- 1 -平成２１年２月２６日判決言渡平成２０年（行ケ）第１０２３６号審決取消請求事件口頭弁論終結日平成２１年２月１９日判決原告ゼロックスコーポレイション訴訟代理人弁理士中島淳同加藤和詳同山本隆雄同設楽修一被告特許庁長官指定代理人西村直史同服部秀男同岩崎伸二同酒井福造主文 原告の請求を棄却する。 訴訟費用は原告の負担とする。 この判決に対する上告及び上告受理申立てのための付加期間を３０日と定める。 事実及び理由 第１請求特許庁が不服２００６－１０６６号事件について平成２０年２月１２日にした審決を取り消す。 第２事案の概要，「」 本件は原告が名称をアクティブマトリックス液晶ディスプレイデバイスとする後記発明につき特許出願をしたところ，拒絶査定を受けたので，これを- 2 -不服として審判請求をしたが，特許庁が請求不成立の審決をしたことから，その取消しを求めた事案である。 争点は，原告の後記発明（本願発明）が下記引用例に記載された発明との関係で進歩性（特許法２９条２項）を有するか，である。 記・引用例：特開昭６２－２２３７２７号公報（発明の名称「液晶パネル，出」願人セイコーエプソン株式会社，公開日昭和６２年１０月１日。以下「刊行物１」といい，同記載の発明を「引用発明」という。甲３）第３当事者の主張 請求の原因(1)特許庁における手続の経緯，（）（），原告は平成７年１９９５年５月３１日の優先権米国を主張して平成８年５月２３日，名称を「アクティブマトリックス液晶ディスプレイデバイス」とする発明につき特許出願（特願平８－１２７５８３号。請求項の数１。以下「本願」とい ５月３１日の優先権米国を主張して平成８年５月２３日，名称を「アクティブマトリックス液晶ディスプレイデバイス」とする発明につき特許出願（特願平８－１２７５８３号。請求項の数１。以下「本願」という。公開特許公報〔特開平８－３２８０４０〕は甲），，（。 。 をしその後平成１７年９月２１日付け第１次補正請求項の数１甲２）で特許請求の範囲の変更を内容とする補正をしたが，拒絶査定を受けたので，不服の審判請求をした。 同請求は不服２００６－１０６６号事件として審理され，その中で原告は平成１８年２月１０日付けで特許請求の範囲の変更を内容とする補正（第２次補正。請求項の数７。以下「本件補正」という。甲６）をしたが，特許庁は，平成２０年２月１２日，本件補正を却下した上「本件審判の請求は，，成り立たない」との審決（出訴期間として９０日附加）をし，その謄本は平成２０年２月２６日原告に送達された。 (2)発明の内容平成１７年９月２１日付け第１次補正に係る特許請求の範囲は，前記のと- 3 -，（「」。）おり請求項１から成るがそこに記載された発明以下本願発明というは，次のとおりである。なお，審決において第２次補正は却下されたが，原告は本訴においてそれを争っていないので，同補正後の発明の記載は省略する。 「請求項１】【基板を覆って形成された複数のゲートラインと，前記基板を覆って形成された複数のデータラインと，前記基板を覆って形成された複数の画素電極と，を備え，前記複数の画素電極の各々の周縁部は，少なくとも前記ゲートラインの一部及び前記データラインの一部にオーバーラップしており，さらに，前記ゲートラインを覆って形成された複数のトランジスタを備え，前記ゲートラインの各々が複数のセグメントを有し，各ゲートラインの前記複数の 及び前記データラインの一部にオーバーラップしており，さらに，前記ゲートラインを覆って形成された複数のトランジスタを備え，前記ゲートラインの各々が複数のセグメントを有し，各ゲートラインの前記複数のセグメントの各々が前記複数のトランジスタのうちの１つのトランジスタのゲート電極であることを特徴とするアクティブマトリックス液晶ディスプレイデバイス」。 (3)審決の内容ア審決の詳細は，別添審決写しのとおりである。 その理由の要点は，①本件補正は，請求項の削除，特許請求の範囲の減縮，誤記の訂正，明りょうでない記載の釈明のいずれにも該当しないから却下すべきである，②本願発明は，前記引用発明及び周知技術（その一つとして「刊行物２：特開平７－６６４１９号公報〔発明の名称「液晶表，」示装置，出願人京セラ株式会社，公開日平成７年３月１０日，甲４〕」を引用）に基づいて当業者が容易に発明をすることができたから特許法２９条２項により特許を受けることができない，というものである。 イなお審決は，引用発明の内容，本願発明と引用発明との一致点及び相違点を，次のとおりとした。 - 4 -〈引用発明の内容〉「絶縁基板上にゲート電極配線２を行った後，その上に層間絶縁膜，さらにソース線３を形成し，前記ゲート電極配線２及び前記ソース線３が格子状に形成され，その交点にトランジスタを形成したアクティブマトリクス基板の上に複数の画素電極４を形成し，前記複数の画素電極４の各々の周縁部は，前記ゲート電極配線２の一部及び前記ソース線３の一部にオーバーラップしてなる液晶パネル」。 〈一致点〉本願発明と引用発明とは，「基板を覆って形成された複数のゲートラインと，前記基板を覆って形成された複数のデータラインと，前記基板を覆って形成された複数の画素電極と，を備え，前記複数 〈一致点〉本願発明と引用発明とは，「基板を覆って形成された複数のゲートラインと，前記基板を覆って形成された複数のデータラインと，前記基板を覆って形成された複数の画素電極と，を備え，前記複数の画素電極の各々の周縁部は，少なくとも前記ゲートラインの一部及び前記データラインの一部にオーバーラップしており，さらに，複数のトランジスタを備えていることを特徴とするアクティブマトリックス液晶ディスプレイデバイス」。 である点で一致する。 〈相違点〉本願発明は，ゲートラインを覆って形成された複数のトランジスタを備え，前記ゲートラインの各々が複数のセグメントを有し，各ゲートラインの前記複数のセグメントの各々が前記複数のトランジスタのうちの１つのトランジスタのゲート電極であるのに対して，引用発明のトランジスタはこのような構成を有しない点。 (4)審決の取消事由しかしながら，審決には以下のとおりの誤りがあるから，審決は違法として取り消されるべきである。 - 5 -ア取消事由１（刊行物２記載発明の認定誤り）(ｱ)薄膜トランジスタは，ゲート電極，ソース電極及びドレイン電極の３つの電極を備えており，これらの電極と兼用される部位又はこれらの電極に接続される部位が重要である。 この点，審決が周知例として挙げた前記特開平７－６６４１９号公報（刊行物２，甲４）には，画像信号配線兼薄膜トランジスタのソース電極及び画素電極兼薄膜トランジスタのドレイン電極が最上層に形成され，薄膜トランジスタのソース電極が画像信号配線と兼用で，かつドレイン電極が画素電極と兼用であることが記載されており甲４・段落０（【００９，図８，図９参照，そのソース電極及びドレイン電極は，単な】）るソース電極及びドレイン電極ではなく「画像信号配線兼薄膜トラン，ジスタのソース電極 ことが記載されており甲４・段落０（【００９，図８，図９参照，そのソース電極及びドレイン電極は，単な】）るソース電極及びドレイン電極ではなく「画像信号配線兼薄膜トラン，ジスタのソース電極及び画素電極兼薄膜トランジスタのドレイン電極」である。 