平成１２年（行ケ）第１５０号特許取消決定取消請求事件（平成１３年４月１６日口頭弁論終結）判決原告三菱マテリアルシリコン株式会社原告三菱マテリアル株式会社両名訴訟代理人弁理士安倍逸郎被告特許庁長官及川耕造指定代理人加藤浩一同内野春喜同山口由木同宮川久成 主文 原告らの請求を棄却する。 訴訟費用は原告らの負担とする。 事実及び理由 第１ 当事者の求めた裁判 １ 原告ら特許庁が平成１１年異議第７０８８０号事件について平成１２年３月１４日にした決定を取り消す。 訴訟費用は被告の負担とする。 ２ 被告主文と同旨第２ 当事者間に争いのない事実 １ 特許庁における手続の経緯原告らは、名称を「ＣＯＰを低減した張り合わせ半導体基板およびその製造方法」とする特許第２７９６６６６号発明（平成６年８月９日特許出願、平成１０年７月３日設定登録、以下「本件発明」という。）の特許権者である。 平成１１年３月８日及び同月１０日、上記特許につき特許異議の申立てがされ、平成１１年異議第７０８８０号事件として特許庁に係属したところ、原告らは、平成１１年８月１０日に明細書の特許請求の範囲及び発明の詳細な説明の各記載を訂正する旨の訂正請求をし、同年１１月２９日に訂正請求書の補正をした（以下、この補正後の訂正請求書に係る訂正を「本件訂正」と 平成１１年８月１０日に明細書の特許請求の範囲及び発明の詳細な説明の各記載を訂正する旨の訂正請求をし、同年１１月２９日に訂正請求書の補正をした（以下、この補正後の訂正請求書に係る訂正を「本件訂正」という。）。 特許庁は、同特許異議の申立てにつき審理した上、平成１２年３月１４日、「特許第２７９６６６６号の請求項１ないし３に係る特許を取り消す。」との決定（以下「本件決定」という。）をし、その謄本は同年４月６日原告らに送達された。 ２ 特許請求の範囲の記載(1) 設定登録時の明細書の特許請求の範囲の記載【請求項１】２枚の半導体基板の主面同士を重ね合わせた張り合わせ半導体基板において、その表面に存在する０．１μｍ以上の大きさのＣＯＰを０．３個／㎝２以下としたＣＯＰを低減した張り合わせ半導体基板。 【請求項２】２枚の半導体基板の主面同士を重ね合わせて１枚の張り合わせ半導体基板を製造する張り合わせ半導体基板の製造方法において、上記張り合わせ後の熱処理を、その表面に存在する０．１μｍ以上の大きさのＣＯＰが０．３個／㎝２以下とする条件で行った張り合わせ半導体基板の製造方法。 【請求項３】上記熱処理は１２００℃以上で行った請求項２に記載した張り合わせ半導体基板の製造方法。 (2) 本件訂正に係る明細書（以下「訂正明細書」という。）の特許請求の範囲の記載（注、訂正部分を下線で示す。）【請求項１】２枚の鏡面研磨したシリコンウェーハの主面同士を重ね合わせた後、１２００℃以上の温度で熱処理を行った張り合わせ半導体基板であって、その表面に存在する０．１μｍ以上の大きさのＣＯＰを０．３個／㎝２以下としたＣＯＰを低減した張り合わせ半導体基板。 （請求項 度で熱処理を行った張り合わせ半導体基板であって、その表面に存在する０．１μｍ以上の大きさのＣＯＰを０．３個／㎝２以下としたＣＯＰを低減した張り合わせ半導体基板。 （請求項２、３は上記(1)と同じ。） ３ 本件決定の理由本件決定は、別添決定謄本写し記載のとおり、①訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１記載の発明（以下「訂正発明」という。）は、平成６年５月２０日株式会社培風館発行の「アドバンストエレクトロニクスシリーズⅠ－４ バルク結晶成長技術」６０頁～７０頁（本訴甲第１２号証、以下「引用例１」という。）記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件訂正は、特許法１２６条４項の規定により認められないとし、②本件発明の要旨を設定登録時の明細書の特許請求の範囲の記載のとおり認定した上、その請求項１～３記載の各発明（以下、請求項の番号に対応して「登録時発明１～３」などと表記する。）