることを特徴とする薄膜トランジスタ。 審決の内容審決の内容は，別紙審決書写 ニッケルを除去することにより前記濃度１×１０ｃｍを上回らなく，前記基板に平行な －３方向に結晶が成長してなることを特徴とする薄膜トランジスタ。 審決の内容審決の内容は，別紙審決書写しのとおりである。 その理由の要旨は，本件第２補正は，本願の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下，上記明細書及び図面を併せて「本願当初明細書」という。 甲２）に記載した事項の範囲内におけるものではなく，新規事項を追加するものであり，平成６年法律第１１６号による改正前の特許法１７条の２第２項において準用する同法１７条２項の規定に適合せず，不適法なものとして却下すべきであり，本件第１補正も，本件第１補正発明は本願当初明細書に記載されたものではなく，新規事項を追加するものであって，同項に規定する要件を満たしていないから，本願は拒絶すべきであるとしたものである。 第３当事者の主張 原告主張の審決の取消事由審決は，本件第２補正及び本件第１補正がいずれも新規事項の追加に該当するものであると誤って判断したものであり，違法として取り消されるべきである。 (1)取消事由１（本件第２補正の適法性の判断の誤り）ア審決は，①「補正後の請求項１及び２に係る発明は，物の発明である から，「前記結晶性半導体膜に含まれる前記ニッケルの濃度は１×１０ｃｍ～１×１０ｃｍであ」ることにおいて，「ニッケルの濃度」 －３ －３の上限値である「１×１０ｃｍ」は「ニッケルを除去」する工程を －３経た値である一方，下限値である「１×１０ｃｍ」は「ニッケルを －３除去」する工程を経ていない値であるというように，異なる時点での状態を同時に規定したものとすることは認められない。」（審決書３頁１- 5 -３～１９行。以下「認定①」という。），②「 －３除去」する工程を経ていない値であるというように，異なる時点での状態を同時に規定したものとすることは認められない。」（審決書３頁１- 5 -３～１９行。以下「認定①」という。），②「したがって，補正後の請求項１及び２の記載の限りにおいて，「ニッケルの濃度」の上限値である「１×１０ｃｍ」が，「前記ニッケルを除去すること」により得 －３られた値である以上，下限値である「１×１０ｃｍ」について －３も，「前記ニッケルを除去すること」により得られる値と認定せざるを得ない」（審決書３頁２０～２４行。以下「認定②」という。）とした上で，本願当初明細書には，「ニッケルの濃度」の下限値である「１× ｃｍ」が「前記ニッケルを除去すること」により得られる値で －３あることの記載がないから，本件第２補正は，本願当初明細書に記載した事項の範囲内におけるものではないと判断している。 しかし，以下のとおり，本件第２補正発明は，ニッケルが過剰な場合に限りこれを上限値まで除去するものであって，本件第２補正発明の「ニッケルの濃度」の下限値である「１×１０ｃｍ」は「前記ニッケ －３ルを除去すること」により得られる値ではないから，審決の認定①，②は誤りである。 (ア)特許出願に係る発明の要旨認定は，特許請求の範囲の記載に基づいて行われるべきところ（最高裁平成３年３月８日第二小法廷判決，特許庁「特許・実用新案審査基準」３頁参照），本件第２補正後の請求項１，２には，「ニッケル濃度の下限値が「ニッケルを除去」する工程を経ていない値である」との事項が一切記載されていないから，審決の認定①は，請求項に記載されていない事項を記載されているというもので，特許請求の範囲の記載に基づかないものであり，その前提において誤りである。 い値である」との事項が一切記載されていないから，審決の認定①は，請求項に記載されていない事項を記載されているというもので，特許請求の範囲の記載に基づかないものであり，その前提において誤りである。 また，本件第２補正後の請求項１，２には，「ニッケルの濃度の下限値が「前記ニッケルを除去すること」により得られる値」であるとは一切記載されていないから，「下限値である「１×１０ｃｍ」 －３- 6 -についても，「前記ニッケルを除去すること」により得られる値と認定せざるを得ない」とした認定②も，同様に特許請求の範囲の記載に基づかないものとして誤りである。 本件第２補正後の請求項１，２の「前記結晶性半導体膜中のニッケル濃度の上限値は，前記ニッケルを除去することにより前記濃度１× ｃｍを上回らな」いとの「前記ニッケルを除去すること」と －３の事項は，数値範囲の一部であるニッケル濃度の上限値のみを更に限定する事項として一義的に明確に技術的意義を理解できるものであり，それ以上に，下限値の技術的意義までも明確にするものではない。特許請求の範囲の記載に基づいて本件第２補正発明の要旨認定を行えば，ニッケル濃度の下限値はニッケルを除去することにより得られる値であると判断されるはずはない。 (イ)次に，本願当初明細書の段落【００１１】には，「本発明ではニッケル，・・・を用いるが，これらの材料は半導体材料としてのシリコンにとっては好ましくない。そこで，過剰にシリコン膜中に含まれている場合には，これを除去することが必要であるが，ニッケルに関しては，上記の反応の結果，結晶化の終端に達した珪化ニッケルはフッ酸もしくは塩酸に容易に溶解するので，これらの酸による処理によって基板からニッケルを減らすことができる。さらに，積極的にニッケル，・・・を ，上記の反応の結果，結晶化の終端に達した珪化ニッケルはフッ酸もしくは塩酸に容易に溶解するので，これらの酸による処理によって基板からニッケルを減らすことができる。