平成26(ネ)10108 特許権侵害行為差止等請求控訴事件

- 1 -平成２７年９月２８日判決言渡平成２６年（ネ）第１０１０８号特許権侵害行為差止等請求控訴事件（原審・東京地方裁判所平成２３年（ワ）第２６６７６号）口頭弁論終結日平成２７年６月８日判決 控訴人三洋電機株式会社 訴訟代理人弁護士尾崎英男同日野英一郎同上野潤一同鷹見雅和 被控訴人日亜化学工業株式会社 訴訟代理人弁護士古城春実同牧野知彦同堀籠佳典同加治梓子補佐人弁理士松田一弘同蟹田昌之 主文 １ 本件控訴を棄却する。 ２ 控訴費用は控訴人の負担とする。 事実 及び理由第１ 控訴の趣旨- 2 - １ 原判決を取り消す。 ２ 被控訴人は，原判決別紙物件目録記載の半導体レーザダイオード製品（以下「被控訴人製品」という。）の製造，譲渡，輸出又は譲渡の申出をしてはならない。 ３ 被控訴人は，原判決別紙方法目録記載の製造方法（以下「被控訴人方法」という。）を使用して被控訴人製品を製造してはならない。 ４ 被控訴人は，被控訴人製品を廃棄せよ。 ５ 被控訴人は，控訴人に対し，１２億円及びこれに対する平成２３年８月２４日から支払済みまで年５分の割合による金員を支 製品を製造してはならない。 ４ 被控訴人は，被控訴人製品を廃棄せよ。 ５ 被控訴人は，控訴人に対し，１２億円及びこれに対する平成２３年８月２４日から支払済みまで年５分の割合による金員を支払え。 第２ 事案の概要 １ 本件は，発明の名称を「窒化物系半導体素子」とする特許権（以下「本件特許権１」という。）及び発明の名称を「窒化物系半導体素子の製造方法」とする特許権（以下「本件特許権２」といい，本件特許権１と併せて「本件各特許権」という。）を有する控訴人が，被控訴人による被控訴人製品の製造販売等が本件各特許権の侵害に当たると主張して，被控訴人に対し，特許法１００条に基づく被控訴人製品の製造販売等の差止め及び廃棄並びに特許権侵害の不法行為（民法７０９条，特許法１０２条３項）に基づく損害賠償金又は不当利得金１２億円及びこれに対する不法行為の日の後又は請求の日の後である平成２３年８月２４日（訴状送達の日の翌日）から支払済みまで民法所定の年５分の割合による遅延損害金の支払を求めた事案である。 原審が控訴人の請求をいずれも棄却したので，控訴人が控訴した。 ２ 前提事実，争点及び争点に関する当事者の主張は，次のとおり原判決を補正するほかは，原判決「事実及び理由」の第２の１ないし３のとおりであるから，これを引用する。 (1) 原判決３頁４行目の「という。」の次に「また，本件特許権１及び２の優先権主張日を「本件優先日」という。」を加える。 - 3 -(2) 原判決６頁２１行目の「３５」の次に「５０」を加える。 (3) 原判決７頁１３行目の「請求棄却の判決」の次に「(以下「甲３５判決」という。)」を加え，同行目の「これに対しては」から１５行目末尾までを「これに対し，被控訴人は上告及び上告受理の申立て（最高裁平成２６年（行ツ）第４４号， 求棄却の判決」の次に「(以下「甲３５判決」という。)」を加え，同行目の「これに対しては」から１５行目末尾までを「これに対し，被控訴人は上告及び上告受理の申立て（最高裁平成２６年（行ツ）第４４号，同年（行ヒ）第５５号）をしたが，平成２６年９月３０日，上告棄却及び上告不受理の決定がなされ，上記判決は確定した。」と改める。 (4) 原判決７頁２４行目から２５行目にかけての「その後」から２６行目末尾までを「本件口頭弁論終結時において，上記無効審判請求事件に対する審決はなされていない。」と改める。 (5) 原判決８頁１行目冒頭から３行目末尾までを削る。 (6) 原判決８頁５行目冒頭から１１行目末尾までを次のとおり改める。 「 本件特許１については前記１(4)イの訂正請求に対する判断が確定していないことや，本件訴訟の経過及び当事者の主張にも鑑み，上記ア(ア)の訂正請求後の特許請求の範囲の記載（本件特許発明１につき構成要件Ａ１～Ｅ１，本件特許発明１－２につきこれらに加え構成要件Ｆ１）に基づいて判断することとする。」(7) 原判決１１頁２５行目の「１０－４～１０－５ｃｍ－２」を「１０－４～１０－５ｃｍ２」に改める。 (8) 原判決１２頁１６行目冒頭から末尾までを次のとおり改める。 「(イ) 特開２００１－１７６８２３号公報（乙９。以下「乙９」という。）ａ 技術常識等について(a) 半導体の加工を含めた広い技術分野において，機械加工によって生じる加工変質層（転位を含む領域を含むものである（甲３５，乙７７，７８，８８，９８）。したがって，加工変質層を除去すれば転位を含む領域も除去される。）がコンタクト抵抗を上昇させる等，コンタクト抵抗を含めた電気的特性に悪影響を与えること，転位が- 4 -キャリアをトラップして抵抗を がって，加工変質層を除去すれば転位を含む領域も除去される。）がコンタクト抵抗を上昇させる等，コンタクト抵抗を含めた電気的特性に悪影響を与えること，転位が- 4 -キャリアをトラップして抵抗を高めること（乙１２，７３の６）が知られており，そのため，電極が合金化するか否かなどは全く問うことなく，電極形成前に加工変質層をエッチング等の手段により除去し（これにより，転位を含む領域によるコンタクト抵抗の上昇という課題が解決されていた。）（乙２４，３１，７７，７８，８１），電極を形成すること（乙７，８，３２，３５，５４，８１，１０１）が当業者において技術常識となっていた。上記技術常識は，ＧａＮについても当てはまり，ＧａＮに関しても加工変質層や転位を除去しており（乙３３，７３の７，乙８７），その結果低転位密度とした面に電極を形成することが本件優先日当時の技術常識であった（乙２の１１，乙１１，７２の１６）。 (b) 控訴人は，ＧａＮ以外の他の半導体基板でレーザ素子を作製する場合には，基板に電極を形成する際に，アニーリングによって電極金属と半導体基板が融合して合金化し，オーミックコンタクトが形成されていたから，コンタクト抵抗が高くなるという課題は存在しなかった旨主張するが，基板と電極が合金化するか否かは，基板と電極の材料及び製造方法等の諸条件に依拠するものであるから，ＧａＮでもそれ以外の材料でも，適宜，条件を選択することにより合金化させることが可能である。また，控訴人の主張は，合金化すれば必ずコンタクト抵抗が低減することを前提とするが，基板と電極が合金化しても，コンタクト抵抗が下がる場合もあれば，下がらない場合もあり，コンタクト抵抗が低減するか否かは，基板と電極の材料及び製造条件次第である。 仮に，ＧａＮが他の半導体 と電極が合金化しても，コンタクト抵抗が下がる場合もあれば，下がらない場合もあり，コンタクト抵抗が低減するか否かは，基板と電極の材料及び製造条件次第である。 仮に，ＧａＮが他の半導体と異なり合金化せず，従来の材料では，合金化によりコンタクト抵抗の低減が実現されていたから，加工変質層を除去する必要がなかったとしても，半導体素子（特に，レー- 5 -ザ発光素子）の基板と電極とのコンタクト抵抗が可及的に低いことが望ましいことは，素子の材料系を問わない当業者の技術常識であるから，ある当業者が，ＧａＮが他の半導体と異なって合金化処理によってはコンタクト抵抗の低減が実現しないことを発見したとすれば，当該当業者は，当然，他の手段によるコンタクト抵抗の低減化を試みることとなり，その場合における他の処理として，周知かつ技術常識であるエッチングによる加工変質層の除去は，当該当業者が直ちに想到する手段であるといえる。したがって，ＧａＮ基板が合金を形成しないとの点が，エッチングによる加工変質層の除去という周知・技術常識の手段を適用することの阻害要因となるものではない。 そうすると，ＧａＮが合金化しないと仮定しても，このことは，エッチングにより加工変質層を除去して本件各特許発明に規定する転位密度値やコンタクト抵抗値とすることを困難にするものではない。 ｂ 本件特許１について以下のとおり，本件特許発明１－２は，乙９に記載された発明と同一であるか，又は同発明に基づいて容易に発明できたものであるから，新規性又は進歩性を欠く。なお，本件特許発明１－２は，本件特許発明１の従属項であるから，本件特許発明１－２について新規性又は進歩性を欠けば，本件特許発明１も同様に新規性又は進歩性を欠く。 (a) 乙９には以下の 。なお，本件特許発明１－２は，本件特許発明１の従属項であるから，本件特許発明１－２について新規性又は進歩性を欠けば，本件特許発明１も同様に新規性又は進歩性を欠く。 (a) 乙９には以下の発明(以下「被控訴人主張乙９発明１」という。)が記載されている。 ① ウルツ鉱構造を有するｎ型の窒化物系半導体基板からなる第１半導体層と，② 前記第１半導体層の裏面上に形成されたｎ側電極とを備えた，- 6 -⑤ 窒化物系半導体素子。 ⑥ 前記第１半導体層は，所定の厚さになるまで裏面側が加工され，該加工により発生した転位を含む第１半導体層の裏面近傍の領域が除去された層であることを特徴とする窒化物系半導体素子。 (b) 本件特許発明１－２との対比本件特許発明１－２と被控訴人主張乙９発明１とを対比すると，本件特許発明１－２の構成要件Ａ１，Ｂ１，Ｅ１，Ｆ１がそれぞれ被控訴人主張乙９発明の構成①，②，⑤及び⑥に一致するから，両者はこの範囲で一致し，以下の点で相違する。 相違点１：本件特許発明１－２が「前記第１半導体層の前記ｎ側電極との界面近傍における転位密度は，１×１０９ｃｍ－２以下」であるのに対し，被控訴人主張乙９発明１ではこの点が明記されていない点。 相違点２：本件特許発明１－２が「前記ｎ側電極と前記第１半導体層との界面において，０．０５Ωｃｍ２以下のコンタクト抵抗を有する」のに対し，被控訴人主張乙９発明１ではこの点が明記されていない点。 ⒞ 相違点の検討① 相違点１について本件優先日当時，ＧａＮ基板の転位密度は１０９個／ｃｍ２以下であることが当たり前であった。そして，被控訴人主張乙９発明１では機械研磨した後エッチング処理をして表面歪みなどを除去した上で，この面に 本件優先日当時，ＧａＮ基板の転位密度は１０９個／ｃｍ２以下であることが当たり前であった。