- 1 -平成２６年９月２４日判決言渡同日原本領収裁判所書記官平成２５年（行ケ）第１０２３６号審決取消請求事件口頭弁論終結日平成２６年８月６日判決 原告日亜化学工業株式会社 訴訟代理人弁護士阿部隆徳訴訟代理人弁理士鮫島睦同言上惠一同田村啓同中野晴夫 被告エバーライト・エレクトロニクス・カンパニー・リミテッド 訴訟代理人弁護士黒田健二同吉村誠 主文 １ 特許庁が無効２０１１－８００１８３号事件について平成２５年７月１８日にした審決を取り消す。 ２ 訴訟費用は被告の負担とする。 ３ この判決に対する上告及び上告受理申立てのための付加期間を３０日と定める。 事実及び理由 - 2 -第１ 請求主文と同旨第２ 事案の概要 １ 特許庁における手続の経緯等 原告は，平成７年１２月１日，発明の名称を「窒化物半導体発光素子」とする特許出願（特願平７－３１４３３９号。優先権主張：平成６年１２月２日，同年１２月９日，平成７年３月１６日，日本）をし，平成１０年５月１５日，設定の登録（特許第２７８０６９１号） 導体発光素子」とする特許出願（特願平７－３１４３３９号。優先権主張：平成６年１２月２日，同年１２月９日，平成７年３月１６日，日本）をし，平成１０年５月１５日，設定の登録（特許第２７８０６９１号）を受けた（登録時の請求項の数１２。甲２１。以下，この特許を「本件特許」という。）。 被告は，平成２３年９月２８日，特許庁に対し，本件特許の請求項１ないし１２に係る発明を無効にすることを求めて審判請求（無効２０１１－８００１８３号）をし，特許庁は，平成２４年１１月１２日，「特許第２７８０６９１号の請求項１ないし１２に係る発明についての特許を無効とする。」との審決をし，その謄本は同年１１月２２日，原告に送達された。 原告は，上記審決を不服とし，平成２４年１２月２２日，当裁判所に対して上記審決を取り消すことを求めて訴訟を提起した（当裁判所平成２４年（行ケ）第１０４４０号）。 原告は，平成２５年２月１９日，特許庁に対し訂正審判を請求し（訂正２０１３－３９００３１号），当裁判所に対して平成２３年法律第６３号による改正前の特許法（以下「平成２３年改正前特許法」という。）１８１条２項所定の決定を求めたところ，当裁判所は，平成２５年３月４日，上記規定により「特許庁が無効２０１１－８００１８３号事件について平成２４年１１月１２日にした審決を取り消す。」との決定をした。 特許庁は，原告が上記訂正審判請求において提出した訂正明細書（甲２２）を特許無効審判における訂正の請求とみなして（平成２３年改正前特許法１３４条の３），審理の上，平成２５年７月１８日，「訂正を認める。特- 3 -許第２７８０６９１号の請求項１ないし９に係る発明についての特許を無効とする。」との審決（以下「本件審決」といい，本件審決により認められた訂正を「本 ５年７月１８日，「訂正を認める。特- 3 -許第２７８０６９１号の請求項１ないし９に係る発明についての特許を無効とする。」との審決（以下「本件審決」といい，本件審決により認められた訂正を「本件訂正」という。）をし，その謄本は，同年７月２６日，原告に送達された。 原告は，平成２５年８月２３日，本件審決の取消しを求める本件訴訟を提起した。 ２ 特許請求の範囲本件訂正後の請求項の数は９であり，請求項１ないし９の特許請求の範囲は，次のとおりである（訂正箇所に下線を引いた。）。以下，本件訂正後の本件特許に係る発明を本件訂正後の請求項の番号に従って「本件発明１」などといい，本件発明１ないし９を併せて「本件発明」という。また，本件訂正後の明細書（甲２１，２２）を，図面を含め，「本件明細書」という。 【請求項１】インジウムおよびガリウムを含む窒化物半導体よりなり，第１および第２の面を有する活性層を備え，該活性層の第１の面に接してＩｎｘＧａ１－ｘＮ（０＜ｘ＜１）よりなるｎ型窒化物半導体層を備え，該活性層の第２の面に接してＡｌｙＧａ１－ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなるｐ型窒化物半導体層を備え，該ｎ型窒化物半導体層に接してＡｌａＧａ１－ａＮ（０≦ａ＜１）よりなる第２のｎ型窒化物半導体層を備え，該活性層を量子井戸構造とし，活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光することを特徴とする窒化物半導体発光素子。 【請求項２】活性層とｎ型窒化物半導体層との総膜厚が３００オングストローム以上であることを特徴とする請求項１記載の窒化物半導体発光素子。 【請求項３】インジウムおよびガリウムを含む窒化物半導体よりなる井戸層を備え，第１- 4 -および第２の面を有する活性層を具備し，該活性 ことを特徴とする請求項１記載の窒化物半導体発光素子。 【請求項３】インジウムおよびガリウムを含む窒化物半導体よりなる井戸層を備え，第１- 4 -および第２の面を有する活性層を具備し，該活性層の第２の面側にＧａＮよりなるｐ型コンタクト層を備え，該活性層の第１の面に接して該活性層を構成するインジウムおよびガリウムを含む窒化物半導体よりもバンドギャップエネルギーの大きなＩｎｘＧａ１－ｘＮ（０＜ｘ＜１）よりなるｎ型窒化物半導体層を備え，該活性層とｐ型コンタクト層との間に該活性層の第２の面に接してＡｌｙＧａｌ－ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなるｐ型窒化物半導体層を備え，該ｎ型窒化物半導体層に接してＡｌａＧａ１－ａＮ（０≦ａ＜１）よりなる第２のｎ型窒化物半導体層を備え，該活性層を単一量子井戸構造または多重量子井戸構造とし，活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光することを特徴とする窒化物半導体発光素子。 【請求項４】活性層が，ノンドープのものであることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の窒化物半導体発光素子。 【請求項５】活性層にドナー不純物および／またはアクセプター不純物がドープされていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の窒化物半導体発光素子。 【請求項６】活性層が，厚さ１００オングストローム以下の井戸層を有することを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項記載の窒化物半導体発光素子。 【請求項７】活性層が，厚さ７０オングストローム以下の井戸層を有することを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項記載の窒化物半導体発光素子。 【請求項８】活性層が，ＩｎｚＧａ１－ｚＮ（０＜ｚ＜１）よりなる井戸層を有することを特徴とする請求項１ないし７のい ることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項記載の窒化物半導体発光素子。 【請求項８】活性層が，ＩｎｚＧａ１－ｚＮ（０＜ｚ＜１）よりなる井戸層を有することを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項記載の窒化物半導体発光素子。 - 5 -【請求項９】活性層が，ＩｎｚＧａ１－ｚＮ（０＜ｚ＜１）よりなる井戸層と，Ｉｎｚ’Ｇａ１－ｚ’Ｎ（０＜ｚ’＜１，ただし，ｚ’はｚと異なる）もしくはＧａＮよりなる障壁層との組み合わせからなる多重量子井戸構造を有することを特徴とする請求項１ないし８のいずれか１項記載の窒化物半導体発光素子。 ３ 本件審決の理由の要旨本件審決の理由は，別紙審決書（写し）記載のとおりである。要するに，本件訂正前の明細書の発明の詳細な説明は，本件発明１ないし９について，当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されているとは認められないから，平成１１年法律第１６０号による改正前（以下「平成１１年改正前特許法」という。）の特許法３６条４項（判決注・本件審決中に「平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第３６条第４項」とあるのは，平成１１年法律第１６０号による改正前の特許法３６条４項の誤記と認める。）に規定する要件を充たしておらず，本件発明１ないし９についての特許は，特許法１２３条１項４号に該当し，無効にすべきものである，というものである。 本件審決の判断の要旨ア本件発明１を以下に再掲する。 「インジウムおよびガリウムを含む窒化物半導体よりなり，第１および第２の面を有する活性層を備え，該活性層の第１の面に接してＩｎｘＧａ１－ｘＮ（０＜ｘ＜１）よりなるｎ型窒化物半導体層を備え，該活性層の第２の面に接してＡｌｙＧａ１－ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなるｐ型窒化物半導体層を備え，該ｎ型窒化 該活性層の第１の面に接してＩｎｘＧａ１－ｘＮ（０＜ｘ＜１）よりなるｎ型窒化物半導体層を備え，該活性層の第２の面に接してＡｌｙＧａ１－ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなるｐ型窒化物半導体層を備え，該ｎ型窒化物半導体層に接してＡｌａＧａ１－ａＮ（０≦ａ＜１）よりなる第２のｎ型窒化物半導体層を備え，該活性層を量子井戸構造とし，活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光することを特徴とする窒化物半導体発光素子。」- 6 -すなわち，本件発明１は，活性層の第１の面に接してＩｎｘＧａ１－ｘＮ（０＜ｘ＜１）よりなるｎ型窒化物半導体層を備え，該活性層の第２の面に接してＡｌｙＧａ１－ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなるｐ型窒化物半導体層を備え，活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光する，窒化物半導体発光素子である。 イ段落【０００９】及び【００１１】には，上記アで言及した「活性層の第１の面にｎ型ＩｎＧａＮ層が接し，該活性層の第２の面にｐ型ＡｌＧａＮ層が接し，該活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光する窒化物半導体発光素子」についての記載があるものと認められる。 しかしながら，段落【０００８】～【００１２】には，具体的にどのような構成によって，活性層とクラッド層との界面平行方向に，引っ張り応力が発生し，活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも小さいエネルギーを持つ光を発光することとなるのかは，記載されていないから，本件発明１の「活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光する」点について，当業者がその実施をすることができる程度に るのかは，記載されていないから，本件発明１の「活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光する」点について，当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されているとは認められない。 ウ段落【００１７】には，「例えば単一量子井戸構造の井戸層の膜厚を薄くすることにより発光波長を変化させることができる。」との記載があり，段落【００４０】には，「活性層は膜厚が２００オングストローム以下になると引っ張り応力が作用して弾性的に変形してバンドギャップエネルギーが小さくなり発光波長が長くなる傾向にある。」との記載がある。 しかしながら，段落【００１８】に「ＩｎＧａＮ，またはＧａＮよりなるｎ型の第１のクラッド層５は，Ａｌを含む窒化物半導体に比べて，結晶が柔らかいので，この第１のクラッド層５がバッファ層のような作用をす- 7 -る。つまりこの第１のクラッド層５がバッファ層として作用しているために，活性層６を量子井戸構造としても活性層６にクラックが入らず，また第１のクラッド層５，７の外側に形成される第２のｎ型クラッド層４，第２のｐ型クラッド層８中にクラックが入るのを防止することができる。」とあり，段落【００４０】に「この第１のｎ型クラッド層５は，活性層とＡｌを含む第２のｎ型クラッド層４の間のバッファ層として作用する。」とあるとおり，上記の段落【００１７】及び【００４０】の記載は，活性層の両面に，ＩｎＧａＮ又はＧａＮよりなり，Ａｌを含む窒化物半導体に比べて結晶が柔らかい第１のクラッド層５，７が接し，第１のクラッド層５，７の外側に第２のクラッド層４，８が形成された，【図１】に示される層構造の窒化物半導体発光素子についての記載であり，「活性層の第１の面にｎ型ＩｎＧａＮ層が接し，該活 ，７が接し，第１のクラッド層５，７の外側に第２のクラッド層４，８が形成された，【図１】に示される層構造の窒化物半導体発光素子についての記載であり，「活性層の第１の面にｎ型ＩｎＧａＮ層が接し，該活性層の第２の面にｐ型ＡｌＧａＮ層が接し，該活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光する窒化物半導体発光素子」，つまり，ＩｎＧａＮよりなり，Ａｌを含む窒化物半導体に比べて結晶が柔らかい第１のクラッド層が，活性層の一方の面のみに接する本件発明１についての記載ではない。 エ段落【００３４】には，「井戸層の膜厚を薄くすることによって，バンドギャップエネルギーが小さくなり，元の井戸層のバンドギャップエネルギーよりも低エネルギーの光，即ち長波長を発光させることが可能となる。」との記載がある。 しかしながら，段落【００３３】の記載によれば，段落【００３２】～【００３７】に記載された窒化物半導体発光素子は，活性層の両面にＩｎＧａＮよりなる第１のクラッド層（Ｉｎ0.01Ｇａ0.99Ｎよりなる第１のｎ型クラッド層とＩｎ0.01Ｇａ0.99Ｎよりなる第１のｐ型クラッド層）が接し，第１のクラッド層の外側に第２のクラッド層（Ａｌ0.3 Ｇａ0.7Ｎよりなる第２の- 8 -ｎ型クラッド層とＡｌ0.3Ｇａ0.7Ｎよりなる第２のｐ型クラッド層）が形成された窒化物半導体発光素子であり，活性層の片面のみにＩｎＧａＮよりなる第１のクラッド層が接する本件発明１とは，構成が異なるものである。 よって，単一量子井戸構造の活性層の厚さ，つまり井戸層の厚さと，発光素子の発光ピーク波長との関係を示す【図２】に，段落【００３４】にいう「井戸層の膜厚を薄くすることによって，バンドギャップエネルギーが小さくなり，元の井戸層の 性層の厚さ，つまり井戸層の厚さと，発光素子の発光ピーク波長との関係を示す【図２】に，段落【００３４】にいう「井戸層の膜厚を薄くすることによって，バンドギャップエネルギーが小さくなり，元の井戸層のバンドギャップエネルギーよりも低エネルギーの光，即ち長波長を発光させることが可能となる。」ことが記載されているとしても，当該記載は，本件発明１に当てはまるものではない。 オその他の記載をみても，本件明細書の発明の詳細な説明は，本件発明１の「活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光する」点について，当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものとは認められない。 カ本件発明２は，本件発明１において，活性層とｎ型窒化物半導体層との総膜厚を３００オングストローム以上に限定したものに相当する。 本件発明３は，本件発明１において，活性層の第２の面に接するＡｌｙＧａ１－ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなるｐ型窒化物半導体層上にｐ型コンタクト層を備える点を限定したものに相当する。 本件発明４ないし本件発明９は，本件発明１ないし本件発明３のいずれかにおいて，活性層の構成を限定したものに相当する。 したがって，本件発明１と同様の理由により，本件明細書の発明の詳細な説明には，本件発明２ないし本件発明９について，当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されているとは認められない。 第３ 当事者の主張 １ 原告の主張取消事由１（本件発明１についての実施可能要件の判断の誤り）- 9 -ア本件審決の内容本件審決は，本件発明１について，「本件発明１は，活性層の第１の面に接してＩｎｘＧａ１－ｘＮ（０＜ｘ＜１）よりなるｎ型窒化物半導体層を備え，該活性 判断の誤り）- 9 -ア本件審決の内容本件審決は，本件発明１について，「本件発明１は，活性層の第１の面に接してＩｎｘＧａ１－ｘＮ（０＜ｘ＜１）よりなるｎ型窒化物半導体層を備え，該活性層の第２の面に接してＡｌｙＧａ１－ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなるｐ型窒化物半導体層を備え，活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光する，窒化物半導体発光素子である。」と認定した上で，本件明細書の記載が，「活性層の第１の面にｎ型ＩｎＧａＮ層が接し，該活性層の第２の面にｐ型ＡｌＧａＮ層が接し，該活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光する窒化物半導体発光素子」の発明について，いわゆる実施可能要件（平成１１年改正前特許法３６条４項）に違反すると判断した。 イ本件発明１の要旨の認定の誤り本件審決は，前記のとおり本件発明１を，活性層，活性層の第１の面に接してＩｎｘＧａ１－ｘＮ（０＜ｘ＜１）よりなるｎ型窒化物半導体層，活性層の第２の面に接してＡｌｙＧａ１－ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなるｐ型窒化物半導体層を備える３層構造であると認定した。 しかしながら，本件発明１は，その特許請求の範囲に「インジウムおよびガリウムを含む窒化物半導体よりなり，第１および第２の面を有する活性層を備え，該活性層の第１の面に接してＩｎｘＧａ１－ｘＮ（０＜ｘ＜１）よりなるｎ型窒化物半導体層を備え，該活性層の第２の面に接してＡｌｙＧａ１－ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなるｐ型窒化物半導体層を備え，該ｎ型窒化物半導体層に接してＡｌａＧａ１－ａＮ（０≦ａ＜１）よりなる第２のｎ型窒化物半導体層を備え，該活性層を量子井戸構造とし，活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低 該ｎ型窒化物半導体層に接してＡｌａＧａ１－ａＮ（０≦ａ＜１）よりなる第２のｎ型窒化物半導体層を備え，該活性層を量子井戸構造とし，活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光することを特徴とする窒化物半導体発光素- 10 -子。」と記載されていることから明らかなとおり，ｎ型窒化物半導体層に接してＡｌａＧａ１－ａＮ（０≦ａ＜１）よりなる第２のｎ型窒化物半導体層を備える４層構造である。 本件発明１は，従来のＩｎＧａＮを主とする活性層をＡｌＧａＮを主とする２つのクラッド層で挟んだ構造において，活性層６と第２のｎ型クラッド層４との間にＩｎＧａＮまたはＧａＮよりなる第１のｎ型クラッド層５を形成することにより，クラックの発生を防止しながら発光波長を長波長側にシフトさせるものである（本件明細書の段落【００３９】，【００４０】）から，本件発明１において，ｎ型窒化物半導体層に接したｎ型ＡｌＧａＮ層は必須の構成であって，本件発明１を４層構造ではなく，３層構造であるとする本件審決の認定は誤りである。 本件審決は，本件発明１の認定を誤っているから，これを前提とした実施可能要件違反の判断にも誤りがあることは明らかである。 