さらに，積極的にニッケル，・・・を減らすには，結晶化工程の終了した後，塩化水素，各種塩化メタン（・・・），各種塩化エタン（・・・）あるいは各種塩化エチレン（・・・）等の塩素を含む雰囲気中で，４００～６５０℃で処理すればよい。・・・本発明によるシリコン膜中のニッケル・・ －３ ・の濃度は，１×１０ｃｍ～１原子％，より好ましくは１×１０ｃｍ～１×１０ｃｍが好ましいとわかった。この範囲以下では －３ －３結晶化が十分に進行せず，一方，この範囲を上回った場合には，特- 7 -性，信頼性が劣化する。」との記載がある。 この記載によれば，結晶性半導体膜中に過剰にニッケルが含まれている場合，その過剰なニッケルを除去する手段として，結晶化の終端に達した過剰なニッケルを酸で溶解して除去する「溶解除去手段」と，過剰なニッケルを塩素を含む雰囲気中で処理する「雰囲気中除去手段」の二つの手段があることが分かる。そして，本件第２補正発明は，これら除去手段を用いて結晶性半導体膜中に過剰に含まれるニッケルを除去することができるものである。そして，「過剰なニッケルを除去する」との意味は，結晶性半導体膜中に含まれるニッケル濃度のうち，上限値を超えている過剰な分を除去するとの意味である。 「溶解除去手段」の除去のメカニズムは，結晶化の終端に達した過剰なニッケルを酸で溶解して除去するものであり，結晶性半導体膜中に含まれるニッケル濃度を上限値以下にするものであるのに対し，「雰囲気中除去手段」の除去のメカニズム（例えば，濃い濃度のニッケルから順に除去されるようなものか，あるいは，濃い濃度 ，結晶性半導体膜中に含まれるニッケル濃度を上限値以下にするものであるのに対し，「雰囲気中除去手段」の除去のメカニズム（例えば，濃い濃度のニッケルから順に除去されるようなものか，あるいは，濃い濃度のニッケルも薄い濃度のニッケルも同時に同じ割合で除去されるようなものか，あるいは，それらとは全く異なる別のものか）は不明である。 このように「雰囲気中除去手段」（他の公知の除去手段があればその除去手段）の除去のメカニズムが解明されていない以上，本件第２補正における「前記結晶性半導体膜中のニッケル濃度の上限値は，前記ニッケルを除去することにより前記濃度１×１０ｃｍを上回ら －３な」いとの補正事項について，認定②のように，「「ニッケルの濃度」の上限値である「１×１０ｃｍ」が，「前記ニッケルを除去 －３ すること」により得られた値である以上，下限値である「１×１０ｃｍ」についても，「前記ニッケルを除去すること」により得られ－３る値と認定せざるを得ない」と断定できるはずはない。 - 8 -イ仮に審決の認定②が正当であるとすれば，本件第２補正発明におけるニッケルの濃度の下限値１×１０ｃｍがニッケルを除去することに －３より得られる値であることは，本願当初明細書に実質的に記載されているというべきである。 (ア)本願当初明細書に記載の特許請求の範囲（本願出願時のもの）の請求項１は，「絶縁表面上に形成された，ニッケル，鉄，コバルト及び白金から選択された元素を含む結晶性半導体膜と，前記結晶性半導体膜の上に形成されたゲイト絶縁膜と，前記ゲイト絶縁膜の上に形成されたゲイト電極とを有し，前記結晶性半導体膜に含まれる前記元素の濃度は１×１０ｃｍ～１×１０ｃｍであることを特徴とする薄 -3 -3膜トランジスタ。」 膜と，前記ゲイト絶縁膜の上に形成されたゲイト電極とを有し，前記結晶性半導体膜に含まれる前記元素の濃度は１×１０ｃｍ～１×１０ｃｍであることを特徴とする薄 -3 -3膜トランジスタ。」，同請求項２は，「前記元素はニッケルであることを特徴とする請求項１記載の薄膜トランジスタ。」であり，上記請 －３求項１，２には「結晶性半導体膜のニッケル濃度が１×１０ｃｍ～１×１０ｃｍである薄膜トランジスタ」が記載されている。 －３(イ)審決の認定②が正当であるということは，本願当初明細書の段落【００１１】中の前記「雰囲気中除去手段」の除去のメカニズムが，濃い濃度のニッケルも薄い濃度のニッケルも同時に同じ割合で除去されることを意味することが立証されたことにほかならず，例えば明細書に過剰なニッケルを除去するとしか記載されていないとしても，薄い濃度のニッケルも同時に同じ割合で除去されていることになるものである。 そして，本願出願時の請求項１，２と本願当初明細書の段落【００１１】の記載を合わせて読めば，「過剰なニッケルを除去した結晶性半導体膜のニッケル濃度が１×１０ｃｍ～１×１０ｃｍであ －３ －３る薄膜トランジスタ」の発明が記載されていることを読み取ることができるのであるから，本願当初明細書には，結晶性半導体膜中のニッ- 9 -ケルの濃度の下限値１×１０ｃｍがニッケルを除去することによ －３り得られる値であることが，実質的に記載されていると解することができる。 ウしたがって，いずれにせよ，本件第２補正が新規事項の追加に該当し，不適法であるとした審決の判断は誤りである。 (2)取消事由２（本件第１補正の適法性の判断の誤り）ア審決は，「当初明細書等において，この「１×１０ｃｍ～１×１ 正が新規事項の追加に該当し，不適法であるとした審決の判断は誤りである。 (2)取消事由２（本件第１補正の適法性の判断の誤り）ア審決は，「当初明細書等において，この「１×１０ｃｍ～１×１ －３ ｃｍ」というニッケルの濃度条件は，シリコン膜の結晶化工程後 －３に，さらに多くの工程を経て完成した後の「薄膜トランジスタ」を構成する「結晶性半導体膜」について論じられたものではなく，当初明細書等には，完成後の「薄膜トランジスタ」を構成する「結晶性半導体膜」のすべての領域で，上記の濃度条件が成立していることを裏付けるような記載を見いだすことはできない。」