他方，刊行物１（甲３，引用発明）に記載された液晶パネルは，複数の画素電極が最上層に形成されている。 このように，両装置の構成は全く異なるにもかかわらず，審決はその構成の相違を何ら考慮することなく，画像信号配線及び画素電極を無視して刊行物２に記載された発明を認定し，これを前提に判断した点に誤りがある。 (ｲ)審決は，周知技術の例として，乙１公報（特開平６－３３２０１０号公報）及び乙２公報（特開平５－１１９３５０号公報）を挙げるとこ，，，，ろ乙１公報に記載の技術は既成のゲート電極配線２ソース配線８ソース電極８’及びドレイン電極９’をマスクとする自己整合方式により絵素電極９を形成する技術であり（段落【００３６，この方式では】）絵素電極９を形成する際にゲート電極配線２がマスクとして使用されるため，絵素電極９とゲート電極配線２とをオーバラップさせることがで- 6 -きない。 このように，乙１公報に記載の技術は，本願発明のように「前記複数の画素電極の各々の周縁部は，少なくとも前記ゲートラインの一部及び前記データラインの一部にオーバラップ」している技術に適用することができない技術であるから，容易想到性を判断する際の周知技術の例示として挙げるのは適切ではない。 そうすると，審決には周知技術の例として刊行物２及び乙２公報のわずか二つしか挙げられていないこととなり，これをもって周知技術ということはできない。 イ取消事由２（本願発明の進歩性判断の誤り）審決は，刊行物２（甲４）を周知技 の例として刊行物２及び乙２公報のわずか二つしか挙げられていないこととなり，これをもって周知技術ということはできない。 イ取消事由２（本願発明の進歩性判断の誤り）審決は，刊行物２（甲４）を周知技術といいながら，実質的に刊行物１を主引例，刊行物２を副引例として取り扱っているところ，刊行物１に記載された液晶パネルは，ゲート電極配線２（タイミング線２）及びソース線３（データ線３）を格子状に形成し，その交点にトランジスタを形成してアクティブマトリックス基板とし，このマトリックス基板上に画素電極４を形成するものである。刊行物１に記載されたマトリックス基板の最上層には，画素電極４が形成されており，ソース線３（データ線３）は画素電極４の下層に形成されている。一方，刊行物２に記載された液晶表示装置は，画像信号配線（刊行物１のソース線３（データ線３）に相当する）及び画素電極（刊行物１の画素電極４に相当する）を同時に形成する液晶表示装置であるため，刊行物２に記載された液晶表示装置の最上層には，画像信号配線及び画素電極が形成されている。すなわち，刊行物１に記載された液晶パネルと刊行物２に記載された液晶表示装置とは，製造手順も層構成も異なるものである。 また，刊行物２に記載された最上層に画像信号配線及び画素電極が形成された液晶表示装置は，刊行物１の従来技術において，画像信号配線と画- 7 -素電極との間に形成された間隙のため，画素電極の占有率が低下し，このために液晶パネルのコントラスト比が低下したり，透過率が低下したりするという問題点を有することから，刊行物１に記載された発明では採用することが否定されている。 このように，刊行物１に記載された発明に刊行物２に記載された周知技術を組み合わせることに関して阻害要因があるから，刊行物１に記載された発明の液晶 に記載された発明では採用することが否定されている。 このように，刊行物１に記載された発明に刊行物２に記載された周知技術を組み合わせることに関して阻害要因があるから，刊行物１に記載された発明の液晶パネルに刊行物２に記載された液晶表示装置を組み合わせることはできず，刊行物１に記載された発明の液晶パネルのトランジスタに代えて従来周知の薄膜トランジスタの技術を適用することについては格別の困難性がある。 したがって，本願発明は刊行物１に記載された発明及び従来周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 なお，被告は本件訴訟になって周知技術の例として乙３公報（特開平６－１６０９００号公報）を追加するが，乙３公報については審査及び審判において何ら反論の機会が与えられていないから，これを周知技術の例示として挙げるのは不適切である。 請求原因に対する認否請求原因(1)ないし(3)の各事実はいずれも認めるが，同(4)は争う。 被告の反論審決の認定判断は正当であり，原告主張の取消事由はいずれも理由がない。 (1)取消事由１に対しア原告は，刊行物２には「画像信号配線兼薄膜トランジスタのソース電極及び画素電極兼薄膜トランジスタのドレイン電極」である液晶表示装置についての発明が記載されているとして，審決がその構成の相違を考慮することなく刊行物２記載の発明を認定したことが誤りである旨主張する。 しかし，審決は「…ゲートラインを覆って形成された複数のトランジ，- 8 -スタを備え，ゲート電極を形成するためにゲートラインから延出する付加的構造を有しないでゲートライン自体を複数のトランジスタのゲート電極として用いること（７頁１３行～１６行）を「この種アクティブマトリ」クス型液晶表示装置において従来周知の技術（周知技術）とし，上 的構造を有しないでゲートライン自体を複数のトランジスタのゲート電極として用いること（７頁１３行～１６行）を「この種アクティブマトリ」クス型液晶表示装置において従来周知の技術（周知技術）とし，上記周」知技術の一例として刊行物２の記載事項を摘記しているところであって，刊行物２に記載された発明を認定しているのではない。 したがって，原告の上記主張は，刊行物２に記載された液晶表示装置と刊行物１に記載された発明（引用発明）の構成にのみ基づき，審決が行っていない発明の認定に対してその誤りを主張するものであり，審決を正解しないものである。 イまた，原告は，審決が，アクティブマトリックス型液晶表示装置において「…ゲートラインを覆って形成された複数のトランジスタを備え，ゲ，ート電極を形成するためにゲートラインから延出する付加的構造を有しないでゲートライン自体を複数のトランジスタのゲート電極として用いること（７頁１３行～１６行）が周知技術であると認定したことが誤りであ」る旨主張するが，以下のとおり審決の認定に誤りはない。 (ｱ)刊行物２に記載された技術事項審決は刊行物２の記載に関して刊行物２の段落０００９の画，，【】「像信号配線兼薄膜トランジスタのソース電極２５」及び「画素電極兼薄膜トランジスタのドレイン電極２６」の記載を踏まえて，刊行物２の図６，図９及び図１０に記載された技術事項を読み取っており，これらの図面において「画像信号配線兼薄膜トランジスタのソース電極２５」，及び「画素電極兼薄膜トランジスタのドレイン電極２６」における半導体層２７上のそれぞれの領域が，それぞれ薄膜トランジスタの「ソース電極「ドレイン電極」に相当することは技術上明らかである。 