ウ実施可能要件違反があるとの判断の誤り本件審決は，本件明細書の発明の詳細な説明は，「活性層の第１の面にｎ型ＩｎＧａＮ層が接し，該活性層の第２の面にｐ型ＡｌＧａＮ層が接し，該活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光する窒化物半導体発光素子」である本件発明１の「活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光する」点について，当業者がその実施をすることができる程度に する窒化物半導体発光素子」である本件発明１の「活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光する」点について，当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものとは認められない旨判断した。 しかしながら，以下のとおり，本件明細書の発明の詳細な説明は，当業者が本件発明１の実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されている。 本件発明１は，実施例４に基づいて当業者が実施をすることができる- 11 -程度に記載されていることａ 実施例４の構造は，実施例１の構造から「第１のｐ型クラッド層７」を除いた構造であり，下図のとおり，本件発明１と同じ構造となる。 ｂ 実施例１には，サファイア基板１の上に，ＧａＮバッファ層２，ｎ型ＧａＮコンタクト層３，ｎ型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎ第２クラッド層４，ｎ型Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎ第１クラッド層５，Ｉｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎ活性層６，ｐ型Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎ第１クラッド層７，ｐ型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎ第２クラッド層８，およびｐ型ＧａＮコンタクト層９が設けられた構造が記載されている（本件明細書段落【００４４】～【００５１】）。 そして，実施例４の窒化物半導体発光素子の作製方法は，第１のｐ型クラッド層７を形成しないという点以外は，実施例１の作製方法と同じである（段落【００５４】）から，実施例１に記載されたＭＯＶＰＥ（有機金属気相成長法）を用いた窒化物半導体層の成長方法において，単に，Ｍｇドープｐ型Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎよりなる第１のｐ型- 12 -クラッド層７の成長工程（段落【００４９】）を行わないだけで，当業者は実施例４の窒化物半導体発光素子を作製することができる。 ｃ 本件明細書には，実施例４の活性層６ りなる第１のｐ型- 12 -クラッド層７の成長工程（段落【００４９】）を行わないだけで，当業者は実施例４の窒化物半導体発光素子を作製することができる。 ｃ 本件明細書には，実施例４の活性層６は，Ｉｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎ（単一量子井戸構造）からなり，発光ピーク波長は４２５ｎｍの青色発光を示したと記載されている（段落【００４８】，【００５４】）。ここで「Ｉｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎ活性層は，本来のバンドギャップエネルギーでは３８０ｎｍ付近の紫外発光を示す」ものであるから（段落【００３４】），実施例４の窒化物半導体発光素子では，Ｉｎ０．０５Ｇａ０． ９５Ｎ活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーの光の波長（３８０ｎｍ）よりも低いエネルギーの光（４２５ｎｍ）が発光していることが明らかである。 ｄ さらに，上記ａ，ｂのとおり，実施例４は，実施例１の構成において「Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎよりなる第１のｐ型クラッド層７」を形成しないという点以外は，実施例１の構成と全く同じ構成であるから，活性層の組成及び膜厚も実施例１と同一であることは明らかである。 それにもかかわらず，実施例４の発光ピーク波長は４２５ｎｍであり，発光ピーク波長が４１０ｎｍである実施例１に比較して長波長化しており，また，実施例１の光出力が５ｍＷであるのに対し，実施例４の発光出力は７ｍＷと，その発光出力も向上している（段落【００５１】，【００５４】）。 これらの理由については，実施例４では「活性層にＡｌＧａＮよりなる第２のクラッド層８が直接接しているので活性層の引っ張り応力が大きくなりピーク波長が長波長になると共に，発光出力が増大した。」と記載されている（段落【００５４】）から，本件明細書には，活性層にかかる応力の程度によって長波長化の程度が変わってく 引っ張り応力が大きくなりピーク波長が長波長になると共に，発光出力が増大した。」と記載されている（段落【００５４】）から，本件明細書には，活性層にかかる応力の程度によって長波長化の程度が変わってくることも開示されている。 - 13 -ｅ 以上のとおり，実施例４の構造は本件発明１の構造と同じであり，また，その効果は，活性層にかかる応力に起因して「活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光する」ものであるから，実施例４には，「活性層の第１の面にｎ型ＩｎＧａＮ層が接し，該活性層の第２の面にｐ型ＡｌＧａＮ層が接し，更に該ｎ型窒化物半導体層にｎ型ＡｌＧａＮ層が接し，該活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光する窒化物半導体発光素子」である本件発明１の「活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光する」点について，当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されている。 ｆ 被告の主張について 被告は，実施例４の記載によっても，甲１２との対比でみれば，本件発明１はどのように実施可能であるのか不明である旨主張する。 しかしながら，そもそも，実施可能要件は，明細書の中の発明の詳細な説明が充たすべき要件であるから，甲１２に基づいて実施可能要件充足性を議論する被告の主張は失当である。 仮に，被告が主張するように甲１２を考慮したとしても，甲１２の実施例６，並びに本件明細書の実施例１～３，５及び８～１２は，本件発明１とは，クラッド層７の有無において構造が異なっており（甲１２の実施例６，並びに本件明細書の実施例１～３，５及び８～１２では活性層の上側のクラッド層がＩｎＧａＮであるのに対 及び８～１２は，本件発明１とは，クラッド層７の有無において構造が異なっており（甲１２の実施例６，並びに本件明細書の実施例１～３，５及び８～１２では活性層の上側のクラッド層がＩｎＧａＮであるのに対し，実施例４は，活性層の上側のクラッド層がＡｌＧａＮである。），本件発明１についての実施可能要件の充足性の判断とは無関係である。 - 14 -⒝ また，被告は，甲１２の実施例６において発光波長が長波長側にシフトしていない（短波長化している）以上，第１のｐ型クラッド層７を省略した構成（本件明細書の実施例４）においても，発光波長が長波長側にシフトするはずはない（短波長化すると考えられる。）旨主張する。 しかしながら，甲１２には，第１のｐ型クラッド層７を省略した場合に，本来のバンドギャップエネルギーと比べ発光波長が短波長化するとの記載は，どこにも存在しないのであり，被告の上記主張は，甲１２の記載に基づかない，根拠のない主張である。 本件明細書の段落【００１８】及び【００４０】は，本件発明１についての記載であり，段落【００４０】には，本件発明１において，発光波長が長波長化する原理も記載されていることａ 本件審決は，本件明細書には，段落【００１７】に「例えば単一量子井戸構造の井戸層の膜厚を薄くすることにより発光波長を変化させることができる。」との記載，段落【００４０】に「活性層は膜厚が２００オングストローム以下になると引っ張り応力が作用して弾性的に変形してバンドギャップエネルギーが小さくなり発光波長が長くなる傾向にある。」との記載があるものの，段落【００１８】には「ＩｎＧａＮ，またはＧａＮよりなるｎ型の第１のクラッド層５は，Ａｌを含む窒化物半導体に比べて，結晶が柔らかいので，この第１のクラッド層５がバッファ層のような作用をする。つ の，段落【００１８】には「ＩｎＧａＮ，またはＧａＮよりなるｎ型の第１のクラッド層５は，Ａｌを含む窒化物半導体に比べて，結晶が柔らかいので，この第１のクラッド層５がバッファ層のような作用をする。つまりこの第１のクラッド層５がバッファ層として作用しているために，活性層６を量子井戸構造としても活性層６にクラックが入らず，また第１のクラッド層５，７の外側に形成される第２のｎ型クラッド層４，第２のｐ型クラッド層８中にクラックが入るのを防止することができる。」とあり，段落【００４０】には「この第１のｎ型クラッド層５は，活性層とＡｌを- 15 -含む第２のｎ型クラッド層４の間のバッファ層として作用する。」とあるとおり，段落【００１７】や【００４０】の上記記載は，活性層の両面に，ＩｎＧａＮまたはＧａＮよりなり，Ａｌを含む窒化物半導体に比べて結晶が柔らかい第１のクラッド層５，７が接し，第１のクラッド層５，７の外側に第２のクラッド層４，８が形成された，【図１】に示される層構造の窒化物半導体発光素子についての記載であり，「活性層の第１の面にｎ型ＩｎＧａＮ層が接し，該活性層の第２の面にｐ型ＡｌＧａＮ層が接し，該活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光する窒化物半導体発光素子」，つまり，ＩｎＧａＮよりなり，Ａｌを含む窒化物半導体に比べて結晶が柔らかい第１のクラッド層が，活性層の一方の面にのみ接する本件発明１についての記載ではない旨判断した。 【図１】 ｂ 本件明細書には，以下の記載がある。 「第１のｎ型クラッド層５は，活性層６よりもバンドギャップエネルギーが大きく，かつ活性層よりも熱膨張係数が小さい窒化物半導体であればどのような組成のもので形成してもよいが，特に好ましくは- 16 「第１のｎ型クラッド層５は，活性層６よりもバンドギャップエネルギーが大きく，かつ活性層よりも熱膨張係数が小さい窒化物半導体であればどのような組成のもので形成してもよいが，特に好ましくは- 16 -ｎ型ＩｎｘＧａ１－ｘＮ（０≦ｘ＜１）により形成する。ＩｎＧａＮ，またはＧａＮよりなるｎ型の第１のクラッド層５は，Ａｌを含む窒化物半導体に比べて，結晶が柔らかいので，この第１のクラッド層５がバッファ層のような作用をする。つまりこの第１のクラッド層５がバッファ層として作用しているために，活性層６を量子井戸構造としても活性層６にクラックが入らず，また第１のクラッド層５，７の外側に形成される第２のｎ型クラッド層４，第２のｐ型クラッド層８中にクラックが入るのを防止することができる。」（段落【００１８】）「第１のｐ型クラッド層７は，活性層６を構成する窒化物半導体よりもバンドギャップエネルギーが大きく，かつ活性層６よりも熱膨張係数が小さいｐ型窒化物半導体であればどのような組成のもので形成してもよいが，好ましくはｐ型ＡｌｙＧａ１－ｙＮ（０≦ｙ≦１）で形成する。その中でも，ｐ型ＡｌＧａＮ等のＡｌを含む窒化物半導体は，多重量子井戸構造または単一量子井戸構造よりなる活性層に接して形成することにより，発光出力を向上させる。」（段落【００１９】）「従来の窒化物半導体発光素子は，上にも説明したように，ＩｎＧａＮを主とする活性層をＡｌＧａＮを主とする２つのクラッド層で挟んだ構造を有している。ＩｎＧａＮ活性層をＡｌＧａＮクラッド層を挟んだ従来の構造では，活性層の厚さを薄くするに従って，ＩｎＧａＮ活性層，ＡｌＧａＮクラッド層にクラックが生じる傾向にある。例えば，活性層の厚さを２００オングストローム未満にするとクラックが多数入ってしまうために素子作製が困難となる 薄くするに従って，ＩｎＧａＮ活性層，ＡｌＧａＮクラッド層にクラックが生じる傾向にある。例えば，活性層の厚さを２００オングストローム未満にするとクラックが多数入ってしまうために素子作製が困難となる。これはＡｌを含むクラッド層が結晶の性質上，非常に硬い性質を有しており，薄い膜厚のＩｎＧａＮ活性層のみではＡｌＧａＮクラッド層との界面から生じる格子不整合と，熱膨張係数差から生じる歪をＩｎＧａＮ活性層で弾性的に緩和できないことを示している。このため，従来ではクラッド- 17 -層，活性層中にクラックが入るために，活性層を薄くしようとしてもできなかったのが実状であった。」（段落【００３９】）「一方，本発明では図１に示すように，ＩｎとＧａとを含む活性層６に接する層として，新たに第１のｎ型クラッド層５を形成している。 この第１のｎ型クラッド層５は，活性層とＡｌを含む第２のｎ型クラッド層４の間のバッファ層として作用する。つまり第１のｎ型クラッド層５であるＩｎを含む窒化物半導体またはＧａＮは結晶の性質として柔らかい性質を有しているので，Ａｌを含む第２のクラッド層４と活性層６の格子定数不整と熱膨張係数差によって生じる歪を吸収する働きがある。従って活性層を薄くしても活性層６，第２のｎ型クラッド層４にクラックが入りにくいと推察される。第１のクラッド層５によって歪が吸収されるので，活性層は膜厚が２００オングストローム以下になると引っ張り応力が作用して弾性的に変形してバンドギャップエネルギーが小さくなり発光波長が長くなる傾向にある。しかも活性層の結晶欠陥が少なくなる。従って，活性層の膜厚が薄い状態においても，活性層の結晶性が良くなるので発光出力が増大する。このように第１のｎ型クラッド層５をバッファ層として作用させるためには，結晶が柔らかい層である活性 くなる。従って，活性層の膜厚が薄い状態においても，活性層の結晶性が良くなるので発光出力が増大する。このように第１のｎ型クラッド層５をバッファ層として作用させるためには，結晶が柔らかい層である活性層６と第１のｎ型クラッド層５との膜厚の合計が３００オングストローム以上あることが好ましい。」（段落【００４０】）「また，第１のｐ型クラッド層はアルミニウムを含む窒化物半導体で形成すると，出力が向上する。これはＡｌＧａＮが他の窒化物半導体に比べて，ｐ型化しやすいか，あるいはＩｎＧａＮよりなる活性層の分解を，第１のｐ型クラッド層成長時に抑える作用があるためと推察されるが，詳しいことは不明である。」（段落【００４１】）ｃ 本件明細書の上記記載によれば，段落【００１８】には「第１のｐ- 18 -型クラッド層７」の組成に関する記載がない一方で，段落【００１９】には「第１のｐ型クラッド層７は，・・・好ましくはｐ型ＡｌｙＧａ１－ｙＮ（０≦ｙ≦１）で形成する。」と記載され，段落【００２７】には「最も好ましい組み合わせは，第２のｎ型クラッド層４をＡｌａＧａ１－ａＮ（０≦ａ≦１）で形成し，第１のｎ型クラッド層５をＩｎｘＧａ１－ｘＮ（０≦ｘ＜１）で形成し，活性層６をＩｎｚＧａ１－ｚＮ（０＜ｚ＜１）を含む量子井戸構造とし，第１のｐ型クラッド層７をＡｌｙＧａ１－ｙＮ（０≦ｙ＜１）で形成し，第２のｐ型クラッド層８をＡｌｂＧａ１－ｂＮ（０≦ｂ≦１）で形成することである。」と記載されているのであるから，当業者であれば，段落【００１８】には「第１のｐ型クラッド層７」を「ＡｌＧａＮ」とする本件発明１が記載されていると当然に理解する。 また，段落【００４０】には，従来のＩｎＧａＮを主とする活性層をＡｌＧａＮを主とする２つのクラッド層で挟んだ構造（段落【００ 」を「ＡｌＧａＮ」とする本件発明１が記載されていると当然に理解する。 また，段落【００４０】には，従来のＩｎＧａＮを主とする活性層をＡｌＧａＮを主とする２つのクラッド層で挟んだ構造（段落【００３９】）を前提に，活性層６と第２のｎ型クラッド層４との間にＩｎＧａＮまたはＧａＮよりなる第１のｎ型クラッド層５を形成することで，活性層６や第２のｎ型クラッド層４にクラックを発生させることなく活性層６の膜厚を薄くすることができ，その結果，活性層６を弾性的に変形させて，発光波長を長波長側にシフトさせることが可能となることが記載されているが，活性層６の第２の面（上面）に接してＩｎＧａＮまたはＧａＮよりなる第１のクラッド層７を設けることについては，一切記載されていない。そして，本件明細書において，第１のｐ型クラッド層７として好ましいと記載されている窒化物半導体は，ＡｌＧａＮである（段落【００１９】，【００２７】，【００４１】）から，当業者であれば，段落【００４０】には「第１のｐ型クラッド層７」を「ＡｌＧａＮ」とする本件発明１が記載されていると- 19 -当然に理解する。 ｄ また，「図１は，本発明の一態様による窒化物半導体発光素子の構造の一例を示す概略断面図である。図１に示す窒化物半導体素子は，基板１上に，バッファ層２，ｎ型コンタクト層３，第２のｎ型クラッド層４，第１のｎ型クラッド層５，活性層６，第１のｐ型クラッド層７，第２のｐ型クラッド層８，およびｐ型コンタクト層９が順に積層された構造を有する。」（段落【００１６】）が，「また，第１のｎ型クラッド層５，第１のｐ型クラッド層７のいずれかを省略することもできる。」(段落【００２０】)，「この組み合わせの場合は，第１のｎ型クラッド層５，第１のｐ型クラッド層７のいずれか一方または両方を省略して ド層５，第１のｐ型クラッド層７のいずれかを省略することもできる。」(段落【００２０】)，「この組み合わせの場合は，第１のｎ型クラッド層５，第１のｐ型クラッド層７のいずれか一方または両方を省略してもよい。」（段落【００２７】）と記載されている。 したがって，仮に，本件審決がいうように，段落【００１８】や【００４０】に記載された「第１のｐ型クラッド層７」が「ＩｎＧａＮまたはＧａＮよりなるもの」であったとしても，下図のとおり，第１のｐ型クラッド層７が省略されることにより，活性層６の上の層はＡｌＧａＮとなるのであるから，本件明細書の段落【００１８】や【００４０】は，本件発明１についての記載である。 - 20 - ｅ 本件発明の原理は，熱膨張係数の大きい活性層を，活性層よりも熱膨張係数の小さいクラッド層で挟んだ素子を高温で形成した後，室温にまで温度を下げると，熱膨張係数の大きい活性層がクラッド層に引っ張られ，活性層とクラッド層の界面に平行方向に引っ張り応力が活性層に作用するため，活性層のバンドギャップエネルギーが小さくなり，発光波長が長波長になるというものであるが（段落【００３７】），ＩｎＧａＮ活性層をＡｌＧａＮクラッド層で挟んだ従来の構造では，活性層の厚さを薄くするに従って，ＩｎＧａＮ活性層，ＡｌＧａＮクラッド層にクラックが生じる傾向にあるため（段落【００３９】），ＩｎとＧａとを含む活性層６に接する層として，新たに第１のｎ型クラッド層５を形成するものである（段落【００４０】）。この「第１のｎ型クラッド層５」であるＩｎを含む窒化物半導体またはＧａＮは，結晶の性質として柔らかい性質を有しているので，Ａｌを含む第２のクラッド層４と活性層６の格子定数不整と熱膨張係数差によって生じる歪を吸収する働きがあ ５」であるＩｎを含む窒化物半導体またはＧａＮは，結晶の性質として柔らかい性質を有しているので，Ａｌを含む第２のクラッド層４と活性層６の格子定数不整と熱膨張係数差によって生じる歪を吸収する働きがあり，活性層を薄くしても活性層６，第２のｎ型クラッド層４にクラックが入りにくくなり，第１のクラッド層５によって歪が吸収されるので，活性層は膜厚が２００オングストローム以下になると引っ張り応力が作用して弾性的に変形してバンドギャップエネルギーが小さくなり発光波長が長くなるというものである（段落【００４０】）。 - 21 -段落【００４０】には，第１のｎ型クラッド層５を設けることにより，活性層６や第２のｎ型クラッド層４にクラックを発生させることなく，活性層６の膜厚を薄くすることができ，この結果，活性層６を弾性的に変形させて，発光波長を長波長側にシフトさせることが可能となることが記載されており，これは，本件発明１に対応するものである。 ｆ 被告の主張について 被告は，段落【００１８】の記載からは，第１のクラッド層７がバッファ層として働くＩｎＧａＮまたはＧａＮであると理解される旨主張する。 しかしながら，段落【００１９】や【００２７】に，第１のクラッド層７の好ましい材料はＡｌＧａＮであると明記されているにもかかわらず，「第１のクラッド層７にクラックが入るのを防止することができる」とは記載されていないことに照らし，被告の上記主張は，根拠のない主張である。 ⒝ 被告は，段落【００２７】に「最も好ましい組み合わせ」として記載されている構成から，第１のｎ型クラッド層５及び第１のｐ型クラッド層７の両方を省略した構成は，従来の窒化物半導体発光素子の構成（段落【００３９】）と変わらないことになる旨主張する。 せ」として記載されている構成から，第１のｎ型クラッド層５及び第１のｐ型クラッド層７の両方を省略した構成は，従来の窒化物半導体発光素子の構成（段落【００３９】）と変わらないことになる旨主張する。 しかしながら，第１のｎ型クラッド層５及び第１のｐ型クラッド層７の両方を省略した構成（本件明細書の実施例６の構成）は，本件発明１には含まれない構成であるから，被告の上記主張は理由がない。 ⒞ 被告は，段落【００４３】に「実施例１ 本実施例を図１を参照して記述する。」と記載されており，実施例１として，「ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層４／ｎ型ＩｎＧａＮクラッド層５／ＩｎＧａＮ量- 22 -子井戸活性層６／ｐ型ＩｎＧａＮクラッド層７／ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層８」という構成が開示されているから，当業者は，段落【００４０】に本件発明１が記載されているとは理解しない旨主張する。 しかしながら，実施例１が図１を参照して記述していることをもって，図１の構成が実施例１の構成に限定されるとの被告の主張は，実施例が発明の実施態様の一つの具体例を表わすものであるという実施例の意味合いを無視するものであり，被告の上記主張は理由がない。 以上のとおり，本件発明１については，実施例４において具体例をもって当業者が実施可能なように記載されており，また，本件明細書の段落【００１８】及び【００４０】は，本件発明１についての記載であり，段落【００４０】には，本件発明１において発光波長が長波長化する原理が記載されている。 エ本件明細書の段落【００１３】の記載と段落【００３４】の記載の整合性について本件明細書の段落【００１３】においては，ＩｎｘＧａ１－ｘＮのバンドギャップエネルギーＥｇを表す式について，「Ｅｇ＝Ｅｇ１・ｘ＋Ｅｇ２・（１－ｘ）－ｘ と段落【００３４】の記載の整合性について本件明細書の段落【００１３】においては，ＩｎｘＧａ１－ｘＮのバンドギャップエネルギーＥｇを表す式について，「Ｅｇ＝Ｅｇ１・ｘ＋Ｅｇ２・（１－ｘ）－ｘ（１－ｘ）」と記載されており，ボーイングパラメーターを表すＢが欠落しているが，特開平６－１７７０５９号公報（甲２３）に，「ＩｎＸＧａ１－ＸＮのバンドギャップエネルギー（Ｅｇ）は，実験的に求められており，例えば次式により算出することができる（JournalofAppliedPhysics; Vol.46, No.8, 1975, 3432～）。 Ｅｇ＝ＥｇＧａＮ・（１－Ｘ）＋ＥｇＩｎＮ・（Ｘ）－Ｂ・Ｘ（１－Ｘ）式中，ＥｇＧａＮはＧａＮのバンドギャップエネルギーで３．４ｅＶ，- 23 -ＥｇＩｎＮはＩｎＮのバンドギャップエネルギーで２．０ｅＶ，Ｂはボーイングパラメーターであり，およそ１．０ｅＶである。」と記載されているように（段落【０００９】），当時認識されていたボーイングパラメーターＢの値はおよそ１．０ｅＶであるから，本件明細書の段落【００１３】に記載された上記計算式においてボーイングパラメーターＢが欠落していても，この式から算出されるバンドギャップエネルギーＥｇの値には影響しない。 仮に，段落【００１３】の記載が，現在における技術常識と異なっているとしても，本件明細書の記載は，本来のバンドギャップエネルギーに相当する発光ピーク波長も含めて実際に発光素子を作製して行った実験結果（段落【００３３】，【００３４】，実施例１及び４に記載された実験結果）に基づくものであるから，本件発明１が当業者において，本件明細書の発明の詳細な説明の記載に基づいて実施可能であることに変わりはない。 すなわち，【図２】に線αで示される発光素子は， れた実験結果）に基づくものであるから，本件発明１が当業者において，本件明細書の発明の詳細な説明の記載に基づいて実施可能であることに変わりはない。 すなわち，【図２】に線αで示される発光素子は，活性層がＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎからなり，その両側に第１クラッド層（Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎ）及び第２クラッド層（Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎ）がそれぞれ設けられた構造となっており，活性層の膜厚を厚くすることで発光ピーク波長は一定値に近づき，このときの値（【図２】では線αの右端近傍の値で，この時の活性層の膜厚は約３６０オングストローム）が活性層に歪のかからない，いわゆる「窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギー」に相当する発光波長となる。これに対し，実施例１は，【図２】の線αと同じ組成の活性層で，その膜厚を３０オングストロームにした場合の実験結果であるが，活性層に歪がかかることにより発光ピーク波長は４１０ｎｍと長波長化している（段落【００５１】）。そして，実施例４は，実施例１の構造からＩｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎの第１ｐ型クラッド層を除いた- 24 -発光素子であり，活性層の上に直接Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎの第２ｐ型クラッド層が設けられた，本件発明１にかかる構造となっているが，このときの発光ピーク波長は４２５ｎｍとなり，実施例１よりもさらに発光ピーク波長は長波長化しているのである（段落【００５４】）。これらの実験結果は，Ｉｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎを活性層に用いた発光素子において，本件発明１の構造を用いることにより，活性層が有する本来のバンドギャップエネルギーに相当する発光ピーク波長３８０ｎｍ（図２の線α）が４２５ｎｍ（実施例４）にまで長波長化することを明確に示しているといえる。 【図２】 なお ップエネルギーに相当する発光ピーク波長３８０ｎｍ（図２の線α）が４２５ｎｍ（実施例４）にまで長波長化することを明確に示しているといえる。 【図２】 なお，被告は，ＩｎＧａＮ層中には組成不均一があることが知られており（乙１，３），局所的にＩｎ組成が高い領域において，発光が起きるから，特定の組成のＩｎＧａＮ層であっても，どの程度の発光波長（バンドギャップエネルギー）となるか不明であり，「本来のバンドギャップエネルギー」を定めることは不可能である旨主張する。 しかしながら，乙１や乙３は，本件特許の出願日よりも後の公知文献にすぎない。本件発明１は、その出願日よりも前に実際に行われた実験- 25 -結果に基づいて発光ピーク波長が長波長化することを実証しているのであり、出願日よりも後の公知文献に基づいて，本件発明１が実施不能であるとする被告の主張は失当である。 オ小括したがって，本件明細書の発明の詳細な説明の記載が本件発明１についての実施可能要件を欠くとの本件審決の判断は誤りである。 取消事由２（本件発明２ないし９についての実施可能要件の判断の誤り）ア本件審決は，「本件発明２は，本件発明１において，活性層とｎ型窒化物半導体層との総膜厚を３００オングストローム以上に限定したものに相当する。本件発明３は，本件発明１において，活性層の第２の面に接するＡｌｙＧａ１－ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなるｐ型窒化物半導体層上にｐ型コンタクト層を備える点を限定したものに相当する。本件発明４ないし本件発明９は，本件発明１ないし本件発明３のいずれかにおいて，活性層の構成を限定したものに相当する。よって，本件発明１と同様に理由により，本件明細書の発明の詳細な説明には，本件発明２ないし本件発明９につい 明９は，本件発明１ないし本件発明３のいずれかにおいて，活性層の構成を限定したものに相当する。よって，本件発明１と同様に理由により，本件明細書の発明の詳細な説明には，本件発明２ないし本件発明９について，当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されているとは認められない。」と判断した。 しかしながら，本件発明１についての実施可能要件の判断を誤ったものであるから，本件発明２ないし９についての判断にも誤りがある。 イ小括したがって，本件明細書の発明の詳細な説明の記載が本件発明２ないし９についての実施可能要件を欠くとの本件審決の判断は誤りである。 まとめ以上によれば，本件明細書の発明の詳細な説明が本件発明１ないし９について，当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載され- 26 -ているとは認められないとの本件審決の判断は誤りであり，本件審決は，違法であるから，取り消されるべきものである。 ２ 被告の主張本件審決の本件発明１についての実施可能要件の判断に誤りがないこと（取消事由１に対し）ア本件発明１の要旨の認定に誤りがないこと本件審決は，請求項１に係る発明（本件発明１）を，本件明細書の請求項１に記載されたとおりのもの，すなわち，「インジウムおよびガリウムを含む窒化物半導体よりなり，第１および第２の面を有する活性層を備え，該活性層の第１の面に接してＩｎｘＧａ１－ｘＮ（０＜ｘ＜１）よりなるｎ型窒化物半導体層を備え，該活性層の第２の面に接してＡｌｙＧａ１－ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなるｐ型窒化物半導体層を備え，該ｎ型窒化物半導体層に接してＡｌａＧａ１－ａＮ（０≦ａ＜１）よりなる第２のｎ型窒化物半導体層を備え，該活性層を量子井戸構造とし，活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンド 型窒化物半導体層を備え，該ｎ型窒化物半導体層に接してＡｌａＧａ１－ａＮ（０≦ａ＜１）よりなる第２のｎ型窒化物半導体層を備え，該活性層を量子井戸構造とし，活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光することを特徴とする窒化物半導体発光素子。」と認定しており，その認定に誤りはない。 原告の主張は，本件審決が「本件発明１の特徴的構成」として指摘した部分に係るものにすぎず，本件審決における本件発明１の要旨の認定自体は，上記のとおり，正しくされている。 イ実施可能要件違反の判断に誤りがないこと実施例４についてａ 原告は，実施可能要件に関する主張立証責任を負うにもかかわらず，無効審判請求や訂正審判請求において，本件発明１の実施可能要件に関し，実施例４に基づく主張をしていなかったのであるから（甲２２の１３～１７頁参照），本件審決が実施例４について言及しなかった- 27 -としても，これにより，本件審決の判断が違法とされる理由はない。 ｂ 実施例４の記載によっても，実施可能要件を充たさないこと実施例４の記載によっても，原告の出願に係る甲１２（特開平８－２２８０２５。優先権主張：平成６年１２月２２日，出願日：平成７年１２月１２日）との対比でみれば，本件発明１はどのように実施可能であるのか不明である。 すなわち，本件明細書の段落【００３４】によれば，Ｉｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ活性層は，本来のバンドギャップエネルギーでは３８０ｎｍ付近の紫外発光を示すものであるが，段落【００５１】にあるとおり，量子井戸構造をとる実施例１においては，発光ピーク波長は４１０ｎｍと長波長化している（活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光している）。他方，甲 子井戸構造をとる実施例１においては，発光ピーク波長は４１０ｎｍと長波長化している（活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光している）。他方，甲１２においては，Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ活性層は，本来のバンドギャップエネルギーでは５１０ｎｍの緑色発光を示すものであるが（実施例２。 ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層４／ｎ型ＩｎＧａＮクラッド層５／ＩｎＧａＮ活性層６／ｐ型ＩｎＧａＮクラッド層７／ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層８の構成であり，活性層６はその膜厚が４００オングストロームあり量子井戸構造ではない。段落【００４１】），量子井戸構造をとる実施例６（ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層４／ｎ型ＩｎＧａＮクラッド層５／ＩｎＧａＮ活性層６／ｐ型ＩｎＧａＮクラッド層７／ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層８の構成であり，活性層６はその膜厚が２０オングストロームあり量子井戸構造である。）においては，発光ピーク波長が４５０ｎｍと短波長化している（段落【００４５】）。上記のように，本件明細書の実施例１は，甲１２の実施例６と矛盾している。本件明細書の段落【００２１】の記載に従えば，ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層４とｎ型ＩｎＧａＮクラッド層５を有している甲１２の実施例６- 28 -においても，「第２のｎ型クラッド層４を第１のｎ型クラッド層５に接して形成すると，活性層にさらに大きな引っ張り応力を加えて，発光波長を長波長側にシフトさせることが可能である」はずであるが，甲１２では，発光波長が長波長側にシフトしていないのである。そうすると，甲１２の実施例６から，その段落【００１８】の記載に従って，第１のｐ型クラッド層７を省略した構成（本件明細書の実施例４，すなわち本件発明１の構成と同じ構成）においても，実施例６において発光波長が長波長側にシフトし から，その段落【００１８】の記載に従って，第１のｐ型クラッド層７を省略した構成（本件明細書の実施例４，すなわち本件発明１の構成と同じ構成）においても，実施例６において発光波長が長波長側にシフトしていない（短波長化している）以上，発光波長が長波長側にシフトするはずはない（短波長化すると考えられる。）。 したがって，本件明細書の実施例４の記載から，当業者において，どのように発光波長を長波長側にシフトさせるのか理解することはできないといわざるを得ない。 本件明細書の段落【００１８】及び【００４０】の記載についてａ 本件明細書の段落【００１８】には，「ＩｎＧａＮ，またはＧａＮよりなるｎ型の第１のクラッド層５は，Ａｌを含む窒化物半導体に比べて，結晶が柔らかいので，この第１のクラッド層５がバッファ層のような作用をする。つまりこの第１のクラッド層５がバッファ層として作用しているために，活性層６を量子井戸構造としても活性層６にクラックが入らず，また第１のクラッド層５，７の外側に形成される第２のｎ型クラッド層４，第２のｐ型クラッド層８中にクラックが入るのを防止することができる。」と記載されている。 上記記載中に，「第１のクラッド層７にクラックが入るのを防止することができる」とは記載されていないことからすれば，第１のクラッド層７は，「第２のｐ型クラッド層８」にクラックが入るのを防止するための層，すなわちバッファ層として働いているものと理解され，- 29 -しかも，上記記載から，バッファ層として働くのは，ＩｎＧａＮ，またはＧａＮであると理解されるから，段落【００１８】の「第１のクラッド層・・・７の外側に形成される・・・第２のｐ型クラッド層８中にクラックが入るのを防止することができる」という記載からは，第 ，またはＧａＮであると理解されるから，段落【００１８】の「第１のクラッド層・・・７の外側に形成される・・・第２のｐ型クラッド層８中にクラックが入るのを防止することができる」という記載からは，第１のクラッド層７がバッファ層として働くＩｎＧａＮまたはＧａＮであると理解される。 そうすると，本件審決が，段落【００１７】や【００４０】の記載は，「活性層の両面に，ＩｎＧａＮまたはＧａＮよりなり，Ａｌを含む窒化物半導体に比べて結晶が柔らかい第１のクラッド層５，７が接し，第１のクラッド層５，７の外側に第２のクラッド層４，８が形成された，図１に示される層構造の窒化物半導体発光素子についての記載であり，「活性層の第１の面にｎ型ＩｎＧａＮ層が接し，該活性層の第２の面にｐ型ＡｌＧａＮ層が接し，該活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光する窒化物半導体発光素子」，つまり，ＩｎＧａＮよりなり，Ａｌを含む窒化物半導体に比べて結晶が柔らかい第１のクラッド層が，活性層の一方の面のみに接する本件発明１についての記載ではない。」と認定したことは正当である。 ｂ 原告は，段落【００１９】の記載を根拠に，当業者であれば，段落【００１８】には，本件発明１が記載されていると当然に理解する旨主張する。 しかしながら，本件明細書には，一貫して「Ａｌ」を含む窒化物半導体は結晶が硬いということが記載される一方で（段落【００２１】，【００２２】，【００３９】），段落【００１８】には，「ＩｎＧａＮ，またはＧａＮよりなるｎ型の第１のクラッド層５は，Ａｌを含む窒化物半導体に比べて，結晶が柔らかい」と記載され，結晶が柔らか- 30 -いため，バッファ層として機能するということが記載されているのであるから，同段落の「第１のクラッ ッド層５は，Ａｌを含む窒化物半導体に比べて，結晶が柔らかい」と記載され，結晶が柔らか- 30 -いため，バッファ層として機能するということが記載されているのであるから，同段落の「第１のクラッド層５，７の外側に形成される第２のｎ型クラッド層４，第２のｐ型クラッド層８中にクラックが入るのを防止することができる。」という記載は，第１のクラッド層７がバッファ層として機能しており，これがＩｎＧａＮまたはＧａＮから成るものであると理解されるのであって，これが結晶の硬いＡｌＧａことはない。 ｃ 原告は，段落【００４０】には，活性層６の第２の面（上面）に接してＩｎＧａＮまたはＧａＮよりなる第１のクラッド層７を設けることについては，一切記載されておらず，一方，本件明細書において，第１のｐ型クラッド層７として好ましいと記載されている窒化物半導体は，ＡｌＧａＮであるから，当業者であれば，段落【００４０】には本件発明１が記載されていると当然に理解する旨主張する。 