平成２３年２月２８日判決言渡 平成２２年（行ケ）第１０１５４号審決取消請求事件 平成２２年１２月２８日口頭弁論終結判決 原告 日立化成工業株式会社 訴訟代理人弁理士 長谷川芳樹 阿部寛 池田正人 城戸博兒 清水義憲 訴訟代理人弁護士 尾関孝彰 被告 住友金属鉱山株式会社 訴訟代理人弁理士 伊東忠彦 佐々木定雄 大貫進介 山口昭則 訴訟代理人弁護士 中川康生 山川博光 主文 原告の請求を棄却する。 訴訟費用は原告の負担とする。 事実及び理由 第１請求 特許庁が無効２００６－８０１４０号事件について平成２２年４月５日にした審決を取り消す。 第２争いのない 担とする。 事実及び理由 - 2 -第１請求特許庁が無効２００６－８０１４０号事件について平成２２年４月５日にした審決を取り消す。 第２争いのない事実等 事案の概要本訴は，特許第３３５２０８４号（発明の名称：半導体素子搭載用基板及び半導体パッケージ。以下「本件特許」という。）の請求項１に係る特許の無効審判（無効２００６－８０１４０号）において特許庁が平成２２年４月５日にした「請求項１についての訂正を認める。特許第３３５２０８４号の請求項１に記載された発明についての特許を無効とする。」との審決の取消しを求めるものである。 本訴に至る経緯(1)特許庁における手続の経緯等ア出願等の経緯(ｱ)親出願等ａ原告は，平成７年３月１７日，特許出願をした（特願平７－５２４５３７号）。この特許出願については，特許査定及び設定登録がされた（特許第３２４７３８４号）。原告は，上記特許出願について，次の優先権主張を行っている。 (a) 優先権主張番号特願平６－４８７６０号優先日平成６年３月１８日優先権主張国日本(b)優先権主張番号特願平６－２７３４６９号優先日平成６年１１月８日優先権主張国日本(c)優先権主張番号特願平７－７６８３号- 3 -優先日平成７年１月２０日優先権主張国日本(d)優先権主張番号特願平７－５６２０２号 優先日平成７年１月２０日優先権主張国日本(d)優先権主張番号特願平７－５６２０２号優先日平成７年３月１５日優先権主張国日本ｂ原告は，前記ａの特許出願（特願平７－５２４５３７号）の分割出願として，平成１３年８月６日，新たな特許出願をした（特願２００１－２３７７９１号。後記(ｲ)のとおり，この出願の再度の分割出願として，本件特許の出願が行われた。）。この特許出願については，特許査定がされ，平成１４年８月９日，設定登録がされた（特許第３３３７４６７号）。 (ｲ)本件特許出願と手続補正ａ原告は，前記(ｱ)ｂの特許出願（特願２００１－２３７７９１号）の分割出願として，平成１４年５月１３日，四つの新たな特許出願をした（特願２００２－１３７３５９号，特願２００２－１３７３６０号，特願２００２－１３７３６１号，特願２００２－１３７３６２号）。これらの特許出願については，次のとおり，特許査定及び設定登録がされた。 (a)特願２００２－１３７３５９号特許第３４１３４１３号平成１５年３月２８日設定登録 (b)特願２００２－１３７３６０号特許第３３５２０８３号平成１４年９月２０日設定登録(c)特願２００２－１３７３６１号特許第３４１３１９１号- 4 -平成１５年３月２８日設定登録 (d)特願２００２－１３７３６２号特許第３３５２０８４号（本件特許）平成１４年９月２０日設定登録 ｂ本件特許については，平成１４年６月１０日付け手続補正書による手続補正が行われた（同補正後の請求項の数は８であった。）。 イ新 本件特許）平成１４年９月２０日設定登録 ｂ本件特許については，平成１４年６月１０日付け手続補正書による手続補正が行われた（同補正後の請求項の数は８であった。）。 イ新規性，進歩性の判断の基準日本件特許に係る発明の構成要件の記載事項及び後記の訂正請求により訂正が行われたと仮定した場合の訂正後の発明の構成要件の記載事項は，前記ア(ｱ)ａ(d)の特願平７－５６２０２号の願書に添付した明細書及び図面において初めて開示された事項であるから，本件特許に係る発明，及び訂正請求により訂正が行われたと仮定した場合の訂正後の発明の新規性，進歩性の判断の基準日は，前記ア(ｱ)ａ(d)の特願平７－５６２０２号の出願日である平成７年３月１５日（以下「優先権基準日」という。）となる。 (2)訂正請求に至る経緯ア第１次審決と取消訴訟住友金属鉱山パッケージマテリアルズ株式会社（平成２０年１１月１日，被告に吸収合併され，同月１４日，その旨の登記がされた。）は，平成１８年７月３１日，本件特許の請求項１に係る発明についての特許の無効審判（無効２００６－８０１４０号）を請求した。 特許庁は，平成１９年１月２２日，上記無効審判請求に係る特許を無効とする旨の審決をした。 原告は，平成１９年２月２８日，上記審決につき知的財産高等裁判所（以下「知財高裁」という。）に審決取消訴訟を提起した（知財高裁平成１９年（行ケ）第１００８５号）。 イ訂正審判請求と差戻決定- 5 -(ｱ)原告は，平成１９年４月２日，本件明細書につき訂正審判請求を行ったが，同年６月１２日，この訂正審判請求を取り下げた。 (ｲ)原告は，平成１９年５月２８日，本件明細書につき再度の訂正審判請求（訂正２００７－３９００６６号）を行った。 (ｳ)知財高裁は，平 行ったが，同年６月１２日，この訂正審判請求を取り下げた。 (ｲ)原告は，平成１９年５月２８日，本件明細書につき再度の訂正審判請求（訂正２００７－３９００６６号）を行った。 (ｳ)知財高裁は，平成１９年７月２０日，事件を審判官に差し戻すため，前記アの審決を取り消す旨の決定（特許法１８１条２項）をした。 ウ訂正請求と訂正審判のみなし取下げ原告は，差戻し後の無効審判において，平成１９年８月６日，本件明細書につき訂正請求を行い，前記イ(ｲ)の訂正審判請求は取り下げられたものとみなされた（特許法１３４条の３第４項）。上記訂正請求は，無効審判請求されている請求項１の訂正を請求するとともに，無効審判請求されていない訂正前の請求項２以下の請求項の訂正をも請求するものであった。 エ第２次審決と審決取消訴訟(ｱ)特許庁は，平成２０年２月５日，請求項１に係る発明についての特許の無効審判（無効２００６－８０１４０号）について，同特許を無効とする旨の審決をした。 (ｲ)原告は，平成２０年３月１３日，上記審決中，請求項１に係る部分についての取消のみを求め，知財高裁に審決取消訴訟を提起した（知財高裁平成２０年（行ケ）第１００９３号）。 (ｳ)知財高裁は，平成２０年１１月２７日，前記(ｱ)の審決を取り消す旨の判決をした。その判決の理由の要旨は，次のとおりである，すなわち，特許無効審判手続における特許の有効性の判断及び訂正請求による訂正の効果は，いずれも請求項ごとに生じ，その確定時期も請求項ごとに異なるものというべきである。そうすると，２以上の請求項を対象とする特許無効審判の手続において，無効審判請求がされている２以上の請求項について訂正請求がされ，それが特許請求の範囲の減縮- 6 -を目的とする訂正である場合には，訂正の対象になってい 項を対象とする特許無効審判の手続において，無効審判請求がされている２以上の請求項について訂正請求がされ，それが特許請求の範囲の減縮- 6 -を目的とする訂正である場合には，訂正の対象になっている請求項ごとに個別にその許否が判断されるべきものであるから，そのうちの一つの請求項についての訂正請求が許されないことのみを理由として，他の請求項についての訂正事項を含む訂正の全部を一体として認めないとすることは許されない。そして，この理は，特許無効審判の手続において，無効審判請求の対象とされている請求項及び無効審判請求の対象とされていない請求項の双方について訂正請求がされた場合においても同様であって，無効審判請求の対象とされていない請求項についての訂正請求が許されないことのみを理由（この場合，独立特許要件を欠くという理由も含む。）として，無効審判請求の対象とされている請求項についての訂正請求を認めないとすることは許されない。前記(ｱ)の審決は，無効審判請求の対象とされていない請求項２についての訂正請求が独立特許要件を欠くことのみを理由として，前記ウの平成１９年８月６日付け訂正請求は認められないとした上で，請求項１に係る発明についての特許を無効と判断したのであるから，前記(ｱ)の審決には，上記説示した点に反する違法がある。 オ無効審判と訂正請求(ｱ)前記エ(ｳ)の審決取消後の無効審判において，平成２１年６月９日付け無効理由通知（甲３８）がされ，原告は，同年７月１３日付け訂正請求書（甲３７）により，特許請求の範囲につき訂正（以下「本件訂正」といい，本件訂正後の明細書を「訂正明細書」という。）を請求した。 請求項１，２に係る本件訂正の内容は，請求項１，２を次のとおりに訂正するというものであった（以下，本件訂正後の請求項１記載の発明 正」といい，本件訂正後の明細書を「訂正明細書」という。）を請求した。 請求項１，２に係る本件訂正の内容は，請求項１，２を次のとおりに訂正するというものであった（以下，本件訂正後の請求項１記載の発明を「本件発明１」といい，本件訂正後の請求項２記載の発明を「本件訂正発明２」という。）。 ａ本件発明１- 7 -「絶縁性支持体と，その片面のみに形成される複数の配線とを備えるＢＧＡ用の半導体素子搭載用フレキシブル基板において，半導体素子搭載領域と，該半導体素子搭載領域の外側の樹脂封止用半導体パッケージ領域とを，複数組備え，上記配線は銅箔から形成される配線であって，上記絶縁性支持体の半導体素子を搭載する面側のみに１層あり，上記配線は，上記半導体パッケージ領域に形成されるワイヤボンディング端子と，上記半導体素子搭載領域に形成される外部接続端子及びそれらをつなぐ配線を配線の一部として備え，上記外部接続端子は上記配線の上記絶縁性支持体側の面に備えられ，上記ワイヤボンディング端子はその反対側の面に備えられ，上記外部接続端子の形成される箇所の上記絶縁性支持体に，上記外部接続端子に達する開口部が設けられ，上記開口部の半導体素子を搭載する面側は，上記外部接続端子で覆われており，上記開口部形成後，上記配線の露出している面がニッケル金めっきされてなり，上記絶縁性支持体はポリイミドフィルムであって，上記開口部の側壁に上記絶縁性支持体が露出していることを特徴とするＢＧＡ用の半導体素子搭載用フレキシブル基板。」ｂ本件訂正発明２「上部外部接続端子は，上記半導体素子搭載領域ごとに二つ以上設けられることを特徴とする請求項１記載のＢＧＡ用の半導体素子搭載用フレキシブル基板。」(ｲ)特許庁は，平成２２年４月５日，「請求項１についての訂正を認める。 特許第 素子搭載領域ごとに二つ以上設けられることを特徴とする請求項１記載のＢＧＡ用の半導体素子搭載用フレキシブル基板。」(ｲ)特許庁は，平成２２年４月５日，「請求項１についての訂正を認める。 特許第３３５２０８４号の請求項１に記載された発明についての特許を無効とする。」との審決（以下，単に「審決」という場合は，この審決を- 8 -指す。）をし，その謄本は，同年４月１５日，原告に送達された。 特許請求の範囲訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１の記載（本件発明１）は，前記２(2)オ(ｱ)ａのとおりである。 審決の理由(1)別紙審決書写しのとおりであり，請求項１に係る部分の要旨は，次のとおりである。 ア訂正の適否について請求項１に係る本件訂正は，平成６年改正前特許法１３４条２項ただし書に適合し，特許法１３４条の２第５項において準用する平成６年改正前特許法１２６条２項の規定に適合するので，訂正を認める。 イ本件発明１についての特許の無効について本件発明１は，本件訂正発明２において「上記外部接続端子は，上記半導体素子搭載領域ごとに二つ以上設けられる」なる限定がないものである。 そして，本件訂正発明２は，引用刊行物１（特開昭６１－１７７７５９号公報，甲１〔審判甲２５〕）記載の発明（以下「引用刊行物１発明」という。）及び周知又は公知の技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本件発明１についても，引用刊行物１発明及び周知又は公知の技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであり，本件発明１についての特許は，特許法２９条２項の規定に違反してされたものであって，特許法１２３条１項２号に該当する。 (2)審決が，本件発明１に進歩性がないとの結論を導く過程において認定した引用刊行物１発明の内容，本件訂 は，特許法２９条２項の規定に違反してされたものであって，特許法１２３条１項２号に該当する。 (2)審決が，本件発明１に進歩性がないとの結論を導く過程において認定した引用刊行物１発明の内容，本件訂正発明２と引用刊行物１発明の一致点，相違点は，次のとおりである。 ア引用刊行物１発明の内容「ガラスエポキシ基板により構成されるベースに，半導体素子の搭載さ- 9 -れる領域と，その外側にＳｉ系ゲルにより被覆される領域を有し，ベースの半導体素子を搭載する面側のみに，１層のメタライズ層からなる複数の配線が設けられ，メタライズ層はコネクタワイヤボンディング部と金属ピンよりなるアウターリードに接続する端子とを配線の一部とした配線パターンを備え，コネクタワイヤボンディング部はＳｉ系ゲルにより被覆される領域のメタライズ層の上面に設けられ，アウターリードに接続する端子は半導体素子の搭載領域のメタライズ層の下面に複数設けられ，アウターリードに接続する端子の形成される箇所のベースにこの端子に達するスルーホール（判決注引用刊行物１では「スルホール」と表記されている。）