（審決７頁１７行～２３行）と認定している。 しかしながら，本願当初明細書中の請求項１（本願出願時のもの）に，「絶縁表面上に形成された，ニッケル，鉄，コバルト及び白金から選択された元素を含む結晶性半導体膜と，前記結晶性半導体膜の上に形成されたゲイト絶縁膜と，前記ゲイト絶縁膜の上に形成されたゲイト電 極とを有し，前記結晶性半導体膜に含まれる前記元素の濃度は１×１０ｃｍ～１×１０ｃｍであることを特徴とする薄膜トランジス －３ －３タ。」と記載されているように，本願当初明細書には，最終的な薄膜トランジスタの状態において，結晶性半導体膜に含まれるニッケルの濃度が１×１０ｃｍ～１×１０ｃｍであるものが記載されているか －３ －３ら，審決の上記認定は誤りである。 なお，審決が指摘する「完成後の「薄膜トランジスタ」を構成する「結晶性半導体膜」のすべての領域で，上記の濃度条件が成立しているこ- 10 -とを裏付ける記載が必要であるのに，当初明細書等には，その記載がない」との点は，新規事項の追加に該当するとの理由にはなり得ない。 イ審決は，認定①，②と 上記の濃度条件が成立しているこ- 10 -とを裏付ける記載が必要であるのに，当初明細書等には，その記載がない」との点は，新規事項の追加に該当するとの理由にはなり得ない。 イ審決は，認定①，②と同様に，「ニッケルの濃度」の下限値である「１×１０ｃｍ」が「前記ニッケルを除去すること」により得られる －３値であることが本願当初明細書に記載されていないとして，本件第１補正発明は，本願当初明細書に記載されたものではないと判断しているが（審決書７頁３１行～８頁１０行），前記(1)ア，イと同様の理由により，審決の上記判断は誤りである。 ウしたがって，本件第１補正が新規事項の追加に該当し，本願を拒絶すべきであるとした審決の判断は誤りである。 被告の反論(1)取消事由１に対しア「物の発明」の構成においては，現にそこに存在している，一つの時点の結晶性半導体膜のニッケル濃度範囲，例えば，ニッケルを除去する前のものにおける濃度範囲又はニッケルを除去したものにおける濃度範囲のいずれか一方しか規定し得ないことはいうまでもない。 そして，本件第２補正発明の「前記結晶性半導体膜中のニッケル濃度の上限値は，前記ニッケルを除去することにより前記濃度１×１０ｃ ｍを上回らな」いとの構成は，「薄膜トランジスタ」という「物の発－３明」においてその結晶性半導体膜のニッケル濃度範囲の上限値が製法で限定されている。本件第２補正発明は，各工程が終了して製造された「薄膜トランジスタ」であって，製造途中のものを規定するものではないから，結晶性半導体膜に薄膜トランジスタを形成する前にその結晶性半導体膜中から「ニッケルを除去すること」は，結晶化後に結晶性半導体膜中に残留することになるニッケルの濃度範囲の高低に関わらず，必ず- 11 -行われる工程であり ンジスタを形成する前にその結晶性半導体膜中から「ニッケルを除去すること」は，結晶化後に結晶性半導体膜中に残留することになるニッケルの濃度範囲の高低に関わらず，必ず- 11 -行われる工程であり，その薄膜トランジスタにおける結晶性半導体膜の濃度範囲は，ニッケルを除去した後のものである。このニッケル除去工程を経なければ，本件第２補正発明の結晶性半導体膜が「ほぼ均一な品質の薄膜トランジスタが常に作製される」という所期の効果を奏することができず，ニッケル除去工程は本件第２補正発明を最も特徴付けている不可欠の技術的事項である。 そうすると，本件第２補正発明の「前記ニッケルを除去する」の部分は，一見，「前記結晶性半導体膜中のニッケル濃度の上限値は」「前記濃度１×１０ｃｍを上回らな」いことを技術的に限定するような表 －３現となっているものの，実質的にはニッケル濃度範囲の上限値の技術的意味を明確にするものとはなり得ないものであり，その結晶性半導体膜のニッケル濃度範囲の下限値もニッケルを除去した後の結晶性半導体膜のニッケル濃度範囲の下限値を意味することになるのは当然である。 なお，原告の引用する判例及び審査基準（前記１(1)ア(ア)）は，特許出願における新規性又は進歩性を判断する場合における特許出願に係る発明の要旨認定に関するものであり，新規事項の判断に適用されるものではない。 イまた，仮に本件第２補正発明において，結晶性半導体膜中から「ニッケルを除去すること」が，結晶化直後の結晶性半導体膜に含まれるニッケルの濃度範囲の上限が所定の値を超えていた場合にのみ行われる選択的な事項であり，必須の構成ではないということであれば，本件第２補正発明は，結晶性半導体膜中から「ニッケルを除去すること」なる構成を備えない薄膜トランジスタも含むものとなり た場合にのみ行われる選択的な事項であり，必須の構成ではないということであれば，本件第２補正発明は，結晶性半導体膜中から「ニッケルを除去すること」なる構成を備えない薄膜トランジスタも含むものとなり，「ニッケルを除去すること」をもって先行技術との差異（進歩性）を主張する本件審判段階に- 12 -おける原告の主張（下記(ア)ないし(ウ)）と矛盾するものとなる。 (ア)原告は，平成１４年１０月２８日付け手続補正書（甲１２）を提出し，本願の特許請求の範囲の請求項１，２に係る発明を，「前記元素を除去する」点（「元素」の唯一の実施例は「ニッケル」である。）