そして，被控訴人主張乙９発明１では機械研磨した後エッチング処理をして表面歪みなどを除去した上で，この面にｎ電極を形成しているのであるから，前記ａの技術常識をも踏まえると，その転位密度が基板本来の転位密度である１０９個／ｃｍ２以下になっていることは明らかである。したがって，相違点１は実質的な相違点といえないか，仮に，実質- 7 -的な相違点と考えたとしても周知技術を適用して容易に実現できる程度の違いにすぎない。 ② 相違点２について相違点２に係る構成は，エッチング処理などを施したことにより当然に得られる効果的な要件であるか，少なくとも設計的事項にすぎないところ，被控訴人主張乙９発明１ではエッチング処理をしているのであるから，相違点２は実質的な相違点といえないか，少なくとも単なる設計的事項にすぎない。また，控訴人自身が，相違点２に係るコンタクト抵抗はレーザであれば当然に備えている要素であるとしているところ（原審原告第４準備書面６頁１１～１４行），被控訴人主張乙９発明１はレーザに関する公知例なのであるから，被控訴人主張乙９発明１が本件特許発明１－２の規定するコンタクト抵抗を充足していることは，控訴人自身が認めているといってよい。さらに，相違点２に係る構成は，相違点１に係る構成を採用すれば自動的に奏される効果であるか，少なくとも当業者が適宜設計可能な事項を採用することで容易になし得るものである。 ｃ 本件特許２について以下のとおり，本件特許発明２は，乙９に記載された発明と同一であるか，又は同発明に基づいて容易に発明できたものであるから，新規性又は進歩性を欠く。 (a) 乙９には以下 ついて以下のとおり，本件特許発明２は，乙９に記載された発明と同一であるか，又は同発明に基づいて容易に発明できたものであるから，新規性又は進歩性を欠く。 (a) 乙９には以下の発明(以下「被控訴人主張乙９発明２」という。)が記載されている。 ① ｎ型の窒化物系半導体基板からなる第１半導体層の上面上に，活性層を含む窒化物半導体層からなる第２半導体層を形成する第１工程と，- 8 -② 前記第１半導体層の裏面を研磨することにより厚み加工する第２工程と，③ 前記研磨により発生した転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域を除去する第３工程と，④ その後，前記転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域が除去された第１半導体層の裏面上に，ｎ側電極を形成する第４工程とを備える，⑥ 窒化物系半導体素子の製造方法。 (b) 本件特許発明２との対比本件特許発明２と被控訴人主張乙９発明２とを対比すると，本件特許発明２の構成要件Ａ２，Ｂ２，Ｄ２，Ｆ２が一致し，以下の点で一応相違する。 相違点１：第３工程の裏面近傍の領域を除去する工程が，本件特許発明２では，前記第１半導体層の裏面の転位密度を１×１０９ｃｍ－２以下とする工程であるのに対し，被控訴人主張乙９発明２では，除去する工程によって得られる第１半導体層の裏面の転位密度が明記されていない点。 相違点２：本件特許発明２は，前記第１半導体層と前記ｎ側電極とのコンタクト抵抗を０．０５Ωｃｍ２以下とするのに対し，被控訴人主張乙９発明２では，コンタクト抵抗の値が明記されていない点。 ⒞ 相違点の検討相違点１及び２につき，実質的な相違点ではないか，又は少なくとも設計事項にすぎないことは，前 乙９発明２では，コンタクト抵抗の値が明記されていない点。 ⒞ 相違点の検討相違点１及び２につき，実質的な相違点ではないか，又は少なくとも設計事項にすぎないことは，前記ｂ⒞のとおりである。」(9) 原判決１２頁２５行目冒頭に「ア」を加え，同行末尾に，改行の上，次のとおり加える。 「イ乙９に基づく新規性又は進歩性欠如の主張について- 9 -(ア) 技術常識について本件優先日当時，ＧａＮについて，被控訴人の主張するような技術常識は存在していなかった。すなわち，本件各特許発明の画期的な意義は，機械研磨によって生じる深い位置の転位がコンタクト抵抗の増大の原因となることの発見であり，転位が素子の製造を不可能とするほどのコンタクト抵抗の増大の原因となるというような知見は，本件優先日以前には存在しなかった。被控訴人主張の技術常識が存在するとの主張は甲３５判決によっても退けられている。 ａＧａＮ以外の他の半導体基板（Ｓｉ，ＧａＡｓ，ＧａＰ，ＩｎＰＳｉＣ等）でレーザ素子を作製する場合には，基板に電極を形成する際に，アニーリングによって電極金属と半導体基板が融合して合金化し，オーミックコンタクトが形成されていたから，コンタクト抵抗が高くなるという課題は存在しなかった。ＧａＮ基板裏面を研磨してｎ側電極を形成した場合，アニーリングを行っても，コンタクト抵抗が高くなるという本件各特許発明の課題は，貫通転位が極めて少ないＧａＮ基板を使用してレーザ素子を製造することを実際に行って初めて認識できるものである。そして，このような課題の認識がなければ，ＧａＮ基板裏面を機械研磨して鏡面仕上げした後に，別のエッチングやＣＭＰ工程を行って，研磨面より下の層を除去する動機はない。 初めて認識できるものである。そして，このような課題の認識がなければ，ＧａＮ基板裏面を機械研磨して鏡面仕上げした後に，別のエッチングやＣＭＰ工程を行って，研磨面より下の層を除去する動機はない。 被控訴人がその主張の根拠とする文献には，上記の課題，その解決手段に関する記載，又は転位に着目しこれを電極形成前に除去することの記載はないし，コンタクト抵抗の上昇の問題があることを具体的に記載したものもない。 ｂ 被控訴人提出の各文献に基づいて被控訴人が主張する加工変質層が転位を含む領域を含むとの点は，抽象的な概念の間の関係にすぎ- 10 -ず，具体的な半導体の具体的な加工変質層に関するものではない。 被控訴人は，加工変質層を完全に除去すれば，転位を含む領域も完全に除去されるなどとも主張するが，どのような加工変質層が実際に除去されていたかは，半導体の種類や加工変質層の種類にもよるし，とりわけ，除去によって解決すべき課題が認識されているかどうかによるのであるから，抽象的に転位を含む領域が加工変質層に含まれるとしても，直ちに加工変質層を除去することにつながるものではない。 ｃＧａＮを含む半導体の分野において，電極形成前に，電極形成面の深い位置に生じる転位を含む加工変質層を完全に除去することは技術常識ではなかった。被控訴人の提出する文献に，「加工変質層がコンタクト抵抗を上昇させる」という当業者の認識を示す記載は存在しないし，「ＧａＮ」，「転位」，「コンタクト抵抗」のどの語の記載も存在しない。被控訴人は，これらの語の上位概念である「半導体」，「加工変質層」，「電気的特性」の語を根拠に，加工変質層を完全に除去することは技術常識であったとの主張をしているにすぎない。ＧａＮ基板裏面のコンタクト抵抗が増大する技術課題も，そ ある「半導体」，「加工変質層」，「電気的特性」の語を根拠に，加工変質層を完全に除去することは技術常識であったとの主張をしているにすぎない。ＧａＮ基板裏面のコンタクト抵抗が増大する技術課題も，その原因が結晶中の深い位置に生じた転位であることも知られていないときに，転位を含む領域を全て除去することが技術常識であるはずがない。 被控訴人は，転位がキャリアをトラップして抵抗を高めることが知られていた旨主張するが，本件優先日当時の当業者において，転位に電子キャリアがトラップされ，その分だけ電子キャリア濃度が下がり，その分だけコンタクト抵抗が上昇する可能性を観念できるとしても，それが，素子の製造において技術課題となり，転位の除去を必要とする程度のコンタクト抵抗の上昇を引き起こす可能性の- 11 -あることを容易に知り得たものではない。また，ｎ型ＧａＮ半導体では結晶欠陥により電子キャリア濃度が増大するという知見（甲５８参照）が存在するので，本件優先日当時の当業者は，ＧａＮ基板を機械研磨して転位が生じると，むしろ，基板の研磨面近傍のＧａＮ半導体としての電気抵抗は低くなると考えるはずである。 ｄ さらに，ＧａＮ基板の電極形成面について，本件優先日前に加工変質層を除去していたことを示す文献は存在しない。被控訴人が，ＧａＮについて加工変質層を除去していた根拠として提出する文献の記載は，ＧａＮ基板に電極を形成する面に関する記載ではなく，ＧａＮ基板の成長面に素子を形成することに関する記載にすぎない。 また，被控訴人が低転位密度とした面に電極を形成することが技術常識であったことの根拠として提出する文献には，本件各特許発明を示唆する技術事項（機械研磨の後に電極を形成した場合のコンタクト抵抗の増大の認識や 控訴人が低転位密度とした面に電極を形成することが技術常識であったことの根拠として提出する文献には，本件各特許発明を示唆する技術事項（機械研磨の後に電極を形成した場合のコンタクト抵抗の増大の認識や，コンタクト抵抗の増大の原因が転位であること）の記載はない。 (イ) 本件特許発明１及び１－２について乙９は，第１半導体層の裏面側を研磨して所定の厚さにした後，その表面歪や酸化膜を除去するものであって，基板の内部まで延びている転位を除去することは全く記載がない。したがって，乙９には，構成要件Ｆ１における「該加工により発生した転位を含む第１半導体層の裏面近傍の領域が除去された層」の記載がなく，乙９の発明特定事項として被控訴人主張乙９発明１の⑥を挙げることは誤りである。 また，乙９は，相違点１及び相違点２について何ら記載がなく，上記のとおり，表面歪や酸化膜を除去するものであって，基板の厚さ加工により発生した基板の内部まで延びている転位を除去することは行- 12 -っておらず，当該事項に関する示唆もない。 被控訴人は，①乙９はレーザの発明であるから，コンタクト抵抗は０．０５Ωｃｍ２以下である，②転位密度は本件優先日当時の技術水準において１×１０９ｃｍ－２以下であるとも主張する。