が穿設され，スルホールの半導体素子を搭載する面側がメタライズ層で覆われている半導体素子搭載用基板。」の発明。 イ本件訂正発明２と引用刊行物１発明の一致点「絶縁性支持体と，その片面のみに形成される複数の配線とを備える半導体素子搭載用基板において，半導体素子搭載領域と，該半導体素子搭載領域の外側の樹脂封止用半導体パッケージ領域とを，備え，上記配線は，上記絶縁性支持体の半導体素子を搭載する面側のみに１層あり，上記配線は，上記半導体パッケージ領域に形成されるワイヤボンディング端子と，上記半導体素子搭載領域に形成される外部接続端子及びそれらをつなぐ配線を配線の一部として備え，上記外部接続端子 層あり，上記配線は，上記半導体パッケージ領域に形成されるワイヤボンディング端子と，上記半導体素子搭載領域に形成される外部接続端子及びそれらをつなぐ配線を配線の一部として備え，上記外部接続端子は上記配線の上記絶縁性支持体側の面に備えられ，上記ワイヤボンディング端子はその反対側の面に備えられ，上記外部接続端子の形成される箇所の上記絶縁性支持体に，上記外部接続端子に達する開口部が設けられ，上記開口部の半導体素子を搭載する面側は，上記外部接続端子で覆われており，- 10 -上記外部接続端子は，上記半導体素子搭載領域に二つ以上設けられることを特徴とする半導体素子搭載用基板。」である点。 ウ本件訂正発明２と引用刊行物１発明の相違点(ｱ)相違点１本件訂正発明２では，１層の銅箔から形成された配線を用いているのに対し，引用刊行物１発明では，メッキや蒸着などにより形成されたメタライズ層を用いている点。 (ｲ)相違点２本件訂正発明２では，絶縁性支持体がポリイミドフィルムで構成され，絶縁性支持体の開口部の側壁に上記絶縁性支持体が露出したフレキシブル基板であるのに対し，引用刊行物１発明では，ベース（絶縁性支持体）がガラスエポキシで構成され，スルホール（開口部）の側壁にベースが露出しているか否か明記していない点。 (ｳ)相違点３本件訂正発明２では，半導体素子搭載領域と樹脂封止用半導体パッケージ領域とを複数組備えているのに対し，引用刊行物１発明では，これらの領域を複数組備えていることを明記していない点。 (ｴ)相違点４本件訂正発明２では，ＢＧＡ用の基板であるのに対し，引用刊行物１発明では，アウターリードがピンよりなるＰＧＡ用の基板である点。 (ｵ)相違点５本件訂正発明２では，開口部形成後，上記ワイヤボンディング端子の表面にニッケル金めっ 基板であるのに対し，引用刊行物１発明では，アウターリードがピンよりなるＰＧＡ用の基板である点。 (ｵ)相違点５本件訂正発明２では，開口部形成後，上記ワイヤボンディング端子の表面にニッケル金めっきされるのに対し，引用刊行物１発明では，それが明記されていない点。 第３取消事由に関する原告の主張審決には，引用刊行物１発明の認定の誤り及びそれに伴う一致点の認定の誤- 11 -り（取消事由１），一致点の認定の誤り及び相違点の看過（取消事由２），相違点２（絶縁性支持体の構成，開口部側壁への絶縁性支持体の露出）に係る容易想到性の判断の誤り（取消事由３），相違点４（ＢＧＡ用の基板とＰＧＡ用の基板の相違）に係る容易想到性の判断の誤り（取消事由４）があるから，違法として取り消されるべきである。 引用刊行物１発明の認定の誤り及びそれに伴う一致点の認定の誤り（取消事由１）審決が，引用刊行物１発明について，「・・・メタライズ層は・・・金属ピンよりなるアウターリードに接続する端子とを配線の一部とした配線パターンを備え，・・・アウターリードに接続する端子の形成される箇所のベースにこの端子に達するスルホールが穿設され，スルホールの半導体素子を搭載する面側がメタライズ層で覆われている半導体素子搭載用基板」とした認定は誤りであり，その認定を前提とした一致点の認定も誤りである。その理由は，以下のとおりである。 (1)アウターリード４に接続する端子の存否引用刊行物１発明に係る基板において，メタライズ層は，金属ピンよりなるアウターリードに接続する端子を備えていない。 すなわち，引用刊行物１には，「上記メタライズ層６と，アウターリード４とを，ベース１に穿設されたスルーホールを介して電気的に接続している。」と記載されており（甲１，２頁右下欄１ないし３行），この記載 すなわち，引用刊行物１には，「上記メタライズ層６と，アウターリード４とを，ベース１に穿設されたスルーホールを介して電気的に接続している。」と記載されており（甲１，２頁右下欄１ないし３行），この記載からすると，メタライズ層６とアウターリード４とは，ベース１に穿設されたスルホールを介して，すなわち，スルホールを間において，間接的に電気的に接続されているものと解される。 ガラスエポキシ基板を用いたＰＧＡ半導体素子搭載用基板の技術分野において，スルホール表面（「スルホール表面」とは，「スルホールの側壁の表面」との意味である。）にめっき等の導電層が形成され，ガラスエポキシ基板の表- 12 -面に設けられた配線（メタライズ層）とリードピン（アウターリード）が，スルホール表面に形成された導電層を介して電気的に接続されることは，周知の技術である（甲４７ないし５０）。 そうすると，アウターリード４が挿入されていない基板において，スルホール表面に形成されためっき等の導電層が，アウターリード４が挿入されて外部と接続する端子に該当する。したがって，メタライズ層６は，アウターリード４に接続する端子を備えていない。 なお，被告は，乙１３ないし１６には，絶縁性支持体（ベース）の開口部（スルホール）にピン状のアウターリードを固定する際に，開口部（スルホール）の側面にめっきがされていないことが開示されていると主張するが，以下のとおり，このような被告の主張に理由はない。 すなわち，乙１３は，ピンを貫通孔内で金ろうにより固定し，乙１４は，ピンを貫通孔内で銀ろうにより固定するという特殊な手段を用いたものであるところ，甲５５の図５．１によれば，金ろうの溶融温度は６５０℃以上，銀ろうの溶融温度は６００℃以上であるから，耐熱性の点から，乙１３，１４記載の技術事項をガラスエポキシ 特殊な手段を用いたものであるところ，甲５５の図５．１によれば，金ろうの溶融温度は６５０℃以上，銀ろうの溶融温度は６００℃以上であるから，耐熱性の点から，乙１３，１４記載の技術事項をガラスエポキシ基板やポリイミドフィルムのような有機基板に適用することはできない。また，乙１５記載の半導体装置のパッケージは，ＴＢＡフィルムのスルホール内に樹脂により導電ピンを固定するという特殊な手段（複数の製造工程を経る構成）を用いたものであり，乙１６記載のピングリッドアレイは，合成樹脂の基板１を成形する際にピンの基部を基板内に埋入させるものであり，基板１を貫通するスルホールがないものである。さらに，乙１３ないし１６は，引用刊行物１に記載されたような，リジッドなガラスエポキシ基板のスルホールに，スルホール内径と同じ太さのリードピン（アウターリード）を挿入したＰＧＡ半導体素子搭載用基板とは異なるものである。したがって，乙１３ないし１６が存在するからといって，引用刊行物１発明に適用可能な，開口部（スルホール）の側面にめっきのな- 13 -い構成が公知であったとはいえず，引用刊行物１の「上記メタライズ層６と，アウターリード４とを，ベース１に穿設されたスルホールを介して電気的に接続している。」（甲１，２頁右下欄１ないし３行）との記載に接した当業者が，アウターリード４が，スルホール表面に形成された導電層を介さず，メタライズ層６と直接電気的に接続していると理解することはない。 (2)外部接続端子によるスルホールの被覆の有無引用刊行物１発明に係る基板は，その製造工程に照らし，スルホールの半導体素子３が搭載される面側がアウターリード４に接続する端子で覆われることはないし，引用刊行物１の第１図に基づいて，スルホールの半導体素子３が搭載される面側がメタライズ層６で覆われ ，スルホールの半導体素子３が搭載される面側がアウターリード４に接続する端子で覆われることはないし，引用刊行物１の第１図に基づいて，スルホールの半導体素子３が搭載される面側がメタライズ層６で覆われると認定することはできない。 その理由は，以下のとおりである。 ア製造工程について(ｱ)ａ引用刊行物１には，「ベース１は例えばガラスエポキシ基板により構成される」（甲１，２頁右上欄１５ないし１６行），「ベース１には，第１図にはメタライズ層（配線層）６がメッキ，蒸着などにより設けられており」（甲１，２頁左下欄１６ないし１７行），「上記メタライズ層６は，例えばＡｌより構成される」（甲１，２頁右下欄６ないし７行）と記載されている。これらの記載によれば，引用刊行物１発明のメタライズ層６は，ガラスエポキシ基板により構成されるベース１に，Ａｌをメッキ，蒸着などして設けるものである。 また，引用刊行物１には，「アウターリード４は，ベース１に融点の高い半田により，半田付される」（甲１，２頁右下欄４ないし５行）と記載されているが，引用刊行物１発明はベース１がガラスエポキシ基板であるので，アウターリード４をベース１に直接はんだ（以下，引用部分以外は，原則として「はんだ」と表記する。）付けすることはできない。ベースとしてガラスエポキシ基板を用いたＰＧＡ基板の場合，- 14 -通常は導電層をガラスエポキシ基板下部表面にも形成し，この導電層にアウターリードがはんだ付けされる（甲４７，５２）から，引用刊行物１発明においても，導電層をガラスエポキシ基板下部表面にも形成し，この導電層にアウターリードがはんだ付けされる。 そうすると，引用刊行物１発明に係るＰＧＡ基板は，ベース１に穴加工を施し，更にベース１表面にレジストを形成した後，穴内面及びベース１の露出した部分にメ この導電層にアウターリードがはんだ付けされる。 そうすると，引用刊行物１発明に係るＰＧＡ基板は，ベース１に穴加工を施し，更にベース１表面にレジストを形成した後，穴内面及びベース１の露出した部分にメッキ，蒸着等で導電層，メタライズ層６を形成する工程で製造されると解され，この場合，穴の開口部上面を覆うようにメタライズ層６を形成することはできない。 ｂ一般的なＰＧＡ基板は，両面銅箔付き積層板に穴加工を施した後，穴内面及び銅箔表面にメッキ等で導電層を形成し，最後にエッチングにより配線を形成する工程で製造されるところ（例えば甲５３），この工程によっても，穴の開口部上面を覆うようにメタライズ層６を形成することはできない。 ｃ仮に，審決の認定どおりであるとすれば，引用刊行物１に記載された基板は，ベース１の一面にＡｌをメッキ又は蒸着してメタライズ層を形成し，メタライズ層を貫通することなくベース１のみに穴加工を施し，このメタライズ層に当接するように，アウターリード４を，形成された穴に打ち込んで製造することになるが，メタライズ層は数μｍの薄さであって脆弱なものであるから，このような方法で基板を製造することは，通常はあり得ない。 ｄそうすると，引用刊行物１発明は，その製造工程に照らすと，アウターリード４に接続する端子の形成される箇所のベース１に，この端子に達するスルーホールが穿設されることはなく，また，スルホールの半導体素子３を搭載する面側がメタライズ層６で覆われることはない。 - 15 -(ｲ)有機基板にアルミニウムのメッキを施すことは難しく，蒸着でアルミニウムのメタライズ層を設けた場合，厚みが薄くなるところ，アルミニウムは，その融点が銅などに比べて低く，レーザーの熱に耐えられないから，メタライズ層形成後に穴加工を行って穴の開口部上面を覆うよ ルミニウムのメタライズ層を設けた場合，厚みが薄くなるところ，アルミニウムは，その融点が銅などに比べて低く，レーザーの熱に耐えられないから，メタライズ層形成後に穴加工を行って穴の開口部上面を覆うようにメタライズ層を形成することは不可能である。 イ引用刊行物１の第１図について特許出願に際して願書に添付された図面は，特許を受けようとする発明の内容を明らかにするための説明図にとどまるから，明細書の記載及び技術常識に反する発明を図面のみから認定することは許されない。 引用刊行物１の第１図は，図面の簡単な説明において，「本発明の実施例を示す断面図」とされているが，第１図は，どの部分の断面図であるか明確でない。 また，コネクタワイヤ７をメタライズ層６に接続する位置と，アウターリード４をメタライズ層６に取り付ける位置の関係をみると，第１図（第１図のうち，左右両端の，コネクタワイヤ7 がメタライズ層６の上部に接続され，アウターリード４がメタライズ層６の下部に取り付けられている部分）では，両者の位置がほぼ同じであるのに対し，第３図では，両者の位置がずれており，第１図は，その部材の位置関係を明確に図示していない。 さらに，引用刊行物１には，アウターリード４をはんだ付けすることについて明記されているが，そのことは，第１図には図示されていない。 引用刊行物１発明は，アウターリード４の上部にチップを搭載する構成としたことに特徴があり，第１図は，その構成のみを明確に図示する断面図であり，その他の部材の位置関係を明確に図示しているとはいえない。 