しかしながら，段落【００４０】には，その冒頭に「一方，本発明では図１に示すように，ＩｎとＧａとを含む活性層６に接する層として，新たに第１のｎ型クラッド層５を形成している。」と記載されている。本件明細書において，図１について説明しているのは，段落【００１６】～【００１８】であるが，段落【００１８】の記載から，第１のクラッド層７がバッファ層として機能しており，これがＩｎＧａＮまたはＧａＮから成るものであると理解することは当然のことであることは前記のとおりであり，また，段落【００４３】には，「実施例１ 本実施例を図１を参照して記述する。」と記載されており，実施例１として，「ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層４／ｎ型ＩｎＧａＮクラッド層５／ＩｎＧａＮ量子井戸活性層６／ｐ型ＩｎＧａＮクラッド層７／ｐ 施例１ 本実施例を図１を参照して記述する。」と記載されており，実施例１として，「ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層４／ｎ型ＩｎＧａＮクラッド層５／ＩｎＧａＮ量子井戸活性層６／ｐ型ＩｎＧａＮクラッド層７／ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層８」という構成が開示されている。 そうすると，本件明細書において，図１は，「ｎ型ＡｌＧａＮクラ- 31 -ッド層４／ｎ型ＩｎＧａＮクラッド層５／ＩｎＧａＮ量子井戸活性層６／ｐ型ＩｎＧａＮクラッド層７／ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層８」という構成であると理解されるのであり，当業者は，段落【００４０】に本件発明１が記載されているとは理解しない。 また，段落【００４０】は，「図１に示すように」と記載されている点を措いたとしても，第２のｎ型クラッド層と活性層との間に形成される第１のｎ型クラッド層という構成について記載しているにすぎず，ｐ型クラッド層の構成は特定されていないのであるから，段落【００４０】は，本件発明１について述べたものではない。 さらに，段落【００４０】は，「図１に示すように」と記載して，「第１のｐ型クラッド層」のみならず，「第２のｐ型クラッド層８」をも設けた図１を引用しているのであるから，段落【００４０】が，従来のＩｎＧａＮを主とする活性層をＡｌＧａＮを主とする２つのクラッド層で挟んだ構造（段落【００３９】）を前提として，活性層６と第２のｎ型クラッド層４との間に，ＩｎＧａＮまたはＧａＮよりなる第１のｎ型クラッド層５を形成することを述べたものであったとしても，従来のｎ型クラッド層が第２のｎ型クラッド層に相当することからすれば，従来のｐ型クラッド層に相当するのは，第２のｐ型クラッド層であると考えるのが自然であって，段落【００４０】の記載からは，第１のｐ型クラッド層の組成は不明であると クラッド層に相当することからすれば，従来のｐ型クラッド層に相当するのは，第２のｐ型クラッド層であると考えるのが自然であって，段落【００４０】の記載からは，第１のｐ型クラッド層の組成は不明であるといわざるを得ず，これが本件発明１の構成についての記載であるとはいえない。 ｄ 原告は，段落【００１８】や【００４０】に記載された「第１のｐ型クラッド層７」が「ＩｎＧａＮまたはＧａＮよりなるもの」であったとしても，段落【００２０】や【００２７】に第１のｐ型クラッド層７を省略してもよいと記載されていることを根拠に，段落【００１８】や【００４０】は，本件発明１についての記載である旨主張する。 - 32 -原告の上記主張によれば，本件発明１の実施態様に含まれないはずの実施例１～３，５及び８～１２についても，本件発明１の実施例であるという論理が成り立つことになるが，これが不当であることは明らかであって，そもそも原告の上記主張には論理の飛躍があるといわざるを得ない。 また，段落【００３６】には，「発光波長が長波長側に移行する波長範囲は，活性層に引っ張り応力を与える第２のクラッド層，第１のクラッド層の組成によっても異なり，またそれらの組成によって活性層の好ましい膜厚も多少変化する。」と記載されているように，クラッド層の組成や組み合わせによって発明の効果が変化するものであるから，単純に段落【００２０】や【００２７】の記載を根拠として，【００１８】や【００４０】の構成からｐ型クラッド層７を省略したとしても，どのように長波長化するのかは不明であるといわざるを得ない。 さらに，段落【００２７】の記載を根拠に，ここに「最も好ましい組み合わせ」として記載されている構成から，第１のｎ型クラッド層５及び第１のｐ型クラッ 波長化するのかは不明であるといわざるを得ない。 さらに，段落【００２７】の記載を根拠に，ここに「最も好ましい組み合わせ」として記載されている構成から，第１のｎ型クラッド層５及び第１のｐ型クラッド層７の両方を省略した構成（ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層４／ＩｎＧａＮ活性層６（量子井戸層）／ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層８）は，段落【００３９】に，「従来の窒化物半導体発光素子」として記載された構成，すなわち，「ＩｎＧａＮを主とする活性層をＡｌＧａＮを主とする２つのクラッド層で挟んだ構造」と変わらないことになる。 以上のとおり，段落【００２０】や【００２７】の記載に従い，単に段落【００１８】や【００４０】の構成から第１のｐ型クラッド層７を省略しても，これが，本件発明１の作用効果を奏するものであるのか疑問であるといわざるを得ないから，段落【００１８】や【００- 33 -４０】が本件発明１についての記載であるとはいえない。 ｅ 原告は，本件明細書の段落【００４０】には，発光波長が長波長化する原理が記載されている旨主張する。 しかしながら，段落【００４０】には，「第１のｎ型クラッド層５は，活性層とＡｌを含む第２のｎ型クラッド層４の間のバッファ層として作用する。」と記載されているように，第２のｎ型クラッド層４と，第１のｎ型クラッド層５と，活性層の関係しか記載されておらず，本件発明１の構成は記載されていない。 また，段落【００４０】には，「第１のクラッド層５によって歪が吸収されるので，活性層は膜厚が２００オングストローム以下になると引っ張り応力が作用して弾性的に変形してバンドギャップエネルギーが小さくなり発光波長が長くなる傾向にある。」と記載されているように，発光波長が長くなる「傾向」が記載されているにすぎず，これが ると引っ張り応力が作用して弾性的に変形してバンドギャップエネルギーが小さくなり発光波長が長くなる傾向にある。」と記載されているように，発光波長が長くなる「傾向」が記載されているにすぎず，これが必然であるとは記載されていない。当該記載は，ｐ型クラッド層の組成や数によっては発光波長が長くならない場合があることを示しており，本件明細書の発明の詳細な説明の記載が実施可能要件を充たさないことに変わりはない。 さらに，段落【００４０】には，「従って活性層を薄くしても活性層６，第２のｎ型クラッド層４にクラックが入りにくいと推察される。」と記載されているように，推測の域を出ておらず，本件特許出願時の技術水準に照らして，当業者が容易に実施できるとはいえない。 ウ本件明細書の段落【００１３】の記載が不正確であり，段落【００３４】の記載とも整合しないこと本件明細書の段落【００１３】においては，ＩｎｘＧａ１－ｘＮのバンドギャップエネルギーＥｇを表す式について，「Ｅｇ＝Ｅｇ１・ｘ＋Ｅｇ２・（１－ｘ）－ｘ（１－ｘ）」と記載されており，ボーイングパラ- 34 -メーターを表すＢが欠落している。ボーイングパラメータ（Ｂ）は，１． ０ｅＶではないから（乙１，２），上記計算式は，客観的に誤りである。 原告は，当時認識されていたボーイングパラメーターＢの値はおよそ１．０ｅＶであるから，段落【００１３】に記載された計算式においてボーイングパラメーターＢが欠落していても，この式から算出されるバンドギャップエネルギーＥｇの値には影響しないとするが，「当時の認識」が，客観的に誤っている以上，上記計算式が不正確であることに変わりはない。 段落【００１３】における計算式が誤っていることから，段落【００３４】の「Ｉｎ０．３Ｇａ０．７Ｎ活性層は本来のバンドギャップエ 観的に誤っている以上，上記計算式が不正確であることに変わりはない。 段落【００１３】における計算式が誤っていることから，段落【００３４】の「Ｉｎ０．３Ｇａ０．７Ｎ活性層は本来のバンドギャップエネルギーでは４８０ｎｍ付近の青緑色発光である」との記載は，上記計算式の計算結果と整合しない。 上記計算式が誤っている以上，本件発明１において，「活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光する」という前提である，「本来のバンドギャップエネルギー」を定めることもできないのであるから，本件発明１は実施不能ということになる。 また，ＩｎＧａＮ層中には組成不均一があることが知られており（乙１，３），局所的にＩｎ組成が高い領域において発光が起きるから，特定の組成のＩｎＧａＮ層であっても，どの程度の発光波長（バンドギャップエネルギー）となるか不明であるということになる。 したがって，「本来のバンドギャップエネルギー」を定めることは不可能であるというべきであるから，本件発明１は実施不能であるということになる。 エ小括以上のとおり，本件明細書の発明の詳細な説明の記載が本件発明１につ- 35 -いての実施可能要件を欠くとの本件審決の判断は正当である。 本件発明２ないし９の実施可能要件の判断に誤りがないこと（取消事由２に対し）本件明細書の発明の詳細な説明の記載が本件発明１についての実施可能要件を欠くとの本件審決の判断に誤りはないから，本件発明２ないし９について，本件明細書の発明の詳細な説明の記載が実施可能要件を欠くとした本件審決の判断にも誤りはない。 まとめ以上のとおり，原告主張の取消事由はいずれも理由がなく，本件明細書の発明の詳細な説明が本件発明 件明細書の発明の詳細な説明の記載が実施可能要件を欠くとした本件審決の判断にも誤りはない。 まとめ以上のとおり，原告主張の取消事由はいずれも理由がなく，本件明細書の発明の詳細な説明が本件発明１ないし９について，当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されているとは認められないとした本件審決の判断に誤りはない。 第４ 当裁判所の判断 １ 本件明細書の記載について本件発明１ないし９の特許請求の範囲は，前記第２の２に記載のとおりであるところ，本件明細書（甲２１，２２）の「発明の詳細な説明」には，次のような記載がある（訂正箇所に下線を引いた。下記記載中に引用する図面については，別紙の本件明細書図面目録を参照。）。 「【発明の属する分野】本発明は，発光ダイオード（ＬＥＤ），レーザダイオード（ＬＤ）等の半導体発光素子に係り，特には，窒化物半導体（ＩｎａＡｌｂＧａ１－ａ－ｂＮ，０≦ａ，０≦ｂ，ａ＋ｂ≦１）から構成される半導体積層構造を有する窒化物半導体発光素子に関する。」（段落【０００１】）「【従来の技術】窒化物半導体（ＩｎａＡｌｂＧａ１－ａ－ｂＮ，０≦ａ，０≦ｂ，ａ＋ｂ≦１）は，紫外ないし赤色に発光するＬＥＤ，ＬＤ等の発光素子の材料として期待- 36 -されている。事実，本出願人は，この半導体材料を用いて，１９９３年１１月に光度１ｃｄの青色ＬＥＤを発表し，１９９４年４月に光度２ｃｄの青緑色ＬＥＤを発表し，１９９４年１０月には光度２ｃｄの青色ＬＥＤを発表した。これらのＬＥＤは全て製品化されて，現在ディスプレイ，信号等の実用に供されている。」（段落【０００２】）「そのような青色，青緑色ＬＥＤの発光チップは，基本的には，サファイア基板の上に，ｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層と，ｎ型Ａ 現在ディスプレイ，信号等の実用に供されている。」（段落【０００２】）「そのような青色，青緑色ＬＥＤの発光チップは，基本的には，サファイア基板の上に，ｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層と，ｎ型ＡｌＧａＮよりなるｎ型クラッド層と，ｎ型ＩｎＧａＮよりなる活性層と，ｐ型ＡｌＧａＮよりなるｐ型クラッド層と，ｐ型ＧａＮよりなるｐ型コンタクト層とが順に積層された構造を有している。サファイア基板１１とｎ型コンタクト層との間には，ＧａＮ，ＡｌＧａＮまたはＡｌＮよりなるバッファ層が形成されている。活性層を形成するｎ型ＩｎＧａＮには，Ｓｉ，Ｇｅ等のドナー不純物および／またはＺｎ，Ｍｇ等のアクセプター不純物がドープされている。 このＬＥＤ素子の発光波長は，その活性層のＩｎＧａＮのＩｎ含有量を変えるか，または活性層にドープする不純物の種類を変えることにより，紫外領域から赤色まで変化させることが可能である。」（段落【０００３】） 「【発明が解決しようとする課題】しかしながら，前記ＬＥＤ素子は発光波長が長くなるに従って，発光出力が大きく低下するという問題がある。図４は従来のＬＥＤ素子のピーク発光波長と発光出力の関係を示す図である。このＬＥＤでは活性層のＩｎＧａＮにＺｎとＳｉとをドープし，Ｚｎの準位を介して発光させることにより発光波長をＩｎＧａＮのバンド間発光よりも発光エネルギーで約０．５ｅＶ小さくして発光波長を長くしている。図４に示すように，従来のＬＥＤは，４５０ｎｍでは３ｍＷ付近の出力を示すのに対し，発光ピークが長波長に移行するに従ってその出力は大きく減少し，５５０ｎｍでは出力が０．１ｍＷ以下にまで低下している。例えば，４５０ｎｍ発光のＬＥＤにおける活性層はＩ- 37 -ｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎであり，５００ｎｍ発光のＬＥＤにおける活性層は 減少し，５５０ｎｍでは出力が０．１ｍＷ以下にまで低下している。例えば，４５０ｎｍ発光のＬＥＤにおける活性層はＩ- 37 -ｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎであり，５００ｎｍ発光のＬＥＤにおける活性層はＩｎ０． １８Ｇａ０．８２Ｎであり，５５０ｎｍ発光のＬＥＤにおける活性層はＩｎ０．２５Ｇａ０．７５Ｎであり，さらに各活性層にはＺｎがドープされている。このように，不純物がドープされたＩｎＧａＮ活性層，より詳しくは，ＩｎｘＧａ１－ｘＮ（０≦ｘ＜１）活性層は，Ｉｎ含有量が増えると結晶性が悪くなり発光出力は大きく低下する。このため実際に使用できるＩｎ含有量すなわちｘ値はおよそ０．１５以下でしか，高出力のＬＥＤができないのが現状であるので，青色ＬＥＤしか高出力のものは実現されていない。しかも，Ｚｎをドープして発光させているので半値幅が約７０ｎｍと広く，青色の色純度に劣る。」（段落【０００４】）「ところで，高出力の青色ＬＥＤが実用化された現在，緑色ＬＥＤだけが色調，発光出力とも他のＬＥＤに比べて劣っている。例えばフルカラーＬＥＤディスプレイを赤色ＬＥＤ，緑色ＬＥＤ，青色ＬＥＤ各一個づつで実現する際には，緑色ＬＥＤが最も大きい光度を有していなければならない。しかし，緑色ＬＥＤの光度は未だ低く，青色ＬＥＤ，赤色ＬＥＤと全くバランスがとれないのが実状である。」（段落【０００５】）「窒化物半導体はバンドギャップエネルギーが１．９５ｅＶ～６．０ｅＶまであるので，理論的には赤色から紫外まで広帯域に発光する材料である。 窒化物半導体発光素子の長波長域の出力を向上させることができれば，従来のＧａＡｓ，ＡｌＩｎＧａＰ系の材料に代わり，窒化物半導体で全ての可視領域の波長での発光が実現できる可能性がある。」（段落【０００６】）「本発明はこのような事情に鑑みて とができれば，従来のＧａＡｓ，ＡｌＩｎＧａＰ系の材料に代わり，窒化物半導体で全ての可視領域の波長での発光が実現できる可能性がある。」（段落【０００６】）「本発明はこのような事情に鑑みてなされてものであって，その目的とするところは，緑色ＬＥＤのみならず３６０ｎｍ以上の発光波長で高輝度，高出力の窒化物半導体発光素子を提供することにある。」（段落【０００７】） 「【課題を解決するための手段】- 38 -従来のＬＥＤは，活性層を不純物をドープしたＩｎＧａＮにより形成している。前記のようにＩｎＧａＮのＩｎ組成比を大きくするとＩｎＧａＮバンド間発光により，発光波長を長波長側に移行できる。しかし，窒化物半導体はＩｎのモル比を大きくするに従い結晶性が悪くなる傾向にあるので，発光出力が低下する，と推察される。そこで，本発明者らは発光素子の発光波長を長波長側に移行させるに際し，ダブルへテロ構造の窒化物半導体構造における活性層に引っ張り応力を与えることにより，発光波長を長波長側にシフトさせ，しかも発光出力が高い発光素子を実現できることを新たに見い出した。」（段落【０００８】）「すなわち，本発明によれば，インジウムおよびガリウムを含む窒化物半導体よりなり，第１および第２の面を有する活性層を備え，該活性層の第１の面に接してＩｎｘＧａ１－ｘＮ（０＜ｘ＜１）よりなるｎ型窒化物半導体層を備え，該活性層の第２の面に接してＡｌｙＧａ１－ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなるｐ型窒化物半導体層を備え，該ｎ型窒化物半導体層に接してＡｌａＧａ１－ａＮ（０≦ａ＜１）よりなる第２のｎ型窒化物半導体層を備え，該活性層を量子井戸構造とし，活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光することを特徴とする Ｎ（０≦ａ＜１）よりなる第２のｎ型窒化物半導体層を備え，該活性層を量子井戸構造とし，活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光することを特徴とする窒化物半導体発光素子が提供される。」（段落【０００９】）「さらに，本発明によれば，インジウムおよびガリウムを含む窒化物半導体よりなる井戸層を備え，第１および第２の面を有する活性層を具備し，該活性層の第２の面側にＧａＮよりなるｐ型コンタクト層を備え，該活性層の第１の面に接して該活性層を構成するインジウムおよびガリウムを含む窒化物半導体よりもバンドギャップエネルギーの大きなＩｎｘＧａ１－ｘＮ（０＜ｘ＜１）よりなるｎ型窒化物半導体層を備え，該活性層とｐ型コンタクト層との間に該活性層の第２の面に接してＡｌｙＧａ１－ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなるｐ型窒化物半導体層を備え，該ｎ型窒化物半導体層に接してＡｌａＧａ１－ａＮ- 39 -（０≦ａ＜１）よりなる第２のｎ型窒化物半導体層を備え，該活性層を単一量子井戸構造または多重量子井戸構造とし，活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光することを特徴とする窒化物半導体発光素子が提供される。」（段落【００１１】）「すなわち，本発明においては，活性層を単一量子井戸構造または多重量子井戸構造として，この活性層とクラッド層との界面平行方向に，引っ張り応力を加え，活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも小さいエネルギーを持つ光を発光させるのである。」（段落【００１２】）「ところで，ＩｎＮのバンドギャップエネルギー（１．９６ｅＶ）をＥｇ１で，ＧａＮのバンドギャップエネルギー（３．４０ｅＶ）をＥｇ２で表わすと，窒化物半導体ＩｎｘＧａ ある。」（段落【００１２】）「ところで，ＩｎＮのバンドギャップエネルギー（１．９６ｅＶ）をＥｇ１で，ＧａＮのバンドギャップエネルギー（３．４０ｅＶ）をＥｇ２で表わすと，窒化物半導体ＩｎｘＧａ１－ｘＮの本来のバンドギャップエネルギーＥｇは，式Ｅｇ＝Ｅｇ１・ｘ＋ Ｅｇ２・（１－ｘ）－ｘ（１－ｘ）により算出することができる。活性層の本来の発光波長λは，λ＝１２４０／Ｅｇに相当する。」