平成20(ワ)14859 特許権侵害差止請求事件

- 1 -平成２１年２月２７日判決言渡同日原本領収裁判所書記官平成２０年（ワ）第１４８５９号特許権侵害差止請求事件口頭弁論終結日平成２１年１月２３日判決コリア〈以下略〉原告三星電子株式会社訴訟代理人弁護士大野聖二同井上義隆訴訟代理人弁理士片山健一同津田理大阪市〈以下略〉被告シャープ株式会社訴訟代理人弁護士永島孝明同安國忠彦同明石幸二郎訴訟代理人弁理士深見久郎同森田俊雄同吉田昌司同荒川伸夫補佐人弁理士磯田志郎同和田吉樹主文 原告の請求をいずれも棄却する。 訴訟費用は原告の負担とする。 この判決に対する控訴のための付加期間を３０日と定める。 事実 及び理由- 2 -第１請求 被告は，別紙イ号物件目録記載の製品を生産し，譲渡し，貸し渡し，輸出若しくは輸入し，又はその譲渡若しくは貸渡しの申出（譲渡又は貸渡しのための展示を含む。）をしてはならない。 被告は，その占有にかかる別紙イ号物件目録記載の製品を廃棄せよ。 第２事案の概要 事案の要旨本件は，発明の名称を「液晶表示装置の製造方法およびＴＦＴ基板を有する液晶表示装置」とする特許番号第３９７６７７０号の特許（以下，この特許を「本件特許」，この特許権を「本件特許権」という。）の特許権者である原告が，被告が別紙イ号物件目録記載の製品の製造，販売等をする行為が，本件特許権の侵害に当たる旨主張して，被告に対し，特許法１００条１項，２項に基づき，上記製品の生産，譲渡，輸出等の差止め及び廃棄を求めた事案である。 争いのない事実(1)当事者ア原告は，半導体，携帯電話，液晶モニター等の製造，販売を業とする ００条１項，２項に基づき，上記製品の生産，譲渡，輸出等の差止め及び廃棄を求めた事案である。 争いのない事実(1)当事者ア原告は，半導体，携帯電話，液晶モニター等の製造，販売を業とする韓国法人である。 イ被告は，液晶テレビ等電気機械器具の製造，販売等を業とする株式会社である。 (2)原告の特許権ア原告は，平成８年１１月２６日にした特許出願（特願平８－３１４６２０号。以下「本件原出願」という。）の一部を分割して出願した特許出願（特願２００４－５３２号）の一部を更に分割して，平成１７年１２月１日，発明の名称を「液晶表示装置の製造方法およびＴＦＴ基板を有する液晶表示装置」とする発明につき特許出願（優先権主張平成７年- 3 -１２月２８日・平成８年５月２９日，特願２００５－３４７７３７号。 以下「本件出願」という。）をし，平成１９年６月２９日，本件特許権の設定登録（請求項の数３０）を受けた。 イ本件特許に係る願書に添付した特許請求の範囲の請求項１，１１，２６の記載は，次のとおりである（以下，請求項１に係る発明を「本件発明１」，請求項１１に係る発明を「本件発明２」，請求項２６に係る発明を「本件発明３」という。）。 「【請求項１】基板のＴＦＴ部及びゲート－パッド連結部のそれぞれに第１金属膜及び第２金属膜を連続して蒸着し，前記第１金属膜及び前記第２金属膜を第１フォトリソグラフィー工程によってパターニングし，ゲート電極及びゲートパッドを基板上に形成する段階と，前記ゲート電極及び前記ゲートパッドが形成された基板の全面に絶縁膜を形成する段階と，第２フォトリソグラフィー工程によって，第１非晶質シリコン膜パターン及びドーピングされた第２非晶質シリコン膜パターンを前記ＴＦＴ部の絶縁膜上に形成する段階であって，前記第２非晶質シリコン膜パ 階と，第２フォトリソグラフィー工程によって，第１非晶質シリコン膜パターン及びドーピングされた第２非晶質シリコン膜パターンを前記ＴＦＴ部の絶縁膜上に形成する段階であって，前記第２非晶質シリコン膜パターンが前記第１非晶質シリコン膜パターンの全面に形成されて前記第２非晶質シリコン膜全体の下部表面が前記第１非晶質シリコン膜の表面と当接するように，前記第１非晶質シリコン膜パターン及び前記第２非晶質シリコン膜パターンを形成する段階と，第３フォトリソグラフィー工程によって，第３金属膜よりなるソース電極及びドレイン電極を前記ＴＦＴ部上に形成すると共に，前記第３金属膜よりなるパッド電極をパッド部の前記絶縁膜上に形成し，前記ソース電極及び前記ドレイン電極間に位置する第２非晶質シリコン膜を除去する段階と，前記ドレイン電極の一部，前記ゲートパッドの一部及び前記パッド電極の一部が露出されるように保護膜を形成し，前記ゲートパッドの一部上の絶縁膜を第４フォトリソグラフィー- 4 -工程によって除去する段階と，第５フォトリソグラフィー工程によって，ドレイン電極と連結される第１画素電極パターンと，前記ゲートパッド及び前記パッド電極と連結される第２画素電極パターンとを前記基板上に形成する段階とを含み，前記第１金属膜はＣｒ，Ｍｏ，Ｔａ及びＴｉを含むグループのうち選択される何れか１つの金属膜であり，前記第２金属膜はアルミニウム又はアルミニウム合金膜であることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。」「【請求項１１】基板のＴＦＴ部及びゲート－パッド連結部のそれぞれに第１金属膜及び第２金属膜を連続して蒸着し，前記第１金属膜及び前記第２金属膜をパターニングし，ゲート電極及びゲートパッドを基板上に形成する段階と，前記ゲート電極及び前記ゲートパッドが形成された基板の表面に絶 及び第２金属膜を連続して蒸着し，前記第１金属膜及び前記第２金属膜をパターニングし，ゲート電極及びゲートパッドを基板上に形成する段階と，前記ゲート電極及び前記ゲートパッドが形成された基板の表面に絶縁膜を形成する段階と，第１非晶質シリコン膜パターン及びドーピングされた第２非晶質シリコン膜パターンを前記ＴＦＴ部の絶縁膜上に形成する段階であって，前記第２非晶質シリコン膜パターンが前記第１非晶質シリコン膜パターンの全面に形成されて前記第２非晶質シリコン膜全体の下部表面が前記第１非晶質シリコン膜の表面と当接するように，前記第１非晶質シリコン膜パターン及び前記第２非晶質シリコン膜パターンを形成する段階と，第３金属膜よりなるソース電極及びドレイン電極を前記ＴＦＴ部上に形成すると共に，前記第３金属膜よりなるパッド電極をパッド部の前記絶縁膜上に形成し，前記ソース電極及び前記ドレイン電極間に位置する第２非晶質シリコン膜を除去する段階と，前記ドレイン電極の端部を露出させる第１コンタクトホール，前記ゲートパッドの一部を露出させる第２コンタクトホール及び前記パッド電極の一部を露出させる第３コンタクトホールを有する保護膜パターンであって，前記ソース電極及び前記ドレイン電極間に位置する第１非晶質シリコンパターンの上面- 5 -と接触する保護膜パターンを形成し，同時に前記第２コンタクトホールの下部の前記絶縁膜を前記ゲートパッドの端部が露出されるように除去する段階と，前記第１コンタクトホールを通じて前記ドレイン電極と電気的に連結される第１画素電極パターンと，前記第２コンタクトホール及び前記第３コンタクトホールを通じて前記ゲートパッド及び前記パッド電極と電気的に連結される第２画素電極パターンとを前記基板上に形成する段階とを含むことを特徴とする液晶表示装置の製造 タクトホール及び前記第３コンタクトホールを通じて前記ゲートパッド及び前記パッド電極と電気的に連結される第２画素電極パターンとを前記基板上に形成する段階とを含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。」「【請求項２６】基板のＴＦＴ部及びゲート－パッド連結部のそれぞれに第１金属膜及び第２金属膜を連続して蒸着し，前記第１金属膜及び前記第２金属膜の側壁が基板に対して傾くようにパターニングし，基板上にゲート電極及びゲートパッドを形成する段階と，前記ゲート電極及び前記ゲートパッドが形成された基板の表面に絶縁膜を形成する段階と，前記ＴＦＴ部の絶縁膜上に，第１非晶質シリコン膜パターン及びその上部に形成されるドーピングされた第２非晶質シリコン膜パターンよりなり，前記第２非晶質シリコン膜パターンの一部は前記第１非晶質シリコン膜パターンと接触する半導体膜パターンを形成する段階と，第３金属膜よりなるソース電極及びドレイン電極を前記ＴＦＴ部上に形成すると共に，前記第３金属膜よりなるパッド電極をパッド部の前記絶縁膜上に形成し，前記ソース電極及び前記ドレイン電極間に位置する前記第２非晶質シリコン膜を除去する段階と，前記ドレイン電極の端部を露出させる第１コンタクトホール，前記ゲートパッドの一部を露出させる第２コンタクトホール及び前記パッド電極の一部を露出させる第３コンタクトホールを有する保護膜パターンを形成し，同時に前記第２コンタクトホールの下部の前記絶縁膜を前記ゲートパッドの端部が露出されるように除去する段階と，前記第１コン- 6 -タクトホールを通じて前記ドレイン電極と電気的に連結される第１画素電極パターンと，前記第２コンタクトホール及び前記第３コンタクトホールを通じて前記ゲートパッド及び前記パッド電極と電気的に連結される第２画素電極パターンとを ドレイン電極と電気的に連結される第１画素電極パターンと，前記第２コンタクトホール及び前記第３コンタクトホールを通じて前記ゲートパッド及び前記パッド電極と電気的に連結される第２画素電極パターンとを形成する段階とを含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。」ウ(ア)本件発明１を構成要件に分説すると，次のとおりである。 Ａ基板のＴＦＴ部及びゲート－パッド連結部のそれぞれに第１金属膜及び第２金属膜を連続して蒸着し，前記第１金属膜及び前記第２金属膜を第１フォトリソグラフィー工程によってパターニングし，ゲート電極及びゲートパッドを基板上に形成する段階と，Ｂ前記ゲート電極及び前記ゲートパッドが形成された基板の全面に絶縁膜を形成する段階と，Ｃ第２フォトリソグラフィー工程によって，第１非晶質シリコン膜パターン及びドーピングされた第２非晶質シリコン膜パターンを前記ＴＦＴ部の絶縁膜上に形成する段階であって，前記第２非晶質シリコン膜パターンが前記第１非晶質シリコン膜パターンの全面に形成されて前記第２非晶質シリコン膜全体の下部表面が前記第１非晶質シリコン膜の表面と当接するように，前記第１非晶質シリコン膜パターン及び前記第２非晶質シリコン膜パターンを形成する段階と，Ｄ第３フォトリソグラフィー工程によって，第３金属膜よりなるソース電極及びドレイン電極を前記ＴＦＴ部上に形成すると共に，前記第３金属膜よりなるパッド電極をパッド部の前記絶縁膜上に形成し，前記ソース電極及び前記ドレイン電極間に位置する第２非晶質シリコン膜を除去する段階と，Ｅ前記ドレイン電極の一部，前記ゲートパッドの一部及び前記パッ- 7 -ド電極の一部が露出されるように保護膜を形成し，前記ゲートパッドの一部上の絶縁膜を第４フォトリソグラフィー工程によって除去する段階と，Ｆ 極の一部，前記ゲートパッドの一部及び前記パッ- 7 -ド電極の一部が露出されるように保護膜を形成し，前記ゲートパッドの一部上の絶縁膜を第４フォトリソグラフィー工程によって除去する段階と，Ｆ第５フォトリソグラフィー工程によって，ドレイン電極と連結される第１画素電極パターンと，前記ゲートパッド及び前記パッド電極と連結される第２画素電極パターンとを前記基板上に形成する段階とを含み，Ｇ前記第１金属膜はＣｒ，Ｍｏ，Ｔａ及びＴｉを含むグループのうち選択される何れか１つの金属膜であり，Ｈ前記第２金属膜はアルミニウム又はアルミニウム合金膜であるＩことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 (イ)本件発明２を構成要件に分説すると，次のとおりである。 Ｊ基板のＴＦＴ部及びゲート－パッド連結部のそれぞれに第１金属膜及び第２金属膜を連続して蒸着し，前記第１金属膜及び前記第２金属膜をパターニングし，ゲート電極及びゲートパッドを基板上に形成する段階と，Ｋ前記ゲート電極及び前記ゲートパッドが形成された基板の表面に絶縁膜を形成する段階と，Ｌ第１非晶質シリコン膜パターン及びドーピングされた第２非晶質シリコン膜パターンを前記ＴＦＴ部の絶縁膜上に形成する段階であって，前記第２非晶質シリコン膜パターンが前記第１非晶質シリコン膜パターンの全面に形成されて前記第２非晶質シリコン膜全体の下部表面が前記第１非晶質シリコン膜の表面と当接するように，前記第１非晶質シリコン膜パターン及び前記第２非晶質シリコン膜パターンを形成する段階と，Ｍ第３金属膜よりなるソース電極及びドレイン電極を前記ＴＦＴ部- 8 -上に形成すると共に，前記第３金属膜よりなるパッド電極をパッド部の前記絶縁膜上に形成し，前記ソース電極及び前記ドレイン電極間に位置する第２非晶質シリコン膜 及びドレイン電極を前記ＴＦＴ部- 8 -上に形成すると共に，前記第３金属膜よりなるパッド電極をパッド部の前記絶縁膜上に形成し，前記ソース電極及び前記ドレイン電極間に位置する第２非晶質シリコン膜を除去する段階と，Ｎ前記ドレイン電極の端部を露出させる第１コンタクトホール，前記ゲートパッドの一部を露出させる第２コンタクトホール及び前記パッド電極の一部を露出させる第３コンタクトホールを有する保護膜パターンであって，前記ソース電極及び前記ドレイン電極間に位置する第１非晶質シリコンパターンの上面と接触する保護膜パターンを形成し，同時に前記第２コンタクトホールの下部の前記絶縁膜を前記ゲートパッドの端部が露出されるように除去する段階と，Ｏ前記第１コンタクトホールを通じて前記ドレイン電極と電気的に連結される第１画素電極パターンと，前記第２コンタクトホール及び前記第３コンタクトホールを通じて前記ゲートパッド及び前記パッド電極と電気的に連結される第２画素電極パターンとを前記基板上に形成する段階とを含むＰことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 (ウ)本件発明３を構成要件に分説すると，次のとおりである。 Ｑ基板のＴＦＴ部及びゲート－パッド連結部のそれぞれに第１金属膜及び第２金属膜を連続して蒸着し，前記第１金属膜及び前記第２金属膜の側壁が基板に対して傾くようにパターニングし，基板上にゲート電極及びゲートパッドを形成する段階と，Ｒ前記ゲート電極及び前記ゲートパッドが形成された基板の表面に絶縁膜を形成する段階と，Ｓ前記ＴＦＴ部の絶縁膜上に，第１非晶質シリコン膜パターン及びその上部に形成されるドーピングされた第２非晶質シリコン膜パターンよりなり，前記第２非晶質シリコン膜パターンの一部は前記第- 9 -１非晶質シリコン膜パターンと接触する半 質シリコン膜パターン及びその上部に形成されるドーピングされた第２非晶質シリコン膜パターンよりなり，前記第２非晶質シリコン膜パターンの一部は前記第- 9 -１非晶質シリコン膜パターンと接触する半導体膜パターンを形成する段階と，Ｔ第３金属膜よりなるソース電極及びドレイン電極を前記ＴＦＴ部上に形成すると共に，前記第３金属膜よりなるパッド電極をパッド部の前記絶縁膜上に形成し，前記ソース電極及び前記ドレイン電極間に位置する前記第２非晶質シリコン膜を除去する段階と，Ｕ前記ドレイン電極の端部を露出させる第１コンタクトホール，前記ゲートパッドの一部を露出させる第２コンタクトホール及び前記パッド電極の一部を露出させる第３コンタクトホールを有する保護膜パターンを形成し，同時に前記第２コンタクトホールの下部の前記絶縁膜を前記ゲートパッドの端部が露出されるように除去する段階と，Ｖ前記第１コンタクトホールを通じて前記ドレイン電極と電気的に連結される第１画素電極パターンと，前記第２コンタクトホール及び前記第３コンタクトホールを通じて前記ゲートパッド及び前記パッド電極と電気的に連結される第２画素電極パターンとを形成する段階とを含むＷことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 (3)被告の行為被告は，別紙イ号物件目録記載の製品（以下，同製品を「イ号液晶テレビ」といい，同製品に搭載された液晶モジュールを「イ号液晶モジュール」という。）を製造し，販売し，販売の申出をしている。 争点 本件の争点は，イ号液晶モジュールの製造方法が本件発明１ないし３の構成要件を充足し，その技術的範囲に属するか否か（争点１），本件特許に無効理由があり，原告の本件特許権の行使が特許法１０４条の３第１項により- 10 -制限されるかどうか（争点２）である。 第３争点に 件を充足し，その技術的範囲に属するか否か（争点１），本件特許に無効理由があり，原告の本件特許権の行使が特許法１０４条の３第１項により- 10 -制限されるかどうか（争点２）である。 第３争点に関する当事者の主張 争点１（イ号液晶モジュールの製造方法の本件発明１ないし３の技術的範囲の属否）(1)原告の主張ア本件発明１の「ＴＦＴ部」，「ゲートパッド」，「ゲート－パッド連結部」，「パッド電極」及び「パッド部」の意義(ア)本件発明１の「ＴＦＴ部」（薄膜トランジスタ部）とは，本件特許に係る願書に添付した図面（以下，同願書に添付した明細書と併せて「本件明細書」という。甲３）の図１２に図示されているように（図中の左側部分の「Ｃ」），画素領域に設けられ，ソース，ドレイン，ゲートにより構成される薄膜トランジスタ（ＴＦＴ），ドレイン電極の表面を露出させるように保護膜が形成されたコンタクトホールが形成された領域をいう。 (イ)本件発明１の「ゲートパッド」とは，液晶表示装置の画素領域外（基板の周辺）の領域において，ゲートラインの末端（一端）に形成される電極をいい（本件明細書の段落【００２１】，図６），ゲート電極を構成する「第１金属膜」，「第２金属膜」により形成される。 本件発明１の「ゲート－パッド連結部」は，上記「ゲートパッド」と「第２画素電極パターン」との接続が行われる領域をいう（本件明細書の段落【００１１】，【００３０】，図１２の「Ｄ」）。この「ゲート－パッド連結部」において行われる「ゲートパッド」と「第２画素電極パターン」の接続は，「ゲートパッド」の表面を露出させるように保護膜が形成されたコンタクトホールを介して行われる。 (ウ)本件発明１の「パッド電極」は，液晶表示装置の画素領域外（基- 11 -板の周辺）の領域において，ソ トパッド」の表面を露出させるように保護膜が形成されたコンタクトホールを介して行われる。 (ウ)本件発明１の「パッド電極」は，液晶表示装置の画素領域外（基- 11 -板の周辺）の領域において，ソース電極及びドレイン電極を構成する「第３金属膜」により形成される電極をいい（本件明細書の図１２の「４１ｃ」），その機能は，外部からの電気信号をゲートパッドに伝達することにある。 本件発明１の「パッド部」は，上記「パッド電極」と「第２画素電極パターン」との接続が行われる領域をいう（本件明細書の段落【００３０】，図１２の「Ｅ」）。 イイ号液晶モジュールの構造イ号液晶モジュールは，次のように，「ＴＦＴ部」，「ゲート－パッド連結部」及び「パッド部」を有している。 (ア)ＴＦＴ部ａイ号液晶モジュールの「ＴＦＴ部」（薄膜トランジスタ部）においては，ＴＦＴのドレイン電極は，ゲート電極・ソース電極の交点付近から右斜上方に向かって伸びるように形成されており，その端部にはコンタクトホールが形成されている。 ｂイ号液晶モジュールのＴＦＴ部の構造の概要は，別紙１(1)のとおりである（甲５の写真５－６，甲６の写真５－６，５－１２，７－３等）。 すなわち，基板（ａ）上に，「チタン」を含む金属膜（ｂ），「アルミニウム合金膜」ないし「アルミニウム膜」（ｃ）及び「チタン」を含む金属膜（ｄ）が基板側から順番に積層されて，その側壁が基板（ａ）に対して傾くようにゲート電極が形成され，このゲート電極上に絶縁膜（ｅ）が設けられている。 絶縁膜（ｅ）の上には，第１の非晶質シリコン（ａ－Ｓｉ）膜（ｆ）及び第２の非晶質シリコン（ａ－Ｓｉ）膜（ｇ）が順次積層されてパターニングされ，第２の非晶質シリコン膜（ｇ）の上に，「- 12 -チタン」を含む金属膜（ｈ）と「アルミニウム合金膜」 Ｓｉ）膜（ｆ）及び第２の非晶質シリコン（ａ－Ｓｉ）膜（ｇ）が順次積層されてパターニングされ，第２の非晶質シリコン膜（ｇ）の上に，「- 12 -チタン」を含む金属膜（ｈ）と「アルミニウム合金膜」ないし「アルミニウム膜」（ｉ）を積層してなるソース電極及びドレイン電極が形成されている。 上記パターニングされた第２の非晶質シリコン膜（ｇ）全体の下部表面は第１の非晶質シリコン膜（ｆ）の表面と当接しており，第２の非晶質シリコン膜（ｇ）パターンの一部が第１の非晶質シリコン膜パターン（ｆ）と接触している。 そして，ソース電極，ドレイン電極及びソース－ドレイン電極間に形成されるチャネル領域（第２の非晶質シリコン膜（ｇ）が除去されることで露出する第１の非晶質シリコン膜（ｆ）の表面）は，保護膜（ｊ）により被覆されている。 ｃイ号液晶モジュールのＴＦＴ部のコンタクトホール部の構造の概要は，別紙１(2)のとおりである（甲５の写真７－５等）。 すなわち，基板（ａ）上に絶縁膜（ｅ）が設けられており，この絶縁膜（ｅ）の上には，第１の非晶質シリコン膜（ｆ）及び第２の非晶質シリコン膜（ｇ）が順次積層されてパターニングされている。 第２の非晶質シリコン膜（ｇ）の上には，「チタン」を含む金属膜（ｈ）と「アルミニウム合金膜」ないし「アルミニウム膜」（ｉ）を積層してなるドレイン電極（の端部）が形成されており，当該ドレイン電極の一部を露出するように保護膜（ｊ）が形成され，ドレイン電極のうちの「チタン」を含む金属膜（ｈ）の一部が，透明導電膜（ｋ）に電気的に接続している。 なお，「アルミニウム合金膜」ないし「アルミニウム膜」（ｉ）の上には保護膜（ｊ）が形成されており，透明導電膜（ｋ）とは接していない。 - 13 -(イ)「ゲート－パッド連結部」及び「パッド部」ａイ号液 ルミニウム合金膜」ないし「アルミニウム膜」（ｉ）の上には保護膜（ｊ）が形成されており，透明導電膜（ｋ）とは接していない。 - 13 -(イ)「ゲート－パッド連結部」及び「パッド部」ａイ号液晶モジュールには，画素領域外の基板周辺部に「ゲート－パッド連結部１」及び「ゲート－パッド連結部２」が形成されており（甲５の写真８－１，８－１１等），それぞれにおいて「ゲートパッド」と「第２画素電極パターン」との接続部（「ゲート－パッド連結部」）及び「パッド電極」と「第２画素電極パターン」との接続部（「パッド部」）が形成されている。 すなわち，イ号液晶モジュールにおいて，ゲートラインのうち，画素領域外の基板周辺部に形成された部分は，「ゲート電極」の末端部分であり，「ゲートパッド」に相当する。そして，画素領域外の基板周辺部に形成されている「ゲート－パッド連結部１」及び「ゲート－パッド連結部２」において，それぞれ上記「ゲートパッド」と「画素電極」である透明導電膜との接続が行われていることから，「ゲート－パッド連結部１」及び「ゲート－パッド連結部２」は，いずれも「ゲート－パッド連結部」に該当する。 ｂ「ゲート－パッド連結部１」の概要は，別紙１(3)のとおりである（甲５の写真８－１４等）。 すなわち，基板（ａ）上に，「チタン」を含む金属膜（ｂ），「アルミニウム合金膜」ないし「アルミニウム膜」（ｃ）及び「チタン」を含む金属膜（ｄ）が基板側から順番に積層されてゲートパッドが形成されている。 このゲートパッド上には，コンタクトホールにより，ゲートパッドの一部が開口されるように絶縁膜（ｅ）が設けられ，当該絶縁膜（ｅ）の上には，第１の非晶質シリコン膜（ｆ）及び第２の非晶質シリコン膜（ｇ）が順次積層されており，第２の非晶質シリコン膜（ｇ）の上には，「チタン」 口されるように絶縁膜（ｅ）が設けられ，当該絶縁膜（ｅ）の上には，第１の非晶質シリコン膜（ｆ）及び第２の非晶質シリコン膜（ｇ）が順次積層されており，第２の非晶質シリコン膜（ｇ）の上には，「チタン」を含む金属膜（ｈ），「アルミニウ- 14 -ム合金膜」ないし「アルミニウム膜」（ｉ）及び保護膜（ｊ）が設けられている。 なお，保護膜（ｊ）は，「チタン」を含む金属膜（ｈ）及び「アルミニウム合金膜」ないし「アルミニウム膜」（ｉ）の一部を露出するように形成されている。また，コンタクトホールの縁の「チタン」を含む金属膜（ｄ）の上には，第１及び第２の非晶質シリコン膜（ｆ，ｇ）及び「チタン」を含む金属膜（ｈ）が残存している。 そして，当該領域の全面に透明導電膜（ｋ）が形成され，パッド電極を構成する「チタン」を含む金属膜（ｈ）と透明導電膜（ｋ）が電気的に接続し，絶縁膜（ｅ）の開口部においてゲートパッドを構成する第２金属膜としての「チタン」を含む金属膜（ｄ）と透明導電膜（ｋ）が電気的に接続することで，「ゲート－パッド連結」がされている。 ｃ「ゲート－パッド連結部２」の概要は，別紙１(4)のとおりである（甲５の写真８－１７等）。 すなわち，基板（ａ）上に，「チタン」を含む金属膜（ｂ），「アルミニウム合金膜」ないし「アルミニウム膜」（ｃ）及び「チタン」を含む金属膜（ｄ）が順番に積層されてゲートパッドが形成されている。 このゲートパッド上には，その一部が開口されるように絶縁膜（ｅ）が設けられ，当該絶縁膜（ｅ）の上には，第１の非晶質シリコン膜（ｆ）及び第２の非晶質シリコン膜（ｇ）が順次積層されており，第２の非晶質シリコン膜（ｇ）の上には，「チタン」を含む金属膜（ｈ）が設けられている。 なお，コンタクトホールの縁の「チタン」を含む金属膜（ｄ）の上には，第１及 リコン膜（ｇ）が順次積層されており，第２の非晶質シリコン膜（ｇ）の上には，「チタン」を含む金属膜（ｈ）が設けられている。 なお，コンタクトホールの縁の「チタン」を含む金属膜（ｄ）の上には，第１及び第２の非晶質シリコン膜（ｆ，ｇ）及び「チタ- 15 -ン」を含む金属膜（ｈ）が残存している。 そして，当該領域の全面に透明導電膜（ｋ）が形成され，パッド電極を構成する「チタン」を含む金属膜（ｈ）と透明導電膜（ｋ）が電気的に接続し，絶縁膜（ｅ）の開口部においてゲートパッドを構成する「チタン」を含む金属膜（ｄ）と透明導電膜（ｋ）が電気的に接続することで，「ゲート－パッド連結」がされている。 ウイ号液晶モジュールの製造方法前記イのイ号液晶モジュールの構造によれば，イ号液晶モジュールは，次のような工程１ないし１２を経て製造されたものである。 (ア)工程１別紙２①のとおり，基板（ａ）上に，「チタン」を含む金属膜（ｂ），「アルミニウム合金膜」ないし「アルミニウム膜」（ｃ）及び「チタン」を含む金属膜（ｄ）を順番に積層した後，フォトリソグラフィー工程（１次写真蝕刻）により，ＴＦＴ部及びパッド部にゲート電極及びゲートパッドをそれぞれ形成する工程。 (イ)工程２別紙２②のとおり，ゲート電極及びゲートパッドの形成された基板の全面に絶縁膜（ｅ）を形成する工程。 (ウ)工程３別紙２③のとおり，絶縁膜（ｅ）の上に，第１の非晶質シリコン膜（ｆ）及びドーピングされた第２の非晶質シリコン膜（ｇ）を形成する工程。 (エ)工程４別紙２④のとおり，半導体膜（第１の非晶質シリコン膜（ｆ）及び第２の非晶質シリコン膜（ｇ））を，フォトリソグラフィー工程（２次写真蝕刻）により，ＴＦＴ部に半導体膜パターンを形成する工程。 - 16 -なお，当該工程において，パッド部にも半 リコン膜（ｆ）及び第２の非晶質シリコン膜（ｇ））を，フォトリソグラフィー工程（２次写真蝕刻）により，ＴＦＴ部に半導体膜パターンを形成する工程。 - 16 -なお，当該工程において，パッド部にも半導体膜パターンが形成される。パッド部に形成されるコンタクトホールの縁の「チタン」を含む金属膜（ｄ）の上に，図中に矢印で示したように第１及び第２の非晶質シリコン膜（ｆ，ｇ）が残っている。 (オ)工程５別紙２⑤のとおり，半導体膜パターンの形成された基板（ａ）の全面に，「チタン」を含む金属膜（ｈ）及び「アルミニウム合金膜」ないし「アルミニウム膜」（ｉ）を形成する工程。 (カ)工程６別紙２⑥のとおり，「チタン」を含む金属膜（ｈ）及び「アルミニウム合金膜」ないし「アルミニウム膜」（ｉ）を，フォトリソグラフィー工程（３次写真蝕刻）により，ＴＦＴ部にソース電極及びドレイン電極を形成する工程の前段。 なお，パッド部に形成されるコンタクトホールの縁の「チタン」を含む金属膜（ｄ）の上に，図中に矢印で示したように第１及び第２の非晶質シリコン膜（ｆ，ｇ）及びパッド電極を構成する金属膜（ｈ，ｉ）が残っている。 (キ)工程７別紙２⑦のとおり，「チタン」を含む金属膜（ｈ）及び「アルミニウム合金膜」ないし「アルミニウム膜」（ｉ）をマスクとして，ソース電極－ドレイン電極間に位置する第２の非晶質シリコン膜（ｇ）を除去する工程（ソース電極及びドレイン電極を形成する工程の後段）。 なお，当該工程において，パッド部にも半導体膜パターンが形成される。パッド部に形成されるコンタクトホールの縁の「チタン」を含む金属膜（ｄ）の上に，図中に矢印で示したように第１及び第２の非- 17 -晶質シリコン膜（ｆ，ｇ）が残っている。 (ク)工程８別紙２⑧のとおり，ソース電極及びドレイン ールの縁の「チタン」を含む金属膜（ｄ）の上に，図中に矢印で示したように第１及び第２の非- 17 -晶質シリコン膜（ｆ，ｇ）が残っている。 (ク)工程８別紙２⑧のとおり，ソース電極及びドレイン電極の形成された基板（ａ）の全面に保護膜（ｊ）を形成する工程。 (ケ)工程９別紙２⑨のとおり，保護膜（ｊ）及び絶縁膜（ｅ）をフォトリソグラフィー工程（４次写真蝕刻）により，ドレイン電極（の端部）の表面と，ゲートパッドの表面を露出させるコンタクトホールを形成し，ゲートパッドより内側にオープンされるように保護膜（ｊ）及び絶縁膜（ｅ）を蝕刻する工程。 (コ)工程１０別紙２⑩のとおり，「チタン」を含む金属膜（ｈ）及び「アルミニウム合金膜」ないし「アルミニウム膜」（ｉ）のうち，コンタクトホールにより露出されている部分の「アルミニウム合金膜」ないし「アルミニウム膜」（ｉ）を除去する工程。 (サ)工程１１別紙２⑪のとおり，コンタクトホールの形成された基板（ａ）の全面に透明導電膜（ｋ）を形成する工程。 (シ)工程１２別紙２⑫のとおり，フォトリソグラフィー工程（５次写真蝕刻）により透明導電膜（ｋ）を蝕刻して，ドレイン電極と接続される第１画素電極パターンと，ゲートパッドとパッド電極と接続される第２画素電極パターンとを形成する工程。 エ本件発明１の構成要件充足性イ号液晶モジュールの製造方法は，以下のとおり，本件発明１の構成要件ＡないしＩをすべて充足するから，本件発明１の技術的範囲に属す- 18 -る。 (ア)構成要件Ａａ工程１において，「チタン」を含む金属膜（ｂ）は「第１金属膜」に，「アルミニウム合金膜」ないし「アルミニウム膜」（ｃ）は「第２金属膜」に相当し，基板（ａ）上に「第１金属膜」及び「第２金属膜」を順番に積層した後，フォトリソグラ 含む金属膜（ｂ）は「第１金属膜」に，「アルミニウム合金膜」ないし「アルミニウム膜」（ｃ）は「第２金属膜」に相当し，基板（ａ）上に「第１金属膜」及び「第２金属膜」を順番に積層した後，フォトリソグラフィー工程（１次写真蝕刻）により，ＴＦＴ部及びパッド部（ゲート－パッド連結部）にゲート電極及びゲートパッドをそれぞれ形成するから，イ号液晶モジュールの製造方法は，構成要件Ａを充足する。 この１次写真蝕刻工程時に用いられるマスクパターンは，別紙３(1)の「第１マスクパターン」のとおりである。 ｂ被告は，本件発明１の構成要件Ａによれば，ゲート電極及びゲートパッドは２層の金属膜からなる積層構造のものに限定される旨主張するが，そのような限定解釈を行う理由はなく，被告の主張は失当である。 (イ)構成要件Ｂ工程２において，ゲート電極及びゲートパッドの形成された基板（ａ）の全面に絶縁膜（ｅ）を形成するから，イ号液晶モジュールの製造方法は，構成要件Ｂを充足する。 (ウ)構成要件Ｃ工程３において，絶縁膜（ｅ）の上に，第１の非晶質シリコン膜（ｆ）及びドーピングされた第２の非晶質シリコン膜（ｇ）を形成し，工程４において，半導体膜（第１の非晶質シリコン膜（ｆ）及び第２の非晶質シリコン膜（ｇ））を，フォトリソグラフィー工程（２次写真蝕刻）により，ＴＦＴ部に半導体膜パターンを形成するから，イ号液晶モジュールの製造方法は，構成要件Ｃを充足する。 - 19 -この２次写真蝕刻工程時に用いられるマスクパターンは，別紙３(2)の「第２マスクパターン」のとおりである。 (エ)構成要件Ｄａ工程５において，半導体膜パターンの形成された基板（ａ）の全面に「チタン」を含む金属膜（ｈ）及び「アルミニウム合金膜」ないし「アルミニウム膜」（ｉ）が形成され，これらの金属膜（ｈ， 構成要件Ｄａ工程５において，半導体膜パターンの形成された基板（ａ）の全面に「チタン」を含む金属膜（ｈ）及び「アルミニウム合金膜」ないし「アルミニウム膜」（ｉ）が形成され，これらの金属膜（ｈ，ｉ）は，本件発明１の「第３金属膜」に相当する。 工程６において，上記「第３金属膜」を，フォトリソグラフィー工程（３次写真蝕刻）により，ＴＦＴ部にソース電極及びドレイン電極を形成し，工程７において，「チタン」を含む金属膜（ｈ）及び「アルミニウム合金膜」ないし「アルミニウム膜」（ｉ）をマスクとして，ソース電極－ドレイン電極間に位置する第２の非晶質シリコン膜（ｇ）を除去している。 そして，工程５ないし７において，上記「第３金属膜」からなるパッド電極がパッド部の絶縁膜（ｅ）上に形成されるから，イ号液晶モジュールの製造方法は，構成要件Ｄを充足する。 この３次写真蝕刻工程時に用いられるマスクパターンは，別紙３(3)の「第３マスクパターン」のとおりである。 ｂ被告は，イ号液晶モジュールは，本件発明１の「パッド部」及び「第３金属膜よりなるパッド電極」を具備していないから，構成要件Ｄを充足しない旨主張する。 しかし，本件発明１の「パッド部」とは，液晶表示装置の画素領域外（基板の周辺）の領域において，ソース電極及びドレイン電極を構成する第３金属膜により構成される「パッド電極」と「第２画素電極パターン」との接続が行われる領域をいうところ（前記ア(ウ)），イ号液晶モジュールにおいては，第３金属膜を構成する「チタ- 20 -ン」を含む金属膜（ｈ）が「パッド電極」を形成し，「ゲート－パッド連結部１」及び「ゲート－パッド連結部２」において，「パッド電極」と「画素電極」との接続が行われ，「パッド部」を形成し，かつ，「ゲートパッド」と「第２画素電極パターン」との接続が行 ゲート－パッド連結部１」及び「ゲート－パッド連結部２」において，「パッド電極」と「画素電極」との接続が行われ，「パッド部」を形成し，かつ，「ゲートパッド」と「第２画素電極パターン」との接続が行われ，「ゲート－パッド連結部」を形成している。 すなわち，イ号液晶モジュールの「ゲート－パッド連結部１」は，別紙写真１の青色部分において「ゲートパッド」と「第２画素電極パターン」（透明導電膜）が連結し，また，同赤色部分において「パッド電極」（第３金属膜を構成する「チタン」を含む金属膜（ｈ））と「第２画素電極パターン」（透明導電膜）が連結し，「パッド部」を形成している。 次に，イ号液晶モジュールの「ゲート－パッド連結部２」は，別紙写真２の青色部分において「ゲートパッド」と「第２画素電極パターン」（透明導電膜）が連結し，また，同赤色部分において「パッド電極」（第３金属膜を構成する「チタン」を含む金属膜（ｈ）と「第２画素電極パターン」（透明導電膜）が連結し，「パッド部」を形成している。 そして，本件発明１の「パッド電極」の機能は，外部からの電気信号をゲートパッドに伝達することにあるところ（前記ア(ウ)），「ゲート－パッド連結部１」及び「ゲート－パッド連結部２」においては，「チタン」を含む金属膜（ｈ）を介して「ゲートパッド」に外部からの電気信号が伝達されているから，上記「チタン」を含む金属膜（ｈ）が「パッド電極」に該当することは明らかである。また，「ゲート－パッド連結部１」では，別紙写真１の赤色部分及び青色部分を覆うように広く透明導電膜が形成されているから（甲４の写真９－２），上記赤色部分及び青色部分における導電- 21 -粒子の存在確率を問題とする意味はない。 さらに，仮に被告が主張するように「パッド電極」が外部端子と直接に連結される部分と解 ら（甲４の写真９－２），上記赤色部分及び青色部分における導電- 21 -粒子の存在確率を問題とする意味はない。 