そうすると，引用刊行物１の第１図には，アウターリード４とメタライズ層６の位置関係（接続関係）が明確に図示されているとはいえないから，- 16 -引用刊行物１の第１図に基づいて，スルホール上端部がメタライズ層６で覆われた 第１図には，アウターリード４とメタライズ層６の位置関係（接続関係）が明確に図示されているとはいえないから，- 16 -引用刊行物１の第１図に基づいて，スルホール上端部がメタライズ層６で覆われた状態が示されていると認定することはできない。審決が，引用刊行物１の第１図，第２図のみから，「スルホールの半導体素子を搭載する面側がメタライズ層で覆われている半導体素子搭載用基板」とした認定は誤りである。 (3)小括したがって，審決が，引用刊行物１発明について，「・・・メタライズ層は・・・金属ピンよりなるアウターリードに接続する端子とを配線の一部とした配線パターンを備え，・・・アウターリードに接続する端子の形成される箇所のベースにこの端子に達するスルホールが穿設され，スルホールの半導体素子を搭載する面側がメタライズ層で覆われている半導体素子搭載用基板」とした認定は誤りである。 また，上記認定を前提として，本件訂正発明２と引用刊行物１発明は，「上記配線は，・・・上記半導体素子搭載領域に形成される外部接続端子及びそれらをつなぐ配線を配線の一部として備え，上記外部接続端子は上記配線の上記絶縁性支持体側の面に備えられ，・・・上記外部接続端子の形成される箇所の上記絶縁性支持体に，上記外部接続端子に達する開口部が設けられ，上記開口部の半導体素子を搭載する面側は，上記外部接続端子で覆われており」で一致するとした審決の認定は誤りである。 一致点の認定の誤り及び相違点の看過（取消事由２）審決が，引用刊行物１発明の「アウターリードに接続する端子」，「スルホール」が，それぞれ本件訂正発明２の「外部接続端子」，「開口部」に該当するとして，本件訂正発明２と引用刊行物１発明が，外部接続端子，開口部を備える点で一致するとした認定は誤りであり，審決は，本件訂正発明２ が，それぞれ本件訂正発明２の「外部接続端子」，「開口部」に該当するとして，本件訂正発明２と引用刊行物１発明が，外部接続端子，開口部を備える点で一致するとした認定は誤りであり，審決は，本件訂正発明２が外部接続端子，開口部を備えるのに対し，引用刊行物１発明が外部接続端子，開口部を備えないとの相違点を看過したものである。その理由は，以下のとおりである。 - 17 -すなわち，本件訂正発明２は，ＢＧＡ用の半導体素子搭載用フレキシブル基板であるから，本件訂正発明２の「外部接続端子」は，はんだボールに接続するものである。これに対し，引用刊行物１発明の「アウターリードに接続する端子」は，はんだボールに接続するものではない。そのため，引用刊行物１発明の「アウターリードに接続する端子」は，本件訂正発明２の「外部接続端子」に該当しない。 また，本件訂正発明２は，ＢＧＡ用の半導体素子搭載用フレキシブル基板であるから，本件訂正発明２の「開口部」は，はんだボールが配置され，溶融されるものであり，かつ，外部接続端子で覆われていて，ポリイミドフィルムに設けられたものであるから，アウターリードを挿入する使い方はできない。これに対し，引用刊行物１発明の「スルホール」は，アウターリードを挿入するものである。そのため，引用刊行物１発明の「スルホール」は，本件訂正発明２の「開口部」に該当しない。 相違点２（絶縁性支持体の構成，開口部側壁への絶縁性支持体の露出）に係る容易想到性の判断の誤り（取消事由３）審決が，相違点２に係る本件訂正発明２の構成は容易に想到し得るとした判断は誤りである。その理由は，以下のとおりである。 (1)絶縁性支持体の構成について審決は，絶縁性支持体の構成について，甲２〔審判甲７〕，甲３〔審判甲８〕，甲５〔審判甲２８〕，甲６〔審判甲３５〕，甲７〔審 である。その理由は，以下のとおりである。 (1)絶縁性支持体の構成について審決は，絶縁性支持体の構成について，甲２〔審判甲７〕，甲３〔審判甲８〕，甲５〔審判甲２８〕，甲６〔審判甲３５〕，甲７〔審判甲３６〕，甲８〔審判甲６〕，甲９〔審判甲２９〕の記載によれば，半導体素子搭載用基板において，絶縁性支持体をポリイミド（フィルム）で構成されるフレキシブル基板とすることは，周知又は公知であったものと認められ，当事者が適宜選択し得る設計的事項であったといえると判断した。この審決の判断は，アウターリードを挿入する半導体素子搭載用基板（いわゆるＰＧＡ基板）において，絶縁性支持体をポリイミドフィルムで構成することは，当業者が適宜選択し得る- 18 -設計的事項であるとするものである。 しかし，審決が周知例として例示した刊行物（甲２，３，５ないし９）には，アウターリード（リードピン）を挿入する半導体素子搭載用基板（いわゆるＰＧＡ基板）において，①絶縁性支持体をポリイミドフィルムで構成すること，又は②絶縁性支持体をポリイミドフィルムで構成してもアウターリード（リードピン）を支持できることは，何ら記載されていない。 したがって，上記刊行物（甲２，３，５ないし９）の記載に基づき，アウターリードを挿入する半導体素子搭載用基板（いわゆるＰＧＡ基板）において，絶縁性支持体をポリイミドフィルムで構成することは当業者が適宜選択し得る設計的事項であるとする審決の判断は，誤りである。 (2)開口部側壁への絶縁性支持体の露出について審決は，本件訂正発明２では，絶縁性支持体の開口部の側壁に絶縁性支持体が露出しているのに対し，引用刊行物１発明では，スルホール（開口部）の側壁にベースが露出しているか否かを明記していない点について，引用刊行物１の第１図には，スルホールの側壁にベ の側壁に絶縁性支持体が露出しているのに対し，引用刊行物１発明では，スルホール（開口部）の側壁にベースが露出しているか否かを明記していない点について，引用刊行物１の第１図には，スルホールの側壁にベースが露出した状態でアウターリードが設けられた様子が示されており，また，スルホールの半導体素子を搭載する面側にメタライズ層があれば，電気的導通のためにスルホールの側壁を（めっき等で）メタライズする必要もないことから，実質的な相違点とはいえないと判断した。 しかし，前記１(1)のとおり，引用刊行物１発明においては，スルホールの側壁の表面に導電層が形成されていることは明らかである。そうすると，本件訂正発明２では絶縁性支持体の開口部の側壁に絶縁性支持体が露出しているのに対し，引用刊行物１発明ではスルホールの側壁の表面に導電層が形成されている点は，本件訂正発明２と引用刊行物１発明の相違点である。したがって，本件訂正発明２では絶縁性支持体の開口部の側壁に絶縁性支持体が露出しているのに対し，引用刊行物１発明ではスルホールの側壁にベースが- 19 -露出しているか否かを明記していない点は実質的な相違点とはいえないとした審決の判断は，誤りである。 相違点４（ＢＧＡ用の基板とＰＧＡ用の基板の相違）に係る容易想到性の判断の誤り（取消事由４）審決が，相違点４に係る本件訂正発明２の構成は容易に想到し得るとした判断は誤りである。その理由は，以下のとおりである。 (1)審決は，甲１７，甲１８〔審判周知資料１〕，甲１９〔審判周知資料２〕，甲２０〔審判周知資料３〕，甲２１〔審判周知資料４〕，甲２２〔審判参考資料１２〕，甲２３〔審判周知資料５〕，甲２４〔審判周知資料６〕，甲２５〔審判周知資料７〕の記載によれば，半導体素子搭載用基板において，引用刊行物１発明に使用され 審判周知資料４〕，甲２２〔審判参考資料１２〕，甲２３〔審判周知資料５〕，甲２４〔審判周知資料６〕，甲２５〔審判周知資料７〕の記載によれば，半導体素子搭載用基板において，引用刊行物１発明に使用されているようなピンと，はんだボールとが，相互に置換可能であることは周知又は公知の技術であったものと認められるところ，引用刊行物１の４頁右上欄２０行に，「他のパッケージなどにも適用できる。」と記載されているのであるから，引用刊行物１発明をＢＧＡ用の基板に適用することは，当業者が容易に想到し得たものといえると判断した。また，審決は，「被請求人は，・・・引用刊行物１発明をＢＧＡ用の基板に転用することは当業者が容易に想到し得たものではない旨を主張しているが，・・・絶縁性支持体としてポリイミド（フィルム）で構成されるフレキシブル基板を選択することが，当業者が適宜選択しうる設計的事項なのであるから，それに伴って，引用刊行物発明１（判決注「引用刊行物１発明」の誤記と認められる。）に使用されているピンをはんだボールに置換することも，上記周知又は公知の技術によれば，当業者が適宜なしえた設計的事項の範囲にすぎない。」と判断した。 審決の上記判断は，本件訂正発明２の相違点２に係る構成を容易に想到し得たことを理由として，本件訂正発明２の相違点４に係る構成を容易に想到し得たと判断するものである。 - 20 -しかし，前記３のとおり，本件訂正発明２の相違点２に係る構成を容易に想到し得たとの判断は誤りである。また，相違点４という一つの相違点について，二段階の容易想到性の判断を経て容易想到と判断している点も誤りである。 (2)引用刊行物１発明のメタライズ層６は，アルミニウムをベース１にメッキ，蒸着して形成されているところ，はんだはアルミニウムに付着しないとされているし て容易想到と判断している点も誤りである。 (2)引用刊行物１発明のメタライズ層６は，アルミニウムをベース１にメッキ，蒸着して形成されているところ，はんだはアルミニウムに付着しないとされているし（甲５６，【０００４】参照），有機のフラックスを内蔵する特殊なアルミニウム用はんだを使用すると煩雑な処理が必要となり，簡便に小型・高密度の半導体パッケージを製造するとの本件訂正発明２の目的に反することとなる。そのため，引用刊行物１発明において，アウターリード４がメタライズ層６に直接はんだ付けされることはなく，引用刊行物１発明のアウターリード４に代えてはんだボールを使用することには阻害要因がある。 第４被告の反論審決の認定，判断に誤りはなく，原告主張の取消事由は，いずれも理由がない。 引用刊行物１発明の認定の誤り及びそれに伴う一致点の認定の誤り（取消事由１）に対し審決が，引用刊行物１発明について，「・・・メタライズ層は・・・金属ピンよりなるアウターリードに接続する端子とを配線の一部とした配線パターンを備え，・・・アウターリードに接続する端子の形成される箇所のベースにこの端子に達するスルホールが穿設され，スルホールの半導体素子を搭載する面側がメタライズ層で覆われている半導体素子搭載用基板」とした認定に誤りはなく，その認定を前提とした一致点の認定にも誤りはない。その理由は，以下のとおりである。 (1)アウターリード４に接続する端子の存否引用刊行物１発明においては，スルホール表面をめっきすることなく，ア- 21 -ウターリード４がメタライズ層６に直接接続しており，メタライズ層６は，アウターリード４に接続する端子を備えている。 引用刊行物１には，メタライズ層６とアウターリード４とが，スルホールを間において間接的に電気的に接続されているという 直接接続しており，メタライズ層６は，アウターリード４に接続する端子を備えている。 引用刊行物１には，メタライズ層６とアウターリード４とが，スルホールを間において間接的に電気的に接続されているという記載も，スルホール表面にめっき等で導電層が形成されているという記載もなく，第１図には，アウターリード４の上端がメタライズ層６に直接電気的に接続されている様子が描かれており，スルホール表面にめっき等がされていることは示されていない。したがって，引用刊行物１の「スルホールを介して」との記載は，第１図に示されているように，「アウターリード４がスルホールの中を通って」という意味に解すべきである。 甲４７ないし５０の図面には，スルホール表面にめっき等があることが図示されているが，甲４７ないし５０に記載された基板は，いずれも基板の両面に配線を設けた両面配線型基板であり，片面配線型の引用刊行物１発明とは異なる。乙１３ないし１６には，引用刊行物１発明と同様の片面配線型基板の場合に，絶縁性支持体（ベース）の開口部（スルホール）にピン状のアウターリードを固定する際に，開口部（スルホール）の側面にめっきをすることなく，ピン状のアウターリードが開口部の中を通って，開口部を覆う配線に結合することが示されている。乙１３，１４では，ピンを固着する材料が，金ろう，銀ろうとされているが，基板が有機基板の場合に，貫通孔内に金属製のピンを挿入し，ろう材のうちでも低温で溶融するはんだを用いて固定することは，優先権基準日以前から周知であったから，乙１３，１４には，引用刊行物１発明と同様の構造の基板において，スルホール表面にめっき等のない構成が示されているといえる。 引用刊行物１の「アウターリード４は，ベース１に融点の高い半田により，半田付される。」（２頁右下欄４ないし５行）という記 造の基板において，スルホール表面にめっき等のない構成が示されているといえる。 引用刊行物１の「アウターリード４は，ベース１に融点の高い半田により，半田付される。」（２頁右下欄４ないし５行）という記載は，アウターリード４がガラスエポキシ基板にはんだ付けされるという意味ではなく，アウター- 22 -リード４がベース１に設けられたメタライズ層６にはんだ付けされ，その結果，ベース１に固定されるという意味と考えるのが自然である。 (2)外部接続端子によるスルホールの被覆の有無引用刊行物１発明に係る基板においては，メタライズ層６を貫通することなくスルホールが形成され，スルホールの半導体素子３が搭載される面側が，アウターリード４に接続する端子（メタライズ層６のアウターリード４に接続される部位）により覆われている。 ア製造工程について(ｱ)引用刊行物１発明に係る基板の製造に当たり，メタライズ層６の形成より穴加工の方を必ず先に行うとは限らず，メタライズ層６の形成と穴加工のいずれを先に行うかは，当業者が適宜選択し得る設計的事項である。したがって，引用刊行物１発明に係るＰＧＡ基板が，原告が主張するように，ベース１に穴加工を施し，穴内面及びベース１の露出した部分にめっき，蒸着で導電層，メタライズ層６を形成するとの工程で必ず製造されるとは限らない。 メタライズ層６が数μｍの薄さであるという限定は，引用刊行物１にはなく，ある程度の厚さがあれば，メタライズ層６を貫通することなくスルホールを形成することができ，そのことは，乙１５，１７ないし１９にも示されている。 (ｲ)乙２３，２４によれば，優先権基準日以前から，ガラスエポキシ基板やポリイミドフィルム基板にアルミニウムの蒸着等を行った後に，数値制御切削加工機，レーザーエッチング又は湿式エッチング法を用いて (ｲ)乙２３，２４によれば，優先権基準日以前から，ガラスエポキシ基板やポリイミドフィルム基板にアルミニウムの蒸着等を行った後に，数値制御切削加工機，レーザーエッチング又は湿式エッチング法を用いて基板に開孔を形成し得ることは，当業者に周知であった。 イ引用刊行物１の第１図について引用刊行物１の第１図は，中央にアウターリード４が示されていないことから，第２図の中心を通り，かつアウターリード４を通る面で切った断- 23 -面図であることが分かり，アウターリード４の上端がメタライズ層６に接続している様子を明瞭に示している。 審決は，引用刊行物１の第１図，第２図のみではなく，引用刊行物１のその他の記載も総合して，引用刊行物１発明につき，「スルホールの半導体素子を搭載する面側がメタライズ層で覆われている半導体素子搭載用基板」と認定したものであり，その認定に誤りはない。 一致点の認定の誤り及び相違点の看過（取消事由２）に対し審決が，引用刊行物１発明の「アウターリードに接続する端子」，「スルホール」が，それぞれ本件訂正発明２の「外部接続端子」，「開口部」に該当するとして，本件訂正発明２と引用刊行物１発明が，外部接続端子，開口部を備える点で一致するとした認定に誤りはなく，審決に，相違点を看過した誤りもない。 引用刊行物１発明において，ＰＧＡ基板とＢＧＡ基板とを相互に置換する際に，ピン用の開口部をはんだボール用の開口部へと変更し，またその逆へ変更することは，当業者が適宜なし得た設計的事項である。ポリイミド等の基板にもアウターリード４を挿入できることを考慮すると，はんだボール用の開口部にアウターリードを挿入できないことなどを理由として本件訂正発明２に進歩性があるとする原告の主張は，失当である。また，電気信号を外部へ伝えるために外部の部材に接続する すると，はんだボール用の開口部にアウターリードを挿入できないことなどを理由として本件訂正発明２に進歩性があるとする原告の主張は，失当である。また，電気信号を外部へ伝えるために外部の部材に接続するものは，それがアウターリードに接続されようと，はんだボールに接続されようと，外部接続端子であることに変わりはない。 相違点２（絶縁性支持体の構成，開口部側壁への絶縁性支持体の露出）に係る容易想到性の判断の誤り（取消事由３）に対し審決が，相違点２に係る本件訂正発明２の構成は容易に想到し得るとした判断に誤りはない。 (1)絶縁性支持体の構成について絶縁性支持体としてポリイミドフィルムを用いることは周知又は公知であり，引用刊行物１に「他のパッケージなどにも適用できる」（４頁右上欄２０- 24 -行）と記載されているから，ピンに代えてはんだボールを用いることは，当業者が容易に想到し得た。したがって，引用刊行物１発明において，ガラスエポキシＰＧＡ基板をポリイミドフィルムＢＧＡ基板に置換することは容易であった。 アウターリードをポリイミドフィルムに挿入するという，引用刊行物１発明の一部のみを置換した構造が実現できなければ本件訂正発明２は容易想到でなかったとする原告の主張は理由がないし，仮にそのような構造の実現性を問題とするとしても，甲１３，乙１５，１６，２０，２１によれば，半導体素子搭載用基板において，ポリイミドフィルムである絶縁性支持体にピン状のアウターリードを固定することは周知であった。 (2)開口部側壁への絶縁性支持体の露出について前記１(1)のとおり，引用刊行物１発明においては，スルホール表面をめっきすることなく，アウターリード４がメタライズ層６に直接接続しており，開口部側壁に絶縁性支持体が露出している。したがって，本件訂正発明２では とおり，引用刊行物１発明においては，スルホール表面をめっきすることなく，アウターリード４がメタライズ層６に直接接続しており，開口部側壁に絶縁性支持体が露出している。したがって，本件訂正発明２では絶縁性支持体の開口部の側壁に絶縁性支持体が露出しているのに対し，引用刊行物１発明ではスルホールの側壁にベースが露出しているか否かを明記していない点は実質的な相違点とはいえないとした審決の判断に，誤りはない。 相違点４（ＢＧＡ用の基板とＰＧＡ用の基板の相違）に係る容易想到性の判断の誤り（取消事由４）に対し審決が，相違点４に係る本件訂正発明２の構成は容易に想到し得るとした判断に誤りはない(1)審決は，相違点４について，９件の公知文献を引用し，ピンとはんだボールとが相互に置換可能であることは周知又は公知の技術であると認定し，引用刊行物１の「他のパッケージなどにも適用できる。」（４頁右上欄２０行）との記載も引用して，引用刊行物１発明をＢＧＡ用の基板に適用することは- 25 -当業者が容易に想到し得たものであると判断したものであり，二段階の容易想到性の判断を経て容易想到であると判断したものではない。 審決の「絶縁性支持体としてポリイミド（フィルム）で構成されるフレキシブル基板を選択することが，当業者が適宜選択しうる設計的事項なのであるから，それに伴って，引用刊行物発明１（判決注「引用刊行物１発明」の誤記と認められる。）に使用されているピンをはんだボールに置換することも，上記周知又は公知の技術によれば，当業者が適宜なしえた設計的事項の範囲にすぎない。」との説示は，ポリイミドフィルムの選択も設計的事項であるし，それとともに，はんだボールに置換することも設計的事項であるとの趣旨と解される。 (2)優先権基準日前から，アルミニウム用はんだが使用さ 」との説示は，ポリイミドフィルムの選択も設計的事項であるし，それとともに，はんだボールに置換することも設計的事項であるとの趣旨と解される。 (2)優先権基準日前から，アルミニウム用はんだが使用されていることは周知であったから（乙２２），はんだがアルミニウムに付着しないとの原告の主張は誤りであり，したがって，アウターリード４がメタライズ層６に直接はんだ付けされることはないとの原告の主張も誤りである。 第５当裁判所の判断当裁判所は，原告主張の取消事由は，いずれも理由がなく，審決の認定，判断に誤りはないと判断する。 引用刊行物１発明の認定の誤り及びそれに伴う一致点の認定の誤り（取消事由１）について(1)引用刊行物１発明の技術的意義ア引用刊行物１の記載引用刊行物（甲１）には次の記載がある。 (ｱ)「特許請求の範囲１．パッケージより，アウターリードを垂直に出した半導体装置であって，前記パッケージ本体内の半導体素子の下部にも前記アウターリードを有して成ることを特徴とする半導体装置。」（１頁左下欄３ないし７行）- 26 -(ｲ)「従来のプラグインパッケージは，一般に，セラミック基板に，半導体素子（チップ）を搭載できる溝部を溝設し，該溝部内にチップを搭載し，セラミック基板の裏面に，多数の金属ピンをろう付けし，パッケージ本体から，垂直方向に，多数の当該金属ピンよりなるアウターリードを引き出しており，前記チップは当該ピン（アウターリード）の内周よりも内側に搭載してなる。すなわち，チップの下部にはアウターリードは設けられていず，チップの周辺に，アウターリードを配設する構造がとられている。」（「背景技術」の欄，１頁左下欄１４行ないし右下欄４行）(ｳ) 「本発明の目的は，大チップ搭載可能としたプラグインパッケージを提供することを目 辺に，アウターリードを配設する構造がとられている。」（「背景技術」の欄，１頁左下欄１４行ないし右下欄４行）(ｳ) 「本発明の目的は，大チップ搭載可能としたプラグインパッケージを提供することを目的とする。 本発明の他の目的はピン数の増加したプラグインパッケージを提供することを目的とする。 本発明のさらに他の目的は配線の引き回しが容易なプラグインパッケージを提供することを目的とする。 本発明のさらに他の目的はパッケージサイズの小型化を目的とする。」（「発明の目的」の欄，２頁左上欄７ないし１５行）(ｴ) 「本発明では，チップの下部にもアウターリードを垂直に出した構成，換言すれば，アウターリードを全面に設け，その上部にチップを搭載する構成としたので，チップは大なるサイズのものが搭載でき，ピン数も増加でき，配線引きまわしも容易となり，かつ，パッケージサイズも小型化可能となる。」（「発明の概要」の欄，２頁右上欄３ないし９行）(ｵ)「第１図に示すように，ベース（基板）１の上に接着材料２により半導体素子（チップ）３を固着する。 ベース１は例えばガラスエポキシ基板により構成される。」（「実施例」の欄，２頁右上欄１２ないし１６行）(ｶ) 「基板１には第１図および第２図に示すようにその垂直方向に多数の- 27 -アウターリード４が立設されている。 本発明では，これら図に示すように，アウターリード４は半導体素子３の下部にも立設されている。パッケージ本体５の基板１の裏面から基盤目状に一定のピッチで，金属ピンよりなるアウターリード４が全面にわたって突出しており」（「実施例」の欄，２頁左下欄５ないし１２行。 なお，「基盤目状」は，「碁盤目状」の誤記と認められる。）(ｷ)「ベース１には，第１図にはメタライズ層（配線層）６がメッキ，蒸着などにより設けられてお （「実施例」の欄，２頁左下欄５ないし１２行。 なお，「基盤目状」は，「碁盤目状」の誤記と認められる。）(ｷ)「ベース１には，第１図にはメタライズ層（配線層）６がメッキ，蒸着などにより設けられており，このメタライズ層６と半導体素子３のパッド（図示せず）とを，コネクタワイヤ７により，第１図に示すように，超音波ボンディングなどの方法によりボンディングし，上記メタライズ層６と，アウターリード４とを，ベース１に穿設されたスルホールを介して電気的に接続している。 アウターリード４は，ベース１に融点の高い半田により，半田付される。」（「実施例」の欄，２頁左下欄１６行ないし右下欄５行）(ｸ)「ベース１上に，ダム８を・・・接合し，このダム８により区画されたエリア内にＳｉ系ゲル材料をポッティングし，加熱硬化させ，得られたＳｉ系ゲル９により，半導体素子３とコネクタワイヤボンディング部などを被覆する。」（「実施例」の欄，２頁右下欄９ないし１４行）(ｹ) 「第３図は，本発明におけるワイヤボンディングおよびピン間の配線の要部平面図で，第３図に示すように，半導体素子３のボンディングパッド１１とメタライズ層９とをコネクタワイヤ７によりボンディングするが，本発明では配線基板１のメタライズ層（配線）９をボンディングリードとして利用すると，ピン間に引きまわすコネクタワイヤの本数が少なくでき，その配線が楽になる。」（「実施例」の欄，３頁右下欄１ないし８行。なお，「メタライズ層９」，「メタライズ層（配線）９」は，「メタライズ層６」，「メタライズ層（配線）６」の誤記と認められる。）- 28 -(ｺ)「アウターリードを，従来のごとく，チップの周辺下部に垂設するという制限を取り払い，全面に一定のピッチで基盤目状に配列し，それらアウターリードの上部にチップを搭載するように ）- 28 -(ｺ)「アウターリードを，従来のごとく，チップの周辺下部に垂設するという制限を取り払い，全面に一定のピッチで基盤目状に配列し，それらアウターリードの上部にチップを搭載するようにしたので，チップは大きなサイズであっても搭載可能である。」（「効果」の欄，３頁右下欄１０ないし１５行。なお，「基盤目状」は，「碁盤目状」の誤記と認められる。）(ｻ) 「上記のようにアウターリードをベース全面にわたり多数垂設しているので，多ピン化が可能である。」（「効果」の欄，４頁左上欄３ないし５行）(ｼ) 「以上の説明では主として本発明者によってなされた発明をプラグインパッケージに適用した例を示したが，他のパッケージなどにも適用できる。」（「産業上の利用分野」の欄，４頁右上欄１８ないし２０行）(ｽ)引用刊行物１には，図面（第１図，第２図，第３図）が示されている。 