」，以上を踏まえれば，刊行物２から，液晶表示装置において「薄膜ト 半導体層２７上のそれぞれの領域が，それぞれ薄膜トランジスタの「ソース電極「ドレイン電極」に相当することは技術上明らかである。 」，以上を踏まえれば，刊行物２から，液晶表示装置において「薄膜ト，- 9 -ランジスタは，走査信号配線上に形成され，ゲート電極を形成するために走査信号配線から延出する付加的構造を有しないで，走査信号配線の一区分を薄膜トランジスタのゲート電極と」する技術事項を読み取ることができる。 (ｲ)乙１公報に記載された技術事項（。 審決が周知例として挙げた乙１公報特開平６－３３２０１０号公報「」，，発明の名称表示基板およびその製造方法出願人シャープ株式会社公開日平成６年１２月２日）には，表示基板において「薄膜トラン。 ，ジスタはゲート電極配線１２上に形成され，ゲート電極配線１２はゲート電極を形成するためにゲート電極配線１２から延出する付加的構造を有さず，ゲート電極配線１２の一区分が薄膜トランジスタのゲート電極とされ」る旨の技術事項が記載されている（段落【０００２】～【０００４，図６，図７。 】）(ｳ)乙２公報に記載された技術事項（。 審決が周知例として挙げた乙２公報特開平５－１１９３５０号公報発明の名称「液晶表示装置，出願人シャープ株式会社，公開日平成」５年５月１８日）には，液晶表示装置において「ＴＦＴ２５は走査電。 ，極線１２上に形成され，走査電極線１２はゲート電極を形成するために前記走査電極線１２から延出する付加的構造を有さず，走査電極線１２の一区分がＴＦＴ２５のゲート電極とされ」る旨の技術事項が記載されている（段落【００４９】～【００５３，図１，図６。 】）(ｴ)乙３公報に記載された技術事項審決が周知例として挙げたもののほか，乙３公報（特開平６－１６０。 「」，， 技術事項が記載されている（段落【００４９】～【００５３，図１，図６。 】）(ｴ)乙３公報に記載された技術事項審決が周知例として挙げたもののほか，乙３公報（特開平６－１６０。 「」，，９００号公報発明の名称液晶表示装置出願人三洋電機株式会社公開日平成６年６月７日）には，液晶表示装置において「トランジ。 ，スタは，ゲートライン１１上に形成され，ゲートライン１１は，ゲート- 10 -を形成するためにゲートライン１１から延出する付加的構造を有しないで，ゲートライン１１の一区分がトランジスタのゲートとされ」る旨の技術事項が記載されている（請求項２，図１，図２。 【】）(ｵ)以上によれば，刊行物２（甲４）及び乙１公報～乙３公報には，審決が周知技術として認定した「ゲートラインを覆って形成された複数，のトランジスタを備え，ゲート電極を形成するためにゲートラインから延出する付加的構造を有しないでゲートライン自体を複数のトランジスタのゲート電極として用いること」が記載されているといえるから，その周知技術の認定に誤りはない。 (2)取消事由２に対しア原告は，刊行物１に記載された発明に刊行物２に記載された液晶表示装置の薄膜トランジスタを適用する際に阻害要因があると主張するが，上記(1)のとおり，審決は周知技術の一例として刊行物２，乙１公報，乙２公報を挙げているのであって，刊行物１に記載された発明に刊行物２に記載された液晶表示装置を適用することによって，進歩性の判断を行っているのではない。 したがって，原告の上記主張は審決が行っていない判断の誤りを主張するものであるので，失当である。 イまた，上記(1)イのとおり，審決が認定した周知技術に誤りはなく，これによれば，乙１公報～乙３公報に記載された液晶表示装置においては，い いない判断の誤りを主張するものであるので，失当である。 イまた，上記(1)イのとおり，審決が認定した周知技術に誤りはなく，これによれば，乙１公報～乙３公報に記載された液晶表示装置においては，いずれも画素電極はドレイン電極又はソース電極に接続されるものであって，画素電極とトランジスタのドレイン電極またはソース電極と兼用されていないものであるといえ，また，乙２公報及び乙３公報に記載された表，。 示装置は画像信号線の上層に画素電極が形成されるものであるといえるそうすると，審決が周知技術として認定した「ゲートラインを覆って形成された複数のトランジスタを備え，ゲート電極を形成するためにゲート- 11 -ラインから延出する付加的構造を有しないでゲートライン自体を複数のトランジスタのゲート電極として用いること」は，原告が主張するように，「ドレイン電極が画素電極と兼用されているもの」や「最上層に画像信号配線と画素電極が形成されているもの」に限られたものではなく，薄膜トランジスタを備えた表示装置において，広く採用されている周知技術といえるものである。 したがって，引用発明に上記周知技術を適用することに何ら妨げはない，，。 から原告主張には理由がなく審決における進歩性の判断に誤りはない第４当裁判所の判断 請求原因(1)（特許庁における手続の経緯，(2)（発明の内容，(3)（審決））の内容）の各事実は，いずれも当事者間に争いがない。 本願発明の意義(1)本願の第１次補正後の特許請求の範囲「請求項１（本願発明）は，前記」第３，１(2)のとおりである。 (2)また本願明細書（公開公報，甲１）には，次の記載がある。 ア発明の属する技術分野・「本発明は，アクティブマトリックス液晶ディスプレイデバイスに関し，特に，画素電極をゲ )のとおりである。 (2)また本願明細書（公開公報，甲１）には，次の記載がある。 ア発明の属する技術分野・「本発明は，アクティブマトリックス液晶ディスプレイデバイスに関し，特に，画素電極をゲートラインおよびデータラインにオーバーラップし，５マスクディスプレイアーキテクチャを使用してダークマトリックスを一体形成したアクティブマトリックス液晶ディスプレイデバイスに関する（段落【０００１）。」】イ従来の技術及び発明が解決しようとする課題・「アクティブマトリックス液晶ディスプレイ（ＡＭＬＣＤ）は，画素電極の駆動に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を使用することによって，表示品質を向上させる。 ＡＭＬＣＤは，ラップトップコンピュータなど多様な製品の表示部に使用されており，その製造プロセスを簡略にして生産歩留りを向上することに多大な関心がもたれている。これが達成されると，製品の信頼性の向上とともに，製造コストの低減- 12 -が実現される（段落【０００２）。」】・「ＡＭＬＣＤの画素電極は，通常，透明な導電性物質であるインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）の層を有する。最近のＡＭＬＣＤでは，ＩＴＯ層の上に，パッシベーション層を形成している。パッシベーション層の上に液晶材料を配置し，液晶材料の上に共通電極を形成してＡＭＬＣＤは完成する（段落【０００３）。」】