で限定した上，本件審判請求書の請求の理由の欄を補正する平成１４年１２月１７日付けの手続補正書（甲１３）において，「・・・請求項１に係る発明は，主として以下の(イ)，(ロ)の２つの特徴的事項を備えることを特徴とするもので，これら２つの事項を一体不可分の構成として備えることにより，各引用文献との差異を明確にするものです。 (イ)「元素を除去することにより，」（以下，「第１の特徴的事項」という。）(ロ)「結晶性半導体膜に含まれる元素の濃度は１×１０ｃｍ～１ －３×１０ｃｍであり，」（以下，「第２の特徴的事項」という。） －３・・・結晶性半導体膜に含まれる元素の濃度が過剰であっても前記「第１の特徴的事項」により余剰分は除去され，前記「第２の特徴的事項」に示すように結晶性半導体膜に含まれる元素の濃度は常に所定範囲内になり，その結果，ほぼ均一な品質の薄膜トランジスタが常に作製されることになります。つまり「第１の特徴的事項」及び「第２の特徴的事項」は，お互い密接に関連付けられた事項で，一体不可分の構成を形成しています。」（６頁１２行～２８行），「つまり，シリコン膜を十分に結晶化さ なります。つまり「第１の特徴的事項」及び「第２の特徴的事項」は，お互い密接に関連付けられた事項で，一体不可分の構成を形成しています。」（６頁１２行～２８行），「つまり，シリコン膜を十分に結晶化させるため予め金属元素の濃度を寧ろ高めにして結晶性半導体膜を作製し，作製後に所定値以上の金属元素を除去し，その濃度を低減するようにすることが可能となり，例え除去工程- 13 -が増えるとしても均一な品質を有する薄膜トランジスタの作製が容易且つ確実になります。」（８頁２５行～２９行），「本願明細書の段落〔００１１〕には，「金属元素を除去し結晶性半導体膜に含まれる前記金属元素の濃度を所定の範囲にすることにより，結晶化の低温，短時間化を可能にするとともに，薄膜トランジスタの特性及び信頼性の劣化を防止する。」という技術的思想が記載乃至示唆されていると言えます。そして，請求項１に係る発明の前記「第１の特徴的事項」及び「第２の特徴的事項」を一体不可分とした構成，或いは前記技術的思想については，引用された５件の引用文献には記載乃至示唆されていません。また，前記「第１の特徴的事項」及び「第２の特徴的事項」を一体不可分とした構成が，引用された５件の文献に記載されたものから当業者が容易に発明できるとは思われません。」（９頁１３行～２２行）と主張している。 (イ)原告は，本件審判段階における審尋に対する平成１６年９月１０日付け回答書（甲１５）において，上記(ア)と同様の主張を繰り返すとともに，「本願発明は，「金属元素を除去し結晶性半導体膜に含まれる前記金属元素の濃度を所定の範囲にすることにより，結晶化の低温，短時間化を可能にするとともに，薄膜トランジスタの特性及び信頼性の劣化を防止する。」という高度の技術的思想を創作したものです。そのため，本願発明が容易に を所定の範囲にすることにより，結晶化の低温，短時間化を可能にするとともに，薄膜トランジスタの特性及び信頼性の劣化を防止する。」という高度の技術的思想を創作したものです。そのため，本願発明が容易に発明できたと言えるためには，少なくとも添加した金属元素の余分な量を，除去することにより所定値に調整する技術が本願出願前に知られている必要があると思料します。」（２頁２６行～３頁３行）と主張している。 (ウ)原告は，本件第１補正に関し，平成１７年１月２８日付け意見- 14 -書（甲１８）において，「請求項１に係る発明は，主として以下の(イ)の特徴的構成を備えることを特徴とするもので，この構成により，引用文献１，２との差異を明確にするものです。 －３(イ)「結晶性半導体膜に含まれるニッケルの濃度は１×１０ｃｍ～１×１０ｃｍであり，前記ニッケルを除去することにより，前 －３記結晶性半導体膜中のニッケル濃度の上限値は前記濃度１×１０ｃ ｍを上回らない」との構成（以下，「本願特異な構成」という。）－３そして・・・結晶性半導体膜に含まれるニッケルの濃度が過剰であっても上記「本願特異な構成」により余剰分は除去され，結晶性半導体膜に含まれるニッケルの濃度は常に所定範囲内になり，その結果，ほぼ均一な品質の薄膜トランジスタが常に作製されることになります。」（３頁１８行～３０行），「つまり，シリコン膜を十分に結晶化させるため予めニッケルの濃度を寧ろ高めにして結晶性半導体膜を作製し，作製後に所定値を越えたニッケルを除去し，その濃度を低減するようにすることが可能となり，例え除去工程が増えるとしても均一な品質を有する薄膜トランジスタの作製が容易且つ確実になります。」（４頁２８行～３１行），「本願明細書の段落［００１１］には，「ニッケ るようにすることが可能となり，例え除去工程が増えるとしても均一な品質を有する薄膜トランジスタの作製が容易且つ確実になります。」（４頁２８行～３１行），「本願明細書の段落［００１１］には，「ニッケルを除去し結晶性半導体膜に含まれるニッケルの濃度を所定の範囲にすることにより，結晶化の低温，短時間化を可能にするとともに，薄膜トランジスタの特性及び信頼性の劣化を防止する。」という技術的思想が記載乃至示唆されていると言えます。そして，請求項１に係る発明の上記「本願特異な構成」，或いは上記技術的思想は，引用された２件の引用文献には記載乃至示唆されていません。上記「本願特異な構成」中の上限値は，上記したように特有な技術的意- 15 -義を有するもので，引用された２件の引用文献に記載されたものから当業者が容易に発明できるとは思われません。」（４頁４２行～５０行）と主張している。 