（段落【００１３】）「なお，単一量子井戸構造とは，井戸層が一層よりなる構造を指す。すなわち，単一量子井戸構造の活性層は，単一の井戸層だけで構成される。また，多重量子井戸構造とは，井戸層と障壁層を交互に積層した多層膜構造を指す。 この多層膜構造において，両側の２つ最外層は，それぞれ井戸層により構成される。」（段落【００１４】）「【作用】本発明の素子は，第１のｎ型クラッド層および第１のｐ型クラッド層よりも熱膨張係数の大きい活性層を形成して，両クラッド層と活性層の界面に平行な方向で引っ張り応力を発生させている。引っ張り応力を活性層に弾性的に作用させるために，活性層を単一量子井戸構造または多重量子井戸構造と- 40 -して，活性層のバンドギャップエネルギーを小さくし，活性層の発光波長を長くする。また，活性層の井戸層，障壁層を臨界膜厚まで薄くしたことにより，Ｉｎ組成比が大きいＩｎＧａＮでも結晶性よく成長できる。」（段落【００１５】） 「【発明の実施の形態】図１は，本発明の一態様による窒化物半導体発光素子の構造の一例を示す概略断面図である。図１に示す窒化物半導体素子は，基板１上に，バッファ層２，ｎ型コンタクト層３，第２のｎ型クラッド層４，第１のｎ型クラッド層５，活性層６，第１のｐ型クラッド層７，第２のｐ型クラッド層８， 断面図である。図１に示す窒化物半導体素子は，基板１上に，バッファ層２，ｎ型コンタクト層３，第２のｎ型クラッド層４，第１のｎ型クラッド層５，活性層６，第１のｐ型クラッド層７，第２のｐ型クラッド層８，およびｐ型コンタクト層９が順に積層された構造を有する。」（段落【００１６】）「活性層６は，Ｉｎを含む窒化物半導体で形成され，単一量子井戸構造または多重量子井戸構造のものである。Ｉｎを含む活性層６は，他のＡｌＧａＮ，ＧａＮ等の窒化物半導体に比べて柔らかく，熱膨張係数も大きいので，例えば単一量子井戸構造の井戸層の膜厚を薄くすることにより発光波長を変化させることができる。量子井戸構造の活性層６はｎ型，ｐ型のいずれでもよいが，特にノンドープ（不純物無添加）とすることによりバンド間発光により発光波長の半値幅が狭くなり，色純度のよい発光が得られるため好ましい。特に活性層６の井戸層の組成をＩｎｚＧａ１－ｚＮ（０＜ｚ＜１）とすると，バンド間発光で波長を紫外から赤色まで発光させることができ，クラッド層との熱膨張係数差の大きい活性層を実現することが可能である。一方，多重量子井戸構造の場合，障壁層は特にＩｎＧａＮで形成せずにＧａＮで形成してもよい。」（段落【００１７】）「第１のｎ型クラッド層５は，活性層６よりもバンドギャップエネルギーが大きく，かつ活性層よりも熱膨張係数が小さい窒化物半導体であればどのような組成のもので形成してもよいが，特に好ましくはｎ型ＩｎｘＧａ１－ｘＮ- 41 -（０≦ｘ＜１）により形成する。ＩｎＧａＮ，またはＧａＮよりなるｎ型の第１のクラッド層５は，Ａｌを含む窒化物半導体に比べて，結晶が柔らかいので，この第１のクラッド層５がバッファ層のような作用をする。つまりこの第１のクラッド層５がバッファ層として作用しているために，活性層６を ラッド層５は，Ａｌを含む窒化物半導体に比べて，結晶が柔らかいので，この第１のクラッド層５がバッファ層のような作用をする。つまりこの第１のクラッド層５がバッファ層として作用しているために，活性層６を量子井戸構造としても活性層６にクラックが入らず，また第１のクラッド層５，７の外側に形成される第２のｎ型クラッド層４，第２のｐ型クラッド層８中にクラックが入るのを防止することができる。」（段落【００１８】）「第１のｐ型クラッド層７は，活性層６を構成する窒化物半導体よりもバンドギャップエネルギーが大きく，かつ活性層６よりも熱膨張係数が小さいｐ型窒化物半導体であればどのような組成のもので形成してもよいが，好ましくはｐ型ＡｌｙＧａ１－ｙＮ（０≦ｙ≦１）で形成する。その中でも，ｐ型ＡｌＧａＮ等のＡｌを含む窒化物半導体は，多重量子井戸構造または単一量子井戸構造よりなる活性層に接して形成することにより，発光出力を向上させる。」（段落【００１９】）「また，第１のｎ型クラッド層５，第１のｐ型クラッド層７のいずれかを省略することもできる。第１のｎ型クラッド層５を省略する場合は，第２のｎ型クラッド層４が第１のｎ型クラッド層５となり，また第１のｐ型クラッド層７を省略する場合は第２のｐ型クラッド層が第１のｐ型クラッド層５となる。但し，活性層には，ｎ型ＧａＮもしくはｎ型ＩｎＧａＮよりなる第１のｎ型クラッド層５が接して形成されていることが好ましい。」（段落【００２０】）「本発明の素子は，前記第１のｎ型クラッド層５に接して，ｎ型の窒化物半導体よりなる第２のｎ型クラッド層４を備えることができる。第２のｎ型クラッド層４は，ＡｌａＧａ１－ａＮ（０≦ａ≦１）で形成することが望ましい。 但し，第１のｎ型クラッド層５がＩｎＧａＮで形成されている場合は，この第２のｎ型クラッド ４を備えることができる。第２のｎ型クラッド層４は，ＡｌａＧａ１－ａＮ（０≦ａ≦１）で形成することが望ましい。 但し，第１のｎ型クラッド層５がＩｎＧａＮで形成されている場合は，この第２のｎ型クラッド層４をＧａＮまたはＡｌＧａＮで形成することができる。 - 42 -Ａｌを含む窒化物半導体は熱膨張係数が小さく，また結晶自体が硬いので，第２のｎ型クラッド層４を第１のｎ型クラッド層５に接して形成すると，活性層にさらに大きな引っ張り応力を加えて，発光波長を長波長側にシフトさせることが可能である。但し，活性層６に接してＡｌを含む第２のｎ型クラッド層４を形成する場合には，活性層の反対側の主面には，バッファ層となる第１のｐ型クラッド層７をＩｎＧａＮ，ＧａＮ等で形成することが望ましい。」（段落【００２１】）「また，本発明の素子では，第１のｐ型クラッド層７に接して，ｐ型の窒化物半導体よりなる第２のｐ型クラッド層８を備えることもできる。第２のｐ型クラッド層８は，ＡｌｂＧａ１－ｂＮ（０≦ｂ≦１）で形成することが望ましい。但し，第１のｐ型クラッド層７がＡｌＧａＮで形成されている場合は，この第２のｐ型クラッド層８をコンタクト層としてＧａＮで形成することができる。活性層６に接してＡｌを含む第２のｐ型クラッド層８を形成する場合には，活性層６の反対側の主面（ｎ層側）には，バッファ層となるＧａＮ，ＩｎＧａＮ等の第１のｎ型クラッド層５が接して形成されていることが望ましい。」（段落【００２３】）「ここで，活性層とクラッド層の好ましい組み合わせを述べる。まず，活性層６と第１のクラッド層５，７の組み合わせは，第１のｎ型クラッド層をＩｎｘＧａ１－ｘＮ（０≦ｘ＜１）で形成し，活性層をＩｎｚＧａ１－ｚＮ（０＜ｚ＜１）を含む量子井戸構造とし，第１のｐ型クラッド層をＡｌｙ と第１のクラッド層５，７の組み合わせは，第１のｎ型クラッド層をＩｎｘＧａ１－ｘＮ（０≦ｘ＜１）で形成し，活性層をＩｎｚＧａ１－ｚＮ（０＜ｚ＜１）を含む量子井戸構造とし，第１のｐ型クラッド層をＡｌｙＧａ１－ｙＮ（０＜ｙ＜１）で形成することである。但し，これらの組み合わせにおいて，バンドギャップエネルギーの関係からｘ＜ｚの条件を満たしていることはいうまでもない。活性層６は，単一量子井戸構造の場合では井戸層を１００オングストローム以下の厚さに形成し，多重量子井戸構造では井戸層を１００オングストローム以下の厚さに，および障壁層を１５０オングストローム以下の厚さに形成する。いずれの量子井戸構造の活性層でも，ｎ型またはノン- 43 -ドープとするとバンド間発光による半値幅の狭い発光が得られるので最も好ましい。」（段落【００２６】）「次に，最も好ましい組み合わせは，第２のｎ型クラッド層４をＡｌａＧａ１－ａＮ（０≦ａ≦１）で形成し，第１のｎ型クラッド層５をＩｎｘＧａ１－ｘＮ（０≦ｘ＜１）で形成し，活性層６をＩｎｚＧａ１－ｚＮ（０＜ｚ＜１）を含む量子井戸構造とし，第１のｐ型クラッド層７をＡｌｙＧａ１－ｙＮ（０≦ｙ＜１）で形成し，第２のｐ型クラッド層８をＡｌｂＧａ１－ｂＮ（０≦ｂ≦１）で形成することである。この組み合わせの場合は，第１のｎ型クラッド層５，第１のｐ型クラッド層７のいずれか一方または両方を省略してもよい。省略した場合，前記のように，第２のｎ型クラッド層４または第２のｐ型クラッド層８が，それぞれ第１のクラッド層として作用する。この組み合わせによると，第１のクラッド層５，７と活性層６だけでは，活性層６に十分な引っ張り応力が得られない場合に，第１のクラッド層５，７の外側にさらにＡｌを含む第２のクラッド層を形成して，第２のクラッド層４，８の ると，第１のクラッド層５，７と活性層６だけでは，活性層６に十分な引っ張り応力が得られない場合に，第１のクラッド層５，７の外側にさらにＡｌを含む第２のクラッド層を形成して，第２のクラッド層４，８の熱膨張係数と活性層６の熱膨張係数の差を大きくすることができる。従って，活性層６を膜厚の薄い井戸層と障壁層との多重量子井戸構造，又は井戸層のみの単一量子井戸構造とすることにより，界面に作用する引っ張り応力により，活性層のバンドギャップが小さくなり，発光波長が長波長側にシフトされ得る。」（段落【００２７】）「図２は単一量子井戸構造の活性層の厚さ，つまり井戸層の厚さと，発光素子の発光ピーク波長との関係を示す図である。なお，図２において線αは活性層がノンドープＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎよりなる発光素子を示し，線βは活性層がノンドープＩｎ０．３Ｇａ０．７Ｎよりなる発光素子を示している。両方とも発光素子の構造は第２のクラッド層と，第１のｎ型クラッド層と，活性層と，第１のｐ型クラッド層と，第２のｐ型クラッド層とを順に積層したダブルへテロ構造である。第２のｎ型クラッド層は０．１μｍのＳｉドープｎ型- 44 -Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎよりなり，第１のｎ型クラッド層は５００オングストロームのＩｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎよりなり，第１のｐ型クラッド層は２０オングストロームのＭｇドープｐ型Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎよりなり，第２のｐ型クラッド層は０．１μｍのＭｇドープｐ型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎよりなるダブルへテロ構造である。図２では前記活性層の膜厚を変えた際に発光波長が変化することを示している。」（段落【００３３】）「線αで示すＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎ活性層は，本来のバンドギャップエネルギーでは３８０ｎｍ付近の紫外発光を示すが，膜厚を薄くすることにより４ が変化することを示している。」（段落【００３３】）「線αで示すＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎ活性層は，本来のバンドギャップエネルギーでは３８０ｎｍ付近の紫外発光を示すが，膜厚を薄くすることにより４２０ｎｍ近くまで波長を長くして青紫色の発光にできる。また線βで示すＩｎ０．３Ｇａ０．７Ｎ活性層は本来のバンドギャップエネルギーでは４８０ｎｍ付近の青緑色発光であるが，同じく膜厚を薄くすることにより，５２０ｎｍ近くの純緑色発光が得られる。このように第１のｎ型クラッド層と第１のｐ型クラッド層で挟まれた活性層の膜厚を薄くすることにより，発光波長を長波長にすることができる。つまり，通常の膜厚の厚い活性層ではその活性層のバンドギャップエネルギーに相当する発光しか示さないが，本発明の単一量子井戸構造の活性層では，井戸層の膜厚を薄くすることによって，バンドギャップエネルギーが小さくなり，元の井戸層のバンドギャップエネルギーよりも低エネルギーの光，即ち長波長を発光させることが可能となる。しかもノンドープであるので，不純物をドープしたものよりも結晶性がよいので出力が高くなり，さらにバンド間発光で半値幅の狭い色純度に優れた発光が得られる。」（段落【００３４】）「従って，本発明において，井戸層の膜厚は１００オングストローム以下，さらに好ましくは７０オングストローム以下となるように形成することが望ましい。図２は本発明の素子による発光素子の一例を示したものであるが，発光波長が長波長側に移行する波長範囲は，活性層に引っ張り応力を与える第２のクラッド層，第１のクラッド層の組成によっても異なり，またそれら- 45 -の組成によって活性層の好ましい膜厚も多少変化する。」（段落【００３６】） 「窒化物半導体において，ＡｌＮの熱膨張係数は４．２ 成によっても異なり，またそれら- 45 -の組成によって活性層の好ましい膜厚も多少変化する。」（段落【００３６】） 「窒化物半導体において，ＡｌＮの熱膨張係数は４．２×１０－６／Ｋであり，ＧａＮの膨張係数は５．５９×１０－６／Ｋであることが知られている。 ＩｎＮに関しては，完全な結晶が得られていないため熱膨張係数は不明であるが，仮にＩｎＮの熱膨張係数がいちばん大きいと仮定すると，熱膨張係数の順序はＩｎＮ＞ＧａＮ＞ＡｌＮとなる。一方，窒化物半導体の成長温度を見てみると，通常ＭＢＥ法では５００℃，ＭＯＶＰＥ法では時に９００℃以上の高温で成長させる。例えばＭＯＶＰＥ法によるとＩｎＧａＮで７００℃以上，ＡｌＧａＮであると９００℃以上で成長させる。そこで熱膨張係数の大きい活性層を，活性層よりも熱膨張係数の小さいクラッド層で挟んだ素子を高温で形成した後，室温にまで温度を下げると，熱膨張係数の大きい活性層がクラッド層に引っ張られ，活性層とクラッド層の界面に平行方向に引っ張り応力が活性層に作用する。このため，活性層のバンドギャップエネルギーが小さくなり，発光波長が長波長になるのである。つまり活性層のＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎ，Ｉｎ０．３Ｇａ０．７Ｎ等は第１のクラッド層，および第２のクラッド層よりもＩｎが多い分，熱膨張係数が大きい。従って活性層とクラッド層の界面に平行方向に引っ張り応力が作用し，活性層のバンドギャップエネルギーが小さくなるので通常の活性層のバンド間発光よりも，発光波長を長くすることができるのである。特にその引っ張り応力は活性層を薄くするほど大きくなるので，発光波長をより長波長にすることが可能となる。」（段落【００３７】）「本発明の素子において好ましい態様は，インジウムを含むｎ型窒化物半導体，またはｎ 応力は活性層を薄くするほど大きくなるので，発光波長をより長波長にすることが可能となる。」（段落【００３７】）「本発明の素子において好ましい態様は，インジウムを含むｎ型窒化物半導体，またはｎ型ＧａＮを第１のｎ型クラッド層として備え，その第１のｎ型クラッド層に接して，第１のｎ型クラッド層よりも熱膨張係数が大きいインジウムを含む窒化物半導体よりなる活性層を備え，この活性層を単一量子- 46 -井戸若しくは多重量子井戸構造とすることによって，本来の活性層のバンドギャップエネルギーよりも低エネルギーの光が発光される素子であり，この素子において，前記第１のｎ型クラッド層と前記活性層との総膜厚が３００オングストローム以上あることがさらに好ましい。また他の態様として，インジウムを含む窒化物半導体よりなる単一量子井戸構造若しくは多重量子井戸構造の活性層を備え，その活性層に接して，活性層よりも熱膨張係数が小さいアルミニウムを含むｐ型窒化物半導体を第１のｐ型クラッド層として備え，この活性層を単一量子井戸構造若しくは多重量子井戸構造とすることによって，本来の活性層のバンドギャップエネルギーよりも低エネルギーの光が発光される素子である。」（段落【００３８】）「従来の窒化物半導体発光素子は，上にも説明したように，ＩｎＧａＮを主とする活性層をＡｌＧａＮを主とする２つのクラッド層で挟んだ構造を有している。ＩｎＧａＮ活性層をＡｌＧａＮクラッド層を挟んだ従来の構造では，活性層の厚さを薄くするに従って，ＩｎＧａＮ活性層，ＡｌＧａＮクラッド層にクラックが生じる傾向にある。例えば，活性層の厚さを２００オングストローム未満にするとクラックが多数入ってしまうために素子作製が困難となる。これはＡｌを含むクラッド層が結晶の性質上，非常に硬い性質を有しており，薄い膜厚 ある。例えば，活性層の厚さを２００オングストローム未満にするとクラックが多数入ってしまうために素子作製が困難となる。これはＡｌを含むクラッド層が結晶の性質上，非常に硬い性質を有しており，薄い膜厚のＩｎＧａＮ活性層のみではＡｌＧａＮクラッド層との界面から生じる格子不整合と，熱膨張係数差から生じる歪をＩｎＧａＮ活性層で弾性的に緩和できないことを示している。このため，従来ではクラッド層，活性層中にクラックが入るために，活性層を薄くしようとしてもできなかったのが実状であった。」（段落【００３９】）「一方，本発明では図１に示すように，ＩｎとＧａとを含む活性層６に接する層として，新たに第１のｎ型クラッド層５を形成している。この第１のｎ型クラッド層５は，活性層とＡｌを含む第２のｎ型クラッド層４の間のバッファ層として作用する。つまり第１のｎ型クラッド層５であるＩｎを含む- 47 -窒化物半導体またはＧａＮは結晶の性質として柔らかい性質を有しているので，Ａｌを含む第２のクラッド層４と活性層６の格子定数不整と熱膨張係数差によって生じる歪を吸収する働きがある。従って活性層を薄くしても活性層６，第２のｎ型クラッド層４にクラックが入りにくいと推察される。第１のクラッド層５によって歪が吸収されるので，活性層は膜厚が２００オングストローム以下になると引っ張り応力が作用して弾性的に変形してバンドギャップエネルギーが小さくなり発光波長が長くなる傾向にある。しかも活性層の結晶欠陥が少なくなる。従って，活性層の膜厚が薄い状態においても，活性層の結晶性が良くなるので発光出力が増大する。このように第１のｎ型クラッド層５をバッファ層として作用させるためには，結晶が柔らかい層である活性層６と第１のｎ型クラッド層５との膜厚の合計が３００オングストローム以上あることが好ま 力が増大する。このように第１のｎ型クラッド層５をバッファ層として作用させるためには，結晶が柔らかい層である活性層６と第１のｎ型クラッド層５との膜厚の合計が３００オングストローム以上あることが好ましい。」（段落【００４０】）「窒化物半導体よりなる本発明の発光素子を製造するには，例えばＭＯＶＰＥ（有機金属気相成長法），ＭＢＥ（分子線気相成長法），ＨＤＶＰＥ（ハイドライド気相成長法）等の気相成長法を用いて，基板上にＩｎａＡｌｂＧａ１－ａ－ｂＮ（０≦ａ，０≦ｂ，ａ＋ｂ≦１）をｎ型，ｐ型等の導電型でダブルへテロ構造になるように積層することによって得られる。基板には例えばサファイア（Ｃ面，Ａ面，Ｒ面を含む），ＳｉＣ（６Ｈ－ＳｉＣ，４Ｈ－ＳｉＣも含む），スピネル（ＭｇＡｌ２Ｏ４，特にその（１１１）面），ＺｎＯ，Ｓｉ，ＧａＡｓ，あるいは他の酸化物単結晶基板（ＮＧＯ等）が使用できる。また，ｎ型の窒化物半導体はノンドープの状態でも得られるが，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓ等のドナー不純物を結晶成長中に半導体層中に導入することによって得られる。またｐ型の窒化物半導体層はＭｇ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｃａ，Ｂｅ，Ｃ等のアクセプター不純物を同じく結晶成長中に半導体層中に導入するか，または導入後４００℃以上でアニーリングを行うことにより得られる。」（段落【００４２】）- 48 -「【実施例】以下本発明を具体的な実施例に基づいて説明する。以下の実施例は，ＭＯＶＰＥ法による窒化物半導体層の成長方法を例示している。 実施例１本実施例を図１を参照して記述する。」（段落【００４３】）「ＴＭＧ（トリメチルガリウム）とＮＨ３とを用い，反応容器にセットしたサファイア基板１のＣ面に５００℃でＧａＮよりなるバッファ層２を５００オングストロームの膜厚で成長させた。 （段落【００４３】）「ＴＭＧ（トリメチルガリウム）とＮＨ３とを用い，反応容器にセットしたサファイア基板１のＣ面に５００℃でＧａＮよりなるバッファ層２を５００オングストロームの膜厚で成長させた。」（段落【００４４】）「次に温度を１０５０℃まで上げ，ＴＭＧ，ＮＨ３に加えＳｉＨ４ガスを用い，Ｓｉドープｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層３を４μｍの膜厚で成長させた。」（段落【００４５】）「続いて原料ガスにＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）を加え，同じく１０５０℃でＳｉドープｎ型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎ層よりなる第２のクラッド層４を０．１μｍの膜厚で成長させた。」（段落【００４６】）「次に，温度を８００℃に下げ，ＴＭＧ，ＴＭＩ（トリメチルインジウム），ＮＨ３およびＳｉＨ４を用い，Ｓｉドープｎ型Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎよりなる第１のｎ型クラッド層５を５００オングストロームの膜厚で成長させた。」（段落【００４７】）「続いてＴＭＧ，ＴＭＩおよびＮＨ３を用い，８００℃でノンドープＩｎ０． ０５Ｇａ０．９５Ｎよりなる活性層６（単一量子井戸構造）を３０オングストロームの膜厚で成長させた。」（段落【００４８】）「さらに，ＴＭＧ，ＴＭＩ，ＮＨ３に加え新たにＣｐ２Ｍｇ（シクロペンタジエニルマグネシウム）を用い８００℃でＭｇドープｐ型Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎよりなる第１のｐ型クラッド層７を５００オングストロームの膜厚で成長させた。」（段落【００４９】）「次に温度を１０５０℃に上げ，ＴＭＧ，ＴＭＡ，ＮＨ３，Ｃｐ２Ｍｇを用- 49 -い，Ｍｇドープｐ型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎよりなる第２のｐ型クラッド層８を０． １μｍの膜厚で成長させた。」（段落【００５０】）「続いて，１０５０℃でＴＭＧ，ＮＨ３およびＣｐ２Ｍｇを用い，Ｍｇドープｐ型Ｇａ ープｐ型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎよりなる第２のｐ型クラッド層８を０． １μｍの膜厚で成長させた。」（段落【００５０】）「続いて，１０５０℃でＴＭＧ，ＮＨ３およびＣｐ２Ｍｇを用い，Ｍｇドープｐ型ＧａＮよりなるｐ型コンタクト層９を０．５μｍの膜厚で成長させた。 以上の操作終了後，温度を室温まで下げてウェーハを反応容器から取り出し，７００℃でウェーハのアニーリングを行い，ｐ型層をさらに低抵抗化した。 次に，最上層のｐ型コンタクト層９の表面に所定の形状のマスクを形成し，ｎ型コンタクト層３の表面が露出するまでエッチングした。エッチング後，ｎ型コンタクト層３の表面にＴｉとＡｌよりなる負電極，ｐ型コンタクト層９の表面にＮｉとＡｕよりなる正電極を形成した。電極形成後，ウェーハを３５０μｍ角のチップに分離した後，常法に従い半値角１５度の指向特性を持つＬＥＤ素子とした。このＬＥＤ素子はＩｆ（順方向電流）２０ｍＡでＶｆ３．５Ｖ，発光ピーク波長４１０ｎｍの青色発光を示し，発光出力は５ｍＷであった。さらに，発光スペクトルの半値幅は２０ｎｍであり，非常に色純度のよい発光を示した。」（段落【００５１】）「実施例４第１のｐ型クラッド層７を形成しない以外は，実施例１と同様にしてＬＥＤ素子を作製した。このＬＥＤ素子は，Ｉｆ２０ｍＡでＶｆ３．５Ｖ，発光ピーク波長４２５ｎｍの青色発光を示し，同じく発光出力は７ｍＷであった。 さらに，発光スペクトルの半値幅は２０ｎｍであった。この発光素子は活性層にＡｌＧａＮよりなる第２のクラッド層８が直接接しているので活性層の引っ張り応力が大きくなりピーク波長が長波長になると共に，発光出力が増大した。」（段落【００５４】） 「【発明の効果】本発明においては，熱膨張係数の小さいクラッド層で熱膨張係数の大きい活性層 大きくなりピーク波長が長波長になると共に，発光出力が増大した。」（段落【００５４】） 「【発明の効果】本発明においては，熱膨張係数の小さいクラッド層で熱膨張係数の大きい活性層を挟むことにより，活性層に引っ張り応力がかかるので，活性層のバ- 50 -ンドギャップエネルギーが本来のそれより小さくなり，発光波長を長波長にすることができる。しかもＩｎを含む窒化物半導体よりなる活性層に接して，熱膨張係数の小さいＩｎを含む窒化物半導体またはＧａＮよりなる第１のクラッド層をすると，この第１のクラッド層が新たなバッファ層として作用することにより，活性層が弾性的に変形して結晶性が良くなり発光出力が格段に向上する。例えば従来の青色ＬＥＤでは４５０ｎｍにおいて，光度２ｃｄ，発光出力が３ｍＷで半値幅が８０ｎｍ程度であったが，本発明ではその倍近くの発光出力を達成することができ，半値幅は半分以下と非常に色純度が向上した。また従来では，活性層のインジウム組成比を大きくすると結晶性が悪くなって，バンド間発光で５２０ｎｍ付近の緑色発光を得ることは難しかったが，本発明によると活性層の結晶性が良くなるので，従来では困難であった色純度のよい高輝度な緑色ＬＥＤも実現できる。」（段落【００６５】） ２ 取消事由１（本件発明１についての実施可能要件の判断の誤り）について本件発明１の要旨の認定の誤りについてア原告は，本件発明１がｎ型窒化物半導体層に接してＡｌａＧａ１－ａＮ（０≦ａ＜１）よりなる第２のｎ型窒化物半導体層を備える４層構造であるにもかかわらず，本件審決が，本件発明１を活性層，活性層の第１の面に接してＩｎｘＧａ１－ｘＮ（０＜ｘ＜１）よりなるｎ型窒化物半導体層，活性層の第２の面に接してＡｌｙＧａ１－ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなるｐ型窒化物半 ず，本件審決が，本件発明１を活性層，活性層の第１の面に接してＩｎｘＧａ１－ｘＮ（０＜ｘ＜１）よりなるｎ型窒化物半導体層，活性層の第２の面に接してＡｌｙＧａ１－ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなるｐ型窒化物半導体層を備える３層構造であると認定を誤り，これを前提に実施可能要件の判断をしたから，その結論にも誤りがある旨主張するので，以下において判断する。 イ本件発明１の構成及びその特徴前記１によれば，本件発明１の構成及びその特徴は以下のとおりであると認められる。 - 51 -本件発明１は，発光ダイオード（ＬＥＤ），レーザダイオード（ＬＤ）等の半導体発光素子に係り，特には，窒化物半導体（ＩｎａＡｌｂＧａ１－ａ－ｂＮ，０≦ａ，０≦ｂ，ａ＋ｂ≦１）から構成される半導体積層構造を有する窒化物半導体発光素子に関する。 窒化物半導体（ＩｎａＡｌｂＧａ１－ａ－ｂＮ，０≦ａ，０≦ｂ，ａ＋ｂ≦１）は，紫外ないし赤色に発光するＬＥＤ，ＬＤ等の発光素子の材料として期待されており，青色ＬＥＤや青緑色ＬＥＤは製品化されて，現在実用に供されている。 このような青色，青緑色ＬＥＤの発光チップは，基本的には，サファイア基板の上に，ｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層と，ｎ型ＡｌＧａＮよりなるｎ型クラッド層と，ｎ型ＩｎＧａＮよりなる活性層と，ｐ型ＡｌＧａＮよりなるｐ型クラッド層と，ｐ型ＧａＮよりなるｐ型コンタクト層とが順に積層された構造を有している。このＬＥＤ素子の発光波長は，その活性層のＩｎＧａＮのＩｎ含有量を変えるか又は活性層にドープする不純物の種類を変えることにより，紫外領域から赤色まで変化させることが可能である。 従来のＬＥＤは，不純物をドープしたＩｎＧａＮにより活性層を形成しており，ＩｎＧａＮのＩｎ組成比を大きくするとＩｎＧａＮバンド間 ることにより，紫外領域から赤色まで変化させることが可能である。 従来のＬＥＤは，不純物をドープしたＩｎＧａＮにより活性層を形成しており，ＩｎＧａＮのＩｎ組成比を大きくするとＩｎＧａＮバンド間発光により，発光波長を長波長側に移行することができる。 しかしながら，前記ＬＥＤ素子は発光波長が長くなるに従って，発光出力が大きく低下するという問題があり，不純物がドープされたＩｎＧａＮ活性層，より詳しくは，ＩｎｘＧａ１－ｘＮ（０≦ｘ＜１）活性層は，Ｉｎ含有量が増えると結晶性が悪くなり発光出力は大きく低下する。 このため実際に使用できるＩｎ含有量すなわちｘ値はおよそ０．１５以下でしか，高出力のＬＥＤができないのが現状であるので，青色ＬＥＤしか高出力のものは実現されていない。 - 52 -窒化物半導体発光素子の長波長域の出力を向上させることができれば，窒化物半導体で全ての可視領域の波長での発光が実現できる可能性がある。 本件発明１は，このような事情に鑑みてされたものであって，その目的とするところは，緑色ＬＥＤのみならず３６０ｎｍ以上の発光波長で高輝度，高出力の窒化物半導体発光素子を提供することにあり，上記課題を解決するために，「インジウムおよびガリウムを含む窒化物半導体よりなり，第１および第２の面を有する活性層を備え，該活性層の第１の面に接してＩｎｘＧａ１－ｘＮ（０＜ｘ＜１）よりなるｎ型窒化物半導体層を備え，該活性層の第２の面に接してＡｌｙＧａ１－ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなるｐ型窒化物半導体層を備え，該ｎ型窒化物半導体層に接してＡｌａＧａ１－ａＮ（０≦ａ＜１）よりなる第２のｎ型窒化物半導体層を備え，該活性層を量子井戸構造とし，活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光することを ａＧａ１－ａＮ（０≦ａ＜１）よりなる第２のｎ型窒化物半導体層を備え，該活性層を量子井戸構造とし，活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光することを特徴とする窒化物半導体発光素子」との構成を採用した。 本件発明１の窒化物半導体発光素子は，熱膨張係数の小さいクラッド層（ｎ型窒化物半導体層，第２のｎ型窒化物半導体層，ｐ型窒化物半導体層）で熱膨張係数の大きい活性層を挟むことで，両クラッド層と活性層の界面に引っ張り応力を発生させ，かつ，活性層を量子井戸構造とすることで，引っ張り応力を活性層に弾性的に作用させ，これにより活性層のバンドギャップエネルギーを本来のそれより小さくし，活性層の発光波長を長波長化するものである。 しかも，Ｉｎを含む窒化物半導体よりなる活性層に接して，熱膨張係数の小さいＩｎを含む窒化物半導体又はＧａＮよりなる第１のクラッド層を備えることで，この第１のクラッド層が新たなバッファ層として作用することにより，活性層が弾性的に変形して結晶性が良くなり発光出- 53 -力が格段に向上する。 ウ本件審決における本件発明１の要旨の認定本件審決の記載について本件審決には，本件発明１の構成に関し，次のような記載がある。 ａ 「第４ 本件特許の請求項に係る発明本件訂正は，・・・適法な訂正と認められるから，本件の請求項１ないし９に係る発明（以下，それぞれ，「本件発明１」ないし「本件発明９」といい，それらを合わせて「本件発明」という。）は，訂正明細書の請求項１ないし９に記載された，次のとおりのものと認められる。 「【請求項１】インジウムおよびガリウムを含む窒化物半導体よりなり，第１および第２の面を有する活性層を備え，該活性層の第１の面に接してＩｎｘ ないし９に記載された，次のとおりのものと認められる。 「【請求項１】インジウムおよびガリウムを含む窒化物半導体よりなり，第１および第２の面を有する活性層を備え，該活性層の第１の面に接してＩｎｘＧａ１－ｘＮ（０＜ｘ＜１）よりなるｎ型窒化物半導体層を備え，該活性層の第２の面に接してＡｌｙＧａ１－ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなるｐ型窒化物半導体層を備え，該ｎ型窒化物半導体層に接してＡｌａＧａ１－ａＮ（０≦ａ＜１）よりなる第２のｎ型窒化物半導体層を備え，該活性層を量子井戸構造とし，活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光することを特徴とする窒化物半導体発光素子。」（１１頁９行～２２行）ｂ 「第９ 当審の判断事案にかんがみて，無効理由４についてまず検討する。 １ 本件発明１の特徴的構成について本件発明１を以下に再掲する。 「インジウムおよびガリウムを含む窒化物半導体よりなり，第１および第２の面を有する活性層を備え，該活性層の第１の面に接してＩｎｘ- 54 -Ｇａ１－ｘＮ（０＜ｘ＜１）よりなるｎ型窒化物半導体層を備え，該活性層の第２の面に接してＡｌｙＧａ１－ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなるｐ型窒化物半導体層を備え，該ｎ型窒化物半導体層に接してＡｌａＧａ１－ａＮ（０≦ａ＜１）よりなる第２のｎ型窒化物半導体層を備え，該活性層を量子井戸構造とし，活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光することを特徴とする窒化物半導体発光素子。」すなわち，本件発明１は，活性層の第１の面に接してＩｎｘＧａ１－ｘＮ（０＜ｘ＜１）よりなるｎ型窒化物半導体層を備え，該活性層の第２の面に接してＡｌｙＧａ１－ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなるｐ型窒化物半導体層を備え，活性層を は，活性層の第１の面に接してＩｎｘＧａ１－ｘＮ（０＜ｘ＜１）よりなるｎ型窒化物半導体層を備え，該活性層の第２の面に接してＡｌｙＧａ１－ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなるｐ型窒化物半導体層を備え，活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光する，窒化物半導体発光素子である。 そこで，本件明細書に，かかる「活性層の第１の面にｎ型ＩｎＧａＮ層が接し，該活性層の第２の面にｐ型ＡｌＧａＮ層が接し，該活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光する窒化物半導体発光素子」の発明について，当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されているかを検討する。」（２２頁２４行～２３頁１０行）ｃ 本件審決は「２ 本件明細書の発明の詳細な説明の記載」と題して，る。」として，本件明細書の段落【０００８】ないし【００１２】，【００１６】ないし【００２３】，【００３２】ないし【００３７】，【００３９】，【００４０】の記載を引用したが，その際，本件訂正が認められているにもかかわらず，段落【０００９】及び【００１１】については，本件訂正により新たに挿入された「該ｎ型窒化物半- 55 -導体層に接して・・・を備え，」の記載のない本件訂正前の記載を引用し，また，本件訂正により削除された段落【００１０】を引用して記載した。 ｄ 「３ 本件発明１についての当審の判断（１） 上記「２（１）」の記載について上記「２（１）」の【０００９】及び【００１１】には，上記１で言及した「活性層の第１の面にｎ型ＩｎＧａＮ層が接し，該活性層の第２の面にｐ型ＡｌＧａＮ層が接し，該活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光する窒化物 した「活性層の第１の面にｎ型ＩｎＧａＮ層が接し，該活性層の第２の面にｐ型ＡｌＧａＮ層が接し，該活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光する窒化物半導体発光素子」についての記載があるものと認められる。 そこで，上記「２（１）」に，上記窒化物半導体発光素子の「活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光する」点について，当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されているかを検討する。」（３０頁１行～１１行）ｅ 「よって，上記「２（１）」には，「活性層の第１の面にｎ型ＩｎＧａＮ層が接し，該活性層の第２の面にｐ型ＡｌＧａＮ層が接し，該活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光する窒化物半導体発光素子」である本件発明１の「活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光する」点について，当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されているとは認められない。」（３１頁１１行～１７行）ｆ 「・・・の記載は，活性層の両面に，ＩｎＧａＮまたはＧａＮよりなり，Ａｌを含む窒化物半導体に比べて結晶が柔らかい第１のクラッ- 56 -ド層５，７が接し，第１のクラッド層５，７の外側に第２のクラッド層４，８が形成された，図１に示される層構造の窒化物半導体発光素子についての記載であり，「活性層の第１の面にｎ型ＩｎＧａＮ層が接し，該活性層の第２の面にｐ型ＡｌＧａＮ層が接し，該活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光する窒化物半導体発光素子」，つまり，ＩｎＧａＮよりなり，Ａｌを含む窒化物 の面にｐ型ＡｌＧａＮ層が接し，該活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光する窒化物半導体発光素子」，つまり，ＩｎＧａＮよりなり，Ａｌを含む窒化物半導体に比べて結晶が柔らかい第１のクラッド層が，活性層の一方の面のみに接する本件発明１についての記載ではない。」（３１頁３４行～３２頁６行）ｇ 「・・・に記載された窒化物半導体発光素子は，活性層の両面にＩｎＧａＮよりなる第１のクラッド層（Ｉｎ0.01Ｇａ0.99Ｎよりなる第１のｎ型クラッド層と，Ｉｎ0.01Ｇａ0.99Ｎよりなる第１のｐ型クラッド層）が接し，第１のクラッド層の外側に第２のクラッド層（Ａｌ0.3 Ｇａ0.7Ｎよりなる第２のｎ型クラッド層と，Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ｎよりなる第２のｐ型クラッド層）が形成された窒化物半導体発光素子であり，「活性層の第１の面にｎ型ＩｎＧａＮ層が接し，該活性層の第２の面にｐ型ＡｌＧａＮ層が接し，該活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光する窒化物半導体発光素子」，つまり，活性層の片面のみにＩｎＧａＮよりなる第１のクラッド層が接する本件発明１とは，構成が異なるものである。 よって，単一量子井戸構造の活性層の厚さ，つまり井戸層の厚さと，発光素子の発光ピーク波長との関係を示す図２に，・・・が記載されているとしても，該記載は，本件発明１に当てはまるものではない。」（３２頁１３行～２９行）ｈ 「小括上記２以外の記載をみても，本件明細書の発明の詳細な説明は，- 57 -「活性層の第１の面にｎ型ＩｎＧａＮ層が接し，該活性層の第２の面にｐ型ＡｌＧａＮ層が接し，該活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光す 57 -「活性層の第１の面にｎ型ＩｎＧａＮ層が接し，該活性層の第２の面にｐ型ＡｌＧａＮ層が接し，該活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光する窒化物半導体発光素子」である本件発明１の「活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光する」点について，当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものとは認められない。」