平成１４年（行ケ）第４３０号特許取消決定取消請求事件（平成１５年１月２０日口頭弁論終結）判決原告豊田合成株式会社原告 Ａ原告 Ｂ３名訴訟代理人弁護士大場正成同尾崎英男同嶋末和秀同黒田健二同吉村誠同弁理士平田忠雄同藤谷修同松原等同岡本芳明被告特許庁長官太田信一郎指定代理人青山待子同畑井順一同高橋泰史同宮川久成 主文 特許庁が異議２００２－７００２７号事件について平成１４年６月２７日にした決定を取り消す。 訴訟費用は被告の負担とする。 事実及び理由 第１ 請求主文と同旨第２ 当事者間に争いのない事実 １ 特許庁における手続の経緯原告らは，下記特許異議の申立てに係る下記特許（以下「本件特許」といい，その特許発明を「本件発明」という。）の特許権者であり，その手続の経緯は次のとおりである。 １ 特許庁における手続の経緯原告らは，下記特許異議の申立てに係る下記特許（以下「本件特許」といい，その特許発明を「本件発明」という。）の特許権者であり，その手続の経緯は次のとおりである。 （本件決定までの手続）平成 ４年１０月２９日特許出願平成 ９年 ９月１７日原告らによる手続補正書提出平成１１年１１月 １日原告らによる手続補正書提出平成１３年 ４月２７日設定登録（特許第３１８４３４１号「窒素－３族元素化合物半導体発光素子及び製造方法」）平成１４年 １月 ９日本件特許につき特許異議の申立て（異議２００２－７００２７号）同年 ６月 ３日原告らによる明細書の訂正請求（以下「本件訂正請求」という。）同年 ６月２７日上記訂正を認め，本件特許を取り消す旨の決定（以下「本件決定」という。）同年 ７月２２日原告らへの本件決定謄本送達（本訴提起後の手続）同年１１月 １日原告らによる明細書の訂正審判請求（訂正２００２－３９２３１号）同年１２月２５日上記訂正を認める旨の審決（以下「本件訂正審決」という。）平成１５年 １月 ９日原告らへの本件訂正審決謄本送達 ２ 特許請求の範囲の記載(1) 設定登録時の特許請求の範囲の記載【請求項１】サファイア基板と，前記サファイア基板上に，温度４００℃～８００℃において，非晶質のAlＸGa１－ＸN；０＜X＜１が厚さ１００Å～５００Åに形成されたバッファ層と，前記バッファ層の上に形成されたシリコン（Si）がドープされたｎ型の窒素－３族元素化合物半導体（一般式AlＸ１GaＹ１In１－Ｘ１－Ｙ１N，０≦X1≦１，０≦Y1≦１，０≦X1+Y1≦１）から成るｎ層と，前記ｎ層の上 れたシリコン（Si）がドープされたｎ型の窒素－３族元素化合物半導体（一般式AlＸ１GaＹ１In１－Ｘ１－Ｙ１N，０≦X1≦１，０≦Y1≦１，０≦X1+Y1≦１）から成るｎ層と，前記ｎ層の上に形成されたインジウム（In）を含むノンドープの窒素－３族元素化合物半導体（一般式AlＸ２GaＹ２In１－Ｘ２－Ｙ２N，０≦X2≦１，０≦Y2≦１，０≦X2+Y2＜１）から成る発光層と，前記発光層上に形成されたマグネシウム（Mg）がドープされたｐ型の窒素－３族元素化合物半導体（一般式AlＸ３GaＹ３In１－Ｘ３－Ｙ３N，０≦X3≦１，０≦Y3≦１，０≦X1+Y1≦１）から成るｐ層とを有する窒素－３族元素化合物半導体発光素子。 【請求項２】前記非晶質のAlＸGa１－ＸN；０＜X＜１が厚さ１００Å～５００Åに形成されたバッファ層は，多結晶又は微結晶の存在割合が１～９０％であることを特徴とする請求項１に記載の窒素－３族元素化合物半導体発光素子。 【請求項３】前記ｐ層は，窒素－３族元素化合物半導体を低抵抗化したことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の窒素－３族元素化合物半導体発光素子。 