- 1 -平成２６年９月２５日判決言渡同日原本交付裁判所書記官平成２３年（ワ）第２６６７６号特許権侵害行為差止等請求事件口頭弁論終結日平成２６年７月１７日判決大阪府守口市＜以下略＞原告三洋電機株式会社 同訴訟代理人弁護士尾崎英男鷹見雅和日野英一郎上野潤一今田瞳徳島県阿南市＜以下略＞被告日亜化学工業株式会社 同訴訟代理人弁護士古城春実堀籠佳典牧野知彦加治梓子同補佐人弁理士蟹田昌之 主文 原告の請求をいずれも棄却する。 訴訟費用は原告の負担とする。 事実及び理由 第１ 請求 １ 被告は，別紙物件目録記載の半導体レーザダイオード製品（以下「被告製品」という。）の製造，譲渡，輸出又は譲渡の申出をしてはならない。 ２ 被告は，別紙方法目録記載の製造方法（以下「被告方法」という。）を使- 2 -用して被告製品を製造してはならない。 ３ 被告は，被告製品を廃棄せよ。 ４ 被告は，原告に対し，１２億円及びこれに対する平成２３年８月２４日から支払済みまで年５分の割合による金員を支払え。 第２ 事案の概要本件は，発明の名称を「窒化物系半導体素子」とする特許権（以下「本件特許権１」という。）及び発明の名称を「窒化物系半導体素子の製造方法」とする特 分の割合による金員を支払え。 第２ 事案の概要本件は，発明の名称を「窒化物系半導体素子」とする特許権（以下「本件特許権１」という。）及び発明の名称を「窒化物系半導体素子の製造方法」とする特許権（以下「本件特許権２」といい，本件特許権１と併せて「本件各特許権」という。）を有する原告が，被告による被告製品の製造販売等が本件各特許権の侵害に当たると主張して，被告に対し，特許法１００条に基づく被告製品の製造販売等の差止め及び廃棄並びに特許権侵害の不法行為（民法７０９条，特許法１０２条３項）に基づく損害賠償金又は不当利得金１２億円及びこれに対する訴状送達の日の翌日である平成２３年８月２４日から支払済みまで民法所定の年５分の割合による遅延損害金の支払を求めた事案である。 １ 前提事実（当事者間に争いのない事実並びに後掲の証拠及び弁論の全趣旨により容易に認められる事実）(1) 当事者ア原告は，電気，通信，電子等の機械器具の製造販売等を業とする株式会社である。 イ被告は，半導体及び関連材料，蛍光体及び関連応用製品の製造販売等を業とする株式会社である。 (2) 本件各特許権ア原告は，次の本件各特許権を有している（以下，本件特許権１に係る特許を「本件特許１」，本件特許権２に係る特許を「本件特許２」といい，併せて「本件各特許」という。また，それぞれの特許出願の願書に- 3 -添付された明細書（ただし，本件特許１については後記(4)ア(ア)の平成２３年１２月２６日付け訂正請求に係るもの）を「本件明細書１」及び「本件明細書２」という。）。 (ア) 本件特許権１登録番号第３９３３５９２号発明の名称窒化物系半導体素子出願日平成１５年３月１９日（特願２００３－７４９６６）優先日平成１４年３月 ）。 (ア) 本件特許権１登録番号第３９３３５９２号発明の名称窒化物系半導体素子出願日平成１５年３月１９日（特願２００３－７４９６６）優先日平成１４年３月２６日（優先権主張番号特願２００２－８５０８５）登録日平成１９年３月３０日(イ) 本件特許権２登録番号第４１８０１０７号発明の名称窒化物系半導体素子の製造方法出願日平成２０年３月２４日（特願２００８－７６８４４）原出願日平成１５年３月１９日優先日平成１４年３月２６日（優先権主張番号特願２００２－８５０８５）登録日平成２０年９月５日イ本件特許権１の特許請求の範囲の請求項１及び５（ただし，後記(4)ア(ア)の平成２３年１２月２６日付け訂正請求に係るもの）並びに本件特許権２の特許請求の範囲の請求項１の記載は，次のとおりである（以下，それぞれを「本件特許発明１」，「本件特許発明１－２」及び「本件特許発明２」といい，これらを併せて「本件各特許発明」という。）。 (ア) 本件特許権１の請求項１（本件特許発明１）「 ウルツ鉱構造を有するｎ型の窒化物系半導体基板からなる第１半導体層と，前記第１半導体層の裏面上に形成されたｎ側電極とを備え，- 4 -前記第１半導体層の前記ｎ側電極との界面近傍における転位密度は，１×１０９ｃｍ－２以下であり，前記ｎ側電極と前記第１半導体層との界面において，０．０５Ωｃｍ２以下のコンタクト抵抗を有する，窒化物系半導体素子。」(イ) 本件特許権１の請求項５（本件特許発明１－２）「 前記第１半導体層は，所定の厚さになるまで裏面側が加工され，該加工により発生した転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域が除去された層であることを特徴と 権１の請求項５（本件特許発明１－２）「 前記第１半導体層は，所定の厚さになるまで裏面側が加工され，該加工により発生した転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域が除去された層であることを特徴とする請求項１～４のいずれか１項に記載の窒化物系半導体素子。」