・「通常，ＡＭＬＣＤは透明基板の表面上に形成される。ＡＭＬＣＤの画素は，平行な複数のゲートラインと，平行な複数のデータラインとで決定される。ゲートラインとデータラインは互いに垂直であり，基板表面上に画素領域のマトリックスを形成する。各画素領域ごとに画素電極が形成され，それぞれ対応のＴＦＴに接続される（段落【０００４）。」】・「画素電極は導電性であり，かつデータラインとほぼ 板表面上に画素領域のマトリックスを形成する。各画素領域ごとに画素電極が形成され，それぞれ対応のＴＦＴに接続される（段落【０００４）。」】・「画素電極は導電性であり，かつデータラインとほぼ同一の水平レベルに形成されるので，画素電極とデータラインとの間に間隔を設けて，画素電極がデータライ。 ，，ンに接触しないようにする常態で透明な液晶材料では画素電極が駆動されると，。 画素電極とデータラインとの間の間隙から光が逃げディスプレイ品質が低下する一方，常態で不透明の液晶材料では，画素電極とデータラインの隙間の上方に位置する部分の液晶材料は，画素電極の駆動と無関係に，常に不透明である。しかし，多数の画素電極によってデータラインが共有されるため，これら信号ラインに加わる電位によって，信号ライン上の液晶材料の状態が不透明から透明に変わり，これら透明に変化した部分を通って光が逃げる。従って，液晶材料の通常状態が透明であっても不透明であっても，画素電極とデータラインとの間隙から光が逃げ，好ましくない。これを回避するために，従来のＡＭＬＣＤ装置は，共通電極上にダークマトリックスを設けて，画素電極とデータラインとの間隙から漏れる光を遮断していた。このようなダークマトリックスは，許容範囲内の表示品質を得るために，。」（【】）間隙と約５ミクロンでオーバーラップするように構成される段落０００６・「ＩＴＯ層をパッシベーション層の上に配置すると，光の逃げ道となる間隙部分が大きくなる。画素電極とデータラインとを隔てる垂直距離は，パッシベーション- 13 -層が厚くなるほど増加する。ディスプレイ品質を維持するには，共通電極上のダークマトリックス領域を増加させなければならない。しかし，ダークマトリックス領域を増加させると，実行画素領域が狭められ 3 -層が厚くなるほど増加する。ディスプレイ品質を維持するには，共通電極上のダークマトリックス領域を増加させなければならない。しかし，ダークマトリックス領域を増加させると，実行画素領域が狭められることになり，ディスプレイ品質の低下につながる（段落【０００８）。」】ウ課題を解決するための手段・「本発明の目的は，複数のゲートライン及びデータラインを基板にわたって形成し，画素電極の各々の周縁部がゲートラインの一部とデータラインの一部の少なくとも一方にオーバーラップするよう複数の画素電極をゲート及びデータライン上に形成することによってダークマトリックスを形成することである（段落【０００。」９）】・「画素電極は，ゲートライン上に第１の間隔をおき，データライン上に第２の間隔をおいて形成される。画素電極は，ゲートライン上に第１の距離の少なくとも２倍の距離でオーバーラップし，データライン上に第２の距離の少なくとも２倍の距離でオーバーラップして６０°を越える漏れ光の可視角度を達成する段落０，。」（【０１０）】・「本発明の他の目的は，画素電極をゲートラインおよびデータラインにオーバーラップさせることによってダークマトリックスを形成する方法を提供することである（段落【００１１）。」】エ発明の効果・「本発明の液晶ディスプレイデバイスでは，画素電極をデータラインおよびゲートライン上にオーバーラップするように形成することによってダークマトリックスを一体形成し，画素電極間の間隙からの光漏れを防止し，十分な漏れ光可視角度を達成して，表示品質を向上させる。また，ダークマトリックスを，画素電極の形成と共に一体形成するので，製造プロセスの簡略化を計ることができ，信頼性，生産性ともに改善された液晶ディスプレイデバイスの製造 達成して，表示品質を向上させる。また，ダークマトリックスを，画素電極の形成と共に一体形成するので，製造プロセスの簡略化を計ることができ，信頼性，生産性ともに改善された液晶ディスプレイデバイスの製造が提供される（段落【００。」３８）】- 14 -(3)以上によれば，本願発明は，アクティブマトリックス液晶ディスプレイデバイスに関するものである。従来技術においては，画素電極が導電性であり，かつデータラインとほぼ同一の水平レベルに形成されるので，画素電極とデータラインとの間に間隔を設けて，画素電極がデータラインに接触しないように形成されることになるが，その結果，画素電極とデータラインとの間隙から光が逃げ，ディスプレイ品質が低下する等の課題があった。そこで，，本願発明は複数のゲートライン及びデータラインを基板にわたって形成し画素電極の各々の周縁部がゲートラインの一部とデータラインの一部の少なくとも一方にオーバーラップするよう複数の画素電極をゲート及びデータライン上に形成することによってダークマトリックスを一体形成するといった請求項１記載の構成を採用し，もって，画素電極間の間隙からの光漏れを防止し，十分な漏れ光可視角度を達成して，表示品質を向上させるとともに，ダークマトリックスを画素電極の形成と一体形成することで製造プロセスの簡略化を計ることができ，信頼性，生産性ともに改善された液晶ディスプレイデバイスを提供するものである。 周知技術の意義原告は，審決の周知技術の認定が誤りである旨主張するので，取消事由の検討に先立ち，この点について検討する。 (1)刊行物２ア刊行物２（甲４）には，次の記載がある。 ・「０００９】開口率を上げるために，図６に示すように，薄膜トランジスタ【１６を走査信号配線上に形成することが考えられる。 検討する。 (1)刊行物２ア刊行物２（甲４）には，次の記載がある。 ・「０００９】開口率を上げるために，図６に示すように，薄膜トランジスタ【１６を走査信号配線上に形成することが考えられる。薄膜トランジスタ１６を走査信号配線１３上に形成した場合の薄膜トランジスタ１６周辺部の拡大図を図７に，また図７のＡ－Ａ’断面図を図８に示す。さらに，他の例を図９に，’。 ，，また図９のＡ－Ａ断面図を図１０に示す図７ないし図１０において ２４は走査信号配線兼薄膜トランジスタのゲート電極，１８，２５は画像信号- 15 -配線兼薄膜トランジスタのソース電極，１９，２６は画素電極兼薄膜トランジスタのドレイン電極，２０，２７は薄膜トランジスタの半導体層，２１，２８は絶縁層，２２，２９はガラス基板，２３，３０は薄膜トランジスタのチャネル部である」。 ・図面【図６】【図９】【図１０】イ上記図１０の断面図からは，ガラス基板２９上に走査信号配線兼薄膜トランジスタのゲート電極２４が形成され，その上に絶縁層２８を介して薄膜トランジスタの半導体層２７が設けられており，さらに，当該半導体層２７上に画像信号配線兼薄膜トランジスタのソース電極２５及び画素電極兼薄膜トランジスタのドレイン電極２６が，チャネル部３０を挟んで接続されていることが認められる。 - 16 -また，図６及び図９からは，各画素に対応する薄膜トランジスタ１６は走査信号配線１３上に形成されており，走査信号配線兼薄膜トランジスタのゲート電極２４は平面視で一定幅の直線構造をしているから，ゲート電極を形成するために走査信号配線１３から延出する付加的構造を有しないで，走査信号配線の１区分を薄膜トランジスタのゲート電極としていることが認められる。 そうすると，刊行物２には，次の技術事項が記 電極を形成するために走査信号配線１３から延出する付加的構造を有しないで，走査信号配線の１区分を薄膜トランジスタのゲート電極としていることが認められる。 そうすると，刊行物２には，次の技術事項が記載されていると認められる。 「各画素に対応する薄膜トランジスタを備えたアクティブマトリックス方式の液晶表示装置において，前記薄膜トランジスタ１６は，走査信号配線１３上に形成され，走査信号配線兼薄膜トランジスタのゲート電極２４は，ゲート電極を形成するために走査信号配線から延出する付加的構造を有しないで，走査信号配線の一区分が薄膜トランジスタのゲート電極として用いられており，走査信号配線兼薄膜トランジスタのゲート電極２４の上に絶縁層２８を介して薄膜トランジスタの半導体層２７が形成され，該半導体層２７上に画像信号配線兼薄膜トランジスタのソース電極２５及び画素電極兼薄膜トランジスタのドレイン電極２６がチャネル部３０を挟んで接続されていること」。 ウそして，走査信号配線兼薄膜トランジスタのゲート電極２４はゲートラインに相当するから，薄膜トランジスタ１６はゲートラインを覆って形成されているといえ，また，走査信号配線の１区分が薄膜トランジスタのゲート電極として用いられることは，ゲートライン自体を複数のトランジスタのゲート電極として用いることに相当するから，刊行物２の「ソース電極」が画像信号配線と兼用であり，かつ「ドレイン電極」が画素電極と，- 17 -兼用であることを前提としても，刊行物２には「ゲートラインを覆って，形成された複数のトランジスタを備え，ゲート電極を形成するためにゲートラインから延出する付加的構造を有しないでゲートライン自体を複数のトランジスタのゲート電極として用いること」との構成が開示されているということができる。 (2) え，ゲート電極を形成するためにゲートラインから延出する付加的構造を有しないでゲートライン自体を複数のトランジスタのゲート電極として用いること」との構成が開示されているということができる。 (2)乙１公報ア審決が周知技術の例として挙げた特開平６－３３２０１０号公報（乙１公報）には，次の記載がある。 ・「０００２】【【従来の技術】逆スタガー型の薄膜トランジスタ（以下，ＴＦＴと略称する）をアドレス素子として有するアクティブマトリクス型表示基板の従来例を図６および図７に示す。図６はこの表示基板を構成するベース基板１１の一絵素部を示す。このベース基板１１上には，互いに平行に配設されるゲート電極配線１２と，このゲート電極配線１２に直交し，互いに平行に配設されるソース配線１８とが形成されている」。 ・「０００３】図６に示すように，隣接するゲート電極配線１２とソース配線１【８とが囲む領域のそれぞれがこの表示基板の一絵素部に対応し，各領域のほぼ全域を埋める形で絵素電極１９が形成されている」。 ・「０００４】また，図７は図６の線Ｘ－Ｙによる断面を示す。ベース基板１１【上にはゲート電極配線１２が形成され，このゲート電極配線１２の上面および両側面の表層に第１のゲート絶縁膜１３が形成されている。この第１のゲート絶縁膜１３が形成されたゲート電極配線１２を覆って，ベース基板１１の全表面に第２のゲート絶縁膜１４が形成されている。第２のゲート絶縁膜１４上であって，ゲート電極配線１２に交差する位置の所定の領域にａ－Ｓｉから成る半導体膜１５が形成されている。この半導体膜１５上面の中央部にはチャネル層１６が形成され半導体膜１５をその表面に沿う方向で二つの領域に分断している。この半導体膜１５がチャ- 18 -ネル層１６で分断された両側部のそれぞれにはオ この半導体膜１５上面の中央部にはチャネル層１６が形成され半導体膜１５をその表面に沿う方向で二つの領域に分断している。この半導体膜１５がチャ- 18 -ネル層１６で分断された両側部のそれぞれにはオーミック接触用のコンタクト膜１７が形成されている。このコンタクト膜１７はｎ－ａＳｉから成る。両コンタク++ト膜１７，１７の一方に重畳してソース電極１８’が形成され，他方にはドレイン’。 ’，電極１９が形成されているこのドレイン電極１９はコンタクト膜１７を覆いチャネル層１６と反対側の端部は第１のゲート絶縁膜１３上に達し，この第１のゲート絶縁膜１３上に沿って少し延伸したところにその端部を成す。このドレイン電極１９’の端部には第２のゲート絶縁膜１４上に形成された絵素電極１９の端部が重畳している。これらすべての基板要素を覆って，ベース基板１１の表面全面に保護膜２０が積層形成されている」。 ・【図６】【図７】イ上記記載からすると，各絵素部に対応する薄膜トランジスタの構成要素はゲート電極配線１２上に形成されているから，薄膜トランジスタはゲート電極配線１２を覆って形成されていることが認められる。そして，図６によれば，ゲート電極配線１２は平面視で一定幅の直線構造をしており，また，図７によれば，半導体層１５のうちチャネル層１６で覆われた部分（ソース電極１８’とドレイン電極１９’に挟まれた領域）はすべてゲート電極配線１２上に配置され，ゲート電極配線１２の１区分が薄膜トランジスタのゲート電極とされており，これによれば，ゲート電極配線１２は- 19 -ゲート電極を形成するためにゲート電極配線１２から延出する付加的構造を有しないで，ゲート電極配線１２自体が薄膜トランジスタのゲート電極となっていると認められる。また，図７によれば，ゲート電極配線１２ ゲート電極を形成するためにゲート電極配線１２から延出する付加的構造を有しないで，ゲート電極配線１２自体が薄膜トランジスタのゲート電極となっていると認められる。また，図７によれば，ゲート電極配線１２の上層にソース電極１８’及びドレイン電極１９’が形成されるとともに，ドレイン電極１９’の端部には第２のゲート絶縁膜１４上に形成された絵素電極１９の端部が重畳していることが認められる。 ，。 そうすると乙１公報には次の技術事項が記載されていると認められる「複数の薄膜トランジスタを備えた表示基板において，複数の薄膜トランジスタはゲート電極配線１２を覆って形成され，ゲート電極配線１２はゲート電極を形成するためにゲート電極配線１２から延出する付加的構造を有しないで，ゲート電極配線１２自体が複数の薄膜トランジスタのゲート電極として用いられており，’’ゲート電極配線１２の上層にソース電極１８及びドレイン電極１９が形成され，ドレイン電極１９’の端部には第２のゲート絶縁膜１４上に形成された絵素電極１９の端部が重畳されていること」。 