- 1 -平成２５年３月２９日判決言渡平成２４年（行ケ）第１０２７５号審決取消請求事件口頭弁論終結日平成２５年２月１８日判決 原告三洋電機株式会社 訴訟代理人弁護士尾崎英男同日野英一郎同上野潤一同今田瞳同鷹見雅和訴訟代理人弁理士廣瀬文雄同豊岡静男 被告日亜化学工業株式会社 訴訟代理人弁護士古城春実同牧野知彦同堀籠佳典同加治梓子訴訟代理人弁理士蟹田昌之主文 １ 原告の請求を棄却する。 ２ 訴訟費用は原告の負担とする。 事実 及び理由 - 2 -第１ 請求特許庁が，無効２０１１－８００２０１号事件について，平成２４年６月２１日にした審決のうち，「特許第３６５００００号の請求項１～４に係る発明についての特許を無効とする。」及び「審判費用は，その５分の１を請求人の負担とし，５分の４を被請求人の負担とする。」の部分を取り消す。 第２ 当事者間に争いのない事実 １ 特許庁における手続の経緯等原告は，発明の名称を「窒 及び「審判費用は，その５分の１を請求人の負担とし，５分の４を被請求人の負担とする。」の部分を取り消す。 第２ 当事者間に争いのない事実 １ 特許庁における手続の経緯等原告は，発明の名称を「窒化物系半導体レーザ素子および窒化物半導体レーザ装置の製造方法」とする特許第３６５００００号（平成１２年７月４日出願，平成１７年２月２５日設定登録。以下「本件特許」という。）の特許権者である。 被告は，平成２３年１０月７日，本件特許を無効にすることを求めて審判の請求（無効２０１１－８００２０１号事件）をし，原告は，同年１２月２６日付けで，本件特許の請求項１及び５，並びに，段落【０００７】，【００１６】，【００２５】及び【００９０】について特許請求の範囲の減縮，明りょうでない記載の釈明及び誤記の訂正を理由とする訂正請求をした（以下「本件訂正」という。）。特許庁は，平成２４年６月２１日，「訂正を認める。特許第３６５００００号の請求項１～４に係る発明についての特許を無効とする。特許第３６５００００号の請求項５に係る発明についての審判請求は成り立たない。審判費用は，その５分の１を請求人の負担とし，５分の４を被請求人の負担とする。」との審決（以下「審決」という。）をし，その謄本は，同月２９日，原告（無効審判における請求人代理人）に送達された。 ２ 特許請求の範囲本件訂正に基づく訂正後の本件特許の特許請求の範囲の請求項１ないし５の記載は，次のとおりである（以下，請求項１ないし５に係る発明を，それぞれ「本件発明１」ないし「本件発明５」という。）。また，上記訂正後の本件特許の特許請求の範囲，明細書及び図面を総称して「本件明細書」ということがある（甲１３）。 - 3 -別紙１の本件明細書の【図１】は，発明の参考例に係る窒化物系半導体レーザ素子の第１の例を示 の本件特許の特許請求の範囲，明細書及び図面を総称して「本件明細書」ということがある（甲１３）。 - 3 -別紙１の本件明細書の【図１】は，発明の参考例に係る窒化物系半導体レーザ素子の第１の例を示す模式的な透視斜視図，【図２】は，図１の半導体レーザ素子を上側及び下側から観察した場合の模式的な平面図である。 【請求項１】導電性を有する透明基板の一方の面上に第１導電型の第１の窒化物系半導体層，能動素子領域，および共振器長方向に延びるストライプ状のリッジ部を有する第２導電型の第２の窒化物系半導体層が形成され，前記透明基板の他方の面上に第１のオーミック電極が形成されるとともに，前記第２の窒化物系半導体層上に第２のオーミック電極が形成されてなる窒化物系半導体レーザ素子であって，前記第１のオーミック電極は，共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く領域に形成され，前記第２のオーミック電極は，前記リッジ部上のストライプ領域の両端部近傍上および前記ストライプ領域を含む所定領域上に形成され，前記所定領域が，平面視において，前記第２の窒化物系半導体層の領域から前記共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域ならびに素子の側面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く領域であることを特徴とする窒化物系半導体レーザ素子。 【請求項２】前記第１のオーミック電極は，前記共振器の両端面側の辺に沿ったストライプ状の領域ならびに前記窒化物系半導体素子の両側面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く領域に形成されていることを特徴とする請求項１記載の窒化物系半導体レーザ素子。 【請求項３】前記基板は窒化ガリウムから構成されることを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載の窒化物系半導体レーザ素子。 【請求項４】前記第１および前記第２の窒化物系半導体 ザ素子。 【請求項３】前記基板は窒化ガリウムから構成されることを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載の窒化物系半導体レーザ素子。 【請求項４】前記第１および前記第２の窒化物系半導体層はガリウム，アルミニウム，インジウム，ホウ素およびタリウムの少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１～３のいずれかに記載の窒化物系半導体レーザ素子。 【請求項５】窒化物系半導体レーザ素子をサブマウントにジャンクションダウンで- 4 -実装する窒化物系半導体レーザ装置の製造方法であって，導電性を有する透明基板の一方の面上に第１導電型の第１の窒化物系半導体層，能動素子領域，および共振器長方向に延びるストライプ状のリッジ部を有する第２導電型の第２の窒化物系半導体層が形成され，前記透明基板の他方の面上に第１のオーミック電極が形成されるとともに，前記第２の窒化物系半導体層上に第２のオーミック電極が形成され，前記第１のオーミック電極は，共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く領域に形成され，前記第２のオーミック電極は，前記リッジ部上のストライプ領域の両端部近傍上および前記ストライプ領域を含む所定領域上に形成され，前記所定領域が，平面視において，前記第２の窒化物系半導体層の領域から前記共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域ならびに素子の側面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く領域である窒化物系半導体レーザ素子を作製する工程と，前記窒化物系半導体レーザ素子を前記透明基板側を上にして，該透明基板方向から前記ストライプ領域の端部に形成された前記第２のオーミック電極の形状を見ながら，ジャンクションダウンでサブマウントに実装する工程とを備えたことを特徴とする窒化物系半導体レーザ装置の製造方法。 ３ 審決の理由(1) 別紙審決 された前記第２のオーミック電極の形状を見ながら，ジャンクションダウンでサブマウントに実装する工程とを備えたことを特徴とする窒化物系半導体レーザ装置の製造方法。 ３ 審決の理由(1) 別紙審決書写しのとおりである。その判断の概要は以下のとおりである。 ア本件訂正における訂正事項は，いずれも，（平成２３年法律第６３号附則２条１８項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の）特許法１３４条の２第１項ただし書各号に掲げる事項を目的とするものに該当し，同条５項において準用する同法１２６条３項及び４項の規定に適合する。 イ本件発明１～４は，甲６（特開平１０－２４２５８１号公報）に記載された発明（以下「甲６発明」という。別紙２の【図２】は，発明の実施例に係るレーザ素子の構造を示す斜視図である。）並びに甲２（特開平１１－３３０６１０号公報）及び甲３（特開２０００－１１４６６４号公報）に記載された技術から当業者- 5 -が容易に発明することができたものである。 本件発明５は，甲２～７，９に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 ウ本件訂正後の特許請求の範囲の記載が，特許法３６条６項１号及び２号に規定された要件を満たしていないとはいえない。 