(ウ) 本件特許権２の請求項１（本件特許発明２）「 ｎ型の窒化物系半導体層および窒化物系半導体基板のいずれかからなる第１半導体層の上面上に，活性層を含む窒化物半導体層からなる第２半導体層を形成する第１工程と，前記第１半導体層の裏面を研磨することにより厚み加工する第２工程と，前記第１工程及び前記第２工程の後，前記研磨により発生した転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域を除去して前記第１半導体層の裏面の転位密度を１×１０９ｃｍ－２以下とする第３工程と，その後，前記転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域が除去された第１半導体層の裏面上に，ｎ側電極を形成する第４工程とを備え，前記第１半導体層と前記ｎ側電極とのコンタクト抵抗を０．０５Ωｃｍ２以下とする，窒化物系半導体素子の製造方法。」ウ本件各特許発明を構成要件に分説すると，次のとおりである（以下，各構成要件を「構成要件Ａ１」などという。），(ア) 本件特許発明１Ａ１ ウルツ鉱構造を有するｎ型の窒化物系半導体基板からなる第１半導体層と，- 5 -Ｂ１ 前記第１半導体層の裏面上に形成されたｎ側電極とを備え，Ｃ１ 前記第１半導体層の前記ｎ側電極との界面近傍における転位密度は，１×１０９ｃｍ－２以下であり，Ｄ１ 前記ｎ側電極と前記第１半導体層との界面において，０．０５Ωｃｍ２以下のコンタクト抵抗を有する，Ｅ１ 窒化物系半導体素子。 (イ) 本件特許発明１－２（その余の構成要件は本件特許発明１と同じである ｎ側電極と前記第１半導体層との界面において，０．０５Ωｃｍ２以下のコンタクト抵抗を有する，Ｅ１ 窒化物系半導体素子。 (イ) 本件特許発明１－２（その余の構成要件は本件特許発明１と同じである。）Ｆ１ 前記第１半導体層は，所定の厚さになるまで裏面側が加工され，該加工により発生した転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域が除去された層であることを特徴とする(ウ) 本件特許発明２Ａ２ ｎ型の窒化物系半導体層および窒化物系半導体基板のいずれかからなる第１半導体層の上面上に，活性層を含む窒化物半導体層からなる第２半導体層を形成する第１工程と，Ｂ２ 前記第１半導体層の裏面を研磨することにより厚み加工する第２工程と，Ｃ２ 前記第１工程及び前記第２工程の後，前記研磨により発生した転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域を除去して前記第１半導体層の裏面の転位密度を１×１０９ｃｍ－２以下とする第３工程と，Ｄ２ その後，前記転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域が除去された第１半導体層の裏面上に，ｎ側電極を形成する第４工程とを備え，Ｅ２ 前記第１半導体層と前記ｎ側電極とのコンタクト抵抗を０．０５Ωｃｍ２以下とする，- 6 -Ｆ２ 窒化物系半導体素子の製造方法。 (3) 被告の行為ア被告は，平成１８年１月１日以降，ブルーレイディスクの記録用又は再生用に使用される半導体レーザダイオード製品である被告製品を製造し，販売あるいは輸出している。 イ被告製品の構成は，別紙物件目録記載のとおりである（なお，被告は，同記載中「ピーク波長の仕様がＢＤ規格に定められた範囲内の，」とある部分を「ＢＤ用の」とすべき旨主張するが，本件の結論に影響すべき実質的な争いはないものと認める。）。 ウ被告製品の製造方法につき，原告 中「ピーク波長の仕様がＢＤ規格に定められた範囲内の，」とある部分を「ＢＤ用の」とすべき旨主張するが，本件の結論に影響すべき実質的な争いはないものと認める。）。 ウ被告製品の製造方法につき，原告が被告方法（別紙方法目録記載の方法）である旨主張するのに対し，被告は別紙被告主張方法目録に記載の①～⑦の方法である旨主張するところ，同別紙の下線部を除く部分については当事者間に争いがない（以下，同別紙記載の各工程のうち下線部を除く部分をその番号により「工程①」などという。）。 すなわち，被告製品は，ＧａＮ基板の裏面を鏡面になるまで研磨する工程②及び③と，その後にＧａＮ基板の裏面をＣＭＰを用いて研磨する工程④を含んでいる。ＣＭＰとは，機械的研磨と研磨液による化学作用の複合作用により，半導体ウエハの表面の精密研磨を行う技術であり，微細な凹凸や表面ゆがみ（ダメージ）のない極めて良好な面を形成することができるものである。 (4) 本件特許１に係る特許無効審判請求及び訂正請求ア無効２０１１－８００２０２号事件（甲１９の２，甲２５，３５）(ア) 被告は，平成２３年１０月７日，本件特許発明１及び１－２（ただし，後記訂正請求の前のもの）が特開２００１－１４８３５７号公報（乙１の２）に記載された発明と同一であり，又はこれに基づいて容易に発明をすることができた旨主張して，特許無効審判を請求した。 - 7 -原告は，同年１２月２６日，本件特許１の特許請求の範囲の請求項１に「ウルツ鉱構造を有するｎ型の窒化物系半導体層および窒化物系半導体基板のいずれかからなる第１半導体層」とあるのを「ウルツ鉱構造を有するｎ型の窒化物系半導体基板からなる第１半導体層」（構成要件Ａ１）とする旨，請求項５に「前記第１半導体層は，所定の厚さになるまで裏面側が加工された層であ 第１半導体層」とあるのを「ウルツ鉱構造を有するｎ型の窒化物系半導体基板からなる第１半導体層」（構成要件Ａ１）とする旨，請求項５に「前記第１半導体層は，所定の厚さになるまで裏面側が加工された層であることを特徴とする」とあるのを「前記第１半導体層は，所定の厚さになるまで裏面側が加工され，該加工により発生した転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域が除去された層であることを特徴とする」（構成要件Ｆ１）とする旨の訂正請求をした（下線部は訂正箇所である。）。特許庁は，平成２４年７月２０日，訂正を認める，無効審判請求は成り立たない旨の審決をした。 (イ) 被告は上記審決の取消しを求める訴訟を提起したが（知的財産高等裁判所平成２４年（行ケ）第１０３０２号），平成２５年１１月１４日，請求棄却の判決が言い渡された。これに対しては被告が上告及び上告受理申立てをしており，本件の口頭弁論終結時において，上記審決は確定していない。 イ無効２０１３－８０００９９号事件（甲３７，乙６９，弁論の全趣旨）被告は，平成２５年５月３１日，本件特許発明１及び１－２が特開２０００－３４９３３８号公報（乙５７）に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができた旨主張して，特許無効審判を請求した。原告は，その口頭審理期日において無効理由通知がされたことから，同年１２月２７日，上記ア(ア)の訂正事項に加えて請求項１に「（ただし，機械研磨を行わずにエッチングにより第１半導体層の一部を除去して，露出した第１半導体層の裏面にｎ側電極を形成する工程を含む製造方法- 8 -で製造された窒化物系半導体素子を除く）」との文言を付加する旨の訂正請求をした。その後，この無効審判請求事件は，上記アの審決が確定していないことから，手続が中止されている。 ウなお，被告は，本 で製造された窒化物系半導体素子を除く）」との文言を付加する旨の訂正請求をした。その後，この無効審判請求事件は，上記アの審決が確定していないことから，手続が中止されている。 ウなお，被告は，本件各特許につき上記以外にも複数の特許無効審判を請求しているが，本件口頭弁論終結時において，特許を無効とする旨の審決はされていない。 ２ 争点本件特許１については前記１(4)ア(ア)及びイの訂正請求に対する判断が確定していないが，本件訴訟の経過及び当事者の主張に鑑み，特許庁が訂正を認めた上記ア(ア)の訂正請求後の特許請求の範囲の記載（本件特許発明１につき構成要件Ａ１～Ｅ１，本件特許発明１－２につきこれらに加え構成要件Ｆ１）に基づいて判断することとする（ただし，当裁判所は，後記のとおり，構成要件Ｃ１の充足性を欠くと判断するので，上記各訂正請求の可否は本件の結論に影響しないものと認める。）。 原告が，被告製品は本件特許発明１及び１－２の技術的範囲に，被告方法は本件特許発明２の技術的範囲に属する旨主張するのに対し，被告は，本件特許発明１及び１－２の構成要件Ａ１，Ｂ１及びＥ１並びに本件特許発明２の構成要件Ａ２，Ｂ２及びＦ２の充足性は認めるが，被告製品及びその製造方法は，本件各特許発明の特許請求の範囲の記載中，①「転位」の要件を欠くので本件特許発明１の構成要件Ｃ１，本件特許発明１－２の構成要件Ｃ１及びＦ１並びに本件特許発明２の構成要件Ｃ２及びＤ２を充足しない，②「除去」の要件を欠くので本件特許発明１－２の構成要件Ｆ１及び本件特許発明２の構成要件Ｄ２を充足しない，③「コンタクト抵抗」の要件を欠くので本件特許発明１及び１－２の構成要件Ｄ１並びに本件特許発明２の構成要件Ｅ２を充足しないと主張し，さらに，本件各特許にはいずれも無効理由があり，特許無効審 しない，③「コンタクト抵抗」の要件を欠くので本件特許発明１及び１－２の構成要件Ｄ１並びに本件特許発明２の構成要件Ｅ２を充足しないと主張し，さらに，本件各特許にはいずれも無効理由があり，特許無効審判により無効にされるべきものであるので，原告は被告に- 9 -対して権利行使できない（特許法１０４条の３第１項）旨主張している。 そうすると，本件の争点は，以下のとおりとなる。 (1) 「転位」の意義及びその充足性(2) 「除去」の意義及びその充足性(3) 「コンタクト抵抗」の意義及びその充足性(4) 特許無効理由の有無(5) 損害ないし不当利得の額 ３ 争点に関する当事者の主張(1) 「転位」の意義及びその充足性（原告の主張）ア本件各特許発明の「転位」とは，学術用語のとおり，「結晶中にある線状の結晶格子の乱れ」であり，原子レベルの欠陥をいう。また，「転位密度」とは，単位断面積（１ｃｍ２）当たりを通過する転位の本数をいう。