イ引用刊行物１発明の技術的意義前記アの引用刊行物１の記載によれば，引用刊行物１に記載された発明は，半導体素子を搭載するベース（基板）１にアウターリード４（リードピン）を立設した半導体装置（プラグインパッケージ）において，大チップ搭載可能とし，ピン数の増加（多ピン化）を可能とし，配線の引き回しを容易にし，パッケージサイズを小型化するという課題を解決するために，アウターリード４を基板全面に設け，搭載される半導体素子の下部にもアウターリード４が立設された構成とした発明であり，アウターリード４の配置に技術的な特徴を有するものである。そして，引用刊行物１の記載に基づいて，アウターリード４が立設される前の状態の半導体素子搭載用基板を認定することができるものと認められ，審決は，引用刊行物１発明として，アウターリード４が立設される前の状態の半導体素子搭載用基板を認定したものと認められる。 される前の状態の半導体素子搭載用基板を認定することができるものと認められ，審決は，引用刊行物１発明として，アウターリード４が立設される前の状態の半導体素子搭載用基板を認定したものと認められる。 (2)アウターリード４に接続する端子の存否について- 29 -引用刊行物１発明において，メタライズ層６は，アウターリード４に接続する端子を備えているものと認められる。その理由は，以下のとおりである。 ア引用刊行物１に基づく認定引用刊行物１には，スルホールに関連して，「上記メタライズ層６と，アウターリード４とを，ベース１に穿設されたスルホールを介して電気的に接続している。」（２頁右下欄１ないし３行）と記載されており，第１図には，ベース（基板）１にメタライズ層（配線層）６が設けられるとともに，ベース１を貫通するスルホールにアウターリード４（リードピン）が立設された状態が図示されていることから，少なくとも，スルホールにはアウターリード４が立設され，メタライズ層６とアウターリード４とが電気的に接続されることが理解できる。しかし，引用刊行物１（図面を含む）には，メタライズ層６とアウターリード４との電気的接続の態様やスルホールの構造は，具体的には明示されていない。 前記(1)イのとおり，引用刊行物１の特許請求の範囲に記載された発明は，半導体装置（プラグインパッケージ）におけるピン数の増加や小型化等の課題を解決するために，アウターリード４（リードピン）を基板全面に設け，搭載される半導体素子の下部にもアウターリード４が立設された構成としたものであり，アウターリード４の配置に技術的な特徴を有するものであって，その技術的意義に照らすと，メタライズ層６とアウターリード４との電気的接続の態様やスルホールの構造は，発明の構成や作用効果に直接影響するものではない ード４の配置に技術的な特徴を有するものであって，その技術的意義に照らすと，メタライズ層６とアウターリード４との電気的接続の態様やスルホールの構造は，発明の構成や作用効果に直接影響するものではないから，引用刊行物１においてそれらは特に限定されていないものと解される。 そうすると，引用刊行物１発明は，原告主張のようにスルホール表面にめっき等で導電層が形成されているものと特定することはできず，メタライズ層６とアウターリード４との電気的接続の態様やスルホールの構造は，限定されていないものと解される。そして，メタライズ層６とアウターリ- 30 -ード４との電気的接続の態様が間接的か直接的かにかかわらず，メタライズ層６は，アウターリード４に電気的に接続されるから，メタライズ層６は，アウターリード４に電気的に接続される部位として，端子を備えるものと認められる。 したがって，引用刊行物１発明に係る基板において，メタライズ層６は，アウターリード４に接続する端子を備えているものと認められる。 イ原告の主張に対し原告は，①引用刊行物１の「上記メタライズ層６と，アウターリード４とを，ベース１に穿設されたスルーホールを介して電気的に接続している。」（甲１，２頁右下欄１ないし３行）との記載からすると，メタライズ層６とアウターリード４とは，ベース１に穿設されたスルホールを介して，すなわち，スルホールを間において，間接的に電気的に接続されているものと解されること，②ガラスエポキシ基板を用いたＰＧＡ半導体素子搭載用基板の技術分野において，スルホール表面にめっき等の導電層が形成され，ガラスエポキシ基板の表面に設けられた配線（メタライズ層）とリードピン（アウターリード）が，スルホール表面に形成された導電層を介して電気的に接続することは，周知の技術であること（甲４７ が形成され，ガラスエポキシ基板の表面に設けられた配線（メタライズ層）とリードピン（アウターリード）が，スルホール表面に形成された導電層を介して電気的に接続することは，周知の技術であること（甲４７ないし５０）から，アウターリード４が挿入されていない基板において，スルホール表面に形成されためっき等の導電層が，アウターリード４が挿入されて外部と接続する端子に該当するとした上，メタライズ層６は，アウターリード４に接続する端子を備えていないと主張する。しかし，原告の上記主張は，以下のとおり，採用することができない。 (ｱ)引用刊行物１には，メタライズ層６とアウターリード４とが，スルホールを間において間接的に電気的に接続されているという記載はなく，スルホール表面にめっき等で導電層が形成されているという記載もない。 引用刊行物１には，「上記メタライズ層６と，アウターリード４とを，- 31 -ベース１に穿設されたスルーホールを介して電気的に接続している。」（甲１，２頁右下欄１ないし３行）との記載があるが，その記載の文言，引用刊行物１のその余の部分の記載，及び引用刊行物１発明の技術的意義に照らすならば，上記の記載（甲１，２頁右下欄１ないし３行）により，メタライズ層６とアウターリード４の接続について，スルホールが導電性を有することにより電気的に接続されているものと限定して解することはできない。 (ｲ)ａまた，リードピンが立設される半導体素子搭載用基板として，スルホールにあらかじめめっき等で導電層が形成された基板を用いることは，以下の優先権基準日前に発行された複数の公開公報の記載によれば，周知であったものと認められる。 ①特開平５－２１６２１号公報（発明の名称：半導体装置のパツケージ基板，甲４８）「本発明は，ＰＧＡなど，ＩＣチップ等を実装する半 れた複数の公開公報の記載によれば，周知であったものと認められる。 ①特開平５－２１６２１号公報（発明の名称：半導体装置のパツケージ基板，甲４８）「本発明は，ＰＧＡなど，ＩＣチップ等を実装する半導体装置のパッケージ基板に関するものである。」（【０００１】）「・・・また基板１の数カ所には表裏に貫通するスルーホール１２を設けてその内周にスルーホールメッキ１２ａが形成してある。」（【０００８】）②特開平５－２１６３４号公報（発明の名称：半導体装置，甲４９）「本発明は，ＰＧＡやＱＦＰなど，ＩＣチップ等を実装した半導体装置に関するものである。」（【０００１】）「・・・図３の例では，基板１にスルーホール１１を設けてスルーホール１１内のスルーホールメッキ１１ａを回路３に導通させ，スルーホール１１内に端子ピン１２を差し込んで取り付けてある。・・・」（【０００２】）③特開平５－２１６４６号公報（発明の名称：半導体装置，甲５０）- 32 -「本発明は，ＰＧＡなど，ＩＣチップ等を実装するパッケージとして用いられる半導体装置に関するものである。」（【０００１】）「・・・また基板１の数カ所に表裏に貫通するスルーホール１１を設けてその内周にスルーホールメッキ１１ａが形成してある。」（【０００８】）ｂ他方，リードピンが立設される半導体素子搭載用基板として，スルホールにあらかじめめっき等で導電層が形成されていない基板を用いることも，以下の優先権基準日前に発行された複数の公開公報の記載によれば，周知であったものと認められる。 ①特開昭６３－２５３６５７号公報（発明の名称：半導体装置，乙１３）「本発明は，安価で気密封止が可能な半導体装置に関する。」（１頁左下欄１４ないし１５行）「この気密封止型半導体装置はピングリツドアレイ（ＰＧＡ）と呼ばれる 公報（発明の名称：半導体装置，乙１３）「本発明は，安価で気密封止が可能な半導体装置に関する。」（１頁左下欄１４ないし１５行）「この気密封止型半導体装置はピングリツドアレイ（ＰＧＡ）と呼ばれるもので・・・」（１頁左下欄２０行ないし右下欄１行）「本発明においては，穴開き絶縁基板を使用し，配線層と外部とを連絡する導電媒体として，表面に金めつき層を有する金属製のピンを穴開き絶縁基板の貫通孔内に挿入し，その内部で金ロウにより固着してある。・・・」（２頁右下欄２ないし６行）②特開昭６３－２５３６５８号公報（発明の名称：半導体装置，乙１４）「本発明は，安価で気密封止が可能な半導体装置に関する。」（１頁左下欄１４ないし１５行）「この気密封止型半導体装置はピングリッドアレイ（ＰＧＡ）と呼ばれるもので・・・」（１頁左下欄２０行ないし右下欄１行）「本発明においては，穴開き絶縁基板を使用し，配線層と外部と- 33 -を連絡する導電媒体として，金属製のピンを穴開き絶縁基板の貫通孔内に挿入し，その内部で銀ロウにより固着してある。・・・」（２頁右下欄２ないし５行）③特開平６－１４０４６２号公報（発明の名称：半導体装置のパッケージ，甲１７，乙１５）「本発明は，半導体装置のパッケージに関し，特に絶縁フィルム上に半導体チップを搭載するＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）型パッケージに関する。」（【０００１】）「次に，スルーホール３を形成したＴＡＢフィルム１の裏面から露出した配線の部分に，金等の導電ピンを熱圧着等の手段例えば，予備半田された導電ピン５ａを熱圧で接合する方法で接続し，ＴＡＢフィルム１と垂直方向に立てて接続し，ＴＡＢフィルム１より１ｍｍ程度の長さで突出させ切断する。次に，スルーホール３に樹脂６ａをポッティングし， された導電ピン５ａを熱圧で接合する方法で接続し，ＴＡＢフィルム１と垂直方向に立てて接続し，ＴＡＢフィルム１より１ｍｍ程度の長さで突出させ切断する。次に，スルーホール３に樹脂６ａをポッティングし，導電ピン５ａを固定し，これを外部端子とする。」（【００２０】）ｃ上記ａ，ｂのとおり，スルホールにめっき等で導電層が形成された基板を用いることも，導電層が形成されていない基板を用いることも周知であった。そうすると，スルホールにめっき等で導電層が形成された基板を用いることが周知であったことから，直ちに，引用刊行物１発明においても，スルホールにめっき等で導電層が形成されていたということはできない。 (ｳ)なお，乙１３，１４には，金ろう，銀ろうを用いることが記載されており，甲５５（「電子材料のはんだ付技術」大澤直，昭和６３年（１９８８年）１０月１日第４版発行）の図５．１には，金ろうの溶融温度は６５０℃以上，銀ろうの溶融温度は６００℃以上であることが記載されているところ，原告は，乙１３，１４に記載された技術事項は，耐熱性の- 34 -問題から，有機基板には適用不能であると主張する。 しかし，乙２２（「エレクトロニクスのはんだ付け」はんだ付技術編集委員会編，昭和５１年１月２０日第１版発行）には，（融点が）「通常４５０℃以上になると，硬ろうといい，それ以下の温度のものを，はんだとよんでいる」（１７７頁５ないし６行）と記載され，甲５５には，「融点が４５０℃以下のろうを『はんだ』（solder）と呼んでいる。」と記載され，その図５．１には，はんだに属する複数のろう材の構成金属と溶融温度が示されていることから，ろう材の中で，融点が４５０℃以下のものは「はんだ」と呼ばれており，その構成金属や溶融温度も優先権基準日前に周知であったものと認められる。そうする ろう材の構成金属と溶融温度が示されていることから，ろう材の中で，融点が４５０℃以下のものは「はんだ」と呼ばれており，その構成金属や溶融温度も優先権基準日前に周知であったものと認められる。そうすると，貫通孔内に金属製のピンを挿入し，ろう材を用いて固定することが知られていれば，基板の耐熱性を考慮してろう材を選択し，基板が有機基板の場合に，融点の低いろう材であるはんだを用いることは，単なる設計的事項であり，当業者であれば容易に行い得たものと推認される。したがって，乙１３，１４も参酌して，スルホールにめっき等で導電層が形成されていない基板を用いることが公知であったと認定することに誤りはないと解される。 (3)外部接続端子によるスルホールの被覆の有無について引用刊行物１発明において，スルホールの半導体素子３を搭載する面側は，アウターリード４に接続する端子（メタライズ層６のアウターリード４に電気的に接続される部位）により覆われているものと認められる。その理由は，以下のとおりである。 ア引用刊行物１に基づく認定引用刊行物１には，「基板１には第１図および第２図に示すようにその垂直方向に多数のアウターリード４が立設されている。本発明では，これら図に示すように，アウターリード４は半導体素子３の下部にも立設されている。パッケージ本体５の基板１の裏面から基盤目状に一定のピッチで，- 35 -金属ピンよりなるアウターリード４が全面にわたって突出しており」（２頁左下欄５ないし１２行。なお，「基盤目状」は，「碁盤目状」の誤記と認められる。）と記載されており，第１図及び第２図を参照すると，アウターリード４は，半導体素子３の搭載領域及びその外側のＳｉ系ゲル９により被覆される領域に立設されていることが認識できる。 