しかし，①については，乙９は，窒化物半導体チップをウエハーから分割する製造方法に関する発明を記載したものであって，ウエハーの結晶成長面に割り溝を形成し半導体チップの分割を行うことに関する記載はあるが，レーザ発振の条件や動作についての記載は存在しない。したがって，このような乙９の記載からコンタクト抵抗の値を導き出すことはできない。また，②についても，乙９の半導体チップ分割の発明に関し，基板の転位密度は技術的に関係がなく，したがって，乙９ ない。したがって，このような乙９の記載からコンタクト抵抗の値を導き出すことはできない。また，②についても，乙９の半導体チップ分割の発明に関し，基板の転位密度は技術的に関係がなく，したがって，乙９に転位密度の記載は存在しないであって，乙９の記載から転位密度の値を導き出すことはできない。 したがって，本件特許発明１－２は，被控訴人主張乙９発明１と同一ではなく，また，被控訴人主張乙９発明１及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明することができたものでもない。 本件特許発明１についても同様である。 (ウ) 本件特許発明２について上記(イ)と同様の理由により，本件特許発明２は，被控訴人主張乙９発明２と同一ではなく，また，被控訴人主張乙９発明２及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明することができたものでもない。」第３ 当裁判所の判断当裁判所は，本件各特許（本件特許１の請求項１及び５並びに本件特許２の請求項１）にはいずれも無効理由があり，特許無効審判により無効にされるべきものであるから，その余の点について判断するまでもなく，控訴人の請求は理由がないものと判断する。その理由は，次のとおりである。 - 13 -事案に鑑み，争点(4)から判断する。 １ 争点(4)（特許無効理由の有無）について(1) 乙９に基づく本件特許発明２の進歩性の欠如の有無について事案に鑑み，まず，本件特許発明２の進歩性の有無について判断する。 ア本件特許発明２について本件特許２に係る特許請求の範囲の請求項１の記載は前記第２の１(2)イ(ウ)のとおりであるが，本件明細書２の記載によれば，本件特許発明２は，おおむね以下の内容のものであることが認められる。 本件特許発明２は，窒化物系半導体素子の製 載は前記第２の１(2)イ(ウ)のとおりであるが，本件明細書２の記載によれば，本件特許発明２は，おおむね以下の内容のものであることが認められる。 本件特許発明２は，窒化物系半導体素子の製造方法に関し，特に，電極を有する窒化物系半導体素子の製造方法に関する（【０００１】）。 従来，窒化物系半導体層との格子定数の差が小さいＧａＮ基板などの窒化物系半導体基板を用いた窒化物系半導体レーザ素子が提案されている（【０００４】）。このような窒化物系半導体レーザ素子では，ｎ型ＧａＮ基板の硬度が非常に大きいため，劈開工程の前にｎ型ＧａＮ基板の裏面を機械研磨する方法が提案されているが（【０００８】），機械研磨の際に，ｎ型ＧａＮ基板の裏面近傍に応力が加わるため，ｎ型ＧａＮ基板の裏面近傍にクラックなどの微細な結晶欠陥が発生するという不都合があり，その結果，ｎ型ＧａＮ基板と，ｎ型ＧａＮ基板の裏面上に形成されたｎ側電極とのコンタクト抵抗が増加するという問題点があった（【０００９】）。 本件特許発明２は，上記の課題を解決するためになされたものであり，窒化物系半導体基板などの窒素面と電極とのコンタクト抵抗を低減することが可能な窒化物系半導体素子の製造方法を提供することを目的とする（【００１１】）。 具体的に，本件特許発明２は，ｎ型の窒化物系半導体層及び窒化物系半導体基板のいずれかからなる第１半導体層（実施例につき【００４２】）の上面上に，活性層を含む窒化物半導体層からなる第２半導体層を形成する- 14 -第１工程（実施例につき【００４３】）と，前記第１半導体層の裏面を研磨することにより厚み加工する第２工程（実施例につき【００４６】，【００４７】）と，前記第１工程及び前記第２工程の後，前記研磨により発生した転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域 体層の裏面を研磨することにより厚み加工する第２工程（実施例につき【００４６】，【００４７】）と，前記第１工程及び前記第２工程の後，前記研磨により発生した転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域を除去して前記第１半導体層の裏面の転位密度を１×１０９ｃｍ－２以下とする第３工程（実施例につき【００４８】，【００４９】，【００６１】）と，その後，前記転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域が除去された第１半導体層の裏面上に，ｎ側電極を形成する第４工程（実施例につき【００５２】）とを備え，前記第１半導体層と前記ｎ側電極とのコンタクト抵抗を０．０５Ωｃｍ２以下とする（実施例につき【００５４】，【００５９】，【表１】（試料３～７）），窒化物系半導体素子の製造方法である（【００１４】）。 本件特許発明２では，研磨に起因して発生した第１半導体層の裏面近傍の結晶欠陥（転位）を含む領域を除去することで，第１半導体層の裏面近傍の結晶欠陥（転位）を低減し，結晶欠陥（転位）による電子キャリアのトラップなどに起因する電子キャリア濃度の低下を抑制することができる。 その結果，第１半導体層の裏面の電子キャリア濃度を大きくすることができ，第１半導体層とｎ側電極とのコンタクト抵抗を低減することができ（【００１５】，実施例につき【００５９】，【００６１】），上記（【００１１】）の目的が達成される。 イ乙９の記載内容及び乙９に記載された発明の内容(ア) 乙９には以下の記載がある。 「【０１８２】（実施の形態１５）本実施の形態では，窒化物半導体レーザ素子を用いて，該素子の端面形成とチップ分割について説明する。 まず，ｎ型ＧａＮ基板６００の製造方法について説明する。 - 15 -【図９】【０１８３】図８は，種基板１０，ｎ型ＧａＮ基板 を用いて，該素子の端面形成とチップ分割について説明する。 まず，ｎ型ＧａＮ基板６００の製造方法について説明する。 - 15 -【図９】【０１８３】図８は，種基板１０，ｎ型ＧａＮ基板６００から構成されていて，ｎ型ＧａＮ基板６００は，低温バッファ層１５，ｎ型ＧａＮ膜２０，誘電体膜３０，塩素ドーピングされたｎ型ＧａＮ厚膜４０から構成されている。」「【０１８６】・・・ストライプ形状に加工した誘電体膜３０の付いたウエハーをＨＶＰＥ装置中にセットし，成長温度１１００℃，Ｓｉ濃度３×１０１８／ｃｍ３，塩素濃度１×１０１７／ｃｍ３をドーピングしながら，３５０μｍの塩素ドーピングされたｎ型ＧａＮ厚膜４０を積層する。 【０１８７】上記製造方法によってｎ型ＧａＮ厚膜４０を形成後，ウエハーをＨＶＰＥ装置から取り出し，研磨機で前記種基板１０を剥ぎ取り，ｎ型ＧａＮ基板６００を作製した。・・・」「【０１９１】次に，上記ｎ型ＧａＮ基板６００を用いて，窒化物半導体レ－ザ素子の製造方法について説明する。 【０１９２】図９は，窒化物半導体レ－ザ構造を示しており，ｎ型ＧａＮ基板６００，ｎ型ＧａＮバッファ層６０１，ｎ型Ａｌ０．１Ｇａ０． ９Ｎクラッド層６０２，ｎ型ＧａＮ光ガイド層６０３，活性層６０４，ｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎキャリアブロック層【図８】- 16 -６０５，ｐ型ＧａＮ光ガイド層６０６，ｐ型Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎクラッド層６０７，ｐ型ＧａＮコンタクト層６０８から構成されている。 【０１９３】・・・ＭＯＣＶＤ装置に，前記ｎ型ＧａＮ基板６００をセットし，１０５０℃の成長温度でｎ型ＧａＮバッファ層６０１を１μｍ形成した。・・・【０１９４】次に，１μｍの厚さのｎ型Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎクラッド層６０２を成 に，前記ｎ型ＧａＮ基板６００をセットし，１０５０℃の成長温度でｎ型ＧａＮバッファ層６０１を１μｍ形成した。・・・【０１９４】次に，１μｍの厚さのｎ型Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎクラッド層６０２を成長する。さらに，厚さ０．１μｍのｎ型ＧａＮ光ガイド層６０３を成長する。ｎ型ＧａＮ光ガイド層６０３成長後，基板の温度を７００℃～８００℃程度に下げ，複数の，厚さ４ｎｍのＩｎ０．１５Ｇａ０．８５Ｎ井戸層と厚さ１０ｎｍのＩｎ０．０２Ｇａ０．９８Ｎ障壁層より構成される活性層６０４・・・を成長する。・・・次に，基板温度を再び１０５０℃まで昇温して，２０ｎｍの厚みのｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎよりなるキャリアブロック層６０５を成長する。・・・【０１９５】その後，Ｍｇをド－ピングしながら０．１μｍの厚さのｐ型ＧａＮ光ガイド層６０６を成長する。更に，Ｍｇをド－ピングしながら０．５μｍの厚さのｐ型Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎよりなるクラッド層６０７を成長する。最後に，Ｍｇをド－ピングしながら０．１μｍの厚みのｐ型ＧａＮよりなるコンタクト層６０８を成長した。」「【０２０２】・・・上記ウエハーのＧａＮ基板側を研磨機により研磨して，塩素ド－ピングされたＧａＮ基板の厚さを１００μｍにし，鏡面出しをする。次に，フッ酸もしくは熱燐酸を含む硫酸からなる混合溶液で，前記ウエハーをエッチング処理する。このエッチング処理は，研磨によって生じた表面歪み及び酸化膜を除去し，ｐ型，ｎ型電極のコンタクト抵抗の低減と電極剥離を防止するために行う。」