エ以上検討したとおり，訂正請求は認めることができる。そして，本件発明１～４は，無効理由４により，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない発明であるため，本件発明１～４についての特許は，同法１２３条１項２号に該当し，無効とすべきものである。一方，本件発明５についての特許は，請求人（被告）の主張する無効理由及び証拠方法によっては，無効とすることができない。 (2) 審決が，上記判断に際して認定した甲６発明の内容，本件発明１との一致点及び相 件発明５についての特許は，請求人（被告）の主張する無効理由及び証拠方法によっては，無効とすることができない。 (2) 審決が，上記判断に際して認定した甲６発明の内容，本件発明１との一致点及び相違点は，以下のとおりである。 ア甲６発明の内容導電性のＧａＮ基板１の一方の面上にｎ型窒化物半導体層２，活性層３，および共振器長方向に延びるリッジストライプ４’を有するｐ型窒化物半導体層４が形成され，前記ＧａＮ基板１の他方の面上に負電極７が形成されるとともに，前記ｐ型窒化物半導体層４上に正電極５とパッド電極６とが形成されてなる窒化物半導体レーザ素子であって，前記負電極７は，共振器の側面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く領域に形成され，前記正電極５とパッド電極６とは，前記リッジストライプ４’上のストライプ領域の両端部近傍上および前記ストライプ領域を含む所定領域上に形成され，前記所定領域が，平面視において，前記ｐ型窒化物半導体層４の領域から素子の側面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く領域である窒化物半導体レーザ素子。 イ一致点導電性を有する透明基板の一方の面上に第１導電型の第１の窒化物系半導体層，能動素子領域，および共振器長方向に延びるストライプ状のリッジ部を有する第２- 6 -導電型の第２の窒化物系半導体層が形成され，前記透明基板の他方の面上に第１のオーミック電極が形成されるとともに，前記第２の窒化物系半導体層上に第２のオーミック電極が形成されてなる窒化物系半導体レーザ素子であって，前記第２のオーミック電極は，前記リッジ部上のストライプ領域の両端部近傍上および前記ストライプ領域を含む所定領域上に形成され，前記所定領域が，平面視において，前記第２の窒化物系半導体層の領域から素子の側面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く トライプ領域の両端部近傍上および前記ストライプ領域を含む所定領域上に形成され，前記所定領域が，平面視において，前記第２の窒化物系半導体層の領域から素子の側面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く領域である窒化物系半導体レーザ素子。 ウ相違点（審決の表記に合わせて，相違点５，６と記載する。）(ｱ) 相違点５本件発明１では第１のオーミック電極が「共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く領域に形成」されているのに対して，甲６発明では，「共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く領域に形成」されているのか否か不明である点。 (ｲ) 相違点６本件発明１では第２のオーミック電極が形成される所定領域から，「平面視において，前記第２の窒化物系半導体層の領域から前記共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域」が除かれるのに対して，甲６発明では第２のオーミック電極が「平面視において，前記第２の窒化物系半導体層の領域から前記共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域」にも形成されている点。 第３ 当事者の主張 １ 取消事由に係る原告の主張審決は，本件発明１と甲６発明との相違点５，６を，上記第２の(2)ウのとおり認定した上，相違点５に係る本件発明１の構成ついては，甲６発明及び甲３から容易想到であり，相違点６に係る本件発明１の構成については，甲６発明及び甲２から容易想到であるとして，本件発明１は，甲６発明並びに甲２及び甲３に記載された技術から当業者が容易に発明することができた旨判断したが，この判断には，以- 7 -下のとおりの誤りがあり，審決の結論に影響を及ぼすから，審決は取り消されるべきである。 (1) 相違点５の認定の誤り審決は，甲６発明のｎ電極に関して，「共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領 とおりの誤りがあり，審決の結論に影響を及ぼすから，審決は取り消されるべきである。 (1) 相違点５の認定の誤り審決は，甲６発明のｎ電極に関して，「共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く領域に形成」されているかどうか不明であると認定し，この点において，第１のオーミック電極が「共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く領域に形成されている」本件発明１と相違するとして，相違点５を認定した。 しかし，甲６には，第１のオーミック電極に相当する負電極７が共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く領域に形成されているなどとは一切記載されておらず，また，負電極７の共振器の端面側の基板に対する位置関係が示されている甲６の図２によると，負電極７が共振器の端面側の辺の位置まで形成されていることは明らかである。 甲６の図２における基板１の共振器長方向の長さをＬ１，負電極７の共振器長方向の長さをＬ２とすると，図２ではＬ１＝Ｌ２となっており，負電極７の共振器長方向の長さは基板１と等しいことが明らかである（別紙２の原告主張図参照）。仮に，図２において，負電極７の共振器長方向の長さＬ２が，基板１の共振器長方向の長さＬ１よりも短い（Ｌ１＞Ｌ２）のであれば，図２における素子の奥側における基板１の稜線と負電極７の稜線の図面上水平方向の間隔（Ｍ１）と，素子の手前側における基板１の稜線と負電極７の稜線の図面上水平方向の間隔（Ｍ２）とは等しくないはずであるが，図２では両者は等しくなっている。このことは，基板１の稜線と負電極７の稜線とのずれが，素子の水平方向のみであり，共振器長方向には両者がずれていないことを意味している。すなわち，甲６の図２においては，負電極７の共振器長方向の長さは基板１と等しいことは明らかである。 以上によれば，甲６の図２ 平方向のみであり，共振器長方向には両者がずれていないことを意味している。すなわち，甲６の図２においては，負電極７の共振器長方向の長さは基板１と等しいことは明らかである。 以上によれば，甲６の図２から，負電極７の端は，共振器の端面（劈開面）と面一であり，負電極７は，共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く領域に形成されていないことは明らかであり，甲６には，本件発明１のｎ電極に関す- 8 -る「前記第１のオーミック電極は，共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く領域に形成され」との構成について記載がなく，ｐ電極に関する「前記第２のオーミック電極は，前記リッジ部上のストライプ領域の両端部近傍上および前記ストライプ領域を含む所定領域上に形成され，」，「前記所定領域が，平面視において，前記第２の窒化物系半導体層の領域から前記共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域ならびに素子の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く領域であることを特徴とする」との構成の記載が存在しないばかりか，ｎ電極についても，ｐ電極についても，共振器端面と面一に形成されている。 