他方，「結晶欠陥」とは，線欠陥である「転位」の上位概念である。 半導体レーザを製造するためにＧａＮ基板を機械研磨する際，その研磨条件次第ではクラック等の損傷も発生するが，それらの損傷よりも深い位置にまで「転位」を含む原子レベルの結晶欠陥が発生する。本件各特許発明の特徴は，ＧａＮ基板裏面を研磨してｎ側電極を設けた半導体素子において，ｎ側電極のコンタクト抵抗が高くなり，その原因が基板の研磨時に生成した転位であることを発見した点にある。 イ原告が入手した被告製品を測定したところによれば（甲１５），電極との界面から０．５μｍの深さにおける転位密度は３．４～４．８×１０５ｃｍ－２以下であり，また，電極が付いた状態の被告製品につき３か所の断面を観察したところ，電極との界面から基板内部（０．５μｍ 極との界面から０．５μｍの深さにおける転位密度は３．４～４．８×１０５ｃｍ－２以下であり，また，電極が付いた状態の被告製品につき３か所の断面を観察したところ，電極との界面から基板内部（０．５μｍ以上の深さ）にわたって，転位を確認することができなかった。 - 10 -これらのことからすれば，基板の電極との界面近傍における転位密度も，上記測定結果と同等となると推測される。 ウ被告が提出した工程②及び③の研磨工程が終わった時点における基板裏面近傍の断面写真（乙２１）には，研磨面から深さ０．２μｍ程度まで暗線状のコントラストがあり，「転位」が認められる。そして，工程④では，上記基板の裏面がＣＭＰにより１～数μｍ除去されるから，研磨によって生じた転位が確実に除去されている。なお，工程④が終わった時点のものとして被告が提出する基板裏面近傍の断面写真（乙５０）に認められるコントラストは，工程②及び③が終わった時点において認められる暗線状のコントラストとは異なるから，転位ではない。 エ以上によれば，被告方法は，ＣＭＰにより新たな転位を発生しない状態で研磨することによって，工程②及び③で生じた転位を除去するものである。そして，被告製品のＧａＮ基板とｎ側電極との界面近傍における転位密度は半導体素子を作成する前の基板の転位密度である８×１０６ｃｍ－２以下となっているから，被告製品は構成要件Ｃ１及びＦ１を，被告方法は構成要件Ｃ２及びＤ２をいずれも充足する。 （被告の主張）ア半導体レーザ素子の製造過程において機械研磨をしたことにより発生する結晶欠陥ないしダメージ層を除去することは従来技術として存在しており，被告はこの従来技術により被告製品を製造しているにすぎない。 そして，通常の学術用語にいう「転位」は結晶欠陥に含まれるから，本件各特許 欠陥ないしダメージ層を除去することは従来技術として存在しており，被告はこの従来技術により被告製品を製造しているにすぎない。 そして，通常の学術用語にいう「転位」は結晶欠陥に含まれるから，本件各特許発明がこの従来技術と異なるとすれば，その特許請求の範囲に記載された「転位」及び「転位密度」の意味は不明確であるというほかなく，被告製品及びその製造方法が本件各特許発明の技術的範囲に属することの立証があるということはできない。 イ原告は，工程②及び③が終わった時点の断面写真（乙２１）に「転- 11 -位」が示されていると主張するが，これに写っている結晶欠陥は黒いモヤモヤとして示されるダメージ層であり，その中から線状の結晶欠陥である「転位」を識別することはできない。これが「転位」に当たるとする原告の主張は恣意的なものであり，「転位」が発生していることの立証はない。 また，仮に上記写真に「転位」が写っているというのであれば，工程④の後の断面写真（乙５０）にも同様の結晶欠陥が写っているから，被告製品は本件各特許発明の技術的範囲外にあることになる。 ウしたがって，被告製品は構成要件Ｃ１及びＦ１を充足せず，被告製品の製造方法は構成要件Ｃ２及びＤ２を充足しない。 (2) 「除去」の意義及びその充足性（原告の主張）工程④においては，工程②及び③により生じた「転位」を除去しているから，被告製品は構成要件Ｆ１を，被告方法は構成要件Ｃ２及びＤ２を充足する。なお，「除去」の手段はエッチングに限られるものでない。 （被告の主張）本件各特許の明細書が「除去」の手段として開示しているのは，エッチングという研磨ではない手段のみであり，それ以外の手段を示唆する記載はない。これに対し，工程④におけるＣＭＰは機械的作用による研磨を含むものであるから が「除去」の手段として開示しているのは，エッチングという研磨ではない手段のみであり，それ以外の手段を示唆する記載はない。これに対し，工程④におけるＣＭＰは機械的作用による研磨を含むものであるから，「除去」に該当しない。 (3) 「コンタクト抵抗」の意義及びその充足性（原告の主張）ＧａＮ基板の裏面にｎ側電極を設けたＧａＮ系半導体素子においてコンタクト抵抗が「０．０５Ωｃｍ２以下」であることは，本件の発明者によって初めて実現されたものである。そして，レーザとして実用化された製品がその性能を発揮するためにはレーザ素子のコンタクト抵抗が「０．