「【０２０６】続いて，ウエハーを裏返しにして，ＧａＮ基板側に，Ｔｉ（１５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）によるｎ型電極６１１を，リソグ- 17 -ラフィ－技術でパタ－ン形成する。・・・」(イ) 乙９から認定できる発明の内容 ａＮ基板側に，Ｔｉ（１５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）によるｎ型電極６１１を，リソグ- 17 -ラフィ－技術でパタ－ン形成する。・・・」(イ) 乙９から認定できる発明の内容前記(ア)の乙９の記載によれば，乙９には以下の発明（以下「乙９発明２」という。）が記載されているものと認められる。 「ｎ型ＧａＮ基板を用いた窒化物半導体レーザ素子の製造方法であって，ＭＯＣＶＤ装置に，ｎ型ＧａＮ基板（６００）をセットし，ｎ型ＧａＮバッファ層（６０１），ｎ型Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎクラッド層（６０２），ｎ型ＧａＮ光ガイド層（６０３），複数の，Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５Ｎ井戸層とＩｎ０．０２Ｇａ０．９８Ｎ障壁層より構成される活性層（６０４），ｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎよりなるキャリアブロック層（６０５），ｐ型ＧａＮ光ガイド層（６０６），ｐ型Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎよりなるクラッド層（６０７）を順次成長させ，最後に，ｐ型ＧａＮよりなるコンタクト層（６０８）を成長させることにより窒化物半導体レーザ構造（図９）を形成し，前記窒化物半導体レーザ構造を形成したウエハーのＧａＮ基板側を研磨機により研磨して，塩素ドーピングされたＧａＮ基板の厚さを１００μｍにし，鏡面出しをし，次に，前記研磨によって生じた表面歪み及び酸化膜を除去してｐ型，ｎ型電極のコンタクト抵抗の低減と電極剥離を防止するために，フッ酸又は熱燐酸を含む硫酸からなる混合溶液で前記ウエハーをエッチング処理し，ウエハーを裏返しにして，ＧａＮ基板側に，Ｔｉ／Ａｌによるｎ型電極をパタ－ン形成する，窒化物半導体レーザ素子の製造方法。」ウ本件特許発明２と乙９発明２の対比並びに一致点及び相違点(ア) 対比本件特許発明２と乙９発明２とを対比すると以下のと をパタ－ン形成する，窒化物半導体レーザ素子の製造方法。」ウ本件特許発明２と乙９発明２の対比並びに一致点及び相違点(ア) 対比本件特許発明２と乙９発明２とを対比すると以下のとおりである。 - 18 -ａ 乙９発明２の「ｎ型ＧａＮ基板（６００）」は，本件特許発明２の「ｎ型の」「窒化物系半導体基板」「からなる第１半導体層」に相当する。 ｂ 乙９発明２の「複数の，Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５Ｎ井戸層とＩｎ０．０２Ｇａ０．９８Ｎ障壁層より構成される活性層（６０４）」は，本件特許発明２の「活性層」に相当するから，乙９発明２の「ｎ型ＧａＮバッファ層（６０１），ｎ型Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎクラッド層（６０２），ｎ型ＧａＮ光ガイド層（６０３），複数の，Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５Ｎ井戸層とＩｎ０．０２Ｇａ０．９８Ｎ障壁層より構成される活性層（６０４），ｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎよりなるキャリアブロック層（６０５），ｐ型ＧａＮ光ガイド層（６０６），ｐ型Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎよりなるクラッド層（６０７）」及び「ｐ型ＧａＮよりなるコンタクト層（６０８）」は，本件特許発明２の「活性層を含む窒化物半導体層からなる第２半導体層」に相当する。 ｃ 上記ａ，ｂから，乙９発明２の「ＭＯＣＶＤ装置に，ｎ型ＧａＮ基板（６００）をセットし，ｎ型ＧａＮバッファ層（６０１），・・・，ｐ型Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎよりなるクラッド層（６０７）を順次成長させ，最後に，ｐ型ＧａＮよりなるコンタクト層（６０８）を成長させることにより窒化物半導体レーザ構造（図９）を形成」する工程は，本件特許発明２の「ｎ型の窒化物系半導体層および窒化物系半導体基板のいずれかからなる第１半導体層の上面上に，活性層を含む窒化物半導体層からなる第２半導体層を形成する第１工程」に相当する。 る工程は，本件特許発明２の「ｎ型の窒化物系半導体層および窒化物系半導体基板のいずれかからなる第１半導体層の上面上に，活性層を含む窒化物半導体層からなる第２半導体層を形成する第１工程」に相当する。 ｄ 乙９発明２の「前記窒化物半導体レーザ構造を形成したウエハーのＧａＮ基板側を研磨機により研磨して，塩素ドーピングされたＧａＮ基板の厚さを１００μｍにし，鏡面出しを」する工程は，本件特許発明２の「前記第１半導体層の裏面を研磨することにより厚み加工する- 19 -第２工程」に相当する。 ｅ 乙９発明２の「ＧａＮ基板側に，Ｔｉ／Ａｌによるｎ型電極をパタ－ン形成する」工程は，本件特許発明２の「第１半導体層の裏面上に，ｎ側電極を形成する」工程に相当し，乙９発明２の「窒化物半導体レーザ素子」は，本件特許発明２の「窒化物系半導体素子」に相当する。 (イ) 一致点以上によれば，本件特許発明２と乙９発明２は以下の点で一致する。 ｎ型の窒化物系半導体基板からなる第１半導体層の上面上に，活性層を含む窒化物半導体層からなる第２半導体層を形成する第１工程と，前記第１半導体層の裏面を研磨することにより厚み加工する第２工程と，その後，前記第１半導体層の裏面上に，ｎ側電極を形成する工程とを備えた窒化物系半導体素子の製造方法である点。 (ウ) 相違点また，本件特許発明２と乙９発明２は以下の点で相違する。 ａ 相違点１本件特許発明２では，前記第１工程及び前記第２工程の後，前記研磨により発生した転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域を除去して前記第１半導体層の裏面の転位密度を１×１０９ｃｍ－２以下とする第３工程を備えているのに対し，乙９発明２ ２工程の後，前記研磨により発生した転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域を除去して前記第１半導体層の裏面の転位密度を１×１０９ｃｍ－２以下とする第３工程を備えているのに対し，乙９発明２では，前記研磨によって生じた表面歪み及び酸化膜を除去してｐ型，ｎ型電極のコンタクト抵抗の低減と電極剥離を防止するために，フッ酸又は熱燐酸を含む硫酸からなる混合溶液で前記ウエハーをエッチング処理している点。 ｂ 相違点２前記第１半導体層と前記ｎ側電極とのコンタクト抵抗が，本件特許- 20 -発明２では，０．０５Ωｃｍ２以下であるのに対し，乙９発明２では，０．０５Ωｃｍ２以下であるか否かが明らかではない点。 エ技術常識等について(ア) 加工変質層及び転位についてａ 松永正久他３名編「エレクトロニクス用結晶材料の精密加工技術」，株式会社サイエンスフォーラム，昭和６０年１月３０日（乙３０）には，以下の記載がある。 「２． 加工変質層とその検出方法・・・ここでは単結晶を対象とした機械加工を考えてみる。 ・・・種々のこれまでの観察や実験結果を総合しモデル図化すると図－３のようになる。完全結晶をベースにして考えたが，非晶質や多結晶についてもそれぞれ同様なモデルをもとに考えればよいであろう。」（５７８頁右欄１７行～５７９頁左欄３行）ｂ 志村史夫「半導体シリコン結晶工学」，丸善株式会社，平成５年９月３０日（乙３１）には，以下の記載がある。 「ブロック切断，外径研削，スライシング，ラッピングの機械加工プロセスを経たシリコンウエーハは表面にダメージ層すなわち加工変質層を有している。加工変質層はデバイス製造プロセスにおいてスリップ転位などの結晶欠陥 断，外径研削，スライシング，ラッピングの機械加工プロセスを経たシリコンウエーハは表面にダメージ層すなわち加工変質層を有している。加工変質層はデバイス製造プロセスにおいてスリップ転位などの結晶欠陥を誘発したり，ウエーハの機械的強度を低下させ，また電気的特性に悪影響を及ぼすので完全に除去しなければならない。機械加工プロセスを経た単結晶表面に導入される加工変質層は，- 21 -図３．１０（判決注・前記ａの文献の図－３と同一の図である。）に模式的に示されるように，非晶質層，多結晶層，モザイク層，クラック層，そして歪み層を含むと考えられる。加工変質層の深さは加工条件によって異なる。」（１１１頁２～８行）「機械加工プロセスでシリコンウエーハに導入された加工変質層は化学エッチング・・・によって完全に除去される。」（１１１頁下２～１行）ｃ 有田潔他５名「プラズマによるウエハ加工変質層の除去技術」，8thSymposiumon “MicrojoiningandAssemblyTechnologyinElectronics”, January 31-February 1, 2002（乙２４）には，以下の記載がある。 「ＩＣカードやスタックドパッケージに代表される薄型パッケージングにおいては，基板等の周辺部材の厚みを薄くすると同時に，シリコンウエハ自体の厚みも薄くする必要がある。このようなウエハの薄型化においては，機械的な研削加工でウエハ厚みを１００μｍもしくはそれ以下まで薄くしなければならない。 