したがって，甲６発明において，ｎ電極が，「共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く領域に形成」されているかどうか不明であることを前提とした審決の相違点５の認定は誤りであり，相違点５は，正しくは，「本件発明１では第１のオーミック電極が『共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く領域に形成』されているのに対して，甲６発明では，『共振器端面と面一に形成』されている点。」と認定すべきである。 (2) 相違点５，６に関する容易想到性判断の誤り審決は，相違点５に係る本件発明１の構成ついては，甲６発明及び甲３から容易想到であり，相違点６に係る本件発明１の構成に 。」と認定すべきである。 (2) 相違点５，６に関する容易想到性判断の誤り審決は，相違点５に係る本件発明１の構成ついては，甲６発明及び甲３から容易想到であり，相違点６に係る本件発明１の構成については，甲６発明及び甲２から容易想到であるとして，本件発明１は，甲６発明並びに甲２及び甲３に記載された技術から当業者が容易に発明することができた旨判断した。 しかし，審決の判断は，以下のとおり誤りである。 ア審決は，甲３からはｎ型電極の部分だけを取り出し，甲２からはｐ型電極の部分だけを取り出し，それらによって，甲６のｎ型電極とｐ型電極を置き換えれば本件発明１と同じ構成になるとして，容易想到と判断したものである。 しかし，本件発明１の容易想到性の判断は，本件特許出願当時，半導体素子の分野の平均的な技術者が，甲６，甲３，甲２から，本件発明１に容易に想到できたかを判断しなければならないところ，甲６，甲３，甲２は，いずれも被告の出願に係- 9 -るものであり，本件発明１の電極形状の組合せは記載されていない。本件発明１は，実際に，レーザ素子を実用化するためには，ｎ電極の形状とｐ電極の形状が，ともに本件発明１の構成要件を充足するように形成されることが必要であることを認識して発明されたものである。本件特許出願当時，当業者が，甲６，甲３，甲２から，この必要性を容易に認識できたのであれば，被告の発明者は，甲６，甲３，甲２から，本件発明１の電極形状をｎ電極とｐ電極の両方に採用したはずである。 また，甲６，甲３，甲２は，ｎ電極とｐ電極の形状（位置）に関する発明ではなく，それぞれ別の技術的特徴を有する発明であり，各文献の中に，ｎ電極あるいはｐ電極に関する記載が断片的に存在するにすぎない。実際に，レーザ素子を実用化するためには，ｎ電極とｐ電極の両方について，そ く，それぞれ別の技術的特徴を有する発明であり，各文献の中に，ｎ電極あるいはｐ電極に関する記載が断片的に存在するにすぎない。実際に，レーザ素子を実用化するためには，ｎ電極とｐ電極の両方について，その形状（位置）を設計する必要があるが，甲６，甲３，甲２は，いずれも本件発明１とは異なる，ｎ電極及びｐ電極の形状（位置）の組合せを開示するにすぎないものであるところ，審決は，当業者が，甲６発明と甲３記載の技術の組合せ，甲６発明と甲２記載の技術の組合せに容易に想到し得ることの合理的理由を示していない。 審決は，本件発明１を知った上で，後知恵により容易想到と判断したものであり，誤りである。 イ審決は，甲３のｐ電極に関する記載を全く認定していない。また，審決は，相違点５に関して，甲６発明においても，共振器面を形成する際に劈開を行っているとの理由で，甲３の技術を甲６発明に適用するのは容易であると判断した。 しかし，甲３は，窒化物半導体レーザ素子の発明を開示するが，その特徴は，リッジ形状のストライプの側面に絶縁性保護膜を形成し，その上にｐパッド電極を有する構成にあり，それによって，劈開による共振面の作製時や，作動中の，ｐ電極のはがれを防止する作用効果を奏すると記載しており（特許請求の範囲，【０００３】～【０００６】），また，ｎ電極とｐ電極が基板の同一側に形成された素子（図３，図４）と，ｎ電極がｐ電極と基板の反対側に形成さ- 10 -れた素子（図５）を記載し，どちらの素子にもその発明が実施できることを開示している。また，甲３には，ｎ電極に関して，「ｎ電極が基板裏面に形成される場合，基板裏面にベタにｎ電極を形成後裏面からスクライブスすると，ｎ電極に阻まれて窒化物半導体までスクライブが達しない場合があり，この問題点を防止するために，ウエハの基板裏面に 基板裏面に形成される場合，基板裏面にベタにｎ電極を形成後裏面からスクライブスすると，ｎ電極に阻まれて窒化物半導体までスクライブが達しない場合があり，この問題点を防止するために，ウエハの基板裏面にパターン形状のｎ電極を形成することによりスクライブし易くなり，劈開性が向上する。・・・」（【００３２】）との記載がある一方，ｐ電極に関する記載もあるから，甲３の第２のオーミック電極は，少なくとも，第１の薄膜層が共振器端面と面一に形成されているといえる（【００２９】，図５）。 したがって，審決が，甲３のｐ電極に関する記載を全く認定していないことは誤りである。 そして，甲３は，ｎ電極に関して劈開性の向上を記載するが，ｐ電極については，上記のとおり，本件発明１の「前記所定領域が，平面視において，前記第２の窒化物系半導体層の領域から前記共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域ならびに素子の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く領域であることを特徴とする」との構成に反する構成を記載するのであるから，甲３の技術を甲６発明に適用する際，ｎ電極についてだけ適用し，ｐ電極については甲３の記載を無視した審決の容易想到性判断は恣意的であり，誤りである。 ウ審決は，甲２の「ｎ型電極を形成させるために窒化物半導体基板上に格子状のフォトレジストを用いてｎ型電極を形成する」（【００５１】）との記載に関し，「格子状」の記載のみでは第１のオーミック電極がどのような形状であるかは明確に把握できないとしつつ，「甲２において第１のオーミック電極を形成する際に，格子状のフォトレジストを用いる理由を検討すると，・・・甲３に記載された劈開性の向上であると推察される」とし，「『基板の共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除いてｎ型電極（第１のオーミック電極）を形成する ジストを用いる理由を検討すると，・・・甲３に記載された劈開性の向上であると推察される」とし，「『基板の共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除いてｎ型電極（第１のオーミック電極）を形成すること』は，・・・甲２に記載されているに等しい事項にすぎない。」と認定した。また，審決- 11 -は，相違点６に関し，甲６発明は，甲２に記載された「共振器面を形成する劈開時にパッド電極が延び積層した窒化物半導体層を被覆することで窒化物半導体レーザを短絡することを防止する課題」を有することは明らかであるとして，甲６発明に甲２の構成を採用することは当業者にとって容易に想到し得る旨判断した。 しかし，「格子状」の記載のみでは第１のオーミック電極がどのような形状であるか把握できないのは，「格子」は，「細い角材を縦横，あるいはそのどちらかの方向に間をすかして組んだもの。」という意味があって（甲１２），「格子状のフォトレジスト」を用いてｎ型電極を形成したとしても，形成されたｎ型電極が，縦横方向に基板面が露出している状態か，それとも，一方向に基板面が露出している状態か，特定されていないからである。 甲２の段落【００５１】には，ｎ型電極１０３に関して，格子状のフォトレジストを用いて形成することだけでなく，「フォトレジストを除去することにより窒化物半導体基板を介してｐ型電極と対応したｎ型電極が形成される」という記載もある。ｐ型電極は，甲２の図１，２において１０１の番号が付されている電極で，「共振器の長さ方向には共振器端面と面一に形成され，共振器の幅方向には，基板よりも短い長さで形成され」ているから，格子状のフォトレジストによりｐ型電極１０１に対応したｎ型電極１０３が形成されるということは，フォトレジストを用いて形成されたｎ電極の形状が，その時点で既に形成され も短い長さで形成され」ているから，格子状のフォトレジストによりｐ型電極１０１に対応したｎ型電極１０３が形成されるということは，フォトレジストを用いて形成されたｎ電極の形状が，その時点で既に形成されているｐ型電極の形状と対応し，ｎ型電極１０３も，ｐ型電極１０１と同様に，「共振器の長さ方向には共振器端面と面一に形成され，共振器の幅方向には，基板よりも短い長さで形成され」ていると考えるのが合理的である。