ウそして，ゲート電極配線１２はゲートラインに相当するから，乙１公報には「ゲートラインを覆って形成された複数のトランジスタを備え，ゲ，ート電極を形成するためにゲートラインから延出する付加的構造を有しないでゲートライン自体を複数のトランジスタのゲート電極として用いること」との構成が開示されているということができる。 (3)乙２公報ア審決が周知技術の例として挙げた特開平５－１１９３５０号公報（乙２公報）には，次の記載がある。 ・「００４４】次いで，図６…に示すように，ＩＴＯ膜をスパッタリング法によ【り成膜し，画素電極19 としてパターン化する。このとき，画素電極19 は信号電極線16 及び走査電極線12 上にオーバ ・「００４４】次いで，図６…に示すように，ＩＴＯ膜をスパッタリング法によ【り成膜し，画素電極19 としてパターン化する。このとき，画素電極19 は信号電極線16 及び走査電極線12 上にオーバラップするように形成する。即ち，走査電極線- 20 - 12 及び信号電極線16 の各々の少なくとも端部が，画素電極19 によって層間絶縁層17 を介して被覆されるように画素電極19 を形成する。その後，窒化シリコン膜を画面全体に形成し，パッシベーション膜20 とする」。 「【】，，，・００４９従ってこの実施例の液晶表示装置のＴＦＴ基板はガラス基板11走査電極線12，窒化シリコン膜13，非ドープａ－Ｓｉ膜14，ｎａ－Ｓｉ膜15，+信号電極線16，層間絶縁層17，貫通孔18，画素電極19，パッシベーション膜20及び遮光膜21 を備えている」。 ・「００５０】画素電極19 及びＴＦＴ25 はガラス基板11 上に，マトリクス状に【複数設けられており，画素電極19 は層間絶縁層17 に設けられている貫通孔18 を介して，ＴＦＴ25 のドレイン電極に接続されている」。 ・００５１走査電極線12 はＴＦＴ25 を動作させ信号電極線16 はＴＦＴ25「【】，を介して画素電極19 に電圧を印加するように構成されている」。 ・「００５２】ＴＦＴ25 は，非ドープａ－Ｓｉ膜14，ｎａ－Ｓｉ膜15，並びに【+信号電極線16 から成るソース電極及びドレイン電極から構成されており，ゲート絶縁膜である窒化シリコン膜13 によって走査電極線12 と絶縁されている」。 ・００５３画素電極19 は信号電極線16 及び走査電極線12 上に層間絶縁層17「【】，を介してオーバラップするように形成されている」。 ・【図１】【図６】 と絶縁されている」。 ・００５３画素電極19 は信号電極線16 及び走査電極線12 上に層間絶縁層17「【】，を介してオーバラップするように形成されている」。 ・【図１】【図６】- 21 -イ上記記載からすると，各画素に対応するＴＦＴ２５の構成要素は，走査電極線１２上に形成されているから，ＴＦＴ２５は走査電極線１２を覆って形成されていることが認められる。また，段落【００４４】及び図６の平面図に加えて図１の断面図を参酌すれば，走査電極線１２は平面視で一定幅の直線構造をしており，非ドープａ－Ｓｉ膜１４のうち信号電極線１６から成るソース電極とドレイン電極に挟まれた領域はすべて走査電極線１２上に配置され，走査電極線１２の１区分がＴＦＴ２５のゲート電極とされており，これによれば，走査電極線１２はゲート電極を形成するために走査電極線１２から延出する付加的構造を有しないで，走査電極線１２自体が複数のＴＦＴ２５のゲート電極となっていることが認められる。さらに，図１及び図６によれば，画素電極１９は，層間絶縁層１７に設けられている貫通孔１８を介してＴＦＴ２５のドレイン電極に接続され，信号電極線１６及び走査電極線１２上に層間絶縁層１７を介してオーバラップするように形成されていることが認められる。 ，。 そうすると乙２公報には次の技術事項が記載されていると認められる「複数のＴＦＴ２５を備えた液晶表示装置において，複数のＴＦＴ２５は走査電極線１２を覆って形成され，走査電極線１２はゲート電極を形成するために走査電極線１２から延出する付加的構造を有しないで，走査電極線１２自体が複数のＴＦＴ２- 22 -５のゲート電極として用いられており，走査電極線１２の上層にソース電極及びドレイン電極が形成され，画素電極１９は，層間絶縁層１７に設けら 有しないで，走査電極線１２自体が複数のＴＦＴ２- 22 -５のゲート電極として用いられており，走査電極線１２の上層にソース電極及びドレイン電極が形成され，画素電極１９は，層間絶縁層１７に設けられている貫通孔１８を介して，ＴＦＴ２５のドレイン電極に接続され，信号電極線１６及び走査電極線１２上に，層間絶縁層１７を介してオーバラップするように形成されていること」。 ウそして，走査電極配線１２はゲートラインに相当するから，乙２公報には「ゲートラインを覆って形成された複数のトランジスタを備え，ゲー，ト電極を形成するためにゲートラインから延出する付加的構造を有しないでゲートライン自体を複数のトランジスタのゲート電極として用いること」との構成が開示されているということができる。 (4)乙３公報ア以上のほか，特開平６－１６０９００号公報（乙３公報）には，次の記載がある。 ・「請求項２】透明な絶縁性基板上に形成された複数本のゲートラインと，この【ゲートラインを含む前記絶縁性基板全面に積層されたゲート絶縁膜と，前記ゲートラインと交差する方向に延在された複数本のドレインラインと，このドレインラインと前記ゲートラインで囲まれた領域に設けられた表示電極と，この表示電極に信号を与えるトランジスタとを少なくとも有する液晶表示装置に於て，前記トランジスタのゲートは，前記ゲートラインで成り，前記トランジスタの半導体層は，前記ゲートラインのゲートに対応する前記ゲート絶縁膜上に設けられ，このトランジスタのソース電極，ドレイン電極およびドレインラインを含む全面に設けられた層間絶縁膜を介して，実質的にドレインラインおよびゲートライン上にまで表示電極を延在する事を特徴とした液晶表示装置」。 ・「００１９】本発明の特徴は，２つあり，１つは層間絶縁膜（２３）で けられた層間絶縁膜を介して，実質的にドレインラインおよびゲートライン上にまで表示電極を延在する事を特徴とした液晶表示装置」。 ・「００１９】本発明の特徴は，２つあり，１つは層間絶縁膜（２３）であり，【これによって表示電極（１４）をドレインライン（２１）およびゲートライン（１- 23 -１）の上に載置できる点である。２つ目は，トランジスタの形成位置であり，ゲー，（）。 トライン上に形成しゲートはゲートライン１１から突出されないことにあるまた別言するとトランジスタの構成要素がゲートライン上に形成され，表示電極の形成位置に制約を与えないことである」。 ・【図１】【図２】イ上記記載からすると，トランジスタの構成要素は，ゲートライン１１上に形成されているから，トランジスタはゲートライン１１を覆って形成されていると認められる。