さらに，仮に被告が主張するように「パッド電極」が外部端子と直接に連結される部分と解したとしても，「ゲート－パッド連結部２」の近傍（甲４の写真８－１）には，第３金属膜を構成する「チタン」を含む金属膜（ｈ）が，透明導電膜（ｋ）に覆われることなく最上層に形成され，外部端子と直接に連結している領域があるから，イ号液晶モジュールにおいて，「パッド電極」が形成されていることに変わりはない。 ｃまた，被告は，本件発明１の第３金属膜の材質にはアルミニウムが含まれないので，イ号液晶モジュールの「チタン」を含む金属膜（ｈ）及び「アルミニウム合金膜」ないし「アルミニウム膜」（ｉ）は，本件発明１の「第３金属膜」に該当しない旨主張するが，そのような限定解釈を行う理由はなく，被告の主張は失当である。 (オ)構成要件Ｅ工程８において，ソース電極及びドレイン電極の形成された基板（ａ）の全面に保護膜（ｊ）を形成し，工程９において，保護膜（ｊ）及び絶縁膜（ｅ）をフォトリソグラフィー工程（４次写真蝕刻）により，ドレイン電極の（一部の）表面と，ゲートパッドの（一部の）表面を露出させるコンタクトホールを形成し，ゲートパッドより内側にオープンされるように保護膜（ｊ）及び絶縁膜（ｅ）を蝕刻し，パッド部ではパッド電極の一部が露出されるように保護膜が形成され，工程１０において，「チタン」を含む金属膜（ｈ）及び「アルミニウム合金膜」ないし「アルミニウム膜」（ｉ）のうち，コンタクトホールにより露出されている部分の「アルミニウム合金膜」ないし「アルミニウム膜」（ｉ）を除去しているから，イ号液晶モジュールの製造方法は，構成要件Ｅを充足する。 - 22 -この４次写真蝕 タクトホールにより露出されている部分の「アルミニウム合金膜」ないし「アルミニウム膜」（ｉ）を除去しているから，イ号液晶モジュールの製造方法は，構成要件Ｅを充足する。 - 22 -この４次写真蝕刻工程時に用いられるマスクパターンは，別紙３(4)の「第４マスクパターン」のとおりであり，パッド部に形成された保護膜（ｊ）及び絶縁膜（ｅ）は，同一のマスクパターンにより同一の蝕刻工程により行われる。絶縁膜（ｅ）の除去は，パッド部に形成されたコンタクトホールの縁に残された半導体膜（ｆ）をマスクとしており，絶縁膜（ｅ）の除去に別途のフォトリソグラフィー工程が加えられているわけではない。 (カ)構成要件Ｆ工程１１において，コンタクトホールの形成された基板（ａ）の全面に透明導電膜（ｋ）を形成し，工程１２において，フォトリソグラフィー工程（５次写真蝕刻）により透明導電膜（ｋ）を蝕刻して，ドレイン電極と接続される第１画素電極パターンと，ゲートパッドとパッド電極と接続される第２画素電極パターンとを形成するから，イ号液晶モジュールの製造方法は，構成要件Ｆを充足する。 この５次写真蝕刻工程時に用いられるマスクパターンは，別紙３(5)の「第５マスクパターン」のとおりである。 (キ)構成要件Ｇ工程１において積層された「チタン」を含む金属膜（ｂ）は「第１金属膜」に相当するから，イ号液晶モジュールの製造方法は，構成要件Ｇを充足する。 (ク)構成要件Ｈ工程１において積層された「アルミニウム合金膜」ないし「アルミニウム膜」（ｃ）は「第２金属膜」に相当するから，イ号液晶モジュールの製造方法は，構成要件Ｈを充足する。 (ケ)構成要件Ｉイ号液晶モジュールは液晶表示装置であるから，イ号液晶モジュー- 23 -ルの製造方法は，構成要件Ｉを充足する。 オ本件発明２の ジュールの製造方法は，構成要件Ｈを充足する。 (ケ)構成要件Ｉイ号液晶モジュールは液晶表示装置であるから，イ号液晶モジュー- 23 -ルの製造方法は，構成要件Ｉを充足する。 オ本件発明２の構成要件充足性イ号液晶モジュールの製造方法は，以下のとおり，本件発明２の構成要件ＪないしＰをすべて充足するから，本件発明２の技術的範囲に属する。 (ア)構成要件Ｊ工程１において，「チタン」を含む金属膜（ｂ）は「第１金属膜」に，「アルミニウム合金膜」ないし「アルミニウム膜」（ｃ）は「第２金属膜」に相当し，基板（ａ）上に「第１金属膜」及び「第２金属膜」を順番に積層した後，フォトリソグラフィー工程（１次写真蝕刻）により，ＴＦＴ部及びパッド部（ゲート－パッド連結部）にゲート電極及びゲートパッドをそれぞれ形成するから，イ号液晶モジュールの製造方法は，構成要件Ｊを充足する。 (イ)構成要件Ｋ工程２において，ゲート電極及びゲートパッドの形成された基板（ａ）の全面に絶縁膜（ｅ）を形成するから，イ号液晶モジュールの製造方法は，構成要件Ｋを充足する。 (ウ)構成要件Ｌ工程３において，絶縁膜（ｅ）の上に，第１の非晶質シリコン膜（ｆ）及びドーピングされた第２の非晶質シリコン膜（ｇ）を形成し，工程４において，半導体膜（第１の非晶質シリコン膜（ｆ）及び第２の非晶質シリコン膜（ｇ））を，フォトリソグラフィー工程（２次写真蝕刻）により，ＴＦＴ部に半導体膜パターンを形成し，第２の非晶質シリコン膜（ｇ）全体の下部表面は第１の非晶質シリコン膜（ｆ）の表面と当接するから，イ号液晶モジュールの製造方法は，構成要件Ｌを充足する。 - 24 -(エ)構成要件Ｍ工程５において，半導体膜パターンの形成された基板（ａ）の全面に「チタン」を含む金属膜（ｈ）及び「アルミニウム合 液晶モジュールの製造方法は，構成要件Ｌを充足する。 - 24 -(エ)構成要件Ｍ工程５において，半導体膜パターンの形成された基板（ａ）の全面に「チタン」を含む金属膜（ｈ）及び「アルミニウム合金膜」ないし「アルミニウム膜」（ｉ）が形成され，これらの金属膜（ｈ，ｉ）は本件発明２の「第３金属膜」に相当する。 工程６において，上記「第３金属膜」を，フォトリソグラフィー工程（３次写真蝕刻）により，ＴＦＴ部にソース電極及びドレイン電極を形成し，工程７において，上記「第３金属膜」をマスクとして，ソース電極－ドレイン電極間に位置する第２の非晶質シリコン膜（ｇ）を除去している。 そして，工程５ないし７において，上記「第３金属膜」からなるパッド電極がパッド部の絶縁膜（ｅ）上に形成されるから，イ号液晶モジュールの製造方法は，構成要件Ｍを充足する。 (オ)構成要件Ｎ工程８において，ソース電極及びドレイン電極の形成された基板（ａ）の全面に保護膜（ｊ）を形成し，工程９において，保護膜（ｊ）及び絶縁膜（ｅ）をフォトリソグラフィー工程（４次写真蝕刻）により，ドレイン電極の（一部の）表面と，ゲートパッドの（一部の）表面を露出させるコンタクトホールを形成し，ゲートパッドより内側にオープンされるように保護膜（ｊ）及び絶縁膜（ｅ）を蝕刻し，パッド部ではパッド電極の一部が露出されるように保護膜（ｊ）が形成され，工程１０において，「第３金属膜」（ｈ，ｉ）のうち，コンタクトホールにより露出されている部分の「アルミニウム合金膜」ないし「アルミニウム膜」（ｉ）を除去しているから，イ号液晶モジュールの製造方法は，構成要件Ｎを充足する。 (カ)構成要件Ｏ- 25 -工程１１において，コンタクトホールの形成された基板（ａ）の全面に透明導電膜（ｋ）を形成し，工程１２において イ号液晶モジュールの製造方法は，構成要件Ｎを充足する。 (カ)構成要件Ｏ- 25 -工程１１において，コンタクトホールの形成された基板（ａ）の全面に透明導電膜（ｋ）を形成し，工程１２において，フォトリソグラフィー工程（５次写真蝕刻）により透明導電膜（ｋ）を蝕刻して，ドレイン電極と接続される第１画素電極パターンと，ゲートパッドとパッド電極と接続される第２画素電極パターンとを形成する。 そして，第１画素電極パターンは第１コンタクトホール（ＴＦＴ部のコンタクトホール）を通じてドレイン電極と接続され，第２画素電極パターンは第２及び第３コンタクトホール（パッド部のコンタクトホール）を通じてゲートパッド及びパッド電極と接続されるから，イ号液晶モジュールの製造方法は，構成要件Ｏを充足する。 (キ)構成要件Ｐイ号液晶モジュールは液晶表示装置であるから，イ号液晶モジュールの製造方法は，構成要件Ｐを充足する。 カ本件発明３の構成要件充足性イ号液晶モジュールの製造方法は，以下のとおり，本件発明３の構成要件ＱないしＷをすべて充足するから，本件発明３の技術的範囲に属する。 (ア)構成要件Ｑ工程１において，「チタン」を含む金属膜（ｂ）は「第１金属膜」に，「アルミニウム合金膜」ないし「アルミニウム膜」（ｃ）は「第２金属膜」に相当し，基板（ａ）上に「第１金属膜」及び「第２金属膜」を順番に積層した後，フォトリソグラフィー工程（１次写真蝕刻）により，ＴＦＴ部及びパッド部（ゲート－パッド連結部）にゲート電極及びゲートパッドを，それぞれその側壁が基板に対して傾くように形成するから，イ号液晶モジュールの製造方法は，構成要件Ｑを充足する。 - 26 -(イ)構成要件Ｒ工程２において，ゲート電極及びゲートパッドの形成された基板（ａ）の全面に絶縁膜（ｅ）を形 うに形成するから，イ号液晶モジュールの製造方法は，構成要件Ｑを充足する。 - 26 -(イ)構成要件Ｒ工程２において，ゲート電極及びゲートパッドの形成された基板（ａ）の全面に絶縁膜（ｅ）を形成するから，イ号液晶モジュールの製造方法は，構成要件Ｒを充足する。 (ウ)構成要件Ｓ工程３において，絶縁膜（ｅ）の上に，第１の非晶質シリコン膜（ｆ）及びドーピングされた第２の非晶質シリコン膜（ｇ）を形成し，工程４において，半導体膜（第１の非晶質シリコン膜（ｆ）及び第２の非晶質シリコン膜（ｇ））を，フォトリソグラフィー工程（２次写真蝕刻）により，ＴＦＴ部に半導体膜パターンを形成し，第２の非晶質シリコン膜（ｇ）パターンの一部は第１の非晶質シリコン膜（ｆ）パターンと接触するから，イ号液晶モジュールの製造方法は，構成要件Ｓを充足する。 (エ)構成要件Ｔ工程５において，半導体膜パターンの形成された基板（ａ）の全面に「チタン」を含む金属膜（ｈ）及び「アルミニウム合金膜」ないし「アルミニウム膜」（ｉ）が形成され，これらの金属膜（ｈ，ｉ）は，本件発明３の「第３金属膜」に相当する。 工程６において，上記「第３金属膜」を，フォトリソグラフィー工程（３次写真蝕刻）により，薄膜トランジスタ部にソース電極及びドレイン電極を形成し，工程７において，上記「第３金属膜」をマスクとして，ソース電極－ドレイン電極間に位置する第２の非晶質シリコン膜（ｇ）を除去している。 そして，工程５ないし７において，上記「第３金属膜」からなるパッド電極がパッド部の絶縁膜（ｅ）上に形成されるから，イ号液晶モジュールの製造方法は，構成要件Ｔを充足する。 - 27 -(オ)構成要件Ｕ工程８において，ソース電極及びドレイン電極の形成された基板（ａ）の全面に保護膜（ｊ）を形成し，工程９にお ，イ号液晶モジュールの製造方法は，構成要件Ｔを充足する。 - 27 -(オ)構成要件Ｕ工程８において，ソース電極及びドレイン電極の形成された基板（ａ）の全面に保護膜（ｊ）を形成し，工程９において，保護膜（ｊ）及び絶縁膜（ｅ）をフォトリソグラフィー工程（４次写真蝕刻）により，ドレイン電極の（一部の）表面を露出させるＴＦＴ部のコンタクトホール（第１コンタクトホール）と，ゲートパッドの（一部の）表面を露出させるパッド部のコンタクトホール（第２コンタクトホール）を形成し，ゲートパッドより内側にオープンされるように保護膜（ｊ）及び絶縁膜（ｅ）を同時に蝕刻し，パッド部のコンタクトホール（第３コンタクトホール）によりパッド電極の一部が露出されるように保護膜（ｊ）が形成され，工程１０において，「チタン」を含む金属膜（ｈ）及び「アルミニウム合金膜」ないし「アルミニウム膜」（ｉ）のうち，コンタクトホールにより露出されている部分の「アルミニウム合金膜」ないし「アルミニウム膜」（ｉ）を除去しているから，イ号液晶モジュールの製造方法は，構成要件Ｕを充足する。 (カ)構成要件Ｖ工程１１において，コンタクトホールの形成された基板（ａ）の全面に透明導電膜（ｋ）を形成し，工程１２において，フォトリソグラフィー工程（５次写真蝕刻）により透明導電膜（ｋ）を蝕刻して，ドレイン電極と接続される第１画素電極パターンと，ゲートパッドとパッド電極と接続される第２画素電極パターンとを形成する。 そして，第１画素電極パターンは第１コンタクトホールを通じてドレイン電極と接続され，第２画素電極パターンは第２及び第３コンタクトホールを通じてゲートパッド及びパッド電極と接続されるから，イ号液晶モジュールの製造方法は，構成要件Ｖを充足する。 (キ)構成要件Ｗ- 28 -イ号液晶 画素電極パターンは第２及び第３コンタクトホールを通じてゲートパッド及びパッド電極と接続されるから，イ号液晶モジュールの製造方法は，構成要件Ｖを充足する。 (キ)構成要件Ｗ- 28 -イ号液晶モジュールは液晶表示装置であるから，イ号液晶モジュールの製造方法は，構成要件Ｗを充足する。 キまとめ以上のとおり，イ号液晶モジュールの製造方法は，本件発明１ないし３の技術的範囲に属するから，被告によるイ号液晶モジュールを搭載するイ号液晶テレビの製造，販売の申出及び販売は，本件特許権の侵害に当たる。 (2)被告の反論ア本件発明１ないし３の構成要件充足性の主張に対しイ号液晶モジュールが原告主張の構造（前記(1)イ）を有することは，否認する。したがって，イ号液晶モジュールが原告主張の構造を有することを前提に，イ号液晶モジュールの製造方法が本件発明１ないし３の構成要件を充足するとの原告の主張は，理由がない。 また，仮にイ号液晶モジュールが原告主張の構造を有するとしても，イ号液晶モジュールの製造方法は，以下のとおり，少なくとも本件発明１の構成要件Ａ及びＤ，本件発明２の構成要件Ｊ及びＭ，本件発明３の構成要件Ｑ及びＴをそれぞれ充足しないので，本件発明１ないし３の技術的範囲に属さない。 (ア)構成要件Ａ，Ｊ，Ｑの非充足ａ(ａ)本件発明１の特許請求の範囲（請求項１）の記載中の「基板のＴＦＴ部及びゲート－パッド連結部のそれぞれに第１金属膜及び第２金属膜を連続して蒸着し，前記第１金属膜及び前記第２金属膜を・・・パターニングし，ゲート電極及びゲートパッドを基板上に形成する」との記載（構成要件Ａ）は，ゲート電極及びゲートパッドを形成する工程として，基板の上に最初に第１金属膜を形成し，続けて第１金属膜の上に第２金属膜を形成して２層の- 29 -金属膜 板上に形成する」との記載（構成要件Ａ）は，ゲート電極及びゲートパッドを形成する工程として，基板の上に最初に第１金属膜を形成し，続けて第１金属膜の上に第２金属膜を形成して２層の- 29 -金属膜からなる積層構造を成膜した後，この２層の積層構造を写真蝕刻して，ゲート電極及びゲートパッドを形成することを明確に示すものであり，また，「第３金属膜」との記載（構成要件Ｄ）は，「第３金属膜」が形成される前には，「第１金属膜」及び「第２金属膜」の２層しか金属膜が形成されないことを明確に示すものである。 したがって，本件発明１の特許請求の範囲（請求項１）の記載によれば，本件発明１の「ゲート電極及びゲートパッド」（構成要件Ａ）は，２層の金属膜からなる積層構造のものに限定されると解すべきである。そして，本件発明２の特許請求の範囲（請求項１１）及び本件発明３の特許請求の範囲（請求項２６）にも，請求項１と同様の記載があるから，本件発明２の「ゲート電極及びゲートパッド」（構成要件Ｊ）及び本件発明３の「ゲート電極及びゲートパッド」（構成要件Ｑ）も，２層の金属膜からなる積層構造のものに限定されると解すべきである。 また，本件明細書（甲３）の「発明の詳細な説明」においても，「第１金属膜」及び「第２金属膜」は，２層の金属膜からなる積層構造によって構成されることが記載されている（例えば，「本発明の第１実施例」に関する段落【００２３】，【００２４】）。 (ｂ)そして，原告の主張によれば，イ号液晶モジュールの製造方法に係る工程１において，基板（ａ）上に，「チタン」を含む金属膜（ｂ），「アルミニウム合金膜」ないし「アルミニウム膜」（ｃ）及び「チタン」を含む金属膜（ｄ）を順番に積層した後，１次写真蝕刻により，薄膜トランジスタ部及びパッド部にゲート電極及びゲートパッド 属膜（ｂ），「アルミニウム合金膜」ないし「アルミニウム膜」（ｃ）及び「チタン」を含む金属膜（ｄ）を順番に積層した後，１次写真蝕刻により，薄膜トランジスタ部及びパッド部にゲート電極及びゲートパッドをそれぞれ形成するというのであるか- 30 -ら，イ号液晶モジュールのゲート電極は，上記（ｂ），（ｃ），（ｄ）の３層構造であって，２層構造のものではない。したがって，イ号液晶モジュールの製造方法は，本件発明１の構成要件Ａ（本件発明２の構成要件Ｊ，本件発明３の構成要件Ｑ）を充足しない。 加えて，本件明細書には，画素電極とアルミニウム膜との間の接触抵抗を減らすために，ゲートパッドを構成するアルミニウム膜又はアルミニウム合金膜（第２金属膜）を蝕刻して第１金属膜を露出させ，ゲートパッドの第１金属膜と第２画素電極パターンとを接触させる構成しか開示されていないこと，本件原出願の審査段階で原告が提出した平成１６年９月８日付け意見書（乙５）によれば，「アルミニウム膜又はアルミニウム合金膜の蝕刻量を減らす」ために「パッド電極」を設けていること（１頁３１行～３９行）からすれば，本件発明１ないし３は，ゲート電極及びゲートパッドがアルミニウム膜を最上層に有することを前提としていると解すべきである。 しかし，イ号液晶モジュールでは，「アルミニウム膜」（ｃ）の上に「チタン」を含む金属膜（ｄ）が形成されているので，この点においても，本件発明１の構成要件Ａ（本件発明２の構成要件Ｊ，本件発明３の構成要件Ｑ）を充足しない。 ｂ(ａ)次に，乙１０（１９９５年１１月２０日発行の「ＪＩＳ工業用語大辞典第４版」）によれば，「パッド」とは「表面実装部品を搭載するためのランド」（１５０３頁）を意味し，「ランド」とは「部品の取付け及び接続に用いる導体パターン」（１９８４頁）を ＩＳ工業用語大辞典第４版」）によれば，「パッド」とは「表面実装部品を搭載するためのランド」（１５０３頁）を意味し，「ランド」とは「部品の取付け及び接続に用いる導体パターン」（１９８４頁）を意味するから，結局，「パッド」とは，「表面実装部品を搭載するための取付け及び接続に用いる導体パターン」を意- 31 -味する。したがって，当業者においては，「パッド部」とは液晶表示装置における「パッド」が設けられる部分を指し，「パッド電極」とは「パッド」の電極を指すと理解する。 