ウエハの薄型加工は主にウエハを機械的に研削する「グラインディング工程」と，グラインディング時にウエハに導入されたマイクロクラック等を含むストレス層（加工変質層）１），２）を除去する「ストレスリリーフ工程」か 加工は主にウエハを機械的に研削する「グラインディング工程」と，グラインディング時にウエハに導入されたマイクロクラック等を含むストレス層（加工変質層）１），２）を除去する「ストレスリリーフ工程」から成っている。この加工変質層はウエハの反りやクラック発生の原因となるため，グラインディング処理後にはストレスリリーフ処理により完全に除去されなくてはならない。」（８７頁左欄２～１５行）また，上記の注１）として，乙３１の１１１頁（上記ｂの部分を含む頁）が引用されている。 ｄ 佐々木恒孝他３名編「表面工学講座１ 表面の構造」，株式会社朝- 22 -倉書店，昭和４６年７月３０日（乙７８）には，以下の記載がある。 「１．３ 加工変質層１．３．１ 緒言固体を工業上の目的に使用するためには，その材料に対してなんらかの加工をほどこさなければならない。一般に加工に際しては材料の性質を変えないことが望ましいのであるが，加工のとき作用する力，発生する熱，外気の作用，新生面効果などによって材料はなんらかの変化をうけ，表面には内部とは違った層を形成する。このような層を加工変質層とよんでいる。最近において，加工変質層の研究は半導体を中心にして飛躍的な進歩がみられた。半導体材料には単結晶が多いので，これらの結果は半導体製品の性質の向上に対して重要である・・・。 加工変質層の分類について筆者は次のように考えている。 ・・・（Ⅱ）組織の変化による変質・・・（３）転位密度の上昇」・・・」（６９頁１～２１行）また，「１．３．２ 加工変質層の測定法」（７０頁６行）の「（７）転位密度」の項には，加工変質層の測定法の主要なものとして「透過型電子顕微鏡」が記 ・・・」（６９頁１～２１行）また，「１．３．２ 加工変質層の測定法」（７０頁６行）の「（７）転位密度」の項には，加工変質層の測定法の主要なものとして「透過型電子顕微鏡」が記載されている。 さらに，「１．３．１１ 半導体材料の加工変質層」（９６頁５行）には，最近電子機器材料として使用される半導体は，Ｇｅ，Ｓｉ，ＧａＡｓ，ＧａＳｂ，ＩｎＡｓ，ＩｎＳｂ，ＬｉＴａＯ３，ＬｉＮｂＯ３，ＴｅＯ２，各種フェライトなど多岐にわたっており，これらの材料の加工機構の究明，製品の性能向上などを図るために，加工変質層の研- 23 -究が必要である旨記載されている（９６頁６～９行）。なお，松永正久「加工変質層と表面物性」，日本機械学会誌，昭和４７年第７５巻第６３６号（乙７７）にも，半導体材料を含めた金属の加工変質層の種類につき，現在知られている主要なものとして，転位密度の上昇が記載されている（１５頁１８～２６行）。 ｅ 河東田隆編著「集積回路プロセス技術シリーズ半導体評価技術」，産業図書株式会社，１９９４年５月３０日初版第４刷発行（乙８１）には，以下の記載がある。 「ウエハに加工された結晶表面は，加工中の機械的損傷汚染を受けている。・・・ウエハ表面，裏面の機会的（判決注・「機械的」の誤記と解される。）損傷によって生じた転位などの結晶欠陥は，たび重なる熱処理プロセスによって増殖，移動することにより，ウエハに複雑なそりを引き起こす。このためできるだけ初期段階に機械的損傷，転位を評価して，その除去を図る必要がある。」（９頁１～６行）ｆ 特開２００１－３１３４２２号公報（乙２の１１）には，以下の記載がある。 「【００４１】この基板１の研磨は・・・ｎ型窒化物半導体層２１が露出するまで行う 。」（９頁１～６行）ｆ 特開２００１－３１３４２２号公報（乙２の１１）には，以下の記載がある。 「【００４１】この基板１の研磨は・・・ｎ型窒化物半導体層２１が露出するまで行う。・・・ｎ型コンタクト層２１の研磨によりダメージを受けた領域をＲＩＥにて１～２μｍ程度エッチングを行う。」ｇ 特開２０００－２５２２１７号公報（乙３３）には，以下の記載がある。 「【００４４】上記（Ａ）基板製造工程において，完全な表面を有するＧａＮ単結晶基板１を研磨工程によって創出することは大変難しい。なぜならば，研磨時に基板表面にダメージが導入されるからである。このダメージを含む加工変質層はデバイスの特性に悪影響を与える。」- 24 -ｈ KyoycolLee 他１名「PropertiesofFreestandingGaNSubstratesGrownbyHydrideVaporPhaseEpitaxy」，JapaneseJournalofAppliedPhysicsVol.40，Ｌ１３～１５頁，２００１年１月１５日（乙７３の７）には，以下の記載がある。 「ヒロック（小丘）のあるＧａＮの表面形態を改善するために，その表面をダイヤモンド研磨剤で研磨し・・・透過型電子顕微鏡測定法を用いてサブサーフェスのダメージ層を観察した。」（乙７３の７の訳文１頁８～１１行）ｉＷＯ９８／４５５１１公報（乙８７）には，以下の記載がある。 「板状結晶のＧａＮ結晶は，本発明で説明される方法で準備される。 ・・・最初に，表面は，ダイヤモンド・マイクロパウダーを使って機械的に研磨され・・・その研磨は，数ミクロン厚の，高い転位密度である高欠陥結晶の隣接層を生成する。」（乙８７の訳文２頁下６行～３頁 。 ・・・最初に，表面は，ダイヤモンド・マイクロパウダーを使って機械的に研磨され・・・その研磨は，数ミクロン厚の，高い転位密度である高欠陥結晶の隣接層を生成する。」（乙８７の訳文２頁下６行～３頁２行）ｊ 小括上記ａないしｅによれば，①シリコン等の半導体単結晶材料に対して機械加工を施すと，表面には内部（完全結晶層）とは異なる加工変質層（非晶質層，多結晶層，モザイク層，クラック層，ひずみ層（応力漸移層））と呼ばれる層が生じること，②機械加工によって発生する転位密度の上昇した領域も加工変質層に含まれること，及び③転位密度は透過型電子顕微鏡で観察・測定可能であること，は，いずれも本件優先日当時の当業者にとって技術常識であったものと認められる。 また，上記ｆないしｉによれば，ＧａＮを含む窒化物半導体（本件特許発明２はｎ型窒化物系半導体を対象とするものである。）においても，機械研磨（加工）によって，損傷を受けた層や加工変質層が形- 25 -成されることや，転位が生じることも，本件優先日当時の当業者に知られていたものと認められる。 そうすると，本件優先日当時，上記技術常識がＧａＮを含む窒化物半導体についても同様に妥当し，ＧａＮを含む窒化物半導体においても，機械研磨を施すことにより，転位を含む加工変質層が生じること等は，当業者にとって技術常識であったものというべきである。 なお，甲３５判決における転位に解する解釈（「基板の機械研磨によって生じ得る加工変質層のうち，結晶中の深くまで生じ得る原子レベルの線状の結晶欠陥」）も，転位が加工変質層に含まれることを前提とするものと解されるから，上記の説示は，同判決における転位の解釈と整合するものである。 控訴人は，乙３１，７７及び７８の記載につき，半導体 状の結晶欠陥」）も，転位が加工変質層に含まれることを前提とするものと解されるから，上記の説示は，同判決における転位の解釈と整合するものである。 控訴人は，乙３１，７７及び７８の記載につき，半導体の基板に電極を形成する際のことは記載していないと，乙７３の７の記載につき，基板の電極形成面ではなく，結晶成長面に生じた層について述べているにすぎないと，乙８７の記載につき，同文献における除去方法はＧａＮ結晶（基板）のエピタキシャル成長面に対して行われる処理であり，このことから，ＧａＮ基板の電極形成面の機械研磨で生じる転位によってコンタクト抵抗が増大する技術課題を知ることはできないと，それぞれ主張するなどしている（平成２７年２月２６日付け控訴人第１準備書面３６～４５頁，４７頁）。しかし，半導体の基板に機械研磨を行えば加工変質層又はダメージ層が生じることは，結晶形成面であれ，電極形成面であれ変わりはないはずであり，このことは上記各文献，とりわけ上記ｂ，ｄ，ｈ及びｉの上記各文献の記載から十分理解できるものであるから，上記各文献を上記認定のために用いることに問題はない。 また，控訴人は，乙７７及び７８について，固体材料一般の表面が- 26 -有する物性について記載したもので，これらの文献において加工変質層を除去することが記載されているのは，当該加工変質層の除去を必要とするような技術課題が存在するからであるが，本件各特許における基板裏面側に関しては，コンタクト抵抗低減のため，加工変質層の除去を要するといった技術課題の記載はないなどとも主張するが（平成２７年５月２５日付け控訴人第４準備書面３４頁），ここでは，乙７７及び７８から加工変質層に転位が含まれることを認定しているにとどまるのであるから，控訴人の上記主張は上記認定を左右するものではない 成２７年５月２５日付け控訴人第４準備書面３４頁），ここでは，乙７７及び７８から加工変質層に転位が含まれることを認定しているにとどまるのであるから，控訴人の上記主張は上記認定を左右するものではない。 (イ) 転位がキャリアをトラップすることについてａ 河東田隆編著「集積回路プロセス技術シリーズ半導体評価技術」，産業図書株式会社，１９９４年５月３０日初版第４刷発行（乙８１）には，以下の記載がある。 「格子欠陥は，結晶の構成原子（Ｓｉ結晶ではＳｉ原子自身）の周期的配列が乱れたもので，その空間的な広がり方によって，点欠陥，線欠陥，面欠陥に分類される・・・格子欠陥は，前述の汚染不純物と同様，“不純物制御”の妨げになる。」（２０頁下１０～４行）また，上記文献の「表２．１ 半導体結晶の不完全性」（１９頁）には，「線欠陥（転位）」として，「らせん転位」，「６０°転位」及び「刃状転位」が記載されている。 ｂ 半導体用語大辞典編集委員会編「半導体用語大辞典」，株式会社日刊工業新聞社，１９９９年３月２０日（乙２の９）には，以下の記載がある。 「転位・・・結晶中のひずみに起因する線欠陥の一種で，図（ａ）- 27 -のように原子面の片側に線状にダングリングボンドが並ぶ結晶欠陥である。」