（３２頁３０行～３３頁１行）前記本件審決は，ａ及びｂの各記載部分においては，本件発明１の要旨を本件訂正後の請求項１の記載に従い，「インジウムおよびガリウムを含む窒化物半導体よりなり，第１および第２の面を有する活性層を備え，該活性層の第１の面に接してＩｎｘＧａ１－ｘＮ（０＜ｘ＜１）よりなるｎ型窒化物半導体層を備え，該活性層の第２の面に接してＡｌｙＧａ１－ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなるｐ型窒化物半導体層を備え，該ｎ型窒化物半導体層に接してＡｌａＧａ１－ａＮ（０≦ａ＜１）よりなる第２のｎ型窒化物半導体層を備え，該活性層を量子井戸構造とし，活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光することを特徴とする窒化物半導体発光素子。」と記載しているものの，これに続く部分では何らの根拠も示さないまま，請求項及び明細書の記載について，本件訂正を認めているにもかかわらず，本件発明１の発明特定事項から，「ｎ型窒化物半導体層に接してＡｌａＧａ１－ａＮ（０≦ａ＜１）よりなる第２のｎ型窒化物半導体層を備え」る点を除外し，本件発明１を「活性層の第１の面に接してＩｎｘＧａ１－ｘＮ（０＜ｘ＜１）よりなるｎ型窒化物半導体層を備え，該活性層の第２の面に接してＡｌｙＧａ１－ｙＮ（０＜ｙ＜１）よ 半導体層を備え」る点を除外し，本件発明１を「活性層の第１の面に接してＩｎｘＧａ１－ｘＮ（０＜ｘ＜１）よりなるｎ型窒化物半導体層を備え，該活性層の第２の面に接してＡｌｙＧａ１－ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなるｐ型窒化物半導体層を備え，活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギ- 58 -ャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光する，窒化物半導体発光素子」と言い換え，その後は，ｈの記載部分に至るまで一貫して，本件発明１が「活性層の第１の面にｎ型ＩｎＧａＮ層が接し，該活性層の第２の面にｐ型ＡｌＧａＮ層が接し，該活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光する窒化物半導体発光素子」であることを前提に，本件明細書の発明の詳細な説明の記載が，当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されたものであるか否か，すなわち，実施可能要件を充たすものであるか否かを判断している。 以上によれば，本件審決は，本件発明１の要旨を，その発明特定事項から「ｎ型窒化物半導体層に接してＡｌａＧａ１－ａＮ（０≦ａ＜１）よりなる第２のｎ型窒化物半導体層」を備える点を除外した構成，すなわち，「活性層の第１の面に接してＩｎｘＧａ１－ｘＮ（０＜ｘ＜１）よりなるｎ型窒化物半導体層を備え，該活性層の第２の面に接してＡｌｙＧａ１－ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなるｐ型窒化物半導体層を備え，活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光する，窒化物半導体発光素子」と認定し，これを前提に本件明細書の発明の詳細な説明の記載が実施可能要件を充たすものであるか否かを判断しているといえる。 一方，本件発明１の要旨は，前記イ求項１の記載，すなわち，その発明特定事項に基づいて，「インジウ 件明細書の発明の詳細な説明の記載が実施可能要件を充たすものであるか否かを判断しているといえる。 一方，本件発明１の要旨は，前記イ求項１の記載，すなわち，その発明特定事項に基づいて，「インジウムおよびガリウムを含む窒化物半導体よりなり，第１および第２の面を有する活性層を備え，該活性層の第１の面に接してＩｎｘＧａ１－ｘＮ（０＜ｘ＜１）よりなるｎ型窒化物半導体層を備え，該活性層の第２の面に接してＡｌｙＧａ１－ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなるｐ型窒化物半導体層を備え，該ｎ型窒化物半導体層に接してＡｌａＧａ１－ａＮ（０≦ａ＜１）よりなる- 59 -第２のｎ型窒化物半導体層を備え，該活性層を量子井戸構造とし，活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光することを特徴とする窒化物半導体発光素子」であると認められるから，本件審決は，本件明細書の発明の詳細な説明の記載が本件発明１について実施可能要件を充たすものであるか否かを判断するに際し，本件発明１の要旨の認定を誤ったものというべきである。 ところで，本件審決は，前記のとおり，形式的には，本件発明１の要旨を本件訂正後の請求項１の記載に従って記載した上で，その「特徴的構成」が「活性層の第１の面にｎ型ＩｎＧａＮ層が接し，該活性層の第２の面にｐ型ＡｌＧａＮ層が接し，該活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光する窒化物半導体発光素子」であるとして，当該構成について，実施可能要件を判断している。 前記イ認定のとおり，本件発明１は，ＬＥＤ素子の発光波長は，その活性層のＩｎＧａＮのＩｎの組成比を大きくするか又は活性層にドープする不純物の種類を変えることにより，紫外領域から赤色まで変化させることが可能であ とおり，本件発明１は，ＬＥＤ素子の発光波長は，その活性層のＩｎＧａＮのＩｎの組成比を大きくするか又は活性層にドープする不純物の種類を変えることにより，紫外領域から赤色まで変化させることが可能であるが，ＬＥＤ素子には発光波長が長くなるに従って発光出力が大きく低下するという問題があり，また，不純物がドープされたＩｎＧａＮ活性層には，Ｉｎ含有量が増えると結晶性が悪くなり発光出力が大きく低下するという問題があったことから，本件発明１は，上記課題を解決し，窒化物半導体発光素子の長波長域の出力を向上させることにより，窒化物半導体で全ての可視領域の波長での発光が実現することを目的とし，その解決手段として本件訂正後の請求項１記載のとおりの構成を採用し，熱膨張係数の小さいクラッド層で熱膨張係数の大きい活性層を挟むことで，両クラッド層と活性層の界面に引っ張り応力を- 60 -発生させ，かつ，活性層を量子井戸構造とすることで，引っ張り応力を活性層に弾性的に作用させ，これにより活性層のバンドギャップエネルギーを本来のそれより小さくして活性層の発光波長を長波長化し，しかも，Ｉｎを含む窒化物半導体よりなる活性層に接して，熱膨張係数の小さいＩｎを含む窒化物半導体又はＧａＮよりなる第１のクラッド層を備えることで，この第１のクラッド層が新たなバッファ層として作用することにより，活性層が弾性的に変形して結晶性が良くなり発光出力が格段に向上するという効果を奏するものである。 そして，本件明細書の段落【００３７】の「窒化物半導体において，ＡｌＮの熱膨張係数は４．２×１０－６／Ｋであり，ＧａＮの膨張係数は５．５９×１０－６／Ｋであることが知られている。ＩｎＮに関しては，完全な結晶が得られていないため熱膨張係数は不明であるが，仮にＩｎＮの熱膨張係数がいちばん大きいと ６／Ｋであり，ＧａＮの膨張係数は５．５９×１０－６／Ｋであることが知られている。ＩｎＮに関しては，完全な結晶が得られていないため熱膨張係数は不明であるが，仮にＩｎＮの熱膨張係数がいちばん大きいと仮定すると，熱膨張係数の順序はＩｎＮ＞ＧａＮ＞ＡｌＮとなる。」との記載によれば，熱膨張係数の順序は，ＩｎＧａＮ＞ＡｌＧａＮとなること，段落【００３９】及び【００４０】の記載によれば，ＩｎＧａＮを主とする活性層をＡｌＧａＮを主とする２つのクラッド層で挟んだ構造を有する従来の窒化物半導体発光素子では，Ａｌを含むクラッド層が結晶の性質上非常に硬い性質を有しており，薄い膜厚のＩｎＧａＮ活性層のみではＡｌＧａＮクラッド層との界面から生じる格子不整合と，熱膨張係数差から生じる歪をＩｎＧａＮ活性層で弾性的に緩和できないことから，活性層の厚さを薄くするに従って，ＩｎＧａＮ活性層，ＡｌＧａＮクラッド層にクラックが生じるという傾向があったが，本件発明１では，ＩｎとＧａとを含む活性層６に接する層として，新たに第１のｎ型クラッド層５を形成し，この第１のｎ型クラッド層５が，活性層とＡｌを含む第２のｎ型クラッド層４の間のバッファ層として作用し，活性層を薄くしても活性層６，第２のｎ- 61 -型クラッド層４にクラックが入りにくいと推察され，活性層の膜厚が薄い状態においても活性層の結晶性が良くなるので，発光出力が増大するとされていることからすれば，本件発明１が「ｎ型窒化物半導体層に接してＡｌａＧａ１－ａＮ（０≦ａ＜１）よりなる第２のｎ型窒化物半導体層」を備える点は，その発明の特徴を構成するものであるというべきであり，これを「特徴的構成」から除外する点においても，本件審決の上記認定は誤りであるといわざるを得ない。 実施可能要件の判断の誤りについてア原告は，本 の特徴を構成するものであるというべきであり，これを「特徴的構成」から除外する点においても，本件審決の上記認定は誤りであるといわざるを得ない。 実施可能要件の判断の誤りについてア原告は，本件審決が，本件発明１の「活性層を有する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光する」点について，当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものとは認められないと判断したことが誤りである旨主張するので，以下において判断する。 イ本件発明１は，窒化物半導体発光素子の長波長域の出力を向上させることにより，窒化物半導体で全ての可視領域の波長での発光が実現することを目的とし，その解決手段として本件訂正後の請求項１記載のとおりの構成を採用し，熱膨張係数の小さいクラッド層で熱膨張係数の大きい活性層を挟むことで，両クラッド層と活性層の界面に引っ張り応力を発生させ，かつ，活性層を量子井戸構造とすることで，引っ張り応力を活性層に弾性的に作用させ，これにより活性層のバンドギャップエネルギーを本来のそれより小さくして活性層の発光波長を長波長化し，しかも，Ｉｎを含む窒化物半導体よりなる活性層に接して，熱膨張係数の小さいＩｎを含む窒化物半導体又はＧａＮよりなる第１のクラッド層を備えることで，この第１のクラッド層が新たなバッファ層として作用することにより，活性層が弾性的に変形して結晶性が良くなり発光出力が格段に向上するという効果を奏するものであることは，前記認定のとおりである。 - 62 -ウ活性層を構成する窒化物半導体の「本来のバンドギャップエネルギー」について本件発明１は，インジウム及びガリウムを含む窒化物半導体よりなり，第１及び第２の面を有する活性層を備え，該活性層の第１の面に接してＩｎｘＧａ 半導体の「本来のバンドギャップエネルギー」について本件発明１は，インジウム及びガリウムを含む窒化物半導体よりなり，第１及び第２の面を有する活性層を備え，該活性層の第１の面に接してＩｎｘＧａ１－ｘＮ（０＜ｘ＜１）よりなるｎ型窒化物半導体層を備え，該活性層の第２の面に接してＡｌｙＧａ１－ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなるｐ型窒化物半導体層を備え，該ｎ型窒化物半導体層に接してＡｌａＧａ１－ａＮ（０≦ａ＜１）よりなる第２のｎ型窒化物半導体層を備え，該活性層を量子井戸構造とすることにより，活性層を構成する窒化物半導体の「本来のバンドギャップエネルギー」よりも低いエネルギーの光を発光することを特徴とする窒化物半導体発光素子である。 そして，本件発明１は，記載のとおり，熱膨張係数の小さいクラッド層で熱膨張係数の大きい活性層を挟むことで，両クラッド層と活性層の界面に引っ張り応力を発生させ，かつ，活性層を量子井戸構造とすることで，引っ張り応力を活性層に弾性的に作用させ，これにより活性層のバンドギャップエネルギーを本来のそれより小さくして活性層の発光波長を長波長化するものであるから，本件発明１において，活性層を構成する窒化物半導体の「本来のバンドギャップエネルギー」とは，「引っ張り応力の影響を受けない状態の活性層（活性層を構成する窒化物半導体）が有するバンドギャップエネルギー」を意味するものと解される。 本件明細書の段落【００３３】，【００３４】及び【図２】の記載によれば，本件明細書には以下の事項が記載されているものと認められる。 ａ 【図２】は，単一量子井戸構造の活性層の厚さと発光素子の発光ピーク波長との関係を示すグラフ図であるが，この実験に用いられた発光素子は，いずれも，下層から「第２のｎ型クラッド層（０．１μｍ- 63 -のＳ ，単一量子井戸構造の活性層の厚さと発光素子の発光ピーク波長との関係を示すグラフ図であるが，この実験に用いられた発光素子は，いずれも，下層から「第２のｎ型クラッド層（０．１μｍ- 63 -のＳｉドープｎ型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎ）／第１のｎ型クラッド層（５００オングストロームのＩｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎ）／活性層／第１のｐ型クラッド層（２０オングストロームのＭｇドープｐ型Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎ）／第２のｐ型クラッド層（０．１μｍのＭｇドープｐ型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎ）」が順に積層されたダブルへテロ構造を有し，単一量子井戸構造の活性層は，線αでは，ノンドープＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎよりなる半導体が，線βでは，ノンドープＩｎ０．３Ｇａ０．７Ｎよりなる半導体が用いられている。 ｂ 【図２】のうち，単一量子井戸構造の活性層として，ノンドープＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎよりなる半導体が用いられた線αを参照すると，活性層の膜厚が厚い領域（２００オングストローム程度以上の領域）では，発光ピーク波長が３８０ｎｍ程度の一定値となる。 他方，活性層の膜厚が薄い領域（２００オングストローム程度以下の領域）では，発光ピーク波長は，膜厚が薄くなるのに伴って４２０ｎｍ程度まで長くなる。 ｃ 上記実験結果は，活性層の膜厚が厚い領域では，上下のクラッド層と活性層の界面に引っ張り応力が発生しても，活性層の膜厚が厚いため，引っ張り応力が活性層に弾性的に作用せず，活性層が引っ張り応力の影響を実質的には受けないために，発光ピーク波長が一定値となるが，膜厚が薄い領域では，活性層全体が引っ張り応力を受けて弾性的に変形し，その結果，バンドギャップエネルギーが小さくなることによるものと解することができる。 ｄ活性層を構成する窒化物半導体の「本来のバンド 領域では，活性層全体が引っ張り応力を受けて弾性的に変形し，その結果，バンドギャップエネルギーが小さくなることによるものと解することができる。 ｄ活性層を構成する窒化物半導体の「本来のバンドギャップエネルギー」とは，「引っ張り応力の影響を受けない状態の活性層（活性層を構成する窒化物半導体）が有するバンドギャップエネルギー」を意味するものと解されることからすれば，活性層（活性- 64 -層を構成する窒化物半導体）の「本来のバンドギャップエネルギー」は，【図２】（単一量子井戸構造の活性層の厚さと発光素子の発光ピーク波長との関係を示すグラフ図）において，活性層の厚さが厚い領域における発光ピーク波長に相当するものであるといえる。 ｅ したがって，単一量子井戸構造の活性層としてノンドープＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎよりなる半導体を用いた場合（線α）には，「本来のバンドギャップエネルギー」に相当する発光ピーク波長は，３８０ｎｍ程度である。 エ実施例４について実施例１（段落【００４３】～【００５１】）のＬＥＤ素子は，ＭＯＶＰＥ法による窒化物半導体層の成長方法によって，サファイア基板１の上に，ＧａＮよりなるバッファ層２，ｎ型ＧａＮよりなるコンタクト層３，ｎ型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎよりなる第２クラッド層４（０．１μｍ），ｎ型Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎよりなる第１クラッド層５（５００オングストローム），ノンドープＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎよりなる活性層６（単一量子井戸構造，３０オングストローム），ｐ型Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎよりなる第１クラッド層７（５００オングストローム），ｐ型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎよりなる第２クラッド層８（０．１μｍ）及びｐ型ＧａＮよりなるコンタクト層９を順次形成したものである。 実施例４（段 １クラッド層７（５００オングストローム），ｐ型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎよりなる第２クラッド層８（０．１μｍ）及びｐ型ＧａＮよりなるコンタクト層９を順次形成したものである。 実施例４（段落【００５４】）のＬＥＤ素子は，「第１のｐ型クラッド層７を形成しない以外は，実施例１と同様にしてＬＥＤ素子を作製した」ものであると記載されているから，当業者であれば，実施例１において，ｐ型Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎよりなる第１クラッド層７の成長を省略すれば，実施例４のＬＥＤ素子を作製することができるものと認められる。 実施例４のＬＥＤ素子は，サファイア基板１の上に，ＧａＮよりなる- 65 -バッファ層２，ｎ型ＧａＮよりなるコンタクト層３，ｎ型Ａｌ０．３Ｇａ０． ７Ｎよりなる第２クラッド層４（０．１μｍ），ｎ型Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎよりなる第１クラッド層５（５００オングストローム），ノンドープＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎよりなる活性層６（単一量子井戸構造，３０オングストローム），ｐ型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎよりなる第２クラッド層８（０． １μｍ）及びｐ型ＧａＮよりなるコンタクト層９が順次積層されて形成されたものである。 