そして，「ゲート－パッド連結部」の用語は，技術用語ではないが，通常の日本語の用法として理解すれば，「ゲートとパッドとを連結する部分」と解釈される。このことは，本件明細書において，従来の技術に関する「ゲート－パッド連結部Ｂ」が，ゲートパッド４ａとパッド電極１４ｃとを連結する部分であることが開示されていること（段落【０００５】～【００１１】，図１ないし５）からも明らかである。 また，本件発明１の特許請求の範囲（請求項１）には，「前記第３金属膜よりなるパッド電極」との記載があり，本件発明２の特許請求の範囲（請求項１１）及び本件発明３の特許請求の範囲（請求項２６）にも，請求項１と同様の記載がある。 そうすると，本件発明１ないし３の「ゲート－パッド連結部」とは，「ゲートパッド」と「第３金属膜からなるパッド電極」とを連結する部分を意味するものと解すべきである。 (ｂ)しかるに，後記のとおり，イ号液晶モジュールは，「第３金属膜からなるパッド電極」を具備しておらず，「ゲートパッド」と「第３金属膜からなるパッド電極」とを連結する部分を有していないから，イ号液晶モジュールには，本件発明１ないし３の「ゲート－パッド連結部」が存在しない。 したがって，イ号液晶モジュールの製造方法は，本 第３金属膜からなるパッド電極」とを連結する部分を有していないから，イ号液晶モジュールには，本件発明１ないし３の「ゲート－パッド連結部」が存在しない。 したがって，イ号液晶モジュールの製造方法は，本件発明１の構成要件Ａ（本件発明２の構成要件Ｊ，本件発明３の構成要件Ｑ）を充足しない。 (イ)構成要件Ｄ，Ｍ，Ｔの非充足- 32 -ａ本件発明１の特許請求の範囲（請求項１）の記載中には，「第３金属膜よりなるソース電極及びドレイン電極を前記ＴＦＴ部上に形成すると共に，前記第３金属膜よりなるパッド電極をパッド部の前記絶縁膜上に形成し」（構成要件Ｄ）との記載があり，また，本件発明２の特許請求の範囲（請求項１１）及び本件発明３の特許請求の範囲（請求項２６）にも，請求項１と同様の記載があるが，イ号液晶モジュールは，本件発明１の「パッド部」及び「第３金属膜よりなるパッド電極」を具備していないから，イ号液晶モジュールの製造方法は，上記構成要件Ｄを充足しない。 ｂこの点について原告は，本件発明１の「パッド部」とは，液晶表示装置の画素領域外（基板の周辺）の領域において，ＴＦＴにおけるソース電極及びドレイン電極を構成する「第３金属膜」により形成される「パッド電極」と「第２画素電極パターン」との接続が行われる領域をいい，イ号液晶モジュールにおいては，「チタン」を含む金属膜（ｈ）及び「アルミニウム合金膜」ないし「アルミニウム膜」（ｉ）よりなる「第３金属膜」が「パッド電極」を形成し，「ゲート－パッド連結部１」及び「ゲート－パッド連結部２」において「パッド電極」と「画素電極」との接続が行われているから，「ゲート－パッド連結部１」及び「ゲート－パッド連結部２」が「パッド部」に該当する旨主張する。 (ａ)しかし，原告の主張する「ゲート－パッド連結部１」は，極 画素電極」との接続が行われているから，「ゲート－パッド連結部１」及び「ゲート－パッド連結部２」が「パッド部」に該当する旨主張する。 (ａ)しかし，原告の主張する「ゲート－パッド連結部１」は，極めて小さく，形式的にも実質的にも外部端子との接続に寄与していないから，「表面実装部品を搭載するための取付け及び接続に用いる導体パターン」である「パッド」（前記(ア)ｂ(ａ)）が設けられている部分ということはできず，本件発明１の「パッド部」に該当しない。 - 33 -すなわち，乙１１（「ＣＯＦ出力用高精細対応異方導電フィルムアニソルムＡＣ－４７１３」と題する論文）には，液晶表示モジュールと外部端子とは，一般的に，異方導電フィルムを利用して行われ，「異方導電フィルム（アニソルム）は，接着剤中に，金めっきプラスチック粒子やニッケル粒子などの導電粒子を均一に分散させたフィルム」であり，「導電粒子」によって液晶表示モジュールの電極と外部端子との間の電気的接続を行う機能と，接着剤によって電極間を接着しさらに隣接電極間の絶縁性を保持する機能とを同時に発現すること（２５頁左欄１行～７行），異方導電フィルムによる電気的接続は，接着剤中に分散した導電粒子によるものであるため，接続面積が小さいと導通不良が発生すること（２６頁の図２），標準的な異方導電フィルムの導電粒子径は４μｍ，粒子密度は５，３００個／ｍｍであり，こ の異方導電フィルムの最小接続面積は１５，０００μｍであるこ と（２６頁左欄１０行～１３行）が開示されている。 しかるに，原告主張の「ゲート－パッド連結部１」は，別紙写真１に示すように，接続面積は赤色部分で僅か４５μｍ，青色部 分で１４３μｍと極めて小さく，標準的な異方導電フィルムの最 小接続面積（１５，０００μｍ）に比べて１００分の ド連結部１」は，別紙写真１に示すように，接続面積は赤色部分で僅か４５μｍ，青色部 分で１４３μｍと極めて小さく，標準的な異方導電フィルムの最 小接続面積（１５，０００μｍ）に比べて１００分の１以下にす ぎないから，導電粒子による電気的接続は全く期待できない。 したがって，原告の主張する「ゲート－パッド連結部１」は，外部端子と接続される部分ではないから，本件発明１の「パッド部」に該当しない。 (ｂ)また，イ号液晶モジュールでは，原告主張の「ゲート－パッド連結部２」において外部端子と接続されるが，「ゲート－パッド連結部２」には最上層として透明導電膜（ｋ）が形成され，最- 34 -上層の透明導電膜（ｋ）が外部端子と接続されており，イ号液晶モジュールの「チタン」を含む金属膜（ｈ）及び「アルミニウム合金膜」ないし「アルミニウム膜」（ｉ）は，外部端子と直接に連結されていないから，本件発明１の「パッド電極」ではない。 加えて，本件発明１の第３金属膜の材質にはアルミニウムが含まれないので，「チタン」を含む金属膜（ｈ）及び「アルミニウム合金膜」ないし「アルミニウム膜」（ｉ）は，本件発明１の「第３金属膜」に該当しない。 本件発明１の第３金属膜の材質にはアルミニウムが含まれないとする理由は，①請求項１の記載によれば，ＴＦＴ部のソース電極及びドレイン電極及びパッド部のパッド電極は，第３金属膜によって形成され，ドレイン電極は第１画素電極パターンと接続され，パッド電極は第２画素電極パターンと接続されていること，②本件明細書には，画素電極とアルミニウム膜との間の接触抵抗を減らすために，ゲートパッドを構成するアルミニウム膜又はアルミニウム合金膜（第２金属膜）を蝕刻して第１金属膜を露出させ，ゲートパッドの第１金属膜と第２画素電極パターンとを接触させて 間の接触抵抗を減らすために，ゲートパッドを構成するアルミニウム膜又はアルミニウム合金膜（第２金属膜）を蝕刻して第１金属膜を露出させ，ゲートパッドの第１金属膜と第２画素電極パターンとを接触させている（段落【００２９】）との記載があり，アルミニウム膜又はアルミニウム合金膜と第２画素電極パターンとを直接接触させると，接触抵抗が増加することが開示されているが，他方で，第３金属膜として「Ｃｒのような耐火性金属」（段落【００２７】）及び「Ｃｒ，ＴｉまたはＭｏのような耐火性金属」（段落【００３４】）と記載されているだけであり，第３金属膜の材質として他の金属を選択することができる旨の記載はないこと，③本件発明１では，ゲートパッドではなく，外部接続端子と直接に連結される「パッド電極」を設けて，第２画素電極パターンに- 35 -よってゲートパッドと連結させて，外部接続端子と電気的に接続させていること，上記①ないし③に照らすと，本件発明１の第３金属膜は，第３金属膜にアルミニウムが含まれるとすると，アルミニウムとＩＴＯ（第１画素電極パターン，第２画素電極パターン）とが直接接触してしまい，本件明細書に記載された問題点が生じ，「アルミニウム膜又はアルミニウム合金膜の蝕刻量を減らす」ために「パッド電極」を設ける技術的意味もなくなるからである。 したがって，原告主張の「ゲート－パッド連結部２」は，本件発明１の「第３金属膜からなるパッド電極」を具備しておらず，本件発明１の「パッド部」に該当しない。 (ｃ)以上のとおり，原告主張のイ号液晶モジュールの「ゲート－パッド連結部１」及び「ゲート－パッド連結部２」は，本件発明１の「パッド部」に該当せず，また，イ号液晶モジュールは，本件発明１の「第３金属膜からなるパッド電極」を具備していないから，イ号液晶モジュール ド連結部１」及び「ゲート－パッド連結部２」は，本件発明１の「パッド部」に該当せず，また，イ号液晶モジュールは，本件発明１の「第３金属膜からなるパッド電極」を具備していないから，イ号液晶モジュールの製造方法は，本件発明１の構成要件Ｄを充足しない。同様の理由により，イ号液晶モジュールの製造方法は，本件発明２の構成要件Ｍ及び本件発明３の構成要件Ｔを充足しない。 イまとめ以上のとおり，イ号液晶モジュールの製造方法は，本件発明１ないし３の技術的範囲に属さないから，被告によるイ号液晶テレビの製造，販売の申出及び販売が本件特許権の侵害に当たる旨の原告の主張は，理由がない。 争点２（本件特許権に基づく権利行使の制限の成否）(1)被告の主張- 36 -本件特許には，以下のとおり無効理由があり，特許無効審判により無効とされるべきものであるから，特許法１０４条の３第１項の規定により，原告は，被告に対し，本件特許権を行使することができない。 ア無効理由１（新規性の欠如）本件発明１ないし３は，以下のとおり，本件原出願の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下，これらを併せて「本件原出願当初明細書」という。）に記載されたものではなく，本件出願は，平成１８年法律第５５号による改正前の特許法４４条１項（以下，単に「特許法４４条１項」という。）の規定する分割要件を満たさないから，本件出願の出願日は，本件原出願の時に遡及せず，現実の出願日である平成１７年１２月１日となるところ，本件発明１ないし３は，本件出願の上記出願日前に頒布された刊行物である乙１（本件原出願の公開特許公報である特開平９－１８９９２４号公報）に記載された発明（以下「乙１記載発明」という。）と同一の発明を含むものであるから，本件特許には，特許法２９条１項３号に違反する無効理由（同法１ 願の公開特許公報である特開平９－１８９９２４号公報）に記載された発明（以下「乙１記載発明」という。）と同一の発明を含むものであるから，本件特許には，特許法２９条１項３号に違反する無効理由（同法１２３条１項２号）がある。 (ア)本件発明１ないし３は，いずれも，第１金属膜及び第２金属膜をパターニングして「ゲートパッド」を形成する工程（本件発明１の構成要件Ａ，本件発明２の構成要件Ｊ及び本件発明３の構成要件Ｑ），「ゲートパッド」の一部を露出する工程（本件発明１の構成要件Ｅ，本件発明２の構成要件Ｎ及び本件発明３の構成要件Ｕ），第２画素電極パターンによってゲートパッドとパッド電極とを連結する工程（本件発明１の構成要件Ｆ，本件発明２の構成要件Ｏ及び本件発明３の構成要件Ｖ）を有しているところ，上記露出される「ゲートパッド」の部分及び第２画素電極パターンと接続される「ゲートパッド」の部分について，何ら限定がないため，本件発明１ないし３には，「- 37 -ゲートパッドの第２金属膜を蝕刻しないで，ゲートパッドの上層である第２金属膜と第２画素電極パターンとが接触する構造」が含まれることは明らかである。 (イ)ａ本件原出願当初明細書（乙１）には，第３金属膜からなる「パッド電極」（４１ｃ）を具備する液晶表示装置の製造方法の記載がある（請求項１，段落【００１２】，【００１３】，【００２１】ないし【００２４】，【００２７】ないし【００２９】，【００３６】，【００３７】，図６ないし１２）。 他方で，本件原出願当初明細書には，「パッド電極」を形成する目的及び効果についての記載はない。 ｂ本件原出願の審査の過程においては，次のような経過がある。 原告は，本件原出願につき，平成１６年３月４日付けで，「パッド電極」そのものの存在意義が不明であって，本件原出願当初明 いての記載はない。 ｂ本件原出願の審査の過程においては，次のような経過がある。 原告は，本件原出願につき，平成１６年３月４日付けで，「パッド電極」そのものの存在意義が不明であって，本件原出願当初明細書の発明の詳細な説明の記載が特許法３６条４項に規定する要件を満たしていない旨の拒絶理由通知を受けたため，同年９月８日付け意見書（乙５）を提出した。 乙５には，先に提出した同年２月６日付け手続補正書（方式）（乙３）における「パッド電極は第２画素電極パターンを通じて外部回路に接続されることになります。」との主張を撤回する旨の記載とともに，「パッド電極は正しくは，例えば図１２の右側へさらに延伸形成されることでＡＣＦ（AnisotropicConductiveFilm）等の外部接続端子と直接に連結されるものであり，外部回路からパッド電極に印加される外部信号は，第２画素電極パターンを経てゲートパッドに伝達されるのです。このような構成において第２画素電極パターンは，外部回路と直接に連結されず，ゲートパッドの耐火性金属からなる第１金属膜に対して小部分でのコンタクトが可能とな- 38 -ります。そのため，第２画素電極パターンと第１金属膜とのコンタクトを実現するには，第１金属膜上のアルミニウム膜又はアルミニウム合金膜からなる第２金属膜において小部分を蝕刻すればよいこととなり，当該蝕刻量の減少という効果がもたらされるのです。」（乙５の１頁３１行～３９行）との記載がある。 乙５の上記記載によれば，原告は，本件原出願の審査段階で，本件原出願当初明細書の「パッド電極」が「外部接続端子と直接に連結されるもの」であり，パッド電極を形成することによって，「アルミニウム膜又はアルミニウム合金膜の蝕刻量を減らす」という技術的意義を有すると主張していたことは明らかで 極」が「外部接続端子と直接に連結されるもの」であり，パッド電極を形成することによって，「アルミニウム膜又はアルミニウム合金膜の蝕刻量を減らす」という技術的意義を有すると主張していたことは明らかである。 ｃ上記ａの本件原出願当初明細書の記載及び上記ｂの本件原出願の審査経過によれば，本件原出願当初明細書には，複雑であり，生産性の減少及び製造コストの上昇の原因となった陽極酸化工程を行うことなく，アルミニウムのヒロックを防止して液晶表示装置を製造するために，アルミニウム膜又はアルミニウム合金膜（第２金属膜）の下部に耐火性金属膜（第１金属膜）を形成し，さらに後続工程で形成される画素電極とアルミニウム膜との間の接触抵抗を減らすために，パッド部で画素電極を形成する前に，ゲートパッドのアルミニウム膜又はアルミニウム合金膜（第２金属膜）を蝕刻する構造を前提として，ゲートパッドを構成するアルミニウム膜又はアルミニウム合金膜（第２金属膜）の蝕刻量を減らすため，外部接続端子と直接に連結されるパッド電極を形成し，ゲートパッドとパッド電極とを第２画素電極パターンで連結する発明が開示されている。 つまり，本件原出願当初明細書記載の液晶表示装置の製造方法においては，ゲートパッドを構成するアルミニウム膜又はアルミニウム合金膜（第２金属膜）を蝕刻する工程を必要不可欠なものとし，第- 39 -２画素電極パターンは必ずゲートパッドの第１金属膜と接触しなければならない。 一方で，本件原出願当初明細書には，ゲートパッドの第２金属膜を蝕刻しない構成及びゲートパッドの第２金属膜と第２画素電極パターンとが接触する構成について一切開示がない。 (ウ)前記(ア)のとおり，本件発明１ないし３においては，「ゲートパッドの第２金属膜を蝕刻しないで，ゲートパッドの上層である第２金属膜 ２画素電極パターンとが接触する構成について一切開示がない。 (ウ)前記(ア)のとおり，本件発明１ないし３においては，「ゲートパッドの第２金属膜を蝕刻しないで，ゲートパッドの上層である第２金属膜と第２画素電極パターンとが接触する構造」が含まれるが，前記(イ)のとおり，本件原出願当初明細書（乙１）には，ゲートパッドの第２金属膜を蝕刻しない構成及びゲートパッドの第２金属膜と第２画素電極パターンとが接触する構成は開示されていないのであるから，本件発明１ないし３は，本件原出願当初明細書に記載されたものではない。 また，本件発明２，３は，「ゲートパッド」を形成する第１金属膜及び第２金属膜の材質について何ら限定がないため，本件発明２，３においては，第１金属膜及び第２金属膜として，あらゆる種類の金属膜の組合せを選択することができることになる。しかし，本件原出願当初明細書記載の液晶表示装置の製造方法では，ゲートパッドの第２金属膜は，アルミニウム膜又はアルミニウム合金膜であることが必須であるから，アルミニウム膜又はアルミニウム合金膜以外の金属膜を第２金属膜とすることは本件原出願当初明細書に記載されたものではない。 したがって，本件発明１ないし３は，本件原出願当初明細書に記載されたものではなく，本件出願は，本件原出願との関係で，特許法４４条１項の分割要件を満たさないから，本件出願の出願日は，本件原出願の時に遡及せず，現実の出願日である平成１７年１２月１日とな- 40 -る。 (エ)前記(イ)のとおり，本件原出願の公開特許公報である特開平９－１８９９２４号公報（乙１）には，本件発明１ないし３の構成要件の全てに加えて，ゲートパッドを構成する第２金属膜を蝕刻して第１金属膜を露出させる段階を有する発明が開示されている。 そして，本件発明１ないし３は，前 号公報（乙１）には，本件発明１ないし３の構成要件の全てに加えて，ゲートパッドを構成する第２金属膜を蝕刻して第１金属膜を露出させる段階を有する発明が開示されている。 そして，本件発明１ないし３は，前記(ア)のとおり，露出される「ゲートパッド」の部分及び第２画素電極パターンと接続される「ゲートパッド」の部分について，何ら限定がないため，乙１記載のゲートパッドの第１金属膜と第２画素電極パターンとが接触する構造も含むものである。 したがって，本件発明１ないし３は，乙１記載発明と同一の発明を含むものであるから，特許法２９条１項３号に該当し，新規性がない。 