は、いずれも特開平５－３４５６９９号公報（本訴甲第３号証の５、以下「引用例２」という。）記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件特許は、特許法２９条２項の規定に違反してされたものであり、取り消すべきものとした。 第３ 原告ら主張の本件決定取消事由本件決定の理由中、引用例１、２の記載事項の認定（決定謄本２頁２４行目～３頁３０行目、６頁７行目～７頁７行目）、訂正発明と引用例１記載の発明との一致点及び相違点の認定（同３頁３２行目～４頁４行目）、登録時発明１～３と引用例２記載の発明との一致点及び相違点の認定（同７頁１０行目～２２行目、８頁１５行目～３０行目、９頁２４行目～末行）は認める。 本件決定は、本件訂正の許否の判断において、訂正発明と引用例１記載の発明と 発明との一致点及び相違点の認定（同７頁１０行目～２２行目、８頁１５行目～３０行目、９頁２４行目～末行）は認める。 本件決定は、本件訂正の許否の判断において、訂正発明と引用例１記載の発明との相違点１、２についての認定判断を誤り（取消事由１、２）、登録時発明１～３と引用例２との各相違点１、２についての認定判断を誤った（取消事由３～５）結果、本件特許が特許法２９条２項の規定に違反してされたとの誤った結論に至ったものであるから、違法として取り消されるべきである。 １ 取消事由１（訂正発明に係る相違点１についての認定判断の誤り）本件決定は、訂正発明と引用例１記載の発明との相違点１、すなわち、訂正発明は「２枚の鏡面研磨したシリコンウェーハの主面同士を重ね合わせた後、１２００℃以上の温度で熱処理を行った張り合わせ半導体基板のＣＯＰ密度を低減した発明であるのに対して、上記刊行物（注、引用例１）には、張り合わせ基板について記載されていない点」（決定謄本３頁３５行目～３８行目）について、「熱処理すればＣＯＰが減少し、熱処理温度を１２００℃以上とすることによりＣＯＰをなくすことは周知である」（同４頁１５行目～１７行目）との認定に基づき、「周知の張り合わせ半導体基板に上記刊行物（注、引用例１）に記載された発明を適用して、ＣＯＰ密度を低減することは当業者が容易になし得たことであると認められる」（同４頁１９行目～２１行目）と判断するが、上記認定及び判断は誤りである。 すなわち、本件決定が上記周知性の認定の根拠として挙げる引用例１（甲第１２号証）には、熱処理をすればＣＯＰが減少するとの記載はあるものの、１２００℃以上の温度での熱処理でＣＯＰをなくすことについては記載も示唆もない。さらに、引用例１の発行日は、本件発明の特許出願日よりわず 証）には、熱処理をすればＣＯＰが減少するとの記載はあるものの、１２００℃以上の温度での熱処理でＣＯＰをなくすことについては記載も示唆もない。さらに、引用例１の発行日は、本件発明の特許出願日よりわずか２か月程度早いだけであるから、引用例１の記載事項が本件特許の出願当時周知であったということはできない。 なお、被告は、乙第１～第５号証を追加周知例として提出するが、乙１号証は、ＦＰＤ欠陥に関し、ＦＰＤとＣＯＰとは関連するとの解釈が示されているにとどまるものであり、乙第２号証も、ＣＯＰについて直接示すものではなく、乙第３号証は、微少ビット（微少欠陥核）が熱処理により低減されることを示すのみであり、乙第５号証は、単にＣＯＰを紹介する記事であり、いずれも１２００℃の熱処理でＣＯＰがなくなることを示すものではない。 以上のとおり、「１２００℃の熱処理でＣＯＰをなくすこと」は周知ではないから、張り合わせ半導体基板にこれを適用してＣＯＰ密度を低減することが、当業者にとって容易ということはできず、この点についての本件決定の判断は誤りである。 ２ 取消事由２（訂正発明に係る相違点２についての認定判断の誤り）本件決定は、訂正発明と引用例１記載の発明との相違点２、すなわち、訂正発明では「０．１μｍ以上の大きさのＣＯＰを０．３個／㎝２以下としているのに対して、上記刊行物（注、引用例１）では、熱処理によって５インチウェーハの１０回洗浄後の０．