ウ以上によれば，審決の認定①，②に誤りはなく，本件第２補正発明は，ニッケルを除去した結晶性半導体膜のニッケル濃度範囲の下限値が１×１０ｃｍであるものとして認定されるのに対し，本願当初明細 －３書にはニッケルを除去した結晶性半導体膜のニッケル濃度範囲の下限値が１×１０ｃｍであるとの記載がないから，本件第２補正が新規事 －３項の追加に該当し，不適法であるとした審決の判断に誤りはない。 (2)取消事由２に対しア本件第１補正後の請求項１，２には，「前記結晶性半導体膜に含まれる前記ニッケルの濃度は１×１０ｃｍ～１×１０ｃｍであり」 －３ －３と記載されており，そのニッケルの濃度範囲が「結晶性半導体膜」中の特定の部分について成立するものであるようには規定されていない。また，本件第１補正発明は，本件第２補正発明と同様に，結晶性半導体膜中 と記載されており，そのニッケルの濃度範囲が「結晶性半導体膜」中の特定の部分について成立するものであるようには規定されていない。また，本件第１補正発明は，本件第２補正発明と同様に，結晶性半導体膜中の「ニッケルを除去すること」という製法限定を付された，最終的な薄膜トランジスタの構成に関するものであり，「ニッケルを除去すること」という製法限定された部分を必須の構成とするものであるから，「ニッケルを除去すること」により得られた「結晶性半導体膜」のすべて －３ －の部分において「ニッケルの濃度は１×１０ｃｍ～１×１０ｃｍであ」る薄膜トランジスタと認定すべきである。 しかし，本願当初明細書には，結晶性半導体膜のニッケル濃度範囲に関し，請求項１に「ニッケル，鉄，コバルト及び白金から選択された元素を含む結晶性半導体膜」を有し，「前記結晶性半導体膜に含まれる前- 16 -記元素の濃度は１×１０ｃｍ～１×１０ｃｍであることを特徴 －３ －３とする薄膜トランジスタ」との記載及び段落【００１１】に「シリコン膜中のニッケル，鉄，コバルト，白金の濃度は，１×１０ｃｍ～１ －３原子％，より好ましくは１×１０ｃｍ～１×１０ｃｍが好まし －３ －３い」との記載があるのみであり，ニッケルを除去することにより得られ －３ た結晶性半導体膜のニッケルの濃度範囲が１×１０ｃｍ～１×１０ｃｍであることは記載されていない。また，本願当初明細書の他の箇 －３所にも，完成後の「薄膜トランジスタ」を構成する「結晶性半導体膜」のすべての領域において，ニッケルの濃度範囲が１×１０ｃｍ～１ －３×１０ｃｍであることを裏付ける記載も示唆もない。 －３イそして，本件第１補正発明は， する「結晶性半導体膜」のすべての領域において，ニッケルの濃度範囲が１×１０ｃｍ～１ －３×１０ｃｍであることを裏付ける記載も示唆もない。 －３イそして，本件第１補正発明は，前記(1)と同様の理由により，ニッケルを除去した結晶性半導体膜のニッケル濃度範囲の下限値が１×１０ｃ ｍであるものとして認定されるのに対し，本願当初明細書にはニッケ－３ ルを除去した結晶性半導体膜のニッケル濃度範囲の下限値が１×１０ｃｍであるとの記載がないから，本件第１補正が新規事項の追加に該－３当し，本願を拒絶すべきであるとした審決の判断に誤りはない。 第４当裁判所の判断 取消事由１（本件第２補正の適法性の判断の誤り）について(1)原告は，本件第２補正発明は，ニッケルが過剰な場合に限りこれを上限値まで除去するものであって，本件第２補正発明の「ニッケルの濃度」の下限値である「１×１０ｃｍ」は「前記ニッケルを除去すること」に －３より得られる値ではないのに，この下限値がニッケルを除去することにより得られた値であることを前提に（審決の認定①，②），本件第２補正が新規事項の追加に該当するとした審決の判断は誤りである旨主張するので，まず，この点について検討する。 - 17 -ア本件第２補正後の特許請求の範囲の請求項１は，「基板上に形成されたニッケルを含む結晶性半導体膜と，前記結晶性半導体膜の上に形成されたゲイト絶縁膜と，前記ゲイト絶縁膜の上に形成されたゲイト電極とを有し，前記結晶性半導体膜は前記ニッケルにより結晶化されたもので あり，前記結晶性半導体膜に含まれる前記ニッケルの濃度は１×１０ｃｍ～１×１０ｃｍであり，前記結晶性半導体膜中のニッケル濃－３ －３ 度の上限値は，前記ニッケルを除去 もので あり，前記結晶性半導体膜に含まれる前記ニッケルの濃度は１×１０ｃｍ～１×１０ｃｍであり，前記結晶性半導体膜中のニッケル濃－３ －３ 度の上限値は，前記ニッケルを除去することにより前記濃度１×１０ｃｍを上回らないことを特徴とする薄膜トランジスタ。」，請求項２－３は，「基板上に形成されたニッケルを含む結晶性半導体膜と，前記結晶性半導体膜の上に形成されたゲイト絶縁膜と，前記ゲイト絶縁膜の上に形成されたゲイト電極とを有し，前記結晶性半導体膜は前記ニッケルにより結晶化されたものであり，前記結晶性半導体膜に含まれる前記ニッケルの濃度は１×１０ｃｍ～１×１０ｃｍであり，前記結晶性 －３ －３半導体膜中のニッケル濃度の上限値は，前記ニッケルを除去することにより前記濃度１×１０ｃｍを上回らなく，前記基板に平行な方向に －３結晶が成長してなることを特徴とする薄膜トランジスタ。」というものである。 これらの記載から，本件第２補正後の請求項１，２には，薄膜トランジスタを構成する結晶性半導体膜がニッケルにより結晶化されたもので あり，①上記結晶性半導体膜に含まれるニッケルの濃度範囲が１×１０ｃｍ～１×１０ｃｍであること，②ニッケルの濃度の上限値は， －３ －３ニッケルを除去することにより１×１０ｃｍを超えないようにする －３ことが記載されているものと理解することができる。 