イ無効理由２（サポート要件違反，実施可能要件違反）本件発明１ないし３の特許請求の範囲（請求項１，１１，２６）の記載は，「特許を受けようとする発明が発明の詳細な説明に記載したものであること」（平成１４年法律第２４号による改正前の特許法３６条６項１号（以下，単に「特許法３６条６項１号」という。））の要件（いわゆるサポート要件）に適合せず，また，本件明細書の「発明の詳細な説明」は，当業者が「その実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載」されていないため，本件明細書は，平成１４年法律第２４号による改正前の特許法３６条４項（以下，単に「特許法３６条４項」という。）に規定する要件（いわゆる実施可能要件）を満たしていないから，本件特許は，特許法３６条４項，６項１号の要件を満たしていない特許出願に対してされたとの無効理由（平成１４年法律第２４号附則２条１項の規定によりなお従前の例によるものとされた同法による改正前- 41 -の特許法１２３条１項４号）がある。 (ア)前記ア(ア)のとおり，本件発明１ないし３の特許請求の範囲（請求項１，１１，２６）には，露出される「ゲートパッド」の部分及び第２画 る改正前- 41 -の特許法１２３条１項４号）がある。 (ア)前記ア(ア)のとおり，本件発明１ないし３の特許請求の範囲（請求項１，１１，２６）には，露出される「ゲートパッド」の部分及び第２画素電極パターンと接続される「ゲートパッド」の部分について，何ら限定がないため，本件発明１ないし３には，「ゲートパッドの第２金属膜を蝕刻しないで，ゲートパッドの上層である第２金属膜と第２画素電極パターンとが接触する構造」が含まれる。 しかし，本件明細書（甲３）の発明の詳細な説明には，ゲートパッドの第２金属膜を蝕刻しないで，ゲートパッドの上層である第２金属膜と第２画素電極パターンとが接触する構成が開示されていないから，本件発明１ないし３の特許請求の範囲（請求項１，１１，２６）の記載は，「特許を受けようとする発明が発明の詳細な説明に記載したものであること」の要件（特許法３６条６項１号）に適合しない。 また，本件発明２，３の特許請求の範囲（請求項１１，２６）には，第１金属膜及び第２金属膜の材質について，何ら限定がないため，本件発明２，３においては，第１金属膜及び第２金属膜として，あらゆる種類の金属膜の組合せを選択することができる。しかし，本件明細書の発明の詳細な説明には，第１金属膜として，Ｃｒ，Ｔａ，Ｍｏ及びＴｉよりなるグループから選択された何れか１つを使用し，第２金属膜として，アルミニウムまたはアルミニウム合金を使用する組合せしか開示されていないから（段落【００２３】），本件発明２，３の特許請求の範囲の記載は，「特許を受けようとする発明が発明の詳細な説明に記載したものであること」の要件（特許法３６条６項１号）に適合しない。 (イ)本件明細書には，本件発明１ないし３の「パッド電極」を形成する目的及び効果については何も記載されていないため，当業者は に記載したものであること」の要件（特許法３６条６項１号）に適合しない。 (イ)本件明細書には，本件発明１ないし３の「パッド電極」を形成する目的及び効果については何も記載されていないため，当業者は，本- 42 -件明細書から「パッド電極」の技術上の意義を理解することができない。 したがって，本件明細書の発明の詳細な説明は，当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されていないので，特許法３６条４項の要件に適合しない。 ウ無効理由３（進歩性の欠如）本件発明１ないし３は，本件出願の優先権主張日前に頒布された刊行物である特開平５－１６５０５９号公報（乙６）に記載された発明（以下「乙６記載発明」という。），特開平７－２６３７００号公報（乙７）に記載された発明，特開昭６２－２５２１７１号公報（乙８）に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に想到することができたものであるから，本件特許には，特許法２９条２項に違反する無効理由（同法１２３条１項２号）がある。 (ア)本件発明１の進歩性欠如ａ本件発明１と乙６記載発明との対比特開平５－１６５０５９号公報（乙６）の段落【００３２】，【００４４】ないし【００５０】，【００５７】ないし【００６０】及び図面を総合すると，乙６記載の「薄膜トランジスタ部分」，「ゲートライン端子部ＧＬａ」，「ゲート用金属膜１１」，「下層膜１１」，「ゲート絶縁膜１２」，「ｉ型半導体層１３」，「ｎ型半導体層１４」，「ソース，ドレイン用金属膜１６」，「保護絶縁膜１７」，「画素電極２０」及び「上層膜」，「アクティブマトリックス液晶表示素子に用いるＴＦＴパネル」は，本件発明１の「ＴＦＴ部」，「ゲート－パッド連結部」，「第１金属膜及び第２金属膜」，「ゲートパッド」，「絶縁膜」，「第１非晶質シリコン膜」 ティブマトリックス液晶表示素子に用いるＴＦＴパネル」は，本件発明１の「ＴＦＴ部」，「ゲート－パッド連結部」，「第１金属膜及び第２金属膜」，「ゲートパッド」，「絶縁膜」，「第１非晶質シリコン膜」，「第２非晶質シリコン膜」，「第３金属膜」，「保護- 43 -膜」，「第１画素電極パターン」及び「第２画素電極パターン」，「液晶表示装置」にそれぞれ相当するというべきである。 また，乙６の段落【００４６】及び【００４７】記載のとおり，乙６では，工程２において，ゲート絶縁膜１２と，ｉ型半導体層１３と，ｎ型半導体層１４と，コンタクト層１５とを順次成膜し，工程３において，ｎ型半導体層１４とｉ型半導体層１３とをトランジスタ素子領域の外形にパターニングするので，パターニングされたｉ型半導体層１３及びｎ型半導体層１４は，ゲート絶縁膜１２の上に形成されており，ｉ型半導体層１３の全面にｎ型半導体層１４が形成され，ｎ型半導体層１４全体の下部表面がｉ型半導体層１３の表面と当接していることは自明であり，このことは，乙６の図１（ｂ）からも確認できる。そして，ソース，ドレイン電極Ｓ，Ｄ間のｎ型半導体層１４は，酸化処理によって酸化絶縁層１４ａとなり，酸化絶縁層１４ａによって，ｎ型半導体層１４をソース側とドレイン側とに電気的に分離するのであるから，ソース，ドレイン電極Ｓ，Ｄ間のｎ型半導体層１４は酸化処理により除去されている。 以上によれば，本件発明１と乙６記載発明との間には，次のとおりの一致点及び相違点がある。 （一致点）「基板のＴＦＴ部（薄膜トランジスタ部分）及びゲート－パッド連結部（ゲートライン端子部ＧＬａ）のそれぞれに金属膜（ゲート用金属膜１１）を形成し，金属膜を第１フォトリソグラフィー工程によってパターニングし，ゲート電極及びゲートパッド（下層膜１１）を基 ッド連結部（ゲートライン端子部ＧＬａ）のそれぞれに金属膜（ゲート用金属膜１１）を形成し，金属膜を第１フォトリソグラフィー工程によってパターニングし，ゲート電極及びゲートパッド（下層膜１１）を基板上に形成する段階と，ゲート電極及びゲートパッドが形成された基板の全面に絶縁膜を形成する段階と，第２フォトリソグラフィー工程によって，第１非晶質シリコン膜（ｉ型半導体層１- 44 -３）パターン及びドーピングされた第２非晶質シリコン膜（ｎ型半導体層１４）パターンをＴＦＴ部の絶縁膜上に形成する段階であって，第２非晶質シリコン膜パターンが第１非晶質シリコン膜パターンの全面に形成されて第２非晶質シリコン膜全体の下部表面が第１非晶質シリコン膜の表面と当接するように，第１非晶質シリコン膜パターン及び第２非晶質シリコン膜パターンを形成する段階と，第３フォトリソグラフィー工程によって，第３金属膜（ソース，ドレイン用金属膜１６）よりなるソース電極及びドレイン電極をＴＦＴ部上に形成し，ソース電極及びドレイン電極間に位置する第２非晶質シリコン膜を除去する段階と，ドレイン電極の一部及びゲートパッドの一部が露出されるように保護膜（保護絶縁膜１７）を形成し，ゲートパッドの一部上の絶縁膜を第４フォトリソグラフィー工程によって除去する段階と，第５フォトリソグラフィー工程によって，ドレイン電極と連結される第１画素電極パターン（画素電極２０）と，ゲートパッドと連結される第２画素電極パターン（上層膜）とを基板上に形成する段階とを含むことを特徴とする液晶表示装置（アクティブマトリックス液晶表示素子に用いるＴＦＴパネル）の製造方法」である点。 （相違点１）本件発明１では，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｔａ及びＴｉを含むグループのうち選択される何れか１つの第１金属膜及びアルミニウム又はアルミ ックス液晶表示素子に用いるＴＦＴパネル）の製造方法」である点。 （相違点１）本件発明１では，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｔａ及びＴｉを含むグループのうち選択される何れか１つの第１金属膜及びアルミニウム又はアルミニウム合金膜の第２金属膜を連続して蒸着し，パターニングしてゲート電極及びゲートパッドを形成するのに対し（構成要件Ａ，Ｇ及びＨ），乙６では，ゲート用金属膜１１の材質として「ＡｌまたはＡｌ合金等」（段落【００３７】）としか記載されていない点。 （相違点２）- 45 -本件発明１では，第３金属膜よりなるパッド電極をパッド部の絶縁膜上に形成し，パッド電極の一部が露出されるように保護膜を形成して，第２画素電極パターンによってゲートパッド及びパッド電極とが連結されるのに対し，乙６では，パッド電極を形成することが開示されていないため，パッド電極を露出させるように保護絶縁膜１７が形成されず，上層膜がパッド電極と連結されない点。 ｂ相違点１に係る本件発明１の構成の容易想到性(ａ)乙９（１９９４年３月１日発行の書籍「ディスプレイ技術シリーズカラー液晶ディスプレイ」）には，「ゲート電極材料にはＣｒとＴａ系金属が使われることが多い。・・・ただＴａは比抵抗が大きいため，ＬＣＤが大きくなるほどゲート配線遅延によって画質が低下する。これを改善するため，ＡｌやＣｕなどをＴａ配線に積層して形成し低抵抗化する研究が進んでいる。」（１５７頁１６行～２１行）との記載がある。 また，特開平７－２６３７００号公報（乙７）には，「ゲート端子部では，透明基板１上にＴｉとＡｌ膜の２層の導電膜からなるゲート端子４・・・が形成されている」（段落【０００４】），「・・・ゲート電極２２はＴｉ膜からなり，他はすべてＴｉ膜及びこのＴｉ膜を被覆するＡｌ膜の２層の導電膜からなる。」（段落【０ 電膜からなるゲート端子４・・・が形成されている」（段落【０００４】），「・・・ゲート電極２２はＴｉ膜からなり，他はすべてＴｉ膜及びこのＴｉ膜を被覆するＡｌ膜の２層の導電膜からなる。」（段落【００２０】）との記載があり，また，ソース／ドレイン電極に関し，「透明導電膜とコンタクト性のよいＴｉ，Ｔａ，Ｍｏ等の高融点金属膜をＡｌの下に形成すること」が開示されている（段落【００４４】，【００４６】）。 乙７，９の上記記載によれば，液晶表示装置の技術分野において，「ゲート電極材料として，第１の金属及び第２の金属を積層させて形成すること」及び「配線材料として，Ｔｉ等の高融点金- 46 -属の上にＡｌ膜又はＡｌ合金を使用すること」は，本件出願の優先権主張日当時，周知であったというべきである。 (ｂ)また，乙７には，「液晶表示装置の液晶駆動に用いられる薄膜トランジスタの製造方法において，透明導電膜とアルミニウムとを直接接触させると接触抵抗がばらつくので，この問題を解決するために，Ｔｉ，Ｔａ，Ｍｏ等の高融点金属膜の上にアルミニウムを設け，透明導電膜と接続する前に，最上層のＡｌ膜を除去し，Ａｌ膜の下地の高融点金属膜を露出させ，高融点金属膜と透明導電膜とを接触させ，接触抵抗のばらつきを抑制し，接触抵抗を小さく保持すること」が開示されている（段落【０００１】，【０００４】，【０００８】，【００１０】，【００１１】，【００１４】，【００２０】，【００４６】）。 そして，当業者であれば，乙６記載発明において，乙７の上記開示事項及び前記(ａ)の周知技術に基づいて，接触抵抗のばらつきを抑制し，接触抵抗を小さく保持するために，ゲート用金属膜１１としてＴｉ，Ｔａ，Ｍｏ等の高融点金属膜の上にＡｌ膜またはＡｌ合金の第２の金属を積層させて形成し，それらをフォトリソ 接触抵抗のばらつきを抑制し，接触抵抗を小さく保持するために，ゲート用金属膜１１としてＴｉ，Ｔａ，Ｍｏ等の高融点金属膜の上にＡｌ膜またはＡｌ合金の第２の金属を積層させて形成し，それらをフォトリソグラフィー法によりパターニングしてゲート電極Ｇ及び下層膜１１をそれぞれ形成すること（相違点１に係る本件発明１の構成）は容易に想到することができたものである。 ｃ相違点２に係る本件発明１の構成の容易想到性特開昭６２－２５２１７１号公報（乙８）には，「液晶表示装置用ＴＦＴ基板の製造方法において，ゲート外部取り出し端子１１３をゲート絶縁膜５の上に形成し，層間絶縁膜６を堆積後，ゲート外部取り出し端子１１３の一部が露出されるように層間絶縁膜６にコンタクト開孔を設け，ゲート電極配線２３の一部が露出されるよう- 47 -に層間絶縁膜６及びゲート絶縁膜５にコンタクト開孔を設け，透明導電膜より成る第２導電膜を堆積後，ゲート外部取り出し端子１１３とゲート電極配線２３とを連結する第２結合配線１３３を形成すること」が開示されている（３頁左上欄１２行～１３行，左下欄１行～５行，左下欄１５行～右下欄７行，第２図（ｄ）等）。 そして，乙６及び乙８は，いずれも液晶表示装置の製造方法に関するものであり，同一の技術分野に属するものであるところ，液晶表示装置の製造方法において，各膜のパターン形状を変更することは，マスクを変更することによって容易に実施できるものであり，公知のパターンを採用することは当業者が適宜なし得る設計変更にすぎない。 また，乙６は，データライン端子部ＤＬａにおいて，ソース，ドレイン用金属膜１６（本件発明１の第３金属膜）をパターニングして，ゲート絶縁膜１２上にデータライン端子の下層膜１６を形成しており，乙６には，本件発明１の第３金属膜を使用した「パッド電 て，ソース，ドレイン用金属膜１６（本件発明１の第３金属膜）をパターニングして，ゲート絶縁膜１２上にデータライン端子の下層膜１６を形成しており，乙６には，本件発明１の第３金属膜を使用した「パッド電極」の示唆が存在する。 そうすると，当業者であれば，乙６記載発明において，乙８で開示された構成を採用することにより，ソース，ドレイン用金属膜１６をパターニングして，ゲート絶縁膜１２上に，ゲート外部取り出し端子（パッド電極）を形成し，保護絶縁膜１７を成膜した後，ゲート外部取り出し端子の一部が露出されるように保護絶縁膜１７にコンタクト開孔を設け，ゲートライン端子部ＧＬａの下層膜１１の一部が露出されるように保護絶縁膜１７及びゲート絶縁膜１２にコンタクト開孔を設け，透明導電膜１８をパターニングして，ゲートライン端子部ＧＬａの下層膜１１とゲート外部取り出し端子とを連結させること（相違点２に係る本件発明１の構成）は容易に想到す- 48 -ることができたものである。 ｄ小括以上によれば，本件発明１は，乙６記載発明と周知技術及び乙７，８に基づいて，当業者が容易に想到することができたから，進歩性がない。 (イ)本件発明２の進歩性欠如ａ本件発明２と乙６記載発明との対比本件発明２と乙６記載発明との間には，次のとおりの一致点及び相違点がある。 （一致点）「基板のＴＦＴ部（薄膜トランジスタ部分）及びゲート－パッド連結部（ゲートライン端子部ＧＬａ）のそれぞれに金属膜（ゲート用金属膜１１）を形成し，金属膜をパターニングし，ゲート電極及びゲートパッド（下層膜１１）を基板上に形成する段階と，ゲート電極及びゲートパッドが形成された基板の表面に絶縁膜を形成する段階と，第１非晶質シリコン膜（ｉ型半導体層１３）パターン及びドーピングされた第２非晶質シリコン膜（ｎ型 を基板上に形成する段階と，ゲート電極及びゲートパッドが形成された基板の表面に絶縁膜を形成する段階と，第１非晶質シリコン膜（ｉ型半導体層１３）パターン及びドーピングされた第２非晶質シリコン膜（ｎ型半導体層１４）パターンをＴＦＴ部の絶縁膜上に形成する段階であって，第２非晶質シリコン膜パターンが第１非晶質シリコン膜パターンの全面に形成されて第２非晶質シリコン膜全体の下部表面が第１非晶質シリコン膜の表面と当接するように，第１非晶質シリコン膜パターン及び第２非晶質シリコン膜パターンを形成する段階と，第３金属膜（ソース，ドレイン用金属膜１６）よりなるソース電極及びドレイン電極をＴＦＴ部上に形成し，ソース電極及びドレイン電極間に位置する第２非晶質シリコン膜を除去する段階と，ドレイン電極の端部を露出させる第１コンタクトホール，ゲートパッドの一部を露出させる第２- 49 -コンタクトホールを有する保護膜（保護絶縁膜１７）パターンであって，ソース電極及びドレイン電極間に位置する第１非晶質シリコンパターンの上面と接触する保護膜パターンを形成し，同時に第２コンタクトホールの下部の絶縁膜をゲートパッドの端部が露出されるように除去する段階と，第１コンタクトホールを通じてドレイン電極と電気的に連結される第１画素電極パターン（画素電極２０）と，第２コンタクトホールを通じてゲートパッドと電気的に連結される第２画素電極パターン（上層膜）とを基板上に形成する段階とを含むことを特徴とする液晶表示装置（アクティブマトリックス液晶表示素子に用いるＴＦＴパネル）の製造方法」である点。 （相違点イ）本件発明２では，構成要件Ｊにおいて，第１金属膜及び第２金属膜を連続して蒸着し，パターニングしてゲート電極及びゲートパッドを形成するのに対し，乙６では，ゲート用金属膜１１の材質 る点。 （相違点イ）本件発明２では，構成要件Ｊにおいて，第１金属膜及び第２金属膜を連続して蒸着し，パターニングしてゲート電極及びゲートパッドを形成するのに対し，乙６では，ゲート用金属膜１１の材質として「ＡｌまたはＡｌ合金等」（段落【００３７】）としか記載されていない点。 （相違点ロ）本件発明２では，第３金属膜よりなるパッド電極をパッド部の絶縁膜上に形成し，保護膜にパッド電極の一部を露出させる第３コンタクトホールが形成され，第２画素電極パターンによってゲートパッド及びパッド電極とが連結されるのに対し，乙６では，パッド電極を形成することが開示されていないため，パッド電極を露出させるように保護絶縁膜１７が形成されず，第２画素電極パターンがパッド電極と連結されない点。 ｂ相違点イに係る本件発明２の構成の容易想到性前記(ア)ｂ(ａ)のとおり，本件出願の優先権主張日当時，液晶表- 50 -示装置の技術分野において，ゲート電極材料として，第１金属膜及び第２金属膜を順番に積層させて形成することは周知であった。 したがって，当業者であれば，乙６記載発明において，上記周知技術を適用して，ゲート用金属膜１１として，第１の金属の上に第２の金属を積層させて形成し，それらをフォトリソグラフィー法によりパターニングしてゲート電極Ｇ及び下層膜１１をそれぞれ形成すること（相違点イに係る本件発明２の構成）は容易に想到することができたものである。 ｃ相違点ロに係る本件発明２の構成の容易想到性相違点イは，乙６記載発明と本件発明１との相違点２と同じ内容であるところ，前記(ア)ｃと同様の理由により，当業者であれば，相違点ロに係る本件発明２の構成は，乙６及び乙８から容易に想到することができたものである。 ｄ小括以上によれば，本件発明２は，乙６記載発明と周知技術及 (ア)ｃと同様の理由により，当業者であれば，相違点ロに係る本件発明２の構成は，乙６及び乙８から容易に想到することができたものである。 ｄ小括以上によれば，本件発明２は，乙６記載発明と周知技術及び乙８に基づいて，当業者が容易に想到することができたから，進歩性がない。 (ウ)本件発明３の進歩性欠如ａ本件発明３と乙６記載発明との対比本件発明３と乙６記載発明との間には，次のとおりの一致点及び相違点がある。 （一致点）「基板のＴＦＴ部（薄膜トランジスタ部分）及びゲート－パッド連結部（ゲートライン端子部ＧＬａ）のそれぞれに金属膜を形成し，基板上にゲート電極及びゲートパッド（下層膜１１）を形成する段階と，ゲート電極及びゲートパッドが形成された基板の表面に絶縁- 51 -膜を形成する段階と，ＴＦＴ部の絶縁膜上に，第１非晶質シリコン膜（ｉ型半導体層１３）パターン及びその上部に形成されるドーピングされた第２非晶質シリコン膜（ｎ型半導体層１４）パターンよりなり，第２非晶質シリコン膜パターンの一部は第１非晶質シリコン膜パターンと接触する半導体膜パターンを形成する段階と，第３金属膜（ソース，ドレイン用金属膜１６）よりなるソース電極及びドレイン電極をＴＦＴ部上に形成し，ソース電極及びドレイン電極間に位置する第２非晶質シリコン膜を除去する段階と，ドレイン電極の端部を露出させる第１コンタクトホール及びゲートパッドの一部を露出させる第２コンタクトホールを有する保護膜（保護絶縁膜１７）パターンを形成し，同時に第２コンタクトホールの下部の絶縁膜をゲートパッドの端部が露出されるように除去する段階と，第１コンタクトホールを通じてドレイン電極と電気的に連結される第１画素電極パターン（画素電極２０）と，第２コンタクトホールを通じてゲートパッドと電気的に連結さ 端部が露出されるように除去する段階と，第１コンタクトホールを通じてドレイン電極と電気的に連結される第１画素電極パターン（画素電極２０）と，第２コンタクトホールを通じてゲートパッドと電気的に連結される第２画素電極パターン（上層膜）とを形成する段階とを含むことを特徴とする液晶表示装置（アクティブマトリックス液晶表示素子に用いるＴＦＴパネル）の製造方法」である点。 （相違点Ａ）本件発明３では，第１金属膜及び第２金属膜を連続して蒸着し，金属膜の側壁が基板に対して傾くようにパターニングしてゲート電極及びゲートパッドを形成するのに対し（構成要件Ｑ），乙６では，ゲート用金属膜１１の材質として「ＡｌまたはＡｌ合金等」（段落【００３７】）としか記載されていない点。 （相違点Ｂ）本件発明３では，第３金属膜よりなるパッド電極をパッド部の絶- 52 -縁膜上に形成し，保護膜にパッド電極の一部を露出させる第３コンタクトホールが形成され，第２画素電極パターンによってゲートパッド及びパッド電極とが連結されるのに対し，乙６では，パッド電極を形成することが開示されていないため，パッド電極を露出させるように保護絶縁膜１７が形成されず，第２画素電極パターンがパッド電極と連結されない点。 ｂ相違点Ａに係る本件発明３の構成の容易想到性前記(ア)ｂ(ａ)のとおり，本件出願の優先権主張日当時，液晶表示装置の技術分野において，ゲート電極材料として，第１金属膜及び第２金属膜を順番に積層させて形成することは周知であった。 また，液晶表示装置の技術分野において，ゲート電極の側壁が基板に対して傾くようにパターニングすることも周知であった（例えば，乙９の図７．１１）。 したがって，当業者であれば，乙６記載発明において，上記各周知技術を適用して，ゲート用金属膜１１として，第１の金属 に対して傾くようにパターニングすることも周知であった（例えば，乙９の図７．１１）。 したがって，当業者であれば，乙６記載発明において，上記各周知技術を適用して，ゲート用金属膜１１として，第１の金属の上に第２の金属を積層させて形成し，それらをフォトリソグラフィー法により側壁が基板に対して傾くようにパターニングしてゲート電極Ｇ及び下層膜１１をそれぞれ形成すること（相違点Ａに係る本件発明３の構成）は容易に想到することができたものである。 ｃ相違点Ｂに係る本件発明３の構成の容易想到性相違点Ｂは，乙６記載発明と本件発明１との相違点２と同じ内容であるところ，前記(ア)ｃと同様の理由により，当業者であれば，相違点Ｂに係る本件発明３の構成は，乙６及び乙８から容易に想到することができたものである。 ｄ小括以上によれば，本件発明３は，乙６記載発明と周知技術及び乙８- 53 -に基づいて，当業者が容易に想到することができたから，進歩性がない。 (2)原告の反論ア無効理由１（新規性の欠如）に対し(ア)本件原出願当初明細書（乙１）には，発明の目的について「・・写真工程の数を減らして製造費用の減少及び生産性を向上させうる液晶表示装置の製造方法を提供することにある。」（段落【００１３】），発明の効果について「前述したように，本発明の液晶表示装置の製造方法は二重ゲート電極を使用すると共に少なくとも５回の写真蝕刻工程を適用して少なくとも７回の写真蝕刻工程が適用される従来の技術に比べて製造コストを大幅に低減し，製造収率を向上させうる。」（段落【００３６】），「また，ゲート電極として耐火性金属膜とその上部に形成されるアルミニウム膜の二重膜で形成することにより，耐火性金属膜のストレス弛緩作用によりアルミニウム膜のヒロック成長を抑制することができる。また 「また，ゲート電極として耐火性金属膜とその上部に形成されるアルミニウム膜の二重膜で形成することにより，耐火性金属膜のストレス弛緩作用によりアルミニウム膜のヒロック成長を抑制することができる。また，図１６に示されたように，パッド部で画素電極を形成する前にアルミニウム膜またはアルミニウム合金膜を蝕刻することにより，後続工程で形成される画素電極とアルミニウム膜との間の接触抵抗を減らすことができる。」（段落【００３７】）との記載がある。 上記記載によれば，本件原出願当初明細書には，「少なくとも５回の写真蝕刻工程を適用して少なくとも７回の写真蝕刻工程が適用される従来の技術に比べて製造コストを大幅に低減し，製造収率を向上させうる」発明，「耐火性金属膜のストレス弛緩作用によりアルミニウム膜のヒロック成長を抑制することができる」発明，「パッド部で画素電極を形成する前にアルミニウム膜またはアルミニウム合金膜を蝕刻することにより，後続工程で形成される画素電極とアルミニウム膜- 54 -との間の接触抵抗を減らすことができる」発明の記載がある。 しかも，本件原出願当初明細書には，「本発明は前記実施例に限定されなく，本発明の技術的思想内で当分野の通常の知識を有する者により多くの変形が可能であることは明白である。」（段落【００３８】）との記載があることに照らすならば，特許請求の範囲（請求項１）において記載されているにすぎない「第２金属膜を蝕刻して」なる限定を必須の要件として，あるいは，製造費用の減少や生産性の向上と直接的に結びつくものではない「コンタクト抵抗を減少させうる」（段落【００２８】）ための，第２金属膜を蝕刻し，第１金属膜を露出させるとの構成を絶対不可避のものとして，本件原出願当初明細書に記載された発明を観念しなければならない理由はない。 また， させうる」（段落【００２８】）ための，第２金属膜を蝕刻し，第１金属膜を露出させるとの構成を絶対不可避のものとして，本件原出願当初明細書に記載された発明を観念しなければならない理由はない。 また，被告が指摘する本件原出願の審査経過において原告が主張した事項は，本件原出願の特許請求の範囲に記載された発明に関するものであり，これに基づいて本件原出願当初明細書に記載された発明を認定することはできない。 そして，本件原出願当初明細書には，本件発明１の構成要件ＡないしＩ，本件発明２の構成要件ＪないしＰ，本件発明３の構成要件ＱないしＷがすべて記載されている。 したがって，本件出願は，本件原出願との関係で，特許法４４条１項の分割要件を満たしていることは明らかである。 (イ)以上によれば，本件出願が特許法４４条１項の分割要件を満たしていないことを前提に，本件発明１ないし３が新規性の欠如により無効であるとの被告の主張は，その前提を欠き，失当である。 イ無効理由２（サポート要件違反，実施可能要件違反）に対し(ア)本件明細書（甲３）には，「本発明の目的は写真工程の数を減らして製造費用の減少及び生産性を向上させうる液晶表示装置の製造方- 55 -法を提供することにある。」（段落【００１４】），「前述したように，本発明の液晶表示装置の製造方法は二重ゲート電極を使用すると共に少なくとも５回の写真蝕刻工程を適用して少なくとも７回の写真蝕刻工程が適用される従来の技術に比べて製造コストを大幅に低減し，製造収率を向上させうる。」（段落【００３７】），「また，ゲート電極として耐火性金属膜とその上部に形成されるアルミニウム膜の二重膜で形成することにより，耐火性金属膜のストレス弛緩作用によりアルミニウム膜のヒロック成長を抑制することができる。また，図１６に示されたよ して耐火性金属膜とその上部に形成されるアルミニウム膜の二重膜で形成することにより，耐火性金属膜のストレス弛緩作用によりアルミニウム膜のヒロック成長を抑制することができる。また，図１６に示されたように，パッド部で画素電極を形成する前にアルミニウム膜またはアルミニウム合金膜を蝕刻することにより，後続工程で形成される画素電極とアルミニウム膜との間の接触抵抗を減らすことができる。」（段落【００３８】）との記載がある。 上記記載によれば，本件明細書の発明の詳細な説明には，「少なくとも５回の写真蝕刻工程を適用して少なくとも７回の写真蝕刻工程が適用される従来の技術に比べて製造コストを大幅に低減し，製造収率を向上させうる」発明，「耐火性金属膜のストレス弛緩作用によりアルミニウム膜のヒロック成長を抑制することができる」発明，「パッド部で画素電極を形成する前にアルミニウム膜またはアルミニウム合金膜を蝕刻することにより，後続工程で形成される画素電極とアルミニウム膜との間の接触抵抗を減らすことができる」発明が開示されている。 そして，本件明細書には，本件発明１の構成要件ＡないしＩ，本件発明２の構成要件ＪないしＰ，本件発明３の構成要件ＱないしＷがすべて記載されている。 また，被告は，本件発明１ないし３の「パッド電極」を形成する目的及び効果については何も記載されていないため，当業者は，本件明- 56 -細書から本件発明１ないし３の「パッド電極」の技術上の意義を理解することができない旨主張するが，本件発明１ないし３の「パッド電極」が「外部接続端子」と接続されるものであることは，被告自らも認めるところであり，上記主張は失当である。 (イ)以上によれば，本件発明１ないし３の特許請求の範囲（請求項１，１１，２６）の記載は，特許法３６条６項１号に適合せず，また，本 あることは，被告自らも認めるところであり，上記主張は失当である。 (イ)以上によれば，本件発明１ないし３の特許請求の範囲（請求項１，１１，２６）の記載は，特許法３６条６項１号に適合せず，また，本件明細書の「発明の詳細な説明」の記載は，当業者が発明を実施できる程度に明確かつ十分に記載したものではないため，本件明細書は，特許法３６条４項に適合しない旨の被告の主張は，失当である。 ウ無効理由３（進歩性の欠如）に対し(ア)本件発明１の進歩性欠如に対しａ被告が主張する本件発明１と乙６記載発明との一致点及び相違点は，否認する。 乙６のフォトリソグラフィー工程は，本件発明１の「第３フォトリソグラフィー工程」（構成要件Ｄ）に対応付けられる［工程５］（乙６の段落【００４９】）では，「ｎ型半導体層１４」は除去されずに後の酸化工程（［工程６］）のために残される点，パッド電極部の形成についての考慮が一切なされていない点において，本件発明１のものとは著しく相違している。 この点に関し被告は，乙６においては，ソース，ドレイン電極Ｓ，Ｄ間のｎ型半導体層１４は，酸化処理によって酸化絶縁層１４ａとなり，酸化絶縁層１４ａによって，ｎ型半導体層１４をソース側とドレイン側とに電気的に分離するのであるから，ソース，ドレイン電極Ｓ，Ｄ間の「ｎ型半導体層１４」は酸化処理により除去されている旨主張する。しかし，本件発明１（請求項１）の「第３フォトリソグラフィー工程」によって「前記ソース電極及び前記ドレ- 57 -イン電極間に位置する第２非晶質シリコン膜を除去する段階」との記載からは，第２非晶質シリコン膜は「膜」として物理的に除去されるものであると理解するのが自然であり，「膜」として物理的に除去されていないものを，酸化処理によって実質的に除去されているということはで 載からは，第２非晶質シリコン膜は「膜」として物理的に除去されるものであると理解するのが自然であり，「膜」として物理的に除去されていないものを，酸化処理によって実質的に除去されているということはできない。そもそも乙６記載の薄膜トランジスタの製造方法は，「ｉ型半導体層の上にブロッキング層を設けることなく，しかもｉ型半導体層のチャンネル領域にダメージを与えることなくｎ型半導体層を電気的に分離して，層間短絡のない薄膜トランジスタを歩留よく製造することができる薄膜トランジスタの製造方法を提供すること」（段落【００２９】）を目的とし，「本発明薄膜トランジスタの製造方法は，ｎ型半導体層を，そのソース，ドレイン電極間の部分を酸化させて絶縁層とすることによってソース側とドレイン側とに電気的に分離するものであり，この製造方法は，ｎ型半導体層をエッチングして切離し分離するものではないため，ｉ型半導体層の上にブロッキング層を設けておかなくても，ｉ型半導体層のチャンネル領域にダメージを与えることはない。」（【００６５】）という効果を奏するものであって，当該目的を達成するためには，［工程５］（第３フォトリソグラフィー工程）において「ｎ型半導体層１４」を除去せずに残しておくことが不可欠の要件となる。換言すれば，本件発明１のように，「第３フォトリソグラフィー工程」（［工程５］）において「前記ソース電極及び前記ドレイン電極間に位置する第２非晶質シリコン膜を除去する」こととしてしまうと，「ｉ型半導体層の上にブロッキング層を設けておかなくても，ｉ型半導体層のチャンネル領域にダメージを与えることはない」という効果を奏し得ない結果となる。このように乙６記載発明と本件発明１とは，その目的，効果が全く異なり，必然的- 58 -に，構成も異ならざるを得ない。 ｂ加えて にダメージを与えることはない」という効果を奏し得ない結果となる。このように乙６記載発明と本件発明１とは，その目的，効果が全く異なり，必然的- 58 -に，構成も異ならざるを得ない。 ｂ加えて，本件発明１は，ＴＦＴ部及びゲート－パッド連結部のみならずパッド電極部をも含む領域を，第１ないし第５のフォトリソグラフィー工程（５マスクワーク）で作製可能とする発明でもあるから，ＴＦＴ部及びゲート－パッド連結部の形成プロセスとパッド電極部の形成プロセスとは相互に関連し合うものであり，これらを切り離して独立に取り扱うことはそもそも無意味であるところ，乙６にはパッド電極部についての言及は一切認められない。 この点に関し被告は，パッド電極に関する構造に係る構成（相違点２に係る本件発明１の構成）は乙８に開示されている旨主張する。しかし，乙８に記載されているＴＦＴはトップゲート型のＴＦＴであり，本件発明１のものはボトムゲート型（逆スタガー型）のものであって，ＴＦＴ部の形成プロセスそのものが異なるものである。そして，乙８の図２（ａ）ないし（ｄ），図３（ａ）ないし（ｄ）を比較すれば明らかなように，乙８においては，例えば，ゲート電極配線部２３はＳｉ半導体層であるＴＦＴ部２４と同時に形成されること（＃１マスク工程：３頁右上欄１７行～２０行），ゲート外部取り出し端子１１３はゲート電極１３と同時に形成されること（＃２マスク工程：３頁左下欄１行～５行），第２結合配線１３３はソース電極３２と同時に形成されること（＃４マスク工程：３頁右下欄２行～７行）に照らすならば，被告の主張する開示事項は単なる「形式的開示事項」にすぎない。 また，被告は，乙７には，液晶表示装置の液晶駆動に用いられる薄膜トランジスタの製造方法において，透明導電膜とアルミニウムとを直接接触させると 主張する開示事項は単なる「形式的開示事項」にすぎない。 また，被告は，乙７には，液晶表示装置の液晶駆動に用いられる薄膜トランジスタの製造方法において，透明導電膜とアルミニウムとを直接接触させると接触抵抗がばらつくので，この問題を解決するために，Ｔｉ，Ｔａ，Ｍｏ等の高融点金属膜の上にアルミニウム- 59 -を設け，透明導電膜と接続する前に，最上層のＡｌ膜を除去し，Ａｌ膜の下地の高融点金属膜を露出させ，高融点金属膜と透明導電膜とを接触させ，接触抵抗のばらつきを抑制し，接触抵抗を小さく保持することが開示されている旨主張する。