【請求項４】前記発光層はｎ伝導型であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の窒素－３族元素化合物半導体発光素子。 【請求項５】サファイア基板上に窒素－３族元素化合物半導体（AlＸGaＹIn１－Ｘ－ＹN；X＝０，Y＝０，X＝Y＝０を含む）から成る層をエピタキシャル成長させる方法において，前記サファイア基板上に，温度４００℃～８００℃において，厚さ１００Å～５００Åの非晶質のAlＸGa１－ＸN；０＜X＜１から成るバッファ層を成長させ，そのバッファ層上に温度１０００℃～１２００℃で窒素－３族元素化合物半導体（AlＸG ～８００℃において，厚さ１００Å～５００Åの非晶質のAlＸGa１－ＸN；０＜X＜１から成るバッファ層を成長させ，そのバッファ層上に温度１０００℃～１２００℃で窒素－３族元素化合物半導体（AlＸGaＹIn１－Ｘ－ＹN；X＝０，Y＝０，X＝Y＝０を含む）をエピタキシャル成長させる半導体の製造方法。 【請求項６】前記バッファ層を，多結晶又は微結晶の存在割合が１～９０％となるよう成長させることを特徴とする請求項５に記載の半導体の製造方法。 (2) 本件訂正請求に係る訂正後の特許請求の範囲の記載【請求項１】サファイア基板と，前記サファイア基板上に，温度４００℃～８００℃において，非晶質のAlＸGa１－ＸN；０＜X＜１が厚さ１００Å～５００Åに形成されたバッファ層と，前記バッファ層の上に形成されたシリコン（Si）がドープされたｎ型の窒素－３族元素化合物半導体（一般式AlＸ１GaＹ１In１－Ｘ１－Ｙ１N，０≦X1≦１，０≦Y1≦１，０≦X1+Y1≦１）から成るｎ層と，前記ｎ層の上に形成されたインジウム（In）を含むノンドープの窒素－３族元素化合物半導体（一般式AlＸ２GaＹ２In１－Ｘ２－Ｙ２N，０≦X2≦１，０≦Y2≦１，０≦X2+Y2＜１）から成る発光層と，前記発光層上に形成されたマグネシウム（Mg）がドープされたｐ型の窒素－３族元素化合物半導体（一般式AlＸ３GaＹ３In１－Ｘ３－Ｙ３N，０≦X3≦１，０≦Y3≦１，０≦X1+Y1≦１）から成るｐ層とを有し，前記バッファ層は，多結晶又は微結晶の存在割合が１～９０％であることを特徴とする窒素－３族元素化合物半導体発光素子。 【請求項２】前記ｐ層は，窒素－３族元素化合物半導体を低抵抗化したことを特徴とする請求項１に記載の窒素－３族元素化合物半導体 ～９０％であることを特徴とする窒素－３族元素化合物半導体発光素子。 【請求項２】前記ｐ層は，窒素－３族元素化合物半導体を低抵抗化したことを特徴とする請求項１に記載の窒素－３族元素化合物半導体発光素子。 【請求項３】前記発光層はｎ伝導型であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の窒素－３族元素化合物半導体発光素子。 【請求項４】サファイア基板上に，窒素－３族元素化合物半導体（AlＸGaＹIn１－Ｘ－ＹN；X＝０，Y＝０，X＝Y＝０を含む）から成る層をエピタキシャル成長させる方法において，前記サファイア基板上に，温度４００℃～８００℃において，厚さ１００Å～５００Åの非晶質のAlＸGa１－ＸN；０＜X＜１から成るバッファ層を成長させ，そのバッファ層上に温度１０００℃～１２００℃で窒素－３族元素化合物半導体（AlＸGaＹIn１－Ｘ－ＹN；X＝０，Y＝０，X＝Y＝０を含む）をエピタキシャル成長させ，前記バッファ層を，多結晶又は微結晶の存在割合が１～９０％となるよう成長させることを特徴とする半導体の製造方法。 (3) 本件訂正審決に係る訂正後の特許請求の範囲の記載【請求項１】サファイア基板と，前記サファイア基板上に温度約４００℃，厚さ約５００Åで形成することにより，無定型構造の中に多結晶又は微結晶が混在した状態とした非晶質のAl０．１Ga０．