なお，図２が示すように，パッド電極１０２は，縦横の格子状のフォトレジストにより形成されるが，ｎ型電極１０３を形成した後，別のフォトレジストにより形成されることが，段落【００５３】に記載されている。すなわち，段落【００５１】の格子状のフォトレジストは，同段落の記載全体から，共振器長方向のみに延びた形状であることが明らかである。 また，甲２において格子状のフォトレジストが用いられる理由を，甲３に開示さ- 12 -れた劈開性の向上であると推察する合理性はなく，甲２のｎ型電極１０３も，甲６のｎ（負）電極７も，共振器の長さ方向には共振器端面と面一に形成され，共振器の幅方向には，基板よりも短い長さで形成されているから，格子状のフォトレジストはこれらのｎ電極を形成するためにも用いられ得ると解すべきである。 したがって，甲２に，「基板の共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除いてｎ型電極（第１のオーミック電極）を形成すること」（甲３のｎ電極構造）が開示されているに等しいとする審決の上記認定は誤りである。 そして，甲２は，ｐ電極に関して劈開性を考慮するが，ｎ電極については，上記のとおり，本件発明１の「前記第１のオーミック電極は，共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く領域に形成され」とは異なる構成を記載しているのであるから，甲２記載の技術 電極については，上記のとおり，本件発明１の「前記第１のオーミック電極は，共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く領域に形成され」とは異なる構成を記載しているのであるから，甲２記載の技術を甲６発明に適用する際，ｐ電極についてだけ適用し，ｎ電極については甲２の記載を無視した審決の容易想到性判断は恣意的であり，誤りである。 ２ 被告の反論以下のとおり，審決に取り消されるべき違法はない。 (1) 相違点５の認定の誤りに対し原告は，甲６発明において，ｎ電極が，「共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く領域に形成」されているかどうか不明であることを前提とした審決の相違点５の認定は誤りであり，相違点５は，正しくは，「本件発明１では第１のオーミック電極が『共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く領域に形成』されているのに対して，甲６発明では，『共振器端面と面一に形成』されている点。」と認定すべきである旨主張する。 しかし，甲６発明では，ｎ電極（第１のオーミック電極）が「共振器端面と面一に形成」されていると認定しても，「共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く領域に形成されている」かどうか不明であると認定しても，甲６には，ｎ電極（第１のオーミック電極）が「共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の- 13 -領域を除く領域に形成されている」ことが開示されていない点が相違点になることには変わりない。そうすると，いずれにせよ，相違点５が認定されるのは同じであるから，当該認定の相違は相違点５の認定の誤りとならず（その結果，審決の結論に影響を与えない。），この点について，審決に違法はない。 なお，原告は，甲６の図２の長さを測定して，Ｌ１＝Ｌ２のため，ｎ電極は共振器端面に面一に形成されていることは明らかであ その結果，審決の結論に影響を与えない。），この点について，審決に違法はない。 なお，原告は，甲６の図２の長さを測定して，Ｌ１＝Ｌ２のため，ｎ電極は共振器端面に面一に形成されていることは明らかであると主張するが，図２によれば，ｎ電極が共振器の端面側から後退しているようにも見えるのであり，図２のみからｎ電極が「共振器端面と面一に形成」されていると断定することはできないから，「共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く領域に形成されている」かどうか不明とした審決の認定は誤りとはいえない。 (2) 相違点５，６に関する容易想到性判断の誤りに対し原告は，①甲６，甲３，甲２は，いずれも本件発明１とは異なる，ｎ電極及びｐ電極の形状（位置）の組合せを開示するにすぎないところ，甲３からはｎ型電極の部分だけを取り出し，甲２からはｐ型電極の部分だけを取り出し，それらによって，甲６のｎ型電極とｐ型電極を置き換えれば本件発明１と同じ構成になるとした審決は，本件発明１を知った上で，後知恵により容易想到性を判断した誤りがある，②甲３は，ｎ電極に関して劈開性の向上を記載するが，ｐ電極については，本件発明１の「前記所定領域が，平面視において，前記第２の窒化物系半導体層の領域から前記共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域ならびに素子の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く領域であることを特徴とする」との構成に反する構成を記載するところ，甲３の技術を甲６発明に適用する際，ｎ電極についてだけ適用し，ｐ電極については甲３の記載を無視することは恣意的であり，容易想到性判断に誤りがある，③甲２は，ｐ電極に関して劈開性を考慮するが，ｎ電極については，本件発明１の「前記第１のオーミック電極は，共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く領域に形成され 易想到性判断に誤りがある，③甲２は，ｐ電極に関して劈開性を考慮するが，ｎ電極については，本件発明１の「前記第１のオーミック電極は，共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く領域に形成され」とは異なる構成を記載するところ，相違点６に関し，甲２記載の技術を甲６発明に適用する際，ｐ電極についてだけ適用- 14 -し，ｎ電極については甲２の記載を無視することは恣意的であり，容易想到性判断に誤りがあるとして，本件発明１は，甲６発明並びに甲２及び甲３に記載された技術から当業者が容易に発明することができた旨の審決の判断は誤りである旨主張する。 しかし，原告の主張は，以下のとおり失当である。 ア上記①の主張に対し進歩性の判断においては，対象発明と引用発明の一致点・相違点を認定し，当該相違点を記載した引用発明があるかどうか，及び，これが存在する場合には，各相違点を記載した各引用発明を組み合わせるべき動機付けがあるかどうかで判断されるべきものであって，これらが認められれば，対象発明の進歩性は否定される。相違点相互の関係を考慮しながら容易想到性を検討しなければならないのは，複数の相違点に係る構成が引用発明や対象発明において機能的又は作用的に関連しているために，相違点を個別に検討することでは正しい容易想到性の判断ができないような場合に限られるというべきである。 本件で，甲６，甲２，甲３及び本件発明１が規定するレーザ素子のｎ電極やｐ電極の形状は，他方電極の形状に依拠することなく，各電極に関する劈開性等の課題や技術的観点から決定されたものであり，一方の電極について上記構成を採用すると，他方の電極もそれに伴って特定の構成を採用しなければならないという事情はない。 すなわち，甲６では，ｎ電極，ｐ電極に関して述べている記載は，段落【０ ，一方の電極について上記構成を採用すると，他方の電極もそれに伴って特定の構成を採用しなければならないという事情はない。 すなわち，甲６では，ｎ電極，ｐ電極に関して述べている記載は，段落【００１４】，【００１７】等であるが，当該各段落を含め甲６のいずれの段落においても，両者の形状の関係を述べてはいない。 