そして，上記請求項１，２の文言上，ニッケルの濃度が１×１０ｃ ｍを下回る場合においてニッケルを除去する工程（ニッケル除去工－３程）を行うことについての記載はないのみならず，ニッケルの濃度範囲- 18 -が「１×１０ｃｍ～１×１０ｃｍ」であること(上記①）と，「 －３ 去する工程（ニッケル除去工－３程）を行うことについての記載はないのみならず，ニッケルの濃度範囲- 18 -が「１×１０ｃｍ～１×１０ｃｍ」であること(上記①）と，「 －３ －３前記結晶性半導体膜中のニッケル濃度の上限値は，前記ニッケルを除去することにより前記濃度１×１０ｃｍを上回らな」いこと（上記 －３②）とが区別して記載されていることに照らすと，本件第２補正後の請求項１，２は，ニッケルの濃度の下限値である１×１０ｃｍがニッ －３ケル除去工程とは直接関連しないことを明らかにしているものと理解することができる。 そうすると，本件第２補正後の特許請求の範囲の請求項１，２記載の薄膜トランジスタは，ニッケル除去工程を必須とするものではなく，ニッケル除去工程を経ていないものを含むものと認められる。 イそして，本願当初明細書（甲２）の「発明の詳細な説明」には，薄膜トランジスタを形成する前に，ニッケル除去工程を行うことが必須であることをうかがわせる記載はなく，かえって，次のとおり，ニッケル除去工程はニッケルが過剰に含まれている場合に必要とされることや，ニッケル除去工程を経ていない薄膜トランジスタの実施例の記載がある。 (ア)①「本発明ではニッケル，鉄，コバルト，白金，パラジウムを用いるが，これらの材料は半導体材料としてのシリコンにとっては好ましくない。そこで，過剰にシリコン膜中に含まれている場合には，これを除去することが必要であるが，ニッケルに関しては，上記の反応の結果，結晶化の終端に達した珪化ニッケルはフッ酸もしくは塩酸に容易に溶解するので，これらの酸による処理によって基板からニッケルを減らすことができる。さらに，積極的にニッケル，鉄，コバルト，白金，パラジウムを減らすには，結晶化工程の終了した 酸もしくは塩酸に容易に溶解するので，これらの酸による処理によって基板からニッケルを減らすことができる。さらに，積極的にニッケル，鉄，コバルト，白金，パラジウムを減らすには，結晶化工程の終了した後，塩化水素，各種塩化メタン(ＣＨＣｌ，ＣＨＣｌ，Ｃ ＨＣｌ），各種塩化エタン（ＣＨＣｌ，ＣＨＣｌ，ＣＨＣｌ，ＣＨＣｌ，ＣＨＣｌ）あるいは各種塩化エチレン（ＣＨＣ - 19 -ｌ，ＣＨＣｌ，ＣＨＣｌ）等の塩素を含む雰囲気中で，４００～ ６５０℃で処理すればよい。特に，トリクロロエチレン（ＣＨＣｌ ）は使用しやすい材料である。本発明によるシリコン膜中のニッケ ル，鉄，コバルト，白金の濃度は，１×１０ｃｍ～１原子％，よ -3り好ましくは１×１０ｃｍ～１×１０ｃｍが好ましいとわかっ -3 -3た。この範囲以下では結晶化が十分に進行せず，一方，この範囲を上回った場合には，特性，信頼性が劣化する。」（段落【００１１】）②「〔実施例２〕・・・図５（Ａ）に示すように，基板３１上に下地酸化珪素膜３２を堆積し，さらに厚さ２０００～３０００Åのアモルファスシリコン膜３３を堆積した。アモルファスシリコン膜には適当な量のＰ型もしくはＮ型不純物を混入させておいてもよい。 そして，上記に示したように島状のニッケルもしくは珪化ニッケル被膜３４Ａ，３４Ｂを形成し，この状態で５５０℃，４時間アニールすることによってアモルファスシリコン膜を結晶化させた。」（段落【００３１】），「次に，このようにして得られた結晶シリコン膜を図５（Ｂ）に示すようにパターニングした。このとき，図の中央部（ニッケルもしくは珪化ニッケル被膜３４Ａ，３４Ｂの中間部）のシリコン膜にはニ ０３１】），「次に，このようにして得られた結晶シリコン膜を図５（Ｂ）に示すようにパターニングした。このとき，図の中央部（ニッケルもしくは珪化ニッケル被膜３４Ａ，３４Ｂの中間部）のシリコン膜にはニッケルが多量に含まれているので，これを除くようにパターニングして，島状シリコン領域３５Ａ，３５Ｂを形成した。」（段落【００３２】）③「〔実施例３〕・・・図６（Ａ）に示すように，基板５１上に下地酸化珪素膜５２を堆積し，さらに厚さ１０００～１５００Åのアモルファスシリコン膜５３を堆積した。そして，上記に示したように島状のニッケルもしくは珪化ニッケル被膜５４を形成し，この状態で５５０℃でアニールする。この工程によって，珪化シリコン領- 20 -域５５が成長し，結晶化が進行する。４時間のアニールによって，図６（Ｂ）に示すように，アモルファスシリコン膜は結晶シリコンに変化する。また，結晶化の進行によって珪化シリコン５９Ａ，５９Ｂは端に追いやられる。」（段落【００３３】），「次に，このようにして得られた結晶シリコン膜を図６（Ｂ）に示すようにパターニングして島状シリコン領域５６を形成した。このとき島状領域の両端はニッケルの濃度が大きいことに注意すべきである。」（段落【００３４】）④実施例６に関し，「この工程によって，アモルファスシリコン膜は孔９６ａ，９６ｂの直下の部分９７ａ，９７ｂが珪化物となり，そこから結晶化が進行しシリコン領域９８ａ，９８ｂが成長した。 その先端部分はニッケル濃度の高い領域９９ａ，９９ｂであった。（図１０（Ｂ））十分に結晶化が進行した状態では孔９６ａと９６ｂから進行した結晶化がその中間で衝突し，この状態で結晶化が停止した。結晶化の衝突した部分にはニッケルの濃度の高い領域９９ａ（判決注・９９ｃの誤記と認める。）が残された。 した状態では孔９６ａと９６ｂから進行した結晶化がその中間で衝突し，この状態で結晶化が停止した。