２０～０．２５μｍのパーティクル数をほぼ０とすることができることが記載されているのみである点」（決定謄本３頁末行～４頁３行目）について、「表面に許容されるＣＯＰ欠陥の密度は、必要とされる酸化膜耐圧に応じて当業者が適宜決定し得る設計事項」（同４頁２４行目～２５行目）であるとの認定に基づいて、「０ 謄本３頁末行～４頁３行目）について、「表面に許容されるＣＯＰ欠陥の密度は、必要とされる酸化膜耐圧に応じて当業者が適宜決定し得る設計事項」（同４頁２４行目～２５行目）であるとの認定に基づいて、「０．１μｍ以上の大きさのＣＯＰを０．３個／㎝２以下とするように規定することに格別の困難は認められない」（同４頁２７行目～２８行目）と判断するが、上記認定及び判断は誤りである。 すなわち、訂正発明は、１２００℃以上の熱処理を張り合わせ半導体基板に与えることにより、ＣＯＰを所定値以下として酸化膜耐圧を向上させるとともに、その接合強度を高めるという予期し得ない効果を奏するものである。また、酸化膜耐圧の値については、従来より、各モード試験によりデバイスの関係で定められるところ、各種の欠陥（例えばＯＳＦ）の密度などによりその耐圧値を定めた例はなく、ＣＯＰ密度の数値は設計事項ではない。 ３ 取消事由３（登録時発明１に係る相違点１についての認定判断の誤り）本件決定は、登録時発明１と引用例２記載の発明との相違点１、すなわち、登録時発明１は「２枚の半導体基板の主面同士を重ね合わせた張り合わせ半導体基板のＣＯＰ密度を低減したものであるのに対して、上記刊行物１０（注、引用例２）にはそのような構成について記載されていない点」（決定謄本７頁１３行目～１５行目）について、「『加熱することによりＣＯＰが低減し、それに伴って酸化膜耐圧が向上すること』は周知である」（同７頁３３行目～３４行目）との認定に基づいて、「周知の張り合わせ半導体基板に上記刊行物１０（注、引用例２）に記載された発明を適用して、ＣＯＰ密度を低減することは当業者が容易になし得たことであると認められる」（同７頁３７行目～８頁１行目）と判断するが、上記認定及び判断は誤りである。 す 例２）に記載された発明を適用して、ＣＯＰ密度を低減することは当業者が容易になし得たことであると認められる」（同７頁３７行目～８頁１行目）と判断するが、上記認定及び判断は誤りである。 すなわち、引用例２（甲第３号証の５）には、所定温度で所定時間の熱処理をシリコンウェーハに施すとＣＯＰ核が消滅するとの趣旨の記載があるにすぎないが、登録時発明１は、単なる加熱ではなく、所定条件での加熱が必要である。さらに、本件発明の出願当時、半導体基板の張り合わせ技術に関してＣＯＰに言及された刊行物はないから、上記相違点に係る構成は当業者が容易に想到し得たものでない。 ４ 取消事由４（登録時発明１に係る相違点２についての認定判断の誤り）本件決定は、登録時発明１と引用例２記載の発明との相違点２、すなわち、登録時発明１は「０．１μｍ以上の大きさのＣＯＰを０．３個／㎝２以下としているのに対して、上記刊行物１０（注、引用例２）に記載された発明におけるＣＯＰの低減の程度は、『洗浄液として、ＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ（１：１：５）液を用い、エッチング作用を強くするために通常よりも高温である８５℃で、２０分間程度洗浄する工程を１０回繰り返したとき、シリコンウェーハの表面に、直径０． ２μｍ程度のエッチピットが形成されることはない。』程度である点」（決定謄本７頁１６行目～２２行目）について、「『ＣＯＰが低減すると酸化膜耐圧が向上すること』は周知である。してみれば、表面に許容されるＣＯＰ欠陥の密度は、必要とされる酸化膜耐圧に応じて当業者が適宜決定し得る設計事項であ」る（同８頁４行目～６行目）との認定に基づき、「０．１μｍ以上の大きさのＣＯＰを０．３個／㎝２以下とするように規定することに格別の困難は認められない」（同８頁８行目～９行目）と判断するが、 であ」る（同８頁４行目～６行目）との認定に基づき、「０．