０- 12 -５Ωｃｍ２以下」である必要があるから，実用化された被告製品のコンタクト抵抗は上記数値の範囲内にある。 また，工程⑥における被告製品のＧａＮ基板とｎ電極との界面におけるコンタクト抵抗は，１０－４～１０－５ｃｍ－２のオーダーとなっている。 したがって，被告製品は構成要件Ｄ１を，被告方法は構成要件Ｅ２をそれぞれ充足する。 （被告の主張）被告は，被告製品の全てについてコンタクト抵抗を測定したことがないから，被告製品のコンタクト抵抗が本件各特許発明の数値以下となっているかについては不知である。 また，これが上記数値以下であるとしても，本件特許発明２のコンタクト抵抗（構成要件Ｅ２）は転位を除去すること（構成要件Ｃ２）の結果として得られたものであることが必要であるが，被告製品においてはそのような因果関係は認められない。 (4) 特許無効理由の有無（被告の主張）ア本件各特許発明は，いずれも以下の公刊物のいずれかに記載された発明と同一であり，又はこれに基づいて容易に発明をすることができたものであるから，新規性又は進歩性を欠く。 (ア) 特開２００１－１４８３５７号公 発明は，いずれも以下の公刊物のいずれかに記載された発明と同一であり，又はこれに基づいて容易に発明をすることができたものであるから，新規性又は進歩性を欠く。 (ア) 特開２００１－１４８３５７号公報（乙１の２）(イ) 特開２００１－１７６８２３号公報（乙９）(ウ) 特開２００３－５１６１４号公報（乙２の１０）。ただし，本件各特許発明について優先権の利益が認められるのであれば，特許法２９条の２に違反する。 (エ) 特開平５－３４３７９０号公報（乙３５）(オ) 特開２０００－３４９３３８号公報（乙５７）- 13 -イ本件特許１については，特許請求の範囲の「界面近傍」の意味が不明であるので，記載不備（明確性要件の違反）がある。 （原告の主張）争う。 (5) 損害ないし不当利得の額（原告の主張）被告が平成１８年１月１日から平成２３年８月１１日までの間に製造あるいは販売した被告製品の販売価格の合計は少なくとも２４０億円であり，本件各特許発明の実施について原告が受けるべき金銭の額はその５％を下らない。したがって，民法７０９条及び特許法１０２条３項あるいは民法７０３条に基づき原告が被告に対し請求することのできる損害賠償金又は不当利得金は，少なくとも１２億円である。 （被告の主張）争う。 第３ 当裁判所の判断 １ 争点(1)（「転位」の意義及びその充足性）について(1) まず，本件特許１につき検討する。 本件特許発明１及び１－２の構成要件Ｃは，第１半導体層のｎ側電極との界面近傍における「転位密度」が１×１０９ｃｍ－２以下であることであるが，この「転位密度」は「転位」の密度を測定したものであるから，特許請求の範囲にいう「転位」の意義につき検討した上で，被告製品が上記構成要件を充足するかどうかを判断する ｃｍ－２以下であることであるが，この「転位密度」は「転位」の密度を測定したものであるから，特許請求の範囲にいう「転位」の意義につき検討した上で，被告製品が上記構成要件を充足するかどうかを判断することとする。 (2) 後掲の証拠及び弁論の全趣旨によれば，以下の事実が認められる。 ア転位とは，半導体素子等の結晶に関係する技術分野において用いられる学術用語であり，その有する普通の意味は，結晶中にある線状の結晶格子の乱れ（科学大辞典。甲１８），結晶中に存在する線状の格子欠陥- 14 -であり，原子配列の乱れが線状に連続している部分（半導体・金属材料用語辞典。乙２の８），結晶中のひずみに起因する線欠陥の一種で，原子面の片側に線状のダングリングボンドが並ぶ結晶欠陥（半導体用語大辞典。乙２の９）というものである。 イ ＧａＮ基板は，本件特許権１の出願日（優先権主張日をいう。以下同じ。）以前から，半導体素子の材料として用いられていた。ＧａＮ基板には，その成長過程で発生する転位（貫通転位）が存在するが，半導体素子の高性能化のために転位密度を下げることが要求されており，上記の当時，機械研磨前の転位密度が１×１０４～１０８ｃｍ－２程度のＧａＮ基板が存在していた。（乙１の３～９）ウ半導体素子を製造するに際してＧａＮ基板等の基板（ウエハ）に機械研磨を施した場合には，研磨される面に応力が加わるので，ある程度の深さまでクラック，ゆがみ，結晶欠陥等の損傷が生じることが避けられない。これが加工変質層，ダメージ層，表面ゆがみ層等と呼ばれるもの（以下「加工変質層」という。）であるが，機械研磨により加工変質層が生じること，加工変質層が存在すると半導体素子の性能に悪影響を及ぼすこと，したがって，基板を研磨した後に研磨面に生じた加工変質層を完全に除去すべきこ 」という。）であるが，機械研磨により加工変質層が生じること，加工変質層が存在すると半導体素子の性能に悪影響を及ぼすこと，したがって，基板を研磨した後に研磨面に生じた加工変質層を完全に除去すべきことは，上記出願日以前から，本件各特許発明が属する技術分野の当業者に広く知られていた。