また，甲２では，ｐ電極の形状（相違点６）の技術的意義に関し，劈開の際にパッド電極が劈開面に接触することにより短絡することがないことが記載されている（【００１２】，【００１３】）が，当該技術的意義はｐ電極の形状に起因するものであり，ｎ電極の形状との関連性はない。その他，ｐ電極，ｎ- 15 -電極の形成方法に関しては，段落【００５０】，【００５１】，【００５３】等に記載があるが，当該各段落を含め甲２のいずれの段落においても，両電極の形状が相互に関連するとするような記載はない。 さらに，甲３では，ｎ電極の形状（相違点５）の技術的意義に関し，スクライブをし易くすることが記載されているが（【００３２】），当該技術的意義はｎ電極の形状に起因するものであり，ｐ電極の形状との関連性はない。また，ｐ電極（相違点６）の技術的意義に関し，ｐ電極の劈開性の向上であることが記載されているが（【００２９】），当該技術的意義もまたｐ電極の形状に起因するものであり，ｎ電極の形状との関連性はない。その他，甲３のいずれの段落においても，両電極の形状の関連性を指摘するような記載はない。 一方，相違点５，６に係る本件発明１の構成の技術的意義に関すると考えられる本件明細書では，相違点５に係る構成については，ｎ電極を所定の形状とすることにより，基板をスクライブする際に基板が露出した領域を「目印」とするための構成である旨が記載される（【００５２】，【００６２】）。ま 書では，相違点５に係る構成については，ｎ電極を所定の形状とすることにより，基板をスクライブする際に基板が露出した領域を「目印」とするための構成である旨が記載される（【００５２】，【００６２】）。また，相違点６に係る構成については，ｐ電極を所定の形状とすることにより，ストライプ領域全体に均一に電流を注入し，劈開を容易に行い，あるいは共振器端面にｐ電極がかぶさらないようにするための構成である旨が記載される（【００６１】，【００６６】，【００６９】）。その他，本件明細書において，本件発明１の相違点５に係る構成（ｎ電極の形状）と相違点６に係る構成（ｐ電極の形状）を組み合わせることによる特別な効果や両電極の形状の関連性についての記載はない（なお，段落【００７１】の記載は請求項５に関する記載であって，本件訴訟の対象である請求項１ないし４に関する記載ではない。）。 以上のとおり，甲６，甲２，甲３及び本件発明１において，相違点５に係る構成（ｎ電極の形状）と相違点６に係る構成（ｐ電極の形状）とは，相互に独立した目的を有する構成に過ぎないから，甲６発明をもとに，甲３からはｎ電極の構成を，甲２からはｐ電極の構成を採用し，甲６に組み合わせることは可- 16 -能である。 したがって，本件発明１は，甲６発明に甲３及び甲２記載の技術を適用することは容易であるとした審決の判断に誤りはない。 イ上記②の主張に対し甲３には，窒化物半導体よりなるレーザ素子に関して，ｎ電極を「共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く領域に形成」することにより，「スクライブしやすくなり，劈開性が向上する」ことが記載される（【００３２】，【図５】）から，これを相違点５に係る構成の容易性を判断する際に公知の技術的事項として考慮することに何ら問題はなく，当該事項をｐ電 イブしやすくなり，劈開性が向上する」ことが記載される（【００３２】，【図５】）から，これを相違点５に係る構成の容易性を判断する際に公知の技術的事項として考慮することに何ら問題はなく，当該事項をｐ電極の形状と一緒でなければ適用できないとする理由もない。当業者は，各電極の課題，技術的観点，工程等に即し，甲３からはｎ電極の形状の構成のみを取り出して適用することも当然可能であり，両電極の構成を両方とも適用しなければならないとの主張に理由はない。 ウ上記③の主張に対し甲２において，ｐ型電極１０１の形状とｎ型電極１０３の形状は異なっているから（図１，図２），甲２の段落【００５１】の「対応した」との記載は，段落【００２９】の「対向して設けられる」と同義であり，仮にそうでないとしても，ｐ電極とｎ電極が「一対となっている」程度の意味でしかなく，形状の同一性に言及するものではないというべきである。 また，甲２においては，フォトレジストの形状を表現する際に，ｎ型電極に関する形状である「格子状」とｐ型電極に関する形状である「ストライプ状」という文言を明確に使い分けられている。ｐ型電極１０１の形成方法については，段落【００５０】には，「フォトレジストをストライプ状に形成させ」との記載があり，この「ストライプ状」のフォトレジストで形成されたｐ型電極１０１は図１，図２のとおり，共振器の一方向（側面側）の基板が露出している電極である。一方，「格子状」は，一方向である「ストライプ状」とは異なるものとして使い分けられ，縦横両方向のものを指すことは明らかである。甲２の記載に即して，「格子状」とす- 17 -るｎ型電極の形成方法を解釈すると，縦横方向に（共振器の端面側の辺と共振器側の辺に沿って）基板が露出していること（縦横方向にｎ型電極がない部分が存在すること）と 即して，「格子状」とす- 17 -るｎ型電極の形成方法を解釈すると，縦横方向に（共振器の端面側の辺と共振器側の辺に沿って）基板が露出していること（縦横方向にｎ型電極がない部分が存在すること）となる。すなわち，甲２の段落【００５１】「前記ｎ型電極１０３は，窒化物半導体基板上に格子状のフォトレジストを用いて形成される」との記載は，窒化物半導体基板の他方の面上に格子状のフォトレジストを塗布した後，フォトレジストが塗布されていない領域にｎ型電極１０３となる材料を設け，その後，格子状のフォトレジストを除去して，ｎ型電極１０３となる材料が設けられていない格子状の領域（フォトレジストが塗布されていた領域）でウエハを切断し，個々のチップを得るということであり，「格子状」のフォトレジストによる場合は，その個々のチップは，窒化物半導体基板の他方の面上において，切断されずに残ったストライプ状の領域が「ｎ型電極１０３」の四方に沿って（すなわち，チップの端面側の辺と側面側の辺に沿って）存在することになる。そうすると，「ストライプ状」のフォトレジストによる場合は上記のｐ型電極１０１のとおり一方向に基板が露出するようにしているのに対し，ｎ型電極の形状である「格子状」の場合には，これとは異なり，縦横方向に基板が露出するようにしている形状を意味すると解される。 甲２では，ｎ型電極１０３となる材料が設けられていない格子状の領域（フォトレジストが塗布されていた領域）でウエハを切断することは明記されていないが，甲２において「格子状」のフォトレジストを用いる理由は，甲３と同様に劈開性の向上にあると解され，劈開はフォトレジストが存在するためにｎ電極が形成されない空隙として残った「格子状」の部分において行うのが自然であるから，ｎ電極が形成される領域は「共振器の端面側の辺に沿っ 性の向上にあると解され，劈開はフォトレジストが存在するためにｎ電極が形成されない空隙として残った「格子状」の部分において行うのが自然であるから，ｎ電極が形成される領域は「共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く領域」といえる。 したがって，甲２のｎ電極は共振器端面と面一に形成されているのではなく，共振器端面から後退するように形成されているのであるから，「基板の共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除いてｎ型電極（第１のオーミック電極）を形成すること」は，甲２に記載されているに等しいとした審決の認定に誤りはない。 - 18 -また，仮に，両電極の形状の組合せの容易想到性を検討しなければならないとの原告の主張によったとしても，甲２には，当該組合せが開示されている。すなわち，甲２には，ｎ電極が「共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く領域に形成」されていることが開示されており（相違点５），ｐ電極が「平面視において，第２の窒化物系半導体層の領域から共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域」形成されているのであるから，甲２には相違点５及び６に係るｎ電極及びｐ電極の形状の組合せが開示されている。 したがって，いずれにしても，原告の主張は理由がない。 