１μｍ以上の大きさのＣＯＰを０．３個／㎝２以下とするように規定することに格別の困難は認められない」（同８頁８行目～９行目）と判断するが、上記認定及び判断は誤りである。 すなわち、ＣＯＰの低減による酸化膜耐圧の向上が周知の知見といえないことは上記のとおりであり、ＣＯＰ密度の数値設定は設計事項ではない。 ５ 取消事由５（登録時発明２、３の各相違点１、２についての認定判断の誤り）本件決定は、登録時発明２、３の各相違点１、２についても、加熱することによりＣＯＰが低減すること、ＣＯＰの低減に伴って酸化膜耐圧が向上することは周知であるとの認定（決定謄本９頁３行目～４行目、１２行目～１３行目、１０頁１２行目～１３行目、２１行目～２２行目）に基づき、これらの各相違点は当業者が容易に想到することができたものであると判断するが、この周知性の認定が誤りであり、その結果、容易想到性の判断を誤ったことは上述したところと同一である。 第４ 被告の反論本件決定の認定判断は正当であり、原告主張の取消事由は理由がない。 １ 取消事由１（訂正発明に係る相違点１についての認定判断の誤り）について原告らは、「熱処理をすればＣＯＰが減少し、熱処理温度を１２００℃以上とすることによりＣＯＰをなくすことは周知である」とした本件決定の認定は誤りである旨主張するが、引用例１（甲第１２号証）には、「高温のデバイスプロセスでＣＯＰ欠陥は消滅していく」（６８頁２１行目～末行）、「調べた温度範囲では、どの場合にもパーティクル数の減少が認められる。そして、この変化は、おおむね高温での熱処理ほど短時間でおきている。このことは高温でＣＯＰ欠陥が分解していくことを示唆する」（６７頁１９行目～６８頁１行目 の場合にもパーティクル数の減少が認められる。そして、この変化は、おおむね高温での熱処理ほど短時間でおきている。このことは高温でＣＯＰ欠陥が分解していくことを示唆する」（６７頁１９行目～６８頁１行目）との記載があり、図２．２４には、８００℃で約１６時間、1０５０℃で約８時間、１１５０℃で約２時間の熱処理により、５インチウェーハの１０回洗浄後の０．２０～０．２５μｍのパーティクル数をほぼ０とすることができることが図示されている。これらの記載から、シリコンウェーハを８００℃以上の高温で熱処理をすることによりＣＯＰ欠陥が消滅することが示されていることは明らかである。 さらに、平成６年５月２０日株式会社培風館初版発行の「アドバンストエレクトロニクスシリーズⅠ－５ シリコン結晶成長とウェーハ加工」（乙第１号証）、SEMICONDUCTORSCIENCEANDTECHNOLOGYVol.7 No.1「RecognitionofDdefectsinsiliconsinglecrystalsbypreferentialetchingandeffectongateoxideintegrity」（１９９２年）（乙第２号証）、特開平３－２３３９３６（乙第３号証）、Inst.Phys.Conf.Ser.No.135：Chapter1「Characteristicsoftheas-growndefectsinaCZsiliconsinglecrystal」（１９９３年）（乙第４号証）及び平成６年７月２９日株式会社リアライズ社発行の「ＵＬＳＩ製造のための分析ハンドブック」（乙第５号証）にもこれに沿う記載があり、本件決定が「熱処理をすればＣＯＰが減少し、熱処理温度を１２００℃以上とすることによりＣＯ 日株式会社リアライズ社発行の「ＵＬＳＩ製造のための分析ハンドブック」（乙第５号証）にもこれに沿う記載があり、本件決定が「熱処理をすればＣＯＰが減少し、熱処理温度を１２００℃以上とすることによりＣＯＰをなくすことは周知である」とした認定に誤りはない。 