９Nからなるバッファ層と，前記バッファ層の上に形成されたシリコン（Si）がドープされたｎ型の窒素－３族元素化合物半導体（AlＸGaＹIn１－Ｘ－ＹN，X＝０，Y＝０，X＝Y＝０を含む）から成るｎ層と，前記ｎ層の上に形成されたインジウム（In）を含むノンドープの窒素－３族元素化合物半導体（AlＸGaＹIn１－Ｘ－ＹN，X＝０，Y＝０，X＝Y＝０を Y＝０，X＝Y＝０を含む）から成るｎ層と，前記ｎ層の上に形成されたインジウム（In）を含むノンドープの窒素－３族元素化合物半導体（AlＸGaＹIn１－Ｘ－ＹN，X＝０，Y＝０，X＝Y＝０を含む）から成るｎ型の層と，前記ｎ型の層上に形成されたマグネシウム（Mg）がドープされたｐ型の窒素－３族元素化合物半導体（AlＸGaＹIn１－Ｘ－ＹN，X＝０，Y＝０，X＝Y＝０を含む）から成るｐ層とを有する窒素－３族元素化合物半導体発光素子。 ３ 本件決定の理由本件決定は，本件訂正請求に係る訂正を認め，本件発明の要旨を同訂正後の特許請求の範囲の記載（上記第２の２(2)）のとおり認定した上，平成９年９月１７日付け及び平成１１年１１月１日付け各手続補正書による補正は，いずれも願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内でされたものといえないから，明細書の要旨を変更するものであり，平成５年法律第２６号による改正前の特許法４０条の規定により，本件特許の出願日は平成９年９月１７日に繰り下がるところ，本件発明は，特開平６－１５１９６２号公報，特開平４－２４２９８５号公報及び特開平３－２１８６２５号公報記載の各発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができないものであり，本件特許は，特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）４条２項の規定により取り消されるべきものとした。 第３ 当事者の主張 １ 原告ら本件決定が，本件発明の要旨を本件訂正請求に係る訂正後の特許請求の範囲の記載（上記第２の２(2)）のとおり認定した点は，本件訂正審決の確定により特許請求の範囲の記載が上記第２の２(3)のとおり訂正されたため，誤 本件発明の要旨を本件訂正請求に係る訂正後の特許請求の範囲の記載（上記第２の２(2)）のとおり認定した点は，本件訂正審決の確定により特許請求の範囲の記載が上記第２の２(3)のとおり訂正されたため，誤りに帰したことになる。そして，この瑕疵は本件決定の結論に影響を及ぼすものであるから，本件決定は違法として取り消されるべきである。 ２ 被告本件訂正審決の確定により特許請求の範囲の記載が上記のとおり訂正されたことは認める。 第４ 当裁判所の判断本件決定が本件発明の要旨を本件訂正請求に係る訂正後の特許請求の範囲の記載（上記第２の２(2)）のとおり認定したこと，他方，本件訂正審決の確定により，特許請求の範囲の記載が上記第２の２(3)のとおり訂正されたことは当事者間に争いがないところ，両者の記載を対比した場合に，後者の特許請求の範囲は，前者の特許請求の範囲を減縮したのと同一の結果となっていることは明らかである。 そうすると，本件決定が，本件発明の要旨を上記のとおり認定したことは，結果的に誤りであったことに帰する。そして，これが本件決定の結論に影響を及ぼすことは明らかであるから，本件決定は，瑕疵があるものとして取消しを免れない。 よって，原告らの請求は理由があるから認容し，主文のとおり判決する。 東京高等裁判所第１３民事部裁判長裁判官篠原勝美裁判官長沢幸男裁判官宮坂昌利 宮坂昌利
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