第４ 当裁判所の判断当裁判所は，以下のとおり，原告の主張にはいずれも理由がないものと判断する。 １ 相違点５の認定の誤りについて原告は，甲６発明において，ｎ電極が，「共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く領域に形成」されているかどうか不明であることを前提とした審決の相違点５の認定は誤りであり，相違点５は，正しくは，「本件発明１では第１のオーミック電極が『共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く領域に形成』されているのに対して，甲６ 前提とした審決の相違点５の認定は誤りであり，相違点５は，正しくは，「本件発明１では第１のオーミック電極が『共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く領域に形成』されているのに対して，甲６発明では，『共振器端面と面一に形成』されている点。」と認定すべきである旨主張する。 しかし，原告の上記主張は，甲６の図２の記載を根拠とするものであるところ，特許出願に際して願書に添付された図面は，特許を受けようとする発明の内容を明らかにするための説明図であり，実際の縮尺どおりに記載されたものではないから，同図の記載のみから，負電極７の端が，共振器の端面（劈開面）と面一であるとはいえないし，負電極７が，共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く領域に形成されていないともいえない。また，甲６において，他に，本件発明１における第１のオーミック電極に相当する負電極７が，共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く領域に形成されているかどうか（負電極７の端が共振器の端面（劈開面）と面一に形成されているかどうか）を明らかにする記載は見当た- 19 -らない。 したがって，甲６発明において，ｎ電極が，「共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く領域に形成」されているかどうか不明であることを前提とした審決の相違点５の認定に誤りがあるとは認められず，原告の主張は採用できない。 ２ 相違点５，６に関する容易想到性判断の誤りについて原告は，①甲６，甲３，甲２は，いずれも本件発明１とは異なる，ｎ電極及びｐ電極の形状（位置）の組合せを開示するにすぎないところ，甲３からはｎ型電極の部分だけを取り出し，甲２からはｐ型電極の部分だけを取り出し，それらによって，甲６のｎ型電極とｐ型電極を置き換えれば本件発明１と同じ構成になるとした審決は，本件発 ぎないところ，甲３からはｎ型電極の部分だけを取り出し，甲２からはｐ型電極の部分だけを取り出し，それらによって，甲６のｎ型電極とｐ型電極を置き換えれば本件発明１と同じ構成になるとした審決は，本件発明１を知った上で，後知恵により容易想到性を判断した誤りがある，②甲３は，ｎ電極に関して劈開性の向上を記載するが，ｐ電極については，本件発明１の「前記所定領域が，平面視において，前記第２の窒化物系半導体層の領域から前記共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域ならびに素子の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く領域であることを特徴とする」との構成に反する構成を記載するところ，甲３の技術を甲６発明に適用する際，ｎ電極についてだけ適用し，ｐ電極については甲３の記載を無視することは恣意的であり，容易想到性判断に誤りがある，③甲２は，ｐ電極に関して劈開性を考慮するが，ｎ電極については，本件発明１の「前記第１のオーミック電極は，共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く領域に形成され」とは異なる構成を記載するところ，相違点６に関し，甲２記載の技術を甲６発明に適用する際，ｐ電極についてだけ適用し，ｎ電極については甲２の記載を無視することは恣意的であり，容易想到性判断に誤りがある，として，本件発明１は，甲６発明並びに甲２及び甲３に記載された技術から当業者が容易に発明することができた旨の審決の判断は誤りである旨主張する。そこで，以下，検討する。 (1) 上記①の主張について原告の上記①の主張は，要するに，本件発明１は，レーザ素子を実用化するため- 20 -のｎ電極の形状とｐ電極の形状の組合せに特徴を有する発明であるところ，甲６，甲３，甲２は，ｎ電極とｐ電極の形状（位置）に関する発明ではなく，本件発明１とは異なるｎ電極及びｐ電極の形状（位置） 0 -のｎ電極の形状とｐ電極の形状の組合せに特徴を有する発明であるところ，甲６，甲３，甲２は，ｎ電極とｐ電極の形状（位置）に関する発明ではなく，本件発明１とは異なるｎ電極及びｐ電極の形状（位置）の組合せを開示するにすぎないにもかかわらず，当業者が，甲６発明と甲３記載の技術，甲６発明と甲２記載の技術を，それぞれ独立に組み合わせることを容易に想到し得るとして，相違点５，６に係る本件発明１の構成を容易想到とした審決の判断は誤りであるというものである。 そこで，甲６発明と甲３記載の技術，甲６発明と甲２記載の技術を，それぞれ独立して組み合わせることの当否について，まず，検討する。 ア認定事実(ｱ) 甲６には次の記載がある。 【０００４】【発明が解決しようとする課題】このように世界で初めて窒化物半導体により短波長のレーザ光源が出現したわけであるが，未だパルス発振であり，連続発振させるためには，さらに改良が必要である。具体的には閾値電流をもっと下げて発熱量を少なくして，長寿命とする必要がある。従って，本発明はこのような事情を鑑みて成されたものであって，その目的とするところは，連続発振して，長寿命を保持できる新規な窒化物半導体の構造を提供することにある。 【０００５】【課題を解決するための手段】本発明の窒化物半導体レーザ素子は，基板（１）上部に，ｎ型窒化物半導体層（２）と，活性層（３）と，ｐ型窒化物半導体層（４）とを順に有し，そのｐ型窒化物半導体層の一部にリッジストライプ（４’）が形成されてなる窒化物半導体レーザ素子であって，前記ｐ型窒化物半導体層の一部に形成されたリッジストライプ幅の中央線（ａ）が，基板に向かう鉛直方向で，活性層幅の中央線（ｂ）とずれていることを特徴とする。 【０００６】さらに，前記レーザ素子のｐ型窒化物半導体層側には正電 の一部に形成されたリッジストライプ幅の中央線（ａ）が，基板に向かう鉛直方向で，活性層幅の中央線（ｂ）とずれていることを特徴とする。 【０００６】さらに，前記レーザ素子のｐ型窒化物半導体層側には正電極（５）が形成され，その正電極にはボンディング用のパッド電極（６）が電気的に接続されており，そのパッド電極に，ボンディングの中心から基板に向かう鉛直線（ｃ）が前記リッジストライプ幅の中央線とずれるように，ワイヤーボンディングされてい- 21 -ることを特徴とする。 【０００７】さらにまた，前記レーザ素子のｐ型窒化物半導体層側には正電極と，ｎ型窒化物半導体層側には負電極（７）とが形成されて，その正電極と負電極とが同一面側にあり，さらに前記リッジストライプ幅の中央線が，活性層幅の中央線よりも負電極側に接近していることを特徴とする。 【００１４】さらに，本発明のレーザ素子ではリッジ最上部に形成した正電極５と電気的に接続したボンディング用のパッド電極６を設けている。パッド電極６は実質的に正電極５の表面積を大きくしてワイヤーボンディング，ダイボンディング等のボンディング時にレーザ素子を他の部材と接続しやすくしている。本発明の請求項２に係る素子では，このパッド電極６に例えば金線，アルミニウム線，銀線等よりなるワイヤー８でもってワイヤーボンディングされており，このワイヤーボンディングの中心からの鉛直線ｃが前記リッジストライプの中央線ａとずれるようにされている。なおワイヤーボンディングの中心とは，図３及び図４に示すようにワイヤーがボールと接する点を指し，その点からの鉛直線ｃが，リッジストライプの中央線ｃと断面方向で一致していないことを特徴としている。レーザ素子に正電極側にワイヤーボンディングすると，ワイヤー接続時に衝撃が係る。