そして、半導体基板において、酸化膜耐圧の向上は、半導体基板の種類に関わらない一般的な課題であるから、半導体の一種である張り合わせ半導体基板においても、酸化膜耐圧が優れていることが望ましいことは当然であり、さらに、引用例１（甲第１２号証）には「熱処理してＣＯＰ欠陥を減少させると、酸化膜耐圧が向上するという例も報告されている」（６８頁末行～６９頁１行目）と記載されており、熱処理をしてＣＯＰ欠陥を減少させると酸化膜耐圧が向上するとの知見が示されている。そして、この知見が張り合わせ半導体基板において当てはまらないとする特別な理由は存在しないから、「熱処理をすればＣＯＰが減少すること」及び「熱処理を１２００℃以上とすることによりＣＯＰをなくすこと」という知見を活用して、張り合わせ半導体基板のＣＯＰ密度を低減することは当業者が適宜し得たことである。 よって、訂正発明に係る相違点１についての本件決定の認定判断に誤りはない。 ２ 取消事由２（訂正発明に係る相違点２についての認定判断の誤り）について原告らは、１２００℃以上の熱処理を張り合わせ半導体基板に与えることにより、ＣＯＰを所定値以下として酸化膜耐圧を向上させるとともに、その接合強度を高めるという予期し得ない効果を奏する旨主張するが、平成５年９月３０日丸善株式会社発行の「半導体シリコン結晶工学」（甲第４号証の５）の「２枚のシリコンウエーハは表面酸化膜を介し圧着されるだけで室温でさえも接合する。しかし、一定以上の接合強度を が、平成５年９月３０日丸善株式会社発行の「半導体シリコン結晶工学」（甲第４号証の５）の「２枚のシリコンウエーハは表面酸化膜を介し圧着されるだけで室温でさえも接合する。しかし、一定以上の接合強度を得るためには７００℃以上、接合面に気泡などによる未接合部分を残さず接合後の研磨に十分耐え得る強度を得るためには１０００℃以上での接着が必要である」（２３０頁１６行目～１９行目）との記載並びに図５．１５及び図５．１７の図示からも明らかなように、１２００℃以上の熱処理を張り合わせ半導体基板に与えると接合強度が高まることは、当業者が予測し得た効果にすぎない。 そして、熱処理によってＣＯＰ欠陥を減少させると酸化膜耐圧が向上することが引用例１に示されていることは上記のとおりであるから、１２００℃以上の熱処理を張り合わせ基板に与えると、ＣＯＰが減少し、酸化膜耐圧が向上することも、当業者が当然に予測し得たことである。さらに、表面に許容されるＣＯＰ欠陥の密度について、０．１μｍ以上のＣＯＰを０．３個／㎝２以下とするという値に臨界的な意義もないから、当該値に規定することに格別の困難性はないというべきである。 したがって、訂正発明に係る相違点２についての本件決定の認定判断に誤りはない。 ３ 取消事由３（登録時発明１に係る相違点１についての認定判断の誤り）について原告らは、本件決定の、加熱することによりＣＯＰが低減し、それに伴って酸化膜耐圧が向上することは周知であるとした認定及び張り合わせ半導体基板に引用例２記載の発明を適用して、ＣＯＰ密度を低減することは当業者が容易にし得たことであるとの判断は誤りである旨主張する。 しかし、引用例２（甲第３号証の５）には、「シリコンウェーハを１２５０℃以上で３０分間以上熱処理する。これ 度を低減することは当業者が容易にし得たことであるとの判断は誤りである旨主張する。 しかし、引用例２（甲第３号証の５）には、「シリコンウェーハを１２５０℃以上で３０分間以上熱処理する。これによりＣＯＰ（CrystalOriginatedParticle）核を消滅させるものである。この後、このシリコンウェーハを当該温度から４℃／分以上の速度で冷却する。この結果、シリコンウェーハにおいてＣＯＰ核の再発生を防止することができる。・・・測定の結果、酸化膜の絶縁破壊耐圧が向上している」（【０００７】）と記載されており、これによれば、加熱によりＣＯＰが低減し、それに伴って酸化膜耐圧が向上するとの知見が記載されているといえる。さらに、引用例１、乙第１～第５号証にも同様の知見が記載されていることは上記のとおりである。したがって、「加熱することによりＣＯＰが低減し、それに伴って酸化膜耐圧が向上する」という知見が周知であったとする本件決定の認定は誤りはない。 