結晶化の衝突した部分にはニッケルの濃度の高い領域９９ａ（判決注・９９ｃの誤記と認める。）が残された。この状態で，さらに実施例４のようにエキシマレーザー等によって光アニールをおこなってもよい。（図１０（Ｃ））次に，このようにして得られた結晶シリコン膜を図１０（Ｄ）に示すようにパターニングして島状シリコン領域１００を形成した。シリコン領域１００の中にはニッケル濃度の高い領域９７ａの一部と９９ｃが残されている。」（段落【００６４】）(イ)上記記載によれば，ニッケル除去工程はニッケルが過剰に含まれている場合に必要とされるものであり（上記①），実施例２，３，６には，「結晶化の終端に達した珪化ニッケルをフッ酸もしくは塩酸」による処理又は「塩素を含む雰囲気中で，４００～６５０℃で処理」- 21 -によるニッケル除去工程（段落【００１１】）を経ていない薄膜トランジスタの実施例が記載されていること（上記②ないし④）が認められる。 ウ以上によれば，本件第２補正発明は，ニッケルの濃度の上限値が１× ｃｍを超える場合にはその上限値の範囲内とするためニッケル －３除去工程を行うものではあるものの，それ以外の場合にニッケル除去工程を行うことを必須とするものではなく，ニッケル除去工程を経ることなしに，結晶性半導体膜中のニッケルの濃度範囲が１×１０ｃｍ～ －３１×１０ｃｍであるものを含むものと認められるから，本件第２補 －３正発明のニッケルの濃度の下限値である「１×１０ｃｍ」が「前記 －３ニッケルを除去すること」により得られる値であるとの審決の認定①，②は誤りである。 そして，前記イのとおり，本願当初明細書には，ニッケ ケルの濃度の下限値である「１×１０ｃｍ」が「前記 －３ニッケルを除去すること」により得られる値であるとの審決の認定①，②は誤りである。 そして，前記イのとおり，本願当初明細書には，ニッケルの濃度の上限値が１×１０ｃｍを超える場合にはその上限値の範囲内とするた －３めニッケル除去工程が必要であることや，ニッケル除去工程を経ていない薄膜トランジスタの実施例の記載があることによれば，「前記結晶性半導体膜中のニッケル濃度の上限値は，前記ニッケルを除去することにより前記濃度１×１０ｃｍを上回らな」いことを補正事項とする本 －３件第２補正は本願当初明細書に記載した事項の範囲内のものであり，また，本件第２補正は，審決も認定するとおり，明りょうでない記載の釈明を目的とするものであるから（審決書３頁７行～１２行），本件第２補正は適法である。 したがって，本件第２補正が新規事項の追加に該当し，不適法であるとした審決の判断は誤りである。 (2)アこれに対し被告は，本件第２補正発明の「前記結晶性半導体膜中のニッケル濃度の上限値は，前記ニッケルを除去することにより前記濃度１- 22 -×１０ｃｍを上回らな」いとの構成は，各工程が終了して製造され －３た「薄膜トランジスタ」という「物の発明」においてその結晶性半導体膜のニッケル濃度範囲の上限値を製法で限定するものであり，結晶性半導体膜に薄膜トランジスタを形成する前にその結晶性半導体膜中から「ニッケルを除去すること」は，結晶化後に結晶性半導体膜中に残留することになるニッケルの濃度範囲の高低に関わらず，必ず行われる工程であって，その結晶性半導体膜の濃度範囲はニッケルを除去した後のものであるから，ニッケルの濃度範囲の下限値もニッケルを除去した後の結晶性半導体膜のニッケルの 度範囲の高低に関わらず，必ず行われる工程であって，その結晶性半導体膜の濃度範囲はニッケルを除去した後のものであるから，ニッケルの濃度範囲の下限値もニッケルを除去した後の結晶性半導体膜のニッケルの濃度範囲の下限値を意味することになるのは当然である旨主張する。 しかしながら，本件第２補正発明の薄膜トランジスタが各工程が終了して製造された物の発明であり，その結晶性半導体膜中に含まれる「ニッケルの濃度の上限値は，前記ニッケルを除去することにより前記濃度１×１０ｃｍを上回らな」いとの構成を有するからといって，ニッ －３ケルの濃度範囲の高低に関わらず，薄膜トランジスタを形成する前にニッケルの除去工程を行うことが必須のものであると即断することができるものではなく，先に説示したとおり，本件第２補正発明は，ニッケル除去工程を経ることなしに，結晶性半導体膜中のニッケルの濃度範囲が１×１０ｃｍ～１×１０ｃｍであるものを含むものであるか －３ －３ら，ニッケルの濃度範囲の下限値が当然にニッケルを除去した後のものになるものではない。 また，被告は，ニッケル除去工程を経なければ，本件第２補正発明の結晶性半導体膜が「ほぼ均一な品質の薄膜トランジスタが常に作製される」という所期の効果を奏することができないから，ニッケル除去工程は本件第２補正発明を最も特徴付けている不可欠の技術的事項である旨主張するが，ニッケルが上限値を上回る過剰な場合にニッケルを除去す- 23 -ることによっても，所期の品質の薄膜トランジスタを得ることができるから，ニッケル除去工程が本件第２補正発明を最も特徴付けている不可欠の技術的事項であるとはいえない。 したがって，本件第２補正発明において，ニッケル除去工程が必須のものであることを前提とする被告の上記主張は採用 ル除去工程が本件第２補正発明を最も特徴付けている不可欠の技術的事項であるとはいえない。 したがって，本件第２補正発明において，ニッケル除去工程が必須のものであることを前提とする被告の上記主張は採用することができない。 