また，図１によれば，ゲートライン１１は平面視で一定幅の直線構造をしており，ゲートを形成するためにゲートライン１１から突出されず，半導体層のうちソース電極２２とドレイン電極２０に挟まれた領域はすべてゲートライン１１上に配置され，ゲートライン１１の一区分がトランジスタのゲートとされて，ゲートライン１１自体がトラ。 ，，ンジスタのゲートとなっていることが認められるさらに図２によれば表示電極１４は，層間絶縁膜２３に設けられている孔Ｃを介してソース電極２２に接続され，ゲートライン１１及びドレインライン２１上にまで層- 24 -間絶縁膜２３を介して延在するように形成されていることが認められる。 ，。 そうすると乙３公報には次の技術事項が記載されていると認められる「複数のトランジスタを備えた液晶表示装置において，複数のトランジスタは，ゲートライン１１を覆って形成され，ゲートライン１１は，ゲートを形成する 乙３公報には次の技術事項が記載されていると認められる「複数のトランジスタを備えた液晶表示装置において，複数のトランジスタは，ゲートライン１１を覆って形成され，ゲートライン１１は，ゲートを形成するためにゲートライン１１から延出する付加的構造を有しないで，ゲートライン１１自体が複数のトランジスタのゲートとして用いられており，ゲートライン１１の上層にソース電極２２及びドレイン電極２０が形成され，表示電極１４は，層間絶縁膜２３に設けられている孔Ｃを介してソース電極２２に接続され，ゲートライン１１及びドレインライン２１上にまで，層間絶縁膜２３を介して延在するように形成されていること」。 ウしたがって，乙３公報には「ゲートラインを覆って形成された複数の，トランジスタを備え，ゲート電極を形成するためにゲートラインから延出する付加的構造を有しないでゲートライン自体を複数のトランジスタのゲート電極として用いること」との構成が開示されているということができる。 (5)以上によれば，刊行物２（甲４）及び乙１～乙３には，いずれも審決が周知技術として認定した「ゲートラインを覆って形成された複数のトランジ，スタを備え，ゲート電極を形成するためにゲートラインから延出する付加的構造を有しないでゲートライン自体を複数のトランジスタのゲート電極として用いること」との構成が記載されていると認められる。 そして，これらの文献はいずれも本願の優先権主張日（平成７年５月３１日）以前に公開されていたものであり，その技術分野は本願発明と同様，アクティブマトリックス液晶表示装置における薄膜トランジスタの電極構造に係るものである上，乙１公報に関する上記記載は，その出願当時（平成５年- 25 -５月２６日）における従来技術として挙げられたものであること（乙１，段落【００ における薄膜トランジスタの電極構造に係るものである上，乙１公報に関する上記記載は，その出願当時（平成５年- 25 -５月２６日）における従来技術として挙げられたものであること（乙１，段落【０００２】～【０００４】参照）を併せ考慮すると，審決の認定した上記構成は，本願の優先権主張日（平成７年５月３１日）当時において，発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（当業者）において周知技術であったと認められる。これと同旨の審決の認定に誤りはない。 なお原告は，乙１公報に記載の技術は絵素電極９とゲート電極配線２とをオーバラップさせることができない技術であるから，周知技術の例示として適切でない旨主張するが，審決の認定した上記周知技術はゲートラインとその余のトランジスタ構造との配置に関する技術であって，絵素電極とゲート電極配線とのオーバラップに係る構成は含まれていないから，原告の主張する点は周知技術に係る前記認定を左右するものではない。 取消事由１（刊行物２記載発明の認定誤り）について原告は，刊行物１（甲３）と刊行物２（甲４）に記載された液晶パネルは電極の配設・兼用部位が異なるにもかかわらず，審決がその相違を何ら考慮することなく刊行物２記載発明を認定したことが誤りである旨主張する。 この点，審決は，前記第３，１(3)イのとおり，刊行物１に基づき引用発明，，を認定するとともにこれと本願発明とを対比して一致点及び相違点を認定しその上で審決は，相違点の判断に当たり「上記(2)刊行物記載の事項の（２－，２）において摘記した，刊行物２の記載事項からも明らかなように，ゲートラインを覆って形成された複数のトランジスタを備え，ゲート電極を形成するためにゲートラインから延出する付加的構造を有しないでゲートライン自体を複数のトランジスタのゲート電極 も明らかなように，ゲートラインを覆って形成された複数のトランジスタを備え，ゲート電極を形成するためにゲートラインから延出する付加的構造を有しないでゲートライン自体を複数のトランジスタのゲート電極として用いることは，この種アクティブマトリクス型液晶表示装置において従来周知の技術（上記刊行物２以外に，特開平６。）。」－３３２０１０号公報及び特開平５－１１９３５０号公報をも参照である（７頁１２行～１８行）としたものである。 そうすると，審決は，相違点に係る「ゲートラインを覆って形成された複数- 26 -のトランジスタを備え，ゲート電極を形成するためにゲートラインから延出する付加的構造を有しないでゲートライン自体を複数のトランジスタのゲート電極として用いること」との構成が周知技術であることを認定し，これを裏付けるものとして，上記構成が開示された刊行物２等を例示したものと認められ，刊行物２記載発明を，審決取消訴訟においてその審理範囲を画することになる副引用例として用いたものでないことは明らかである。 そして，審決の認定した上記構成が周知技術といえることは前記３のとおりであるから，この点に関する審決の認定に誤りがあるということはできない。 これに対し，原告の上記主張は，刊行物１と刊行物２記載の各液晶パネルにおける電極の配設・兼用部位の差異をもって，周知技術に係る審決の認定誤りを帰結するものであるが，この点は「ゲートラインを覆って形成された複数，のトランジスタを備え，ゲート電極を形成するためにゲートラインから延出する付加的構造を有しないでゲートライン自体を複数のトランジスタのゲート電極として用いること」との構成が周知技術であることを前提に，上記差異をもってしても刊行物１記載発明（引用発明，甲３）と周知技術に係る上記構成とを組み合わせること ン自体を複数のトランジスタのゲート電極として用いること」との構成が周知技術であることを前提に，上記差異をもってしても刊行物１記載発明（引用発明，甲３）と周知技術に係る上記構成とを組み合わせることが可能か否かという観点から論じられるべきであって（この点は取消事由２において検討する，それを認定しないことが周知技術の認）定についての瑕疵となるものではない。 したがって，原告の上記主張は前提において採用することができない。 