また，引用刊行物１には，「ベース１には，第 第１図及び第２図を参照すると，アウターリード４は，半導体素子３の搭載領域及びその外側のＳｉ系ゲル９により被覆される領域に立設されていることが認識できる。 また，引用刊行物１には，「ベース１には，第１図にはメタライズ層（配線層）６がメッキ，蒸着などにより設けられており，・・・上記メタライズ層６と，アウターリード４とを，ベース１に穿設されたスルホールを介して電気的に接続している。」（２頁左下欄１６行ないし右下欄３行）と記載されていることから，メタライズ層６は，ベース１上に形成され，アウターリード４と電気的に接続されていることが認められ，更に第１図及び第３図を参照すると，メタライズ層６のアウターリード４との接続部，すなわち端子は，半導体素子３の搭載領域及びその外側のＳｉ系ゲル９により被覆される領域のメタライズ層６の下面側にあり，スルホールに立設されたアウターリード４に接続されていることが認められる。そうすると，アウターリード４が立設される前の状態において，スルホールの半導体素子３が搭載される面側は，アウターリード４に接続する端子（メタライズ層６のアウターリード４に電気的に接続される部位）により覆われているものと認められる。 したがって，スルホールは，半導体素子３を搭載する面側が，アウターリード４に接続する端子（メタライズ層６のアウターリード４に電気的に接続される部位）によって覆われていると認められる。 イ原告の主張に対し(ｱ)製造工程についてａ原告は，引用刊行物１には，「アウターリード４は，ベース１に融点の高い半田により，半田付される。」（甲１，２頁右下欄４ないし５行）- 36 -と記載されているが，引用刊行物１はベース１がガラスエポキシ基板であるので，アウターリード４をベース１に直接はんだ付けすることはできず，そのため，引用 （甲１，２頁右下欄４ないし５行）- 36 -と記載されているが，引用刊行物１はベース１がガラスエポキシ基板であるので，アウターリード４をベース１に直接はんだ付けすることはできず，そのため，引用刊行物１発明において，導電層をガラスエポキシ基板下部表面にも形成し，この導電層にアウターリードがはんだ付けされると主張する。しかし，以下のとおり，原告の上記主張は，採用することができない。 すなわち，引用刊行物１には，アウターリード４をベース１に電気的に接続することや，ガラスエポキシ基板下部表面に導電層を形成することは，記載されていない。他方，前記(2)イ(ｲ)ｂ，(ｳ)のとおり，乙１３ないし１５によれば，基板に設けた穴にリードピンをはんだ等により固定することは公知であったことが認められる。そうすると，引用刊行物１の上記記載（甲１，２頁右下欄４ないし５行）は，アウターリード４をベース１に固定することを主な目的とするものと解するのが自然であり，導電層をガラスエポキシ基板下部表面にも形成することが記載されているとはいえない。 ｂまた，原告は，「引用刊行物１発明に係るＰＧＡ基板は，ベース１に穴加工を施し，更にベース１表面にレジストを形成した後，穴内面及びベース１の露出した部分にメッキ，蒸着等で導電層，メタライズ層６を形成する工程で製造されると解され，この場合，穴の開口部上面を覆うようにメタライズ層６を形成することはできない。」，「仮に，審決の認定どおりであるとすれば，引用刊行物１に記載された基板は，ベース１の一面にＡｌをメッキ又は蒸着してメタライズ層を形成し，メタライズ層を貫通することなくベース１のみに穴加工を施し，このメタライズ層に当接するようにアウターリード４を，形成された穴に打ち込んで製造することになるが，メタライズ層は数μｍの薄さであ 形成し，メタライズ層を貫通することなくベース１のみに穴加工を施し，このメタライズ層に当接するようにアウターリード４を，形成された穴に打ち込んで製造することになるが，メタライズ層は数μｍの薄さであって脆弱なものであるから，このような方法で基板を製造することは，- 37 -通常はあり得ない。」などと主張する。しかし，以下のとおり，原告の上記主張は，採用することができない。 すなわち，引用刊行物１には，メタライズ層６やスルホールの製造方法は特定されておらず，特定の製造方法や工程を前提とした原告の主張は，採用することができない。また，基板に導電層を形成した後，導電層に達する穴を形成する技術は，以下の優先権主張日前に発行された複数の公開公報の記載によれば周知であったと認められるから，穴の開口部上面を覆うようにメタライズ層６を形成することは可能と解される。メタライズ層が数μｍの薄さであるという限定は，引用刊行物１にはないし，以下の②，③には，導電層の厚さが１０μｍ，１８μｍでも導電層に達する穴の加工が可能である旨の記載があり，導電層が相当程度に薄くても，導電層を貫通することなく導電層に達する穴を形成できることは，周知であったものと認められる。 ①特開平６－１４０４６２号公報（発明の名称：半導体装置のパッケージ，甲１７，乙１５）「まず，ＴＡＢフィルム１の面に金属膜を被着し，選択的にエッチングして，例えば，図１（ａ）に示すようなパターンで配線２ａを形成する。次に，ＴＡＢフィルム１に形成された配線２ａの部分がＴＡＢフィルム１より露呈するように，配線形成面の反対面からフォトリソグラフィ技術で選択的にエッチングし，スルーホール３を形成する。・・・」（【００１４】）②特開昭６４－８９５９６号公報（発明の名称：フレキシブル配線板の製造法，乙１７ 成面の反対面からフォトリソグラフィ技術で選択的にエッチングし，スルーホール３を形成する。・・・」（【００１４】）②特開昭６４－８９５９６号公報（発明の名称：フレキシブル配線板の製造法，乙１７）「まず，厚さ０．０５ｍｍのポリイミドフィルム１・・・を洗浄・乾燥後，スパツタリング装置・・・を用いて銅層（厚さ０．５μｍ）２を設け，電気めつき法で全体の銅厚さを１０μｍとした（第１図- 38 -（ａ））。」（２頁右上欄１ないし６行）「次に，炭酸ガスレーザ・・・を照射し，銅層２に達する凹部・・・３を形成した（第１図（ｂ））。他の穴加工法としては，ＹＡＧレーザやエキシマレーザといったレーザ法に加え，ＲＩＥ法やイオンミリング法のようなドライエツチング法の適用も可能である。」（２頁左下欄６ないし１３行）③特開平７－５８１６５号公報（発明の名称：探針付き回路検査素子及びその製造方法，乙１８）「・・・ポリイミド薄膜１０の裏面１０ｂに，銅からなる導電性薄膜１５（膜厚１８μｍ）を形成した（図３(a)参照）。この導電性薄膜１５は以下の手順で形成した。最初に・・・スパッタリングにより，・・・その後，・・・電気めっき処理により銅薄膜の膜厚が１８μｍになるまで銅薄膜上に銅を析出させて導電性薄膜１５を得た。」（【００１８】）「・・・導電性薄膜１５をエッチングした。その後，残存レジストパターン１６をアセトン等の有機溶剤で除去し，導電性パターン１３を得た。」（【００２０】）「次に，導電性パターン１３の図中下方に位置する，ポリイミド薄膜１０及びフォトレジスト層１７の各部分に後述する微小探針１１を埋設する貫通孔１８（内径：３０μｍ）を形成した（図３（ｅ）参照）。この貫通孔１８の形成はＸｅｃｌエキマレーザ光（波長３０８ｍｍ，ビーム径約３０μｍ）を，各導電性パ の各部分に後述する微小探針１１を埋設する貫通孔１８（内径：３０μｍ）を形成した（図３（ｅ）参照）。この貫通孔１８の形成はＸｅｃｌエキマレーザ光（波長３０８ｍｍ，ビーム径約３０μｍ）を，各導電性パターン１３の図中下方に位置するフォトレジスト層１７の部分に照射し，これによりフォトレジスト層１７及びポリイミド膜１０を順次，穿孔することにより行なった。尚，このエキシマレーザ光による穿孔の際，エキシマレーザ光の出力条件を下記の通り選定することにより，導電性- 39 -パターン１３のポリイミド膜１０側の端面１３ａの損傷を防止した。・・・」（【００２２】）④特開平５－２５１５１２号公報（発明の名称：エリアテープ上への金属バンプの形成方法，乙１９）「本実施例のエリアテープ上への金属バンプの形成方法は，先ず図１に示す工程でエリアテープを作成する。この工程は，先ず図１(a) の如くポリイミド等の誘電体フィルムよりなる基材１０の一方の面にフラッシュメッキ１１を施す。・・・」（【０００９】）「次いで図１(e) の如くフラッシュメッキ１１が露出している部分に銅メッキして金属配線１４を形成し，他方の面は基体１０をエッチングしてビアホール１５を形成する。・・・」（【００１０】）ｃ原告は，有機基板にアルミニウムのめっきを施すことは難しく，蒸着でアルミニウムのメタライズ層を設けた場合，厚みが薄くなるところ，アルミニウムは，その融点が銅などに比べて低く，レーザーの熱に耐えられないから，メタライズ層形成後に穴加工を行って穴の開口部上面を覆うようにメタライズ層を形成することは不可能であると主張する。 しかし，引用刊行物１には，メタライズ層６の材質に関連して，「上記メタライズ層６は，例えばＡｌより構成される。」（２頁右下欄６ないし７行）と記載されているだ することは不可能であると主張する。 しかし，引用刊行物１には，メタライズ層６の材質に関連して，「上記メタライズ層６は，例えばＡｌより構成される。」（２頁右下欄６ないし７行）と記載されているだけなので，メタライズ層６がアルミニウムに限定されることはなく，また，仮にメタライズ層６がアルミニウムであったとしても，以下の公開公報の記載によれば，優先権基準日以前においても，ガラスエポキシ基板やポリイミドフィルム基板にアルミニウム膜が蒸着により形成され，又はアルミニウム箔膜の回路配線パターンが設けられている場合に，数値制御切削加工機，レーザーエッチング又は湿式エッチング法を用いて，基板への開孔を形成す- 40 -ることができ，そのことは公知であったことが認められるから，原告の上記主張は，採用することができない。 ①特開平４－２５０３９号公報（発明の名称：キャリアーテープおよび半導体装置の組立法，乙２３）「有機絶縁フィルム（A）は，厚さ１０～１３０μｍのポリイミド，PET，ガラスエポキシのフィルムが好ましく，特にポリイミドフィルムは，・・・回路基盤として最適である。 導電性箔（B）としては，厚さ１０～８０μｍの電解銅または圧延銅箔が好ましいが，蒸着，無電解メッキ等の方法で形成された銅，アルミニュウム，金薄膜であってもよい。」（３頁左上欄９ないし１８行）「または有機絶縁フィルム（A）に蒸着，無電解メッキ等の方法で形成された導電性箔（B）構造の第6 図（イ）に示すテープを」（３頁右上欄８ないし１１行）「デバイスホール（８）の開孔及び固定支持体（５）の形成法としては例えば数値制御切削加工機，レーザーエッチング又は湿式エッチング法等が挙げられる。数値制御切削加工機を用いる場合には・・・目的を達することができる。レーザーエッチングの場合に ５）の形成法としては例えば数値制御切削加工機，レーザーエッチング又は湿式エッチング法等が挙げられる。数値制御切削加工機を用いる場合には・・・目的を達することができる。レーザーエッチングの場合には例えば照射時間を変える等の手法により同様に目的を達することができる。又湿式エッチング法の場合には・・・目的を達することができる。」（３頁右上欄１７行ないし３頁左下欄１１行）②特開平４－１３９７３５号公報（発明の名称：ＩＣ搭載用可撓性回路基板及びその製造法，乙２４）「第１図に於いて，１１は，ポリイミド，ポリエステル，ガラスエポキシ等の絶縁シート材からなる絶縁基材で，その一面に銅箔，アルミ箔等の金属箔膜からなる回路配線パターン１２が設けてあ- 41 -る。」（２頁左下欄１１ないし１５行）「絶縁基材１１のマスクメタルパターン１６側にエキシマレーザA によるフォトアブレーション加工が施され」（２頁右下欄１２ないし１４行）「次にエキシマレーザB によるフォトアブレーションにより前記中間孔１８の部位に穿孔１５と，その周囲に中間孔１８の深さに相当するＩＣ搭載用陥部１０とを穿設する。」（３頁左上欄１ないし４行）(ｲ)引用刊行物１の第１図について原告は，引用刊行物１の第１図に基づいて，スルホール上端部がメタライズ層６で覆われた状態が示されていると認定することはできず，審決が，引用刊行物１の第１図，第２図のみから，「スルホールの半導体素子を搭載する面側がメタライズ層で覆われている半導体素子搭載用基板」とした認定は誤りであると主張する。しかし，以下の理由により，原告の上記主張は，採用することができない。 すなわち，これまで述べたとおり，引用刊行物１の第１図，第２図のみではなく，その余の記載と図面も併せて参照することにより，引用刊行物１発明におい により，原告の上記主張は，採用することができない。 すなわち，これまで述べたとおり，引用刊行物１の第１図，第２図のみではなく，その余の記載と図面も併せて参照することにより，引用刊行物１発明において，メタライズ層６は，アウターリード４に接続する端子を備えていること，スルホールの半導体素子３が搭載される面側がアウターリード４に接続する端子（メタライズ層６のアウターリード４に電気的に接続される部位）で覆われていることが認められるものであり，審決も，引用刊行物１の第１図，第２図のみではなく，その余の記載と図面を総合することにより，引用刊行物１発明を認定したものである（審決第５．［２］（２－３）（イ），（ウ））。 (4)小括したがって，審決が，引用刊行物１発明について，「・・・メタライズ層は・・・- 42 -金属ピンよりなるアウターリードに接続する端子とを配線の一部とした配線パターンを備え，・・・アウターリードに接続する端子の形成される箇所のベースにこの端子に達するスルホールが穿設され，スルホールの半導体素子を搭載する面側がメタライズ層で覆われている半導体素子搭載用基板」とした認定に誤りはない。また，上記認定を前提として，本件訂正発明２と引用刊行物１発明は，「上記配線は，・・・上記半導体素子搭載領域に形成される外部接続端子及びそれらをつなぐ配線を配線の一部として備え，上記外部接続端子は上記配線の上記絶縁性支持体側の面に備えられ，・・・上記外部接続端子の形成される箇所の上記絶縁性支持体に，上記外部接続端子に達する開口部が設けられ，上記開口部の半導体素子を搭載する面側は，上記外部接続端子で覆われており」で一致するとした審決の認定に誤りはない。 一致点の認定の誤り及び相違点の看過（取消事由２）について審決が，引用刊行物１発明の「アウター 導体素子を搭載する面側は，上記外部接続端子で覆われており」で一致するとした審決の認定に誤りはない。 一致点の認定の誤り及び相違点の看過（取消事由２）について審決が，引用刊行物１発明の「アウターリードに接続する端子」，「スルホール」が，それぞれ本件訂正発明２の「外部接続端子」，「開口部」に該当するとして，本件訂正発明２と引用刊行物１発明が，外部接続端子，開口部を備える点で一致するとした認定に誤りはない。その理由は，以下のとおりである。 (1)本件訂正発明２の外部接続端子及び開口部の構成・機能ア構成(ｱ)訂正明細書の特許請求の範囲の請求項２により引用される請求項１には，外部接続端子及び開口部について，次のとおりの記載がある。 ａ「上記配線は，上記半導体パッケージ領域に形成されるワイヤボンディング端子と，上記半導体素子搭載領域に形成される外部接続端子及びそれらをつなぐ配線を配線の一部として備え」ｂ「上記外部接続端子は上記配線の上記絶縁性支持体側の面に備えられ」ｃ「上記外部接続端子の形成される箇所の上記絶縁性支持体に，上記- 43 -外部接続端子に達する開口部が設けられ，上記開口部の半導体素子を搭載する面側は，上記外部接続端子で覆われており」ｄ「上記開口部の側壁に上記絶縁性支持体が露出している」(ｲ)前記(ｱ) の請求項２により引用される請求項１の記載から，本件訂正発明２の外部接続端子は，次の構成を備えたものであると認められる。 ①外部接続端子は，絶縁性支持体上に形成される配線の一部であり，配線の絶縁性支持体側の面に設けられている（前記(ｱ)ａ，ｂ）②外部接続端子は，半導体素子搭載領域に設けられている（前記(ｱ)ａ）③外部接続端子は，絶縁性支持体に設けられた開口部の半導体素子を搭載する面側を覆う（前記(ｱ)ｃ ている（前記(ｱ)ａ，ｂ）②外部接続端子は，半導体素子搭載領域に設けられている（前記(ｱ)ａ）③外部接続端子は，絶縁性支持体に設けられた開口部の半導体素子を搭載する面側を覆う（前記(ｱ)ｃ）また，開口部は，絶縁性支持体に設けられており，開口部の半導体素子を搭載する面側は，上記外部接続端子で覆われているから（前記(ｱ)ｃ），開口部は絶縁性支持体を貫通しているものと認められる。そうすると，前記(ｱ)の請求項２により引用される請求項１の記載から，本件訂正発明２の開口部は，次の構成を備えたものであると認められる。 ④開口部は，絶縁性支持体を貫通し，半導体素子を搭載する面側は，外部接続端子で覆われている（前記(ｱ)ｃ）⑤開口部の側壁には，絶縁性支持体が露出している（前記(ｱ)ｄ）イ外部接続端子の機能訂正明細書の発明の詳細な説明の「発明の開示」の欄には，「本発明の半導体パッケージにおいては，配線は１層の配線においてその配線の片面が半導体チップと接続する第１の接続機能を持ち，その配線の反対面が外部の配線と接続する第２の接続機能をもつように構成されている。」（【００３５】），「外部の配線と接続する外部接続端子は，例えばはんだバンプ，金バンプ等が好的に使用できる。」（【００３６】）と記載されていることから，- 44 -本件訂正発明２の外部接続端子は，半導体素子と外部の配線とを接続する接続機能を有するものであり，開口部に，はんだボール，はんだバンプ等（以下，「はんだボール」という。）が配置されることにより，外部の配線と接続されるものであることが認められる。そして，前記ア(ｲ)⑤のとおり，開口部の側壁に絶縁性支持体が露出していることからすると，本件訂正発明２は，開口部にはんだボールを配置する前の状態の半導体素子搭載用基板を特定したも とが認められる。そして，前記ア(ｲ)⑤のとおり，開口部の側壁に絶縁性支持体が露出していることからすると，本件訂正発明２は，開口部にはんだボールを配置する前の状態の半導体素子搭載用基板を特定したものと認められる。 (2)引用刊行物１発明のアウターリード４に接続する端子及びスルホールの構成・機能ア構成(ｱ)前記１のとおり，審決による引用刊行物１発明の認定に誤りはない。 引用刊行物１発明は，次の構成を備える。 ａ「ベースの半導体素子を搭載する面側のみに，１層のメタライズ層からなる複数の配線が設けられ，メタライズ層は・・・金属ピンよりなるアウターリードに接続する端子・・・を配線の一部とした配線パターンを備え」ｂ「アウターリードに接続する端子は半導体素子の搭載領域のメタライズ層の下面に複数設けられ」ｃ「アウターリードに接続する端子の形成される箇所のベースにこの端子に達するスルホールが穿設され，スルホールの半導体素子を搭載する面側がメタライズ層で覆われている」(ｲ)前記(ｱ)ｂのとおり，アウターリード４に接続する端子はメタライズ層６の下面に設けられ，前記(ｱ)ｃのとおり，アウターリード４に接続する端子の形成される箇所のベース１にこの端子に達するスルホールが穿設され，スルホールの半導体素子３を搭載する面側がメタライズ層６で覆われているから，メタライズ層６の下面に設けられた，アウターリー- 45 -ド４に接続する端子は，ベース１に穿設されたスルホールの半導体素子３を搭載する面側を覆うものと認められる。そうすると，前記(ｱ)の引用刊行物１発明の構成から，アウターリード４に接続する端子及びスルホールは，次の構成を備えたものであると認められる。 ①アウターリード４に接続する端子は，ベース１上に形成されるメタライズ層６からなる配線の １発明の構成から，アウターリード４に接続する端子及びスルホールは，次の構成を備えたものであると認められる。 ①アウターリード４に接続する端子は，ベース１上に形成されるメタライズ層６からなる配線の一部であり，メタライズ層６の下面に設けられている（前記(ｱ)ａ，ｂ）②アウターリード４に接続する端子は，半導体素子３の搭載領域に設けられている（前記(ｱ)ｂ）③アウターリード４に接続する端子は，ベース１に穿設されたスルホールの半導体素子３を搭載する面側を覆う（前記(ｱ)ｂ，ｃ）また，スルホールは，ベース１に穿設されており，スルホールの半導体素子３を搭載する面側は，アウターリード４に接続する端子で覆われているから（上記③），スルホールはベース１を貫通しているものと認められる。そうすると，前記(ｱ)の引用刊行物１発明の構成から，引用刊行物１発明のスルホールは，次の構成を備えたものであると認められる。 ④スルホールは，ベース１を貫通し，半導体素子を搭載する面側は，アウターリード４に接続する端子で覆われている。 イアウターリード４に接続する端子の機能引用刊行物１には，「ベース１には，第１図にはメタライズ層（配線層）６がメッキ，蒸着などにより設けられており，このメタライズ層６と半導体素子３のパッド（図示せず）とを，コネクタワイヤ７により，第１図に示すように，超音波ボンディングなどの方法によりボンディングし，上記メタライズ層６と，アウターリード４とを，ベース１に穿設されたスルホールを介して電気的に接続している。」（「実施例」の欄，２頁左下欄１６行ないし右下欄３行）との記載があり，引用刊行物１のその余の記載も考慮- 46 -すると，引用刊行物１発明のアウターリード４に接続する端子は，半導体素子と外部の配線とを接続する接続機能を有するものであり し右下欄３行）との記載があり，引用刊行物１のその余の記載も考慮- 46 -すると，引用刊行物１発明のアウターリード４に接続する端子は，半導体素子と外部の配線とを接続する接続機能を有するものであり，スルホールにアウターリード４を立設することにより，外部の配線と接続されるものであることが認められる。 (3)本件訂正発明２の外部接続端子及び開口部と引用刊行物１発明のアウターリード４に接続する端子及びスルホールの対比ア本件訂正発明２と引用刊行物１発明を対比すると，本件訂正発明２の「ベース」，「メタライズ層」は，引用刊行物１発明の「絶縁性支持体」，「配線」に該当し，また，本件訂正発明２は，「上記配線は・・・上記絶縁性支持体の半導体素子を搭載する面側のみに１層あり」（請求項２により引用される請求項１）との構成を有し，配線は絶縁性支持体上に形成されるから，配線の絶縁性支持体側の面（前記(1)ア(ｲ)①）とは，配線の下部を意味すると認められる。このような認定を前提として，本件訂正発明２の外部接続端子及び開口部と引用刊行物１発明のアウターリードに接続する端子及びスルホールの構成を対比すると，前記(2)ア(ｲ)①ないし③の引用刊行物１発明のアウターリード４に接続する端子の構成は，前記(1)ア(ｲ)①ないし③の本件訂正発明２の外部接続端子の構成と一致し，前記(2)ア(ｲ)④の引用刊行物１発明のスルホールの構成は，前記(1)ア(ｲ)④の本件訂正発明２の開口部の構成と一致する。 さらに，本件訂正発明２の外部接続端子と引用刊行物１発明のアウターリード４に接続する端子は，半導体素子と外部の配線とを接続する接続機能を有する点で，一致する（前記(1)イ，(2)イ）。 イそうすると，審決が，引用刊行物１発明のアウターリードに接続する端子，スルホールが，それぞ る端子は，半導体素子と外部の配線とを接続する接続機能を有する点で，一致する（前記(1)イ，(2)イ）。 イそうすると，審決が，引用刊行物１発明のアウターリードに接続する端子，スルホールが，それぞれ本件訂正発明２の外部接続端子，開口部に該当するとして，本件訂正発明２と引用刊行物１発明が，外部接続端子，開口部を備える点で一致するとした認定に誤りはない。 - 47 -(4)原告の主張に対し原告は，「本件訂正発明２は，ＢＧＡ用の半導体素子搭載用フレキシブル基板であり，本件訂正発明２の外部接続端子は，はんだボールに接続するものであるのに対し，引用刊行物１発明のアウターリード４に接続する端子は，はんだボールに接続するものではないから，引用刊行物１発明のアウターリード４に接続する端子は，本件訂正発明２の外部接続端子に該当しない」旨主張し，また，「本件訂正発明２の開口部は，はんだボールが配置され，溶融されるものであり，外部接続端子で覆われていて，ポリイミドフィルムに設けられたものであるから，アウターリードを挿入する使い方はできないのに対し，引用刊行物１発明のスルホールは，アウターリードを挿入するものであるから，引用刊行物１発明のスルホールは本件訂正発明２の開口部に該当しない」旨主張する。 しかし，原告の上記主張は，以下の理由により，いずれも採用することができない。 すなわち，訂正明細書の特許請求の範囲の請求項２により引用される請求項１の記載に基づいて認められる本件訂正発明２の外部接続端子，開口部の構成は，前記(1)アのとおりである。それらの構成は，開口部の側壁に絶縁性支持体が露出していることからすると，開口部にはんだボールを配置する前の状態の半導体素子搭載用基板を特定したものと認められ，その内容に照らし，ＢＧＡ基板でない場合（ＰＧＡ基板等であ 部の側壁に絶縁性支持体が露出していることからすると，開口部にはんだボールを配置する前の状態の半導体素子搭載用基板を特定したものと認められ，その内容に照らし，ＢＧＡ基板でない場合（ＰＧＡ基板等である場合），フレキシブル基板でない場合，又ははんだボールを用いない場合（アウターリード等を用いる場合）にも採用され得る構成を特定したにとどまるものと認められ，ＢＧＡ用の半導体素子搭載用フレキシブル基板であること，開口部にはんだボールを配置することを前提としてそれらに特有の構成が採用されているとは認められない。 そして，本件訂正発明２では，絶縁性支持体がポリイミドフィルムで構成- 48 -され，絶縁性支持体の開口部の側壁に上記絶縁性支持体が露出しているのに対し，引用刊行物１発明では，ベース（絶縁性支持体）がガラスエポキシで構成され，スルホール（開口部）の側壁にベースが露出しているか否かを明記していない点（相違点２），本件訂正発明２は，ＢＧＡ用の基板であるのに対して，引用刊行物１発明は，ＰＧＡ用の基板である点（相違点４）は，相違点として挙げられている。 したがって，審決が，引用刊行物１発明のアウターリードに接続する端子，スルホールが，それぞれ本件訂正発明２の外部接続端子，開口部に該当するとして，本件訂正発明２と引用刊行物１発明が，外部接続端子，開口部を備える点で一致するとした認定に誤りはなく，相違点の看過もない。 