ここで，実施例４の「ｎ型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎよりなる第２クラッド層４」，「ｎ型Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎよりなる第１クラッド層５」，「ノンドープＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎよりなる活性層６（単一量子井戸構造）」及び「ｐ型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎよりなる第２クラッド層８」は，それぞれ，本件発明１の「ＡｌａＧａ１－ａＮ（０≦ａ＜１）よりなる第２のｎ型窒化物半導体層」，「ＩｎｘＧａ１－ｘＮ（０＜ｘ＜１）よりなるｎ型窒化物半導体層」，「インジウムおよびガリウムを含む窒化物半導体よりなり，第１および第２の面を有する活性層」及び「Ａｌ なる第２のｎ型窒化物半導体層」，「ＩｎｘＧａ１－ｘＮ（０＜ｘ＜１）よりなるｎ型窒化物半導体層」，「インジウムおよびガリウムを含む窒化物半導体よりなり，第１および第２の面を有する活性層」及び「ＡｌｙＧａ１－ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなるｐ型窒化物半導体層」に相当するから，実施例４のＬＥＤ素子は，本件発明１の窒化物半導体発光素子と同一の積層構造を有するものであると認められる。 そして，本件明細書には，実施例４のＬＥＤ素子は，「発光ピーク波長４２５ｎｍの青色発光を示し」たことが記載されている（段落【００５４】）。 記載のとおり，単一量子井戸構造の活性層としてノンドープＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎを用いた場合の「本来のバンドギャップエネルギー」に相当する発光ピーク波長は，３８０ｎｍ程度であるから，実施例４のＬＥＤ素子では，単一量子井戸構造でノンドープのＩｎ０．０５Ｇａ０． ９５Ｎよりなる活性層は，本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエ- 66 -ネルギーの光（４２５ｎｍ）を発光したことになる。 オ前記イないしエによれば，本件明細書の発明の詳細な説明における実施例４には，本件発明１と同一の積層構造を有するＬＥＤ素子の製造方法が記載されており，かつ，このＬＥＤ素子の発光ピーク波長（４２５ｎｍ）は，活性層を形成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーに相当する発光ピーク波長（３８０ｎｍ程度）よりも長いこと，すなわち，このＬＥＤ素子が，活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光することが記載されているといえる。 したがって，本件明細書の発明の詳細な説明の記載は，物の発明（特許法２条３項１号）である本件発明１について，当業者がこれを生産することができ，かつ使用することがで ことが記載されているといえる。 したがって，本件明細書の発明の詳細な説明の記載は，物の発明（特許法２条３項１号）である本件発明１について，当業者がこれを生産することができ，かつ使用することができる程度に明確かつ十分に記載されているというべきである。 カ被告の主張について 被告は，原告が実施可能要件に関する主張立証責任を負うにもかかわらず，無効審判請求や訂正審判請求において，実施例４に基づく主張をしていなかったのであるから，本件審決が実施例４について言及しなかったとしても，これにより，本件審決の判断が違法とされる理由はない旨主張する。 しかしながら，本件審決は，本件明細書のうち段落【０００８】～【００１２】，【００１６】～【００２３】，【００３２】～【００３７】，【００３９】，【００４０】，【図１】及び【図２】の記載について，順に，これらの記載が本件発明１について実施可能要件を充足するものであるかを検討したのに続き，「上記２以外の記載をみても，本件明細書の発明の詳細な説明は，「活性層の第１の面にｎ型ＩｎＧａＮ層が接し，該活性層の第２の面にｐ型ＡｌＧａＮ層が接し，該活性層を- 67 -構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光する窒化物半導体発光素子」である本件発明１の「活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光する」点について，当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものとは認められない。」（３２頁３１行～３３頁１行）としていることに照らせば，本件明細書の全記載を判断の対象として，実施可能要件違反の判断をしたものと認められる。 したがって，本件審決が実施例４の記載（段落【００４３】～【００ １行～３３頁１行）としていることに照らせば，本件明細書の全記載を判断の対象として，実施可能要件違反の判断をしたものと認められる。 したがって，本件審決が実施例４の記載（段落【００４３】～【００５１】，【００５４】）について判断していないとはいえないから，この点において被告の上記主張は理由がない。 被告は，本件明細書では，Ｉｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ活性層は，本来のバンドギャップエネルギーでは３８０ｎｍ付近の紫外発光を示すものであるが，量子井戸構造をとる実施例１においては，発光ピーク波長は４１０ｎｍと長波長化している（段落【００３４】，【００５１】）のに対し，甲１２では，Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ活性層は，実施例２にあるとおり，本来のバンドギャップエネルギーでは５１０ｎｍの緑色発光を示すものであるが，量子井戸構造をとる実施例６においては，発光ピーク波長が４５０ｎｍと短波長化している（段落【００４５】）として，本件明細書の実施例４の記載によっても，甲１２の記載との対比でみれば，本件発明１はどのように実施可能であるのか不明である旨主張する。 ａ 甲１２には，実施例２として，ＭＯＶＰＥ法による窒化物半導体層の成長方法によって，サファイア基板１の上に，ｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層３（４μｍ），ｎ型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎよりなる第２のｎ型クラッド層４（０．１μｍ），ｎ型Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎよりなる第１のｎ型クラッド層５（５００オングストローム），ノンドープ- 68 -Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ｎよりなる活性層６（膜厚が４００オングストロームあり，量子井戸構造ではない。），ｐ型Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎよりなる第１のｐ型クラッド層７（５００オングストローム），ｐ型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎよりなる第２のｐ型クラッド層８ ０オングストロームあり，量子井戸構造ではない。），ｐ型Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎよりなる第１のｐ型クラッド層７（５００オングストローム），ｐ型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎよりなる第２のｐ型クラッド層８（０．１μｍ），ｐ型ＧａＮよりなるｐ型コンタクト層９（０．５μｍ）を順次積層して形成したＬＥＤ素子の発光ピーク波長が，５１０ｎｍであったこと（段落【００３３】～【００４１】），実施例６として，ＭＯＶＰＥ法による窒化物半導体層の成長方法によって，サファイア基板１の上に，ｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層３（４μｍ），ｎ型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎよりなる第２のｎ型クラッド層４（０．１μｍ），ｎ型Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎよりなる第１のｎ型クラッド層５（５００オングストローム），ノンドープＩｎ０．２Ｇａ０．８Ｎよりなる活性層６（膜厚が２０オングストロームの，単一量子井戸構造である。），ｐ型Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎよりなる第１のｐ型クラッド層７（５００オングストローム），ｐ型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎよりなる第２のｐ型クラッド層８（０．１μｍ），ｐ型ＧａＮよりなるｐ型コンタクト層９（０．５μｍ）を順次積層して形成したＬＥＤ素子の発光ピーク波長が，４５０ｎｍであったこと（段落【００３３】～【００４０】，【００４５】）が，開示されている。 ｂ 被告の上記主張は，本件明細書における，Ｉｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ活性層の本来のバンドギャップエネルギー（３８０ｎｍ程度）と実施例１のＬＥＤ素子の発光ピーク波長（４１０ｎｍ）とを比較した結果と，甲１２における，実施例２のＬＥＤ素子の発光ピーク波長（５１０ｎｍ）と実施例６のＬＥＤ素子の発光ピーク波長（４５０ｎｍ）とを比較した結果とが矛盾しているとして，これを問題とするものであり，両者をその結果のみをもって 施例２のＬＥＤ素子の発光ピーク波長（５１０ｎｍ）と実施例６のＬＥＤ素子の発光ピーク波長（４５０ｎｍ）とを比較した結果とが矛盾しているとして，これを問題とするものであり，両者をその結果のみをもって単純に比較することができることを前提とし- 69 -た主張であるといえる。 しかしながら，本件明細書において，Ｉｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ活性層の本来のバンドギャップエネルギー（３８０ｎｍ程度）は，「単一量子井戸構造の活性層の厚さ，つまり井戸層の厚さと，発光素子の発光ピーク波長との関係を示す図」である【図２】から求められたものであるから，これと本件明細書の実施例１のＬＥＤ素子との比較は，活性層を単一量子井戸構造としたＬＥＤ素子間における発光ピーク波長の比較であるのに対し，甲１２の実施例２は，活性層が膜厚４００オングストロームであり，これと甲１２の実施例６のＬＥＤ素子との比較は，活性層が量子井戸量子井戸構造としたＬＥＤ素子（実施例６）との間において発光ピーク波長を比較しようとするものである。 ｃ 甲１２には，「ところで，活性層６を量子井戸構造（単一量子井戸構造または多重量子井戸構造）とすることにより，発光波長の半値幅がより狭くなり，発光出力も向上することがわかった。」（段落【００１６】），「ここで，量子井戸構造とは，ノンドープの活性層構成窒化物半導体（好ましくは，ＩｎｘＧａ１－ｘＮ（０＜ｘ＜１））による量子準位間の発光が得られる活性層の構造をいい，単一量子井戸構造とは，井戸層が単一組成の１層よりなる構造を指す。すなわち，単一量子井戸構造の活性層は，単一の井戸層のみにより構成される。また，多重量子井戸構造とは，井戸層と障壁層を交互に積層した多層膜構造を指す。この多層膜構造において，両側の２つ最外層は，それぞれ井戸層によ 子井戸構造の活性層は，単一の井戸層のみにより構成される。また，多重量子井戸構造とは，井戸層と障壁層を交互に積層した多層膜構造を指す。この多層膜構造において，両側の２つ最外層は，それぞれ井戸層により構成される。すなわち，多重量子井戸構造の活性層は，例えばＩｎＧａＮ／ＧａＮ，ＩｎＧａＮ／ＩｎＧａＮ（組成が異なる）等の井戸層／障壁層の組み合わせからなり，これら井戸層および障壁- 70 -層を交互に積層した薄膜積層構造である。このように，活性層６を多重量子井戸構造とする場合，障壁層は，ＩｎＧａＮばかりでなく，ＧａＮで形成することもできる。活性層６を多重量子井戸構造とすると，単一量子井戸構造の活性層よりも発光出力が向上する。」（段落【００１７】）と記載されているように，量子井戸構造は，ノンドープの活性層構成窒化物半導体による量子準位間の発光が得られる活性層の構造であるから，活性層を単一量子井戸構造としたＬＥＤ素子である甲１２の実施例６においては，量子準位間のバンドギャップエネルギーで発光ピーク波長が決まるのに対し，活性層が量子井戸構造ではないＬＥＤ素子である甲１２の実施例２においては，量子準位が形成されないため，量子準位間のバンドギャップエネルギーで発光ピーク波長が決まるものではない。 したがって，甲１２の実施例２のＬＥＤ素子の活性層は，実施例６の活性層と同じノンドープＩｎ０．２Ｇａ０．８Ｎで形成されていても，そ活性層の「本来のバンドギャップエネルギー」に相当する発光ピーク波長とは異なるものである。 ｄ そうすると，甲１２において，活性層が単一量子井戸構造ではない実施例２のＬＥＤ素子の発光ピーク波長（５１０ｎｍ）と比べて，実施例６のＬＥＤ素子の発光ピーク波長（４５０ｎｍ）が短波長化していても，これが直ちに本件明細書の記 て，活性層が単一量子井戸構造ではない実施例２のＬＥＤ素子の発光ピーク波長（５１０ｎｍ）と比べて，実施例６のＬＥＤ素子の発光ピーク波長（４５０ｎｍ）が短波長化していても，これが直ちに本件明細書の記載と矛盾するとはいえず，また，その発明の詳細な説明の記載内容の解釈に影響を及ぼすものであるともいえない。 したがって，被告の上記主張は理由がない。 被告は，本件明細書の段落【００１３】においては，ＩｎｘＧａ１－ｘＮのバンドギャップエネルギーＥｇを表す式が「Ｅｇ＝Ｅｇ１・ｘ＋Ｅｇ２- 71 -・（１－ｘ）－ｘ（１－ｘ）」と記載されており，ボーイングパラメーターを表すＢが欠落していることに加え，ボーイングパラメータ（Ｂ）は，１．０ｅＶではないから，上記計算式は客観的に誤りである，上記計算式が誤っている以上，本件発明１において，「活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光する」という前提である，「本来のバンドギャップエネルギー」を定めることもできないのであるから，本件発明１は実施不能である旨主張する。 本件明細書の段落【００１３】には，「ところで，ＩｎＮのバンドギャップエネルギー（１．９６ｅＶ）をＥｇ１で，ＧａＮのバンドギャップエネルギー（３．４０ｅＶ）をＥｇ２で表わすと，窒化物半導体ＩｎｘＧａ１－ｘＮの本来のバンドギャップエネルギーＥｇは，式Ｅｇ＝Ｅｇ１・ｘ＋ Ｅｇ２・（１－ｘ）－ｘ（１－ｘ）により算出することができる。活性層の本来の発光波長λは，λ＝１２４０／Ｅｇに相当する。」との記載があり，この計算式は，ボーイングパラメーターを表す「Ｂ」を欠落しており，正確なものとはいえない。 しかしながら，前記ウのとおり，本件明細書の【図２】は ，λ＝１２４０／Ｅｇに相当する。」との記載があり，この計算式は，ボーイングパラメーターを表す「Ｂ」を欠落しており，正確なものとはいえない。 しかしながら，前記ウのとおり，本件明細書の【図２】は，実際にＬＥＤ素子を作製して行った実験結果に基づき作成された，単一量子井戸構造の活性層の厚さと発光素子の発光ピーク波長との関係を示すグラフ図であり，これと段落【００３３】及び【００３４】の記載から，単一量子井戸構造の活性層としてノンドープＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎよりなる半導体を用いた場合（線α）には，「本来のバンドギャップエネルギー」に相当する発光ピーク波長は，３８０ｎｍ程度であることを把握することができ，また，これと比較される実施例４のＬＥＤ素子の発光ピーク波長である４２５ｎｍというのも，段落【００５４】にあるとおり，実際にＬＥＤ素子を作製して行った実験結果に基づくものであるから，段- 72 -落【００１３】に記載された計算式が上記のとおり誤っていたとしても，このことが，直ちに前記判断を左右し得るものではない。 したがって，被告の上記主張は理由がない。 被告は，ＩｎＧａＮ層中には組成不均一があることが知られており，局所的にＩｎ組成が高い領域において発光が起きるから，特定の組成のＩｎＧａＮ層であっても，どの程度の発光波長となるか不明であるということになり，「本来のバンドギャップエネルギー」を定めることは不可能であるというべきであるから，本件発明１は実施不能であるということになる旨主張する。 しかしながら，本件発明１において，活性層を構成する窒化物半導体の「本来のバンドギャップエネルギー」とは，「引っ張り応力の影響を受けない状態の活性層（活性層を構成する窒化物半導体）が有するバンドギャップエネルギー」を意味するものと 活性層を構成する窒化物半導体の「本来のバンドギャップエネルギー」とは，「引っ張り応力の影響を受けない状態の活性層（活性層を構成する窒化物半導体）が有するバンドギャップエネルギー」を意味するものと解されること，本件明細書の段落【００３３】，【００３４】及び【図２】の記載から，単一量子井戸構造の活性層としてノンドープＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎよりなる半導体を用いた場合（線α）には，「本来のバンドギャップエネルギー」に相当する発光ピーク波長は，３８０ｎｍ程度であることを把握することができることは，前記ウ認定のとおりであり，本件発明１において，「本来のバンドギャップエネルギー」を定めることが不可能であるとはいえない。 したがって，被告の上記主張は理由がない。 小括以上によれば，本件明細書の発明の詳細な説明の記載は，本件発明１について，当業者がこれを生産することができ，かつ使用することができる程度に明確かつ十分に記載されているというべきであるから，本件明細書の発明の詳細な説明の記載が本件発明１についての実施可能要件（平成１１年改正- 73 -前特許法３６条４項）を欠くとの本件審決の判断は誤りであるといわざるを得ない。 ３ 取消事由２（本件発明２ないし９についての実施可能要件の判断の誤り）について本件審決は，本件発明２ないし９について，「本件発明２は，本件発明１において，活性層とｎ型窒化物半導体層との総膜厚を３００オングストローム以上に限定したものに相当する。本件発明３は，本件発明１において，活性層の第２の面に接するＡｌｙＧａ１－ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなるｐ型窒化物半導体層上にｐ型コンタクト層を備える点を限定したものに相当する。本件発明４ないし本件発明９は，本件発明１ないし本件発明３のいずれかにおいて，活性 るＡｌｙＧａ１－ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなるｐ型窒化物半導体層上にｐ型コンタクト層を備える点を限定したものに相当する。本件発明４ないし本件発明９は，本件発明１ないし本件発明３のいずれかにおいて，活性層の構成を限定したものに相当する。よって，本件発明１と同様に理由により，本件明細書の発明の詳細な説明には，本件発明２ないし本件発明９について，当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されているとは認められない。」と判断した（３３頁５行～１５行）。 しかしながら，本件審決における本件発明１についての実施可能要件の判断に誤りがあることは，前記２のとおりであるから，本件明細書の発明の詳細な説明の記載が本件発明２ないし９についての実施可能要件（平成１１年改正前特許法３６条４項）を欠くとの本件審決の判断も誤りであるといわざるを得ない。 ４ 結論以上によれば，原告主張の取消事由はいずれも理由があるから，本件審決は取消しを免れない。 よって，原告の請求を認容することとし，主文のとおり判決する。 知的財産高等裁判所第４部 裁判長裁判官富田善範- 74 - 裁判官田中芳樹 裁判官柵木澄子- 75 -（別紙）本件明細書図面目録 【図１】 【図２】 - 76 -【図４】
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