（７３１頁左欄下１１～８行）「転位の発生の源は結晶内の応力ひずみである・・・」（７３１頁右欄１２～１３行）「転位は・・・透過型電子顕微鏡により観察できる。」（７３２頁左欄１２～１４行）ｃ 高橋清他１名監修「半導体・金属材料用語辞典」，株式会社工業調査会，１９９９年９月２０日（乙７９）には，以下の記載がある。 「ダングリングボンド・・・原子の結合に寄与するボンドが結合し 高橋清他１名監修「半導体・金属材料用語辞典」，株式会社工業調査会，１９９９年９月２０日（乙７９）には，以下の記載がある。 「ダングリングボンド・・・原子の結合に寄与するボンドが結合しないでブラブラしているボンド。・・・ダングリングボンドは，・・・キャリアのトラップなどの作用をする。」（７６３頁下１９～１５行）ｄ 特開２００１－１４８３５７号公報（乙１の２）【０００５】及び特開２００１－１４８５３３号公報（乙１２）【０００５】には，いずれも以下の同内容の記載がある。 「・・・ＧａＮ系化合物半導体以外の基板を使用すると，成長させるＧａＮ系化合物半導体膜と基板との熱膨張係数の違いや，格子定数の違いにより，製造されるＧａＮ系化合物半導体中には多数の欠陥が発生する。その欠陥は刃状転位と螺旋転位に分類され，その密度は合計で約１×１０９ｃｍ－２～１×１０１０ｃｍ－２程度にもなる。これらの欠陥は，キャリアをトラップして，調製した膜の電気的特性を損ねることが知られている他，大電流を流すようなレーザーに対しては，寿命の低下を招くことが知られている。」ｅ 小括以上によれば，半導体結晶において線欠陥（転位）を含む格子欠陥が不純物制御の妨げになることや，原子面の片側に線状にダングリン- 28 -グボンドが並ぶ結晶欠陥である転位において，ダングリングボンドがキャリアのトラップなどの作用をすることは技術常識であったものと認められる。また，ＧａＮ系化合物半導体においても，同様に転位（刃状転位と螺旋転位）がキャリアをトラップして調製した膜の電気的特性を損ねることが，本件優先日当時の当業者において知られていたものということができる。そして，キャリアがトラップされれば，キャリア濃度が低下することは明 がキャリアをトラップして調製した膜の電気的特性を損ねることが，本件優先日当時の当業者において知られていたものということができる。そして，キャリアがトラップされれば，キャリア濃度が低下することは明らかであるから，ＧａＮ系化合物半導体において，転位がキャリアをトラップし，その結果，キャリア濃度が低下することは，本件優先日当時の当業者にとって技術常識であったものと認められる。 なお，控訴人は，乙１２につき，異種基板の上にＧａＮ系化合物半導体を結晶成長させる工程において，ＧａＮ系化合物半導体膜中に生じる貫通転位について記載しているにすぎず，ＧａＮ基板の機械研磨によって生じる転位について記載しているものではない旨主張する（平成２７年２月２６日付け控訴人第１準備書面５３～５５頁）。 しかし上記ａないしｃにおいて認定した転位やダングリングボンドの意義に照らすと，これらはその生成原因によって区別されるものではないと解されるし，転位がキャリアをトラップしてコンタクト抵抗を高めるという機序に照らしてみても，結晶成長時に生じる転位であれ，研磨によって生じる転位であれ，その作用について変わるところはないものと解される。 よって，控訴人の上記主張は採用することができない。 (ウ) キャリア濃度とコンタクト抵抗の関係について- 29 -Ｓｉをドーピングして形成されたｎ型ＧａＮ基板のキャリア濃度とコンタクト抵抗との関係について，乙９発明２と同じ電極材料（Ｔｉ／Ａｌの積層構造）を用いた場合に，不純物濃度（キャリア濃度）が高くなれば接触比抵抗（コンタクト抵抗）が低くなり，その逆も成り立つこと，不純物濃度が１×１０１７ｃｍ－３を超えると接触比抵抗が１×１０－５Ω・ｃｍ２以下となることは，本件優先日当 ャリア濃度）が高くなれば接触比抵抗（コンタクト抵抗）が低くなり，その逆も成り立つこと，不純物濃度が１×１０１７ｃｍ－３を超えると接触比抵抗が１×１０－５Ω・ｃｍ２以下となることは，本件優先日当時，当業者に周知の事項であったと認められる（乙１の２の【００５２】，【００５３】，【図１０】，乙１２の【００５３】，【００５４】，【図１０】。なお乙１の２及び乙１２）。 (エ) 加工変質層を完全に除去することについて前記(ア)ｂ及びｃによれば，本件優先日当時，少なくともシリコンについては，電気的特性に悪影響を及ぼすことや，ウエハーの反りやクラック発生の原因となることから，加工変質層は完全に除去すべきものとされていたことが認められる。 オ容易想到性の検討(ア) 相違点１について前記イのとおり，乙９発明２では，ＧａＮ基板を研磨機により研磨することによって生じた表面歪み及び酸化膜を除去してｎ型電極のコンタクト抵抗の低減を図り，また，電極剥離を防止するために，ウエハーをフッ酸又は熱燐酸を含む硫酸からなる混合溶液でエッチング処理するものとされている。そうすると，乙９発明２においては，ＧａＮ基板では，- 30 -必要とするコンタクト抵抗を確保するためには，研磨機による研磨及び鏡面出しのみでは不十分であり，表面歪み等を除去する必要があることが示唆されているものといえる。しかしながら，他方で，乙９には，表面歪みの程度や除去すべき範囲についての具体的な記載はない。そうすると，乙９発明２に接した当業者は，乙９発明２において，研磨機による研磨後，ウエハーのエッチング処理を行う際に，コンタクト抵抗の低減を図るために，上記表面歪みをどの程度の範囲のものととらえてこれを除去する必要があるかについて検討する必要性があることを認 磨機による研磨後，ウエハーのエッチング処理を行う際に，コンタクト抵抗の低減を図るために，上記表面歪みをどの程度の範囲のものととらえてこれを除去する必要があるかについて検討する必要性があることを認識するものといえる。 そして，かかる認識をした当業者であれば，前記エ(ア)ないし(ウ)において認定した技術常識等に基づいて，乙９発明２においても，研磨機による研磨によって加工変質層と呼ばれる層に転位が生じているため，この転位がキャリアである電子をトラップしてキャリア濃度が低下し，それによってコンタクト抵抗が高くなるという作用機序は容易に想起できるものといえる。そして，前記エ(エ)において認定したとおり，少なくともシリコンについては，転位を含む加工変質層は完全に除去すべきものとされていたところ，前記エ(イ)のとおり，上記の転位を含む加工変質層がコンタクト抵抗に与える影響についてはシリコンにおいてもＧａＮ系化合物半導体においても同様である上に，コンタクト抵抗は低いほど望ましいことに鑑みると，当業者としては，乙９発明２における表面歪み（なお，ひずみ層も加工変質層に含まれる。）を，研磨機による研磨で生じ，透過型電子顕微鏡で観察可能な転位を含む加工変質層としてとらえ，あるいは，表面歪みのみならず加工変質層の除去についても考慮して，コンタクト抵抗上昇の原因となる加工変質層を全て除去できるまで上記のエッチング処理を行って，基板に当初から存在していた転位密度の値に戻すことで，キャリア濃度が低下する要因を最大限に排除- 31 -し，コンタクト抵抗の低減を図ることは，容易に想到できたことと認められる。 そして，本件優先日当時のＧａＮ基板の転位密度が，１×１０４～１０８ｃｍ－２程度であったことは，当業者に周知の事項であるから（乙１の３ないし９，乙５７ ことは，容易に想到できたことと認められる。 そして，本件優先日当時のＧａＮ基板の転位密度が，１×１０４～１０８ｃｍ－２程度であったことは，当業者に周知の事項であるから（乙１の３ないし９，乙５７），乙９発明２において，加工変質層を全て除去すれば，除去後の基板の転位密度が１×１０９ｃｍ－２以下となることは自明である。 したがって，乙９発明２において，技術常識等に基づいて相違点１に係る構成を採用することは，当業者が容易になし得たことであるものと認められる。 (イ) 相違点２について乙９発明２においては，ｎ型ＧａＮ基板のキャリア濃度は限定されていないものの，乙９【０１８６】には，ｎ型ＧａＮ基板の成長時にＳｉ濃度が３×１０１８／ｃｍ３となるようにドーピングすることが記載されている。 他方，前記エ(ウ)において説示したとおり，Ｓｉをドーピングして形成されたｎ型ＧａＮ基板のキャリア濃度とコンタクト抵抗との関係について，乙９発明２と同じ電極材料（Ｔｉ／Ａｌの積層構造）を用いた場合に，不純物濃度が１×１０１７ｃｍ－３を超えると接触比抵抗が１×１０－５Ω・ｃｍ２以下となることは，本件優先日当時，当業者に周知の事項であったと認められる。 そうすると，乙９発明２において，前記(ア)において説示したとおり，相違点１に係る構成を採用してキャリアをトラップする要因となる研磨によって生じた転位を含む加工変質層を全て除去し，転位密度をＧａＮ基板に当初から存在していた値にまで戻した上で，ＧａＮ基板へドーピングするＳｉ等の不純物濃度を３×１０１８／ｃｍ３程度にすることによ- 32 -り，コンタクト抵抗が少なくとも０．０５（＝５×１０－２）Ω・ｃｍ２以下となるようにすることは当業者であれば容易になし得たことと認められる。 を３×１０１８／ｃｍ３程度にすることによ- 32 -り，コンタクト抵抗が少なくとも０．０５（＝５×１０－２）Ω・ｃｍ２以下となるようにすることは当業者であれば容易になし得たことと認められる。 カ控訴人の主張等について(ア) 控訴人は，ＧａＮ以外の他の半導体基板でレーザ素子を作製する場合には，基板に電極を形成する際に，アニーリングによって電極金属と半導体基板が融合して合金化し，オーミックコンタクトが形成されていたから，コンタクト抵抗が高くなるという課題は存在しておらず，したがって，基板裏面を研磨してｎ側電極を形成した場合，転位によりコンタクト抵抗が高くなるという技術課題は，ＧａＮ基板を使用してレーザ素子を製造することを実際に行って初めて認識できるものであり，このような課題の認識がなければ，ＧａＮ基板裏面を機械研磨して鏡面仕上げした後に，別のエッチングやＣＭＰ工程を行って，研磨面より下の層を除去する動機はないなどと主張する。 