この衝撃がリッジストライプ らの鉛直線ｃが，リッジストライプの中央線ｃと断面方向で一致していないことを特徴としている。レーザ素子に正電極側にワイヤーボンディングすると，ワイヤー接続時に衝撃が係る。この衝撃がリッジストライプの真上に係ると，リッジ部の窒化物半導体の結晶が損ねられる可能性がある。特に窒化物半導体はダイヤモンドに近い非常に硬い物質であるため，衝撃が直接リッジのような微小領域に係ると，そのリッジ内部の結晶が他の半導体に比べて壊れやすい。しかしながら，本発明のレーザ素子ではリッジ部とボンディング部をずらしてあるため，リッジには直接真上から衝撃を受けないので，結晶が壊れにくくなって，素子寿命が長くなる。 【００１５】さらにまた，請求項３のレーザ素子は図１及び図３に示すように，ｐ型窒化物半導体層４側には正電極５と，ｎ型窒化物半導体層２側には負電極７とが形成されており，その正電極５と負電極７とが同一面側にある。同一面側に正電極５と負電極７とがある場合，リッジストライプ幅の中央線ａを活性層幅の中央線ｂ- 22 -よりも負電極７側に接近させることにより，閾値が低下する。図３で示すと，リッジ中央の鉛直線ａ’が活性層幅中央の鉛直線ｂ’よりも負電極７に接近していることを意味する。これは正電極５と負電極７との間の距離が実質的に短くなって，窒化物半導体電極間のシリーズ抵抗が小さくなるために，閾値電流が低下する。正電極５に接近した側にある負電極７の端面と，リッジ中央の鉛直線ａ’との距離は２００μｍ以下，さらに好ましくは１５０μｍ以下，最も好ましくは１００μｍ以下に調整することが望ましい。 【００１７】［実施例１］サファイア（Ｃ面）よりなる基板１を反応容器内にセットし，容器内を水素で十分置換した後，水素を流しながら，基板の温度を１０５０℃まで上昇させ，基板のクリーニングを行 しい。 【００１７】［実施例１］サファイア（Ｃ面）よりなる基板１を反応容器内にセットし，容器内を水素で十分置換した後，水素を流しながら，基板の温度を１０５０℃まで上昇させ，基板のクリーニングを行う。基板１にはサファイアＣ面の他，Ｒ面，Ａ面を主面とするサファイア，その他，スピネル（ＭｇＡｌ2Ｏ4）のような絶縁性の基板の他，ＳｉＣ（６Ｈ，４Ｈ，３Ｃを含む），ＺｎＳ，ＺｎＯ，ＧａＡｓ，ＧａＮ等の半導体基板を用いることができる。絶縁性基板を用いた場合は，正電極と負電極とは同一面側から取り出されるが，導電性基板の場合は図２，図４に示すように基板裏面側から負電極を形成することもできる。但し導電性基板を用いても，同一面側に正と負の電極を取り出す構造としても良い。 (ｲ) 甲３には次の記載がある。 【００２９】また，本発明において，上記のような幅の狭いリッジ形状のストライプを有す（判決注・「有し」の誤記）得る場合，ｐ電極上に形成されるｐパッド電極としては，特に限定されないが，好ましくは，少なくともストライプ長さと同一の長さでｐ電極全面を覆って形成された金属を含む第１の薄膜層と，該第１の薄膜層上にストライプ長さより短い長さで形成された金属を含む第２の薄膜層とから形成され，または第１と第２の薄膜層との間に第３の薄膜層を形成してなると，ｐパッド電極の劈開性が向上し，ｐ電極の剥離を防止するのに好ましい。例えば，後述の実施例で用いられている図３等に示されている第１の薄膜層３１上に第２の薄膜層３２を形成してなるｐパッド電極１０１が挙げられる。 - 23 -【００３２】また，ｎ電極が基板裏面に形成される場合，基板裏面にベタにｎ電極を形成後裏面からスクライブスすると，ｎ電極に阻まれて窒化物半導体までスクライブが達しない場合があり，この問題点を防止するために，ウ ２】また，ｎ電極が基板裏面に形成される場合，基板裏面にベタにｎ電極を形成後裏面からスクライブスすると，ｎ電極に阻まれて窒化物半導体までスクライブが達しない場合があり，この問題点を防止するために，ウエハの基板裏面にパターン形状のｎ電極を形成することによりスクライブし易くなり，劈開性が向上する。パターン形状としては，ウエハを劈開して得られる１チップの形状が得られやすいように，チップの大きさとほぼ同程度の形状，例えば４００μｍ×４００μｍの形状，であることが好ましい。つまりスクライブライン上及び／または劈開面上にｎ電極が存在しないようにパターンをつけてｎ電極を形成する。更にメタライズ電極もｎ電極と同様のパターン形状でｎ電極上に形成されると，スクライブし易くなり劈開性が向上する。・・・ｎ電極が裏面にパターン形状に形成される場合のチップ化の方法としては，例えば，裏面のｎ電極パターン間を裏面からスクライブによりバー状サンプルを作製し，端面へ反射ミラー形成後裏面からスクライブによりチップ化を行うことができる。 【図５】は，別紙３のとおりである。 (ｳ) 甲２には次の記載がある。 【発明が解決しようとする課題】・・・【０００９】・・・本発明は，比較的局所的な力が掛かりにくい，リッジやストライプ状導波路領域とは離れた平坦な絶縁層上のパッド電極を介してワイヤボンディングさせることができるものである。また，絶縁層のパッド電極を伝って，リッジ上に設けられた電極のみに集中して電力を供給することにより，闘値の低下及び信頼性とを同時に満たしたものである。 【００１０】【課題を解決するための手段】本発明は導電性基板上に設けられた凸型ストライプ状導波路領域と，導波路領域から連続する略平滑面とを有する窒化物半導体レーザーである。特に，導波路領域上に設けられたスト ０】【課題を解決するための手段】本発明は導電性基板上に設けられた凸型ストライプ状導波路領域と，導波路領域から連続する略平滑面とを有する窒化物半導体レーザーである。特に，導波路領域上に設けられたストライプ状の第１電極と，第１電極と電気的に接続され絶縁性保護膜を介して窒化物半導体の平滑面上に配置されたワイヤボンディング用のパッド電極と，導電性基板を介して第１電極と- 24 -対向して設けられた第２電極とを有する窒化物半導体レーザーである。 【００１１】これにより，ワイヤボンディングをストライプ状の導波路領域をさけて形成できるため，ストライプ状の導波路領域や絶縁層に何ら影響を与えることなく，ワイヤボンディングすることができる。また，ストライプ状の導波領域と異なる位置にワイヤボンディングさせても窒化物半導体を介して垂直方向（層厚方向）に効率よく電流を注入することができる。そのため，偏在がなく効率よく半導体層に電流を流し闘値を下げることができる。 【００１２】本発明の請求項２に記載の窒化物半導体レーザーは，第１電極がストライプ状導波路領域の端面に設けられた劈開面上まで延びていると共にパッド電極のストライプ状導波路領域と平行な方向は第１電極より短く劈開部まで達していない。 【００１３】そのため，劈開時にパッド電極が延び積層した窒化物半導体層を被覆することで窒化物半導体レーザーを短絡することがない。即ち，ワイヤボンディング時にワイヤ及び第１電極とオーミック接触をさせ効率よく電流を注入可能な金属や合金を選択した場合，金属の延性が大きい傾向にある。しかしながら，パッド電極を予め劈開端面から離して形成させてあるため劈開による短絡がない。 【００２５】（第１電極１０１）第１電極１０１は窒化物半導体のコンタクト層１１４と直接接触するものであり，窒化物半 がら，パッド電極を予め劈開端面から離して形成させてあるため劈開による短絡がない。 【００２５】（第１電極１０１）第１電極１０１は窒化物半導体のコンタクト層１１４と直接接触するものであり，窒化物半導体とオーミック接触できる金属や合金さらにはこれらの多層膜が挙げられる。第１電極１０１は窒化物半導体と接触するだけでなく，第１の保護膜１０４上にも部分的に形成することができる。また，第１電極１０１はストライプ状導波路領域１１５に形成された窒化物半導体に均一に電力を供給する必要があるためストライプ長方向の全面に渡って形成されることが望ましい。また，窒化物半導体レーザー１００の共振面を劈開によって形成する場合，窒化物半導体ウエハなどの劈開に伴って劈開面に金属片が接触することがなく，延性の少ない材料を選択することがより望ましい。第１電極を構成する金属片（バリなど）が延性によって各半導体層と接触すると短絡や半導体層の破壊を生ずる場- 25 -合がある。 