しかし，乙７の段落【００２０】に「図１（ａ）に示すように，透明なガラス基板（透明基板）２１上に，ゲート電極２２と，ゲート電極２２と接続するゲートバスライン２３と，ゲートバスライン２３と接続するゲート端子２４と，補助容量の下部電極２５とを形成する。これらのうちゲート電極２２はＴｉ膜からなり，他はすべてＴｉ膜及びこのＴｉ膜を被覆するＡｌ膜の２層の導電膜からなる。」と記載されているように，乙７のＴＦＴのゲート電極はＴｉ膜からなるものであって「二重ゲート電極」構造のものではなく，また，乙７には，アルミニウム膜のヒロック成長を抑制するために「二重ゲート電極」構造とすることが有効である旨の記載もない。 ｃ以上のとおり，本件発明１と乙６記載発明との一致点及び相違点に関する被告の主張には誤りがあり，このような誤った前提に基づいて本件発明１の進歩性の欠如をいう被告の主張は，理由がない。 (イ)本件発明２，３の進歩性欠如に対し被告は，本件発明２と乙６記載発明との相違点ロ，本件発明３と乙６記載発明との相違点Ｂは，本件発明１と乙６記載発明との相違点２と同じ内容であり，相違点ロに係る本件発明２の構成及び相違点Ｂに係る本件発明３の構成 件発明２と乙６記載発明との相違点ロ，本件発明３と乙６記載発明との相違点Ｂは，本件発明１と乙６記載発明との相違点２と同じ内容であり，相違点ロに係る本件発明２の構成及び相違点Ｂに係る本件発明３の構成は，当業者が乙６及び乙８から容易に想到することができた旨主張するが，相違点２についての被告の主張が失当であることは，前記(ア)のとおりであるから，本件発明２，３の進歩性の欠如をいう被告の主張は，いずれも失当である。 第４当裁判所の判断- 60 - 争点１（イ号液晶モジュールの製造方法の本件発明１ないし３の技術的範囲の属否）について(1)イ号液晶モジュールの構造及び製造方法アイ号液晶モジュールの構造証拠（甲４ないし６）及び弁論の全趣旨を総合すれば，イ号液晶モジュールは，次のような構造を有することが認められ，これに反する証拠はない。 (ア)イ号液晶テレビに搭載されたイ号液晶モジュールは，液晶パネル（以下「イ号液晶パネル」という。）及びバックライトユニット等が金属ベゼルによって一体化されて構成されている。イ号液晶パネルの周辺部（端部）には，半導体チップが搭載されたＣＯＦ（ChipOnFilm）が複数接続されている（甲４の写真３－３，４－１，４－２）。 イ号液晶パネルの上側に設けられたＣＯＦはプリント基板（ＰＣＢ）に接続され，当該ＰＣＢはイ号液晶テレビ内に設けられた回路基板に接続されている。 (イ)イ号液晶モジュールは，基板（ａ）の画素領域に，別紙１(1)，(2)のような，ソース，ドレイン，ゲートにより構成される薄膜トランジスタ（ＴＦＴ），ドレイン電極の一部と透明導電膜が当接するコンタクトホールが形成された領域（原告主張の「ＴＦＴ部」）と，画素領域外（基板の周辺）の領域に，別紙１(3)のような構造の領域（原告主張の「ゲート－パ ），ドレイン電極の一部と透明導電膜が当接するコンタクトホールが形成された領域（原告主張の「ＴＦＴ部」）と，画素領域外（基板の周辺）の領域に，別紙１(3)のような構造の領域（原告主張の「ゲート－パッド連結部１」）及び別紙１(4)のような構造の領域（原告主張の「ゲート－パッド連結部２」）とを有する。 (ウ)イ号液晶モジュールの「ＴＦＴ部」（薄膜トランジスタ部）では，別紙１(1)のように，基板（ａ）の上に，「チタン」を含む金属膜（ｂ），「アルミニウム」を含む金属膜（ｃ），「チタン」を含む金属膜（ｄ）が基板側からこの順番で積層され，パターニングされて- 61 -ゲート電極を形成している。 ゲート電極の上には，絶縁膜（ｅ），第１の非晶質シリコン膜（ｆ）及び第２の非晶質シリコン膜（ｇ）がこの順番で積層され，第１の非晶質シリコン膜（ｆ）及び第２の非晶質シリコン膜（ｇ）がパターニングされて半導体膜パターン（ｆ，ｇ）を形成している。 そして，パターニングされた第２の非晶質シリコン膜（ｇ）の上に，「チタン」を含む金属膜（ｈ）と「アルミニウム合金膜」ないし「アルミニウム膜」（ｉ）がこの順番で積層され，これらの金属膜（ｈ，ｉ）がパターニングされてソース電極及びドレイン電極を形成している。上記パターニングされた第２の非晶質シリコン膜（ｇ）全体の下部表面は，第１の非晶質シリコン膜（ｆ）の表面と当接しており，第２の非晶質シリコン膜（ｇ）パターンの一部が，第１の非晶質シリコン膜（ｆ）パターンと接触している。また，ソース電極とドレイン電極との間では，第２の非晶質シリコン膜（ｇ）が除去されて第１の非晶質シリコン膜（ｆ）の表面が露出するチャネル領域が形成されている。 ソース電極，ドレイン電極，上記チャネル領域及び絶縁膜（ｅ）（一部）の上には，保護膜（ｊ）が積層され 膜（ｇ）が除去されて第１の非晶質シリコン膜（ｆ）の表面が露出するチャネル領域が形成されている。 ソース電極，ドレイン電極，上記チャネル領域及び絶縁膜（ｅ）（一部）の上には，保護膜（ｊ）が積層され，パターニングされて保護膜（ｊ）パターンを形成している。この保護膜（ｊ）パターンは，上記チャネル領域に位置する第１の非晶質シリコン膜（ｆ）パターンの上面と接触している。 一方で，保護膜（ｊ）の上記パターニングにより，別紙１(2)のように，ドレイン電極の一部を露出させるコンタクトホールが形成されている。 そして，別紙１(2)のように，上記コンタクトホール，ソース電極，ドレイン電極及び保護膜（ｊ）パターンの上に，ＩＴＯ（IndiumTin- 62 -Oxide）により組成される透明導電膜（ｋ）が積層され，この透明導電膜（ｋ）は，パターニングされてドレイン電極のうち「チタン」を含む金属膜（ｈ）と接する画素電極パターンを形成している。なお，ドレイン電極のうち，「アルミニウム合金膜」ないし「アルミニウム膜」（ｉ）の上には保護膜（ｊ）パターンが形成されており，透明導電膜（ｋ）とは接していない。 (エ)ａイ号液晶モジュールの「ゲート－パッド連結部１」及び「ゲート－パッド連結部２」では，別紙１(3)，(4)のように，基板（ａ）の上に，「チタン」を含む金属膜（ｂ），「アルミニウム」を含む金属膜（ｃ），「チタン」を含む金属膜（ｄ）が基板側からこの順番に積層され，パターニングされてゲートパッドを形成している。 ゲートパッドの上に，絶縁膜（ｅ）が積層され，絶縁膜（ｅ）のパターニングによりゲートパッドの表面を一部露出させるコンタクトホールが別紙１(3)，(4)のようにそれぞれ形成されている。このパターニングされた絶縁膜（ｅ）の上に，第１の非晶質シリコン膜（ｆ のパターニングによりゲートパッドの表面を一部露出させるコンタクトホールが別紙１(3)，(4)のようにそれぞれ形成されている。このパターニングされた絶縁膜（ｅ）の上に，第１の非晶質シリコン膜（ｆ）及び第２の非晶質シリコン膜（ｇ）がこの順番で積層され，さらに第２の非晶質シリコン膜（ｇ）の上には，「チタン」を含む金属膜（ｈ）がこの順番に積層され，積層された各膜（ｆ，ｇ，ｈ）は，いずれもパターニングされている。 ｂイ号液晶モジュールの「ゲート－パッド連結部１」では，別紙１(3)のように，パターニングされた保護膜（ｊ）が，「チタン」を含む金属膜（ｈ）の一部を露出するように積層されており，また，前記ａのコンタクトホールの縁の「チタン」を含む金属膜（ｄ）の上には，絶縁膜（ｅ），第１及び第２の非晶質シリコン膜（ｆ，ｇ），「チタン」を含む金属膜（ｈ）及び「アルミニウム合金膜」ないし「アルミニウム膜」（ｉ）が残存している。 - 63 -そして，上記コンタクトホール，上記残存する絶縁膜（ｅ），第１及び第２の非晶質シリコン膜（ｆ，ｇ），「チタン」を含む金属膜（ｈ）及び保護膜（ｊ）パターンの上に，ＩＴＯにより組成される透明導電膜（ｋ）が積層され，この透明導電膜（ｋ）は，「チタン」を含む金属膜（ｈ）及び絶縁膜（ｅ）の開口部においてゲートパッドを構成する「チタン」を含む金属膜（ｄ）と接する画素電極パターンを形成している。なお，「チタン」を含む金属膜（ｈ）の上に積層された「アルミニウム合金膜」ないし「アルミニウム膜」（ｉ）上には保護膜（ｊ）パターンが形成されており，透明導電膜（ｋ）とは接していない。 ｃイ号液晶モジュールの「ゲート－パッド連結部２」では，別紙１(4)のように，前記ａのコンタクトホールの縁の「チタン」を含む金属膜（ｄ）の上には，絶縁膜（ｅ ，透明導電膜（ｋ）とは接していない。 ｃイ号液晶モジュールの「ゲート－パッド連結部２」では，別紙１(4)のように，前記ａのコンタクトホールの縁の「チタン」を含む金属膜（ｄ）の上には，絶縁膜（ｅ），第１及び第２の非晶質シリコン膜（ｆ，ｇ）及び「チタン」を含む金属膜（ｈ）が残存している。 そして，上記コンタクトホール，上記残存する絶縁膜（ｅ），第１及び第２の非晶質シリコン膜（ｆ，ｇ），「チタン」を含む金属膜（ｈ）及び保護膜（ｊ）パターンの上に，ＩＴＯにより組成される透明導電膜（ｋ）が積層され，この透明導電膜（ｋ）は，「チタン」を含む金属膜（ｈ）及び絶縁膜（ｅ）の開口部においてゲートパッドを構成する「チタン」を含む金属膜（ｄ）と接する画素電極パターンを形成している。 さらに，「ゲート－パッド連結部２」近傍には，「チタン」を含む金属膜（ｈ）が，透明導電膜（ｋ）に被覆されずに，最上層に形成されている領域があり（甲４の写真８－１，９－３），当該領域では「チタン」を含む金属膜（ｈ）がＣＯＦと接続している。 - 64 -イイ号液晶モジュールの製造方法前記アの認定事実と証拠（甲４ないし６）及び弁論の全趣旨を総合すれば，イ号液晶モジュールは，次のような工程１ないし１２（以下，各工程を「本件工程１」，「本件工程２」などという。）を順に経て製造されたことが認められ，これに反する証拠はない。 (ア)本件工程１別紙２①のように，基板（ａ）の上に，「チタン」を含む金属膜（ｂ），「アルミニウム」を含む金属膜（ｃ），「チタン」を含む金属膜（ｄ）を基板側からこの順番で積層した後，フォトリソグラフィー工程（１次写真蝕刻）により，ゲート電極及びゲートパッドをそれぞれ形成する工程。 (イ)本件工程２別紙２②のように，ゲート電極及びゲートパッドの形成された基板 番で積層した後，フォトリソグラフィー工程（１次写真蝕刻）により，ゲート電極及びゲートパッドをそれぞれ形成する工程。 (イ)本件工程２別紙２②のように，ゲート電極及びゲートパッドの形成された基板の全面に絶縁膜（ｅ）を積層する工程。 (ウ)本件工程３別紙２③のように，絶縁膜（ｅ）の上に，第１の非晶質シリコン膜（ｆ）及び第２の非晶質シリコン膜（ｇ）をこの順番に積層する工程。 (エ)本件工程４別紙２④のように，第１の非晶質シリコン膜（ｆ）及び第２の非晶質シリコン膜（ｇ）を，フォトリソグラフィー工程（２次写真蝕刻）により半導体膜パターンに形成する工程。 (オ)本件工程５別紙２⑤のように，半導体膜パターン（ｆ，ｇ）の形成された基板（ａ）の全面に，「チタン」を含む金属膜（ｈ）及び「アルミニウム合金膜」ないし「アルミニウム膜」（ｉ）をこの順番に積層する工- 65 -程。 (カ)本件工程６別紙２⑥のように，フォトリソグラフィー工程（３次写真蝕刻）により，「チタン」を含む金属膜（ｈ），「アルミニウム合金膜」ないし「アルミニウム膜」（ｉ）をパターニングし，ＴＦＴ部にソース電極及びドレイン電極を形成する工程。 (キ)本件工程７別紙２⑦のように，「チタン」を含む金属膜（ｈ），「アルミニウム合金膜」ないし「アルミニウム膜」（ｉ）をマスクとして，半導体膜パターン（ｆ，ｇ）を蝕刻し，ソース電極とドレイン電極間に位置する第２の非晶質シリコン膜（ｇ）を除去する工程。 (ク)本件工程８別紙２⑧のように，ソース電極及びドレイン電極の形成された基板（ａ）の全面に保護膜（ｊ）を積層する工程。 (ケ)本件工程９別紙２⑨のように，フォトリソグラフィー工程（４次写真蝕刻）により，保護膜（ｊ）及び絶縁膜（ｅ）をパターニングし，ドレイン電極（の端部）の表面 全面に保護膜（ｊ）を積層する工程。 (ケ)本件工程９別紙２⑨のように，フォトリソグラフィー工程（４次写真蝕刻）により，保護膜（ｊ）及び絶縁膜（ｅ）をパターニングし，ドレイン電極（の端部）の表面と，ゲートパッドの表面を露出させるコンタクトホールを形成する工程。 (コ)本件工程１０別紙２⑩のように，保護膜（ｊ）の蝕刻により露出されている部分の「アルミニウム合金膜」ないし「アルミニウム膜」（ｉ）を除去する工程。 (サ)本件工程１１別紙２⑪のように，コンタクトホールの形成された基板（ａ）の全面に透明導電膜（ｋ）を積層する工程。 - 66 -(シ)本件工程１２別紙２⑫のように，フォトリソグラフィー工程（５次写真蝕刻）により，透明導電膜（ｋ）をパターニングして，ＴＦＴ部では「チタン」を含む金属膜（ｈ）と接続する画素電極パターンを，「ゲート－パッド連結部１」及び「ゲート－パッド連結部２」では，ゲートパッドを構成する「チタン」を含む金属膜（ｄ）及び「チタン」を含む金属膜（ｈ）とそれぞれ接続する画素電極パターンを形成する工程。 (2)イ号液晶モジュールの製造方法の構成要件充足の有無ア被告は，イ号液晶モジュールの製造方法は，原告の主張する製造方法を前提としても，少なくとも，本件発明１の構成要件Ａ（本件発明２の構成要件Ｊ，本件発明３の構成要件Ｑ）及び本件発明１の構成要件Ｄ（本件発明２の構成要件Ｍ，本件発明３の構成要件Ｔ）をいずれも充足しない旨主張する。 そこで，まず，イ号液晶モジュールの製造方法が本件発明１の構成要件Ｄを充足するかどうかについて，判断することとする。 イ構成要件Ｄの解釈(ア)本件発明１の構成要件Ｄは，「第３フォトリソグラフィー工程によって，第３金属膜よりなるソース電極及びドレイン電極を前記ＴＦＴ部上に形成すると共に ，判断することとする。 イ構成要件Ｄの解釈(ア)本件発明１の構成要件Ｄは，「第３フォトリソグラフィー工程によって，第３金属膜よりなるソース電極及びドレイン電極を前記ＴＦＴ部上に形成すると共に，前記第３金属膜よりなるパッド電極をパッド部の前記絶縁膜上に形成し，前記ソース電極及び前記ドレイン電極間に位置する第２非晶質シリコン膜を除去する段階」というものである。 そこで，イ号液晶モジュールの製造方法が構成要件Ｄを充足するかどうかの判断に当たり，「第３金属膜よりなるパッド電極をパッド部の前記絶縁膜上に形成し」との意義について検討する。 (イ)ａ本件発明１の特許請求の範囲（請求項１）中には，「基板のＴ- 67 -ＦＴ部及びゲート－パッド連結部のそれぞれに第１金属膜及び第２金属膜を連続して蒸着し，前記第１金属膜及び前記第２金属膜を第１フォトリソグラフィー工程によってパターニングし，ゲート電極及びゲートパッドを基板上に形成する段階」（構成要件Ａ）と，「前記ゲート電極及び前記ゲートパッドが形成された基板の全面に絶縁膜を形成する段階」（構成要件Ｂ）と，「第２フォトリソグラフィー工程によって，第１非晶質シリコン膜パターン及びドーピングされた第２非晶質シリコン膜パターンを前記ＴＦＴ部の絶縁膜上に形成する段階であって，前記第２非晶質シリコン膜パターンが前記第１非晶質シリコン膜パターンの全面に形成されて前記第２非晶質シリコン膜全体の下部表面が前記第１非晶質シリコン膜の表面と当接するように，前記第１非晶質シリコン膜パターン及び前記第２非晶質シリコン膜パターンを形成する段階」（構成要件Ｃ）と，「第３フォトリソグラフィー工程によって，第３金属膜よりなるソース電極及びドレイン電極を前記ＴＦＴ部上に形成すると共に，前記第３金属膜よりなるパッド電極をパッド ンを形成する段階」（構成要件Ｃ）と，「第３フォトリソグラフィー工程によって，第３金属膜よりなるソース電極及びドレイン電極を前記ＴＦＴ部上に形成すると共に，前記第３金属膜よりなるパッド電極をパッド部の前記絶縁膜上に形成し，前記ソース電極及び前記ドレイン電極間に位置する第２非晶質シリコン膜を除去する段階」（構成要件Ｄ）とを含むとの記載がある。 上記記載によれば，本件発明１においては，構成要件ＡないしＣの段階（工程）を順に経た上で，「第３金属膜よりなるソース電極及びドレイン電極を前記ＴＦＴ部上に形成すると共に，前記第３金属膜よりなるパッド電極をパッド部の前記絶縁膜上に形成」（構成要件Ｄ）されるのであるから，本件発明１の「パッド電極」は，ソース電極及びドレイン電極と同じ「第３金属膜」を用いて，フォトリソグラフィー工程によって，ソース電極及びドレイン電極と同時に，「パッド部」に形成されるものと理解できる。 - 68 -以上のほかに，本件発明１の特許請求の範囲（請求項１）の記載中には，「パッド電極」及び「パッド部」の用語の意義を規定する記載はない。 ｂ次に，本件明細書（甲３）の発明の詳細な説明には，「・・・図９はソース電極，ドレイン電極及びパッド電極を形成する段階を示す。・・・半導体膜パターンが形成された基板の全面にＣｒのような耐火性金属を３００Å～４０００Åほど蒸着して第３金属膜を形成した後，前記第３金属膜を３次写真蝕刻してＴＦＴ部にソース電極４１ａ及びドレイン電極４１ｂを形成し，パッド部にパッド電極４１ｃを形成する。」（段落【００２７】），「図１０は保護膜パターンを形成する段階を示す。・・・前記基板３０の全面に，例えば窒化膜を使用して保護膜を形成した後，前記保護膜を４次写真蝕刻して保護膜パターン４３を形成する。この際，ＴＦＴ部のドレ 図１０は保護膜パターンを形成する段階を示す。・・・前記基板３０の全面に，例えば窒化膜を使用して保護膜を形成した後，前記保護膜を４次写真蝕刻して保護膜パターン４３を形成する。この際，ＴＦＴ部のドレイン電極４１ｂ及びパッド部のパッド電極４１ｃの一部が露出される。」（段落【００２８】），「図１２は画素電極を形成する段階を示す。・・・保護膜パターンが形成された基板３０の全面に透明導電膜であるＩＴＯを蒸着した後，前記ＩＴＯ膜を５次写真蝕刻して第１及び第２の画素電極４７を形成する。これによりＴＦＴ部ではドレイン４１ｂと第１の画素電極４７が連結され，ゲート－パッド連結部のゲート電極とパッド部のパッド電極４１ｃが第２の画素電極４７を通して連結される。」（段落【００３０】）との記載がある。 