しかし，仮に控訴人が主張するように，ＧａＮ以外の従来の半導体基板を用いたレーザ素子において，電極形成後のアニーリングによる合金化によってオーミックコンタクトの形成が可能であったために，機械研磨後の加工変質層の除去する必要性が認識されておらず（少なくとも必須のものであるとの認識はされておらず），加工変質層除去の必要性がＧａＮで初めて認識された事項であったとしても，前記イのとおり，乙９には，ＧａＮの電極形成面につき，鏡面仕上げがされた研磨面（当業者であれば，その下に転位を含む加工変質層が存在すると認識し得ることは前記オにおいて認定したとおりである。）について，更にコンタクト抵抗低減のためにエッチングを要することが記載されているのであるから，本件優先日前に，少なくともＧａＮ基板裏面に関しては，電極を とは前記オにおいて認定したとおりである。）について，更にコンタクト抵抗低減のためにエッチングを要することが記載されているのであるから，本件優先日前に，少なくともＧａＮ基板裏面に関しては，電極を形成する場合であっても，機械研磨をして鏡面仕上げを行えば足りるわ- 33 -けではなく，コンタクト抵抗増大等の問題を解決するため，それ以上に別のエッチングやＣＭＰ工程を行って研磨面より下の層を除去する必要があることを容易に認識することが可能であったということができる。 よって，控訴人の上記主張は採用することができない。 (イ) 控訴人は，どのような加工変質層が実際に除去されていたかは，半導体の種類や，加工変質層の種類にもよるし，とりわけ除去によって解決すべき課題が認識されているかどうかによるのであるから，抽象的に転位を含む領域が加工変質層に含まれるとしても，直ちに加工変質層を除去することにつながるものではない旨主張する。 しかし，仮に，半導体基板の種類や用途等により，その用途で用いるために加工変質層を除去すべき程度が異なり得る（その結果，加工変質層を全て取り除かなくても，当該用途に用いるに十分な半導体基板を得ることができる。）としても，これを全て取り除くことにより課題を解決できることを認識すること自体の妨げとなるものではない。そして，当業者としては，ＧａＮ基板の裏面について，コンタクト抵抗増大の問題等に対処するため，加工変質層を除去する必要があることを認識し得たことは前記オにおいて説示したとおりなのであるから，そのような認識を有する当業者としては，どの程度まで加工変質層を除去すべきなのかが明らかではないのであれば，念のため全部除去するという判断に至るのが通常であるし，このような判断に至ることの妨げとなるような事情 識を有する当業者としては，どの程度まで加工変質層を除去すべきなのかが明らかではないのであれば，念のため全部除去するという判断に至るのが通常であるし，このような判断に至ることの妨げとなるような事情があったことを認めるに足りる証拠はない。 よって，控訴人の上記主張は，当裁判所の上記認定判断の妨げになるものではない。 (ウ) 控訴人は，ＧａＮを含む半導体の分野において，電極形成前に深い位置に生じる転位を含む加工変質層を完全に除去することは技術常識ではないとか，被控訴人の提出する文献に，「加工変質層がコンタクト抵- 34 -抗を上昇させる」という当業者の認識を示す記載は存在しないし，「ＧａＮ」，「転位」，「コンタクト抵抗」のどの語の記載も存在しないのであって，被控訴人の上記の技術常識に関する主張はこれらの語の上位概念である「半導体」，「加工変質層」，「電気的特性」の語を根拠とするにすぎない，などと主張する。 しかし，当裁判所の上記認定判断が，控訴人の主張するように，上記の上位概念から規定される技術的事項に基づき，本件特許発明２が乙９発明２に基づいて容易に発明できるものと単純に結論するものではないことは，前記エ及びオにおいて説示したところに照らし明らかであって，控訴人の上記主張は採用することができない。 また，控訴人は，本件優先日当時の当業者において，転位に電子キャリアがトラップされ，その分だけ電子キャリア濃度が下がり，その分だけコンタクト抵抗が上昇する可能性を観念できるとしても，それが，素子の製造において技術課題となり，転位の除去を必要とする程度のコンタクト抵抗の上昇を引き起こす可能性のあることを容易に知り得たものではないとか，ｎ型ＧａＮ半導体では結晶欠陥により電子キャリア濃度が増大するという知見（甲５８参照）が存在するので 要とする程度のコンタクト抵抗の上昇を引き起こす可能性のあることを容易に知り得たものではないとか，ｎ型ＧａＮ半導体では結晶欠陥により電子キャリア濃度が増大するという知見（甲５８参照）が存在するので，本件優先日前の当業者は，ＧａＮ基板を機械研磨して転位が生じると，むしろ，基板の研磨面近傍のＧａＮ半導体としての電気抵抗は低くなると考えるはずである，などと主張する。 しかし，ＧａＮ系化合物半導体において，転位がキャリアをトラップし，その結果，キャリア濃度が低下することを技術常識として認識している当業者であれば，乙９発明２に接した際には，転位を除去する必要性につき容易に想到し得ることは前記オにおいて説示したとおりである。 また，控訴人の指摘する甲５８には，「窒化物半導体では結晶欠陥が- 35 -多いものは，結晶欠陥が少ないものよりもキャリア濃度が大きくなる傾向がある」と記載（【００１２】）されているが，その一方で，結晶欠陥の数が多い領域を含む第２の窒化物半導体層４（【００３１】，【００３２】）にｎ電極を形成する実施例（実施例３，７）のみならず，結晶欠陥の数が多い領域を有さないｎ型バッファ層１１（＝兼ｎ側コンタクト層）（【００３３】）にｎ電極を形成する実施例（実施例１，２，４～６）も記載されているから，本件優先日当時，結晶欠陥の多い領域に電極を形成することが，当業者の唯一の選択肢であったとはいえない。 そうすると，甲５８は，コンタクト抵抗が素子の製造において技術課題となり，転位の除去を必要とする程度に，コンタクト抵抗の上昇が引き起こされる可能性があることなどは知り得ないとの控訴人の主張の根拠となるものとはいえない。 よって，控訴人の上記主張は採用することができない。 (エ) 控訴人は，ＧａＮ基板の電極形成面について，本件優先日前に加 性があることなどは知り得ないとの控訴人の主張の根拠となるものとはいえない。 よって，控訴人の上記主張は採用することができない。 (エ) 控訴人は，ＧａＮ基板の電極形成面について，本件優先日前に加工変質層を除去していたことを示す文献は存在しないし，被控訴人が低転位密度とした面に電極を形成することが技術常識であったことの根拠として提出する文献には，本件各特許発明を示唆する技術事項（機械研磨の後に電極を形成した場合のコンタクト抵抗の増大の認識や，コンタクト抵抗の増大の原因が転位であること）の記載はないなどと主張する。 しかし，ＧａＮ系化合物半導体においても，機械研磨により，転位を含む加工変質層が生じることが本件優先日当時の当業者の技術常識であったことは前記エにおいて説示したとおりであり，この点がＧａＮ系化合物半導体の電極形成面においては異なると理解すべき根拠もない。 また，乙９発明２に技術常識を踏まえると本件特許発明２を容易に想到し得ることは前記オのとおりである以上，低転位密度とした面に電極を形成することが技術常識と認定できるかどうかは問題とはならない。 - 36 -よって，控訴人の上記主張は採用することができない。 (オ) なお，控訴人は，被控訴人主張の技術常識が存在するとの点は甲３５判決によっても退けられている旨主張する。 甲３５判決は，当該訴訟における原告（本件における被控訴人）が「技術事項２」として主張した「ＧａＮ基板を機械研磨すると，ＧａＮ基板内部に当業者が「ダメージ」等と呼称し，また，本件発明（判決注・本件特許１の請求項１ないし８に係る発明）では「転位」と呼称されている，透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）で観察される結晶欠陥が生じること」及び「技術事項３」として主張した「電極形成前に，「転位」（当業者がいう「ダメ 請求項１ないし８に係る発明）では「転位」と呼称されている，透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）で観察される結晶欠陥が生じること」及び「技術事項３」として主張した「電極形成前に，「転位」（当業者がいう「ダメージ」等）・・・をエッチングなどで除去すること（その結果，エッチング後の基板の転位密度が，元の転位密度に戻っていること）」についていずれも周知の技術であったと認めることはできない旨判断している。 しかし，甲３５判決は，当該訴訟の原告(本件における被控訴人)が提出した各証拠に記載されていた，半導体素子の製造過程において基板の研磨後に除去されたという表面歪み，ダメージ及びダメージ層等が，加工変質層のどの部分までを指すものであるかは自明ではなく，これらが結晶中の深くまで生じ得る原子レベルの線状の結晶欠陥である転位を含むものとして用いられているか否かは不明であると判断しており（甲３５判決３４～３７頁参照），このことを前提として，上記各技術事項が周知技術とは認められないと判断したにすぎない。 これに対し，本件においては，甲３５判決に係る訴訟において提出されていなかった証拠も踏まえ，前記エにおいて認定したとおりの加工変質層に関する技術常識等を認定し，容易想到性の有無を判断しているものであるから，本判決の判断は甲３５判決の判断と矛盾するものではない。 - 37 -よって，控訴人の上記主張は採用することができない。 なお，控訴人は，被控訴人の技術常識に関する主張はその法的位置付けが不明であるなどとも主張するが，その主張内容に鑑みれば，被控訴人は，技術常識を踏まえると，本件各特許発明につき，乙９発明等の被控訴人が引用例として主張する発明に基づき新規性又は進歩性を欠く旨の主張をしていることが明らかである。 (カ) 控訴人は， 人は，技術常識を踏まえると，本件各特許発明につき，乙９発明等の被控訴人が引用例として主張する発明に基づき新規性又は進歩性を欠く旨の主張をしていることが明らかである。 (カ) 控訴人は，乙９は，第１半導体層の裏面側を研磨して所定の厚さにした後，その表面歪みや酸化膜を除去するものであって，相違点１及び相違点２について何ら記載がなく，当該事項に関する示唆すらもないなどとして，乙９発明２から本件特許発明２を想到するのは容易ではない旨主張する。 しかし，前記エにおいて認定した技術常識を踏まえると，乙９発明２から本件特許発明２を容易に想到し得たことは前記オにおいて説示したとおりである。 よって，控訴人の上記主張は採用することができない。 (キ) なお，乙３３【００４４】には，ＧａＮ単結晶基板を機械研磨することにより発生する加工変質層を除去するために，化学研磨や，メカノケミカル研磨（ＣＭＰを意味するものと解される。）を用いることが必要であるが，加工変質層を完全に除去することは難しく，特に研磨傷部に入ったやや深い加工変質層は除去が難しいこと，【００４５】には，研磨表面の欠陥をなくすために，研磨時間を大きく取り，研磨傷の低減を図っても，研磨によるピットが深くなることがあること，【００５４】には，実施例としてＧａＮ単結晶基板に機械研磨，メカノケミカル研磨を施し，ノマルスキー型顕微鏡で観察したところ，高倍率において基板表面に細かい研磨傷や欠陥が認められたこと等が記載されている。 しかし，乙３３に記載された発明は，機械研磨を行いダメージが導入- 38 -されたＧａＮ単結晶基板につき，化学研磨等をするのではなく，アンモニアガスを含む混合ガス雰囲気中で加熱すること等により，ＧａＮ基板上に良好な窒化物系化合物 械研磨を行いダメージが導入- 38 -されたＧａＮ単結晶基板につき，化学研磨等をするのではなく，アンモニアガスを含む混合ガス雰囲気中で加熱すること等により，ＧａＮ基板上に良好な窒化物系化合物半導体層を形成するものであって（【００１３】，【００１４】），ＧａＮ単結晶基板を化学研磨ないしはメカノケミカル研磨することは，上記の発明の課題解決手法の前提として記載されている内容であるにとどまる。また，【００４４】には，化学研磨ないしはメカノケミカル研磨をする際の条件や研磨の量等の記載はないし，【００５４】にも機械研磨及びメカノケミカル研磨の条件等は何ら記載がないのであって，他の条件であっても同様であるのかどうかも不明である。加えて，ＣＭＰは，化学的な研磨と機械的な研磨の両方を目的に応じて所望の割合で作用させることができる研磨方法で，化学的な研磨の作用の割合が大きいと，研磨効率は下がるが，機械研磨の作用による材料の変質を抑えることができるというものである（控訴理由書２３頁）ことも併せ考えると，乙３３【００４４】の記載のみをもって，どのような条件であっても機械研磨によって生じた加工変質層を完全に除去することが不可能であるとか，困難であるとまで述べているものとまでは解し難い。かえって，上記記載によれば，条件は明らかではないものの，少なくとも乙３３における研磨方法によっては，加工変質層を完全に除去することができていないことを述べているにすぎないものとも解し得る。 また，【００４５】の記載についても，上記のＣＭＰの特徴に加え，【００４５】には，ピットの発生原因は明らかではないとされながらも，その発生原因として研磨条件も挙げられていることに照らすと，上記記載をもって，加工変質層を除去することが常に困難であることを示すものとはいえな には，ピットの発生原因は明らかではないとされながらも，その発生原因として研磨条件も挙げられていることに照らすと，上記記載をもって，加工変質層を除去することが常に困難であることを示すものとはいえない。 以上によれば，乙３３の上記各記載は，前記オ(ア)の認定を左右する- 39 -ものではないというべきである。 キ小括その余の控訴人が種々主張する点はいずれも上記認定を左右するものではない。 よって，本件特許発明２は，乙９発明２に基づいて容易に想到し得たものであるから，本件特許２の請求項１は特許無効審判により無効にされるべきものと認められる。 (2) 乙９に基づく本件特許発明１及び１－２の進歩性の欠如の有無についてア本件特許発明１及び１－２と本件特許発明２の対比(ア) 本件特許発明１及び１－２と本件特許発明２の各構成要件を対比すると，以下のとおりの対応関係となる。 ａ 本件特許発明１及び１－２のＡ１と本件特許発明２のＡ２ｂ 本件特許発明１及び１－２のＢ１と本件特許発明２のＤ２ｃ 本件特許発明１及び１－２のＣ１と本件特許発明２のＣ２のうち「・・・前記第１半導体層の裏面の転位密度を１×１０９ｃｍ－２以下とする第３工程」の部分ｄ 本件特許発明１及び１－２のＤ１と本件特許発明２のＥ２ｅ 本件特許発明１及び１－２のＥ１と本件特許発明２のＦ２ｆ 本件特許発明１－２のＦ１と本件特許発明２のＢ２及びＣ２のうち「前記第１工程及び前記第２工程の後，前記研磨により発生した転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域を除去して・・・」の部分(イ) もっとも，①本件特許発明２には，本件特許発明１及び１－２のＡ１の「ウルツ鉱構造を有する」に対応する記載がなく，②転位密 転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域を除去して・・・」の部分(イ) もっとも，①本件特許発明２には，本件特許発明１及び１－２のＡ１の「ウルツ鉱構造を有する」に対応する記載がなく，②転位密度の記載が，本件特許発明１及び１－２ではＣ１の「・・・界面近傍における転位密度は・・・」と記載されている一方で，本件特許発明２では，Ｃ２の「・・・第１半導体層の裏面の転位密度を・・・」と記載されてい- 40 -る点で異なっている。 イ本件特許発明１及び１－２と乙９から認定できる窒化物系半導体素子の発明の対比上記アの点並びに前記(1)イ及びウにおいてした乙９発明２の認定及び本件特許発明２と乙９発明２の相違点を踏まえると，本件特許発明１及び１－２と乙９から認定できる窒化物系半導体素子の発明とは，前記(1)ウにおいて認定した本件特許発明２と乙９発明２の相違点１（ただし，前記アのとおり，本件特許発明１及び１－２では，「・・・界面近傍における転位密度は・・・」と記載されている。）及び相違点２に加え，本件特許発明１及び１－２では，窒化物系半導体基板につきウルツ鉱構造を有することが特定されているが，乙９にはそのような明記がない点で異なっているといえる。 そして，本件特許発明２と乙９発明２の相違点１及び２に係る構成について容易に想到し得ることは前記(1)オにおいて説示したとおりであって，同様の理由により，本件特許発明１及び１－２と乙９から認定できる窒化物系半導体素子の発明の相違点１及び２に係る構成も容易に想到し得るものであると認められる。なお，前記(1)オ(ア)において説示したとおり，機械研磨後に基板の転位密度に回復するまでエッチング除去することが容易に想到し得たものであるから，転位密度の測定箇所が界面近傍（本件特許 と認められる。なお，前記(1)オ(ア)において説示したとおり，機械研磨後に基板の転位密度に回復するまでエッチング除去することが容易に想到し得たものであるから，転位密度の測定箇所が界面近傍（本件特許発明１及び１－２）であっても，裏面（界面）（本件特許発明２）であっても，転位密度が１×１０９ｃｍ－２以下になっていることは明らかであるから，本件特許発明１及び１－２では，「・・・界面近傍における転位密度は・・・」とされている点は上記認定を左右するものではない。 また，乙９には窒化物系半導体基板がウルツ鉱構造（六方晶）であることの明記がされていないものの，結晶の面方位を表すミラー指数が立方晶用ではなく，六方晶用の記載になっていることに照らすと，乙９もウルツ- 41 -鉱構造の窒化物系半導体基板を前提とするものと認められる（控訴人も，被控訴人が，本件特許発明１及び１-２との対比に当たり，乙９発明１につき，「ウルツ鉱構造を有するｎ型の窒化物系半導体基板からなる第１半導体層」との構成を有すると主張したことについて，特に争っていない。）。 ウ小括以上によれば，本件特許発明１及び１－２は，乙９から認定できる窒化物系半導体素子の発明に基づいて容易に想到し得たものであるから，本件特許１の請求項１及び５は特許無効審判により無効にされるべきものと認められる。 なお，前記第２の１(4)イのとおり，無効２０１３－８０００９９号事件の審判手続において，本件特許１の請求項１に関し，「（ただし，機械研磨を行わずにエッチングにより第１半導体層の一部を除去して，露出した第１半導体層の裏面にｎ側電極を形成する工程を含む製造方法で製造された窒化物系半導体素子を除く）」との文言を付加する旨の訂正請求がなされているところ，上記訂正請求が許されるものであ 去して，露出した第１半導体層の裏面にｎ側電極を形成する工程を含む製造方法で製造された窒化物系半導体素子を除く）」との文言を付加する旨の訂正請求がなされているところ，上記訂正請求が許されるものであることを前提としたとしても，以上に判示したところに照らすと，上記の結論に変わりはない。 (3) 争点(4)についての結論以上によれば，本件各特許（本件特許１の請求項１及び５並びに本件特許２の請求項１）には無効理由があるとの被控訴人の主張には理由がある。 ２ 結論以上によれば，その余の点について判断するまでもなく，控訴人の本件請求は理由がない。 よって，控訴人の請求をいずれも棄却した原判決はその結論において相当であって，本件控訴は理由がないから，これを棄却することとし，主文のとおり判決する。 - 42 -知的財産高等裁判所第３部 裁判官田中正哉 裁判官神谷厚毅 裁判長裁判官鶴岡稔彦は，差支えのため署名押印することができない。 裁判官田中正哉

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