【００２６】第１電極１０１の具体的材料として，窒化物半導体がｎ型の場合，具体的にはＡｕ，Ｐｔ，Ｎｉ，Ａｌ，Ｗ，Ｉｎ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｉｒ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ｔｉ，Ｃｏ，Ｓｎ，Ｐｂなどの金属，合金，これらの積層体やＰｔ，Ｗ，Ｍｏのシリサイドなどが好適に挙げられる。また，窒化物半導体がｐ型の場合，具体的にはＲｕ，Ｒｈ，ＯｓやＮｉ／Ａｕ（なお，／は積層体を示す。），Ｃｏ／Ａｕ，Ｎｉ／Ｔｉ／Ａｕ，Ｃｕ／Ａｕ，Ｐｄ合金やＰｔ合金が好適に挙げられる。このような金属や合金などはマスクを介してスパッタリング法や真空蒸着法を利用することで所望の形状に形成することができる。 【００２９】（第２電極１０３）第２電極１０３は，導電性基板１０６を介して第１電極１０１と対向して設けられるものである。第２電極１０３は導電性基板１０６上 とで所望の形状に形成することができる。 【００２９】（第２電極１０３）第２電極１０３は，導電性基板１０６を介して第１電極１０１と対向して設けられるものである。第２電極１０３は導電性基板１０６上に設けられるものであり，これにより窒化物半導体層を挟んで効率的に電流を流すことができる。・・・【００５１】（ｎ型電極１０３）ｎ型電極を形成させるために窒化物半導体基板上に格子状のフォトレジストを用いてｎ型電極を形成する。ｎ型電極は予め研磨され，フォトレジストが形成された窒化物半導体上にスパッタリング法を用いて，Ｗ／Ａｌ／Ｗ／Ａｕをそれぞれ２００オングストローム／２０００オングストローム／２０００オングストローム／３０００オングストロームで成膜させた。さらにその上にメタライズ電極を形成させる。メタライズ電極としてはＡｕ－Ｓｎなどを厚さ１から５μｍで形成させることが好ましい。フォトレジストを除去することにより窒化物半導体基板を介してｐ型電極と対応したｎ型電極が形成される。なお，ｐ型電極及びｎ型電極はｐ型コンタクト層やｎ型コンタクト層とオーミック接触させるために熱処理を施す。 【図１】，【図２】は，別紙４のとおりである。 イ判断(ｱ) 上記ア(ｱ) 認定の事実によれば，甲６発明は，連続発振して，長寿命を保持- 26 -できる新規な窒化物半導体の構造を提供することを目的としており（【０００４】），そのため，レーザ素子のｐ型窒化物半導体層側には正電極と，ｎ型窒化物半導体層側には負電極（７）とが形成されて，その正電極と負電極とが同一面側にあり，さらに前記リッジストライプ幅の中央線が，活性層幅の中央線よりも負電極側に接近していることを特徴とするが（【０００７】），甲６において，正電極の形状，負電極の形状及びそれらの技術的関連性についての記載ない 前記リッジストライプ幅の中央線が，活性層幅の中央線よりも負電極側に接近していることを特徴とするが（【０００７】），甲６において，正電極の形状，負電極の形状及びそれらの技術的関連性についての記載ないし示唆があるとは認められない（【００１４】，【００１５】，【００１７】）。 また，上記ア(ｲ) 認定の事実によれば，甲３には，第１の薄膜層が，ストライプ長さと同一の長さでｐ電極全面を覆って形成されているから（【００２９】），少なくとも，第１の薄膜層は，共振器端面と面一に形成されていること，スクライブイン上及び／または劈開面上にｎ電極が存在しないようにパターンをつけてｎ電極を形成することによりスクライブし易くなり，劈開性が向上すること（【００３２】）が記載されているといえるが，ｎ電極の形状とｐ電極の形状とが互いに技術的関連性をもって決定されることは，記載も示唆もされていない。 さらに，上記ア(ｳ) 認定の事実によれば，甲２には，比較的局所的な力が掛かりにくい，リッジやストライプ状導波路領域とは離れた平坦な絶縁層上のパッド電極を介してワイヤボンディングさせることができ，絶縁層のパッド電極を伝って，リッジ上に設けられた電極のみに集中して電力を供給することにより，闘値の低下及び信頼性とを同時に満たす発明を開示すること（【０００９】），第２のオーミック電極がパッド電極及び第１電極からなる窒化物系半導体レーザ素子において，劈開時にパッド電極が延び積層した窒化物半導体層を被覆することで窒化物半導体レーザーを短絡することがないようにし，また，該窒化物系半導体レーザ素子が，第１電極からストライプ状導波路領域に形成された窒化物系半導体に均一に電力を供給するために，「第１電極がストライプ状導波路領域の端面に設けられた劈開面上まで延びていると共にパッド電極のストラ 子が，第１電極からストライプ状導波路領域に形成された窒化物系半導体に均一に電力を供給するために，「第１電極がストライプ状導波路領域の端面に設けられた劈開面上まで延びていると共にパッド電極のストライプ状導波路領域と平行な方向は第１電極より短く劈開部まで達していない」構成を採用すること（【００１２】，【００- 27 -１３】，【００２５】，【００２６】），ｎ型電極（第２電極１０３）からなる第１のオーミック電極は，格子状のフォトレジストを用いて形成され，導電性基板を介して第１電極と対向して設けられること（【００２９】，【００５１】）が記載されているといえるが，第１のオーミック電極（ｎ電極）の形状と第２のオーミック電極（ｐ電極）の形状とが，互いに技術的関連性をもって決定されることは記載も示唆もされていない。 そうすると，甲６，甲３，甲２において，いずれもｎ電極の形状とｐ電極の形状は，互いに技術的関連性をもって決定されることは記載も示唆もされていないから，当業者において，甲６発明を改良するために，ｎ電極の形状については甲３を，ｐ電極の形状については甲２を，それぞれ独立に参照することが不合理とはいえない。 なお，本件明細書をみても，本件発明１ないし４に関する限り，ｎ電極の形状とｐ電極の形状が互いに技術的関連性を有することや，それらの形状の組合せによる特別な作用効果を示す記載は見当たらない。 (ｲ) 以上によれば，甲６発明と甲３記載の技術，甲６発明と甲２記載の技術を，それぞれ独立して組み合わせ，相違点５，６に係る本件発明１の構成に想到することが容易であるとした審決の容易想到性の判断方法に誤りはなく，原告の上記①の主張は採用できない。 (2) 上記②の主張について上記(1) のとおり，甲６発明に，甲３のｐ電極の形状を採用するに当たり，ｎ電 あるとした審決の容易想到性の判断方法に誤りはなく，原告の上記①の主張は採用できない。 (2) 上記②の主張について上記(1) のとおり，甲６発明に，甲３のｐ電極の形状を採用するに当たり，ｎ電極の形状とは独立して採用できるといえる。 したがって，仮に，原告主張のように，甲３において，ｐ電極に関し，本件発明１の構成と異なる構成が記載されていたとしても，相違点５について，甲３記載の技術を甲６発明に適用する際，ｎ電極についてだけ適用することが恣意的であるとはいえず，原告の上記②の主張は採用できない。 (3) 上記③の主張について上記(1) のとおり，甲６発明に，甲２の第２のオーミック電極（ｐ電極）の形状- 28 -を採用するに当たり，第１のオーミック電極（ｎ電極）の形状とは独立して採用できるといえる。 したがって，仮に，原告主張のように，甲２において，ｎ電極に関し，本件発明１の構成と異なる構成が記載されていたとしても，相違点６について，甲２記載の技術を甲６発明に適用する際，ｐ電極についてだけ適用することが恣意的であるとはいえず，原告の上記③の主張は採用できない。 第５ 結論以上によれば，原告主張の取消事由は理由がなく，他に審決には取り消すべき違法はない。 よって，原告の請求を棄却することとし，主文のとおり判決する。 知的財産高等裁判所第３部 裁判長裁判官芝田俊文 裁判官岡本岳 裁判官 裁判官岡本岳 裁判官武宮英子- 29 -別紙 １ 本件明細書の【図１】（発明の参考例に係る窒化物系半導体レーザ素子の第１の例を示す模式的な透視斜視図），【図２】（図１の半導体レーザ素子を上側及び下側から観察した場合の模式的な平面図）１はｎ電極，２はｐ電極，２９ａはストライプ領域，Ａ，Ｂは共振器端面を示す。 【図１】 【図２】 ２ 甲６【図２】 原告主張図 L2L2L2L2M1M1M1M1M2M2M2M2L1L1L1L1L1 ＝L2（M1 ＝M2）- 30 - ３ 甲３【図５】 ４ 甲２【図１】 【図２】
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