また，本件明細書の図９ないし１２（「本発明の第１実施例による液晶表示装置の製造方法を説明するための断面図」）において，「パッド電極」が図中の「４１ｃ」として，「パッド部」が図中の「Ｅ」として示されている。そして，図９ないし１２のいずれ- 69 -においても，パッド電極（４１ｃ）の下部表面全体が絶縁膜（３５）の上部表面に当接されている。 しかし，本件明細書を全体としてみても，「パッド電極」及び「パッド部」の用語を定義した記載はなく，また，「パッド電極」を設ける目的やその作用効果について説明した記載もない。 ｃ一方で，乙１０（１９９５年１１月２０日発行の「ＪＩＳ工業用語大辞典第４版」）には，「パッド」とは「表面実装部品を搭載するためのランド」を（１５０３頁），「ランド」とは「部品の取付け及び接続に用いる導体パターン」（１９８４頁）を意味するとの記載がある。 また，本件明細書には，「本発明は液晶表示装置の製造方法およびＴＦＴ基板を有する液晶表示装置に係り， ンド」とは「部品の取付け及び接続に用いる導体パターン」（１９８４頁）を意味するとの記載がある。 また，本件明細書には，「本発明は液晶表示装置の製造方法およびＴＦＴ基板を有する液晶表示装置に係り，特に能動素子として薄膜トランジスタを具備して写真工程の数が減らすことのできる液晶表示装置の製造方法およびＴＦＴ基板を有する液晶表示装置に関する。」（段落【０００１】），「情報表示装置は電気的な信号を視覚映像に変換させ，人間が直接情報を解読可能にする電子システムの一種であって，電子光学的素子である。このような表示装置としては液晶表示装置・・・が最も広く使用されており，・・・」（段落【０００２】）との記載がある。上記記載によれば，本件発明１に係る「液晶表示装置」は，「電気的な信号を視覚映像に変換させ」るものであり，外部の駆動回路と接続し，電気信号を得て機能するものであるから，外部接続のための端子（外部接続端子）を設けることが必須であることが理解される。 そうすると，本件発明１の「パッド電極」とは，外部接続のために「表面実装部品を搭載するための取付け及び接続に用いる導体パターン」である電極，すなわち，外部接続端子と電気的に接続する- 70 -電極を意味するものと解される。 (ウ)次に，本件発明１の「パッド電極」を「パッド部の前記絶縁膜上に形成し」（構成要件Ｄ）との意義について検討する。 本件発明１の特許請求の範囲（請求項１）によれば，本件発明１は，前記(イ)ａのとおり構成要件ＡないしＣの段階（工程）を順に経た上で，「第３金属膜よりなるソース電極及びドレイン電極を前記ＴＦＴ部上に形成すると共に，前記第３金属膜よりなるパッド電極をパッド部の前記絶縁膜上に形成し」（構成要件Ｄ），さらに，「前記ドレイン電極の一部，前記ゲートパッドの一部及び前記パッ レイン電極を前記ＴＦＴ部上に形成すると共に，前記第３金属膜よりなるパッド電極をパッド部の前記絶縁膜上に形成し」（構成要件Ｄ），さらに，「前記ドレイン電極の一部，前記ゲートパッドの一部及び前記パッド電極の一部が露出されるように保護膜を形成し，前記ゲートパッドの一部上の絶縁膜を第４フォトリソグラフィー工程によって除去する段階」（構成要件Ｅ），「第５フォトリソグラフィー工程によって，ドレイン電極と連結される第１画素電極パターンと，前記ゲートパッド及び前記パッド電極と連結される第２画素電極パターンとを前記基板上に形成する段階」（構成要件Ｆ）を順に経て液晶表示装置を製造するものであることが認められる。 このように第３金属膜よりなるパッド電極を形成する段階（構成要件Ｄ）の前の段階に，「基板の全面に絶縁膜を形成」する段階（構成要件Ｂ）及び第１非晶質シリコン膜パターン及びドーピングされた第２非晶質シリコン膜パターンを「前記ＴＦＴ部の絶縁膜上に形成」する段階（構成要件Ｃ）を経ており，基板の全面に形成された絶縁膜の一部が除去されるのは，第３金属膜よりなるパッド電極が形成された後の段階（構成要件Ｅ）である。そうすると，第３金属膜よりなるパッド電極が形成される段階では，絶縁膜が既に基板の全面に形成されており，パッド電極が絶縁膜の「上方に」形成されることは自明であり，単にパッド電極が絶縁膜の上方に形成されるというのであれば，- 71 -パッド電極を「絶縁膜上に形成し」（構成要件Ｄ）との限定をする必要はないから，パッド電極を「絶縁膜上に形成し」とは，パッド電極を「絶縁膜の真上」に，すなわちパッド電極の下部表面を絶縁膜の上部表面に当接するように形成することを意味するものと解するのが自然である。 そして，前記(イ)ｂのとおり，本件明細書の図９ないし１２（「 を「絶縁膜の真上」に，すなわちパッド電極の下部表面を絶縁膜の上部表面に当接するように形成することを意味するものと解するのが自然である。 そして，前記(イ)ｂのとおり，本件明細書の図９ないし１２（「本発明の第１実施例による液晶表示装置の製造方法を説明するための断面図」）においては，いずれもパッド電極（４１ｃ）の下部表面全体が絶縁膜（３５）の上部表面に当接していることが示されている。一方で，本件明細書には，パッド電極（４１ｃ）の下部表面が絶縁膜（３５）の上部表面と当接していない構成についての具体的な記載や示唆はない。また，本件明細書において，「第１金属膜上に形成」，あるいは「絶縁膜上に形成」のように「膜上」の用語が用いられている記載箇所（段落【００１５】，【００１７】ないし【００１９】，【００２３】）では，いずれも「形成」される素材が「膜」の真上に位置し，「形成」される素材と「膜」の間には，他の素材が介在しないものとして表現されている。 以上を総合すると，本件発明１の「第３金属膜よりなるパッド電極」を「パッド部の前記絶縁膜上に形成し」とは，「第３金属膜よりなるパッド電極」を「絶縁膜の真上」に形成することを意味するものと解される。 そこで，以上の解釈を前提に，イ号液晶モジュールの製造方法の構成要件Ｄの充足の有無について判断する。 ウ構成要件Ｄの充足の有無原告は，イ号液晶モジュールの「ゲート－パッド連結部１」及び「ゲート－パッド連結部２」における「チタン」を含む金属膜（ｈ）が「パ- 72 -ッド部の前記絶縁膜上に形成」された「第３金属膜よりなるパッド電極」に該当するので，イ号液晶モジュールの製造方法は，「第３金属膜よりなるパッド電極をパッド部の前記絶縁膜上に形成し」（構成要件Ｄ）との要件を備えている旨主張する。 しかし，原告の主張は るパッド電極」に該当するので，イ号液晶モジュールの製造方法は，「第３金属膜よりなるパッド電極をパッド部の前記絶縁膜上に形成し」（構成要件Ｄ）との要件を備えている旨主張する。 しかし，原告の主張は，以下のとおり理由がない。 (ア)「ゲート－パッド連結部１」ａ(ａ)イ号液晶モジュールを構成するイ号液晶パネルの周辺部（端部）にはＣＯＦが複数接続されており（前記(1)ア(ア)），ＣＯＦは，イ号液晶モジュールと電気的に接続する外部接続端子に相当するものと認められる。 ところで，「ＣＯＦ出力用高精細対応異方導電フィルムアニソルムＡＣ－４７１３」と題する論文（２００６年７月発表。乙１１）には，①「異方導電フィルム（アニソルム）は，ＬＣＤ（LiquidCrystalDisplay）を中心としたＦＰＤ（FlatPanelDisplay）の実装材料として広く用いられている。高精細や低コストの観点から・・・ＣＯＦ（ChipOnFlex）が主流となっており・・・高精細対応が求められている。」（２５頁中央欄），②「異方導電フィルム（アニソルム）は，熱硬化性樹脂を主体とした接着剤中に，金めっきプラスチック粒子やニッケル粒子などの導電粒子を均一に分散させた回路接続用接着フィルムである。その特長は，導電粒子によって電極間の電気的接続を行う機能と，接着剤によって電極間を接着しさらに隣接電極間の絶縁性を保持する機能とを，同時に発現することである。このためアニソルムは高密度実装回路の接続材料として・・・ＴＣＰ（ＣＯＦ）出力用（ＴＣＰ（ＣＯＦ）とＬＣＤパネルの接続）・・・など，ＬＣＤパネルを電気的に接続する用途を中心に広く使用されている。」（２- 73 -５頁左欄１行～１２行），③「ＣＯＦをパネルに実装する際，不適な位置合わせや圧着時のＣＯＦ基材 の接続）・・・など，ＬＣＤパネルを電気的に接続する用途を中心に広く使用されている。」（２- 73 -５頁左欄１行～１２行），③「ＣＯＦをパネルに実装する際，不適な位置合わせや圧着時のＣＯＦ基材の熱膨張などによりＣＯＦとパネル配線の間で図２に示すような位置ずれが生じることがある。ＣＯＦ配線がパネル配線から位置ずれした場合，１端子当たりの接続面積は減少し，同時に隣接回路間の距離も縮まる。位置ずれが大きい場合，導通不良やショート不良を発生させ，実装工程の歩留まりを低下させる。・・・そのため，実装材料であるアニソルムに対しては，微小接続面積における接続信頼性や，微小スペースにおける絶縁性といった高精細への対応が求められている。」（２５頁左欄２１行～２６頁左欄２行），④「接続面積が小さすぎた場合⇒導通不良」（２６頁図２），⑤「現行の標準的なＣＯＦ用アニソルムＡＣ－４２５１ＦＹ－１６は，導電粒子径が４μｍ，粒子密度は５，３００個／ｍ㎡である。この製品の最小接続面積は１５，０００μ㎡，最小絶縁スペースは１６μｍに設計されている。」（２６頁左欄１０行～１３行），⑥「３μｍ－５，３００個／ｍ㎡の仕様では，１０，０００μ㎡の接続面積には対応できない。良好な接続信頼性を得るためには，３μｍ導電粒子の粒子密度を上げる必要がある。」（２６頁左欄２４行～２７行），⑦「最小粒子個数が４個と判明したので，捕捉シミュレーションを再度実施した。その結果，８，１００μ㎡以上でＡＣ－４７１３の接続抵抗が安定化することが予測された。・・・８，４００μ㎡の微小接続面積の評価において，・・・ＡＣ－４７１３は良好な接続信頼性を示している。」（２８頁右欄１４行～２０行）との記載がある。 上記記載によれば，一般に，液晶表示パネルとＣＯＦとの接続には，分散された導電粒子 評価において，・・・ＡＣ－４７１３は良好な接続信頼性を示している。」（２８頁右欄１４行～２０行）との記載がある。 上記記載によれば，一般に，液晶表示パネルとＣＯＦとの接続には，分散された導電粒子により電極間の電気的接続を行う異方- 74 -導電フィルムが用いられること，液晶表示パネルがＣＯＦと接続する部分は，異方導電フィルムの接続抵抗が安定し，導通不良を起こさないようにするため，接続面積を８，１００μ㎡～１５，０００μ㎡確保する必要があり，この接続面積に満たない場合には，導通不良が発生するものと認められる。 (ｂ)原告は，イ号液晶モジュールの「ゲート－パッド連結部１」では，別紙写真１の赤色部分において，「パッド電極」を構成する「チタン」を含む金属膜（ｈ）と「第２画素電極パターン」（透明導電膜）とが連結している旨主張する。 そこで検討するに，甲４の写真６－７ないし６－１１及び弁論の全趣旨を総合すれば，「ゲート－パッド連結部１」は，ＣＯＦと接続する部分であり，最上層の透明導電膜（ｋ）とＣＯＦとの間には異方導電フィルムが挟まれていること，「ゲート－パッド連結部１」の別紙写真１の赤色部分に相当する領域において，「チタン」を含む金属膜（ｈ）と透明導電膜（ｋ）とが接していることが認められる。 しかし，上記赤色部分に相当する領域の面積は約４５μ㎡であって（弁論の全趣旨），異方導電フィルムの接続抵抗が安定し，導通不良を起こさないようにするのに必要な接続面積８，１００μ㎡～１５，０００μ㎡（前記(ａ)）にはるかに及ばないものである。 そうすると，原告が主張する「ゲート－パッド連結部１」における「パッド電極」（「チタン」を含む金属膜（ｈ））は，外部接続端子と電気的に接続する電極に当たるものとはいえないから，構成要件Ｄの「パッド電極」に該当しな が主張する「ゲート－パッド連結部１」における「パッド電極」（「チタン」を含む金属膜（ｈ））は，外部接続端子と電気的に接続する電極に当たるものとはいえないから，構成要件Ｄの「パッド電極」に該当しないというべきである。 - 75 -(ｃ)これに対し原告は，本件発明１の「パッド電極」の機能は，外部からの電気信号をゲートパッドに伝達することにあり，「ゲート－パッド連結部１」においては，「チタン」を含む金属膜（ｈ）を介して「ゲートパッド」に外部からの電気信号が伝達されているから，上記「チタン」を含む金属膜（ｈ）が「パッド電極」に該当し，また，「ゲート－パッド連結部１」では，別紙写真１の赤色部分及び青色部分を覆うように広く透明導電膜（ｋ）が形成されているから，上記赤色部分及び青色部分における導電粒子の存在確率を問題とする意味はない旨主張する。 しかし，前記イ(イ)ｃのとおり，本件発明１の「パッド電極」とは，外部接続のために「表面実装部品を搭載するための取付け及び接続に用いる導体パターン」である電極，すなわち，外部接続端子と電気的に接続する電極を意味するものであり，単に外部から電気信号が伝達されるだけでは外部接続端子と電気的に接続するとはいえないから，原告の主張は採用することができない。 ｂまた，前記イ(ウ)のとおり，本件発明１の「第３金属膜よりなるパッド電極」を「パッド部の前記絶縁膜上に形成し」とは，「第３金属膜よりなるパッド電極」を「絶縁膜の真上」に形成することを意味するものと解されるところ，本件全証拠によっても，イ号液晶モジュールの「ゲート－パッド連結部１」において，原告が主張する「第３金属膜よりなるパッド電極」を構成する「チタン」を含む金属膜（ｈ）が絶縁膜（ｅ）の真上に形成されたことを認めるに足りない。 かえって，本件工程２な ト－パッド連結部１」において，原告が主張する「第３金属膜よりなるパッド電極」を構成する「チタン」を含む金属膜（ｈ）が絶縁膜（ｅ）の真上に形成されたことを認めるに足りない。 かえって，本件工程２ないし６（前記(1)イ）及び別紙１(3)によれば，イ号液晶モジュールにおいては，基板（ａ）の全面に積層された絶縁膜（ｅ）の上に，第１の非晶質シリコン膜（ｆ）及び第２- 76 -の非晶質シリコン膜（ｇ）をこの順番に積層した後，第１の非晶質シリコン膜（ｆ）及び第２の非晶質シリコン膜（ｇ）を，フォトリソグラフィー工程（２次写真蝕刻）により半導体膜パターンに形成し，この半導体膜パターン（ｆ，ｇ）の形成された基板（ａ）の全面に「チタン」を含む金属膜（ｈ）及び「アルミニウム合金膜」ないし「アルミニウム膜」（ｉ）をこの順番に積層し，さらに，これを３次写真蝕刻して，半導体膜パターン（ｆ，ｇ）の上に，「チタン」を含む金属膜（ｈ）からなる層及び「アルミニウム合金膜」ないし「アルミニウム膜」（ｉ）からなる層を形成しており，絶縁膜（ｅ）の真上に，「チタン」を含む金属膜（ｈ）からなる層又は「アルミニウム合金膜」ないし「アルミニウム膜」（ｉ）からなる層を設けたものではない。 また，甲４の写真６－７ないし６－１１によれば，別紙写真１の赤色部分に相当する領域（同写真中の青色部分の右側の上記赤色部分に対応する領域及び下側の「コンタクトホール」と矢印で示された部分の両側の上記赤色部分に対応する各領域を含む。）は，絶縁膜（ｅ）と「チタン」を含む金属膜（ｈ）との間に半導体膜パターン（ｆ，ｇ）が介在する構造となっていることが認められる。 ｃしたがって，イ号液晶モジュールの「ゲート－パッド連結部１」における「チタン」を含む金属膜（ｈ）は，構成要件Ｄの「パッド部の前記絶縁膜上に形 ｆ，ｇ）が介在する構造となっていることが認められる。 ｃしたがって，イ号液晶モジュールの「ゲート－パッド連結部１」における「チタン」を含む金属膜（ｈ）は，構成要件Ｄの「パッド部の前記絶縁膜上に形成」された「第３金属膜よりなるパッド電極」に該当しない。 (イ)「ゲート－パッド連結部２」イ号液晶モジュールの「ゲート－パッド連結部２」においても，「ゲート－パッド連結部１」と同様に，原告が主張する「第３金属膜よりなるパッド電極」を構成する「チタン」を含む金属膜（ｈ）が絶縁- 77 -膜（ｅ）の真上に形成されたことを認めるに足りない。 かえって，前記(ア)ｂの認定事実及び別紙１(4)によれば，イ号液晶モジュールの「ゲート－パッド連結部２」においては，半導体膜パターン（ｆ，ｇ）の上に，「チタン」を含む金属膜（ｈ）からなる層を形成しており，絶縁膜（ｅ）の真上に，「チタン」を含む金属膜（ｈ）からなる層を設けたものではない。 また，甲４の写真６－１，８－７ないし８－９，甲５の写真８－７，８－１２及び弁論の全趣旨によれば，「ゲート－パッド連結部２」においては，別紙写真２の赤色部分に相当する領域において，「チタン」を含む金属膜（ｈ）と透明導電膜（ｋ）とが接していること，同領域においては，別紙写真２の赤色部分に相当する部分は，絶縁膜（ｅ）と「チタン」を含む金属膜（ｈ）との間に半導体膜パターン（ｆ，ｇ）が介在する構造となっていることが認められる。 したがって，イ号液晶モジュールの「ゲート－パッド連結部２」における「チタン」を含む金属膜（ｈ）は，構成要件Ｄの「パッド部の前記絶縁膜上に形成」された「第３金属膜よりなるパッド電極」に該当しない。 (ウ)まとめ以上によれば，イ号液晶モジュールの製造方法は，「第３金属膜よりなるパッド電極をパッド部の前記絶縁膜 ド部の前記絶縁膜上に形成」された「第３金属膜よりなるパッド電極」に該当しない。 (ウ)まとめ以上によれば，イ号液晶モジュールの製造方法は，「第３金属膜よりなるパッド電極をパッド部の前記絶縁膜上に形成し」との要件を備えたものとは認められないから，本件発明１の構成要件Ｄを充足しない。 (3)小括以上のとおり，イ号液晶モジュールの製造方法は，本件発明１の構成要件Ｄを充足せず，同様に本件発明２の構成要件Ｍ，本件発明３の構成要件Ｔを充足しないから，本件発明１ないし３の技術的範囲にいずれも属する- 78 -ものとは認められない。 結論 以上によれば，原告の請求は，その余の争点について判断するまでもなく，いずれも理由がないから棄却することとし，主文のとおり判決する。 東京地方裁判所民事第４６部裁判長裁判官大鷹一郎裁判官関根澄子裁判官杉浦正典- 79 -（別紙）イ号物件目録３２Ｖ型液晶テレビ（製品型番ＬＣ－３２Ｄ１０）

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