取消事由２（本願発明の進歩性判断の誤り）について(1)原告は，引用発明においては最上層に画素電極が形成されるのに対し，刊行物２においては画像信号配線及び画素電極を同時に，かつ，最上層に形成する発明が開示されているとして，両者の製造方法ないし層構造の違いを指摘した上で，刊行物１に記載された発明に刊行物２に記載された周知技術を組み合わせることに関して阻害事由があるから，本願発明を容易想到とした審決の判断は誤りであると主張する。 - 27 -(2)しかし，審決の相違点に係る認定は，前記第３，１(3)イのとおり，アクティブマトリックス液晶ディスプレイデバイスにおける薄膜トランジスタの構成について，本願発明におけるトランジスタが，ゲートライン上にこれを覆う形でトランジスタ構造が設けられ，かつ，直線状のゲートラインがそのまま各セグメントにおいてトランジスタのゲート電極を構成するのに対し，引用発明におけるトランジスタが，Ｓｉ薄膜上に絶縁膜を介してゲート電極配線が設けられ，かつ，ゲート電極が，タイミング線（ゲートライン）それ，，自体ではなくそこから延出する付加的構造により構成されていることからこのような構成の相違をもって相違点と認定したものであり，しかも，前記３のとおり，当該相違点の構成に対応する構成（ゲートラインを覆って 体ではなくそこから延出する付加的構造により構成されていることからこのような構成の相違をもって相違点と認定したものであり，しかも，前記３のとおり，当該相違点の構成に対応する構成（ゲートラインを覆って形「成された複数のトランジスタを備え，ゲート電極を形成するためにゲートラインから延出する付加的構造を有しないでゲートライン自体を複数のトランジスタのゲート電極として用いること）をもって周知技術として認定し，」容易想到性を判断したものである。 このように，上記相違点及び周知技術は，飽くまでもゲートラインとその余のトランジスタ構造との配置に関するもの及びゲートラインとゲート電極との関係に係るものであって，その余のソース・ドレイン電極と画素電極との位置関係ないし層構造等を問題とするものではない。そうすると，原告の主張する上記層構造等は上記相違点ないし周知技術の構成に包含されるものではないから，そのような層構造等の差異が直ちに引用発明と上記周知技術との組合せを困難ならしめる理由となるものではない。 (3)また，実際にも，以下のとおり，審決の認定した前記周知技術は，刊行物２におけるような画像信号配線及び画素電極が同時に製造される場合ないし両者を最上層に構成する場合や，刊行物２と同様の電極の配設・兼用部位を有するトランジスタに特有の構成ということはできないから，そのような層構造等の差異の存在が引用発明と前記周知技術との組合せを困難ならしめる- 28 -ものではない。 すなわち，上記３において認定したとおり，乙１公報に記載された表示基板は「ドレイン電極１９’の端部には第２のゲート絶縁膜１４上に形成さ，れた絵素電極１９の端部が重畳されている」ものであるから，絵素電極１９とドレイン電極１９’とは別部材として形成され，ドレイン電極１９’に接続されてい ’の端部には第２のゲート絶縁膜１４上に形成さ，れた絵素電極１９の端部が重畳されている」ものであるから，絵素電極１９とドレイン電極１９’とは別部材として形成され，ドレイン電極１９’に接続されている。 また，乙２公報に記載された表示装置は「画素電極１９は，層間絶縁層，１７に設けられている貫通孔１８を介して，ＴＦＴ２５のドレイン電極に接続され，信号電極線１６及び走査電極線１２上に，層間絶縁層１７を介してオーバラップするように形成されている」ものであるから，画素電極１９と，，ドレイン電極とは別部材として形成されドレイン電極に接続されている上信号電極線１６及び走査電極線１２の上層に画素電極１９が形成される点についても開示がある。 さらに，乙３公報に記載された液晶表示装置は「表示電極１４は，層間，絶縁膜２３に設けられている孔Ｃを介してソース電極に接続され，ゲートライン１１及びドレインライン２１上にまで，層間絶縁膜２３を介して延在するように形成されている」ものであるから，表示電極１４とソース電極とは別部材として形成され，ソース電極に接続されている上，ゲートライン１１及びドレインライン２１の上層に表示電極が形成される点についても開示がある。 このように，乙１公報ないし乙３公報に記載された表示装置においては，いずれも画素電極は別部材として他の電極・配線とは別工程で形成され，ドレイン電極又はソース電極に接続されるものであって，画素電極がトランジ，，スタのドレイン電極又はソース電極と兼用されていないものであるしまた乙２公報及び乙３公報に記載された表示装置は，画像信号配線の上層に画素電極が形成され，最上層に画像信号配線を有しないものであり，このような- 29 -構成においても，審決の認定した前記周知技術を適用することは可能ということができ 示装置は，画像信号配線の上層に画素電極が形成され，最上層に画像信号配線を有しないものであり，このような- 29 -構成においても，審決の認定した前記周知技術を適用することは可能ということができる。 なお，前記乙３公報が本件審判手続において斟酌された形跡はないが，引用発明たる刊行物１（甲３）の意義を明らかにするためにこれを周知技術の例として本件訴訟において認定することができるのであるから（最高裁昭和５５年１月２４日第一小法廷判決・民集３４巻１号８０頁参照，被告が本）訴において周知技術の例として提出した乙３公報を認定に供することが違法となるものではない。 (4)そうすると，審決の認定した前記周知技術は，薄膜トランジスタを備えた表示装置において広く採用可能な構成というべきであって，引用発明のトランジスタの構成に代えて上記周知技術を適用することが困難であるとはいえないから，本願発明は，当業者が引用発明から容易に想到することができると認められる。これと同旨の審決の判断に誤りはなく，原告の前記主張は採用することができない。 (5)その他，原告は，審決が刊行物１を主引用例，刊行物２を副引用例として扱っているとか，乙３公報について審査及び審判において反論の機会が与えられていないなどと主張するが，審決が刊行物２を副引用例として用いたものでないことは前記４のとおりであるし，周知技術としての性質上，これを裏付ける刊行物が審査及び審判において示されなかったとしても，前記のとおり，これにより直ちに審決が違法となるものではないから，原告の上記主張はいずれも採用することができない。 結論 以上によれば，原告主張の取消事由はすべて理由がない。 よって，原告の請求を棄却することとして，主文のとおり判決する。 知的財産高等裁判所第２部- 30 -裁判長裁判 結論 以上によれば、原告主張の取消事由はすべて理由がない。よって、原告の請求を棄却することとして、主文のとおり判決する。知的財産高等裁判所第２部 裁判長裁判官中野哲弘 裁判官森義之 裁判官澁谷勝海
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