（乙２の１１，乙９～１１，２３～３４）エ本件明細書１には以下の趣旨の記載がある。（甲３，１９の２）(ア) ｎ型ＧａＮ基板を用いた従来の窒化物系半導体素子は，基板の上面に，ｎ型層，ｎ型バッファ層，ｎ型クラッド層，ｎ型光ガイド層，ＭＱＷ活性層，ｐ型層，ｐ型光ガイド層，ｐ型クラッド層及びｐ型コンタクト層を順次形成し，ｐ型コンタクト層の上面上にｐ側電極を形成した後，基板の裏面を所定の厚みになるまで研磨してｎ側電極を形- 15 -成するものであるが，基板の裏面を機械研磨する際に裏面近傍に応力が加わるため，裏面近傍にクラックなどの微細な結晶欠陥が発生するという不都合があった。その結果，ｎ型ＧａＮ基板と，ｎ型ＧａＮ基板の裏面上に形成されたｎ側電極とのコンタクト抵抗が増加するという問題点があった。（段落【０００４】～【０００９】）(イ) 本件特許１に係る発明は，上記の課題を解決するためにされたものであり，窒化物系半導体基板の窒素面と電極とのコンタクト抵抗を低減することが可能な窒化物系半導体素子を提供することを目的とする。（段落【００１３】）(ウ) 本件特許１に係る発明は，上記目的を達成するため，課題解決の手段として特許請求の範囲に記載の構成を採用したものであり，これによりコンタクト抵抗が低減された良好な素子特性を有する窒化物系半導体素子を得ることができるという効果を奏する。（段落【００２４】，【００２５】）(エ) 発明の実施の形態においては，ｐ側電極 れによりコンタクト抵抗が低減された良好な素子特性を有する窒化物系半導体素子を得ることができるという効果を奏する。（段落【００２４】，【００２５】）(エ) 発明の実施の形態においては，ｐ側電極を形成した後にｎ型ＧａＮ基板の裏面を機械研磨し，その後，反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法により基板の裏面を約１μｍの厚み分だけ除去する。その結果，上記機械研磨に起因して発生した結晶欠陥を含むｎ型ＧａＮ基板の裏面近傍の領域を除去することができる。上記エッチングによる効果を確認するため，エッチング前後における基板の裏面の結晶欠陥（転位）密度を測定したところ，エッチング前には１×１０１０ｃｍ－２以上であったのが，エッチング後には１×１０６ｃｍ－２以下にまで減少していることが判明した。（段落【００４３】～【００４６】）(3) 上記事実関係によれば，本件特許１の特許請求の範囲にいう「転位」とは，原子レベルの線状の結晶欠陥（上記(2)ア）のうち，① 半導体素子製造過程での機械研磨によって発生し，かつ，② 結晶中の表面から深い- 16 -位置に発生したものをいうと解するのが相当である。その理由は，次のとおりである。 まず，上記①の点についてみるに，本件特許１に係る発明は，ｎ型ＧａＮ基板の裏面を機械研磨すると結晶欠陥が発生し，コンタクト抵抗が増加するという問題点があったことから，これを解決することを課題とするものである（上記(2)エ）。また，本件特許権１の出願日以前から，半導体素子の材料となるＧａＮ基板の転位密度は，機械研磨の前は１×１０４～１０８ｃｍ－２程度であったというのであり（同イ），構成要件Ｃ１に規定された転位密度の上限値（１×１０９ｃｍ－２）を下回っているから，機械研磨がされない場合には上記課題は存在しないことになる。そうすると， ｍ－２程度であったというのであり（同イ），構成要件Ｃ１に規定された転位密度の上限値（１×１０９ｃｍ－２）を下回っているから，機械研磨がされない場合には上記課題は存在しないことになる。そうすると，構成要件Ｃ１は半導体素子製造過程での機械研磨によって生じた転位の密度に関するものとみることができる。 次に，上記②の点についてみるに，半導体素子の製造に当たり基板を機械研磨すると加工変質層と呼ばれるクラック，結晶欠陥等が生じること及びこれを完全に除去すべきことは本件特許権１の出願日以前から周知であったというのであるから（同ウ），機械研磨により生じた転位であっても加工変質層中の結晶欠陥に相当するものは，従来技術においても除去されていたとみることができる。そうすると，発明により解決すべき課題に照らすと，構成要件Ｃ１に規定された「転位」は，結晶中の加工変質層より深い位置（具体的な深さについては追って検討する。）に生じたものを指すと解すべきものとなる。なお，本件特許権１の出願日当時，加工変質層中の転位その他の結晶欠陥とコンタクト抵抗の数値等の関係について具体的な知見が明らかにされていなかったとしても，加工変質層は全て除去すべきものとされており，これに伴って加工変質層の深さの範囲内にある転位も除去されていたことになるから，上記知見の有無は上記②のとおり解すべきことの妨げにならないと考えられる。 - 17 -「転位」の意義についての以上の解釈は，本件特許１に係る審決取消訴訟（前記前提事実(4)ア(イ)）において，特許請求の範囲にいう「転位」とは「基板の機械研磨によって生じ得る加工変質層のうち，結晶中の深くまで生じ得る原子レベルの線状の結晶欠陥を意味する」旨判示し，これを前提に本件特許１に無効理由がないとした知的財産高等裁判所の判断（甲３５） の機械研磨によって生じ得る加工変質層のうち，結晶中の深くまで生じ得る原子レベルの線状の結晶欠陥を意味する」旨判示し，これを前提に本件特許１に無効理由がないとした知的財産高等裁判所の判断（甲３５）に沿うものと解される。 (4) 上記(3)の「転位」の意義に照らすと，被告製品が構成要件Ｃ１を充足するというためには，(ａ) 被告製品の製造過程において機械研磨により結晶中の深い位置に原子レベルの線状の結晶欠陥が発生したこと，(ｂ)被告製品の第１半導体層のｎ側電極との界面近傍における転位密度が１×１０９ｃｍ－２以下であることが必要となる。 この点につき，被告は，製造過程の被告製品のＧａＮ基板の研磨面近傍の断面を観察した写真であるとして，工程②及び③（機械研磨）を終了した時点のＳＴＥＭ（走査透過電子顕微鏡）による分析像（乙２１の図１。 以下「乙２１写真」という。）と，工程④（ＣＭＰ）を終了した時点のＴＥＭ（透過電子顕微鏡）による分析像（乙５０の写真１－１～３。以下「乙５０写真」と総称する。）を提出し，被告製品には構成要件Ｃ１の「転位」が認められない旨主張する。これに対し，原告は，乙２１写真には約０．２μｍの深さまで伸びた暗線状のコントラストが認められ，「転位」が存在するといえるが，乙５０写真では暗線状のコントラストが観察されず，転位密度が１×１０９ｃｍ－２以下であるから，被告製品は構成要件Ｃ１を充足する旨主張し，これに沿う大学准教授の見解書（甲３３，３４）を提出するので，以下，その主張の当否につき検討する。 ア一般的な学術用語としての転位に該当する典型的な線状の結晶欠陥（前記(2)ア参照）であれば，ＳＴＥＭないしＴＥＭ観察により線状の画像が明瞭に認められる（甲２３，２４，３０，乙６，２１参照）のに- 18 -対し，乙２１写真におい する典型的な線状の結晶欠陥（前記(2)ア参照）であれば，ＳＴＥＭないしＴＥＭ観察により線状の画像が明瞭に認められる（甲２３，２４，３０，乙６，２１参照）のに- 18 -対し，乙２１写真において原告が「転位」であると指摘する箇所は，画像処理を行ってコントラストを強調すれば線状に見える余地があるとはいえ（甲３４参照），上記の典型的な場合に比較すると不鮮明なものにとどまる。 また，本件明細書１には結晶欠陥（転位）密度をＴＥＭ分析により測定した旨の記載があり（段落【００４６】），その発明者らはＴＥＭを用いて「転位」の存在を確認したと推測されるものの，当時のＴＥＭ画像等は証拠として提出されておらず（その存在自体不明である。），発明者らが「転位」と認識したものと乙２１写真に現れたものが同一であると認めるべき証拠はない。 そうすると，乙２１写真によって，被告製品の製造過程において機械研磨により原子レベルの線状の欠陥が発生したと認めることは困難である。 イさらに，乙２１写真に線状の結晶欠陥の存在を示す暗線状のコントラストが認められるとしても，これが構成要件Ｃ１にいう「転位」に当たるというためには結晶中の深い位置，すなわち，従来技術において除去されるものとされた加工変質層より深い位置に発生したことを要する。 そこで，乙２１写真に現れた深さ約０．２μｍのコントラストがこれに当たるかについてみるに，後掲の証拠及び弁論の全趣旨によれば，加工変質層の深さは研磨剤の材質及び粒径等の加工条件によって異なり，例えば粒径に応じて約０．１～１．７μｍの範囲となり，又は９μｍ未満となる旨の報告があること（乙３１），ＧａＮ基板を機械研磨すると，Ｎ面における約０．２～０．３μｍの表面下層は激しくダメージを受け，多くの欠陥を含んでいると評価されたこと（乙 となり，又は９μｍ未満となる旨の報告があること（乙３１），ＧａＮ基板を機械研磨すると，Ｎ面における約０．２～０．３μｍの表面下層は激しくダメージを受け，多くの欠陥を含んでいると評価されたこと（乙３４），基板を機械研磨した後にＲＩＥ法により１～２μｍ程度エッチングするという技術が本件特許権１の出願日前に公知であったこと（乙２の１１）が認められる。 - 19 -また，本件明細書１には，発明の実施の形態として，機械研磨後にＧａＮ基板の裏面をＲＩＥ法によりエッチングすると，機械研磨により発生した結晶欠陥を含む領域が除去されることによりコンタクト抵抗が低下する，エッチングの深さが０．５μｍの場合のコンタクト抵抗は０． ０５Ωｃｍ２（すなわち，構成要件Ｄ１に規定された最大値）であるが，１μｍエッチングするとコンタクト抵抗が更に低くなる，０．５μｍのエッチングでは結晶欠陥を含む領域を十分に除去することができないと考えられるので，約１．０μｍ以上の厚み分を除去することが好ましい旨の記載がある（段落【００５６】，【００５９】，【表１】）。 これら事実関係に照らすと，乙２１写真に現れた深さ約０．２μｍのコントラストは，加工変質層と呼ばれる領域にとどまっていると考えられるのであって，結晶中の深い位置に存在すると認めるに足りないから，本件特許発明１及び１－２にいう「転位」に当たるとはいえないと解すべきである。 