そして、上記知見が、２枚の半導体基板の主面同士を重ね合わせた張り合わせ半導体基板に当てはまらないとする特別な理由も存在しないから、これを張り合わせ半導体基板に適用して、ＣＯＰ密度を低減することは当業者が適宜し得たことであって、この点の本件決定の判断にも誤りはない ４ 取消事由４（登録時発明１に係る相違点２についての認定判断の誤り）について原告らは、本件決定が「ＣＯＰが低減で酸化膜耐圧が向上することが周知である」とした認定及び「表面に許容されるＣＯＰ欠陥密度は、必要とされる酸化膜耐圧に応じて当業者が適宜決定し得る設計事項」とした判断は誤りである旨主張するが、「ＣＯＰが低減すると酸化膜耐圧が向上することが周知」であること、表面に許容されるＣＯＰ欠陥の密度について、０．１ 膜耐圧に応じて当業者が適宜決定し得る設計事項」とした判断は誤りである旨主張するが、「ＣＯＰが低減すると酸化膜耐圧が向上することが周知」であること、表面に許容されるＣＯＰ欠陥の密度について、０．１μｍ以上のＣＯＰを０．３個／㎝ 以下にするという値に臨界的な意義も認められないことは上記のとおりであり、この点の本件決定の認定判断に誤りはない。 ５ 取消事由５（登録時発明２、３の各相違点１、２についての認定判断の誤り）について登録時発明１の相違点に関して本件決定の認定判断に誤りはないから、上記３、４と同様の取消事由を挙げる登録時発明２、３の各相違点１、２に関しても、本件決定に誤りはない。 第５ 当裁判所の判断 １ 取消事由１（訂正発明に係る相違点１についての認定判断の誤り）について(1) 原告らは、「熱処理をすればＣＯＰが減少し、熱処理温度を１２００℃以上とすることによりＣＯＰをなくすことは周知である」とする本件決定の認定は誤りである旨主張する。 しかし、引用例１（甲第１２号証）は、「結晶に起因して発生し、パーティクルカウンターでパーティクルとして計数されるもの(実体はピット)」を「Crystal-OriginatedParticle（COP）」と、「ＣＯＰの原因となる欠陥」を「ＣＯＰ欠陥」と呼ぶこととした（６２頁末行～６３頁３行目）上、「高温のデバイスプロセスでＣＯＰ欠陥は消滅していく」（６８頁２１行目～２２行目）、「調べた温度範囲では、どの場合にもパーティクル数の減少が認められる。そして、この変化は、おおむね高温での熱処理ほど短時間でおきている。このことは高温でＣＯＰ欠陥が分解していくことを示唆する」（６７頁１９行目～６８頁１行目）と記載するものであり、また、図２．２４には、８００℃で約１６時間、１０５０℃で 熱処理ほど短時間でおきている。このことは高温でＣＯＰ欠陥が分解していくことを示唆する」（６７頁１９行目～６８頁１行目）と記載するものであり、また、図２．２４には、８００℃で約１６時間、１０５０℃で約８時間、１１５０℃で約２時間の熱処理により、５インチウェーハの１０回洗浄後の０．２０～０．２５μｍのパーティクル数をほぼ０とすることができることが示されていること、引用例２（甲第３号証の５）には、「ＣＺ法により引き上げたシリコン単結晶から通常の工程を経てシリコンウェーハを作製する。そして、このシリコンウェーハを１２５０℃以上で３０分間以上熱処理する。これによりＣＯＰ（CrystalOriginatedParticle）核を消滅させるものである。この後、このシリコンウェーハを当該温度から４℃／分以上の速度で冷却する。この結果、シリコンウェーハにおいてＣＯＰ核の再発生を防止することができる。・・・測定の結果、酸化膜の絶縁破壊耐圧が向上している」（【０００７】）との記載があること、平成６年５月２０日株式会社培風館初版発行の「アドバンストエレクトロニクスシリーズⅠ－５ シリコン結晶成長とウェーハ加工」（乙第１号証）には、「ＣＯＰとＦＰＤＣＺ結晶の成長速度と酸化膜耐圧（timezerodielectricbreakdown：TZDB)の見事な関係が発表され、また、成長速度とＣＯＰあるいはＦＰＤの密度の相関も明らかである。図１１．