上記のとおり，本件訂正発明２は，開口部にはんだボールを配置する前の状態の半導体素子搭載用基板を特定したものと認められ，ＢＧＡ基板でない場合（ＰＧＡ基板等である場合），フレキシブル基板でない場合，又ははんだボールを用いない場合（アウターリード等を用いる場合）にも採用され得る構成を特定したにとどまり，ＢＧＡ用の半導体素子搭載用フレキシブル基 ＧＡ基板等である場合），フレキシブル基板でない場合，又ははんだボールを用いない場合（アウターリード等を用いる場合）にも採用され得る構成を特定したにとどまり，ＢＧＡ用の半導体素子搭載用フレキシブル基板であること，開口部にはんだボールを配置することを前提としてそれらに特有の構成が採用されているものではないから，原告の主張は，その主張自体失当であり，採用することができない。 相違点２（絶縁性支持体の構成，開口部側壁への絶縁性支持体の露出）に係る容易想到性の判断の誤り（取消事由３）について審決が，相違点２に係る本件訂正発明２の構成は容易に想到し得るとした判断に誤りはない。その理由は，以下のとおりである。 (1)絶縁性支持体の構成甲２，３，５ないし９の記載によれば，半導体素子搭載用基板において，絶縁性支持体をポリイミド（フィルム）で構成されるフレキシブル基板とすることは，周知又は公知であったものと認められる。 - 49 -他方，前記１(1)イのとおり，引用刊行物１に記載された発明は，半導体素子を搭載するベース（基板）１にアウターリード４（リードピン）を立設した半導体装置（プラグインパッケージ）において，大チップ搭載可能とし，ピン数の増加（多ピン化）を可能とし，配線の引き回しを容易にし，パッケージサイズを小型化するという課題を解決するために，アウターリード４を基板全面に設け，搭載される半導体素子の下部にもアウターリード４が立設された構成とした発明であり，アウターリード４の配置に技術的な特徴を有するものである。そして，引用刊行物１に記載された発明の技術的特徴であるアウターリード４の配置は，その技術的内容に照らして，特定の材質の絶縁性支持体（ベース）と関連性を有するわけではなく，絶縁性支持体（ベース）の材質を問うものではない。 さらに，引用 技術的特徴であるアウターリード４の配置は，その技術的内容に照らして，特定の材質の絶縁性支持体（ベース）と関連性を有するわけではなく，絶縁性支持体（ベース）の材質を問うものではない。 さらに，引用刊行物１には，「以上の説明では主として本発明者によってなされた発明をプラグインパッケージに適用した例を示したが，他のパッケージなどにも適用できる。」（４頁右上欄１８ないし２０行）と記載されており，ＰＧＡ用の基板だけでなく，他の基板に適用できることが記載されているから，引用刊行物１には，そこに記載された発明を，ＰＧＡ用の基板以外の，はんだボールにより外部と接続するＢＧＡ用の基板等に適用することについて示唆があると解することができる。 したがって，引用刊行物１発明において，絶縁性支持体をポリイミドフィルムで構成することは，容易に想到し得たといえる。 (2)開口部側壁への絶縁性支持体の露出について前記２(4)のとおり，本件訂正発明２は，開口部にはんだボールを配置する前の状態の半導体素子搭載用基板を特定したものであり，開口部の側壁に絶縁性支持体が露出している。 他方，前記１(2)のとおり，引用刊行物１発明は，原告主張のようにスルホールの表面にめっき等で導電層が形成されているものと特定することはでき- 50 -ず，メタライズ層６とアウターリード４との電気的接続の態様やスルホールの構造は，限定されていないものと解される。そして，引用刊行物１に記載された発明は，半導体素子搭載用基板の発明であるところ，この半導体素子搭載用基板とは，半導体素子の搭載に使うための基板という意味と解され，引用刊行物１の記載に照らしても，半導体素子を直ちに搭載できる状態の基板に限る根拠はなく，製造工程のある時点のものも含まれると解される。そうすると，仮に，引用刊行物１の半導体 板という意味と解され，引用刊行物１の記載に照らしても，半導体素子を直ちに搭載できる状態の基板に限る根拠はなく，製造工程のある時点のものも含まれると解される。そうすると，仮に，引用刊行物１の半導体素子搭載用基板において，最終的にスルホールの側壁に導電層が形成されるとしても，その製造過程においては，スルホールにベースが露出した状態の半導体素子搭載用基板が存在し，それをもって，引用刊行物１に記載された半導体素子搭載用基板の発明ということができる。 したがって，相違点２のうち，本件訂正発明２では，絶縁性支持体の開口部の側壁に絶縁性支持体が露出しているのに対し，引用刊行物１発明ではスルホールの側壁にベースが露出しているか否かを明記していない点は，実質的な相違点でないということができ，審決は，同旨の結論を採る点において誤りがあるとはいえない。 (3)小括以上によれば，審決が，相違点２に係る本件訂正発明２の構成が容易に想到し得るとした判断に誤りはない。 相違点４（ＢＧＡ用の基板とＰＧＡ用の基板の相違）に係る容易想到性の判断の誤り（取消事由４）について審決が，相違点４に係る本件訂正発明２の構成は容易に想到し得るとした判断に誤りはない。その理由は，以下のとおりである。 (1)引用刊行物１発明をＢＧＡ用の基板に適用することの容易想到性の有無ア引用刊行物１発明に使用されているようなピン（アウターリード）を，本件訂正発明２に使用されているようなはんだボールと置き換えることは，- 51 -以下の優先権基準日前に発行された複数の文献の記載によれば，周知であったものと認められる。 ①特開平６－１４０４６２号公報（発明の名称：半導体装置のパッケージ，甲１７，乙１５）「図３は図１のＴＡＢ型パッケージを適用した他の例を示す半導体装置の部分破断側面図で ったものと認められる。 ①特開平６－１４０４６２号公報（発明の名称：半導体装置のパッケージ，甲１７，乙１５）「図３は図１のＴＡＢ型パッケージを適用した他の例を示す半導体装置の部分破断側面図である。この実施例のパッケージでは，・・・外部端子を形成するバンプの代わりに・・・導電ピン・・・を用いている。」（【００１８】）②特開平６－２１１７３号公報（発明の名称：試験専用接点を有する半導体デバイスの製造方法，甲１８〔審判周知資料１〕）「・・・外部接点は，導電ピン，ハンダボール・・・などいくつかある形態の内の１つをとることができる。・・・」（【０００２】）③特開平６－２５２２８６号公報（発明の名称：チップキャリア，甲１９〔審判周知資料２〕）「・・・近年は端子ピンに替えて，・・・半田バンプ（２）を用い，半導体装置とマザーボードに間隔を保持する方法が多用されている。」（【０００３】）④特開平６－３２６２１１号公報（発明の名称：半導体パッケージと回路基板およびそれを用いた電子機器，甲２０〔審判周知資料３〕）「・・・半導体パッケージの接続端子として・・・はんだボールの代わりに，バッド接続用ピン９をはんだで接続した点である。・・・」（【００１３】）⑤特開平４－６２８６５号公報（発明の名称：半導体装置及びその製造方法，甲２１〔審判周知資料４〕）「リードを球形状のように転動可能な形状とすることで，高さ調整が容易でモールド後の変形もなく，良好なリード平坦性が得られる。すなわ- 52 -ち，ＰＧＡ型の半導体装置を安価，かつリードを高密度に製造することが可能となる。」（３頁左上欄９ないし１３行）⑥「日経エレクトロニクス」平成６年（１９９４年）２月１４日号，日経ＢＰ社刊（甲２２〔審判参考資料１２〕）「プラスチックＢＧＡの基板は樹脂製 することが可能となる。」（３頁左上欄９ないし１３行）⑥「日経エレクトロニクス」平成６年（１９９４年）２月１４日号，日経ＢＰ社刊（甲２２〔審判参考資料１２〕）「プラスチックＢＧＡの基板は樹脂製であり，プリント配線基板と基本的に同じ材料である。これにＬＳＩチップを載せ，基板の上面をモールド樹脂で覆っている。プラスチックＰＧＡに近い組み立て技術である。」（６５頁６ないし１１行）⑦「日経エレクトロニクス」平成６年（１９９４年）１月３日号，日経ＢＰ社刊（甲２３〔審判周知資料５〕）「ＢＧＡ（ballgridarray）が米国を中心に普及し始めている・・・ＰＧＡ（pingridarray）のピンがハンダボールに変更されたような形態のパッケージである。」（１３２頁中欄３０ないし３４行）⑧「日経マイクロデバイス」平成５年（１９９３年）９月１日号，日経ＢＰ社刊（甲２４〔審判周知資料６〕）「ＢＧＡ（ballgridarray）パッケージ・・・は本質的にはＰＧＡパッケージと同じだが，挿入ピンの代わりに半田ボールが使われている点が違う。・・・ＱＦＰのように周りにリードを配置する代わりにボールを平面的に並べるので，リード・ピッチの微細化を強硬に推し進めなくても多ピンに対応できる」（８４頁右欄２３ないし３１行）⑨「電子材料」平成６年（１９９４年）５月号，株式会社工業調査会刊（甲２５〔審判周知資料７〕）「Ｐ－ＢＧＡパッケージ技術と表面実装」と題する論文に，「Ｐ－ＰＧＡのピンをハンダボールに変えることにより，表面実装形パッケージとなり，かつ実装技術も容易になるとの提案であった。」（２２頁左欄下から４行目ないし２行目）と記載されている。 - 53 -そして，引用刊行物１には，「他のパッケージにも適用できる」（４頁右上欄２０行）と記載され 技術も容易になるとの提案であった。」（２２頁左欄下から４行目ないし２行目）と記載されている。 - 53 -そして，引用刊行物１には，「他のパッケージにも適用できる」（４頁右上欄２０行）と記載されており，前記３(1)のとおり，引用刊行物１には，そこに記載された発明を，ＰＧＡ用の基板以外の，はんだボールにより外部と接続するＢＧＡ用の基板等に適用することについて示唆があると解することができる。 イ原告は，メタライズ層６がアルミニウムであることを前提として，アルミニウムにはんだは付着しないとされていること，特殊なアルミニウム用はんだを使用すると煩雑な処理が必要となり，簡便に小型・高密度の半導体パッケージを製造するとの本件訂正発明２の目的に反することから，引用刊行物１発明において，アウターリード４がメタライズ層６に直接はんだ付けされることはなく，引用刊行物１発明のアウターリード４に代えてはんだボールを使用することには阻害要因があると主張する。 しかし，前記１(3)イ(ｱ)ｃのとおり，引用刊行物１発明のメタライズ層６は，アルミニウムに限定されるものではないから，原告の上記主張の前提及びその前提に基づくその余の主張は，いずれも採用することができない。 ウそうすると，引用刊行物発明１をＢＧＡ用の基板に適用することは，当業者が容易に想到し得たものと認められる。 したがって，審決が，相違点４に係る本件訂正発明２の構成は容易に想到し得るとした判断に誤りはない。 (2)審決の説示について審決は，「被請求人は，・・・引用刊行物１発明をＢＧＡ用の基板に転用することは当業者が容易に想到し得たものではない旨を主張しているが，・・・絶縁性支持体としてポリイミド（フィルム）で構成されるフレキシブル基板を選択することが，当業者が適宜選択しうる設計的事項なのであるか とは当業者が容易に想到し得たものではない旨を主張しているが，・・・絶縁性支持体としてポリイミド（フィルム）で構成されるフレキシブル基板を選択することが，当業者が適宜選択しうる設計的事項なのであるから，それに伴って，引用刊行物発明１（判決注「引用刊行物１発明」の誤記と認- 54 -められる。）に使用されているピンをはんだボールに置換することも，上記周知又は公知の技術によれば，当業者が適宜なしえた設計的事項の範囲にすぎない。」と述べる。 ポリイミドフィルムで構成されたフレキシブル基板を採用するとの相違点２に係る本件訂正発明２の構成の容易想到性と，ピンに換えてはんだボールを採用するとの相違点４に係る本件訂正発明２の構成の容易想到性は，特段の関連がないことから，審決の上記説示は，相違点２と相違点４の双方について容易想到性を要するとしても，なお双方の相違点につき容易想到性が認められ，本件訂正発明２が容易に想到し得たことを確認的に述べたものと解される。 原告は，審決の上記説示は，本件訂正発明２の相違点２に係る構成が容易に想到し得たことを理由として，本件訂正発明２の相違点４に係る構成は容易に想到し得たと判断するものであると主張し，相違点４という一つの相違点について，二段階の容易想到性の判断を経て容易想到と判断している点で誤りがあると主張する。しかし，審決の上記説示は，相違点４という一つの相違点について，二段階の容易想到性の判断を経て容易想到と判断しているとは解されないから，原告の上記主張は，採用することができない。 結論 以上のとおり，原告主張の取消事由はいずれも理由がない。原告は，その他縷々主張するが，審決にこれを取り消すべきその他の違法もない。 よって，原告の本訴請求を棄却することとし，主文のとおり判決する。 知的 の取消事由はいずれも理由がない。原告は，その他縷々主張するが，審決にこれを取り消すべきその他の違法もない。 よって，原告の本訴請求を棄却することとし，主文のとおり判決する。 知的財産高等裁判所第３部- 55 -裁判長裁判官飯村敏明裁判官中平健裁判官知野明
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