ウ以上によれば，被告製品が前記(ａ)の点を満たすと認めるに足りる証拠はないから，(ｂ)の点について検討するまでもなく，被告製品について「転位」が存在すると認めることはできず，被告製品が構成要件Ｃ１を充足するとは認められないと判断することが相当である。 (5) したがって，被告製品が本件特許発明１及び１－２の技術的範囲に属するとの原告の が存在すると認めることはできず，被告製品が構成要件Ｃ１を充足するとは認められないと判断することが相当である。 (5) したがって，被告製品が本件特許発明１及び１－２の技術的範囲に属するとの原告の主張を採用することはできない。 (6) 次に，本件特許２について検討する。 本件特許発明２は，研磨により発生した「転位」を含む第１半導体層の裏面近傍の領域を除去して裏面の「転位密度」を１×１０９ｃｍ－２以下とすること（構成要件Ｃ２）を発明の内容とする。そして，本件特許権２は本件特許権１の特許出願からの分割出願によるものであること（甲２～５，弁論の全趣旨），本件明細書２には，前記(2)エ及び(4)イの本件明細書１- 20 -の記載と同旨の記載があること（甲５）に照らすと，本件特許発明２の「転位」については本件特許発明１及び１－２と同様に解するのが相当である。 そうすると，本件特許１について判示したのと同様の理由により，被告製品の製造方法において「転位」が発生し，これを含む領域を除去したと認めることはできないから，本件特許２についても，被告による特許権侵害はないと判断すべきものとなる。 ２ 結論以上によれば，原告の請求は，その余の点について判断するまでもなく，いずれも理由がないから，これを棄却することとして，主文のとおり判決する。 東京地方裁判所民事第４６部 裁判長裁判官長谷川浩二 裁判官清野正彦 裁判官植田裕紀久- 21 -（別紙）物件目録 ピーク波長の仕様がＢＤ規格に定められた範囲内の，ＧａＮ系基板を用いた半導体レーザ素子を組み込んだ半導体レーザダイオード ）物件目録 ピーク波長の仕様がＢＤ規格に定められた範囲内の，ＧａＮ系基板を用いた半導体レーザ素子を組み込んだ半導体レーザダイオード製品。ただし，基板の裏面と対向する表面側にｎ電極を形成している製品は含まない。 - 22 -（別紙）方法目録 以下の工程からなる，別紙物件目録に記載の製品に組み込まれた，半導体レーザ素子の製造方法(1) 厚さがおよそ４００μｍのｎ型ＧａＮ基板ウエハを準備する。 (2) ｎ型ＧａＮ基板ウエハの第１の面（表面）の上に，ｎ型半導体層（ｎ型クラッド層，ｎ型光ガイド層），活性層，キャップ層，ｐ型半導体層（ｐ型光ガイド層，ｐ型クラッド層）をこの順に積層する。 (3) ｐ型半導体層の上にマスクを形成し，このマスクを用いてｐ型半導体層をエッチング除去して，素子の長手方向にストライプ状のリッジ部を形成する。 (4) リッジ部の両側から素子の両側面を絶縁層で保護し，リッジ部の上面及び側面から絶縁層の一部を覆ってｐ電極を形成する。 (5) ｎ型ＧａＮ基板ウエハの第２の面（裏面）を機械研磨して，ｎ型ＧａＮ基板ウエハをおよそ１００μｍの厚みにする。 (6) ｎ型ＧａＮ基板ウエハの裏面に化学的機械的研磨（ＣＭＰ，ChemicalMechanicalPolishing），反応性イオンエッチング（ＲＩＥ，ReactiveIonEtching）などを施し，ｎ型ＧａＮ基板ウエハの裏面近傍の領域を除去する。 (7) 上記除去工程後のｎ型ＧａＮ基板ウエハの裏面にｎ電極を形成する。 (8) 各素子の共振器端面を形成するために，ｎ型ＧａＮ基板ウエハを，ストライプ状のリッジ部に垂直な方向に劈開して，バー状に (7) 上記除去工程後のｎ型ＧａＮ基板ウエハの裏面にｎ電極を形成する。 (8) 各素子の共振器端面を形成するために，ｎ型ＧａＮ基板ウエハを，ストライプ状のリッジ部に垂直な方向に劈開して，バー状に分割する。 (9) バー状になったｎ型ＧａＮ基板ウエハをリッジ部のストライプ方向に平行に分割して半導体レーザ素子にする。 - 23 -（別紙）被告主張方法目録 ① 厚さ４００μｍ程度のＧａＮ基板の上面上に，活性層を含むＧａＮ半導体層を形成する工程，② 上記ＧａＮ基板の裏面を基板の厚さが１００μｍ程度になるまで研磨する（粗く削る）工程，③ 上記②の工程の後に，粒径の異なる研磨剤を複数使用してＧａＮ基板の裏面を鏡面になる（透明にする）まで研磨する工程，④ 上記③の工程の後に，ＣＭＰを用いてＧａＮ基板の裏面を１～数μｍ程度研磨する（ダメージ層を除去する）工程，⑤ 上記④のＣＭＰによる研磨の後，ＧａＮ基板の裏面上にｎ側電極を形成する工程とを備え，⑥ ＧａＮ基板とｎ側電極との界面近傍における，本件各特許発明にいう「転位密度」は明らかに１×１０９ｃｍ－２以下であり，ＧａＮ基板とｎ側電極とのコンタクト抵抗は商品化されたレーザ装置の有するコンタクト抵抗値になっている⑦ ＧａＮ系半導体素子の製造方法。
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