イ次に，被告は，仮に結晶性半導体膜中から「ニッケルを除去すること」が必須の構成ではないということであれば，本件第２補正発明は，結晶性半導体膜中から「ニッケルを除去すること」なる構成を備えない薄膜トランジスタも含むものとなり，「ニッケルを除去すること」をもって先行技術との差異（進歩性）を主張する本件審判段階における原告の主張と矛盾する旨主張する。 (ア)原告が本件審判段階において提出した本件審判請求書の請求の理由の欄を補正する平成１４年１２月１７日付けの手続補正書（甲１３）には，本願の請求項１に係る発明は，主として，「(イ)「元素を除去することにより，」（以下，「第１の特徴的事項」という。）」 －３と「(ロ)「結晶性半導体膜に含まれる元素の濃度は１×１０ｃｍ～１×１０ｃｍであり，」（以下，「第２の特徴的事項」とい －３う。）」の二つの特徴的事項を備えることを特徴とし，これら二つの事項を一体不可分の構成として備えることにより，各引用文献との差異を明確にするものである旨の記載があり，本件審判段階における審尋に対する平成１６年９月１０日付けの原告の回答書（甲１５）でも同様の主張がされている。 一方で，原告が上記手続補正書及び回答書を提出した当時の請求項１は，平成１４年１０月２８日付け手続補正書（甲１２）に基づく補- 24 -正後のものであり（「【請求項１】絶縁表面上に形成された，ニッケル，鉄，コバルト及び白金から選択された元素を含む結晶性半導体膜と，前記結晶性半導体膜の上に形成されたゲイト絶縁膜と， - 24 -正後のものであり（「【請求項１】絶縁表面上に形成された，ニッケル，鉄，コバルト及び白金から選択された元素を含む結晶性半導体膜と，前記結晶性半導体膜の上に形成されたゲイト絶縁膜と，前記ゲイト絶縁膜の上に形成されたゲイト電極とを有し，前記元素を除去することにより，前記結晶性半導体膜に含まれる前記元素の濃度は１×１０ｃｍ～１×１０ｃｍであることを特徴とする薄膜トランジス -3 -3タ。」），その後，平成１６年１１月１１日，平成１４年１０月２８日付け手続補正書に基づく補正を却下する決定（本願当初明細書に，「前記元素を除去することにより，前記結晶性半導体膜に含まれる前記元素の濃度」の下限値が「１×１０ｃｍ」である薄膜トラン -3ジスタが記載されていないことを理由とする。甲１６）がされ，更にその後，本件第１補正，本件第２補正が順次行われたことは，前記第２の１のとおりである。 そして，本件第１補正に係る平成１７年１月２８日付け手続補正書（甲４）及び同日付け意見書（甲１８），本件第２補正に係る同年４月４日付け手続補正書（甲３）及び同日付け意見書（甲２０）によれば，本件第１補正及び本件第２補正は，平成１４年１０月２８日付け補正を却下する決定を受けて，特許請求の範囲を補正するものである上，本件第２補正は，ニッケルを除去すること（ニッケル除去工程）が，ニッケル濃度の下限値と関係しない事項であることを明確にすることをその目的の一つとするものであるから，本件第２補正発明が，ニッケル除去工程を必須とせずに，結晶性半導体膜中から「ニッケルを除去すること」なる構成を備えない薄膜トランジスタも含むものとなることは，原告の本件審判段階の主張と矛盾するものとはいえ- 25 -ない。 (イ)また，原告が本件審判段階において提出し ッケルを除去すること」なる構成を備えない薄膜トランジスタも含むものとなることは，原告の本件審判段階の主張と矛盾するものとはいえ- 25 -ない。 (イ)また，原告が本件審判段階において提出した平成１７年１月２８日付け意見書（甲１８）も，ニッケル濃度が上限値を超えた場合に除去することより薄膜トランジスタの特性，信頼性の劣化が防止されることを述べたものであり，第２補正発明が，ニッケル除去工程を必須としないことと矛盾するものではない。 (ウ)したがって，本件第２補正発明は，結晶性半導体膜中から「ニッケルを除去すること」なる構成を備えない薄膜トランジスタも含むことが，「ニッケルを除去すること」をもって先行技術との差異（進歩性）を主張する本件審判段階における原告の主張と矛盾するとの被告の主張は，採用することができない。 ウなお，本件第２補正発明の請求項１，２の「前記結晶性半導体膜に含まれる前記ニッケルの濃度は１×１０ｃｍ～１×１０ｃｍ」と －３ －３の部分は，最終的に形成された「薄膜トランジスタ」を構成する「結晶性半導体膜」における「ニッケルの濃度」を表すものであって，「結晶 性半導体膜」のすべての領域においてニッケルの濃度範囲が「１×１０ｃｍ～１×１０ｃｍ」であることを意味するものとは認められな －３ －３いから，本願当初明細書に「結晶性半導体膜」のすべてのニッケルの濃度範囲が１×１０ｃｍ～１×１０ｃｍであることを裏付ける記 －３ －３載がないとしても，本件第２補正が新規事項の追加に該当することはない。 (3)したがって，原告主張の取消事由１アは理由がある。 結論 以上によれば，審決は，本件第２補正が新規事項の追加に該当する不適法なものであると誤って却下したものであり， 該当することはない。 (3)したがって，原告主張の取消事由１アは理由がある。 結論 以上によれば，審決は，本件第２補正が新規事項の追加に該当する不適法なものであると誤って却下したものであり，その結果，本願に係る発明の要- 26 -旨の認定を誤ったことになるから，その余の点について判断するまでもなく，審決は取消しを免れない。 よって，原告の本訴請求は理由があるから認容することとして，主文のとおり判決する。 知的財産高等裁判所第３部裁判長裁判官佐藤久夫裁判官大鷹一郎裁判官嶋末和秀
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