３０はこれらの関係を説明しているが、高温の熱処理によってＦＰＤが消滅することも示している」（２８１頁１行目～末行）との記載があること、ＣＯＰとＦＰＤを同一視することができることは、平成６年７月２９日株式会社リアライズ社発行の「ＵＬＳＩ製造のための分析ハンドブック」（乙第５号証）の「サンプルを攪拌せずに・・・エ との記載があること、ＣＯＰとＦＰＤを同一視することができることは、平成６年７月２９日株式会社リアライズ社発行の「ＵＬＳＩ製造のための分析ハンドブック」（乙第５号証）の「サンプルを攪拌せずに・・・エッチングを行った時に観察される楔形の模様（フローパターン：ＦＰ）・・・は先端部に存在する欠陥がエッチングされる際に発生する気泡が原因でできるエッチング段差であるが、この欠陥部分がフローパターン欠陥（ＦＰＤ）と呼ばれている」（１４４頁１８行目～２２行目）、「ＣＯＰｓとＦＰＤは発生分布等に若干の相違点はあるが、同じ欠陥を別の方法で検出していると考えられている」（１４４頁３３行目～３４行目）との記載から認められること、特開平３－２３３９３６（乙第３号証）には、「一定の熱処理を施すことにより、シリコンウエーハ中の微少欠陥を大幅に低減することができる。この結果、電気的特性が向上したシリコンウエーハを得ることができる。 例えばポリシング工程の後において、シリコンウエーハを、酸素ガスまたは窒素ガスの雰囲気中において８００℃～１２５０℃の間の温度に１０時間以下加熱したものである」（２０８頁左上欄１７行目～右上欄７行目）との記載があること、Inst.Phys.Conf.Ser.No.135：Chapter 1「Characteristicsoftheas-growndefectsinaCZsiliconsinglecrystal」（乙第４号証）には、Fig.７(a)において、ウェーハのＣＯＰ密度が乾燥酸素雰囲気中における１２００℃、１時間の熱処理において、０㎝－２となることが示されていることが明らかである。 以上の記載からすれば、シリコンウェーハに熱処理をすればＣＯＰが減少すること及びこれによって酸化膜の絶縁耐力が向上するとの知見が、一 て、０㎝－２となることが示されていることが明らかである。 以上の記載からすれば、シリコンウェーハに熱処理をすればＣＯＰが減少すること及びこれによって酸化膜の絶縁耐力が向上するとの知見が、一般的な技術文献を含めて幅広く開示されており、これらの知見は、本件特許出願当時、当業者に周知であったものと認めるに足りる。そして、当該熱処理温度についても、１１５０℃（引用例１）、１２５０℃（引用例２）、８００℃～１２５０℃（乙第３号証）、１２００℃（乙第４号証）との数値が示されていることは前示のとおりであるから、訂正発明のように１２００℃以上と規定することに格別の困難性があるとはいえない。 なお、原告らは、引用例１の発行日が本件発明の特許出願日よりわずか２か月程度早いにすぎない旨主張するが、引用例１の一般的な技術書としての性格及び引用例１以外の上記各刊行物の存在を考えると、上記の認定判断を何ら妨げるものではない。 (2) 次に、原告らは、「上記周知の張り合わせ半導体基板に上記刊行物に記載された発明を適用して、ＣＯＰの密度を低減することは当業者が容易になし得たことであると認められる」とした本件決定の判断は誤りである旨主張するが、シリコンウェーハに関する上記(1)の周知の知見を、同じ半導体ウェーハとして周知である張り合わせ半導体基板に適用することを妨げるべき理由を見いだすことはできず、当業者であれば、張り合わせ半導体基板に上記の周知の知見を適用することに格別の困難性があるとはいえない。 したがって、本件決定が「上記周知の張り合わせ半導体基板に上記刊行物に記載された発明を適用して、ＣＯＰの密度を低減することは当業者が容易になし得たことであると認められる」とした判断に誤りはない。 ２ 取消事由２（訂正発明に係る相違点２についての認 基板に上記刊行物に記載された発明を適用して、ＣＯＰの密度を低減することは当業者が容易になし得たことであると認められる」とした判断に誤りはない。 ２ 取消事由２（訂正発明に係る相違点２についての認定判断の誤り）について原告らは、１２００℃以上の熱処理を張り合わせ半導体基板に与えることにより、ＣＯＰを所定値以下として酸化膜耐圧を向上させるとともに、その接合強度を高めるという予期し得ない効果を奏する旨主張する。 しかし、まず、酸化膜耐圧に関しては、前示の引用例２及び乙第１号証の記載並びに平成６年７月２９日株式会社リアライズ社発行の「ＵＬＳＩ製造のための分析ハンドブック」（甲第４号証の１）の「（３）酸化膜に影響を及ぼす欠陥とプロセス表５にゲート酸化膜特性に影響する要因とそのプロセスを改善のための技術について示す。絶縁耐圧に影響する要因としてはパーティクル、結晶欠陥、Ｓi表面ラフネスなどを挙げているが、実際には原因の明確になっていないも多くある。・・・さらに最近では非常に小さい欠陥（SMD：SurfaceMicroDefect,FP：FlowPattern, COP：CrystalOriginetedParticle)などが観察されている。松下らはＳＭＤと絶縁耐圧に影響していることを示す」（１６頁２２行目～２７行目）との記載から、ＣＯＰ欠陥と酸化膜耐圧とは相関関係があり、ＣＯＰ密度を減少させると酸化膜耐圧が向上することは周知と認められるから、原告らの主張する効果が予期し得ないようなものであるとはいえない。 また、接合強度に関しても、平成５年９月３０日丸善株式会社発行の「半導体シリコン結晶工学」（甲第４号証の５）には、「２枚のシリコンウエーハは表面酸化膜を介して圧着されるだけで室温でさえも接合する。しかし 、接合強度に関しても、平成５年９月３０日丸善株式会社発行の「半導体シリコン結晶工学」（甲第４号証の５）には、「２枚のシリコンウエーハは表面酸化膜を介して圧着されるだけで室温でさえも接合する。しかし、一定以上の接合強度を得るためには７００℃以上、接合面に気泡などによる未接合部分を残さず接合後の研磨に十分耐え得る強度を得るためには１０００℃以上での接着が必要である」（２３０頁１６行目～１９行目）と記載されており、これに熱処理温度と接合強度の相関関係を示す図５．１５の図示を総合すれば、原告らの主張する上記の効果は、当業者が容易に予測することのできたものにすぎないというべきである。 そして、訂正発明が、ＣＯＰ密度について、０．１μｍ以上の大きさのＣＯＰを０．３個／㎝２以下に限定したことによる臨界的な意義も訂正明細書に記載されておらず、かつ、これを認めるに足りる証拠もないから、「０．１μｍ以上の大きさのＣＯＰを０．３個／㎝２以下とするように規定することに格別の困難は認められない」とした本件決定の判断に誤りはないというべきである。 よって、原告らの取消事由２の主張も理由がない。 ３ 取消事由３～５について原告らは、登録時発明１～３に係る相違点について、本件決定の認定判断に誤りがあるとして、取消事由３～５を主張するが、その趣旨とするところは、「加熱することによりＣＯＰが低減し、それに伴って酸化膜耐圧が向上することは周知である」との認定の誤りをいうとともに、その認定を前提とした容易想到性の判断の誤りをいうものであって、これを採用することができないことは、上記１、２で判断したところに照らして明らかである。 よって、原告らの取消事由３～５の主張もいずれも理由がない。 ４ 以上のとおり、原告ら主張の本件決定取消事由はいずれ ることができないことは、上記１、２で判断したところに照らして明らかである。 よって、原告らの取消事由３～５の主張もいずれも理由がない。 ４ 以上のとおり、原告ら主張の本件決定取消事由はいずれも理由がなく、他に本件決定を取り消すべき瑕疵は見当たらない。 よって、原告らの請求は理由がないから棄却することとし、訴訟費用の負担につき行政事件訴訟法７条、民事訴訟法６１条、６５条１項本文を適用して、主文のとおり判決する。 東京高等裁判所第１３民事部裁判長裁判官篠原勝美裁判官長沢幸男裁判官宮坂昌利
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